CN104733345B - 裸片预剥离装置和方法 - Google Patents

Abstract

提供一种用于将半导体裸片从切割带预剥离的预剥离装置、系统和方法，其中半导体裸片粘附在该切割带上。所述预剥离装置(320,520,520A,720)包括：基座(322,522,522A,722)；多个支撑柱(324,524,524A,724)，从所述基座(322,522,522A,722)突出。

Description

裸片预剥离装置和方法

技术领域

本技术涉及半导体器件的制造。

背景技术

在如图1所示，晶圆被划分为经由裸片粘贴膜(DAF)106而粘贴在切割带(dicingtape)104上的多个单独的半导体裸片102之后，在所谓裸片拾取(die pickup)工艺中，通过推顶器(ejector)202和抽吸器件204来从切割带104上拾取单片化的半导体裸片102。图2是用于从切割带104拾取半导体裸片102的拾取机构的放大的示意侧视图。在该裸片拾取工艺期间，通过诸如位于切割带104下方的推顶针(thrust pin)的推顶器202来经由切割带104按压单片化的裸片102的背面并将其向上推，同时位于裸片102上方的抽吸器件204吸持(hold)该裸片102，并将该裸片102从切割带104拉出。由于在半导体裸片102下方的DAF106和切割带104之间的粘结强度小于在半导体裸片102和DAF106之间的粘结强度，因此半导体裸片102与DAF106一起可以由于DAF106和切割带104之间的分开(detachment)而从切割带104分离。因此，半导体裸片102随着抽吸器件204的吸持而从切割带104上剥离。该抽吸器件204例如是连接到真空泵(未示出)的橡胶吸嘴(rubber tip)。

在DAF106和切割带104的分开期间，该切割带104变形。由于DAF106和切割带104之间驻留的粘附强度，没有被推顶器202支撑的半导体裸片102的边缘部分也变形，因此经受相对高速的弯曲力。在该情况下，可能从半导体裸片102的边角或边缘部分开始发生诸如破裂或破碎的缺陷，该半导体裸片102的边角或边缘部分具有最弱的机械强度。这种缺陷由于更薄裸片的日益增长的需求而趋于增加，尤其是在半导体裸片102具有100μm或更少的厚度的情况下。因此，需要改进制造半导体器件的装置和方法。

发明内容

在一个方面，本技术涉及一种用于将多个半导体裸片从切割带预剥落的预剥落装置，其中，多个半导体裸片被粘附到所述切割带上，所述预剥落装置包括：基座；以及多个支撑柱，从所述基座突出。

在另一方面中，本技术涉及一种用于将半导体裸片从切割带(410,610)预剥离的系统，其中，所述半导体裸片被粘附到所述切割带上，所述系统包括：腔体，具有底部底座、顶部开口和从所述底部底座的边缘向上延伸的侧壁，所述侧壁具有顶部表面；压力调节器经由至少一个进口连接到所述腔体的内部；以及预剥离装置，包括覆盖所述腔体的顶部开口并安装于所述侧壁的顶部表面上的基座、和从所述基座突出、朝向或背离所述腔体的底部底座的支撑柱，其中，所述半导体裸片和所述支撑柱相对于彼此按压，且相对于彼此基本上居中，且所述切割带位于其两者之间并覆盖所述腔体的顶部开口，以及所述半导体裸片的相对表面大于所述支撑柱的相对表面。

在另一方面中，本技术涉及用于将多个半导体裸片从切割带预剥离的系统，其中，其中，所述多个半导体裸片被粘附到所述切割带上且按阵列排列，所述系统包括：腔体，具有底部底座、顶部开口和从所述底部底座的边缘向上延伸的侧壁，所述侧壁具有顶部表面；压力调节器，经由至少一个进口连接到所述腔体的内部；以及预剥离装置，包括覆盖所述腔体的顶部开口并安装于所述侧壁的顶部表面上的基座、和从所述基座突出、朝向或背离所述腔体的底部底座的多个支撑柱，其中，每个半导体裸片对应于所述多个支撑柱之一，且每个半导体裸片和所述对应支撑柱相对于彼此按压，且相对于彼此基本上居中，且所述切割带位于其两者之间并覆盖所述腔体的顶部开口，以及每个半导体裸片的相对表面大于对应的支撑柱的相对表面。

附图说明

图1和图2是示出用于制造半导体器件的传统裸片拾取工艺的示意侧视图；

图3A是根据本技术的实施例的用于预剥离半导体裸片的系统的分解的示意透视图；

图3B是图3A所示的根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统中的预剥离装置的放大的从下往上的示意透视图；

图3C是图3A所示的系统的部分装配侧视图；

图3D是图3A所示的根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统中的预剥离装置的部分放大的从下往上的示意透视图；

图4A-4K是示出使用图3A所示的根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统来预剥离半导体裸片的方法的示意侧视图；

图5A是根据本技术的另一实施例的用于预剥离半导体裸片的系统的分解的示意透视图；

图5B是图5A所示的根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统中的预剥离装置的放大的示意透视图；

图5C是图5A所示的系统的部分装配侧视图；

图5D是图5B所示的根据本技术的预剥离装置的部分放大的示意透视图；

图5E是根据本技术的另一实施例的用于预剥离半导体裸片的系统中的另一预剥离装置的放大的示意透视图；

图5F是包括图5E所示的根据本技术的该另一预剥离装置的系统的部分的装配侧视图；

图5G是如图5E所示的预剥离装置的部分的放大的示意透视图；

图6A-6H是示出通过使用图5A所示的根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统来预剥离半导体裸片的方法的示意侧视图；以及

图7A和7B分别是根据本技术的用于预剥离半导体裸片的预剥离装置的背面的示意透视图和俯视图。

具体实施方式

现在将参考图3A到7B来描述涉及用于从切割带预剥离半导体裸片的系统、装置和方法的实施例。理解，可以按许多不同的形式来实施本技术，且本技术不应该被限制为在此阐述的实施例。而是，提供这些实施例以便本公开将连贯和完整，且充分地向本领域技术人员传达该技术。实际上，本技术旨在覆盖这些实施例的替换、修改和等同物，这些都包括在由所附权利要求所限定的本技术的范围和精神中。另外，在本技术的以下详细描述中，阐述大量具体细节以便提供对本技术的全面了解。但是，本领域技术人员将清楚，可以不用这种具体细节来实践本技术。

在此可能使用的术语“顶部”和“底部”、“较高(上部)”和“较低(下部)”、以及“垂直”和“水平”仅由于举例和例示目的，且不意图限制本技术的描述，所引用的项目可以在位置和方向上交换。而且，如在此使用的，术语“实质上”、“近似”和/或“大约”意味着所指定的尺度或参数可以在可接受的制造容许量内变换，用于给定的应用。在一个实施例中，该可接受制造容许量为±0.25%。

图3A是根据本技术的实施例的用于预剥离半导体裸片的系统300的分解的示意透视图。系统300包括腔体310，该腔体310具有底部底座312、顶部开口314和从底部底座312的边缘向上延伸的侧壁316。侧壁316具有顶部表面318，且该顶部表面318具有圆形横截面形状，但不限于圆形横截面形状。顶部表面318和侧壁316可以具有与中央开口一样的许多其他几何形状，且可以从包括但不限于以下的一组中选择：圆形、椭圆形、正方形、矩形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形等。如图3A所示，作为优选的例子，顶部表面318具有圆形的横截面形状。侧壁316的顶部表面318可以是基本上平坦的。切割带410被放置在侧壁316的顶部表面318上，且粘贴在切割带410的上表面上的多个半导体裸片420位于中央开口的正上方。腔体310的主体可以由诸如钢铁、铝或铜等的金属构成。

该系统300还包括预剥离装置320。图3B是预剥离装置320的放大的从下向上示意透视图。图3C是图3A所示的预剥离装置320和切割带410的部分的装配侧视图。图3D是预剥离装置320的支撑柱324的放大的从下向上示意透视图。

如图3A和图3B所示，预剥离装置320包括基座322和从所述基座322突出的多个支撑柱324。

如图3A所示，预剥离装置320置于腔体310上方。基座322覆盖腔体310的顶部开口314，且被安装到腔体310的侧壁316的顶部表面318上。基座322优选地具有圆形的横截面形状，但是该横截面形状也可以从包括但不限于以下的一组中选择：圆形、椭圆形、正方形、矩形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形等。基座322可以具有与腔体310的侧壁316的顶部表面318相同的横截面形状，但在其他实施例中，基座322可以具有与该顶部表面318不同的横截面形状，只要基座322能够覆盖腔体310的顶部表面318。基座322的尺寸可以基本上等于或大于切割带410的尺寸。如图3B所示，例如，基座322具有圆形横截面形状和与如图3A所示的顶部表面318基本上相同的尺寸。具体地，基座322具有基本上平坦的圆形横截面的顶部表面和基本上平坦的圆形横截面的底部表面，且具有范围例如从10mm到20mm的典型厚度。基座322和支撑柱324可以用具有高机械强度和硬度的材料、诸如金属或硬塑料来构造。

支撑柱324每个可以具有从包括但不限于以下的一组中选择的横截面形状：圆形、椭圆形、正方形、矩形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形等。如图3A-3D所示，作为优选的例子，支撑柱324每个具有基本上相同的矩形横截面形状，类似于半导体裸片的形状。支撑柱324每个具有平坦的顶部表面和基本上相同的高度，其高度例如处于例如10mm-20mm的范围。这多个支撑柱324的至少部分相互隔开基本上相等的间隙，且被布置为与多个半导体裸片420形成的阵列对应的阵列，使得该至少部分的支撑柱324的每个一一对应地对应于每个半导体裸片420。也就是说，支撑柱324的数量可以等于或大于半导体裸片420的数量。在本公开中，作为例子，假设多个支撑柱324所有都被布置为一一对应于多个半导体裸片420，且支撑柱324的数量等于半导体裸片420的数量。

如图3A和图3C所示，多个支撑柱324向腔体310的底部底座312突出，且按压到切割带410的背面。半导体裸片420的顶部表面也被置于朝向腔体310的底部底座312。一般来说，每个半导体裸片420的底部表面与对应的支撑柱324的顶部表面相对，即，半导体裸片420和对应的支撑柱324相对于彼此按压且相对于彼此基本上居中，且切割带410被置于两者之间并覆盖腔体310的顶部开口314。对于对应的支撑柱324和半导体裸片420，它们的中心被对准，且每个支撑柱324的相对表面小于每个对应的半导体裸片420的相对表面。例如，矩形支撑柱324的一边可以与对应的半导体裸片420的相邻边相隔预定间隙、例如1mm。

该预剥离装置320还可以包括至少一个固定组件340，用于将所述预剥离装置320的基座322和切割带410固定到侧壁316的顶部表面318上。该固定组件340可以包括例如螺钉、栓针、夹具、铆钉或用于牢固预剥离装置320的基座322的其他部件。例如，如图3A所示，存在均匀分布在基座322的边缘的四个定位梢，用作固定组件340。该固定组件340也可以由金属构造。

根据本技术的预剥离装置320可以是单独的产品，其可以被并入除了图3A所示的示例腔体310以外的任何已有的腔体中，用于促进半导体裸片的预剥离。

如图3A所示，系统300还可以包括密封组件330，置于切割带410和侧壁316的顶部表面318之间。密封组件330可以包括例如粘结层，用于将切割带410粘结到侧壁316的顶部表面318上，并密闭地密封腔体310的顶部开口314。密封组件330可以是O形环，或本领域技术人员已知的其他密封部件。

系统300还可以包括压力调节器350，经由至少一个进口360连接到腔体310的内部，以调节腔体310内部的压力。至少一个进口360可以位于底部底座312的中央、分布于底部底座312的中央周围、或位于侧壁316中。压力调节器350可以包括流体供应器352，用于通过经由该至少一个进口360向腔体310中引入流体，而在腔体310内部建立比诸如腔体310外部的大气压力的周围压力更大的压力。这种压力差使得未被支撑柱324按压的切割带410的多个部分变形，以便能够对切割带410上的半导体裸片420进行均匀的预剥离。该流体可以包括气体或液体。优选地，该气体可以是干燥的空气或干燥的氮气，以保护切割带410不受湿气影响。压力调节器350还可以包括流体控制器件354，诸如具有计量器的阀门，以控制流体的流速，以调节腔体310内的压力。

另外，装置300还可以包括诸如UV光源(未示出)的辐射源，用于辐射变形的切割带410。以此方式，切割带410和半导体裸片420下方的裸片粘贴膜(未示出)之间的粘结强度可以减小，以便防止在预剥离之后的重新粘附，且有助于随后的裸片拾取工艺。

根据本实施例的预剥离装置包括对应于在切割带上的多个半导体裸片的多个支撑柱，但是本技术不限于此。根据本技术的预剥离装置可以包括单个支撑柱，且这种预剥离装置可以用于一次一个地预剥离切割带上的每个半导体裸片。

将参考图4A-4K的示意侧视图所示的根据本技术的从切割带预剥离半导体器件的方法来更详细地讨论根据本技术的包括预剥离装置320的预剥离系统300。

如图4A所示，晶圆420’首先可选地经由裸片粘贴膜(DAF)430被粘贴到切割带410上。切割带410通常包括两个表面上都施加了粘结剂的易弯曲的基础材料，诸如聚次亚乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚烯烃、或聚乙烯。粘结剂也可以是UV敏感的，以允许在UV辐射时破坏粘结剂的粘结。DAF430通常用于薄的裸片堆叠封装，以便在封装中具有期望的一致的粘结厚度。

接下来，如图4B所示，在所谓的切割工艺中，晶圆420’通过金刚石锯或激光器(未示出)的切割工具被划分为在切割带410上的多个单独的半导体裸片420。在切割工艺期间和之后，在切割带410上的粘结剂和DAF430原地保持半导体裸片420。优选地，晶圆420’和DAF430完全被切穿，使得切割带410也被切划以在切割带410上的半导体裸片420之间创建划片线（未示出）。在该情况下，切割带410在半导体裸片420之间的划片线的位置处变弱，因此切割带410的在半导体裸片420之间的部分在随后的工艺期间趋于更容易变形。

接下来，如图4C所示，其上粘贴了多个半导体裸片420的切割带410被置于腔体310上，且切割带410的具有半导体裸片420的正面朝下，朝向腔体310的底部底座312。切割带410由于诸如腔体310的侧壁316的顶部表面318上施加的粘结剂的密封组件330而封闭地密封腔体310的顶部开口314。

接下来，如图4D所示，包括基座322和支撑柱324的预剥离装置320被置于切割带410上方，且支撑柱324按压切割带410的背面。支撑柱324可以向下推切割带410以及其上粘贴的半导体裸片420，使得切割带410经受均匀的伸展力。基座322的位置可以在水平面上调整，以将每个支撑柱324与对应的半导体裸片420对准。这种对准可以通过本领域技术人员可知的对准方式来进行，例如手动对准、激光对准、或电荷耦合器件（CCD）对准。在根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统和装置中的对准方式将稍后参考图7A和图7B来详细描述。

接下来，如图4D所示，基座322可以通过使用诸如定位梢的固定组件340被安装到切割带410和腔体310的侧壁316的顶部表面318上。

接下来，如图4E所示，从流体供应器352经由腔体310的底座312中的（一个或多个）进口360向腔体310内引入流体，用于在腔体310内建立比腔体310外的周围压力更大的压力，因此在切割带410的相对侧之间施加压力差。该压力差迫使未被支撑柱324按压的切割带410的各个部分向上鼓起，由此切割带410上粘贴的每个半导体裸片420的边缘部分也向上弯曲。由于由聚合物构造的切割带410比通常由硅构造的半导体裸片420更易弯曲，因此切割带410的各个部分4102经受比半导体裸片420更大的变形，因此在切割带410的各个部分4102和每个半导体裸片420的边缘部分之间施加分离力。由于DAF430和切割带410之间的粘结强度小于半导体裸片420和DAF430之间的粘结强度，因此如果该分离力超过DAF430和切割带410之间的粘结强度，每个半导体裸片410的边缘部分和DAF430一起从切割带410上分开。因此，切割带410上的每个半导体裸片420的边缘部分从切割带410上部分地剥离。

由于支撑柱324和半导体裸片420被布置为具有基本上均匀的间隙的阵列，且通过这些均匀的间隙施加相同的压力差，切割带410上的位于这些均匀的间隙上的所有部分4102具有基本相同的尺寸，且均匀地经受基本上相同程度的从每个半导体裸片420拉远的变形，这又实现了对于切割带410上的所有半导体裸片420的基本上相同程度的部分剥离。

切割带410的这些部分4102的变形可以包括塑性变形。在该情况下，切割带410的部分4102在随后工艺中释放压力差之后可能不会恢复到其原始尺寸和形状。这使得预剥离的半导体裸片420难以重新粘贴到切割带410的变形的部分4102上，这又增强了半导体裸片420的预剥离效果的稳定性。可选地，可以在施加压力差之前，例如通过用更长的支撑柱324进一步向下推切割带410，来预变形该切割带410。在该情况下，切割带410的部分4102可以由于支撑柱324引入的预变形的出现而在更小的压力差下经受塑性变形。

切割带410的两个相对侧之间的压力差可以基于切割带410的机械属性来设置。例如，对于由Nitto Denko美国公司（美国，加利福尼亚州）提供的典型的基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的切割带410，该压力差典型地处于0.01MPa-0.05Mpa的范围中，且在该例子中，是0.017MPa。另外，在切割工艺期间在切割带410上的半导体裸片420之间的部分4102中建立的划片线可以进一步减弱切割带410的部分4102的机械强度，因此增加切割带410的部分4102的变形程度。这可以进一步促进半导体裸片420的边缘部分的部分剥离。

另外，每个半导体裸片420下的DAF430的分离的部分可以通过诸如腔体310内部安装的UV光源的辐射源（未示出）来照射。这种照射减小了半导体裸片420下的DAF430的分离的部分的粘性，因此进一步防止当具有DAF430的半导体裸片420在随后的步骤中与切割带410接触时半导体裸片420的预剥离的边缘部分重新粘贴到切割带410上。

接下来，如图4F所示，通过例如破坏腔体310的顶部开口314的密封，或通过经由（一个或多个）进口360从腔体310排出流体，来释放切割带410的相对侧之间的压力差。切割带410的部分4102可能在先前的步骤中经受了至少某种程度的塑性变形，使得切割带410可能不会恢复到原始的平坦表面，而是即使在释放了压力差之后也在部分4102中保持向上鼓起。

然后，如图4G所示，预剥离装置320从腔体310上卸下。接下来，如图4H所示，其下表面上粘贴了半导体裸片420的切割带410也从腔体310上取下。然后，如图4I所示，将切割带410上下翻转，使得半导体裸片420位于切割带410上方，以准备好在图4J和4K所示的随后的裸片拾取工艺中由顶推器370和抽吸器件380来拾取。

以此方式，由于在根据本技术的预剥离工艺期间、切割带410的变形的部分4102与半导体裸片420分离，因此切割带410的变形的部分4102上施加的粘结剂的粘性可以降低，由此减少对于半导体裸片420的拾取力。在该情况下，可以在裸片拾取工艺中用更小的拾取力来拾取半导体裸片420，因此减少诸如半导体裸片的破裂或破碎的缺陷的风险，并增加产量。另外，由于变形的部分4102在切割带410上均匀地形成，因此切割带410可以在释放了压力差之后保持其原始的整体位置和规模，因此切割带410上粘贴的半导体裸片420可以相对于彼此而保持在其原始位置处，由此避免在裸片拾取工艺期间半导体裸片的位置误差和拾取失误（pick up miss）。

图5A是根据本技术的另一实施例的用于预剥离半导体裸片的系统的分解的示意透视图。该系统500包括腔体510，该腔体510具有底部底座512、顶部开口514和从底部底座512的边缘向上延伸的侧壁516。侧壁516具有顶部表面518，且该顶部表面518具有从包括但不限于以下的一组中选择的横截面形状：圆形、椭圆形、正方形、长方形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形等。如图5A所示，作为优选的例子，顶部表面518具有圆形的横截面形状。侧壁516的顶部表面518可以是基本上平坦的。切割带610被放置在侧壁516的顶部表面518上，且附接到切割带610的上表面上的多个半导体裸片620位于中央开口的正上方。腔体510的主体可以由诸如钢铁、铝或铜等的金属构成。

该系统500还包括预剥离装置520。图5B是预剥离装置520的放大的示意透视图。图5C是图5A所示的预剥离装置520和切割带610的部分的装配侧视图。图5D是预剥离装置520的支撑柱524的放大的示意透视图。

如图5A和图5B所示，预剥离装置520包括基座522和从该基座522突出的多个支撑柱524。

如图5A所示，预剥离装置520置于腔体510上方。基座522覆盖腔体510的顶部开口514，且被安装到侧壁516的顶部表面518上。基座522优选地具有圆形的横截面形状，但是该横截面形状也可以从包括但不限于以下的一组中选择：圆形、椭圆形、正方形、长方形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形等。基座522可以具有与腔体510的侧壁516的顶部表面518相同的横截面形状，但在其他实施例中，基座522可以具有与该顶部表面518不同的横截面形状，只要基座522能够覆盖腔体510的顶部表面518。基座522的尺寸可以基本上等于或大于切割带610的尺寸。如图5B所示，例如，基座322具有圆形横截面形状和与如图5A所示的顶部表面518基本上相同的尺寸。具体地，基座522具有基本上平坦的圆形横截面的顶部表面和基本上平坦的圆形横截面的底部表面，且具有范围例如从10mm到20mm的典型厚度。基座522和支撑柱524可以用具有高机械强度和硬度的材料、诸如金属或硬塑料来构造。

支撑柱524每个可以具有从包括但不限于以下的一组中选择的横截面形状：圆形、椭圆形、正方形、长方形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形等。如图5A-5D所示，作为优选的例子，支撑柱524每个具有基本上相同的矩形横截面形状，类似于半导体裸片的形状。支撑柱524每个具有平坦的顶部表面和基本上相同的高度，其高度例如处于例如10mm-20mm的范围。这多个支撑柱524的至少部分相互隔开基本上相等的间隙，且被布置为与多个半导体裸片520形成的阵列对应的阵列，使得该至少部分的支撑柱524的每个一一对应地对应于每个半导体裸片620。也就是说，支撑柱524的数量可以等于或大于半导体裸片620的数量。在本公开中，作为例子，假设多个支撑柱524所有都被布置为一一对应于多个半导体裸片620，且支撑柱524的数量等于半导体裸片640的数量。

如图5A和图5C所示，多个支撑柱524背离腔体510的底部底座512而突出，且按压到切割带610的背面。半导体裸片620的顶部表面也被置于背离腔体510的底部底座512。一般来说，每个半导体裸片620的底部表面与对应的支撑柱524的顶部表面相对，即，半导体裸片620和对应的支撑柱524相对于彼此按压且相对于彼此基本上居中，且切割带610被置于两者之间并覆盖腔体510的顶部开口514。对于对应的支撑柱524和半导体裸片620，它们的中心被对准，且每个支撑柱524的相对表面小于每个对应的半导体裸片620的相对表面。例如，矩形支撑柱524的一边可以与对应的半导体裸片620的相邻边间隔预定间隙、例如1mm。

如图5A到图5D所示，与图3A到图3D所示的实施例相比，基座522还包括在支撑柱524周围均匀布置的通孔526，用于提供穿过基座522的流体通路。

在图3A和图3C所示的实施例中，切割带410位于预剥离装置320下方。相比较，如图5A和图5C所示，切割带610位于预剥离装置520上方，且支撑柱524和半导体裸片620两者都朝上，背离腔体510的底部底座512。

该预剥离装置520还可以包括至少一个固定组件560，用于将切割带610和预剥离装置520的基座522固定到侧壁516的顶部表面518上。该固定组件560可以包括例如螺钉、栓针、夹具、铆钉或用于牢固预剥离装置520的基座522的其他部件。例如，如图5A所示，存在均匀分布在基座522的边缘的四个定位梢，用作固定组件560。该固定组件560也可以由金属构造。

根据本技术的预剥离装置520可以是单独的产品，其可以被并入除了图5A所示的示例腔体510以外的任何已有的腔体中，用于促进半导体裸片的预剥离。

如图5A所示，系统500还可以包括密封组件530，置于切割带610和预剥离装置520的基座522之间，和可选地（未示出）在基座522和腔体510的顶部表面518之间。密封组件530可以包括例如粘结层，以便将切割带610粘结到基座522的边缘上，以及可选地另外将基座522粘结到腔体510的顶部表面518上。密封组件530可以是O形环，或本领域技术人员已知的其他密封部件。

系统500还可以包括压力调节器550，经由至少一个进口570连接到腔体510的内部，以调节腔体510内部的压力。该至少一个进口570可以位于底部底座512的中央、分布于底部底座512的中央周围、或位于侧壁516中。压力调节器550可以包括真空泵552，用于在腔体510内部施加相对于周围压力的负压力。真空泵552可以通过经由至少一个进口570从腔体510排出流体，来在腔体510内建立比诸如腔体510外的大气压力的周围压力更小的压力。在该情况下，由于覆盖腔体510的基座522中的通孔526，可以经由通孔526在切割带610的相对侧之间施加压力差。这种压力差使得未被支撑柱524按压的切割带610的多个部分变形，以便能够对切割带610上的半导体裸片620进行均匀的预剥离。压力调节器550还可以包括流体控制器件554，诸如具有计量器的阀门，以控制流体的流速，以调节腔体510内的压力。

图5E是根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统中的另一预剥离装置520A的放大的示意透视图。如图5E所示，预剥离装置520A包括：基座522A；从基座522A突出的多个支撑柱524A；在基座522A中位于支撑柱524A周围的多个通孔526A；以及延伸贯穿支撑柱524A和基座522A两者的多个通孔528A。

图5F是根据本技术的系统的部分的装配测试图。与图5C中的预剥离装置相比，图5F所示的预剥离装置520A还包括延伸贯穿支撑柱524A和基座522A两者的通孔528A。

图5G是如图5E所示的预剥离装置的部分的放大的示意透视图。如图5G所示，预剥离装置520A还包括延伸贯穿支撑柱524A和基座522A两者的通孔528A。

根据本实施例的预剥离装置包括对应于在切割带上的多个半导体裸片的多个支撑柱，但是本技术不限于此。根据本技术的预剥离装置可以包括单个支撑柱，且这种预剥离装置可以用于一次一个地预剥离切割带上的每个半导体裸片。

将参考根据本技术的用于从切割带上预剥离半导体器件的方法来更详细地讨论包括预剥离装置520的系统500。

图6A-6H是示出通过使用图5A所示的根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统来预剥离半导体裸片的方法的示意侧视图。

如图6A所示，类似于图4B，在所谓的切割工艺中，晶圆（未示出）通过诸如金刚石锯或激光器(未示出)的切割工具被划分为在切割带610上的多个单独的半导体裸片620。在切割工艺期间和之后，在切割带610上的粘结剂和DAF630原地保持半导体裸片620。该切割工艺可能随着切割工具切穿晶圆和DAF630而在切割带610上留下划片线（未示出）。在该情况下，切割带610在半导体裸片620之间的划片线的位置处变弱，因此在随后的工艺中趋向于更容易变形。

接下来，如图6B所示，其上粘贴了多个半导体裸片620的切割带610被置于腔体510上，且切割带610的具有半导体裸片620的正面朝上，背离腔体510的底部底座512。

接下来，如图6C所示，将基座522与支撑柱524一起置于切割带610和腔体510的顶部开口514之间，且按压切割带610的背面。基座522的位置可以在水平面上调整，以将每个支撑柱524与对应的半导体裸片620对准。这种对准可以通过已有的对准方式来进行，例如手动对准、激光对准、或电荷耦合器件（CCD）对准。在根据本技术的用于预剥离半导体裸片的系统和装置中的对准方式将稍后参考图7A和图7B来详细描述。

在对准之后，基座522和切割带610可以通过使用诸如定位梢的固定组件560而固定到腔体510的侧壁516的顶部表面518上。腔体510的顶部开口514可以通过诸如施加在基座522和可选地在腔体510的侧壁516的顶部表面518上的粘结剂的密封组件530来密闭地密封。

接下来，如图6D所示，连接到腔体510的真空泵（未示出）通过经由至少一个进口510抽吸腔体510内的气体来降低腔体510内的压力，以在腔体510内建立相比于诸如大气压力的周围压力的负压力。例如，腔体510内的压力可以比诸如大气压力的周围压力更低。因为基座522具有其中的通孔526，因此真空泵（未示出）经由通孔526在切割带610的相对侧之间施加压力差。这种压力差迫使未被支撑柱624按压的切割带610的部分6102向下弯曲。由于DAF630和切割带610之间的粘结强度小于半导体裸片620和DAF630之间的粘结强度，因此如果该分离力超过DAF630和切割带610之间的粘结强度，每个半导体裸片620的边缘部分和DAF630一起从切割带610上分开。因此，切割带610上的每个半导体裸片620的边缘部分从切割带610上部分地剥离。

由于支撑柱524和半导体裸片620被布置为具有基本上相等的间隙的阵列，且通过这些均匀的间隙施加相同的压力差，因此切割带610上的位于这些均匀的间隙上的所有部分6102具有基本相同的尺寸，且均匀地经受基本上相同程度的从每个半导体裸片620拉远的变形，这又实现了对于切割带610上的所有半导体裸片620的基本上相同程度的部分剥离。

切割带610的这些部分6102的变形可以包括塑性变形。在该情况下，切割带610的部分6102在随后工艺中释放压力差之后可能不会恢复到其原始尺寸和形状。这使得预剥离的半导体裸片620难以重新粘贴到切割带610的变形的部分6102上，这又增强了半导体裸片620的预剥离效果的稳定性。可选地，可以在施加压力差之前，例如通过用更长的支撑柱524进一步向上推切割带610，来预变形该切割带610。在该情况下，切割带610的部分6102可以由于支撑柱524引入的预变形的出现而在更小的压力差下经受塑性变形。

切割带610的两个相对侧之间的压力差可以基于切割带610的机械属性来设置。例如，对于由Nitto Denko美国公司（美国，加利福尼亚州）提供的典型的基于PET的切割带610，该压力差典型地处于0.01MPa-0.05Mpa的范围中，且在该例子中，是0.017MPa。另外，在切割工艺期间在切割带610上的半导体裸片620之间的部分6102中建立的划片线可以进一步减弱切割带610的部分6102的机械强度，因此增加切割带610的部分6102的变形程度，这又促进了半导体裸片620的边缘部分的部分剥离。

在图5E-5G所示的具有延伸贯穿基座522A和支撑柱524A的附加的通孔528A的预剥离装置520A的情况下，在通孔528A的位置处的切割带610的部分也经受附加的弹性变形或甚至塑性变形，因为负压力将通过通孔528A在切割带610上施加吸力。切割带610还将向通孔528A中变形，作为图6F所示的附加的变形6104。切割带610的这种附加的变形6104可以进一步减少DAF630和切割带610之间的粘结强度，使得可以在随后的拾取工艺中用甚至更少的拾取力来拾取半导体裸片620，因此进一步减小诸如破裂或破碎的缺陷的风险并增加产量。

另外，每个半导体裸片620下方的DAF630的分离的部分可以通过诸如腔体510内部安装的UV光源的辐射源（未示出）来照射。这种照射减小了DAF630的分离的部分的粘性，因此防止DAF630的分离的部分和半导体裸片620之间的重新粘贴。

如图6E所示，释放切割带610的相对侧之间的压力差，同时塑性变形6102和可选地塑性变形6104保留。

接下来，从腔体510移除预剥离装置520，且留下切割带610。如图6G所示，取出其上粘贴了半导体裸片620的切割带610，且要注意，在该情况下，不像图4H和4I，切割带610不需要被上下翻转，因为半导体裸片620已经面朝上准备好用于裸片拾取工艺。如图6H所示，通过顶推器580和抽吸器件590来进行普通的裸片拾取工艺。

以此方式，因为在上述预剥离工艺期间切割带610的变形部分6102和可选的变形部分6104与DAF630和半导体裸片620分离，因此在切割带610的变形部分上施加的粘结剂的粘性可以被降低，由此进一步减小半导体裸片620的拾取力。在该情况下，可以在裸片拾取工艺中用更小的拾取力来拾取半导体裸片620，因此减少诸如半导体裸片的破裂或破碎的缺陷的风险，并增加产量。另外，由于变形的部分6102在切割带610上均匀地形成，因此切割带610可以在释放了压力差之后保持其原始的整体位置和规模，因此切割带610上粘贴的半导体裸片620可以相对于彼此而保持在其原始位置处，由此避免在裸片拾取工艺期间半导体裸片的位置误差和拾取失误。

在本技术中，在切割带之间施加压力差之前，每个支撑柱和其对应的半导体裸片可以通过对准基座上的特征和切割带上的特征的各种实施例来对准。在一个实施例中，基座上的特征可以是在基座中且在相邻的支撑柱之间的十字形开口，而切割带上的特征可以是在晶圆切割期间形成的划片线。该实施例将在以下参考图7A和图7B来详细描述。

图7A和7B分别是根据本技术的用于预剥离半导体裸片的预剥离装置的背面的示意透视图和示意俯视图。在图7A中，支撑柱724从基座722向下突出，且半导体裸片的顶部表面被置于朝下。具体地，预剥离装置720还可以包括基座722中的、位于支撑柱724之间的至少一个对准开口7222。如图7A和7B所示，例如，存在水平对准开口和垂直对准开口7222，每个具有类似于十字的形状。水平对准开口和垂直对准开口7222的每个位于相邻支撑柱之间的空间中。每个对准开口的长边的长度可以多于半导体裸片的边的长度的两倍。在切割晶圆期间生成的划片线4104位于切割带410上、在相邻半导体裸片420之间的空间处。因此，通过对准开口7222，在固定预剥离装置720之前，操作员可以通过手动调整基座722的位置来试图通过水平和垂直对准开口7222来看到水平和垂直划片线4104。一旦操作员能够直接通过水平和垂直对准开口7222看到一条水平的划片线和一条垂直的划片线4104，则每个支撑柱724和对应的半导体裸片420彼此居中。

如果在一个实施例中，基座722位于切割带410下方，且操作员不能直接看到对准开口7222，则在该情况下，为了清楚地看到划片线4104，可以在基座722下方安置灯（未示出）来照射这些对准开口7222。操作员可以看到通过对准开口7222照射在切割带410上的光，并确定对准开口7222的确切位置。

在其他实施例中，可以不通过人工，而通过诸如CCD器件或红外线（IR）照相机的成像器来捕获基座和切割带的图像、用于计算基座的位置偏移量的图像处理器、用于偏移基座的促动器和可选的上述灯来自动地实现这种对准。

另外，在以上例子中，在被固定之前，基座应该与切割带对准，但是本领域技术人员可以构思任何夹持基座且可相对于基座移动的任何结构，且在该结构被固定到腔体上之后，该基座仍然可以相对于该结构移动以实现这种对准。

通过根据本技术的用于将半导体裸片从切割带预剥离的预剥离装置、预剥离系统和方法，因为在根据本技术的预剥离工艺期间，切割带的变形部分与半导体裸片分离，因此切割带的变形部分上施加的粘结剂的粘性可以降低，因此减少对于半导体裸片的拾取力。在该情况下，可以在裸片拾取工艺中用更小的拾取力来拾取半导体裸片，因此减少诸如半导体裸片的破裂或破碎的缺陷的风险，并增加产量。另外，由于变形的部分在切割带上均匀地形成，因此切割带可以在预剥离工艺之后保持其原始的整体位置和规模，因此切割带上粘贴的半导体裸片可以相对于彼此而保持在其原始位置处，由此避免在裸片拾取工艺期间半导体裸片的位置误差和拾取失误。

在一个方面，本技术涉及一种用于将多个半导体裸片从切割带预剥离的预剥离装置，其中，多个半导体裸片被粘附到所述切割带上，所述预剥离装置包括：基座；以及多个支撑柱，从所述基座突出。

在另一方面中，本技术涉及一种用于将半导体裸片从切割带(410,610)预剥离的系统，其中，所述半导体裸片被粘附到所述切割带上，所述系统包括：腔体，具有底部底座、顶部开口和从所述底部底座的边缘向上延伸的侧壁，所述侧壁具有顶部表面；压力调节器，经由至少一个进口连接到所述腔体的内部；以及预剥离装置，包括覆盖所述腔体的顶部开口并安装于所述侧壁的顶部表面上的基座、和从所述基座突出、朝向或背离所述腔体的底部底座的支撑柱，其中，所述半导体裸片和所述支撑柱相对于彼此按压，且相对于彼此基本上居中，且所述切割带位于其两者之间并覆盖所述腔体的顶部开口，以及所述半导体裸片的相对表面大于所述支撑柱的相对表面。

在另一方面中，本技术涉及用于将多个半导体裸片从切割带预剥离的系统，其中，所述多个半导体裸片被粘附到所述切割带上且按阵列排列，所述系统包括：腔体，具有底部底座、顶部开口和从所述底部底座的边缘向上延伸的侧壁，所述侧壁具有顶部表面；压力调节器，经由至少一个进口连接到所述腔体的内部；以及预剥离装置，包括覆盖所述腔体的顶部开口并安装于所述侧壁的顶部表面上的基座、和从所述基座突出、朝向或背离所述腔体的底部底座的多个支撑柱，其中，每个半导体裸片对应于一个支撑柱，且每个半导体裸片和对应的支撑柱相对于彼此按压，且相对于彼此基本上居中，且所述切割带位于其两者之间并覆盖所述腔体的顶部开口，以及其中每个半导体裸片的相对表面大于对应的支撑柱的相对表面。

虽然提供上述组件的轮廓、尺寸和形状用于示例目的，但是在不同情况下可以改变其他结构参数。已经为了图示和描述的目的呈现了本技术的前述描述。不意图穷举或限制本技术到公开的精确形式。在上述教导下，许多修改和变化是可能的。选择上述实施例以便最佳地说明本技术的原理及其实际应用，由此使得本领域技术人员能够最佳地在各种实施例中使用本技术，且设想适用于实际使用的各种修改。意图本技术的范围由所附的权利要求来限定。

Claims (37)

1.一种用于将多个半导体裸片(420,620)从切割带(410,610)预剥离的预剥离装置(320,520,520A,720)，多个半导体裸片(420,620)被粘附到所述切割带(410,610)上，所述预剥离装置(320,520,520A,720)包括：

基座(322,522,522A,722)；以及

多个支撑柱(324,524,524A,724)，从所述基座(322,522,522A,722)突出，其中每个支撑柱(324,524,524A,724)的顶表面小于每个半导体裸片(420,620)的顶表面，使得切割带(410,610)上的每个半导体裸片(420,620)的仅边缘部分能够从所述切割带(410,610)部分剥离，

其中，所述多个支撑柱(324,524,524A,724)的至少部分被布置为与所述多个半导体裸片(420,620)形成的阵列对应的阵列，使得所述至少部分的支撑柱(324,524,524A,724)的每个一一对应地对应于每个半导体裸片(420,620)；以及

所述多个支撑柱(324,524,524A,724)的数量等于或大于所述多个半导体裸片(420,620)的数量，

其中，所述基座(522,522A)包括所述支撑柱(524,524A)周围的通孔(526,526A)。

2.根据权利要求1的预剥离装置，还包括：

至少一个固定组件(340,560,560A)，将所述基座(322,522,522A)固定到切割带(410,610)上。

3.根据权利要求2的预剥离装置，其中，所述至少一个固定组件(340,560,560A)包括螺钉、栓针、夹具、或铆钉。

4.根据权利要求1的预剥离装置，其中，所述基座(322,522,522A,722)具有从包括以下的一组中选择的横截面形状：圆形、椭圆形、正方形、矩形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形。

5.根据权利要求1的预剥离装置，其中，所述至少部分的支撑柱(324,524,524A,724)的每个和对应的半导体裸片(420,620)要相对于彼此按压，且相对于彼此居中，且所述切割带(410,610)位于其两者之间。

6.根据权利要求1的预剥离装置，其中，每个支撑柱(324,524,524A,724)具有从包括以下的一组中选择的横截面形状：圆形、椭圆形、正方形、矩形、五边形、六边形、七边形、八边形、九边形、和十边形。

7.根据权利要求1的预剥离装置，其中，所述支撑柱(324,524,524A,724)具有相同的高度，且具有平坦的顶表面。

8.根据权利要求1的预剥离装置，其中，所述基座(522A)还包括延伸贯穿所述支撑柱(524A)和所述基座(522A)两者的通孔(528A)。

9.根据权利要求1的预剥离装置，其中，所述基座(722)包括位于支撑柱(724)之间的至少一个对准开口(7222)，要与切割带(410,610)上的划片线(4104)对准。

10.一种用于将半导体裸片(420,620)从切割带(410,610)预剥离的系统(300,500)，所述半导体裸片(420,620)被粘附到所述切割带(410,610)上，所述系统(300,500)包括：

腔体(310,510)，具有底部底座(312,512)、顶部开口(314,514)和从所述底部底座(312,512)的边缘向上延伸的侧壁(316,516)，所述侧壁(316,516)具有顶部表面(318,518)；

压力调节器(350,550)，经由至少一个进口(360,570)连接到所述腔体(310,510)的内部；以及

预剥离装置(320,520,520A,720)，包括覆盖所述腔体(310,510)的顶部开口(314,514)并安装于所述侧壁(316,516)的顶部表面(318,518)上的基座(322,522,522A,722)、和从所述基座(322,522,522A,722)突出、朝向或背离所述腔体(310,510)的底部底座(312,512)的多个支撑柱(324,524,524A,724)，其中每个支撑柱(324,524,524A,724)的顶表面小于每个半导体裸片(420,620)的顶表面，使得切割带(410,610)上的每个半导体裸片(420,620)的仅边缘部分能够从所述切割带(410,610)部分剥离，

其中，所述半导体裸片(420,620)和所述支撑柱(324,524,524A,724)相对于彼此按压，且相对于彼此居中，且所述切割带(410,610)位于其两者之间并覆盖所述腔体(310,510)的顶部开口(314,514)，以及

所述半导体裸片(420,620)的相对表面大于所述支撑柱(324,524,524A,724)的相对表面，

其中，所述多个支撑柱(324,524,524A,724)的至少部分被布置为与所述多个半导体裸片(420,620)形成的阵列对应的阵列，使得所述至少部分的支撑柱(324,524,524A,724)的每个一一对应地对应于每个半导体裸片(420,620)，

其中，所述基座(522,522A)包括所述支撑柱(524,524A)周围的通孔(526,526A)。

11.根据权利要求10的系统，其中，所述压力调节器(350,550)在切割带(410,610)的相对侧之间施加压力差，使得未被支撑柱(324,524,524A,724)按压的切割带(410,610)的一部分经受背离所述半导体裸片(420,620)的塑性变形(4102,6102,6104)。

12.根据权利要求10的系统，其中，所述预剥离装置(320)位于切割带(410)上方，且支撑柱(324)和半导体裸片(420)朝向腔体(310)的底部底座(312)，以及

所述压力调节器(350)通过经由所述至少一个进口(360)向所述腔体(310)引入流体来增加腔体(310)内的压力。

13.根据权利要求12的系统，其中，所述压力调节器(350)还包括流体控制器件(354)来控制所述流体的流速。

14.根据权利要求12的系统，其中，所述流体包括气体或液体。

15.根据权利要求12的系统，其中，所述预剥离装置(320)还包括至少一个固定组件(340)，用于将所述预剥离装置(320)的基座(322)和切割带(410)固定到侧壁(316)的顶部表面(318)上。

16.根据权利要求10的系统，其中，所述切割带(610)位于所述预剥离装置(520,520A)上方，且支撑柱(524,524A)和半导体裸片(620)背离腔体(510)的底部底座(512)，以及

所述压力调节器(550)包括真空泵(552)。

17.根据权利要求10的系统，其中，所述基座(522A)还包括延伸贯穿所述支撑柱(524A)和所述基座(522A)两者的通孔(528A)。

18.根据权利要求16的系统，还包括盖体(540)，用于将所述切割带(610)夹持到所述预剥离装置(520,520A)的基座(522,522A)上。

19.根据权利要求18的系统，其中，所述预剥离装置(520,520A)还包括至少一个固定组件(560,560A)，用于将所述盖体(540)、切割带(610)和所述预剥离装置(520,520A)的基座(522,522A)固定到侧壁(516)的顶部表面(518)。

20.根据权利要求15或19的系统，其中所述至少一个固定组件(340,560)包括螺钉、栓针、夹具、或铆钉。

21.根据权利要求10的系统，还包括密封组件(330,530)，位于所述切割带(410,610)和所述侧壁(316,516)的顶部表面(318,518)之间。

22.根据权利要求10的系统，其中，所述至少一个进口(360,570)位于底部底座(312,512)的中央、分布于底部底座(312,512)的中央周围、或位于所述侧壁(316,516)中。

23.根据权利要求10的系统，其中，所述基座(722)包括位于支撑柱(724)周围的至少一个对准开口(7222)，要与切割带(410,610)上的划片线(4104)对准。

24.一种用于将多个半导体裸片(420,620)从切割带(410,610)预剥离的系统，所述多个半导体裸片(420,620)被粘附到所述切割带(410,610)上且按阵列排列，所述系统包括：

腔体(310,510)，具有底部底座(312,512)、顶部开口(314,514)和从所述底部底座(312,512)的边缘向上延伸的侧壁(316,516)，所述侧壁(316,516)具有顶部表面(318,518)；

压力调节器(350,550)，经由至少一个进口(360,570)连接到所述腔体(310,510)的内部；以及

预剥离装置(320,520,520A,720)，包括覆盖所述腔体(310,510)的顶部开口(314,514)并安装于所述侧壁(316,516)的顶部表面(318,518)上的基座(322,522,522A,722)、和从所述基座(322,522,522A,722)突出、朝向或背离所述腔体(310,510)的底部底座(312,512)排列的多个支撑柱(324,524,524A,724)，其中每个支撑柱(324,524,524A,724)的顶表面小于每个半导体裸片(420,620)的顶表面，使得切割带(410,610)上的每个半导体裸片(420,620)的仅边缘部分能够从所述切割带(410,610)部分剥离，

其中，每个半导体裸片(420,620)对应于所述多个支撑柱(324,524,524A,724)之一，且每个半导体裸片(420,620)和对应的支撑柱(324,524,524A,724)相对于彼此按压，且相对于彼此居中，且所述切割带(410,610)位于其两者之间并覆盖所述腔体(310,510)的顶部开口(314,514)，以及

每个半导体裸片(420,620)的相对表面大于对应的支撑柱(324,524,524A,724)的相对表面，

其中，所述多个支撑柱(324,524,524A,724)的至少部分被布置为与所述多个半导体裸片(420,620)形成的阵列对应的阵列，使得所述至少部分的支撑柱(324,524,524A,724)的每个一一对应地对应于每个半导体裸片(420,620)，以及

所述多个支撑柱(324,524,524A,724)的数量等于或大于所述多个半导体裸片(420,620)的数量，

其中，所述基座(522,522A)包括所述支撑柱(524,524A)周围的通孔(526,526A)。

25.根据权利要求24的系统，其中，所述压力调节器(350,550)在切割带(410,610)的相对侧之间施加压力差，使得未被对应的支撑柱(324,524,524A,724)按压的切割带(410,610)的各个部分经受背离所述半导体裸片(420,620)的塑性变形(4102,6102,6104)。

26.根据权利要求24的系统，其中，所述预剥离装置(320)位于切割带(410)上方，且所述支撑柱(324)和半导体裸片(420)朝向腔体(310)的底部底座(312)，以及

所述压力调节器(350)通过经由所述至少一个进口(360)向所述腔体(310)引入流体来增加腔体(310)内的压力。

27.根据权利要求26的系统，其中，所述压力调节器(350)还包括流体控制器件(354)来控制所述流体的流速。

28.根据权利要求26的系统，其中，所述流体包括气体或液体。

29.根据权利要求26的系统，其中，所述预剥离装置(320)还包括至少一个固定组件(340)，用于将所述预剥离装置(320)的基座(322)和切割带(410)固定到侧壁(316)的顶部表面(318)上。

30.根据权利要求24的系统，其中，所述切割带(610)位于所述预剥离装置(520,520A)上方，且支撑柱(524,524A)和半导体裸片(620)背离腔体(510)的底部底座(512)，以及

所述压力调节器(550)包括真空泵(552)。

31.根据权利要求24的系统，其中，所述基座(522A)还包括延伸贯穿所述支撑柱(524,524A)和所述基座(522,522A)两者的通孔(528A)。

32.根据权利要求30的系统，还包括盖体(540)，用于将所述切割带(610)夹持到所述预剥离装置(520,520A)的基座(522,522A)上。

33.根据权利要求32的系统，其中，所述预剥离装置(520,520A)还包括至少一个固定组件(560,560A)，用于将所述盖体(540)、切割带(610)和所述预剥离装置(520,520A)的基座(522,522A)固定到侧壁(516)的顶部表面(518)。

34.根据权利要求29或33的系统，其中所述至少一个固定组件(340,560)包括螺钉、栓针、夹具、或铆钉。

35.根据权利要求24的系统，还包括密封组件(330,530)，位于所述切割带(410,610)和所述侧壁(316,516)的顶部表面(318,518)之间。

36.根据权利要求24的系统，其中，所述至少一个进口(360,570)位于底部底座(312,512)的中央、分布于底部底座(312,512)的中央周围、或位于所述侧壁(316,516)中。

37.根据权利要求24的系统，其中，所述基座(722)包括位于支撑柱(724)之间的至少一个对准开口(7222)，要与切割带(410,610)上的划片线(4104)对准。