JP2009177122A - 薄型接合体の製造方法及び薄型接合体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】厚み0.3mm以下の半導体素子2を、接合材料3を介して厚み0.3mm以下の基板1に実装し、半導体素子2と基板とを有する薄型接合体を製造する。基板1上に接合材料3を挟んで半導体素子2を設置してなる積層体を、基板1側をステージ5側に向けた状態で当該ステージ5上に設置し、加熱されたツール4で積層体を半導体素子2側から加圧し半導体素子2を基板1に圧着させ接合させる加圧工程を備え、加圧工程では、ステージ5が70℃以下の温度に加熱されることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
接合材料3として、硬化後の弾性率、変曲点温度(Ta)及びガラス転移温度(Tg)がそれぞれ異なる異方性導電フィルム(ACF)4種類(ACF−1〜4)を準備した。それぞれのACFを表1に示す実装条件で硬化した後に、25℃においての弾性率、Ta及びTgは表1に示した。
(変曲点温度)
温度と弾性率との関係を動的粘弾性測定器(SII社製、DMS−6100)により、以下の測定条件で測定した場合の弾性率の変曲点に対応する温度である。
(測定条件)
測定サンプルサイズ(チャック間)長さ10mm、幅10mm、厚さ25μm、測定周波数10Hz、昇温スピード5℃/分
(ACFの樹脂成分)
準備したACF−1〜4の樹脂成分は以下の通りである。なお、カッコ内に示すのは、各成分の含有量(質量部)である。
ACF−1:フェノキシ樹脂(35質量部)、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(20質量部)、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(5質量部)、イミダゾール系潜在性硬化剤(40質量部)、導電性粒子(37質量部)
ACF−2:フェノキシ樹脂(30質量部)、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(15質量部)、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(20質量部)、MBS(メチルメタクリレート、ブタジエン、スチレン共重合体)(20質量部)、イミダゾール系潜在性硬化剤(30質量部)、導電性粒子(35質量部)
ACF−3:フェノキシ樹脂(40質量部)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(40質量部)、シランカップリング剤(5質量部)、オニウム塩系硬化剤(5質量部)、導電性粒子(42質量部)
ACF−4:フェノキシ樹脂(40質量部)、ウレタンアクリレートオリゴマー(65質量部)、シランカップリング剤(5質量部)、過酸化物(10質量部)、導電性粒子(40質量部)
基板1として、ガラス基板〔コーニング#1737、外形38mm×28mm、厚さ0.2〜0.5mm表面にITO(Indium Tin Oxide)配線パターン(パターン幅50μm、電極間スペース50μm)を有するもの〕を準備した。また、半導体素子2としては、ICチップ(外形17mm×1.7mm、厚さ0.2〜0.55mm、バンプの大きさ50μm×50μm、バンプ間スペース50μm)を用いた。
ステージ5として、セラミックヒーターからなる2種類のステージa,bを準備した。ステージaとステージbとは寸法が異なり、ステージaの寸法は150mm×150mmであり、ステージbの寸法は3mm×150mmである。また、ツール4として、セラミックヒーターからなる2種類のツールA,Bを準備した。ツールAとツールBとは寸法が異なり、ツールAの寸法は20mm×20mmであり、ツールBの寸法は3mm×20mmである。このようなステージa又はbと、ツールA又はBとを適宜組み合わせてなる加熱圧着具を、接合体100の作製に用いた。
各実施例、各比較例における加熱加圧の条件は表1に示した通りである。なお、半導体素子2の基板1への実装は、図3に示すように、ステージaとツールAとを組み合わせた加熱圧着具、又は図4に示すステージbとツールBとを組み合わせた加熱圧着具を用い、それぞれの接合材料3に合う温度(ACFの実測最高到達温度)及び加重(上記半導体素子2のバンプ面積換算)で10秒間行った。
図5は、反りの評価を説明する模式断面図である。図5に示す基板1及び半導体素子2は、接合材料3を介在して接合されている。Lは、半導体素子2の中心における基板1の下面の高さを0としたときの、半導体素子2の中心から12.5mm離れた場所までの基板1の下面の高さのうち最も大きい値を表す。反りの評価は、Lを指標として行った。Lの値が小さいほど、反りが小さいことを示す。各接合体の反り(L)の測定結果は、グラフ1〜4(図6〜9)に示す。
グラフ2(図7)は、基板1の厚み0.5mm、半導体素子2の厚み0.55mmとし、接合材料3としてそれぞれACF−1〜4を用い、ステージaとツールAとを組み合わせた加熱圧着具を用いて製造した各接合体100の反り量を示したものである。
グラフ3(図8)は、基板1の厚み0.2mm、半導体素子2の厚み0.2mmとし、接合材料3としてそれぞれACF−1〜4を用い、ステージbとツールBとを組み合わせた加熱圧着具を用いて製造した各接合体100の反り量を示したものである。
グラフ4(図9)は、基板1の厚み0.5mm、半導体素子2の厚み0.55mmとし、接合材料3としてそれぞれACF−1〜4を用い、ステージbとツールBとを組み合わせた加熱圧着具を用いて製造した各接合体100の反り量を示したものである。
作製した接合体を用いて、回路接合部を含む回路間の抵抗値を測定した。測定は、マルチメータ(装置名:MLR21、ETAC社製)を用いて行った。各接合体の抵抗値は、温度85℃、湿度85%RH、1000時間のTHTテスト(Thermal Humidity Test)の前後で測定し、以下の基準で○、△、×の3段階に評価した。各接合体における評価結果は、表2〜5に示した。
○:1Ω未満
△:1Ω以上10Ω未満
×:10Ω以上
表3は、基板1の厚み0.5mm、半導体素子2の厚み0.55mmとし、接合材料3としてそれぞれACF−1〜4を用い、ステージaとツールAとを組み合わせた加熱圧着具を用いて製造した各接合体100の抵抗値の評価を示したものである。
表4は、基板1の厚み0.2mm、半導体素子2の厚み0.2mmとし、接合材料3としてそれぞれACF−1〜4を用い、ステージbとツールBとを組み合わせた加熱圧着具を用いて製造した各接合体100の抵抗値の評価を示したものである。
表5は、基板1の厚み0.5mm、半導体素子2の厚み0.55mmとし、接合材料3としてそれぞれACF−1〜4を用い、ステージbとツールBとを組み合わせた加熱圧着具を用いて製造した各接合体100の抵抗値の評価を示したものである。
Claims (5)
- 厚み0.3mm以下の半導体素子を、接合材料を介して厚み0.3mm以下の基板に実装し、前記半導体素子と前記基板とを有する薄型接合体を製造する製造方法であって、
前記基板上に前記接合材料を挟んで前記半導体素子を設置してなる積層体を、前記基板側をステージ側に向けた状態で当該ステージ上に設置し、加熱されたツールで前記半導体素子側から前記積層体を加圧し前記半導体素子を前記基板に圧着させ接合させる加圧工程を備え、
前記加圧工程では、前記ステージが70℃以下の温度に加熱されることを特徴とする薄型接合体の製造方法。 - 前記接合材料は、
絶縁樹脂に導電粒子を含有させた導電フィルム又は導電ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の薄型接合体の製造方法。 - 前記接合材料は、
絶縁樹脂に導電粒子を含有させた前記導電フィルムであり、
前記導電フィルムは、
異方導電フィルムであることを特徴とする請求項2に記載の薄型接合体の製造方法。 - 前記接合材料は、
絶縁樹脂フィルム又は絶縁樹脂ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の薄型接合体の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄型接合体の製造方法で製造されたことを特徴とする薄型接合体。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187699A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187429A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-03-30 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体チップの実装方法 |
JP2000312069A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Sony Chem Corp | 実装方法 |
JP2000332391A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Hitachi Chem Co Ltd | Icチップの接続方法 |
JP2001230273A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルおよびその製造方法 |
JP2002277856A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2004200230A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
JP2004226880A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Sharp Corp | 表示パネルおよびその製造方法 |
JP2004235522A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Optrex Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006120815A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
WO2006109383A1 (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nec Corporation | 配線基板を有する電子デバイス、その製造方法、および前記電子デバイスに用いられる配線基板 |
JP2007123343A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 熱圧着方法および熱圧着装置 |
JP2007171399A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 液晶ディスプレイモジュールの製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187429A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-03-30 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体チップの実装方法 |
JP2000312069A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Sony Chem Corp | 実装方法 |
JP2000332391A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Hitachi Chem Co Ltd | Icチップの接続方法 |
JP2001230273A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルおよびその製造方法 |
JP2002277856A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2004200230A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
JP2004226880A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Sharp Corp | 表示パネルおよびその製造方法 |
JP2004235522A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Optrex Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006120815A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
WO2006109383A1 (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nec Corporation | 配線基板を有する電子デバイス、その製造方法、および前記電子デバイスに用いられる配線基板 |
JP2007123343A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 熱圧着方法および熱圧着装置 |
JP2007171399A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 液晶ディスプレイモジュールの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187699A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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