CN102097372A - 晶片的加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片的加工方法，其能够在不使磨削至预定厚度的晶片破裂的情况下将晶片分割成一个个器件，并且能够在不使分割成一个一个的器件的表面损伤的情况下进行拾取。该晶片的加工方法是将晶片沿间隔道分割成一个个器件的晶片的加工方法，该晶片的加工方法包括：框架保持工序，将晶片的表面粘贴到切割带上；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削使晶片形成为预定的厚度；断裂起点形成工序，从晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点；晶片断裂工序，使晶片沿形成有断裂起点的间隔道断裂而分割成一个个器件；晶片转移工序，将被分割成一个个器件后的晶片的背面粘贴到粘接带的表面；以及拾取工序，将被分割成一个一个的器件从粘接带剥离并进行拾取。

Description

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及一种将晶片沿间隔道分割成一个个器件的晶片的加工方法，所述晶片在表面通过呈格子状地形成的间隔道划分出多个区域、并且在该多个区域中形成有器件。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面，通过呈格子状地排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)等器件。然后，通过沿着间隔道切断半导体晶片，将形成有器件的区域分割开来，从而制造出一个个器件。此外，关于在蓝宝石基板或碳化硅基板的表面上层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片，也通过沿着间隔道进行切断，来分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件，并广泛地应用于电气设备。

通常，通过被称为划片机(dicer)的切削装置来进行上述半导体晶片或光器件晶片等的沿着间隔道的切断。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持半导体晶片或光器件晶片等被加工物；切削构件，其用于对保持于所述卡盘工作台的被加工物进行切削；以及切削进给构件，其使卡盘工作台与切削构件相对移动。切削构件包括旋转主轴、装配于该旋转主轴的切削刀具、以及驱动旋转主轴旋转的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基座和装配于该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃例如通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定于基座而形成，并且其厚度形成为20μm左右。

然而，由于蓝宝石基板、碳化硅基板等的莫氏硬度高，所以利用上述切削刀具进行的切断未必容易。而且，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，所以作为划分器件的间隔道，其宽度需要达到50μm左右。因此，间隔道所占面积的比率很高，存在生产效率差的问题。

另一方面，作为沿间隔道分割晶片的方法，提出了这样的方法：将聚光点对准晶片内部地沿间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在晶片的内部沿间隔道连续地形成作为断裂起点的变质层，沿着形成有该作为断裂起点的变质层的间隔道施加外力，由此来分割晶片(例如，参照专利文献1)。

此外，作为沿间隔道分割晶片的方法，提出了这样的方法：通过沿间隔道照射相对于晶片具有吸收性的脉冲激光光线来形成作为断裂起点的激光加工槽，通过沿着形成有该作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力来进行断裂(例如，参照专利文献2)。

另外，作为沿间隔道分割晶片的方法，还实际应用了这样的方法：使用金刚石划线器在晶片的表面沿间隔道形成作为断裂起点的划线槽，通过沿形成有该作为断裂起点的划线槽的间隔道施加外力来进行断裂。

在上述的晶片的分割方法中，首先为了使晶片形成为预定的厚度而磨削晶片的背面。此时，为了保护形成于晶片表面的器件，在晶片的表面粘贴保护部件后实施磨削工序。接着，沿晶片的间隔道形成作为断裂起点的变质层、激光加工槽或划线槽。然后，在对形成有作为断裂起点的变质层、激光加工槽或划线槽的晶片施加外力以使晶片沿间隔道断裂时，将晶片的背面粘贴在装配于环状框架的切割带的表面。然而，在通过将保护部件粘贴于晶片表面并磨削晶片的背面而使晶片形成为预定厚度、并且沿晶片的间隔道形成了作为断裂起点的变质层、激光加工槽或划线槽后，在将晶片的背面改贴到装配于环状框架的切割带的表面、并将保护部件从晶片的表面剥离时，存在晶片破裂的问题。

为了消除这样的问题，在下述专利文献3中公开了这样的晶片的分割方法，在该晶片的分割方法中，实施以下工序：背面磨削工序，在该背面磨削工序中，在晶片的表面粘贴在装配于环状框架的切割带的表面的状态下，磨削晶片的背面从而形成预定的厚度；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，通过沿间隔道向晶片照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，来在晶片的内部沿间隔道形成变质层；以及分割工序，在该分割工序中，通过沿晶片的形成有变质层的间隔道施加外力，来将晶片沿间隔道分割成一个个器件。

专利文献1：日本特许第3408805号

专利文献2：日本特开平10-305420号公报

专利文献3：日本特开2005-222988号公报

然而，根据上述专利文献3中公开的方法，在晶片的表面粘贴在装配于环状框架的切割带的表面的状态下实施了上述磨削工序、变质层形成工序以及分割工序，然后，在将已分割成一个一个的器件从切割带剥离并进行拾取时，如果将器件顶起，则存在顶起针通过切割带作用于器件的表面而使器件的表面损伤的问题。此外，在将已分割成一个一个的器件从切割带剥离并进行拾取时，由于是保持器件背面地进行拾取，所以此后需要将器件的正反面翻转过来。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法能够在不使磨削至预定厚度的晶片破裂的情况下将晶片分割成一个个器件，并且能够在不使分割成了一个一个的器件的表面损伤的情况下进行拾取。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，其是将晶片沿着间隔道分割成一个个器件的晶片的加工方法，其中，所述晶片构成为在表面通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出多个区域、并且在该多个区域中形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法包括以下工序：框架保持工序，在该框架保持工序中，将晶片的表面粘贴到装配于环状的切割框架的切割带上；背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为预定的厚度，其中所述晶片的表面已粘贴在装配于切割框架的切割带上；断裂起点形成工序，在该断裂起点形成工序中，实施这样的加工：从实施了所述背面磨削工序的晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点；晶片断裂工序，在该晶片断裂工序中，对实施了所述断裂起点形成工序的晶片施加外力，使晶片沿着形成有断裂起点的间隔道断裂，从而将晶片分割成一个个器件；晶片转移工序，在该晶片转移工序中，将实施了所述晶片断裂工序而被分割成一个个器件后的晶片的背面粘贴到装配于环状框架的粘接带的表面，并且将粘贴有晶片表面的切割带剥离并除去环状的切割框架；以及拾取工序，在该拾取工序中，将通过实施所述晶片转移工序而粘贴在装配于环状框架的粘接带的表面的、已被分割成一个一个的器件从粘接带剥离并进行拾取。

优选的是，在实施所述背面磨削工序后、且在实施所述断裂起点形成工序前，实施利用研磨垫对晶片的背面进行研磨的背面研磨工序。

根据本发明，在晶片的表面粘贴在装配于环状的切割框架的切割带的状态下，实施背面磨削工序、断裂起点形成工序和晶片断裂工序，其中，在所述背面磨削工序中，对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为预定的厚度，在所述断裂起点形成工序中，实施从晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点的加工，在所述晶片断裂工序中，对晶片施加外力，使晶片沿形成有断裂起点的间隔道断裂从而分割成一个个器件，然后，实施晶片转移工序，在所述晶片转移工序中，将已被分割成一个个器件的晶片的背面粘贴到装配于环状框架的粘接带的表面，从而将已被分割成一个个器件的晶片改贴到新的粘接带上，因此能够在不使晶片破裂的情况下使正反面翻转。因此，能够在被改贴至装配于环状框架的粘接带的表面的状态下实施器件的导通测试，并且，在从粘接带拾取器件时，即使利用顶起针从粘接带的下侧将器件顶起，由于顶起针作用于器件的背面来进行顶起，所以不会使器件的表面损伤。此外，由于通过晶片转移工序而改贴至粘接带的表面的一个个器件在背面进行粘贴，所以能够保持器件的表面地进行拾取，因此此后无需使器件的正反面翻转。

附图说明

图1是表示作为晶片的光器件晶片的立体图。

图2是表示实施本发明所涉及的晶片的加工方法中的框架保持工序、将晶片的表面粘贴在装配于环状的切割框架的切割带上的状态的立体图。

图3是本发明所涉及的晶片的加工方法中的背面磨削工序的说明图。

图4是本发明所涉及的晶片的加工方法中的背面研磨工序的说明图。

图5是用于实施本发明所涉及的晶片的加工方法中的作为断裂起点形成工序的变质层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。

图6是本发明所涉及的晶片的加工方法中的作为断裂起点形成工序的变质层形成工序的说明图。

图7是用于实施本发明所涉及的晶片的加工方法中的晶片断裂工序的晶片断裂装置的立体图。

图8是本发明所涉及的晶片的加工方法中的晶片断裂工序的说明图。

图9是本发明所涉及的晶片的加工方法中的晶片转移工序的说明图。

图10是用于实施本发明所涉及的晶片的加工方法中的拾取工序的拾取装置的立体图。

图11是本发明所涉及的晶片的加工方法中的拾取工序的说明图。

标号说明

2：光器件晶片；3：环状的切割框架；3a：环状框架；30：切割带；30a：粘接带；4：磨削装置；41：磨削装置的卡盘工作台；42：磨削工具；5：研磨装置；51：研磨装置的卡盘工作台；52：研磨工具；6：激光加工装置；61：激光加工装置的卡盘工作台；62：激光光线照射构件；7：晶片断裂装置；76：张力施加构件；8：拾取装置；82：粘接带扩张构件；83：拾取夹头。

具体实施方式

下面，参照附图详细说明本发明所涉及的晶片的加工方法的优选实施方式。

图1表示作为晶片的光器件晶片的立体图。图1所示的光器件晶片2由例如厚度为600μm的蓝宝石晶片构成，在光器件晶片2的表面2a呈格子状地形成有多条间隔道21。另外，在光器件晶片2的表面2a，在由形成为格子状的多条间隔道21划分出的多个区域中，形成有层叠了氮化镓类化合物半导体等的发光二极管、激光二极管等光器件22。以下，对将该光器件晶片2沿间隔道21分割成一个个光器件22的加工方法进行说明。

首先，实施框架保持工序，在该框架保持工序中，将晶片的表面粘贴到装配于环状的切割框架的切割带上。即，如图2所示，切割带30装配于由金属材料形成的环状的切割框架3，在所述切割带30的表面粘贴光器件晶片2的表面2a。另外，在图示的实施方式中，上述切割带30形成为在由厚度为100μm的聚氯乙烯(PVC)构成的片状基材的表面涂布有厚度为5μm左右的丙烯酸树脂类的浆体。该浆体采用具有通过照射紫外线而使粘接力降低的性质的浆体。

在通过实施框架保持工序而将光器件晶片2的表面2a粘贴到装配于环状的切割框架3的切割带30上后，实施磨削晶片的背面以形成预定厚度的背面磨削工序。使用图3所示的磨削装置4来实施该背面磨削工序。图3所示的磨削装置4具备：卡盘工作台41，其保持被加工物；以及磨削工具42，其具有磨削磨具421，该磨削磨具421用于对保持于所述卡盘工作台41的被加工物进行磨削。另外，卡盘工作台41的保持被加工物的中央部形成得较高，而外周部形成为比中央部要低。在使用这样构成的磨削装置4来实施上述磨削工序时，如图3所示，将光器件晶片2的切割带30侧载置在磨削装置4的卡盘工作台41上，并且将环状的切割框架3载置于卡盘工作台41的外周部，使未图示的吸引构件工作，由此将光器件晶片2和环状的切割框架3吸引保持在卡盘工作台41上。因此，保持在卡盘工作台41上的光器件晶片2的背面2b处于上侧。在这样将光器件晶片2吸引保持到卡盘工作台41上后，一边使卡盘工作台41以例如500rpm的速度旋转，一边使磨削工具42以例如1000rpm的速度旋转并与光器件晶片2的背面2b接触，并且进行预定量的磨削进给。其结果为，光器件晶片2的背面2b被磨削，光器件晶片2形成为预定的厚度(例如，100μm)。

在实施了上述背面磨削工序后，优选实施背面研磨工序，在该背面研磨工序中，对被磨削加工至预定厚度的光器件晶片2的背面2b进行研磨，从而除去生成于背面2b的磨削形变并且将背面2b加工成镜面。使用图4所示的研磨装置5来实施该背面研磨工序。图4所示的研磨装置5具备：卡盘工作台51，其保持被加工物；以及研磨工具52，其具有研磨垫(研磨パツド)521，该研磨垫521用于对保持于所述卡盘工作台51的被加工物进行研磨，并且该研磨垫521通过使氧化锆等磨粒分散于毛毡等柔软部件并利用适当的粘结剂固定而构成。另外，卡盘工作台51的保持被加工物的中央部形成得较高，而外周部形成为比中央部要低。在使用这样构成的研磨装置5来实施上述背面研磨工序时，如图4所示，将光器件晶片2的切割带30侧载置在研磨装置5的卡盘工作台51上，并且将环状的切割框架3载置于卡盘工作台51的外周部，使未图示的吸引构件工作，由此将光器件晶片2和环状的切割框架3吸引保持在卡盘工作台51上。因此，保持在卡盘工作台51上的光器件晶片2的背面2b处于上侧。在这样将光器件晶片2吸引保持到卡盘工作台51上后，一边使卡盘工作台51以例如300rpm的速度旋转，一边使研磨工具52以例如6000rpm的速度旋转并与光器件晶片2的背面2b接触，由此对光器件晶片2的背面2b进行镜面加工。

接下来，实施断裂起点形成工序，在该断裂起点形成工序中，实施这样的加工：从实施了背面研磨工序的晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点。作为该从晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点的加工的一个示例，对下面的沿间隔道21向光器件晶片2照射激光光线、从而在光器件晶片2的内部沿间隔道21形成变质层的加工方法进行说明。使用图5所示的激光加工装置6来实施该形成变质层的加工。图5所示的激光加工装置6具备：卡盘工作台61，其保持被加工物；激光光线照射构件62，其对保持在所述卡盘工作台61上的被加工物照射激光光线；以及摄像构件63，其对保持在卡盘工作台61上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台61构成为吸引保持被加工物，该卡盘工作台61形成为通过未图示的加工进给构件在图5中箭头X所示的方向上进行加工进给、并且通过未图示的分度进给构件在图5中箭头Y所示的方向上进行分度进给。

上述激光光线照射构件62从聚光器622照射脉冲激光光线，该聚光器622装配在实质上水平配置的圆筒形状的壳体621的末端。此外，摄像构件63装配在构成上述激光光线照射构件62的壳体621的末端部，在图示的实施方式中，该摄像构件63除了包括利用可见光线进行拍摄的通常的摄像元件(CCD)以外，还包括：对被加工物照射红外线的红外线照明构件、捕捉由该红外线照明构件照射出的红外线的光学系统、和输出与该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，上述摄像构件63将所拍摄到的图像信号发送至后述的控制构件。

参照图5和图6，对使用上述激光加工装置6实施的变质层形成工序进行说明。

在实施形成变质层的加工时，首先将粘贴有光器件晶片2的表面2a的切割带30侧载置到上述的图5所示的激光加工装置6的卡盘工作台61上，使未图示的吸引构件工作，从而将光器件晶片2吸引保持在卡盘工作台61上。因此，保持在卡盘工作台61上的光器件晶片2的背面2b处于上侧。将这样吸引保持有光器件晶片2的卡盘工作台61通过未图示的加工进给构件定位于摄像构件63的正下方。

当卡盘工作台61被定位于摄像构件63的正下方时，通过摄像构件63和未图示的控制构件来执行对光器件晶片2的应进行激光加工的加工区域进行检测的校准作业。即，摄像构件63和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，该图案匹配等图像处理用来进行形成在光器件晶片2的预定方向上的间隔道21、与沿着该间隔道21照射激光光线的激光光线照射构件62的聚光器622的位置对准，从而完成激光光线照射位置的校准(校准工序)。此外，对在光器件晶片2上沿着与上述预定方向正交的方向形成的间隔道21，也同样地完成激光光线照射位置的校准。此时，光器件晶片2的形成有间隔道21的表面2a位于下侧，但由于构成光器件晶片2的蓝宝石基板为透明体，所以能够从光器件晶片2的背面2b侧拍摄间隔道21。另外，在晶片由硅基板那样的非透明体材料构成的情况下，摄像构件63从红外线照明构件照射红外线，从而穿过硅基板的背面对间隔道进行拍摄。

在如上所述地对形成于保持在卡盘工作台61上的光器件晶片2的间隔道21进行检测、并进行了激光光线照射位置的校准后，如图6的(a)所示，将卡盘工作台61移动至激光光线照射构件62的聚光器622所在的激光光线照射区域，并使预定的间隔道21的一端(图6的(a)中的左端)定位于激光光线照射构件62的聚光器622的正下方。然后，从聚光器622照射相对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台61以预定的加工进给速度在图6的(a)中的箭头X1所示的方向上移动。然后，如图6的(b)所示，在间隔道21的另一端(图6的(b)中的右端)到达激光光线照射构件62的聚光器622的照射位置之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台61的移动(变质层形成工序)。在该变质层形成工序中，使脉冲激光光线的聚光点P对准光器件晶片2的厚度方向中间部。此时，在图示的实施方式中，由于光器件晶片2的背面2b被研磨而加工成镜面，所以能够将聚光点定位于光器件晶片2的内部的预定位置，而不会发生从光器件晶片2的背面2b侧照射的激光光线发生漫反射的情况。其结果为，在光器件晶片2的内部沿间隔道21形成作为断裂起点的变质层210。该变质层210作为熔融再凝固层形成。沿着形成于光器件晶片2的所有的间隔道21实施上述变质层形成工序。

上述变质层形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。

光源          ：LD激发Q开关Nd:YVO4脉冲激光

波长          ：1064nm

平均输出      ：1W

重复频率      ：100kHz

聚光点直径    ：φ1μm

加工进给速度：100mm/秒

在实施了上述的作为断裂起点形成工序的变质层形成工序后，实施晶片断裂工序，在该晶片断裂工序中，对晶片施加外力，使晶片沿着形成有断裂起点的间隔道断裂从而分割成一个个器件。使用图7所示的晶片断裂装置7来实施该晶片断裂工序。

图7所示的晶片断裂装置7具备基座71和移动工作台72，该移动工作台72以能够在箭头Y所示的方向移动的方式配设在该基座71上。基座71形成为矩形，在其两侧部上表面沿箭头Y所示的方向相互平行地配设有两根导轨711、712。在这两根导轨711、712上以能够移动的方式配设有移动工作台72。移动工作台72通过移动构件73在箭头Y所示的方向移动。在移动工作台72上配设有用于保持上述环状的切割框架3的框架保持构件74。框架保持构件74具有：圆筒状的主体741；设置于该主体741的上端的环状的框架保持部件742；以及配设于该框架保持部件742的外周的作为固定构件的多个夹紧器743。这样构成的框架保持构件74通过夹紧器743对载置于框架保持部件742上的环状的切割框架3进行固定。此外，图7所示的晶片断裂装置7具备使上述框架保持构件74转动的转动构件75。该转动构件75具有：脉冲电动机751，其配设于上述移动工作台72；滑轮752，其装配于该脉冲电动机751的旋转轴；以及环形带753，其绕挂于所述滑轮752和圆筒状的主体741。这样构成的转动构件75通过驱动脉冲电动机751来经由滑轮752和环形带753使框架保持构件74转动。

图7所示的晶片断裂装置7具备张力施加构件76，该张力施加构件76对光器件晶片2在与间隔道21正交的方向上作用拉伸力，其中所述光器件晶片2是经由切割带30支承于环状的切割框架3，而该环状的切割框架3则保持于上述环状的框架保持部件742。张力施加构件76配置在环状的框架保持部件74内。该张力施加构件76具有第一吸引保持部件761和第二吸引保持部件762，该第一吸引保持部件761和第二吸引保持部件762具有在与箭头Y方向正交的方向上较长的长方形的保持面。在第一吸引保持部件761形成有多个吸引孔761a，在第二吸引保持部件762形成有多个吸引孔762a。多个吸引孔761a和762a与未图示的吸引构件连通。此外，第一吸引保持部件761和第二吸引保持部件762形成为通过未图示的移动构件而分别在箭头Y方向移动。

图7所示的晶片断裂装置7具有用于检测光器件晶片2的间隔道21的检测构件77，其中，所述光器件晶片2经由切割带30支承于环状的切割框架3，而该环状的切割框架3保持于上述环状的框架保持部件742。检测构件77安装在配设于基座71的L字形的支承柱771。该检测构件77由光学系统和摄像元件(CCD)等构成，并且配置于上述张力施加构件76的上方位置。这样构成的检测构件77对光器件晶片2的间隔道21进行拍摄，并转换成电信号发送至未图示的控制构件，其中所述光器件晶片2经由切割带30支承于切割框架3，而该切割框架3保持于上述环状的框架保持部件742。

参照图8，对使用上述晶片断裂装置7实施的晶片断裂进行说明。

将经由切割带30支承光器件晶片2的环状的切割框架3如图8的(a)所示地载置到框架保持部件742上，并通过夹紧器743固定于框架保持部件742，其中所述光器件晶片2已经实施了上述的作为断裂起点形成工序的变质层形成工序。接着，使移动构件73工作，使移动工作台72在箭头Y所示的方向(参照图7)移动，如图8的(a)所示，将沿预定方向形成于光器件晶片2的一条间隔道21(在图示的实施方式中为最左端的间隔道)定位于构成张力施加构件76的第一吸引保持部件761的保持面和第二吸引保持部件762的保持面之间。此时，通过检测构件77对间隔道21进行拍摄，并对第一吸引保持部件761的保持面与第二吸引保持部件762的保持面进行位置对准。这样，当一条间隔道21被定位于第一吸引保持部件761的保持面与第二吸引保持部件762的保持面之间后，使未图示的吸引构件工作，使吸引孔761a和762a作用负压，由此将光器件晶片2经由切割带30吸引保持在第一吸引保持部件761的保持面和第二吸引保持部件762的保持面上(保持工序)。

在实施了上述保持工序后，使构成张力施加构件76的未图示的移动构件工作，使第一吸引保持部件761与第二吸引保持部件762如图8的(b)所示地向相互背离的方向移动。其结果为，在定位于第一吸引保持部件761的保持面与第二吸引保持部件762的保持面之间的间隔道21上，沿与间隔道21正交的方向作用有拉伸力，光器件晶片2以变质层210为断裂起点沿间隔道21断裂(断裂工序)。通过实施该断裂工序，切割带30略微伸长。在该断裂工序中，光器件晶片2沿间隔道21形成变质层210，从而强度降低，因此，通过使第一吸引保持部件761与第二吸引保持部件762向相互背离的方向移动0.5mm左右，能够使光器件晶片2以变质层210为断裂起点沿间隔道21断裂。

在如上所述地实施了沿着形成于预定方向的一条间隔道21进行断裂的断裂工序后，解除上述第一吸引保持部件761和第二吸引保持部件762对光器件晶片2的吸引保持。接着，使移动构件73工作，使移动工作台72在箭头Y所示的方向(参照图7)移动相当于间隔道21的间隔的量，将与实施了上述断裂工序的间隔道21相邻的间隔道21定位于构成张力施加构件76的第一吸引保持部件761的保持面与第二吸引保持部件762的保持面之间。然后，实施上述保持工序和断裂工序。

当如上所述地对形成于预定方向的所有的间隔道21实施了上述保持工序和断裂工序后，使转动构件75工作，使框架保持构件74转动90度。其结果为，保持在框架保持构件74的框架保持部件742上的光器件晶片2也转动90度，与形成于预定方向且实施了上述断裂工序的间隔道21正交的方向上所形成的间隔道21被定位成与第一吸引保持部件761的保持面和第二吸引保持部件762的保持面平行的状态。接着，对与实施了上述断裂工序的间隔道21正交的方向上所形成的所有的间隔道21，实施上述的保持工序和断裂工序，由此将光器件晶片2沿间隔道21分割成一个个器件。

在实施了上述晶片断裂工序后，实施晶片转移工序，在晶片转移工序中，将已分割成一个个器件的晶片的背面粘贴到装配于环状框架的粘接带的表面，并且将粘贴有晶片表面的切割带剥离并除去环状的切割框架。在该晶片转移工序中，如图9的(a)所示，从紫外线照射器300向装配于切割框架3的切割带30(粘贴有已分割成一个个器件22的光器件晶片2)照射紫外线。其结果为，切割带30的粘接浆体硬化，粘接力降低。接着，如图9的(b)所示，将装配于环状框架3a的粘接带30a的表面(在图9的(b)中为下表面)粘贴在光器件晶片2的背面2b(在图9的(b)中为上表面)，其中所述光器件晶片2粘贴在装配于切割框架3的切割带30上。接着，如图9的(c)所示，将表面粘贴于切割带30的光器件晶片2(已分割成一个个光器件22)从切割带30剥离。此时，如图9的(a)所示，对切割带30照射紫外线，从而切割带30的粘接浆体硬化、粘接力降低，因此能够将光器件晶片2(已分割成一个个光器件22)从切割带30容易地剥离。然后，除去装配有切割带30的切割框架3，由此，如图9的(d)所示，已分割成一个个器件的光器件晶片2被转移至装配于环状框架3a的粘接带30a的表面。在晶片的表面粘贴在装配于环状的切割框架3的切割带30的状态下，实施上述背面磨削工序、断裂起点形成工序和晶片断裂工序，在将光器件晶片2分割成一个个器件22之后，实施这样的晶片转移工序，因此能够在光器件晶片2不破裂的情况下将正反面翻转过来并改贴到装配于环状框架3a的粘接带30a上。因此，能够在已分割成一个个器件22的光器件晶片2被改贴到了装配于环状框架3a的粘接带30a上的状态下，实施器件22的导通测试。

在如上所述地实施了晶片转移工序后，实施拾取工序，在该拾取工序中，将粘贴在装配于环状框架的粘接带的表面的、已被分割成一个一个的器件从粘接带剥离并进行拾取。使用图10所示的拾取装置8来实施该拾取工序。图10所示的拾取装置8具备：框架保持构件81，其保持上述环状框架3a；粘接带扩张构件82，其使在环状框架3a上装配的粘接带30a扩张，其中所述环状框架3a保持于所述框架保持构件81；以及拾取夹头83。框架保持构件81具有环状的框架保持部件811、和配设在该框架保持部件811的外周的作为固定构件的多个夹紧器812。框架保持部件811的上表面形成载置环状框架3a的载置面811a，环状框架3a被载置在该载置面811a上。另外，载置在载置面811a上的环状框架3a通过夹紧器812固定于框架保持部件811。这样构成的框架保持构件81通过粘接带扩张构件82被支承成能够在上下方向进退。

粘接带扩张构件82具备配设在上述环状的框架保持部件811内侧的扩张鼓821。该扩张鼓821的内径和外径都比环状框架3a的内径要小、且比装配于该环状框架3a的光器件晶片2(已被分割成一个个光器件22)的外径要大。此外，扩张鼓821在下端具有支承凸缘822。图示的实施方式中的粘接带扩张构件82具备能够使上述环状的框架保持部件811在上下方向进退的支承构件823。该支承构件823由配设在上述支承凸缘822上的多个空气缸823a构成，该支承构件823的活塞杆823b与上述环状的框架保持部件811的下表面连接。这样由多个空气缸823a构成的支承构件823使环状的框架保持部件811在基准位置和扩张位置之间沿上下方向移动，所述基准位置是如图11的(a)所示载置面811a与扩张鼓821的上端处于大致同一高度的位置，所述扩张位置是如图11的(b)所示载置面811a比扩张鼓821的上端靠下方预定量的位置。

参照图11对使用如上所述地构成的拾取装置8实施的拾取工序进行说明。即，如图11的(a)所示，将环状框架3a载置到构成框架保持构件81的框架保持部件811的载置面811a上，并利用夹紧器812将该环状框架3a固定于框架保持部件811(框架保持工序)，其中，在所述环状框架3a上装配了粘贴有光器件晶片2(已被分割成一个个光器件)的粘接带30a。此时，框架保持部件811定位于图11的(a)所示的基准位置。接着，使构成粘接带扩张构件82的作为支承构件823的多个空气缸823a工作，使环状的框架保持部件811下降至图11的(b)所示的扩张位置。于是，固定在框架保持部件811的载置面811a上的环状框架3a也下降，因此，如图11的(b)所示，装配于环状框架3a的粘接带30a与扩张鼓821的上端缘接触而被扩张(粘接带扩张工序)。其结果为，由于粘贴于粘接带30a的光器件晶片2沿着间隔道21被分割成了一个个器件22，所以一个个器件22之间变宽，形成间隙S。在该状态下，使拾取夹头83工作，吸附保持器件22的表面(上表面)，将该器件22从粘接带30a剥离下来并进行拾取。此时，如图11的(b)所示，通过利用顶起针84从粘接带30a的下侧将器件22顶起，能够将器件22从粘接带30a容易地剥离下来。由于该顶起针84作用于器件22的背面地进行顶起，所以不会使器件22的表面损伤。另外，在拾取工序中，由于如上所述地拓宽了一个个器件22之间的间隙S，所以能够在不与相邻的器件22接触的情况下容易地进行拾取。这样，由于利用拾取夹头83拾取的器件22的表面(上表面)被吸附保持，所以此后无需使器件22的正反面翻转。

以上，基于图示的实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不仅仅限定于实施方式，在本发明的主旨的范围内可以进行各种变形。例如，在上述实施方式中，作为实施从晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点的加工的断裂起点形成工序，对沿着间隔道向晶片照射激光光线、从而在晶片的内部沿着间隔道形成变质层的加工方法进行了说明，但作为断裂起点形成工序，也可以从晶片的背面侧沿间隔道照射相对于晶片具有吸收性的波长的激光光线、从而沿着间隔道形成作为断裂起点的激光加工槽。此外，作为断裂起点形成工序，也可以使用金刚石划线器从晶片的背面侧沿间隔道形成作为断裂起点的划线槽。

此外，在上述实施方式中，作为晶片断裂工序，示出了在与形成有作为断裂起点的变质层的间隔道正交的方向上作用拉伸力、从而使晶片沿形成有变质层的间隔道断裂的例子，但是，作为晶片断裂工序，也可以使用例如日本特开2006-107273号公报或日本特开2006-128211号公报中公开的、通过对强度沿间隔道降低了的晶片沿间隔道作用弯曲应力来使晶片沿间隔道断裂的方法等其它的断裂方法。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，其是将晶片沿着间隔道分割成一个个器件的晶片的加工方法，其中所述晶片构成为在表面通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出多个区域、并且在该多个区域中形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，

该晶片的加工方法包括以下工序：

框架保持工序，在该框架保持工序中，将晶片的表面粘贴到装配于环状的切割框架的切割带上；

背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为预定的厚度，其中所述晶片的表面粘贴在装配于切割框架的切割带上；

断裂起点形成工序，在该断裂起点形成工序中实施这样的加工：从实施了所述背面磨削工序的晶片的背面侧沿间隔道形成断裂起点；

晶片断裂工序，在该晶片断裂工序中，对实施了所述断裂起点形成工序的晶片施加外力，使晶片沿着形成有断裂起点的间隔道断裂，从而将晶片分割成一个个器件；

晶片转移工序，在该晶片转移工序中，将实施了所述晶片断裂工序而被分割成一个个器件后的晶片的背面粘贴到装配于环状框架的粘接带的表面，并且将粘贴有晶片表面的切割带剥离并除去环状的切割框架；以及

拾取工序，在该拾取工序中，将通过实施所述晶片转移工序而粘贴在装配于环状框架的粘接带的表面的、已被分割成一个一个的器件从粘接带剥离并进行拾取。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在实施所述背面磨削工序后、且在实施所述断裂起点形成工序前，实施利用研磨垫对晶片的背面进行研磨的背面研磨工序。

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