KR100958639B1 - 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법 - Google Patents

레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법에 관한 것으로, 상세하게는 조사되는 레이저의 에너지를 실시간으로 피드백함으로써 별도의 모니터링 과정이 불필요해지는 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법에 관한 것이다.
본 발명은 출력되는 레이저의 세기를 조정하는 감쇠기(attenuator)를 포함하며, 기판에 레이저를 조사하는 레이저 발생부; 및 상기 레이저 발생부에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 적어도 일부가 입력되는 파워 미터를 포함하고, 상기 감쇠기는 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지 측정값으로부터, 상기 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정을 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치를 제공한다.
레이저, ELA, 피드백

Description

레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법{Apparatus and method for laser irradiate}
본 발명은 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법에 관한 것으로, 상세하게는 조사되는 레이저의 에너지를 실시간으로 피드백함으로써 별도의 모니터링 과정이 불필요해지는 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘은 결정 상태에 따라 비정질 실리콘(amorphous silicon)과 결정질 실리콘(crystalline silicon)으로 나눌 수 있다. 비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정 패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자에 많이 사용한다.
그러나, 비정질 실리콘 박막은 낮은 전계 효과 이동도 등의 문제점으로 표시소자의 대면적화에 어려움이 있다. 그래서, 높은 전계 효과 이동도(30㎠/VS)와 고주파 동작 특성 및 낮은 누설 전류(leakage current)의 전기적 특성을 가진 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)의 응용이 요구되고 있다.
특히, 다결정 실리콘 박막의 전기적 특성은 그레인(grain)의 크기에 큰 영향 을 받는다. 즉, 그레인의 크기가 증가함에 따라 전계 효과 이동도도 따라 증가한다. 따라서, 이러한 점을 고려하여 실리콘을 다결정화 하는 방법이 큰 이슈로 떠오르고 있으며, 에너지원을 레이저로 하여 실리콘을 다결정화 하는 방법이 사용되고 있다.
다결정 실리콘층을 가지는 액정 표시 장치의 제조 공정 중 레이저 결정화 공정은 다결정 실리콘층을 가지는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터의 특성에 아주 중요한 영향을 끼친다. 즉, 결정성이 좋지 않으면 박막 트랜지스터의 특성 불량을 야기한다.
이와 같은 레이저 결정화 공정을 위하여 ELA(Eximer Laser Annealing)를 이용한 레이저 결정화 시스템이 개발되었다. 이러한 레이저 결정화 시스템에서는, 비정질 실리콘(amorphous silicon) 막을 형성한 기판에 엑시머 레이저(Eximer Laser) 등의 어닐링(annealing) 빛을 조사하여, 기판상의 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 다결정화 한다.
그런데, 종래에는 레이저 결정화 공정 진행 시 결정성의 불량 유무를 확인하는 장비가 없어 단순히 목시 검사에 의존한다. 이때 세로줄 불량으로 나타나는 레이저 결정화 공정 불량은 크기가 대략 20㎛밖에 안되므로 목시 검사로는 확인하기 어렵고, 레이저 결정화 공정 완료 후, 비주얼(visual)검사나 G/T(Gross Test)검사 시에야 확인할 수 있어서 기판이나 ELA의 불필요한 사용을 초래한다.
한편, ELA(Eximer Laser Annealing)를 이용한 레이저 결정화 시스템에서는, 조사되는 레이저의 에너지를 균일하게 유지하는 것이 무엇보다 중요하다. 만약, 레 이저의 에너지의 변동이 발생한다면, 기판 조사 결과 색과 색 사이 모양이 관찰되고, 이것이 액정 패널의 품질 불량의 원인이 되어 왔다. 이러한 레이저 결정화 불량의 특징을 자세히 보면 불량은 세로줄의 형태로 나타나며 불량인 부분의 그레인 크기(grain size)는 다른 부분보다 급격히 작아지며, 표면 거칠기가 정상 결정화 지역에 비해 급격히 변한다.
이러한 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정상에서 레이저의 에너지 밀도(energy density)가 일정하게 유지되는지를 모니터링 하기 위하여 종래에는, 레이저 발진기로부터 발생하는 레이저의 일부를 외부로 뽑아내어, 뽑아낸 레이저의 에너지 밀도(energy density)를 에너지 모니터(energy mornitor)를 이용하여 검사하는 방법이 사용되었다. 그러나, 기판에 조사되는 레이저는, 레이저 발진기에서 발생하면서부터 기판에 조사되기까지 여러 공정을 거치며 가공되므로, 레이저 발진기에서 뽑아낸 초기의 레이저는, 기판상에 조사되는 최종 상태의 레이저와는 동일하지 아니하다. 따라서, 에너지 모니터(energy mornitor)를 이용하여 초기 레이저의 에너지 밀도를 측정하는 것은 그 결과가 정확하지 아니하다는 문제점이 존재하였다.
이를 해결하기 위하여, 레이저 발생부 입구에 턴 미러를 설치하여 두고, 레이저 발진기에서 발생하고 있는 레이저의 에너지 밀도(energy density)를 측정하기를 원할 때에는, 상기 턴 미러를 레이저 경로의 중간에 위치하도록 하여, 상기 레이저를 외부로 반사시켜서 이 레이저의 에너지 밀도(energy density)를 측정하였다. 그러나, 이와 같은 방식에서는, 레이저의 에너지 밀도(energy density)를 측정 하기를 원할 때에는, 전체 레이저를 턴 미러로 반사시켜야 하기 때문에, 시간이 오래 걸리는 작업일 뿐 아니라 공정 진행 중에 실시하기에는 적당하지 않다는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 조사되는 레이저의 에너지를 실시간으로 피드백함으로써 별도의 모니터링 과정이 불필요해지는 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 출력되는 레이저의 세기를 조정하는 감쇠기(attenuator)를 포함하며, 기판에 레이저를 조사하는 레이저 발생부; 및 상기 레이저 발생부에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 적어도 일부가 입력되는 파워 미터를 포함하고, 상기 감쇠기는 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지 측정값으로부터, 상기 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정을 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지와 소정의 기준 값을 비교하여, 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 다를 경우, 상기 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 동일해지도록 제어될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 감쇠기는 적어도 한 쌍의 렌즈를 구비하고, 상기 렌즈의 회전 각도에 의하여 상기 레이저의 투과율이 변화되어 출력되는 레이저의 세기를 조정할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 레이저 발생부에서 상기 기판으로 조사되는 레이저 의 적어도 일부의 경로를 변경시키는 미러를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 미러는, 상기 레이저 발생부로부터 조사되는 레이저 중, 상기 기판에 조사되지 않는 영역의 레이저의 경로를 변경시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 레이저 발생부에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 일부를 절단하는 빔 커터를 더 포함하고, 상기 빔 커터에 의하여 절단되는 영역의 레이저가 상기 파워 미터로 입력될 수 있다.
다른 측면에 관한 본 발명은, 기판에 레이저를 조사하는 단계; 상기 조사되는 레이저의 적어도 일부가 파워 미터로 입사되는 단계; 상기 파워 미터에 입사된 레이저의 에너지와 소정의 기준값을 비교하는 단계; 및 상기 비교 결과에 따라, 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계를 포함하는 레이저 조사 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 조사되는 레이저의 적어도 일부가 파워 미터로 입사되는 단계는, 상기 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로가 변경되는 단계 및 상기 경로가 변경된 레이저가 파워 미터로 입사되는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로가 변경되는 단계는, 상기 조사되는 레이저 중, 상기 기판에 조사되지 않는 영역의 레이저의 경로를 변경시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계는, 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 다를 경우, 상기 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 동일해지도록 제어될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계는, 감쇠기(attenuator)에 의하여 수행될 수 있다.
본 발명에 의해서 별도의 모니터링 과정이 불필요해지고, 기판의 불량률이 감소하는 효과를 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 장치를 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 장치(100)는 기판(160)에 레이저를 조사하는 레이저 발생부(110)와, 상기 레이저 발생부(110)에서 상기 기판(160)으로 조사되는 레이저의 적어도 일부가 입력되는 파워 미터(130)를 포함하여, 상기 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정되는 것을 특징으로 한다.
상세히, 상기 레이저 발생부(110)는 레이저 발진기(112), 감쇠기(114), 텔레스코프(116), 호모지나이저(118), 필드 렌즈(120), 오브젝티브(122) 및 턴 미러(124)(126)(128)를 포함한다.
레이저 발진기(112)에서는 고출력 엑시머 레이저(excimer laser)가 출력된다. 그리고, 레이저 발진기(112)에서 출력된 레이저는 제1 턴 미러(124)에 의해 경 로가 변경되어 감쇠기(114)로 들어간다.
감쇠기(減衰器, attenuator)(114)는 렌즈에 입사되는 레이저의 입사각에 따라 투과량과 반사량이 달라지는 것을 이용하여, 레이저 발진기(112)에서 출력된 레이저의 세기를 조정하는 기능을 수행한다. 이를 위하여 감쇠기(114)는 두 개의 렌즈와 냉각기를 포함하여 구성된다. 본 발명에서는 기판(160)으로 조사되는 레이저의 일부를 파워 미터(130)로 입력되도록 하고, 상기 파워 미터(130)로 입력된 레이저의 에너지를 소정의 기준값과 비교하여, 상기 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정되는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 감쇠기(114)는 상기 레이저의 에너지가 소정의 기준값을 유지하도록, 상기 레이저의 투과율을 보정하는 역할을 수행한다. 상기 파워 미터(130) 및 감쇠기(114)의 피드백(feedback) 보정에 대하여는 도 2에서 후술한다.
그리고, 감쇠기(114)에서 출력된 레이저는 제2 턴 미러(126)에 의해 경로가 변경되어 텔레스코프(116), 호모지나이저(118), 필드 렌즈(120)를 통과하고, 제3 턴 미러(128)에 의해 다시 경로가 변경되어 오브젝티브(122)를 통과하면서, 선상으로 한결같은 강도 분포를 갖는 라인 빔(line beam)으로 가공되어 기판(160)에 조사된다.
여기서, 텔레스코프(telescope)(116)는 로 레이저(raw laser)를 늘이거나 줄이는 역할을 수행하는 동시에, 레이저가 상하좌우로 퍼지는 현상을 방지하는 역할을 수행한다. 그리고, 호모지나이저(118)는 초고속 혼합기라고도 하며, 필드 렌즈(120)와 함께 레이저의 균일도(uniformity)를 확보하는 역할을 수행한다. 그리 고, 오브젝티브(122)는 가공된 라인 빔(line beam)의 단축 방향의 포커싱을 수행한다. 예를 들면, 라인 빔(line beam)이 270mm * 0.4mm 로 가공된다고 했을 때, 상기 오브젝티브(122)는 상기 라인 빔(line beam)의 폭이 0.4mm 로 포커싱되도록 하는 역할을 수행한다. 상기 텔레스코프(116), 호모지나이저(118), 필드 렌즈(120) 및 오브젝티브(122)는 기 공지된 기술이므로 여기서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다.
한편, 상기 레이저 발생부(110)에서 기판(160)으로 조사되는 레이저의 일부는 파워 미터(130)로 입력되고, 상기 파워 미터(130)에서 조사되는 레이저의 에너지가 측정되고, 상기 측정 결과가 감쇠기(114)로 전달되고, 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 된다.
파워 미터(130)는 빛의 전력을 측정하는 계기로서, 광선로, 광전송장치, 각종 광원 등의 광신호 전력의 송수신 레벨을 측정하는 장비를 말한다. 전송, 선로, 전용, 인터넷 분야 등 매우 광범위한 분야에서 광전력 송수신 레벨을 측정하기 위해 사용된다. 통상적으로 +10 ~ -40 dBm 정도를 측정 대상으로 삼고 있다. 파워 미터가 광전럭을 측정하는 원리는, 광자(Photon)가 광검출기(Light detector)에 도착하는 비율로 측정하는 것으로서, 다시 말하면 보통 광 에너지를 흡수하여 발생하는 온도 변화를 열전기쌍을 이용하여 측정하는 방법을 사용한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 장치에서 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 제3 턴 미러(128)에 의해 경로가 변경되어 오브젝티브(도 1의 122 참조)를 통과한 레이저가 기판(160)에 조사된다. 상기 기판(160)에 조사되는 레이저(L)는 선상으로 한결같은 강도 분포를 갖는 라인 빔(line beam)으로 가공되어 있다. 그런데, 이러한 라인 빔(line beam)의 폭(W1)은, 실제로 필요한 폭, 예를 들어 기판(160)의 스캔 영역의 폭(W2)보다 일정 정도 넓게 형성되는 것이 일반적이다. 예를 들어, 기판(160)의 스캔 영역의 폭(W2))이 200mm라고 했을 때, 레이저 발생부(110)에서 가공되어 조사되는 라인 빔(line beam)의 폭(W1)은 이보다 일정 정도 넓은 270mm로 형성될 수 있다. 그리고 이때, 레이저 발생부(110)에서 가공되어 조사되는 라인 빔(line beam) 중 원하는 영역만큼을 잘라내기 위하여, 상기 조사되는 레이저(L)의 경로 상에 빔 커터(beam cutter)(141)(142)가 형성될 수 있다. 즉, 조사되는 레이저(L) 중 상기 빔 커터(beam cutter)(141)(142)에 의하여 커팅되는 영역은 불필요한 여분의 레이저라고 할 수 있다.
여기서, 본 발명은 상기 빔 커터(beam cutter)(141)(142)에 의하여 커팅되는 여분의 레이저를 이용하여, 조사되는 레이저의 에너지를 상시적으로 측정하고, 이를 기초로 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정하는 것을 특징으로 한다.
상세히, 레이저 발생부(110)와 빔 커터(beam cutter)(141)(142)의 사이, 즉 빔 커터(beam cutter)(141)(142)의 상측에는, 상기 레이저 발생부(110)에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로를 변경시키기 위한 미러(150))가 형성된다. 상기 미러(150)는, 상기 레이저 발생부(110)로부터 조사되는 레이저 중, 상기 기판(160)에 조사되지 않는 영역의 레이저의 경로를 변경시키는 역할을 수행한다.
그리고, 상기 미러(150)에 의해서 경로가 변경된 일부 레이저는 파워 미터(130)로 입력된다. 파워 미터(130)는 상술한 바와 같이, 빛의 전력을 측정하는 계기로서, 광선로, 광전송장치, 각종 광원 등의 광신호 전력의 송수신 레벨을 측정하는 장비를 말한다.
그리고, 상기 파워 미터(130)에서 측정된 레이저의 에너지는 소정의 기준값과 비교된다. 여기서, 상기 소정의 기준값을 결정하는 방법은 다음과 같이 예시할 수 있다. 먼저 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정을 시작하기 전에, 소정의 모니터링 기판을 형성한다. 상기 모니터링 기판상에는 레이저의 에너지 밀도(energy density) 값을 스플릿(split)하고, 결정화를 진행한다. 그리고, 상기 모니터링 기판에 광원을 비추고, 모니터링 기판에 의하여 산란되어 나오는 산란광을 육안으로 측정하여, 가장 유니폼(uniform)한 영역의 에너지 밀도(energy density) 값을 소정의 기준값으로 결정할 수 있다.
마지막으로, 상기 파워 미터(130)에서 측정된 레이저의 에너지와 소정의 기준값을 비교하여, 측정값과 기준값이 동일하다면 조사되는 레이저의 에너지를 그대로 유지한다. 반면, 측정값과 기준값이 동일하지 않다면, 감쇠기(減衰器, attenuator)(114)는 레이저 발생부(110)에서 출력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준값이 되도록, 출력되는 레이저의 에너지를 조절한다. 즉, 감쇠기(114)에 구비되는 렌즈에 입사되는 레이저의 입사각에 따라 투과량과 반사량이 달라지는 것을 이용하여, 출력되는 레이저가 소정의 기준값이 되도록 레이저의 에너지가 조절되는 것이다.
이와 같이, 조사되는 레이저 전체를 이용하는 것이 아니라, 빔 커터에 의하여 커팅되는 여분 영역의 레이저를 이용함으로써, 모니터링을 위하여 공정을 중단할 필요 없이 실시간으로 모니터링이 가능해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 조사되는 레이저의 에너지를 실시간으로 모니터링하고 그 결과를 바탕으로 레이저의 에너지를 피드백 보정하는 것이 가능해짐으로써, 제품의 품질이 향상되고 불량률이 감소하는 효과를 얻을 수 있다.
이하에서는 본 발명에 관한 레이저 조사 방법에 대하여 살펴본다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 관한 레이저 조사 방법은, 기판에 레이저를 조사하는 단계(S110 단계), 상기 조사되는 레이저의 적어도 일부가 파워 미터로 입사되는 단계(S120 단계), 상기 파워 미터에 입사된 레이저의 에너지와 소정의 기준값을 비교하는 단계(S130 단계) 및 상기 비교 결과에 따라, 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계(S140 단계)를 포함한다.
먼저, 레이저 발생부(110)에서는 소정의 레이저가 생성되고, 상기 생성된 레이저는 기판(160)에 조사된다(S110 단계). 상세히, 레이저 발진기(112)에서 출력된 레이저는 감쇠기(114), 텔레스코프(116), 호모지나이저(118), 필드 렌즈(120) 및 오브젝티브(122)를 통과하면서, 선상으로 한결같은 강도 분포를 갖는 라인 빔(line beam)으로 가공되어 기판(160)에 조사된다.
여기서, 상기 기판(160)으로 조사되는 레이저의 적어도 일부가 파워 미터로 입사된다.(S120 단계) 상세히, 기판(160)에 조사되는 레이저는 선상으로 한결같은 강도 분포를 갖는 라인 빔(line beam)으로 가공되어 있다. 그런데, 이러한 라인 빔(line beam)의 폭은, 실제로 필요한 폭, 예를 들어 기판(160)의 스캔 영역의 폭보다 일정 정도 넓게 형성되는 것이 일반적이다. 그리고 이때, 레이저 발생부(110)에서 가공되어 조사되는 라인 빔(line beam) 중 원하는 영역만큼을 잘라내기 위하여, 상기 조사되는 레이저의 경로 상에 빔 커터(beam cutter)(141)(142)가 형성될 수 있다. 즉, 조사되는 레이저 중 상기 빔 커터(beam cutter)(141)(142)에 의하여 커팅되는 영역은 불필요한 여분의 레이저라고 할 수 있다.
여기서, 본 발명은 상기 빔 커터(beam cutter)(141)(142)에 의하여 커팅되는 여분의 레이저를 이용하여, 조사되는 레이저의 에너지를 상시적으로 측정하고, 이를 기초로 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정하는 것을 특징으로 한다.
즉, 레이저 발생부(110)와 빔 커터(beam cutter)(141)(142)의 사이, 즉 빔 커터(beam cutter)(141)(142)의 상측에는, 상기 레이저 발생부(110)에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로를 변경시키기 위한 미러(150))가 형성된다. 상기 미러(150)는, 상기 레이저 발생부(110)로부터 조사되는 레이저 중, 상기 기판(160)에 조사되지 않는 영역의 레이저의 경로를 변경시키는 역할을 수행한다. 그리고, 상기 미러(150)에 의해서 경로가 변경된 일부 레이저는 파워 미터(130)로 입력된다.
다음으로, 상기 파워 미터(130)에 입사된 레이저의 에너지와 소정의 기준값이 비교된다.(S130 단계) 여기서, 상기 소정의 기준값은, 모니터링 기판에 레이저의 에너지 밀도 값을 스플릿(split)하여, 결정화를 진행한 후, 여기에 광원을 비추어 육안 측정을 하고, 이렇게 육안 측정 시 가장 유니폼(uniform)한 영역의 에너지 밀도 값을 기준값으로 정할 수 있다.
다음으로, 상기 비교 결과에 따라, 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정한다.(S140 단계) 상세히, 측정값과 기준값이 동일하다면 조사되는 레이저의 에너지를 그대로 유지한다. 반면, 측정값과 기준값이 동일하지 않다면, 감쇠기(減衰器, attenuator)(114)는 레이저 발생부(110)에서 출력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준값이 되도록, 출력되는 레이저의 에너지를 조절한다. 즉, 감쇠기(114)에 구비되는 렌즈에 입사되는 레이저의 입사각에 따라 투과량과 반사량이 달라지는 것을 이용하여, 출력되는 레이저가 소정의 기준값이 되도록 레이저의 에너지가 조절되는 것이다.
마지막으로 공정이 종료되었는지 여부를 판단(S150 단계)하여, 공정이 종료되지 않았으면, 상기 전체 단계를 반복적으로 수행한다.
이와 같이, 조사되는 레이저 전체를 이용하는 것이 아니라, 빔 커터에 의하여 커팅되는 여분 영역의 레이저를 이용함으로써, 모니터링을 위하여 공정을 중단할 필요 없이 실시간으로 모니터링이 가능해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 조사되는 레이저의 에너지를 실시간으로 모니터링하고 그 결과를 바탕으로 레이저의 에너지를 피드백 보정하는 것이 가능해짐으로써, 제품의 품질이 향상되고 불량률이 감소하는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 장치를 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 장치에서 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 레이저 조사 방법을 도시한 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
100: 레이저 조사 장치 110: 레이저 발생부
112: 레이저 발진기 114: 감쇠기
116: 텔레스코프(116), 118: 호모지나이저
120: 필드 렌즈 122: 오브젝티브
124, 126, 128: 턴 미러 130: 파워 미터
141, 142:빔 커터 160: 기판

Claims (11)

  1. 출력되는 레이저의 세기를 조정하는 감쇠기(attenuator)를 포함하며, 기판에 레이저를 조사하는 레이저 발생부;
    상기 레이저 발생부에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 일부를 절단하는 빔 커터; 및
    상기 빔 커터에 의하여 절단되는 영역의 레이저가 입력되는 파워 미터를 포함하고,
    상기 감쇠기는 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지 측정값으로부터, 상기 조사되는 레이저가 일정한 에너지값을 유지하도록 피드백(feedback) 보정을 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지와 소정의 기준 값을 비교하여, 상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 다를 경우, 상기 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 동일해지도록 제어되는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 감쇠기는 적어도 한 쌍의 렌즈를 구비하고, 상기 렌즈의 회전 각도에 의하여 상기 레이저의 투과율이 변화되어 출력되는 레이저의 세기를 조정하는 레이저 조사 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 발생부에서 상기 기판으로 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로를 변경시키는 미러를 더 포함하는 레이저 조사 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 미러는, 상기 레이저 발생부로부터 조사되는 레이저 중, 상기 기판에 조사되지 않는 영역의 레이저의 경로를 변경시키는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
  6. 삭제
  7. 기판에 레이저를 조사하는 단계;
    상기 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로가 변경되는 단계;
    상기 경로가 변경된 레이저가 파워 미터로 입사되는 단계;
    상기 파워 미터에 입사된 레이저의 에너지와 소정의 기준값을 비교하는 단계; 및
    상기 비교 결과에 따라, 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계를 포함하는 레이저 조사 방법.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 조사되는 레이저의 적어도 일부의 경로가 변경되는 단계는,
    상기 조사되는 레이저 중, 상기 기판에 조사되지 않는 영역의 레이저의 경로를 변경시키는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계는,
    상기 파워 미터로 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 다를 경우, 상기 입력되는 레이저의 에너지가 소정의 기준 값과 동일해지도록 제어되는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 조사되는 레이저의 에너지를 피드백(feedback) 보정하는 단계는,
    감쇠기(attenuator)에 의하여 수행되는 레이저 조사 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001102323A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法
JP2005033007A (ja) * 2003-07-14 2005-02-03 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ光のエネルギ変動補正方法及び装置

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