JP2000332391A - Ｉｃチップの接続方法 - Google Patents
Ｉｃチップの接続方法Info
- Publication number
- JP2000332391A JP2000332391A JP11141395A JP14139599A JP2000332391A JP 2000332391 A JP2000332391 A JP 2000332391A JP 11141395 A JP11141395 A JP 11141395A JP 14139599 A JP14139599 A JP 14139599A JP 2000332391 A JP2000332391 A JP 2000332391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- connection
- circuit board
- substrate
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 47
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 27
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100022749 Aminopeptidase N Human genes 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000757160 Homo sapiens Aminopeptidase N Proteins 0.000 description 1
- 101000738771 Homo sapiens Receptor-type tyrosine-protein phosphatase C Proteins 0.000 description 1
- -1 NB R Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 102100024616 Platelet endothelial cell adhesion molecule Human genes 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 102100037422 Receptor-type tyrosine-protein phosphatase C Human genes 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009924 canning Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】相対峙した回路基板とＩＣチップの双方から加
熱を行い、基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極
小にすることによって反りやクラック等の変形を低減
し、接続信頼性の向上が可能な接続方法を提供すること
を提供すること。 【解決手段】回路基板とＩＣチップの接続電極間に、熱
により初期流動性を有する熱硬化性絶縁性接着剤からな
る接続部材を配置し、相対峙した電極間を加熱加圧する
ことにより電極同士の電気的接続と部品間の固着をする
ことからなる接続方法において、回路基板とＩＣチップ
のそれぞれを所定の温度で加熱することにより、回路基
板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極小にする。
熱を行い、基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極
小にすることによって反りやクラック等の変形を低減
し、接続信頼性の向上が可能な接続方法を提供すること
を提供すること。 【解決手段】回路基板とＩＣチップの接続電極間に、熱
により初期流動性を有する熱硬化性絶縁性接着剤からな
る接続部材を配置し、相対峙した電極間を加熱加圧する
ことにより電極同士の電気的接続と部品間の固着をする
ことからなる接続方法において、回路基板とＩＣチップ
のそれぞれを所定の温度で加熱することにより、回路基
板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極小にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップを各種
回路基板（ガラスやセラミック等の無機基板、ポリイミ
ドやポリエステルフィルム等の有機基板、ガラスと有機
材との複合材等）に接続する際の接続方法に関する。
回路基板（ガラスやセラミック等の無機基板、ポリイミ
ドやポリエステルフィルム等の有機基板、ガラスと有機
材との複合材等）に接続する際の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型薄型化に伴い、こ
れらに用いる回路は高密度化、高精細化している。この
ような電子部品と微細電極の接続は、従来のハンダやゴ
ムコネクタ等では対応が困難であることから、最近では
分解能に優れた接続部材が多用されている。この接続部
材は、短時間硬化が可能で分子構造上接着性に優れたエ
ポキシ系接着剤に硬化剤を添加してなる絶縁性接着剤中
に、導電粒子等の導電材料を所定量含有した絶縁性接着
剤が用いられている。また、これら導電材料を含有せず
に絶縁性接着剤単独で電極同士の直接接触状態を固定維
持する方法も知られている。この導電材料を所定量含有
した絶縁性接着剤を用いて接続した場合、電子部品の電
極同士は導電材料を介して電気的に接続されることか
ら、電極の高さばらつき等による接続性低下の現象が発
生しにくいことから、好んで用いられている。一方、絶
縁性接着剤の単独使用による方法は、導電材料による隣
接電極間の短絡がなく、高精細接続が可能といった特徴
を有する。これらの接続部材を用いての接続方法は、電
子部品の電極と基板回路との間に接続部材を設け、電子
部品を専用治具等を用いて加熱、加圧の手段を講じるも
のである。例えば、液晶パネルのガラス電極基板とＩＣ
チップの接続においては、まず接続部材がガラス基板上
に仮付けされる。その後、ＩＣチップと基板の位置合わ
せが行われ、加熱、加圧の手段が講じられ接続される。
これにより両者の電極同士が電気的に接続されると共
に、隣接して形成されている電極同士には絶縁性が付与
され、ガラス基板とＩＣチップとが接着固定される。
れらに用いる回路は高密度化、高精細化している。この
ような電子部品と微細電極の接続は、従来のハンダやゴ
ムコネクタ等では対応が困難であることから、最近では
分解能に優れた接続部材が多用されている。この接続部
材は、短時間硬化が可能で分子構造上接着性に優れたエ
ポキシ系接着剤に硬化剤を添加してなる絶縁性接着剤中
に、導電粒子等の導電材料を所定量含有した絶縁性接着
剤が用いられている。また、これら導電材料を含有せず
に絶縁性接着剤単独で電極同士の直接接触状態を固定維
持する方法も知られている。この導電材料を所定量含有
した絶縁性接着剤を用いて接続した場合、電子部品の電
極同士は導電材料を介して電気的に接続されることか
ら、電極の高さばらつき等による接続性低下の現象が発
生しにくいことから、好んで用いられている。一方、絶
縁性接着剤の単独使用による方法は、導電材料による隣
接電極間の短絡がなく、高精細接続が可能といった特徴
を有する。これらの接続部材を用いての接続方法は、電
子部品の電極と基板回路との間に接続部材を設け、電子
部品を専用治具等を用いて加熱、加圧の手段を講じるも
のである。例えば、液晶パネルのガラス電極基板とＩＣ
チップの接続においては、まず接続部材がガラス基板上
に仮付けされる。その後、ＩＣチップと基板の位置合わ
せが行われ、加熱、加圧の手段が講じられ接続される。
これにより両者の電極同士が電気的に接続されると共
に、隣接して形成されている電極同士には絶縁性が付与
され、ガラス基板とＩＣチップとが接着固定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法におけ
る液晶パネルのガラス電極基板とＩＣチップの接続にお
いては、ＩＣチップ側からの加熱が一般的である。この
加熱方法としては、ヒータを内蔵した金属やセラミック
等の加熱治具（圧着ヘッド）を用いたり、熱風加熱によ
る方法が一般的である。このときの加熱温度は、接続部
材が架橋硬化反応する１２０〜２４０℃程度になるよう
に設定され、この状態で４〜４０秒程度保持される。こ
のとき、ＩＣチップを介して熱を伝導させるために熱的
損失が大きく、ＩＣチップと接続部材さらには基板との
間に温度差が生じてしまう。このため、ＩＣチップの伸
び量と基板の伸び量に差が生じてしまい、接続部への応
力集中による接続信頼性の低下や、反りやクラック等の
問題が発生する。
る液晶パネルのガラス電極基板とＩＣチップの接続にお
いては、ＩＣチップ側からの加熱が一般的である。この
加熱方法としては、ヒータを内蔵した金属やセラミック
等の加熱治具（圧着ヘッド）を用いたり、熱風加熱によ
る方法が一般的である。このときの加熱温度は、接続部
材が架橋硬化反応する１２０〜２４０℃程度になるよう
に設定され、この状態で４〜４０秒程度保持される。こ
のとき、ＩＣチップを介して熱を伝導させるために熱的
損失が大きく、ＩＣチップと接続部材さらには基板との
間に温度差が生じてしまう。このため、ＩＣチップの伸
び量と基板の伸び量に差が生じてしまい、接続部への応
力集中による接続信頼性の低下や、反りやクラック等の
問題が発生する。
【０００４】本発明は、かかる状況に鑑みてなされたも
ので、相対峙した回路基板とＩＣチップの双方から加熱
を行い、回路基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を
極小にすることによって反りやクラック等の変形を低減
し、接続信頼性の向上が可能な接続方法を提供すること
を目的とするものである。
ので、相対峙した回路基板とＩＣチップの双方から加熱
を行い、回路基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を
極小にすることによって反りやクラック等の変形を低減
し、接続信頼性の向上が可能な接続方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、回路
基板とＩＣチップの接続電極間に、熱により初期流動性
を有する熱硬化性絶縁性接着剤からなる接続部材を配置
し、相対峙した電極間を加熱加圧することにより電極同
士の電気的接続と部品間の固着をすることからなる接続
方法において、相対時する回路基板とＩＣチップのそれ
ぞれを所定の温度で加熱することにより、回路基板の伸
び量とＩＣチップの伸び量の差を極小にすることを特徴
とするＩＣチップの接続方法に関する。
基板とＩＣチップの接続電極間に、熱により初期流動性
を有する熱硬化性絶縁性接着剤からなる接続部材を配置
し、相対峙した電極間を加熱加圧することにより電極同
士の電気的接続と部品間の固着をすることからなる接続
方法において、相対時する回路基板とＩＣチップのそれ
ぞれを所定の温度で加熱することにより、回路基板の伸
び量とＩＣチップの伸び量の差を極小にすることを特徴
とするＩＣチップの接続方法に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例を説明す
る接続方法の断面模式図である。この接続方法は、回路
基板１の電極とＩＣチップ２のバンプ間に接続部材３を
設けてなる接続体を圧着ステージ４上に置き、圧着ヘッ
ド５を用いて加熱、加圧の手段を講じるものである。図
２に示すように上下に配した圧着ヘッドを用いて加熱、
加圧してもよい。また、図示していないが、加熱源とし
て熱風を用いてもよい。圧着ヘッド５の材質としては、
金属やセラミック等があり、併設されているヒータによ
り任意の温度設定が可能となっている。また、空気圧等
の利用により任意に圧力設定が可能となっている。圧着
ステージ４の材質としては、ガラス、金属、セラミック
等があり、併設されているヒータにより任意の温度設定
が可能となっている。
ら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例を説明す
る接続方法の断面模式図である。この接続方法は、回路
基板１の電極とＩＣチップ２のバンプ間に接続部材３を
設けてなる接続体を圧着ステージ４上に置き、圧着ヘッ
ド５を用いて加熱、加圧の手段を講じるものである。図
２に示すように上下に配した圧着ヘッドを用いて加熱、
加圧してもよい。また、図示していないが、加熱源とし
て熱風を用いてもよい。圧着ヘッド５の材質としては、
金属やセラミック等があり、併設されているヒータによ
り任意の温度設定が可能となっている。また、空気圧等
の利用により任意に圧力設定が可能となっている。圧着
ステージ４の材質としては、ガラス、金属、セラミック
等があり、併設されているヒータにより任意の温度設定
が可能となっている。
【０００７】接続部材は、図３に示すように絶縁性接着
剤６単独からなる。あるいは、図４に示すように導電材
料７を含有した絶縁性接着剤６からなり、このものは加
圧方向に導電性を有している。さらには図５に示すよう
に導電材料７と絶縁性接着剤６とからなる導電性接着剤
層の少なくとも片面に絶縁性接着剤６’が形成してなる
多層接続部材でもよい。また、図示していないが、絶縁
性接着剤は導電性接着剤層の両面に形成してもよい。導
電材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、
Ｓｂ、Ｓｎ、はんだ等の金属粒子やカーボン等があり、
またこれらの導電粒子を核材とするか、あるいは非導電
性のガラス、セラミック、プラスチック等の高分子から
なる核材に前記の材質からなる導電層を被覆形成したも
のでもよい。さらに導電材料を絶縁層で被覆してなる絶
縁被覆粒子や、スペ−サ−としての絶縁粒子を併用して
もよい。
剤６単独からなる。あるいは、図４に示すように導電材
料７を含有した絶縁性接着剤６からなり、このものは加
圧方向に導電性を有している。さらには図５に示すよう
に導電材料７と絶縁性接着剤６とからなる導電性接着剤
層の少なくとも片面に絶縁性接着剤６’が形成してなる
多層接続部材でもよい。また、図示していないが、絶縁
性接着剤は導電性接着剤層の両面に形成してもよい。導
電材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、
Ｓｂ、Ｓｎ、はんだ等の金属粒子やカーボン等があり、
またこれらの導電粒子を核材とするか、あるいは非導電
性のガラス、セラミック、プラスチック等の高分子から
なる核材に前記の材質からなる導電層を被覆形成したも
のでもよい。さらに導電材料を絶縁層で被覆してなる絶
縁被覆粒子や、スペ−サ−としての絶縁粒子を併用して
もよい。
【０００８】導電粒子の粒径は、微小電極上に１個以
上、好ましくは多数個の粒子を確保するために小粒径粒
子が好適であり、０．５〜１５μｍが好ましく、２〜８
μｍがさらに好ましい。導電粒子の充填量は、高精細な
回路電極に対する導通性と絶縁性を確保するために、絶
縁性接着剤中に２５体積％未満とするのが好ましい。絶
縁性接着剤は、熱により初期流動して低粘度化し、引き
続き硬化性を示す材料が広く適用でき、これらは、接続
後の耐熱性や耐湿性に優れることから熱硬化性材料の適
用が好ましい。中でもエポキシ系接着剤は、短時間硬化
が可能で接続作業性が良く、分子構造上接着性に優れる
等の特徴から好ましく適用できる。エポキシ系接着剤
は、例えば高分子量のエポキシ、固形エポキシと液状エ
ポキシ、ウレタンやポリエステル、アクリルゴム、ＮＢ
Ｒ、ナイロン等で変性したエポキシ樹脂を主成分とし、
硬化剤や触媒、カップリング剤、充填剤等を添加してな
るものが一般的である。
上、好ましくは多数個の粒子を確保するために小粒径粒
子が好適であり、０．５〜１５μｍが好ましく、２〜８
μｍがさらに好ましい。導電粒子の充填量は、高精細な
回路電極に対する導通性と絶縁性を確保するために、絶
縁性接着剤中に２５体積％未満とするのが好ましい。絶
縁性接着剤は、熱により初期流動して低粘度化し、引き
続き硬化性を示す材料が広く適用でき、これらは、接続
後の耐熱性や耐湿性に優れることから熱硬化性材料の適
用が好ましい。中でもエポキシ系接着剤は、短時間硬化
が可能で接続作業性が良く、分子構造上接着性に優れる
等の特徴から好ましく適用できる。エポキシ系接着剤
は、例えば高分子量のエポキシ、固形エポキシと液状エ
ポキシ、ウレタンやポリエステル、アクリルゴム、ＮＢ
Ｒ、ナイロン等で変性したエポキシ樹脂を主成分とし、
硬化剤や触媒、カップリング剤、充填剤等を添加してな
るものが一般的である。
【０００９】硬化剤としては、接続部材の保存性を維持
するため潜在性硬化剤であることが好ましい。本発明で
いう潜在性硬化剤とは、反応性樹脂（例えばエポキシ樹
脂）との共存性を有し、所定の温度下で急速硬化するも
のをいう。かかる潜在性硬化剤としては各種の硬化剤成
分をマイクロカプセル化したものが市販されている。ま
た接着剤の活性化温度温度は、接着剤の主成分である反
応性樹脂と潜在性硬化剤との共存下での活性化温度で表
すことができる。活性化温度は、反応性樹脂と潜在性硬
化剤との共存混合試料３ｍｇをＤＳＣ（Differential S
canning Calorimeter 示差走差型熱量計）を用い、１０
℃／分で常温（３０℃）から２５０℃まで上昇させたと
きの発熱量の最大を示すピーク温度とする。また、本発
明における接続部材の活性化温度は、ＩＣチップの伸び
量と基板の伸び量を考慮すると５０〜２００℃の範囲に
あることが好ましい。
するため潜在性硬化剤であることが好ましい。本発明で
いう潜在性硬化剤とは、反応性樹脂（例えばエポキシ樹
脂）との共存性を有し、所定の温度下で急速硬化するも
のをいう。かかる潜在性硬化剤としては各種の硬化剤成
分をマイクロカプセル化したものが市販されている。ま
た接着剤の活性化温度温度は、接着剤の主成分である反
応性樹脂と潜在性硬化剤との共存下での活性化温度で表
すことができる。活性化温度は、反応性樹脂と潜在性硬
化剤との共存混合試料３ｍｇをＤＳＣ（Differential S
canning Calorimeter 示差走差型熱量計）を用い、１０
℃／分で常温（３０℃）から２５０℃まで上昇させたと
きの発熱量の最大を示すピーク温度とする。また、本発
明における接続部材の活性化温度は、ＩＣチップの伸び
量と基板の伸び量を考慮すると５０〜２００℃の範囲に
あることが好ましい。
【００１０】本発明は、接続時に相対峙する回路基板と
ＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱することによ
り、基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極小にす
ることを特徴とする。ここでの接着部材の粘度は、図６
に示すように接続部材が圧着ツールにより加熱加圧され
（ａ）、低粘度化に伴い接着剤が流動し、電極間の導通
が確保された状態（ｂ：本発明の最低粘度）を示し、硬
化反応の進行により急激に粘度が上昇する。例えば、上
記のエポキシ系接着剤と潜在性硬化剤を用いて、１３０
〜２４０℃程度の温度で図１及び図２に示す方法により
圧着した場合、圧着後２〜１０秒後に最低粘度の状態と
なる。回路基板とＩＣチップの加熱温度は、熱膨張係数
（ガラス基板；約４．６ｐｐｍ／℃、ガラス−エポキシ
基板；約１４ｐｐｍ／℃、ＩＣチップ；約３ｐｐｍ／
℃）、弾性率（ガラス基板；約６８．６ＧＰａ、ガラス
−エポキシ基板；２１ＧＰａ、ＩＣチップ；約１６９．
８ＧＰａ）、厚み等を考慮し、基板の伸び量とＩＣチッ
プの伸び量の差が極小になるように設定することが好ま
しい。さらには、回路基板への加熱効率を高めるため
に、圧着前に回路基板を予備加熱することが好ましい。
このとき、接続部材が付いた回路基板を用いる場合は、
接着剤の活性化温度以下で予備加熱をする必要がある。
これは、活性化温度以上の温度で予備加熱を行った場
合、接続部材の反応が進行してしまい、接続後の接続信
頼性を低下させてしまうためである。
ＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱することによ
り、基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極小にす
ることを特徴とする。ここでの接着部材の粘度は、図６
に示すように接続部材が圧着ツールにより加熱加圧され
（ａ）、低粘度化に伴い接着剤が流動し、電極間の導通
が確保された状態（ｂ：本発明の最低粘度）を示し、硬
化反応の進行により急激に粘度が上昇する。例えば、上
記のエポキシ系接着剤と潜在性硬化剤を用いて、１３０
〜２４０℃程度の温度で図１及び図２に示す方法により
圧着した場合、圧着後２〜１０秒後に最低粘度の状態と
なる。回路基板とＩＣチップの加熱温度は、熱膨張係数
（ガラス基板；約４．６ｐｐｍ／℃、ガラス−エポキシ
基板；約１４ｐｐｍ／℃、ＩＣチップ；約３ｐｐｍ／
℃）、弾性率（ガラス基板；約６８．６ＧＰａ、ガラス
−エポキシ基板；２１ＧＰａ、ＩＣチップ；約１６９．
８ＧＰａ）、厚み等を考慮し、基板の伸び量とＩＣチッ
プの伸び量の差が極小になるように設定することが好ま
しい。さらには、回路基板への加熱効率を高めるため
に、圧着前に回路基板を予備加熱することが好ましい。
このとき、接続部材が付いた回路基板を用いる場合は、
接着剤の活性化温度以下で予備加熱をする必要がある。
これは、活性化温度以上の温度で予備加熱を行った場
合、接続部材の反応が進行してしまい、接続後の接続信
頼性を低下させてしまうためである。
【００１１】本発明によれば、接続時に相対峙する回路
基板とＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱するこ
とにより、基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極
小にできることから、反り、クラック等の変形が低減で
きる接続方法を提供できる。また、本接続方法を用いる
ことにより、接続部への応力集中を緩和できることから
接続信頼性の向上が可能である。
基板とＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱するこ
とにより、基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極
小にできることから、反り、クラック等の変形が低減で
きる接続方法を提供できる。また、本接続方法を用いる
ことにより、接続部への応力集中を緩和できることから
接続信頼性の向上が可能である。
【００１２】
【実施例】以下実施例で詳細に説明するが、本発明はこ
れに限定されない。 実施例１ （１）接続部材の作製 フィルム形成材としてフェノキシ樹脂（高分子量エポキ
シ樹脂）とアミン系マイクロカプセル型潜在硬化剤を含
有する液状エポキシ樹脂（エポキシ等量１８５）の比率
を２０／８０とし、酢酸エチルの３０％溶液を得た。こ
の溶液に対して、粒子径５μｍのポリスチレン系粒子
に、Ｎｉ／Ａｕの厚さ０．２／０．０２μｍの金属被覆
を形成した導電粒子を５体積％添加し、混合分散した。
この分散液をＰＥＴ基材にロールコータを用いて連続的
に塗布し、８０℃１０分間乾燥した後、厚み２０μｍの
接続部材を得た。この接続部材の活性温度は１３５℃で
ある。また、１３０〜２００℃の温度で図１及び図２に
示した方法により圧着した場合、圧着後約３秒後に最低
粘度の状態となる。 （２）接続 ＩＣベアチップ上に高さ１５μｍの金めっきバンプを有
する評価用ＩＣチップ（サイズ１．７×１７ｍｍ、チッ
プ厚み０．５５ｍｍ、バンプサイズ５０×５０μｍ）
と、ガラス基板（厚み０．７ｍｍ）上に、酸化インジウ
ム（厚み０．２μｍ、表面抵抗２０Ω／□）の薄膜回路
を有する平面電極上との接続を行った。まず、前記接続
部材を２．０ｍｍ幅に裁断し、ガラス基板の電極上に貼
り付けた。次にＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、Ｉ
Ｃチップと基板の位置合わせを行いついで、図１に示す
方法を用いて圧着した。まず、接続部材が付いたガラス
基板を９０℃に加熱した圧着ステージ上で３０秒間予備
加熱を行った。次に、約１５０℃に加熱した圧着ヘッド
を用いて、ＩＣチップ上から２０秒間加熱加圧した。こ
のとき、接続部材料が最低粘度となる圧着後約３秒後に
おいて、ＩＣベアチップ；１５０℃、接続部材；１４０
℃、ガラス基板；１１５℃であった。
れに限定されない。 実施例１ （１）接続部材の作製 フィルム形成材としてフェノキシ樹脂（高分子量エポキ
シ樹脂）とアミン系マイクロカプセル型潜在硬化剤を含
有する液状エポキシ樹脂（エポキシ等量１８５）の比率
を２０／８０とし、酢酸エチルの３０％溶液を得た。こ
の溶液に対して、粒子径５μｍのポリスチレン系粒子
に、Ｎｉ／Ａｕの厚さ０．２／０．０２μｍの金属被覆
を形成した導電粒子を５体積％添加し、混合分散した。
この分散液をＰＥＴ基材にロールコータを用いて連続的
に塗布し、８０℃１０分間乾燥した後、厚み２０μｍの
接続部材を得た。この接続部材の活性温度は１３５℃で
ある。また、１３０〜２００℃の温度で図１及び図２に
示した方法により圧着した場合、圧着後約３秒後に最低
粘度の状態となる。 （２）接続 ＩＣベアチップ上に高さ１５μｍの金めっきバンプを有
する評価用ＩＣチップ（サイズ１．７×１７ｍｍ、チッ
プ厚み０．５５ｍｍ、バンプサイズ５０×５０μｍ）
と、ガラス基板（厚み０．７ｍｍ）上に、酸化インジウ
ム（厚み０．２μｍ、表面抵抗２０Ω／□）の薄膜回路
を有する平面電極上との接続を行った。まず、前記接続
部材を２．０ｍｍ幅に裁断し、ガラス基板の電極上に貼
り付けた。次にＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、Ｉ
Ｃチップと基板の位置合わせを行いついで、図１に示す
方法を用いて圧着した。まず、接続部材が付いたガラス
基板を９０℃に加熱した圧着ステージ上で３０秒間予備
加熱を行った。次に、約１５０℃に加熱した圧着ヘッド
を用いて、ＩＣチップ上から２０秒間加熱加圧した。こ
のとき、接続部材料が最低粘度となる圧着後約３秒後に
おいて、ＩＣベアチップ；１５０℃、接続部材；１４０
℃、ガラス基板；１１５℃であった。
【００１３】実施例２ 実施例１と同様の接続部材、評価用ＩＣチップ及び平面
電極を用いて接続を行った。まず、前記接続部材を２．
０ｍｍ幅に裁断し、ガラス基板の電極上に貼り付けた。
次に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、ＩＣチップ
と基板の位置合わせを行いついで、図２に示す方法を用
いて圧着した。約１５０℃に加熱した上方の圧着ヘッド
を用いて、ＩＣチップ上から２０秒間加熱加圧した。同
時に、約１３０℃に加熱した下方の圧着ヘッドを用い
て、ガラス基板側から２０秒加熱加圧した。このとき、
接続部材料が最低粘度となる圧着後約３秒後において、
ＩＣチップ；１５０℃、接続部材；１４０℃、ガラス基
板；１１５℃であった。
電極を用いて接続を行った。まず、前記接続部材を２．
０ｍｍ幅に裁断し、ガラス基板の電極上に貼り付けた。
次に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、ＩＣチップ
と基板の位置合わせを行いついで、図２に示す方法を用
いて圧着した。約１５０℃に加熱した上方の圧着ヘッド
を用いて、ＩＣチップ上から２０秒間加熱加圧した。同
時に、約１３０℃に加熱した下方の圧着ヘッドを用い
て、ガラス基板側から２０秒加熱加圧した。このとき、
接続部材料が最低粘度となる圧着後約３秒後において、
ＩＣチップ；１５０℃、接続部材；１４０℃、ガラス基
板；１１５℃であった。
【００１４】実施例３ 実施例１と同様の接続部材、評価用ＩＣチップを用い
た。このときの基板は、ガラスエポキシ基板（厚み０．
７ｍｍ）上に、銅回路電極（厚み１８μｍ）を有するも
のを使用した。まず、前記接続部材を２．０ｍｍ幅に裁
断し、ガラスエポキシ基板の電極上に貼り付けた。次
に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、ＩＣチップと
基板の位置合わせを行った。圧着は、図１に示す方法を
用いて行った。まず、接続部材が付いて基板を約５℃に
冷却した圧着ステージ上に３０秒間載置した。次に約１
５０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて、ＩＣチップ上か
ら２０秒間加熱加圧した。このとき、接続部材料が最低
粘度となる圧着後約３秒後において、ＩＣチップ；１５
０℃、接続部材；１３５℃、ガラスエポキシ基板；４０
℃であった。
た。このときの基板は、ガラスエポキシ基板（厚み０．
７ｍｍ）上に、銅回路電極（厚み１８μｍ）を有するも
のを使用した。まず、前記接続部材を２．０ｍｍ幅に裁
断し、ガラスエポキシ基板の電極上に貼り付けた。次
に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、ＩＣチップと
基板の位置合わせを行った。圧着は、図１に示す方法を
用いて行った。まず、接続部材が付いて基板を約５℃に
冷却した圧着ステージ上に３０秒間載置した。次に約１
５０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて、ＩＣチップ上か
ら２０秒間加熱加圧した。このとき、接続部材料が最低
粘度となる圧着後約３秒後において、ＩＣチップ；１５
０℃、接続部材；１３５℃、ガラスエポキシ基板；４０
℃であった。
【００１５】比較例１ 実施例１と同様の接続部材、評価用ＩＣチップ及び平面
電極を用いての接続を行った。まず、前記接続部材を
２．０ｍｍ幅に裁断し、ガラス基板の電極上に貼り付け
た。次に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、ＩＣベ
アチップと基板の位置合わせを行いついで、図１に示す
方法を用いて圧着した。まず、接続部材が付いたガラス
基板を圧着ステージ上にセットした。このとき圧着ステ
ージは加熱しておらず約２５℃である。次に約１５０℃
に加熱した圧着ヘッドを用いて、ＩＣベアチップ上から
２０秒間加熱加圧した。このとき、接続部材料が最低粘
度となる圧着後約３秒後において、ＩＣベアチップ；１
５０℃、接続部材；１３５℃、ガラス基板；７０℃であ
った。
電極を用いての接続を行った。まず、前記接続部材を
２．０ｍｍ幅に裁断し、ガラス基板の電極上に貼り付け
た。次に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離した後、ＩＣベ
アチップと基板の位置合わせを行いついで、図１に示す
方法を用いて圧着した。まず、接続部材が付いたガラス
基板を圧着ステージ上にセットした。このとき圧着ステ
ージは加熱しておらず約２５℃である。次に約１５０℃
に加熱した圧着ヘッドを用いて、ＩＣベアチップ上から
２０秒間加熱加圧した。このとき、接続部材料が最低粘
度となる圧着後約３秒後において、ＩＣベアチップ；１
５０℃、接続部材；１３５℃、ガラス基板；７０℃であ
った。
【００１６】比較例２ 実施例３と同様の接続部材、評価用ＩＣチップ及びガラ
スエポキシ基板を用いて接続を行った。まず、前記接続
部材を２．０ｍｍ幅に裁断し、ガラスエポキシ基板の電
極上に貼り付けた。次に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離
した後、ＩＣチップと基板の位置合わせを行いついで、
図１に示す方法を用いて圧着した。まず、接続部材が付
いたガラス基板を圧着ステージ上にセットした。このと
き圧着ステージは加熱しておらず約２５℃である。次に
約１５０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて、ＩＣベアチ
ップ上から２０秒間加熱加圧した。このとき、接続部材
料が最低粘度となる圧着後約３秒後において、ＩＣベア
チップ；１５０℃、接続部材；１３７℃、ガラスエポキ
シ基板；６５℃であった。
スエポキシ基板を用いて接続を行った。まず、前記接続
部材を２．０ｍｍ幅に裁断し、ガラスエポキシ基板の電
極上に貼り付けた。次に、ＰＥＴ基材セパレータを剥離
した後、ＩＣチップと基板の位置合わせを行いついで、
図１に示す方法を用いて圧着した。まず、接続部材が付
いたガラス基板を圧着ステージ上にセットした。このと
き圧着ステージは加熱しておらず約２５℃である。次に
約１５０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて、ＩＣベアチ
ップ上から２０秒間加熱加圧した。このとき、接続部材
料が最低粘度となる圧着後約３秒後において、ＩＣベア
チップ；１５０℃、接続部材；１３７℃、ガラスエポキ
シ基板；６５℃であった。
【００１７】評価１ 実施例１〜３、比較例１〜２で得られた接続体を用い
て、接続体の最大反り量を評価した。評価方法は、表面
形状測定器（小坂研究所製 ＳＥ−３Ｃ）を用いて、Ｉ
Ｃチップ実装裏面における基板の最大反り量を測定し
た。得られた結果を表１に示す。この結果から明らかな
ように、本発明の接続方法を用いることにより、ＩＣチ
ップと基板の反りを低減できることが分かった。
て、接続体の最大反り量を評価した。評価方法は、表面
形状測定器（小坂研究所製 ＳＥ−３Ｃ）を用いて、Ｉ
Ｃチップ実装裏面における基板の最大反り量を測定し
た。得られた結果を表１に示す。この結果から明らかな
ように、本発明の接続方法を用いることにより、ＩＣチ
ップと基板の反りを低減できることが分かった。
【００１８】
【表１】
【００１９】評価２ 実施例１〜３、比較例１〜２で得られた接続体を用い
て、接続抵抗値を評価した。評価方法は、抵抗測定機を
用いて、バンプサイズ５０×５０μｍ当たりの接続抵抗
値を測定した。また、この接続体を高温高湿中（８５℃
８５％ＲＨ）に５００ｈ放置して、接続抵抗値の変化を
測定した。得られた結果を表２に示す。この結果から明
らかなように、本発明の接続方法を用いることにより、
高い接続信頼性が得られることが分かった。
て、接続抵抗値を評価した。評価方法は、抵抗測定機を
用いて、バンプサイズ５０×５０μｍ当たりの接続抵抗
値を測定した。また、この接続体を高温高湿中（８５℃
８５％ＲＨ）に５００ｈ放置して、接続抵抗値の変化を
測定した。得られた結果を表２に示す。この結果から明
らかなように、本発明の接続方法を用いることにより、
高い接続信頼性が得られることが分かった。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、接続時に相対峙する回
路基板とＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱する
ことにより、回路基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の
差を極小にできることから、反り、クラック等の変形が
低減できる接続方法を提供できる。また、接続部への応
力集中を緩和できることから接続信頼性の向上が可能で
ある。さらに、接着剤の活性化温度以下で回路基板を加
熱することにより、量産性及び接続後の接続信頼性に優
れた接続方法を提供できる。
路基板とＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱する
ことにより、回路基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の
差を極小にできることから、反り、クラック等の変形が
低減できる接続方法を提供できる。また、接続部への応
力集中を緩和できることから接続信頼性の向上が可能で
ある。さらに、接着剤の活性化温度以下で回路基板を加
熱することにより、量産性及び接続後の接続信頼性に優
れた接続方法を提供できる。
【図１】本発明の一実施例を説明する接続方法の断面模
式図。
式図。
【図２】本発明の他の実施例を説明する接続方法の断面
模式図。
模式図。
【図３】接続部材の断面模式図。
【図４】接続部材の断面模式図。
【図５】多層接続部材の断面模式図。
【図６】接続部材の粘度の挙動を示す線図。
１ 回路基板 ２ ＩＣチップ ３ 接続部材 ４ 圧着ステージ ５ 圧着ヘッド ６ 絶縁性接着剤 ７ 導電材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 正規 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AC01 BB20 CD13 CD31 CD45 5F047 BA22 BA33 BB03 BB16 FA52
Claims (3)
- 【請求項１】回路基板とＩＣチップの接続電極間に、熱
により初期流動性を有する熱硬化性絶縁性接着剤からな
る接続部材を配置し、相対峙した電極間を加熱加圧する
ことにより電極同士の電気的接続と部品間の固着をする
ことからなる接続方法において、相対時する回路基板と
ＩＣチップのそれぞれを所定の温度で加熱することによ
り、回路基板の伸び量とＩＣチップの伸び量の差を極小
にすることを特徴とするＩＣチップの接続方法。 - 【請求項２】回路基板の加熱温度を接着剤の活性化温度
以下とすることを特徴とする請求項１記載のＩＣチップ
の接続方法。 - 【請求項３】接続前に回路基板を接着剤の活性化温度以
下で予備加熱することを特徴とする請求項１または２記
載のＩＣチップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14139599A JP4378788B2 (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Ｉｃチップの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14139599A JP4378788B2 (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Ｉｃチップの接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332391A true JP2000332391A (ja) | 2000-11-30 |
| JP4378788B2 JP4378788B2 (ja) | 2009-12-09 |
Family
ID=15291008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14139599A Expired - Fee Related JP4378788B2 (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Ｉｃチップの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4378788B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356529A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2005252008A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Olympus Corp | 半導体接合方法及び接合装置 |
| JP2009177122A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄型接合体の製造方法及び薄型接合体 |
| JP2013211561A (ja) * | 2010-06-14 | 2013-10-10 | Hitachi Chemical Co Ltd | 回路接続用接着フィルム |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP14139599A patent/JP4378788B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356529A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2005252008A (ja) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Olympus Corp | 半導体接合方法及び接合装置 |
| JP4530688B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2010-08-25 | オリンパス株式会社 | 半導体接合方法及び接合装置 |
| JP2009177122A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-08-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄型接合体の製造方法及び薄型接合体 |
| JP2013211561A (ja) * | 2010-06-14 | 2013-10-10 | Hitachi Chemical Co Ltd | 回路接続用接着フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4378788B2 (ja) | 2009-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6270363B1 (en) | Z-axis compressible polymer with fine metal matrix suspension | |
| KR101193735B1 (ko) | 접착필름, 접속방법 및 접합체 | |
| US6338195B1 (en) | Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet | |
| JP4891895B2 (ja) | 異方導電性接着剤及びこれを用いた電極の接続方法 | |
| US20040079464A1 (en) | Manufacturing method for electric device | |
| KR20040063547A (ko) | 미세회로의 접속방법 및 그에 의한 접속 구조체 | |
| JP3624818B2 (ja) | 異方性導電接続材料、接続体、およびその製造方法 | |
| JPH07230840A (ja) | 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造 | |
| JPH03112011A (ja) | 異方導電性材料、異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板 | |
| JP2003282636A (ja) | 接続構造体の製造方法 | |
| EP1198162A2 (en) | Electronic component mounted member and repair method thereof | |
| JP2648712B2 (ja) | 異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板 | |
| JPH0623349B2 (ja) | 異方導電性接着剤 | |
| JP2001081438A (ja) | 接続材料 | |
| JPH08148213A (ja) | 接続部材、該接続部材を用いた電極の接続構造及び接続方法 | |
| JP3581618B2 (ja) | 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体 | |
| JP2006339160A (ja) | 熱硬化性回路接続部材及びそれを用いた電極の接続構造、電極の接続方法 | |
| JP2000332391A (ja) | Ｉｃチップの接続方法 | |
| US20010020697A1 (en) | Thermosetting adhesive material | |
| KR100248582B1 (ko) | 서로 마주보는 전극들을 상호 접속하기 위한 접속시트, 및 이 접속시트를 사용하는 전극접속구조 및 접속방법 | |
| JP2001155540A (ja) | 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体 | |
| JP3367076B2 (ja) | 電気部材の接続構造及び接続方法 | |
| JP2003049152A (ja) | 回路接続用接着剤及びそれを用いた接続方法、接続構造体 | |
| US20100123258A1 (en) | Low Temperature Board Level Assembly Using Anisotropically Conductive Materials | |
| JPH09306231A (ja) | 導電性微粒子及び基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060328 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20071213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081204 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090313 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090721 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090825 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090907 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |