TWI654674B - 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

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名久井勇輝
Yuki Nakui
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Abstract

本發明的課題是在於提供一種可使施加於晶粒的壓力減輕之半導體製造裝置。 　　其解決手段為： 　　半導體製造裝置係具備：頂起單元，夾頭，及控制前述頂起單元和前述夾頭的動作之控制裝置。 　　前述頂起單元係具備： 　　頂塊部，其係頂起前述晶粒；及 　　吸附部，其係具有被設在前述頂塊部的外周的吸引孔， 　　前述頂塊部係具有： 　　第一頂塊，其係平面視為四角狀； 　　第二頂塊，其係平面視為四角狀，平面積比前述第一頂塊更大；及 　　細長的間隙，其係設在前述第一頂塊與前述第二頂塊之間， 　　前述間隙的平面視的長度方向係延伸於第一方向，寬度方向係延伸於第二方向。 　　前述控制裝置係具備：前述夾頭吸附前述晶粒的期間，在將前述第一頂塊頂起成比前述吸附部的上面更高的狀態下，將前述頂起單元移動於前述第二方向的水平方向之手段。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
[0001] 本案是有關半導體製造裝置，例如可適用於具備頂起單元的黏晶機。
[0002] 一般，在將被稱為晶粒的半導體晶片例如搭載於配線基板或導線架等(以下總稱基板)的表面之黏晶機中，一般是使用夾頭等的吸附噴嘴來將晶粒搬送至基板上，賦予推壓力，且藉由加熱接合材來進行接合的動作(作業)會被重複進行。 　　[0003] 在黏晶機等的半導體製造裝置之晶粒接合工程中，有將從半導體晶圓(以下稱為晶圓)分割的晶粒剝離之剝離工程。在剝離工程中，藉由頂起銷或頂塊從切割膠帶背面頂起晶粒，從被保持於晶粒供給部的切割膠帶1個1個剝離，使用夾頭等的吸附噴嘴來搬送至基板上。 　　[0004] 近年來，在推動半導體裝置的高密度安裝的目的下，封裝的薄型化被進展。例如，在配線基板上三次元地安裝複數個的晶粒的層疊封裝被實用化。在組裝如此的層疊封裝時，為了防止封裝厚的增加，而被要求使晶粒的厚度薄至20μm以下。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] 　　[專利文獻1] 日本特開2012-4393號公報
(發明所欲解決的課題) 　　[0006] 若以頂起銷或頂塊來頂起晶粒，則壓力會施加於晶粒。 　　本案的課題是在於提供一種可使施加於晶粒的壓力減輕之半導體製造裝置。 　　其他的課題及新穎的特徵是可由本說明書的記述及附圖明確得知。 (用以解決課題的手段) 　　[0007] 本案之中代表性者的概要簡単說明如下。 　　亦即，半導體製造裝置係具備： 　　頂起單元，其係從切割膠帶下頂起晶粒； 　　夾頭，其係吸附前述晶粒；及 　　控制裝置，其係控制前述頂起單元及前述夾頭的動作。 　　前述頂起單元係具備： 　　頂塊部，其係隔著前述切割膠帶來頂起前述晶粒；及 　　吸附部，其係具有被設在前述頂塊部的外周的吸引孔。 　　前述頂塊部係具有： 　　第一頂塊，其係平面視為四角狀； 　　第二頂塊，其係平面視為四角狀，平面積比前述第一頂塊更大；及 　　細長的間隙，其係設在前述第一頂塊與前述第二頂塊之間， 　　前述間隙的平面視的長度方向係延伸於第一方向，寬度方向係延伸於第二方向。 　　前述控制裝置係具備：前述夾頭吸附前述晶粒的期間，在將前述第一頂塊頂起成比前述吸附部的上面更高的狀態下，將前述頂起單元移動於前述第二方向的水平方向之手段。 [發明的效果] 　　[0008] 若根據上述半導體製造裝置，則可使施加於晶粒的壓力減輕。
[0010] 以下，利用圖面來說明有關實施例及變形例。但，在以下的說明中，有對於同一構成要素附上同一符號且省略重複說明的情形。另外，圖面為了使說明更明確，而相較於實際的形態，有時模式性地表示各部的寬度、厚度、形狀等，但終究只是其一例，並非限定本發明的解釋者。 　　[0011] 一旦晶粒變薄，則相較於切割膠帶的黏著力，晶粒的剛性會變得極低。因此，例如，為了拾取10~20μm的薄晶粒，需要使施加於晶粒的壓力減輕(低壓力化)。所謂低壓力化是使施加於晶粒的應力集中減低。為了使應力集中減低，需要縮小切割膠帶從晶粒剝離的角度(剝離角度)，但因頂起單元的真空吸附，剝離角度會比理想還大。為了縮小剝離角度，只要增加頂起段數，任意地設定頂起高度，使剝離角度最適化即可，但由於剝離角度依晶粒的條件(晶粒厚、晶粒黏結薄膜(DAF(Die Attach Film))的種類、切割工程等)而非一定，因此最適化困難。 　　[0012] 實施形態的半導體製造裝置是藉由晶粒的拾取治具之頂起單元的複數頂塊來進行晶粒背面周邊的剝離之後，將頂起單元全體階段性地移動於水平方向，藉此剝離晶粒背面全體，拾取晶粒。在以複數頂塊來剝離晶粒周邊的頂塊的高度以下，頂起單元階段性地朝水平方向動作為理想。例如， 　　(1)使夾頭著落，夾頭吸附晶粒。 　　(2)使第一頂塊上昇，以頂起單元來吸附切割膠帶。 　　(3)使第二頂塊與第一頂塊同程度或稍微高上昇，從切割膠帶剝離晶粒周邊。 　　(4)使第一頂塊及第二頂塊形成移動於水平方向的高度(例如，使第一頂塊形成比上述(3)的高度更低的高度，使第二頂塊比第一頂塊更低的高度)。 　　(5)停止頂起單元之切割膠帶的吸附，使頂起單元移動於水平方向(第一方向)，以頂起單元來吸附切割膠帶。 　　(6)停止頂起單元之切割膠帶的吸附，使頂起單元移動於水平方向(與第一方向相反的第二方向)，以頂起單元來吸附切割膠帶。 　　(7)重複上述(5)(6)，從切割膠帶剝離晶粒背面。 　　另外，藉由可以改變將第一頂塊及第二頂塊移動於水平方向的高度、將頂起單元移動於水平方向的距離，可對應於剝離困難的晶粒。 　　[0013] 若根據實施形態，則可抑止對晶粒的壓力來剝離晶粒背面全體。藉由剝離晶粒背面全體，可提升拾取的安定性。 [實施例] 　　[0014] 圖1是表示實施例的黏晶機的概略的上面圖。圖2是說明在圖1中由箭號A方向來看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。 　　[0015] 黏晶機10是大致區分具有：晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7及監視各部的動作的控制裝置8。Y軸方向為黏晶機10的前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1是被配置於黏晶機10的前側，接合部4是被配置於後側。 　　[0016] 首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板P的晶粒D。晶粒供給部1是具有：保持晶圓11的晶圓保持台12，及從晶圓11頂起晶粒D之以虛線所示的頂起單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向，使拾取的晶粒D移動至頂起單元13的位置。 　　[0017] 拾取部2是具有：拾取晶粒D的拾取頭21，使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23，及使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(圖2也參照)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21是具有使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動之未圖示的各驅動部。 　　[0018] 中間平台部3是具有：暫時性載置晶粒D的中間平台31，及用以識別中間平台31上的晶粒D的平台識別攝影機32。 　　[0019] 接合部4是從中間平台31拾取晶粒D，接合至被搬送而來的基板P上，或以在已被接合於基板P上的晶粒上層疊的形式接合。 　　接合部4是具有： 　　接合頭41，其係具備與拾取頭21同樣將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(圖2也參照)； 　　Y驅動部43，其係使接合頭41移動於Y方向；及 　　基板識別攝影機44，其係攝取基板P的位置識別標記(未圖示)，識別接合位置。 　　藉由如此的構成，接合頭41是根據平台識別攝影機32的攝像資料來修正拾取位置･姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，根據基板識別攝影機44的攝像資料來將晶粒D接合於基板P。 　　[0020] 搬送部5是具備：載置一片或複數片的基板P(在圖1是4片)的基板搬送托盤51，及基板搬送托盤51移動的托盤軌道52，具有並行而設的同一構造的第1、第2搬送部。基板搬送托盤51是以沿著托盤軌道52而設之未圖示的滾珠螺桿來驅動被設在基板搬送托盤51之未圖示的螺帽，藉此移動。 　　藉由如此的構成，基板搬送托盤51是在基板供給部6載置基板P，沿著托盤軌道52來移動至接合位置，接合後，移動至基板搬出部7，將基板P交給基板搬出部7。第1、第2搬送部是互相獨立驅動，在被載置於一方的基板搬送托盤51的基板P接合晶粒D中，另一方的基板搬送托盤51是將基板P搬出，返回至基板供給部6，進行載置新的基板P等的準備。 　　[0021] 控制裝置8是具備： 　　記憶體，其係儲存監視控制黏晶機10的各部的動作的程式(軟體)；及 　　中央處理裝置(CPU)，其係實行被儲存於記憶體的程式。 　　[0022] 其次，利用圖3及圖4來說明有關晶粒供給部1的構成。圖3是表示晶粒供給部的外觀立體圖。圖4是表示晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 　　[0023] 晶粒供給部1是具有：移動於水平方向(XY方向)的晶圓保持台12，移動於上下方向的頂起單元13。晶圓保持台12是具有：保持晶圓環14的擴張環15，及將切割膠帶16定位於水平的支撐環17，該切割膠帶16是黏著有被保持於晶圓環14的複數的晶粒D。頂起單元13是被配置於支撐環17的內側。 　　[0024] 晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的擴張環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉長，晶粒D的間隔會擴大，藉由頂起單元13來從晶粒D下方頂起晶粒D，使晶粒D的拾取性提升。另外，隨著薄型化，將晶粒黏著於基板的黏著劑是由液狀成為薄膜狀，在晶圓11與切割膠帶16之間貼附被稱為晶粒黏結薄膜(DAF)18的薄膜狀的黏著材料。就具有晶粒黏結薄膜18的晶圓11而言，切割是對於晶圓11及晶粒黏結薄膜18進行。因此，在剝離工程中，從切割膠帶16剝離晶圓11及晶粒黏結薄膜18。另外，以下是無視晶粒黏結薄膜18的存在來說明剝離工程。 　　[0025] 其次，利用圖5、6來說明有關頂起單元13。圖5是實施例的頂起單元的上面圖。圖6是圖5的A1-A2的主要部的剖面圖。 　　[0026] 頂起單元13是圓柱狀，具備：位於上面的中央的開口部131及其周邊的吸附部132及開口部131內的頂塊部133。開口部131的平面視的形狀為四角形，構成與晶粒D的平面形狀相似形。 　　[0027] 頂塊部133是具備平面形狀為四角狀的第一頂塊1331及第二頂塊1332。例如，第一頂塊1331是位於黏晶機10的前側(Y軸負側)，第二頂塊1332是位於後側(Y軸正側)。在第一頂塊1331及第二頂塊1332的上面是分別具有凹凸。在開口部131與第一頂塊1331和第二頂塊1332之間具備間隙1333。第一頂塊1331和第二頂塊1332是沿著開口部131的四邊的平面形狀。合計第一頂塊1331和第二頂塊1332的平面積是比晶粒D的平面積更小。第一頂塊1331的縱(X軸方向)的長度與第二頂塊1332的縱(X軸方向)的長度是相同，但第一頂塊1331的橫(Y軸方向)的長度是比第二頂塊1332的橫(Y軸方向)的長度更短。因此，第一頂塊1331的平面積是比第二頂塊1332的平面積更小。第一頂塊1331的橫(Y軸方向)的長度是例如為第二頂塊1332的橫(Y軸方向)的長度的1/2~1/5程度。 　　[0028] 第一頂塊1331與第二頂塊1332之間的間隙1333是平面視在X軸方向細長的矩形狀。換言之，第一頂塊1331與第二頂塊1332隔著間隙1333來對向的面的水平方向的邊是延伸於X軸方向。 　　[0029] 第一頂塊1331與第二頂塊1332是可獨立上下運動。頂起單元13是拾取動作中，使頂塊部133上昇的狀態下，至少第二頂塊1332的Y軸方向的長度部分，可水平移動於Y軸方向。 　　[0030] 在被設於頂起單元13的上面的周邊部的吸附部132是設有：複數的吸引口1321，及連結複數的吸引口1321的複數的溝1322。在吸引口1321及溝1322的各個的內部是使頂起單元13上昇而使其上面接觸於切割膠帶16的背面時，藉由未圖示的吸引機構來減壓。此時，切割膠帶16的背面會被吸引至下方，與頂起單元13的上面緊貼。吸附部132是緊貼拾取對象的晶粒D的外側的切割膠帶16。另外，第一頂塊1331及第二頂塊1332的周邊間隙(開口)1333的吸引機構與吸附部132的吸引機構是共通，同時進行吸附的ON/OFF。 　　[0031] 利用圖7來說明有關第一頂塊及第二頂塊的形狀與晶粒形狀的關係。圖7是晶粒、第一頂塊及第二頂塊的平面圖，圖7(A)是頂塊部為縱長的情況，圖7(B)是頂塊部為橫長的情況。 　　[0032] 晶粒D為長方形時，依據晶粒的特性，如圖7(A)所示般，頂塊部133形成平面視縱長(X軸方向的長度比Y軸方向的長度更長)，或如圖7(B)所示般，頂塊部133形成橫長(Y軸方向的長度比X軸方向的長度更長)。任一情況皆第一頂塊1331是形成平面視縱長(X軸方向的長度比Y軸方向的長度更長)為理想。 　　[0033] 其次，利用圖8~18來說明有關上述構成的頂起單元13之拾取動作。圖8是表示拾取動作的處理流程的流程圖。圖9~17是表示各步驟的頂起單元與夾頭的關係的主要剖面圖。圖18是用以說明頂起高度與滑動高度的關係的圖。 　　[0034] 步驟S1：控制裝置8是以拾取的晶粒D能夠位於頂起單元13的正上方之方式，移動(間距移動)晶圓保持台12，以頂起單元13的上面能夠接觸於切割膠帶16的背面之方式，移動頂起單元13。 　　[0035] 步驟S2：此時，如圖9所示般，控制裝置8是頂塊部133的第一頂塊(1BLK)1331及第二頂塊(2BLK)1332的上面會比吸附部132的表面更稍微低，藉由吸附部132的吸引口1321及溝1322以及頂塊間的間隙1333來吸附切割膠帶16。 　　[0036] 步驟S3：如圖10所示般，控制裝置8是使拾取頭21(夾頭20)下降，定位於拾取的晶粒D上，使夾頭22著落而藉由夾頭的吸引孔(未圖示)來吸附晶粒D。此時，為了充分地吸附晶粒D，而將夾頭22接觸於晶粒D之後更推進預定量(推進量)。 　　[0037] 步驟S4：如圖11所示般，控制裝置8是使第一頂塊1331上昇至被設定的第一頂起高度(H1)。此時，藉由吸附部132等來進行切割膠帶16的吸附(吸附ON)。此時，夾頭22是上昇第一頂起高度(H1)部分。第一頂起高度(H1)是例如離吸附部132的上面300μm。 　　[0038] 步驟S5：如圖12所示般，控制裝置8是使第二頂塊1332上昇至被設定的第二頂起高度(H2)。藉此，剝離晶粒D的周邊的切割膠帶16。第二頂起高度(H2)是亦可為與第一頂起高度(H1)相同，或比第一頂起高度(H1)高。 　　[0039] 步驟S6：控制裝置8是使夾頭22上昇推進量部分，然後，如圖13所示般，控制裝置8是使第一頂塊1331下降至頂起單元13移動於水平方向的高度(滑動高度(HS))，使第二頂塊1332下降成為比第一頂塊1331更低。在第二頂塊1332下降至第一頂起高度(H1)的時機，使夾頭22下降(第一頂起高度(H1)-滑動高度(HS))的距離部分。在此，第一頂起高度(H1)、第二頂起高度(H2)及滑動高度(HS)是以吸附部132的上面作為基準的高度。 　　[0040] 步驟S7：控制裝置8是停止吸附部132等之切割膠帶16的吸附(吸附OFF)，使頂起單元13可移動於水平方向。然後，如圖14所示般，控制裝置8是使頂起單元13移動於水平方向(例如Y軸方向)，然後，進行吸附部132等之切割膠帶16的吸附(吸附ON)，進行晶粒D的剝離。移動方向是從小的第一頂塊1331朝大的第二頂塊1332的方向(Y軸的正方向)。按照設定來階段性地重複進行此水平方向的動作。另外，水平方向的移動距離及頂塊高度是可任意地設定。 　　[0041] 步驟S8：如圖15所示般，控制裝置8是停止吸附部132等之切割膠帶16的吸附(吸附OFF)，使頂起單元13水平移動於回到原來的位置的方向(Y軸的負方向)。然後，進行吸附部132等之切割膠帶16的吸附(吸附ON)。 　　[0042] 步驟S9：如圖16所示般，控制裝置8是使夾頭22上昇。 　　[0043] 步驟SA：如圖17所示般，控制裝置8是使頂塊部133的第一頂塊1331、第二頂塊1332形成與吸附部132的表面同一平面，停止吸附部132等之切割膠帶16的吸附(吸附OFF)。控制裝置8是使頂起單元13移動成為頂起單元13的上面從切割膠帶16的背面離開。 　　[0044] 步驟SB：控制裝置8是判斷來自晶圓11的拾取是否終了。YES的情況是終了，NO的情況是返回至步驟S1。 　　[0045] 控制裝置8是重複步驟S1~SB，拾取晶圓11的良品的晶粒。 　　[0046] 其次，利用圖19來說明有關使用實施例的黏晶機的半導體裝置的製造方法。圖19是表示半導體裝置的製造方法的流程圖。 　　[0047] 步驟S11：將保持切割膠帶16的晶圓環14儲存於晶圓盒(未圖示)，搬入至黏晶機10，該切割膠帶16是貼附有從晶圓11分割的晶粒D。控制裝置8是從充填有晶圓環14的晶圓盒將晶圓環14供給至晶粒供給部1。並且，準備基板P，搬入至黏晶機10。控制裝置8是在基板供給部6將基板P載置於基板搬送托盤51。 　　[0048] 步驟S12：控制裝置8是從晶圓拾取藉由步驟S1~S8所剝離的晶粒。 　　[0049] 步驟S13：控制裝置8是將拾取後的晶粒載置於基板P上或層疊於已接合的晶粒上。控制裝置8是將從晶圓11拾取後的晶粒D載置於中間平台31，在接合頭41從中間平台31再度拾取晶粒D，接合於被搬送來的基板P。 　　[0050] 步驟S14：控制裝置8是在基板搬出部7從基板搬送托盤51取出接合有晶粒D的基板P。從黏晶機10搬出基板P。 　　[0051] 以上，根據實施形態及實施例具體說明本發明者們所研發的發明，但本發明並非限於上述實施形態及實施例，當然可實施各種變更。 　　[0052] 例如，在實施例中說明了頂塊部是以第一頂塊及第二頂塊的二個頂塊所構成的例子，但亦可以三個以上的頂塊所構成。在移動頂起單元13時，接觸於切割膠帶16的頂塊是可為中央附近的頂塊或周邊附近的頂塊。 　　[0053] 雖針對晶粒薄(10~20μm)的情況進行說明，但在晶粒比20μm更厚的情況及晶粒比10μm更薄的情況也可適用。 　　[0054] 又，實施例是頂起單元會移動於水平方向，但亦可將頂起單元固定而使被固定於晶圓環夾具的晶圓及接合頭同步移動於同方向來進行同樣的拾取動作。 　　[0055] 又，頂起單元的移動時，亦可一邊前進、後退的反復運動，一邊移動。 　　[0056] 又，亦可使與頂起單元的第一頂塊的晶圓接觸的部分的角形成圓弧或倒角，減輕與切割膠帶的卡住，或使第一頂塊在移動時傾斜，或使頂起單元全體傾斜移動。 　　[0057] 又，實施例是在頂起單元的移動時使吸附真空形成OFF，但亦可在第一頂塊、第二頂塊分別設置真空度的調節機能，使各頂塊以被設定的真空度來一邊減弱吸引，一邊使移動。 　　[0058] 又，頂起單元的移動速度是亦可按各移動間的位置、間隔，在裝置可自由地程式設定。 　　[0059] 又，實施例是說明使用晶粒黏結薄膜的例子，但亦可在基板設置塗佈黏著劑的預先形成部，而不使用晶粒黏結薄膜。 　　[0060] 又，實施例是說明有關從晶粒供給部以拾取頭拾取晶粒而載置於中間平台，以接合頭來將被載置於中間平台的晶粒接合於基板的黏晶機，但並非限於此，亦可適用於從晶粒供給部拾取晶粒的半導體製造裝置。 　　例如，亦可適用於無中間平台及拾取頭，以接合頭來將晶粒供給部的晶粒接合於基板的黏晶機。 　　又，可適用於無中間平台，從晶粒供給部拾取晶粒，將晶粒拾取頭旋轉至上面而把晶粒交接至接合頭，以接合頭來接合於基板的覆晶焊接器(Flip Chip Bonder)。 　　又，可適用於無中間平台及接合頭，將從晶粒供給部以拾取頭拾取後晶粒載置於托盤等的晶粒分類機。
[0061]
1‧‧‧晶粒供給部
11‧‧‧晶圓
13‧‧‧頂起單元
131‧‧‧開口部
132‧‧‧吸附部
1321‧‧‧吸引孔
1322‧‧‧溝
133‧‧‧頂塊部
1331‧‧‧第一頂塊
1332‧‧‧第二頂塊
1333‧‧‧間隙
16‧‧‧切割膠帶
2‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
3‧‧‧中間平台部
31‧‧‧中間平台
4‧‧‧接合部
41‧‧‧接合頭
8‧‧‧控制裝置
10‧‧‧黏晶機
D‧‧‧晶粒
P‧‧‧基板
[0009] 　　圖1是由上來看實施例的黏晶機的概念圖。 　　圖2是說明在圖1中由箭號A方向來看時，拾取頭及接合頭的動作的圖。 　　圖3是表示圖1的晶粒供給部的外觀立體圖。 　　圖4是表示圖1的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 　　圖5是實施例的頂起單元的平面圖。 　　圖6是圖5的頂起單元的縱剖面圖。 　　圖7是用以說明第一頂塊及第二頂塊的形狀與晶粒形狀的關係的平面圖。 　　圖8是用以說明實施例的黏晶機的拾取動作的流程圖。 　　圖9是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖10是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖11是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖12是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖13是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖14是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖15是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖16是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖17是用以說明圖8的拾取動作的頂起單元等的縱剖面圖。 　　圖18是用以說明頂起高度與滑動高度的關係的圖。 　　圖19是用以說明實施例的半導體裝置的製造方法的流程圖。

Claims (16)

  1. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備：頂起單元，其係從切割膠帶下頂起晶粒；夾頭，其係吸附前述晶粒；及控制裝置，其係控制前述頂起單元及前述夾頭的動作，前述頂起單元係具備：頂塊部，其係隔著前述切割膠帶來頂起前述晶粒；及吸附部，其係具有被設在前述頂塊部的外周的吸引孔，前述頂塊部係具有：第一頂塊，其係平面視為四角狀；第二頂塊，其係平面視為四角狀，平面積比前述第一頂塊更大；及細長的間隙，其係設在前述第一頂塊與前述第二頂塊之間，前述間隙的平面視的長度方向係延伸於第一方向，寬度方向係延伸於第二方向，前述控制裝置係具備：前述夾頭吸附前述晶粒的期間，在將前述第一頂塊頂起成比前述吸附部的上面更高的狀態下，將前述頂起單元移動於前述第二方向的水平方向之手段，前述頂起單元移動於前述第二方向的前述水平方向時的前述第二頂塊的高度係比前述第一頂塊更低。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述第二頂塊的前述第一方向的長度係與前述第一頂塊的前述第一方向的長度相同，前述第二頂塊的前述第二方向的長度係比前述第一頂塊的前述第二方向的長度更長。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述第一頂塊的頂塊高度、第二頂塊的頂塊高度及前述頂起單元的前述第二方向的水平移動距離為可設定。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述控制裝置係具備：在前述吸附部吸附前述切割膠帶的狀態下，使前述第一頂塊上昇至第一頂起高度，使前述第二頂塊上昇至第二頂起高度，然後，使前述第一頂塊下降至比前述第一頂起高度更低的滑動高度，使前述第二頂塊下降至比前述滑動高度更低的高度之手段；在停止前述吸附部的前述切割膠帶的吸附之狀態下，使前述頂起單元移動於前述第二方向，然後，藉由前述吸附部來使前述切割膠帶吸附之手段；及在停止前述吸附部的前述切割膠帶的吸附之狀態下，使前述頂起單元移動於與前述第二方向相反的水平方向，然後，藉由前述吸附部來使前述切割膠帶吸附之手段。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體製造裝置，其中，前述第二頂起高度係比前述第一頂起高度更高。
  6. 如申請專利範圍第4項之半導體製造裝置，其中，前述控制裝置係具備：使前述夾頭著落於前述晶粒而吸附前述晶粒時，前述夾頭接觸於前述晶粒之後也將前述夾頭推進預定量，在使前述第二頂塊下降時使前述夾頭上昇前述預定量之手段。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體製造裝置，其中，前述控制裝置係具備：使前述第二頂塊下降時，在前述第二頂塊形成前述第一頂起高度的時機，使前述夾頭只下降前述第一頂起高度與前述滑動高度的差分之手段。
  8. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，前述晶粒更在前述晶粒與前述切割膠帶之間具備晶粒黏結薄膜。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置，其中，更具備安裝有前述夾頭的拾取頭。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體製造裝置，其中，更具備：中間平台，其係載置以前述拾取頭所拾取的晶粒；及接合頭，其係將被載置於前述中間平台的晶粒接合於基板或已被接合的晶粒上。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有：(a)準備半導體製造裝置之工程，該半導體製造裝置係被構成為具備：頂起單元，其係從切割膠帶下頂起晶粒；夾頭，其係吸附前述晶粒；及控制裝置，其係控制前述頂起單元及前述夾頭的動作，前述頂起單元係具備：頂塊部，其係隔著前述切割膠帶來頂起前述晶粒；及吸附部，其係具有被設在前述頂塊部的外周的吸引孔，前述頂塊部係具有：第一頂塊，其係平面視為四角狀；第二頂塊，其係平面視為四角狀，平面積比前述第一頂塊更大；及細長的間隙，其係設在前述第一頂塊與前述第二頂塊之間，前述間隙的平面視的長度方向係延伸於第一方向，寬度方向係延伸於第二方向；(b)準備保持具有晶粒的切割膠帶的晶圓環之工程；(c)準備前述基板之工程；及(d)以前述頂起單元來頂起前述晶粒而以前述夾頭來拾取前述晶粒之工程，前述(d)工程，係前述夾頭吸附前述晶粒的期間，在將前述第一頂塊頂起成比前述吸附部的上面更高的狀態下，將前述頂起單元移動於前述第二方向的水平方向，前述頂起單元移動於前述第二方向的前述水平方向時的前述第二頂塊的高度係比前述第一頂塊更低。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體製造裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係具有：(d1)在前述吸附部吸附前述切割膠帶的狀態下，使前述第一頂塊上昇至第一頂起高度，使前述第二頂塊上昇至第二頂起高度之工程；(d2)前述(d1)工程後，使前述第一頂塊下降至比前述第一頂起高度更低的滑動高度，使前述第二頂塊下降至比前述滑動高度更低的高度之工程；(d3)前述(d2)工程後，在停止前述吸附部的前述切割膠帶的吸附之狀態下，使前述頂起單元移動於前述第二方向之工程；(d4)前述(d3)工程後，藉由前述吸附部來使前述切割膠帶吸附之工程；(d5)前述(d4)工程後，在停止前述吸附部的前述切割膠帶的吸附之狀態下，使前述頂起單元移動於與前述第二方向相反的水平方向之工程；及(d6)前述(d5)工程後，藉由前述吸附部來使前述切割膠帶吸附之工程。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體製造裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係具有：(d7)使前述夾頭著落於前述晶粒而吸附前述晶粒時，前述夾頭接觸於前述晶粒之後也將前述夾頭推進預定量，在使前述第二頂塊下降時使前述夾頭上昇前述預定量之工程。
  14. 如申請專利範圍第13項之半導體製造裝置的製造方法，其中，前述(d)工程係具有：(d8)使前述第二頂塊下降時，在前述第二頂塊形成前述第一頂起高度的時機，使前述夾頭只下降前述第一頂起高度與前述滑動高度的差分之工程。
  15. 如申請專利範圍第11項之半導體製造裝置的製造方法，其中，更具備：(e)將前述晶粒接合於基板或已被接合的晶粒上之工程。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體製造裝置的製造方法，其中，前述(d)工程更具有：將前述拾取後的晶粒載置於中間平台之工程，前述(e)工程更具有：從前述中間平台拾取前述晶粒之工程。
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