KR20180087825A - 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 다이에 가해지는 스트레스를 경감시키는 것이 가능한 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.
반도체 제조 장치는, 밀어 올림 유닛과, 콜릿과, 상기 밀어 올림 유닛 및 상기 콜릿의 동작을 제어하는 제어 장치를 구비한다. 상기 밀어 올림 유닛은, 상기 다이를 밀어 올리는 블록부와, 상기 블록부의 외주에 설치되고 흡인 구멍을 갖는 흡착부를 구비한다. 상기 블록부는, 평면에서 볼 때 사각 형상의 제1 블록과, 평면에서 볼 때 사각 형상이고 평면적이 상기 제1 블록보다도 큰 제2 블록과, 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 사이에 형성되는 가늘고 긴 간극을 갖고, 상기 간극의 평면에서 본 길이 방향은 제1 방향으로 연장되고, 폭 방향은 제2 방향으로 연장된다. 상기 제어 장치는 상기 콜릿이 상기 다이를 흡착하고 있는 동안, 상기 제1 블록을 상기 흡착부의 상면보다도 높게 밀어 올린 상태에서, 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향의 수평 방향으로 이동하는 수단을 구비한다.

Description

반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 예를 들어 밀어 올림 유닛을 구비하는 다이 본더에 적용 가능하다.
일반적으로, 다이라고 불리는 반도체 칩을, 예를 들어 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 총칭하여 기판이라고 함)의 표면에 탑재하는 다이 본더에 있어서는, 일반적으로, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 다이를 기판 상으로 반송하고, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다는 동작(작업)이 반복해서 행해진다.
다이 본더 등의 반도체 제조 장치에 의한 다이 본딩 공정 중에는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)로부터 분할된 다이를 박리하는 박리 공정이 있다. 박리 공정에서는 다이싱 테이프 이면으로부터 밀어 올림 핀이나 블록에 의해 다이를 밀어 올리고, 다이 공급부에 유지된 다이싱 테이프로부터, 1개씩 박리하고, 콜릿 등의 흡착 노즐을 사용하여 기판 상으로 반송한다.
최근, 반도체 장치의 고밀도 실장을 추진할 목적으로, 패키지의 박형화가 진행되고 있다. 예를 들어, 배선 기판 상에 복수매의 다이를 3차원적으로 실장하는 적층 패키지가 실용화되고 있다. 이와 같은 적층 패키지를 조립할 때에는, 패키지 두께의 증가를 방지하기 위해, 다이의 두께를 20㎛ 이하까지 얇게 하는 것이 요구된다.
일본 특허 공개 제2012-4393호 공보
다이를 밀어 올림 핀이나 블록으로 밀어 올리면 다이에 스트레스가 가해진다.
본 개시의 과제는 다이에 가해지는 스트레스를 경감시키는 것이 가능한 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.
그 밖의 과제와 신규의 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명확해질 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 반도체 제조 장치는 다이를 다이싱 테이프의 아래로부터 밀어 올리는 밀어 올림 유닛과, 상기 다이를 흡착하는 콜릿과, 상기 밀어 올림 유닛 및 상기 콜릿의 동작을 제어하는 제어 장치를 구비한다. 상기 밀어 올림 유닛은, 상기 다이싱 테이프를 통해 상기 다이를 밀어 올리는 블록부와, 상기 블록부의 외주에 설치되어 흡인 구멍을 갖는 흡착부를 구비한다. 상기 블록부는 평면에서 볼 때 사각 형상의 제1 블록과, 평면에서 볼 때 사각 형상이고 평면적이 상기 제1 블록보다도 큰 제2 블록과, 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 사이에 형성되는 가늘고 긴 간극을 갖고, 상기 간극의 평면에서 본 길이 방향은 제1 방향으로 연장되고, 폭 방향은 제2 방향으로 연장된다. 상기 제어 장치는 상기 콜릿이 상기 다이를 흡착하고 있는 동안, 상기 제1 블록을 상기 흡착부의 상면보다도 높게 밀어 올린 상태에서, 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향의 수평 방향으로 이동하는 수단을 구비한다.
상기 반도체 제조 장치에 의하면, 다이에 가해지는 스트레스를 경감시키는 것이 가능하다.
도 1은 실시예에 관한 다이 본더를 위에서 본 개념도이다.
도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때에 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
도 3은 도 1의 다이 공급부의 외관 사시도를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 실시예에 관한 밀어 올림 유닛의 평면도이다.
도 6은 도 5의 밀어 올림 유닛의 종단면도이다.
도 7은 제1 블록과 제2 블록의 형상과 다이 형상의 관계를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 실시예에 관한 다이 본더의 픽업 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 10은 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 11은 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 12는 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 13은 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 14는 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 15는 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 16은 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 17은 도 8의 픽업 동작을 설명하기 위한 밀어 올림 유닛 등의 종단면도이다.
도 18은 밀어 올림 높이와 슬라이드 높이의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 실시예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 실시예 및 변형예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복의 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
다이가 얇아지면, 다이싱 테이프의 점착력에 비해 다이의 강성이 매우 낮아진다. 그 때문에, 예를 들어 10 내지 20㎛의 얇은 다이를 픽업하기 위해서는 다이에 가해지는 스트레스를 경감시키는 것(저스트레스화)이 필요하다. 저스트레스화란, 다이에 가해지는 응력 집중을 저감시키는 것이다. 응력 집중을 저감시키기 위해서는 다이싱 테이프가 다이로부터 박리되는 각도(박리 각도)를 작게 할 필요가 있는데, 밀어 올림 유닛의 진공 흡착에 의해 이상보다 박리 각도가 커져 버린다. 박리 각도를 작게 하기 위해서는 밀어 올림 단수를 늘려 밀어 올림 높이를 임의로 설정하여 박리 각도를 최적화하면 되지만, 박리 각도는 다이의 조건[다이 두께, 다이 어태치 필름(DAF)의 종류, 다이싱 공정 등]에 따라 일정하지는 않으므로, 최적화가 곤란하다.
실시 형태에 관한 반도체 제조 장치는 다이의 픽업 지그인 밀어 올림 유닛의 복수 블록에 의해, 다이 이면 주변의 박리를 한 후, 밀어 올림 유닛 전체를 단계적으로 수평 방향으로 이동함으로써 다이 이면 전체를 박리하고, 다이를 픽업한다. 복수 블록으로 다이 주변을 박리한 블록의 높이 이하로 밀어 올림 유닛이 단계적으로 수평 방향으로 동작하는 것이 바람직하다. 예를 들어,
(1) 콜릿을 착지시키고, 콜릿이 다이를 흡착한다
(2) 제1 블록을 상승시키고, 밀어 올림 유닛으로 다이싱 테이프를 흡착한다
(3) 제2 블록을 제1 블록과 동일 정도 또는 약간 높게 상승시키고, 다이 주변을 다이싱 테이프로부터 박리한다
(4) 제1 블록 및 제2 블록을 수평 방향으로 이동하는 높이(예를 들어, 제1 블록을 상기 (3)의 높이보다도 낮은 높이로 하고 제2 블록을 제1 블록보다도 낮은 높이)로 한다
(5) 밀어 올림 유닛에 의한 다이싱 테이프의 흡착을 정지하고, 밀어 올림 유닛을 수평 방향(제1 방향)으로 이동시키고, 밀어 올림 유닛으로 다이싱 테이프를 흡착한다
(6) 밀어 올림 유닛에 의한 다이싱 테이프의 흡착을 정지하고, 밀어 올림 유닛을 수평 방향(제1 방향과는 반대의 제2 방향)으로 이동시키고, 밀어 올림 유닛으로 다이싱 테이프를 흡착한다
(7) 상기 (5) (6)을 반복하여, 다이 이면을 다이싱 테이프로부터 박리한다
또한, 제1 블록 및 제2 블록을 수평 방향으로 이동하는 높이, 밀어 올림 유닛을 수평 방향으로 이동하는 거리를 가변함으로써, 박리 곤란한 다이에 대응하는 것이 가능해진다.
실시 형태에 따르면, 다이로의 스트레스를 억제하여 다이 이면 전체의 박리가 가능하다. 다이 이면 전체를 박리함으로써, 픽업의 안정성을 향상시킬 수 있다.
[실시예]
도 1은 실시예에 관한 다이 본더의 개략을 나타내는 상면도이다. 도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때에, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
다이 본더(10)는 크게 구별하여, 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어 장치(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이고, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 전방측에 배치되고, 본딩부(4)가 안측에 배치된다.
먼저, 다이 공급부(1)는 기판(P)에 실장하는 다이(D)를 공급한다. 다이 공급부(1)는 웨이퍼(11)를 유지하는 웨이퍼 유지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 밀어 올리는 점선으로 나타내는 밀어 올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하고, 픽업하는 다이(D)를 밀어 올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는 다이(D)를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는 밀어 올려진 다이(D)를 선단에 흡착 유지하는 콜릿(22)(도 2도 참조)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이(D)를 픽업하고, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는 다이(D)를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
본딩부(4)는 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 반송되어 오는 기판(P) 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판(P) 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이(D)를 선단에 흡착 유지하는 콜릿(42)(도 2도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y방향으로 이동시키는 Y구동부(43)와, 기판(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치ㆍ자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판(P)에 다이(D)를 본딩한다.
반송부(5)는 1매 또는 복수매의 기판(P)(도 1에서는 4매)을 적재한 기판 반송 팔레트(51)와, 기판 반송 팔레트(51)가 이동하는 팔레트 레일(52)을 구비하고, 병행하여 설치된 동일 구조의 제1, 제2 반송부를 갖는다. 기판 반송 팔레트(51)는 기판 반송 팔레트(51)에 설치된 도시하지 않은 너트를 팔레트 레일(52)을 따라 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다.
이와 같은 구성에 의해, 기판 반송 팔레트(51)는 기판 공급부(6)에서 기판(P)을 적재하고, 팔레트 레일(52)을 따라 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판(P)을 전달한다. 제1, 제2 반송부는 서로 독립하여 구동되고, 한쪽의 기판 반송 팔레트(51)에 적재된 기판(P)에 다이(D)를 본딩 중에, 다른 쪽의 기판 반송 팔레트(51)는 기판(P)을 반출하고, 기판 공급부(6)로 복귀되고, 새로운 기판(P)을 적재하는 등의 준비를 행한다.
제어 장치(8)는 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.
이어서, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 3 및 도 4를 사용하여 설명한다. 도 3은 다이 공급부의 외관 사시도를 나타내는 도면이다. 도 4는 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는 수평 방향(XY 방향)으로 이동하는 웨이퍼 유지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어 올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 유지대(12)는 웨이퍼 링(14)을 유지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 유지되고 복수의 다이(D)가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어 올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는 다이(D)의 밀어 올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 유지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 유지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아 늘여져 다이(D)의 간격이 확대되고, 밀어 올림 유닛(13)에 의해 다이(D) 하방으로부터 다이(D)를 밀어 올려, 다이(D)의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는 액상으로부터 필름상이 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라고 불리는 필름상의 접착 재료를 부착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다. 또한, 이후에는 다이 어태치 필름(18)의 존재를 무시하고, 박리 공정을 설명한다.
이어서, 밀어 올림 유닛(13)에 대하여 도 5, 6을 사용하여 설명한다. 도 5는 실시예에 관한 밀어 올림 유닛의 상면도이다. 도 6은 도 5의 A1-A2에 있어서의 주요부의 단면도이다.
밀어 올림 유닛(13)은 원기둥 형상이고, 상면의 중앙에 위치하는 개구부(131)와 그 주변의 흡착부(132)와 개구부(131) 내의 블록부(133)를 구비한다. 개구부(131)의 평면에서 본 형상은 사각형이고, 다이(D)의 평면 형상과 유사한 형상으로 구성된다.
블록부(133)는 평면 형상이 사각 형상인 제1 블록(1331)과 제2 블록(1332)을 구비한다. 예를 들어, 제1 블록(1331)은 다이 본더(10)의 전방측(Y축 부측)에 위치하고, 제2 블록(1332)은 안측(Y축 정측)에 위치한다. 제1 블록(1331)과 제2 블록(1332)의 상면에는 각각 요철을 갖는다. 개구부(131)와 제1 블록(1331)과 제2 블록(1332) 사이에 간극(1333)을 구비한다. 제1 블록(1331)과 제2 블록(1332)은 개구부(131)의 4변을 따른 평면 형상이다. 제1 블록(1331)과 제2 블록(1332)을 합한 평면적은 다이(D)의 평면적보다도 작다. 제1 블록(1331)의 세로(X축 방향)의 길이와 제2 블록(1332)의 세로(X축 방향)의 길이는 동일하지만, 제1 블록(1331)의 가로(Y축 방향)의 길이는 제2 블록(1332)의 가로(Y축 방향)의 길이보다도 짧다. 따라서, 제1 블록(1331)의 평면적은 제2 블록(1332)의 평면적보다도 작다. 제1 블록(1331)의 가로(Y축 방향)의 길이는, 예를 들어 제2 블록(1332)의 가로(Y축 방향)의 길이의 1/2 내지 1/5 정도이다.
제1 블록(1331)과 제2 블록(1332) 사이의 간극(1333)은 평면에서 볼 때 X축 방향으로 가늘고 긴 직사각 형상이다. 바꾸어 말하면, 제1 블록(1331)과 제2 블록(1332)이 간극(1333)을 사이에 두고 대향하는 면의 수평 방향의 변은 X축 방향으로 연장된다.
제1 블록(1331)과 제2 블록(1332)은 독립적으로 상하 운동이 가능하다. 밀어 올림 유닛(13)은 픽업 동작 중, 블록부(133)를 상승시킨 상태에서, 적어도 제2 블록(1332)의 Y축 방향의 길이분, Y축 방향으로 수평 이동 가능하다.
밀어 올림 유닛(13)의 상면의 주변부에 설치되는 흡착부(132)에는 복수의 흡인구(1321)와, 복수의 흡인구(1321)를 연결하는 복수의 홈(1322)이 형성되어 있다. 흡인구(1321) 및 홈(1322)의 각각의 내부는 밀어 올림 유닛(13)을 상승시키고 그 상면을 다이싱 테이프(16)의 이면에 접촉시킬 때, 도시하지 않은 흡인 기구에 의해 감압된다. 이때, 다이싱 테이프(16)의 이면이 하방으로 흡인되고, 밀어 올림 유닛(13)의 상면과 밀착한다. 흡착부(132)는 픽업 대상의 다이(D)의 외측의 다이싱 테이프(16)를 밀착한다. 또한, 제1 블록(1331) 및 제2 블록(1332)의 주변 간극(개구)(1333)의 흡인 기구와 흡착부(132)의 흡인 기구는 공통이고, 동시에 흡착의 ON/OFF가 행해진다.
제1 블록과 제2 블록의 형상과 다이 형상의 관계에 대하여 도 7을 사용하여 설명한다. 도 7은 다이, 제1 블록 및 제2 블록의 평면도이고, 도 7의 (A)는 블록부가 세로로 긴 경우이고, 도 7의 (B)는 블록부가 가로로 긴 경우이다.
다이(D)가 직사각형인 경우, 다이의 특성에 의해, 도 7의 (A)에 나타낸 바와 같이, 블록부(133)가 평면에서 볼 때 세로로 길게(X축 방향의 길이가 Y축 방향의 길이보다도 길게) 하거나, 도 7의 (B)에 나타낸 바와 같이, 블록부(133)가 가로로 길게(Y축 방향의 길이가 X축 방향의 길이보다도 길게) 하거나 한다. 어떤 경우든, 제1 블록(1331)은 평면에서 볼 때 세로로 길게(X축 방향의 길이가 Y축 방향의 길이보다도 길게) 하는 것이 바람직하다.
이어서, 상술한 구성에 의한 밀어 올림 유닛(13)에 의한 픽업 동작에 대하여 도 8 내지 18을 사용하여 설명한다. 도 8은 픽업 동작의 처리 흐름을 나타내는 흐름도이다. 도 9 내지 17은 각 스텝에 있어서의 밀어 올림 유닛과 콜릿의 관계를 나타내는 주요 단면도이다. 도 18은 밀어 올림 높이와 슬라이드 높이의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
스텝 S1: 제어 장치(8)는 픽업하는 다이(D)가 밀어 올림 유닛(13)의 바로 위에 위치하도록 웨이퍼 유지대(12)를 이동(피치 이동)하고, 다이싱 테이프(16)의 이면에 밀어 올림 유닛(13)의 상면이 접촉하도록 밀어 올림 유닛(13)을 이동한다.
스텝 S2: 이때, 도 9에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 블록부(133)의 제1 블록(1BLK)(1331) 및 제2 블록(2BLK)(1332)의 상면이 흡착부(132)의 표면보다도 약간 낮게 하고, 흡착부(132)의 흡인구(1321) 및 홈(1322)과, 블록간의 간극(1333)에 의해 다이싱 테이프(16)를 흡착한다.
스텝 S3: 도 10에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 픽업 헤드(21)[콜릿(20)]를 하강시키고, 픽업하는 다이(D) 상에 위치 결정하고, 콜릿(22)을 착지하고 콜릿의 흡인 구멍(도시하지 않음)에 의해 다이(D)를 흡착한다. 이때, 다이(D)를 충분히 흡착하기 위해, 콜릿(22)을 다이(D)에 접하고 나서 더 소정량(압입량) 압입한다.
스텝 S4: 도 11에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 제1 블록(1331)을 설정된 제1 밀어 올림 높이(H1)까지 상승시킨다. 이때, 흡착부(132) 등에 의해 다이싱 테이프(16)의 흡착을 행하고 있다(흡착 ON). 이때, 콜릿(22)은 제1 밀어 올림 높이(H1)분 상승한다. 제1 밀어 올림 높이(H1)는, 예를 들어 흡착부(132)의 상면으로부터 300㎛이다.
스텝 S5: 도 12에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 제2 블록(1332)을 설정된 제2 밀어 올림 높이(H2)까지 상승시킨다. 이에 의해, 다이(D)의 주변의 다이싱 테이프(16)를 박리한다. 제2 밀어 올림 높이(H2)는 제1 밀어 올림 높이(H1)와 동일해도 되고, 제1 밀어 올림 높이(H1)보다 높아도 된다.
스텝 S6: 제어 장치(8)는 콜릿(22)을 압입량분 상승시키고, 그 후, 도 13에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 밀어 올림 유닛(13)이 수평 방향으로 이동하는 높이[슬라이드 높이(HS)]로 제1 블록(1331)을 하강시키고, 제2 블록(1332)을 제1 블록(1331)보다도 낮아지도록 하강시킨다. 제2 블록(1332)이 제1 밀어 올림 높이(H1)까지 하강한 타이밍에서, 콜릿(22)을, [제1 밀어 올림 높이(H1)－슬라이드 높이(HS)]의 거리분 하강시킨다. 여기서, 제1 밀어 올림 높이(H1), 제2 밀어 올림 높이(H2) 및 슬라이드 높이(HS)는 흡착부(132)의 상면을 기준으로 하는 높이이다.
스텝 S7: 제어 장치(8)는 흡착부(132) 등에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 정지(흡착 OFF)하고, 밀어 올림 유닛(13)이 수평 방향으로 이동 가능하게 한다. 그 후, 도 14에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 밀어 올림 유닛(13)을 수평 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 이동시키고, 그 후, 흡착부(132) 등에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 행하고(흡착 ON), 다이(D)의 박리를 행한다. 이동 방향은 작은 제1 블록(1331)으로부터 큰 제2 블록(1332)을 향하는 방향(Y축의 정방향)이다. 이 수평 방향의 동작을 설정에 따라 단계적으로 반복해서 행한다. 또한, 수평 방향의 이동 거리 및 블록 높이는 임의로 설정 가능하다.
스텝 S8: 도 15에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 흡착부(132) 등에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 정지(흡착 OFF)하고, 밀어 올림 유닛(13)을 원래의 위치로 복귀시키는 방향(Y축의 부방향)으로 수평 이동시킨다. 그 후, 흡착부(132) 등에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 행한다(흡착 ON).
스텝 S9: 도 16에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 콜릿(22)을 상승시킨다.
스텝 SA: 도 17에 나타낸 바와 같이, 제어 장치(8)는 블록부(133)의 제1 블록(1331), 제2 블록(1332)이 흡착부(132)의 표면과 동일 평면을 형성하도록 하고, 흡착부(132) 등에 의한 다이싱 테이프(16)의 흡착을 정지한다(흡착 OFF). 제어 장치(8)는 다이싱 테이프(16)의 이면으로부터 밀어 올림 유닛(13)의 상면이 이격되도록 밀어 올림 유닛(13)을 이동시킨다.
스텝 SB: 제어 장치(8)는 웨이퍼(11)로부터의 픽업이 종료되었는지 여부를 판단한다. YES의 경우는 종료하고, NO의 경우는 스텝 S1로 복귀된다.
제어 장치(8)는 스텝 S1 내지 SB를 반복하여, 웨이퍼(11)의 양품의 다이를 픽업한다.
이어서, 실시예에 관한 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 19를 사용하여 설명한다. 도 19는 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
스텝 S11: 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이(D)가 부착된 다이싱 테이프(16)를 유지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시하지 않음)에 격납하고, 다이 본더(10)로 반입한다. 제어 장치(8)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)로 공급한다. 또한, 기판(P)을 준비하여, 다이 본더(10)로 반입한다. 제어 장치(8)는 기판 공급부(6)에서 기판(P)을 기판 반송 팔레트(51)에 적재한다.
스텝 S12: 제어 장치(8)는 스텝 S1 내지 S8에 의해 박리한 다이를 웨이퍼로부터 픽업한다.
스텝 S13: 제어 장치(8)는 픽업한 다이를 기판(P) 상에 탑재 또는 이미 본딩한 다이 상에 적층한다. 제어 장치(8)는 웨이퍼(11)로부터 픽업한 다이(D)를 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)에서 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이(D)를 픽업하고, 반송되어 온 기판(P)에 본딩한다.
스텝 S14: 제어 장치(8)는 기판 반출부(7)에서 기판 반송 팔레트(51)로부터 다이(D)가 본딩된 기판(P)을 취출한다. 다이 본더(10)로부터 기판(P)을 반출한다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들어, 실시예에서는, 블록부는 제1 블록과 제2 블록의 2개의 블록으로 구성되어 있는 예를 설명했지만, 3개 이상의 블록으로 구성해도 된다. 밀어 올림 유닛(13)을 이동할 때에, 다이싱 테이프(16)에 접하는 블록은 중앙 부근의 블록이어도 되고, 주변 부근의 블록이어도 된다.
다이가 얇은(10 내지 20㎛) 경우에 대하여 설명했지만, 다이가 20㎛보다도 두꺼운 경우 및 다이가 10㎛보다도 얇은 경우에도 적용할 수 있다.
또한, 실시예에서는 밀어 올림 유닛이 수평 방향으로 이동하고 있지만, 밀어 올림 유닛을 고정하고 웨이퍼 링 홀더에 고정된 웨이퍼 및 본딩 헤드를 동기하여 동일한 방향으로 이동시키고 동일한 픽업 동작을 해도 된다.
또한, 밀어 올림 유닛의 이동 시에는 전진, 후퇴의 반복 운동을 하면서 이동하도록 해도 된다.
또한, 밀어 올림 유닛의 제1 블록의 웨이퍼와 접하는 부분의 각을 R이나 모따기를 하여 다이싱 테이프와의 걸림을 경감하거나, 제1 블록을 이동 시에 비스듬히 경사지게 하거나, 밀어 올림 유닛 전체를 비스듬히 기울여 이동시켜도 된다.
또한, 실시예에서는 밀어 올림 유닛의 이동 시에 흡착 진공을 OFF하고 있지만, 제1 블록, 제2 블록 각각에 진공도의 조절 기능을 갖게하고, 각 블록을 설정된 진공도로 약하게 흡인하면서 이동시켜도 된다.
또한, 밀어 올림 유닛의 이동 속도는 각 이동간의 위치, 간격마다 장치에서 자유롭게 프로그램 설정 가능하게 해도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 어태치 필름을 사용하는 예를 설명했지만, 기판에 접착제를 도포하는 프리폼부를 설치하여 다이 어태치 필름을 사용하지 않아도 된다.
또한, 실시예에서는 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드에 의해 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드에서 기판에 본딩하는 다이 본더에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 반도체 제조 장치에 적용 가능하다.
예를 들어, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없고, 다이 공급부의 다이를 본딩 헤드에서 기판에 본딩하는 다이 본더에도 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지가 없고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하고 다이 픽업 헤드를 위로 회전하여 다이를 본딩 헤드로 전달하여 본딩 헤드에서 기판에 본딩하는 플립 칩 본더에 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지와 본딩 헤드가 없고, 다이 공급부로부터 픽업 헤드에 의해 픽업한 다이를 트레이 등에 적재하는 다이 소터에 적용 가능하다.
1 : 다이 공급부
11 : 웨이퍼
13 : 밀어 올림 유닛
131 : 개구부
132 : 흡착부
1321 : 흡인 구멍
1322 : 홈
133 : 블록부
1331 : 제1 블록
1332 : 제2 블록
1333 : 간극
16 : 다이싱 테이프
2 : 픽업부
21 : 픽업 헤드
3 : 중간 스테이지부
31 : 중간 스테이지
4 : 본딩부
41 : 본딩 헤드
8 : 제어 장치
10 : 다이 본더
D : 다이
P : 기판

Claims (16)

  1. 반도체 제조 장치로서,
    다이를 다이싱 테이프의 아래로부터 밀어 올리는 밀어 올림 유닛과,
    상기 다이를 흡착하는 콜릿과,
    상기 밀어 올림 유닛 및 상기 콜릿의 동작을 제어하는 제어 장치를 구비하고,
    상기 밀어 올림 유닛은,
    상기 다이싱 테이프를 통해 상기 다이를 밀어 올리는 블록부와,
    상기 블록부의 외주에 설치되어 흡인 구멍을 갖는 흡착부를 구비하고,
    상기 블록부는,
    평면에서 볼 때 사각 형상의 제1 블록과,
    평면에서 볼 때 사각 형상이고 평면적이 상기 제1 블록보다도 큰 제2 블록과,
    상기 제1 블록과 상기 제2 블록 사이에 형성되는 가늘고 긴 간극을 갖고,
    상기 간극의 평면에서 본 길이 방향은 제1 방향으로 연장되고, 폭 방향은 제2 방향으로 연장되고,
    상기 제어 장치는 상기 콜릿이 상기 다이를 흡착하고 있는 동안, 상기 제1 블록을 상기 흡착부의 상면보다도 높게 밀어 올린 상태에서, 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향의 수평 방향으로 이동하는 수단을 구비하는, 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 밀어 올림 유닛이 수평 방향으로 이동할 때의 상기 제2 블록의 높이는 상기 제1 블록보다도 낮은 반도체 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 블록의 블록 높이, 제2 블록의 블록 높이 및 상기 밀어 올림 유닛의 상기 제2 방향의 수평 이동 거리는 설정 가능한 반도체 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어 장치는,
    상기 흡착부가 상기 다이싱 테이프를 흡착한 상태에서 상기 제1 블록을 제1 밀어 올림 높이로, 상기 제2 블록을 제2 밀어 올림 높이로 상승시키고, 그 후, 상기 제1 블록을 상기 제1 밀어 올림 높이보다도 낮은 슬라이드 높이로 하강시키고, 상기 제2 블록을 상기 슬라이드 높이보다도 낮은 높이로 하강시키는 수단과,
    상기 흡착부의 상기 다이싱 테이프의 흡착을 정지한 상태에서 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향으로 이동시키고, 그 후, 상기 흡착부에 의해 상기 다이싱 테이프를 흡착시키는 수단과,
    상기 흡착부의 상기 다이싱 테이프의 흡착을 정지한 상태에서 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향과는 반대의 수평 방향으로 이동시키고, 그 후, 상기 흡착부에 의해 상기 다이싱 테이프를 흡착시키는 수단을 구비하는 반도체 제조 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 밀어 올림 높이는 상기 제1 밀어 올림 높이보다도 높은 반도체 제조 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제어 장치는 상기 콜릿을 상기 다이에 착지시키고 상기 다이를 흡착할 때, 상기 콜릿이 상기 다이에 접한 후에도 상기 콜릿을 소정량 압입하고, 상기 제2 블록을 하강시킬 때에 상기 콜릿을 상기 소정량 상승시키는 수단을 구비하는 반도체 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제어 장치는 상기 제2 블록을 하강시킬 때, 상기 제2 블록이 상기 제1 밀어 올림 높이가 된 타이밍에서 상기 콜릿을 상기 제1 밀어 올림 높이와 상기 슬라이드 높이의 차분만큼 하강시키는 수단을 구비하는 반도체 제조 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 다이는 상기 다이와 상기 다이싱 테이프 사이에 다이 어태치 필름을 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 콜릿이 장착되는 픽업 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 픽업 헤드에 의해 픽업되는 다이를 적재하는 중간 스테이지와,
    상기 중간 스테이지에 적재되는 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 본딩 헤드를 더 구비하는 반도체 제조 장치.
  11. 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    (a) 다이를 다이싱 테이프의 아래로부터 밀어 올리는 밀어 올림 유닛과, 상기 다이를 흡착하는 콜릿과, 상기 밀어 올림 유닛 및 상기 콜릿의 동작을 제어하는 제어 장치를 구비하고, 상기 밀어 올림 유닛은, 상기 다이싱 테이프를 통해 상기 다이를 밀어 올리는 블록부와, 상기 블록부의 외주에 설치되고 흡인 구멍을 갖는 흡착부를 구비하고, 상기 블록부는, 평면에서 볼 때 사각 형상의 제1 블록과, 평면에서 볼 때 사각 형상이고 평면적이 상기 제1 블록보다도 큰 제2 블록과, 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 사이에 형성되는 가늘고 긴 간극을 갖고, 상기 간극의 평면에서 본 길이 방향은 제1 방향으로 연장되고, 폭 방향은 제2 방향으로 연장되는 반도체 제조 장치를 준비하는 공정과,
    (b) 다이를 갖는 다이싱 테이프를 유지하는 웨이퍼 링을 준비하는 공정과,
    (c) 상기 기판을 준비하는 공정과,
    (d) 상기 밀어 올림 유닛으로 상기 다이를 밀어 올리고 상기 콜릿으로 상기 다이를 픽업하는 공정을 갖고,
    상기 (d) 공정은, 상기 콜릿이 상기 다이를 흡착하고 있는 동안, 상기 제1 블록을 상기 흡착부의 상면보다도 높게 밀어 올린 상태에서, 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향의 수평 방향으로 이동하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 (d) 공정은,
    (d1) 상기 흡착부가 상기 다이싱 테이프를 흡착한 상태에서 상기 제1 블록을 제1 밀어 올림 높이로, 상기 제2 블록을 제2 밀어 올림 높이로 상승시키는 공정과,
    (d2) 상기 (d1) 공정 후, 상기 제1 블록을 상기 제1 밀어 올림 높이보다도 낮은 슬라이드 높이로 하강시키고, 상기 제2 블록을 상기 슬라이드 높이보다도 낮은 높이로 하강시키는 공정과,
    (d3) 상기 (d2) 공정 후, 상기 흡착부의 상기 다이싱 테이프의 흡착을 정지한 상태에서 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향으로 이동시키는 공정과,
    (d4) 상기 (d3) 공정 후, 상기 흡착부에 의해 상기 다이싱 테이프를 흡착시키는 공정과,
    (d5) 상기 (d4) 공정 후, 상기 흡착부의 상기 다이싱 테이프의 흡착을 정지한 상태에서 상기 밀어 올림 유닛을 상기 제2 방향과는 반대의 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
    (d6) 상기 (d5) 공정 후, 상기 흡착부에 의해 상기 다이싱 테이프를 흡착시키는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 (d) 공정은 (d7) 상기 콜릿을 상기 다이에 착지시키고 상기 다이를 흡착할 때, 상기 콜릿이 상기 다이에 접한 후에도 상기 콜릿을 소정량 압입하고, 상기 제2 블록을 하강시킬 때에 상기 콜릿을 상기 소정량 상승시키는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 (d) 공정은 (d8) 상기 제2 블록을 하강시킬 때, 상기 제2 블록이 상기 제1 밀어 올림 높이가 된 타이밍에서 상기 콜릿을 상기 제1 밀어 올림 높이와 상기 슬라이드 높이의 차분만큼 하강시키는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서, (e) 상기 다이를 기판 또는 이미 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 공정을 더 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 (d) 공정은 상기 픽업한 다이를 중간 스테이지에 적재하는 공정을 더 갖고,
    상기 (e) 공정은 상기 중간 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하는 공정을 더 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112530834A (zh) * 2019-09-17 2021-03-19 捷进科技有限公司 芯片贴装装置、剥离单元、筒夹及半导体器件的制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7217605B2 (ja) * 2018-09-21 2023-02-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法
CN109659258B (zh) * 2018-11-23 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 机台及面板制作方法
JP7465199B2 (ja) * 2019-12-11 2024-04-10 芝浦メカトロニクス株式会社 実装装置
TWI748763B (zh) * 2020-11-23 2021-12-01 鴻勁精密股份有限公司 拾取機構及其應用之作業設備

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050059205A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Hiroshi Maki Method of manufacturing semiconductor device
KR100817068B1 (ko) * 2006-10-24 2008-03-27 삼성전자주식회사 박형의 반도체 칩 픽업 장치 및 방법
KR20110050027A (ko) * 2009-11-06 2011-05-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 다이의 픽업 장치
KR20110107118A (ko) * 2010-03-24 2011-09-30 주식회사 하이닉스반도체 스테이지 및 이를 이용한 반도체 다이 픽업 장치
JP2012004393A (ja) 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ並びにピックアップ方法及びピックアップ装置
KR101473492B1 (ko) * 2007-06-19 2014-12-16 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209736B2 (ja) * 1999-11-09 2001-09-17 エヌイーシーマシナリー株式会社 ペレットピックアップ装置
JP4616748B2 (ja) * 2005-10-11 2011-01-19 株式会社新川 ダイピックアップ装置
CN101297393B (zh) * 2005-11-24 2010-05-12 株式会社瑞萨科技 半导体器件的制造方法
MY150953A (en) * 2008-11-05 2014-03-31 Esec Ag Die-ejector
JP2013065757A (ja) * 2011-09-20 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体チップのピックアップ方法及び半導体チップのピックアップ装置
JP6055239B2 (ja) * 2012-08-29 2016-12-27 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置並びにダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP6349496B2 (ja) * 2014-02-24 2018-07-04 株式会社新川 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050059205A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Hiroshi Maki Method of manufacturing semiconductor device
KR101244482B1 (ko) * 2003-09-17 2013-03-18 가부시키가이샤 르네사스 히가시 니혼 세미콘덕터 반도체 장치의 제조 방법
KR100817068B1 (ko) * 2006-10-24 2008-03-27 삼성전자주식회사 박형의 반도체 칩 픽업 장치 및 방법
KR101473492B1 (ko) * 2007-06-19 2014-12-16 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
KR20110050027A (ko) * 2009-11-06 2011-05-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 다이의 픽업 장치
KR20110107118A (ko) * 2010-03-24 2011-09-30 주식회사 하이닉스반도체 스테이지 및 이를 이용한 반도체 다이 픽업 장치
JP2012004393A (ja) 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ並びにピックアップ方法及びピックアップ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112530834A (zh) * 2019-09-17 2021-03-19 捷进科技有限公司 芯片贴装装置、剥离单元、筒夹及半导体器件的制造方法
KR20210032893A (ko) * 2019-09-17 2021-03-25 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치, 박리 유닛, 콜릿 및 반도체 장치의 제조 방법

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