JP2001155540A

JP2001155540A - 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体

Info

Publication number: JP2001155540A
Application number: JP33811199A
Authority: JP
Inventors: Takuo Suzuki; 卓夫鈴木
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 1999-11-29
Filing date: 1999-11-29
Publication date: 2001-06-08

Abstract

(57)【要約】【課題】接続抵抗が低く、接続時の電気容量が大き
く、接続が安定していて、マイグレーションやリーク現
象を起こさない、特にチップの接合用として適当な導電
性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体を提供
する。【解決手段】非金属微粒子が、銀を５０重量％以上含
む金属層により被覆され、前記金属層の表面が更にマイ
グレーション防止層で被覆されてなる導電性微粒子であ
って、前記非金属微粒子は、平均粒径１〜５００μｍ、
アスペクト比１．３未満、ＣＶ値２５％以下、Ｋ値２０
０〜５万ＭＰａである導電性微粒子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微細電極間の接続
に用いられる導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電
接続構造体に関する。

【０００２】

【従来の技術】異方性導電材料は、液晶ディスプレイ、
パーソナルコンピュータ、携帯通信機器等のエレクトロ
ニクス製品において、半導体素子等の小型部品を基板に
電気的に接続したり、基板同士を電気的に接続するため
に使用されている。このような異方性導電接続材料とし
ては、導電性微粒子をバインダー樹脂に混合したもの等
が用いられている。

【０００３】この導電性微粒子としては、有機基材粒子
又は無機基材粒子の表面に金属メッキを施したものが用
いられてきた。このような導電性微粒子としては、例え
ば、特公平６−９６７７１号公報、特開平４−３６９０
２号公報、特開平４−２６９７２０号公報、特開平３−
２５７７１０号公報等に開示されたものが挙げられる。

【０００４】このような導電性微粒子をバインダー樹脂
と混ぜ合わせてフィルム状又はペースト状にした異方性
導電接着剤材料としては、例えば、特開昭６３−２３１
８８９号公報、特開平４−２５９７６６号公報、特開平
３−２９１８０７号公報、特開平５−７５２５０号公報
等に開示されたものが挙げられる。

【０００５】従来の異方性導電材料においては、導電性
微粒子の基材として、高分子等の電気的絶縁材料が使用
されており、その表面に、通常、導電層としてニッケル
メッキ層が施されている。そのため、接続時の電流容量
が小さく、更に金属の被覆層が基材となる高分子の変形
に追従できず、割れが発生するという問題があった。

【０００６】特に近年、電子機器や電子部品が小型化す
るに伴い、基板等の配線が微細になり接続部の電気抵抗
が大きくなる傾向にある。更に、最近開発されている携
帯機器用のＩＣやＬＳＩのパッケージは、フリップチッ
プ接合を行う等によりチップサイズに近づいてきている
こともあり、より配線が細かくなる傾向にあるため、接
続部の低抵抗化が必要となってきている。接続部の低抵
抗化のためには、異方性導電接着剤中の導電性微粒子の
濃度を上げる方法もあるが、濃度を上げると電極間での
リークが発生しやすくなるという問題がある。導電性微
粒子に絶縁被覆層等を設けるという方法もあるが、プロ
セスが煩雑になる等の問題がある。

【０００７】導電性微粒子として金属粉を用いる技術が
特開平８−２７３４４０号公報等に開示されている。し
かし、金属粉は電流容量は大きくとれるものの、微細に
なると真球状のものが得にくく、真球といわれるもので
もアスペクト比が比較的大きいものが多い。また、粒径
が揃っておらずＣＶ値が大きいため導通に関与しない粒
子が大量に発生し電極間でのリーク現象が生じやすいと
いう欠点があった。更に、弾性変形の領域が少なく塑性
変形しやすいために接合部の熱変形に追従しない場合が
あった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑
み、接続抵抗が低く、接続時の電流容量が大きく、接続
が安定していて、マイグレーションやリーク現象を起こ
さない、特にチップの接合用として適当な導電性微粒
子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、非金属微粒子
が、銀を５０重量％以上含む金属層により被覆され、前
記金属層の表面が更にマイグレーション防止層で被覆さ
れてなる導電性微粒子であって、上記非金属微粒子は、
平均粒径１〜５００μｍ、アスペクト比１．３未満、Ｃ
Ｖ値２５％以下、Ｋ値２００〜５万ＭＰａである導電性
微粒子である。以下に、本発明を詳述する。

【００１０】本発明の導電性微粒子は、非金属微粒子
が、銀を５０重量％以上含む金属層により被覆され、上
記金属層の表面が更にマイグレーション防止層で被覆さ
れてなるものである。上記非金属微粒子としては特に限
定されず、例えば、高分子基材、無機粒子、又は、これ
らの混合物及び化合物等が挙げられる。なかでも、ＣＶ
値やアスペクト比が小さく、適当なＫ値、回復率及び破
壊歪みが得やすい高分子基材が好ましい。

【００１１】上記高分子基材としては、破壊歪みが４０
％以上である高分子が好適に用いられる。破壊歪みが４
０％未満である場合には、高分子を用いて製造される導
電性微粒子が、変形等により接続不良を起こす場合があ
る。破壊歪みは、５０〜９０％であるのがより好まし
い。

【００１２】また、上記高分子基材としては、回復率が
４０％以上である高分子が好適に用いられる。回復率が
４０％未満である場合には、高分子を用いて製造される
導電性微粒子が、変形等により接続不良を起こす場合が
ある。上記回復率は、５０〜９０％であるのがより好ま
しい。なお、本発明において、回復率は、２０℃、１０
％圧縮変形後の値である。

【００１３】上記金属層は、銀を５０重量％以上含むも
のである。銀を５０重量％以上含んだ金属層は、柔軟性
があり基材が変形しても割れにくく安定した接続信頼性
を得ることができる。また、本発明の導電性微粒子は、
複数の電極間に挟まれた状態で抑えられる場合、一方の
電極から他方の電極へこの導電性微粒子を介して電流が
流れるが、銀を５０重量％以上含んだ金属層で被覆され
ているため、接続時の電流容量が大きい。

【００１４】上記金属層の銀の含有量は、５０〜１００
重量％であるのが好ましい。銀の含有量が５０重量％未
満では充分な電流容量が得られなかったり、金属層が割
れやすくなったりする。より好ましくは９０〜１００重
量％である。

【００１５】銀を含む金属層はそのまま用いると、高温
高湿状態に曝された場合、マイグレーションが発生し電
極間にショートが発生する場合がある。そこで、接続信
頼性を保つために、本発明の導電性微粒子では、金属層
は、表面が更にマイグレーション防止層で被覆されてい
る。上記マイグレーション防止層としては、低分子量有
機物、金属酸化物、金属等からなるものが挙げられる。
上記金属としては、金が好適に使用できる。上記金属層
の表面を金属により被覆する方法としては特に限定され
ず、例えば、無電解メッキ法、置換メッキ法、電気メッ
キ法等が挙げられる。

【００１６】上記マイグレーション防止層に金を用いる
場合は、銀は高温状態では金に拡散するため、金属層と
マイグレーション防止層との間にバリア層が設けられて
いることが好ましい。上記バリア層には、パラジウム、
ニッケル等の金属を用いることができるが、なかでも、
ニッケルからなることが好ましい。

【００１７】上記の各層の厚みは、金属層０．０３〜１
０μｍ、バリア層０．０１〜２μｍ、マイグレーション
防止層０．０１〜２μｍが好ましい。各層の厚みがこの
範囲未満では、被覆の効果が充分得られない場合があ
る。逆にこの範囲を超えると、基材の特性を失ってしま
う場合がある。より好ましくは、金属層０．０８〜１μ
ｍ、バリア層０．０３〜０．２μｍ、マイグレーション
防止層０．０２〜０．１μｍである。

【００１８】本発明の導電性微粒子の核となる非金属微
粒子は、平均粒径１〜５００μｍ、アスペクト比１．３
未満、ＣＶ値２５％以下、Ｋ値２００〜５万ＭＰａであ
る。

【００１９】上記非金属微粒子の平均粒径が１μｍ未満
であると、この非金属微粒子を用いて製造される導電性
微粒子は、接触すべき電極面に接触せず、電極間に隙間
ができ、接触不良が発生する。非金属微粒子の平均粒径
が５００μｍを超えると、この非金属微粒子を用いて製
造される導電性微粒子が大きいため隣接電極がショート
するという問題が発生する。非金属微粒子の平均粒径
は、好ましくは３〜１００μｍで、より好ましく５〜３
０μｍである。本発明において、平均粒径は、任意の微
粒子３００個を電子顕微鏡で観察・測定することにより
得られる値である。

【００２０】上記非金属微粒子のアスペクト比が１．３
以上であると、粒子径が不揃いとなるため、非金属微粒
子を用いて製造される導電性微粒子を介して電極同士を
接触させる際、接続に関与しない導電性微粒子が大量に
発生して電極間でのリーク現象が生じる場合がある。ア
スペクト比は、好ましくは１．１未満で、より好ましく
は１．０５未満である。

【００２１】上記アスペクト比とは、微粒子の平均長径
を平均短径で割った値である。本発明において、アスペ
クト比は、任意の微粒子３００個を電子顕微鏡で観察・
測定することにより得られる値である。

【００２２】上記非金属微粒子のＣＶ値が２５％を超え
ると、粒子径が不揃いとなるため、非金属微粒子を用い
て製造される導電性微粒子を介して電極同士を接触させ
る際、接続に関与しない導電性微粒子が大量に発生して
電極間でのリーク現象が生じる場合がある。ＣＶ値は、
好ましくは１０％以下で、より好ましくは５％以下であ
る。なお、ＣＶ値が０％以上であることは言うまでもな
い。

【００２３】上記ＣＶ値とは、下記の式（１）；ＣＶ値＝（σ／Ｄｎ）×１００・・・・（１）（式中、σは粒子径の標準偏差を表し、Ｄｎは数平均粒
子径を表す）で表される値である。本発明において、標
準偏差及び数平均粒子径は、任意の微粒子３００個を電
子顕微鏡で観察・測定することにより得られる値であ
る。

【００２４】上記非金属微粒子のＫ値が２００ＭＰａ未
満であると、衝撃等により接続不良を起こす。Ｋ値が５
万ＭＰａを超えると、電極を傷つける。Ｋ値は、好まし
くは３００〜８０００ＭＰａで、より好ましくは４００
〜３０００ＭＰａである。

【００２５】本発明においてＫ値とは、１０％変形時に
おけるＫ値を指し、下記の式（２）；（３／√２）・Ｆ・Ｓ^-3/2・Ｒ^-1/2 ・・・・（２）（式中、Ｆは２０℃、１０％圧縮変形における荷重値
（ＭＰａ×ｍｍ² ）を表し、Ｓは圧縮変位（ｍｍ）を表
し、Ｒは半径（ｍｍ）を表す）で表される値である。

【００２６】本発明の導電性微粒子は、上述のように、
非金属微粒子が、銀を５０重量％以上含む金属層により
被覆され、金属層の表面が更にマイグレーション防止層
で被覆されてなり、上記非金属微粒子は、平均粒径１〜
５００μｍ、アスペクト比１．３未満、ＣＶ値２５％以
下、Ｋ値２００〜５万ＭＰａであれば特に限定されるも
のではないが、本発明の好ましい態様としては、下記
（１）、（２）等が挙げられる。（１）破壊歪み４０％以上の高分子微粒子が、銀を５０
重量％以上含む金属層により被覆され、上記金属層の表
面が更にマイグレーション防止層で被覆されてなる導電
性微粒子であって、上記高分子微粒子は、平均粒径３〜
１００μｍ、アスペクト比１．１未満、ＣＶ値１０％以
下、Ｋ値３００〜８０００ＭＰａである導電性微粒子。（２）回復率４０％以上の高分子微粒子が、銀を５０重
量％以上含む金属層により被覆され、上記金属層の表面
が更にマイグレーション防止層で被覆されてなる導電性
微粒子であって、上記高分子微粒子は、平均粒径５〜３
０μｍ、アスペクト比１．０５未満、ＣＶ値５％以下、
Ｋ値４００〜３０００ＭＰａである導電性微粒子。本発
明の導電性微粒子は、更に、有機化合物、樹脂、無機物
等で被覆されていてもかまわない。

【００２７】本発明の導電性微粒子は、上述のように核
となる部分が非金属であり、特定のＫ値をもつため、電
極を傷めたり接続不良を起こしたりしにくく、ＣＶ値や
アスペクト比が小さいため電極間のリークが発生しにく
い。また、銀を５０重量％以上含有する金属層により被
覆されているために接続時の電流容量が大きく、金属層
に柔軟性があるため核となる部分が変形しても割れにく
く安定した接続を保つことができる。更に、金属層の表
面にマイグレーション防止層が設けられているために、
高温高湿下でも銀のマイグレーションが起こりにくい。

【００２８】本発明の導電性微粒子は、主として、相対
向する２つの電極を電気的に接続する際に用いられる。
上記導電性微粒子を用いて相対向する２つの電極を電気
的に接続する方法としては特に限定されず、例えば、導
電性微粒子をバインダー樹脂中に分散させて異方性導電
接着剤を調製し、この異方性導電接着剤を使用して２つ
の電極を接着、接続する方法、バインダー樹脂と本発明
の導電性微粒子とを別々に使用して接続する方法等が挙
げられる。

【００２９】本発明において、異方性導電接着剤とは、
導電性微粒子を絶縁性のバインダー樹脂中に分散させた
ものであれば特に限定されず、異方性導電膜、異方性導
電ペースト、異方性導電インキ等を含むものである。本
発明の導電性微粒子を用いて製造される異方性導電接着
剤もまた本発明の１つである。

【００３０】本発明の異方性導電接着剤を構成するバイ
ンダー樹脂としては特に限定されず、例えば、アクリレ
ート樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体等の熱可塑性樹脂；グリシジル
基を有するモノマーやオリゴマー及びイソシアネート等
の硬化剤との反応により得られる硬化性樹脂組成物等の
熱や光によって硬化する組成物等が挙げられる。上記異
方性導電接着剤の塗工膜厚は特に限定されないが、１０
〜数百μｍが好ましい。

【００３１】本発明の導電性微粒子、及び、異方性導電
接着剤により接続される対象物としては、例えば、表面
に電極部が形成された基板、半導体等の表面に電極部が
形成された部品等が挙げられる。上記基板は、フレキシ
ブル基板とリジッド基板とに大別される。上記フレキシ
ブル基板としては、例えば、５０〜５００μｍの厚さの
樹脂シートが挙げられる。上記樹脂シートの材質として
は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、
ポリスルホン等が挙げられる。

【００３２】上記リジッド基板は、樹脂製のものとセラ
ミック製のものとに大別される。上記樹脂製のものとし
ては、例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、セルロース繊維強化フェノール樹脂等が挙げら
れる。上記セラミック製のものとしては、例えば、二酸
化ケイ素、アルミナ等が挙げられる。

【００３３】上記基板構造としては、単層構造であって
もよく、また、単位面積当たりの電極数を増やすため
に、例えば、スルーホール形成等の手段により、複数の
層を形成し、相互に電気的接続を行わせる多層構造の基
板を使用してもよい。

【００３４】上記部品としては特に限定されず、例え
ば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体等の能動部品；抵抗、コンデンサ、水晶振動子等の受
動部品等が挙げられる。

【００３５】上記基板又は部品の表面に形成される電極
の形状としては特に限定されず、例えば、縞状、ドット
状、任意形状のもの等が挙げられる。上記電極の材質と
しては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、ニッケ
ル、パラジウム、カーボン、アルミニウム、ＩＴＯ等が
挙げられる。また、接触抵抗を低減させるために、銅、
ニッケル等の上に更に金を被覆したものも用いることが
できる。上記電極の厚みは、０．１〜１００μｍが好ま
しい。電極の幅は、１〜５００μｍが好ましい。

【００３６】このように本発明の導電性微粒子を用いた
異方性導電接着剤等を使用することができる基板や電子
部品としては、種々のものが挙げられるが、これらのな
かでも、特にチップの接合に好適に使用することができ
る。

【００３７】本発明の導電性微粒子と基板、部品等との
接合方法としては、例えば、表面に電極が形成された基
板又は部品の上に、導電性微粒子を含有する異方性導電
膜を配置し、その上に、他の電極面を有する基板又は部
品を置き、加熱、加圧する方法が挙げられる。異方性導
電膜の代わりに、スクリーン印刷やディスペンサー等の
印刷手段により、導電性微粒子を用いた導電性ペースト
を所定量用いることもできる。上記加熱、加圧には、ヒ
ーターが付いた圧着機やボンディングマシーン等が用い
られる。

【００３８】本発明の導電性微粒子と基板、部品等との
接合方法としては、異方性導電膜及び異方性導電ペース
トを用いない方法も可能であり、例えば、導電性微粒子
を介し貼り合わせた２つの電極部の隙間に液状のバイン
ダーを注入した後、硬化させる方法等を用いることがで
きる。

【００３９】上記基板又は部品等の電極部同士が、本発
明の導電性微粒子又は異方性導電接着剤を用いて接続さ
れた導電接続構造体もまた、本発明の１つである。上述
のようにして得られた導電接続構造体は、本発明の導電
性微粒子を使用しているため、導電性も良好で、高い接
続信頼性を有する。

【００４０】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。

【００４１】実施例１平均粒径１５μｍ、アスペクト比１．０４、ＣＶ値４
％、Ｋ値２０００ＭＰａ、破壊歪み５０％、回復率５０
％の長鎖アルキルジアクリレート系共重合体に、無電解
メッキにより厚み０．２μｍの銀を被覆した。更に無電
解メッキにより厚み０．１μｍのニッケルを被覆した
後、置換メッキにより金を厚み０．０４μｍで被覆し、
導電性微粒子を得た。

【００４２】得られた導電性微粒子を、エポキシ樹脂及
びアクリル樹脂の混合物をトルエンに溶解させたバイン
ダー樹脂溶液に混合、分散させた。次いで、この導電性
微粒子分散溶液を離型フィルム上に一定の厚みに塗布
し、トルエンを蒸発させ、異方性導電膜を作製した。膜
厚は４０μｍであり、導電性微粒子の濃度は１５％であ
った。得られた異方性導電膜を透明なガラス基板に貼付
け加熱加圧したが、金属被覆層の割れ等は観察されなか
った。

【００４３】得られた異方性導電膜を、１００μｍ×１
００μｍの電極を１５０μｍピッチで２列に２０個配置
したセラミック基板上に貼付けた。この上に、同じセラ
ミック基板を重ね合わせ、１５０℃、２分間加熱、加圧
し導電接続構造体を作製した。得られた導電接続構造体
に２Ａの電流を流したが、良好な導電性を示し、抵抗も
充分低かった。また、隣接する電極間の接続抵抗は１×
１０⁹ Ω以上で線間絶縁性は充分保たれていた。７５
℃、８５％の耐熱耐湿試験を５００時間行った後、この
導電接続構造体に２Ａの電流を流したところ、導電接続
構造体の特性には、ほとんど変化がなかった。

【００４４】実施例２実施例１において、無電解メッキにより厚み０．２μｍ
の銀を被覆し、更に厚み０．０４μｍの金を被覆したこ
と以外は同様に操作を行い、導電性微粒子を得た。この
導電性微粒子を用いて、実施例１と同様に異方性導電膜
及び導電接続構造体を作製した。得られた異方性導電膜
を透明なガラス基板に貼付け加熱加圧したが、金属被覆
層の割れ等は観察されなかった。

【００４５】得られた導電接続構造体に２Ａの電流を流
したが、良好な導電性を示し、抵抗も充分低かった。ま
た、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０⁹ Ω以上で線
間絶縁性は充分保たれていた。７０℃、８５％の耐熱耐
湿試験を５００時間行った後、この導電接続構造体に２
Ａの電流を流したところ抵抗は充分低かった。しかし、
金と銀の拡散によるマイグレーションにより、隣接する
電極間の接続抵抗は１×１０⁹ Ω以下で線間絶縁性が崩
れかけていた。ただし、７０℃、８５％の耐熱耐湿試験
が２００時間では、導電接続構造体の特性には、ほとん
ど変化はなく、実用上は特に問題がないものと思われ
た。

【００４６】比較例１実施例１において、無電解メッキにより厚み０．２μｍ
の銀の代わりにニッケルを被覆したこと以外は同様に操
作を行い、導電性微粒子を得た。この導電性微粒子を用
いて、実施例１と同様に異方性導電膜及び導電接続構造
体を作製した。

【００４７】得られた異方性導電膜を透明なガラス基板
に貼付け加熱加圧したところ、金属被覆層の割れが観察
された。得られた導電接続構造体は、隣接する電極間の
接続抵抗は１×１０⁹ Ω以上で線間絶縁性は充分保たれ
ていたが、２Ａの電流を流したところ、導通破壊がみら
れた。

【００４８】比較例２実施例１において、無電解メッキにより厚み０．２μｍ
の銀のみを被覆したこと以外は同様に操作を行い、導電
性微粒子を得た。この導電性微粒子を用いて、実施例１
と同様に異方性導電膜及び導電接続構造体を作製した。

【００４９】得られた異方性導電膜を透明なガラス基板
に貼付け加熱加圧したが、金属被覆層の割れ等は観察さ
れなかった。得られた導電接続構造体に２Ａの電流を流
したが、良好な導電性を示し、抵抗も充分低かった。ま
た、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０⁹ Ω以上で線
間絶縁性は充分保たれていた。７０℃、８５％の耐熱耐
湿試験を５００時間行った後、この導電接続構造体に２
Ａの電流を流したところ、マイグレーションにより隣接
電極にリークが発生していた。

【００５０】比較例３破壊歪み５０％、回復率２０％のアクリレート系共重合
体に実施例１と同様にメッキ処理を施し、平均粒径１５
μｍ、アスペクト比１．３、ＣＶ値３０％、Ｋ値１００
ＭＰａの導電性微粒子を得た。この導電性微粒子を用い
て、実施例１と同様に異方性導電膜及び導電接続構造体
を作製した。

【００５１】得られた異方性導電膜を透明なガラス基板
に貼付け加熱加圧したが、金属被覆層の割れ等は観察さ
れなかった。得られた導電接続構造体に２Ａの電流を流
したところ、導通破壊がみられ、隣接する電極間では一
部ショートが発生していた。

【００５２】比較例４ガラスに実施例１と同様にメッキ処理を施し、平均粒径
１５μｍ、アスペクト比１．１、ＣＶ値１０％、Ｋ値７
万ＭＰａの導電性微粒子を得た。この導電性微粒子を用
いて、実施例１と同様に異方性導電膜及び導電接続構造
体を作製した。

【００５３】得られた異方性導電膜を透明なガラス基板
に貼付け加熱加圧したところ、ガラス基板上の電極が傷
つき、一部導通不良が発生した。得られた導電接続構造
体は、隣接する電極間の接続抵抗は１×１０⁹ Ω以上で
線間絶縁性は充分保たれていたが、この導電接続構造体
に２Ａの電流を流したところ、一部導通破壊がみられ
た。

【００５４】

【発明の効果】本発明の導電性微粒子は、上述の構成か
らなるので、接続抵抗が低く、接続時の電気容量が大き
く、接続が安定していて、マイグレーションやリーク現
象を起こしにくい。また、本発明の導電性微粒子を使用
した導電接続構造体は、導電性も良好で、高い接続信頼
性を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非金属微粒子が、銀を５０重量％以上含
む金属層により被覆され、前記金属層の表面が更にマイ
グレーション防止層で被覆されてなる導電性微粒子であ
って、前記非金属微粒子は、平均粒径１〜５００μｍ、
アスペクト比１．３未満、ＣＶ値２５％以下、Ｋ値２０
０〜５万ＭＰａであることを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】非金属微粒子は、破壊歪み４０％以上の
高分子であることを特徴とする請求項１記載の導電性微
粒子。
【請求項３】非金属微粒子は、回復率４０％以上の高
分子であることを特徴とする請求項１又は２記載の導電
性微粒子。
【請求項４】非金属微粒子は、銀を９０重量％以上含
む金属層により被覆されてなることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の導電性微粒子。
【請求項５】マイグレーション防止層は、金からなる
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の導電性
微粒子。
【請求項６】銀を含む金属層とマイグレーション防止
層との間にバリア層が設けられていることを特徴とする
請求項１、２、３、４又は５記載の導電性微粒子。
【請求項７】バリア層は、ニッケルからなることを特
徴とする請求項６記載の導電性微粒子。
【請求項８】平均粒径は、３〜１００μｍであること
を特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は７記載
の導電性微粒子。
【請求項９】平均粒径は、５〜３０μｍであることを
特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記
載の導電性微粒子。
【請求項１０】アスペクト比は、１．１未満であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８
又は９記載の導電性微粒子。
【請求項１１】アスペクト比は、１．０５未満である
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９又は１０記載の導電性微粒子。
【請求項１２】ＣＶ値は、１０％以下であることを特
徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、
１０又は１１記載の導電性微粒子。
【請求項１３】ＣＶ値は、５％以下であることを特徴
とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１
０、１１又は１２記載の導電性微粒子。
【請求項１４】Ｋ値は、３００〜８０００ＭＰａであ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２又は１３記載の導電性微
粒子。
【請求項１５】Ｋ値は、４００〜３０００ＭＰａであ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４記載の導
電性微粒子。
【請求項１６】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３、１４又は１５記載の
導電性微粒子を用いてなることを特徴とする異方性導電
接着剤。
【請求項１７】請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２、１３、１４若しくは１５記
載の導電性微粒子、又は、請求項１６記載の異方性導電
接着剤により接続されてなることを特徴とする導電接続
構造体。