JP6731793B2 - ウェーハ加工システム - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハ加工システムに関する。
分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウェーハの加工方法として、研削装置による研削加工、レーザー加工装置によるレーザー加工、及びテープ貼着装置によるテープ貼り替え加工などが知られている（特許文献１参照）。
分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のデバイスチップを製造する場合、研削装置を使ってウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化する処理、レーザー加工装置を使ってウェーハにレーザー光線を照射する処理、及びテープ貼着装置を使ってウェーハにダイシングテープを貼着する処理などが実施される。研削装置で薄化されたウェーハは、カセットに収容された状態でオペレータにより搬送され、レーザー加工装置に投入される。レーザー加工装置でレーザー加工されたウェーハは、カセットに収容された状態でオペレータにより搬送され、テープ貼着装置に投入される。
ウェーハがカセットに収容された状態で搬送される場合、搬送中にウェーハが破損する可能性がある。特に、薄化後又はレーザー加工後のウェーハは非常に脆い状態であるため、搬送中に破損する可能性が高い。また、ウェーハがカセットに収容された状態で、研削装置、レーザー加工装置、及びテープ貼着装置のいずれか一つの装置にオペレータにより投入される場合、誤って異なる装置に投入されてしまう可能性がある。
また、近年においては、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）にステルスダイシング加工を適用したＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）が採用され始めている（特許文献２参照）。ＤＢＧは、分割予定ラインに沿ってウェーハの表面に溝を形成した後、ウェーハの裏面を研削することによって、ウェーハを複数のデバイスチップに分割する方法である。ＤＢＧにおいては、ウェーハを薄化する前に溝が形成される。そのため、ＤＢＧによれば、ウェーハを薄化した後に溝を形成する方法と比べて、裏面チッピングが抑制され、デバイスチップの抗折強度が向上する。ＳＤＢＧは、分割予定ラインに沿ってウェーハにレーザー光線を照射してウェーハの内部に改質層を形成した後、ウェーハの裏面を研削し、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着してエキスパンドすることによって、ウェーハを複数のデイバスチップに分割する方法である。
特開２０１１−０９１２９３号公報 特開２０１３−２１４６０１号公報
ＳＤＢＧは、ＤＢＧと同様、デバイスチップの抗折強度を向上させることができる。また、ＳＤＢＧは、ＤＢＧよりもカーフ幅を抑制でき、デバイスチップの取り個数を十分に確保できるというメリットを有する。
一方、ＳＤＢＧにより改質層が形成されたウェーハは、脆い状態である。そのため、改質層が形成されたウェーハがカセットに収容された状態で、レーザー加工装置、研削装置、及びテープ貼着装置の間で搬送されると、振動等により破損する可能性が高い。また、ＳＤＢＧは、ＤＢＧに比べて、隣り合うデバイスの間隔が小さい。そのため、ウェーハの搬送中にウェーハが改質層に沿って破断してデバイスチップに分割された場合、デバイスチップ同士が擦れ合うことによりデバイスに欠けが発生したり、デイバスチップの抗折強度が低下したりするなど、製造されるデバイスチップの品質が低下する。
本発明は、レーザー加工装置、研削装置、及びテープ貼着装置の間においてウェーハを搬送するとき、ウェーハの破損を抑制し、製造されるデバイスチップの品質の低下を抑制できるウェーハ加工システムを提供することを目的とする。
本発明は、交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウェーハに加工を施すウェーハ加工システムであって、ウェーハにレーザー光線を照射して、該分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に改質層を形成するレーザー光線照射ユニットを備えるレーザー加工装置と、ウェーハの裏面を研削しウェーハを薄化する研削ユニットを備える研削装置と、該研削装置で研削されたウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに、該ダイシングテープの外周縁に環状フレームを固定するフレームユニット形成手段と、ウェーハの表面に貼着された保護テープを剥離する剥離手段とを備えるテープ貼着装置と、表面に該保護テープが貼着されたウェーハを複数収容する第１のカセットを載置する第１のカセット載置部と、該ダイシングテープで環状フレームの開口に支持されたウェーハを複数収容する第２のカセットを載置する第２のカセット載置部と、該レーザー加工装置、該研削装置、該テープ貼着装置、該第１のカセット、該第２のカセットの間でウェーハを搬送する搬送ユニットと、各構成要素を制御する制御手段と、を備え、該制御手段は、該第１のカセットから搬出したウェーハを、該レーザー加工装置、該研削装置、該テープ貼着装置、該第２のカセットの順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハに順次施す第１加工プログラム指示部と、該第１のカセットから搬出したウェーハを、該研削装置、該レーザー加工装置、該テープ貼着装置、該第２のカセットの順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハに順次施す第２加工プログラム指示部と、を備えるウェーハ加工システムを提供する。
本発明に係るウェーハ加工システムにおいて、該搬送ユニットは、該ウェーハのレーザー装置への搬入、搬出、研削装置への搬入、搬出、及びテープ装着装置への搬入を実施可能である第１搬送ユニット及び第２搬送ユニットと、該ウェーハのレーザー装置への搬入、搬出、研削装置への搬入、搬出、及びテープ装着装置からの搬出を実施可能である第３搬送ユニットと、を有し、該第１搬送ユニットによるウェーハの搬送動作と並行して、該第２搬送ユニットがウェーハを搬送可能であるとともに、該第１搬送ユニット及び該第２搬送ユニットの少なくとも一方によるウェーハの搬送動作と並行して、該第３搬送ユニットは、ウェーハを搬送可能であることが好ましい。
本発明に係るウェーハ加工システムにおいて、該第１のカセットから搬出したウェーハを、該研削装置、該テープ貼着装置の順序で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハに施す第３加工プログラム指示部と、該第１のカセット又は該第２のカセットから搬出したウェーハを、該レーザー加工装置に搬送し、該レーザー加工装置による加工をウェーハに施す第４加工プログラム指示部と、を備え、該第３加工プログラムと該第４加工プログラムは並行して遂行されることが好ましい。
本発明によれば、レーザー加工装置、研削装置、及びテープ貼着装置の間においてウェーハを搬送するとき、ウェーハの破損を抑制し、製造されるデバイスチップの品質の低下を抑制できるウェーハ加工システムが提供される。
図１は、本実施形態に係るウェーハ加工システムの一例を示す概略構成図である。 図２は、本実施形態に係る搬送ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図３は、本実施形態に係るウェーハ加工システムを示すブロック図である。 図４は、本実施形態に係るウェーハの一例を示す斜視図である。 図５は、本実施形態に係る第１状態のウェーハの一例を示す斜視図である。 図６は、本実施形態に係る第２状態のウェーハの一例を示す斜視図である。 図７は、本実施形態に係る第３状態のウェーハの一例を示す斜視図である。 図８は、本実施形態に係る第１加工プログラムによるウェーハの加工方法の一例を示すフローチャートである。 図９は、本実施形態に係る第１搬送ステップの一例を模式的に示す図である。 図１０は、本実施形態に係る改質層形成ステップの一例を模式的に示す図である。 図１１は、本実施形態に係る薄化ステップの一例を模式的に示す図である。 図１２は、本実施形態に係る貼り替えステップの一例を模式的に示す図である。 図１３は、本実施形態に係る第２加工プログラムによるウェーハの加工方法の一例を示すフローチャートである。 図１４は、本実施形態に係る薄化ステップの一例を模式的に示す図である。 図１５は、本実施形態に係る改質層形成ステップの一例を模式的に示す図である。 図１６は、本実施形態に係る分割ステップに使用される分割装置の動作を模式的に示す図である。 図１７は、本実施形態に係る分割ステップに使用される分割装置の動作を模式的に示す図である。 図１８は、本実施形態に係る第３加工プログラム及び第４加工プログラムによるウェーハの加工方法の一例を示すフローチャートである。 図１９は、本実施形態に係る第１２搬送ステップの一例を模式的に示す図である。 図２０は、本実施形態に係る第１２搬送ステップの一例を模式的に示す図である。 図２１は、本実施形態に係る改質層形成ステップの一例を模式的に示す図である。
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下で説明する実施形態の構成要素は適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内のＸ軸と平行な方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸と直交するＹ軸と平行な方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれと直交するＺ軸と平行な方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。
［ウェーハ加工システム］
図１は、本実施形態に係るウェーハ加工システム１の一例を示す概略構成図である。ウェーハ加工システム１は、交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウェーハ２に加工を施す。ウェーハ加工システム１は、ウェーハ２にレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット１１０を備えるレーザー加工装置１００と、ウェーハ２を研削する研削ユニット２１０を備える研削装置２００と、フレームユニット形成手段３１０及び剥離手段３２０を備えるテープ貼着装置３００と、保護テープが貼着されたウェーハ２を複数収容する第１カセット４１０を載置する第１カセット載置部４００と、ダイシングテープで環状フレームの開口に支持されたウェーハ２を複数収容する第２カセット５１０を載置する第２カセット載置部５００と、レーザー加工装置１００、研削装置２００、テープ貼着装置３００、第１カセット４１０、及び第２カセット５１０の間でウェーハ２を搬送する搬送ユニット６００と、ウェーハ加工システム１の各構成要素を制御する制御手段７００と、を備える。
（レーザー加工装置）
レーザー加工装置１００は、レーザー光線照射ユニット１１０と、ウェーハ２を着脱可能に保持するチャックテーブル１２０と、チャックテーブル１２０を移動するテーブル移動装置１３０と、ウェーハ２を一時的に保持する仮置き部１４０とを有する。
レーザー光線照射ユニット１１０は、チャックテーブル１２０に保持されているウェーハ２にレーザー光線を照射する。レーザー光線照射ユニット１１０は、ウェーハ２にレーザー光線を照射して、ウェーハ２の分割予定ラインに沿ってウェーハ２の内部に改質層を形成する。レーザー光線照射ユニット１１０は、ウェーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハ２に照射して、ウェーハ２をステルスダイシング加工する。
レーザー光線照射ユニット１１０は、支持機構１１２に支持される。支持機構１１２は、支柱１１２Ａと、支柱１１２Ａから−Ｙ方向に突出する支持アーム１１２Ｂとを有する。レーザー光線照射ユニット１１０は、支持アーム１１２Ｂの先端部に固定される。レーザー光線照射ユニット１１０は、レーザー発振器で生成されたレーザー光線をレンズ１１４で集光して、ウェーハ２に照射する。
チャックテーブル１２０は、ウェーハ２を着脱可能に保持する保持面を有する。チャックテーブル１２０の保持面は、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル１２０は、真空チャック機構を含む。チャックテーブル１２０の保持面には真空吸引源と接続される吸引口が複数設けられる。チャックテーブル１２０の保持面にウェーハ２が載置された状態で真空吸引源が作動することにより、ウェーハ２はチャックテーブル１２０に吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウェーハ２はチャックテーブル１２０から解放される。
ウェーハ２に保護テープが貼着されている場合、チャックテーブル１２０は、保護テープを介して、ウェーハ２を保持する。
また、チャックテーブル１２０の保持面の周囲にクランプ機構１２２が配置される。ウェーハ２がダイシングテープで環状フレームの開口に支持されている場合、クランプ機構１２２によって環状フレームが固定される。
テーブル移動装置１３０は、チャックテーブル１２０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する。テーブル移動装置１３０は、チャックテーブル１２０をＸ軸方向に移動可能に支持する第１ステージ１３２と、第１ステージ１３２をＹ軸方向に移動可能に支持する第２ステージ１３４と、第２ステージ１３４を支持するベース部材１３６とを有する。第１ステージ１３２は、チャックテーブル１２０をＸ軸方向にガイドするガイド部材と、チャックテーブル１２０をＸ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータとを有する。第２ステージ１３４は、第１ステージ１３２をＹ軸方向にガイドするガイド部材と、第１ステージ１３２をＹ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータとを有する。
仮置き部１４０は、チャックテーブル１２０に搬入される前又はチャックテーブル１２０から搬出された後のウェーハ２を一時的に保持し、所定の位置に位置付ける。
搬送ユニット６００によってレーザー加工装置１００に搬入されたウェーハ２は、仮置き部１４０に載置された後、チャックテーブル１２０に搬入される。テーブル移動装置１３０の作動により、ウェーハ２を保持したチャックテーブル１２０は、レーザー光線照射ユニット１１０から射出されるレーザー光線の照射位置に移動する。
レーザー光線照射ユニット１１０から射出されたレーザー光線がチャックテーブル１２０に保持されているウェーハ２に照射されることにより、ウェーハ２の内部に改質層が形成される。
ウェーハ２に対するレーザー光線の照射が終了した後、チャックテーブル１２０からウェーハ２が搬出される。チャックテーブル１２０から搬出されたウェーハ２は、仮置き部１４０に載置された後、搬送ユニット６００によってレーザー加工装置１００から搬出される。
（研削装置）
研削装置２００は、研削ユニット２１０と、ウェーハ２を着脱可能に保持するチャックテーブル２２０と、チャックテーブル２２０を移動するターンテーブル２３０と、ウェーハ２を一時的に保持する仮置き部２４０と、ウェーハ２を位置合わせする位置合わせユニット２５０と、ウェーハ２を洗浄する洗浄ユニット２６０と、ウェーハ２を搬送する第１搬送装置２７０及び第２搬送装置２８０とを有する。
研削ユニット２１０は、チャックテーブル２２０に保持されているウェーハ２を研削する。研削ユニット２１０は、ウェーハ２の裏面を研削してウェーハ２を薄化する。本実施形態において、研削ユニット２１０は、２つ設けられる。
研削ユニット２１０は、スピンドルハウジング２１２と、スピンドルハウジングに回転可能に支持されるスピンドルと、スピンドルの下端部に設けられＺ軸と平行な研削回転軸を中心に回転可能な研削ホイールと、研削ホイールを回転させるための動力を発生するアクチュエータとを有する。研削ホイールの下面に研削砥石が配置される。研削砥石は、チャックテーブル２２０に保持されているウェーハ２の裏面と対向可能である。スピンドルハウジング２１２は、支持機構２９０に支持される。支持機構２９０は、スピンドルハウジング２１２をＺ軸方向に移動可能に支持する。
チャックテーブル２２０は、真空チャック機構を含み、ウェーハ２を着脱可能に保持する。ウェーハ２を保持するチャックテーブル２２０の保持面は、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル２２０は、アクチュエータの作動により、Ｚ軸と平行なテーブル回転軸を中心に回転可能である。
チャックテーブル２２０は、チャックテーブル２２０の保持面とウェーハ２の表面とが対向し、ウェーハ２の裏面が上方を向くように、ウェーハ２を保持する。ウェーハ２の表面に保護テープが貼着されている場合、チャックテーブル２２０は、保護テープを介して、ウェーハ２を保持する。チャックテーブル２２０は、研削ユニット２１０の直下の研削位置に移動可能である。本実施形態において、チャックテーブル２２０は、３つ設けられる。
ターンテーブル２３０は、複数のチャックテーブル２２０を支持する。ターンテーブル２３０は、アクチュエータの作動により、Ｚ軸と平行なターン回転軸を中心に所定の角度（例えば１２０［°］）で間欠的に回転する。ターンテーブル２３０が回転することにより、ターンテーブル２３０に支持されているチャックテーブル２２０が研削位置に移動する。本実施形態においては、３つのチャックテーブル２２０のうち２つのチャックテーブル２２０が、２つの研削ユニット２１０の直下の研削位置のそれぞれに配置されるように、研削ユニット２１０とチャックテーブル２２０との相対位置が定められている。また、２つのチャックテーブル２２０が研削位置に配置されている状態で、１つのチャックテーブル２２０は、ウェーハ２の搬入及び搬出が実施されるロードアンロード位置に配置される。
仮置き部２４０は、チャックテーブル２２０に搬入される前又はチャックテーブル２２０から搬出された後のウェーハ２を一時的に保持する。仮置き部２４０は、真空チャック機構を含み、ウェーハ２を着脱可能に保持する。搬送ユニット６００によって研削装置２００に搬入されたウェーハ２は、仮置き部２４０に載置された後、位置合わせユニット２５０を経て、チャックテーブル２２０に搬入される。研削が終了しチャックテーブル２２０から搬出されたウェーハ２は、洗浄ユニット２６０を経て、仮置き部２４０に載置された後、搬送ユニット６００によって研削装置２００から搬出される。
位置合わせユニット２５０は、ウェーハ２を所定の位置に位置付ける。なお、ウェーハ２がチャックテーブル２２０に搬入される前に、チャックテーブル２２０の保持面と対向するウェーハ２の表面又は保護テープの表面が洗浄されてもよい。
洗浄ユニット２６０は、チャックテーブル２２０から搬出されたウェーハ２を洗浄する。洗浄ユニット２６０は、ウェーハ２の表面及び裏面に洗浄液を供給して、ウェーハ２を洗浄する。ウェーハ２の表面に保護テープが貼着されている場合、保護テープが洗浄ユニット２６０により洗浄される。
第１搬送装置２７０は、仮置き部２４０と位置合わせユニット２５０との間でウェーハ２を搬送する。第１搬送装置２７０は、アーム２７２と、アーム２７２の先端部に設けられウェーハ２を保持するハンド２７４とを有する。アーム２７２が作動することにより、ハンド２７４は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動する。
第２搬送装置２８０は、第１搬送アーム２８２及び第２搬送アーム２８４を有する。第１搬送アーム２８２の先端部及び第２搬送アーム２８４の先端部のそれぞれに、ウェーハ２を吸着保持する吸着パッドが設けられる。第１搬送アーム２８２は、位置合わせユニット２５０からウェーハ２を搬出して、チャックテーブル２２０に搬入する。第２搬送アーム２８４は、チャックテーブル２２０からウェーハ２を搬出して、洗浄ユニット２６０に搬入する。
搬送ユニット６００によって研削装置２００に搬入され、仮置き部２４０に載置されたウェーハ２は、第１搬送装置２７０によって、位置合わせユニット２５０に渡される。位置合わせユニット２５０は、ウェーハ２の位置を所定の位置に合わせ込む位置合わせをする。位置合わせユニット２５０により位置合わせされたウェーハ２は、第１搬送アーム２８２によって、ロードアンロード位置に配置されているチャックテーブル２２０に搬入される。ターンテーブル２３０が回転することにより、ロードアンロード位置に配置されているチャックテーブル２２０は、研削位置に移動する。
研削位置に移動したチャックテーブル２２０に保持されているウェーハ２と研削ユニット２１０の研削砥石とが接触した状態で、チャックテーブル２２０の回転と並行して、研削ユニット２１０の研削ホイールが研削回転軸を中心に回転する。これにより、ウェーハ２の裏面が研削され、ウェーハ２が薄化される。２つの研削ユニット２１０によって粗研削と仕上げ研削とが実施されることによりウェーハ２は薄化される。
ウェーハ２の研削が終了したした後、ターンテーブル２３０が回転することにより、研削位置に配置されているチャックテーブル２２０は、ロードアンロード位置に移動する。
第２搬送アーム２８４は、ロードアンロード位置に配置されているチャックテーブル２２０から研削後のウェーハ２を搬出する。第２搬送アーム２８４は、ウェーハ２を洗浄ユニット２６０に搬送する。洗浄ユニット２６０は、第２搬送アーム２８４により搬送されたウェーハ２又は保護テープを洗浄する。洗浄ユニット２６０により洗浄されたウェーハ２は、洗浄ユニット２６０から第１搬送装置２７０に渡される。第１搬送装置２７０は、ウェーハ２を仮置き部２４０に載置する。仮置き部２４０に載置されたウェーハ２は、搬送ユニット６００によって研削装置２００から搬出される。
（テープ貼着装置）
テープ貼着装置３００は、フレームユニット形成手段３１０と、剥離手段３２０と、ウェーハ２のアライメントを実施するアライメント部３３０と、ウェーハ２を一時的に保持する仮置き部３４０と、搬出されるウェーハ２を一時的に保持する搬出仮置き部３５０とを有する。
フレームユニット形成手段３１０は、研削装置２００で研削されたウェーハ２の裏面にダイシングテープを貼着するとともに、ダイシングテープの外周縁に環状フレームを固定する。フレームユニット形成手段３１０は、ウェーハ２の周囲に環状フレームが配置された状態で、ウェーハ２の裏面及び環状フレーム２の裏面にダイシングテープを貼着し、ダイシングテープを環状フレームに沿ってカットする。これにより、ダイシングテープの外周縁に環状フレームが固定される。ウェーハ２は、ダイシングテープを介して環状フレームに支持される。
剥離手段３２０は、ウェーハ２の表面に貼着された保護テープを剥離する。
アライメント部３３０は、環状フレームに対するウェーハ２の位置合わせを実施する。アライメント部３３０は、ウェーハ２が載置されるアライメントテーブルと、アライメントテーブルに載置されたウェーハ２の中心位置を規定位置に合わせるための複数のアライメントピンとを有する。アライメントピンがウェーハ２の半径方向に移動して、ウェーハ２の位置合わせを実施する。
仮置き部３４０は、アライメント部３３０に搬入される前のウェーハ２を一時的に保持する。仮置き部３４０は、真空チャック機構を含み、ウェーハ２を着脱可能に保持する。搬送ユニット６００によってテープ貼着装置３００に搬入されたウェーハ２は、仮置き部３４０に載置された後、アライメント部３３０を経て、フレームユニット形成手段３１０及び剥離手段３２０に搬送される。
フレームユニット形成手段３１０においてダイシングテープを介して環状フレームに支持され、剥離手段３２０において保護テープが剥離されたウェーハ２は、搬出仮置き部３５０に搬送される。
（第１カセット載置部）
第１カセット載置部４００は、表面に保護テープが貼着されたウェーハ２を複数収容する第１カセット４１０を載置する。本実施形態において、第１カセット４１０は、研削装置２００と対向する位置に２つ設置される。また、第１カセット４１０は、レーザー加工装置１００と対向する位置に１つ設置される。
（第２カセット載置部）
第２カセット載置部５００は、ダイシングテープで環状フレームの開口に支持されたウェーハ２を複数収容する第２カセット５１０を載置する。本実施形態において、第２カセット５１０は、レーザー加工装置１００と対向する位置に１つ設置される。また、第２カセット５１０は、テープ貼着装置３００と対向する位置に１つ設置される。
（搬送ユニット）
搬送ユニット６００は、レーザー加工装置１００、研削装置２００、テープ貼着装置３００、第１カセット４１０、及び第２カセット５１０の間でウェーハ２を搬送する。本実施形態において、レーザー加工装置１００と研削装置２００とテープ貼着装置３００とは、Ｙ軸方向に配置される。Ｙ軸方向において、レーザー加工装置１００は、研削装置２００とテープ貼着装置３００との間に配置される。Ｙ軸方向において、テープ貼着装置３００と研削装置２００との距離は、レーザー加工装置１００と研削装置２００との距離よりも長い。搬送ユニット６００は、レーザー加工装置１００よりも−Ｘ方向に配置される。
図２は、本実施形態に係る搬送ユニット６００の一例を模式的に示す側面図である。図１及び図２に示すように、搬送ユニット６００を含むウェーハ加工システム１は、チャンバ９００の内部に配置される。搬送ユニット６００は、ウェーハ２を保持して搬送可能な搬送ユニット６１０Ａ及び搬送ユニット６１０Ｂと、環状フレームを介してウェーハ２を搬送可能な搬送ユニット６２０とを有する。
図２に示すように、搬送ユニット６１０Ａは、チャンバ９００の天井部に支持される。搬送ユニット６１０Ａは、ウェーハ２を着脱可能に保持する吸着パッド６１２Ａを有する。吸着パッド６１２Ａは、ウェーハ２を吸着保持する保持面を有する。吸着パッド６１２Ａの保持面は、下方を向く。吸着パッド６１２Ａの保持面は、ＸＹ平面と実質的に平行である。吸着パッド６１２Ａの保持面には真空吸引源と接続される吸引口が設けられる。吸着パッド６１２Ａの保持面とウェーハ２とが接触した状態で真空吸引源が作動することにより、ウェーハ２は吸着パッド６１２Ａに吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウェーハ２は吸着パッド６１２Ａから解放される。
ＸＹ平面内における吸着パッド６１２Ａの外形及び寸法と、ウェーハ２の外形及び寸法とは、実質的に同一である。吸着パッド６１２Ａは、ウェーハ２の表面のほぼ全部を吸着保持することができる。
また、搬送ユニット６１０Ａは、Ｙ軸方向に移動可能な移動テーブル６１４Ａと、移動テーブル６１４Ａに支持される可動アーム６１６Ａとを有する。吸着パッド６１２Ａは、可動アーム６１６Ａの先端部に連結される。
移動テーブル６１４Ａは、移動機構６３０Ａを介してチャンバ９００の天井部に移動可能に支持される。移動テーブル６１４Ａは、移動機構６３０ＡによりＹ軸方向に移動する。移動機構６３０Ａは、チャンバ９００の天井部に設けられ移動テーブル６１４ＡをＹ軸方向にガイドするガイド部材６３２Ａと、移動テーブル６１４ＡをＹ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータ６３４Ａとを有する。アクチュエータ６３４Ａは、例えばリニアモータ又はボールねじ機構を含む。
吸着パッド６１２Ａは、移動機構６３０Ａ及び可動アーム６１６Ａの作動により、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能である。
搬送ユニット６１０Ｂは、チャンバ９００の側壁部に支持される。搬送ユニット６１０Ｂは、搬送ユニット６１０Ａよりも−Ｚ側に設けられ、搬送ユニット６１０Ａよりも下方で移動する。搬送ユニット６１０Ｂは、ウェーハ２を着脱可能に保持する吸着パッド６１２Ｂと、Ｙ軸方向に移動可能な移動テーブル６１４Ｂと、移動テーブル６１４Ｂに支持される可動アーム６１６Ｂとを有する。吸着パッド６１２Ｂは、可動アーム６１６Ｂの先端部に連結される。
移動テーブル６１４Ｂは、移動機構６３０Ｂを介してチャンバ９００の側壁部に移動可能に支持される。移動テーブル６１４Ｂは、移動機構６３０ＢによりＹ軸方向に移動する。移動機構６３０Ｂは、チャンバ９００の側壁部に設けられ移動テーブル６１４ＢをＹ軸方向にガイドするガイド部材６４２と、移動テーブル６１４ＢをＹ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータ６３４Ｂとを有する。アクチュエータ６３４Ｂは、例えばリニアモータ又はボールねじ機構を含む。
吸着パッド６１２Ｂは、移動機構６３０Ｂ及び可動アーム６１６Ｂの作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。
このように、本実施形態において、搬送ユニット６１０Ｂは、搬送ユニット６１０Ａの下方において、搬送ユニット６１０Ａとは別に移動可能である。したがって、例えば、搬送ユニット６１０Ａによるウェーハ２の搬送動作と並行して、搬送ユニット６１０Ｂによるウェーハ２の搬送動作を実行可能である。
図１に示すように、搬送ユニット６２０は、ウェーハ２を支持する環状フレームを保持する保持ハンド６２２を有する。保持ハンド６２２は、環状フレームの一方の面を支持する支持部材６２２Ａと、支持部材６２２Ａと間隙を介して対向する係合部材６２２Ｂとを有する。支持部材６２２Ａと係合部材６２２Ｂとの間に環状フレームの一部が挿入されることによって、環状フレームが保持ハンド６２２に保持される。また、支持部材６２２Ａの中央に開口６２２Ｍが設けられる。
搬送ユニット６１０Ｂと同様、搬送ユニット６２０は、搬送ユニット６１０Ａの下方において移動する。搬送ユニット６２０は、Ｙ軸方向に移動可能な移動テーブル６２４と、移動テーブル６２４に支持される可動アーム６２６とを有する。保持ハンド６２２は、可動アーム６２６の先端部に連結される。
移動テーブル６２４は、移動機構６４０によりＹ軸方向に移動する。移動機構６４０は、移動テーブル６２４をＹ軸方向にガイドするガイド部材６４２と、移動テーブル６２４をＹ軸方向に移動するための動力を発生するアクチュエータとを有する。移動機構６４０のアクチュエータは、例えばリニアモータ又はボールねじ機構を含む。
保持ハンド６２２は、移動機構６４０及び可動アーム６２６の作動により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能である。
搬送ユニット６１０Ａ及び搬送ユニット６１０Ｂは、レーザー加工装置１００へのウェーハ２の搬入、レーザー加工装置１００からのウェーハ２の搬出、研削装置２００へのウェーハ２の搬入、研削装置２００からのウェーハ２の搬出、及びテープ貼着装置３００へのウェーハ２の搬入を実施可能である。搬送ユニット６２０は、レーザー加工装置１００へのウェーハ２の搬入、レーザー加工装置１００からのウェーハ２の搬出、研削装置２００へのウェーハ２の搬入、研削装置２００からのウェーハ２の搬出、及びテープ貼着装置３００からのウェーハ２の搬出を実施可能である。
搬送ユニット６１０Ａによるウェーハ２の搬送動作と並行して、搬送ユニット６１０Ｂはウェーハ２を搬送可能である。例えば、搬送ユニット６１０Ａが第１カセット４１０からレーザー加工装置１００にウェーハ２を搬入する動作と並行して、搬送ユニット６１０Ｂは研削後のウェーハ２をテープ貼着装置３００に搬入することができる。また、搬送ユニット６１０Ａ及び搬送ユニット６１０Ｂの少なくとも一方によるウェーハ２の搬送動作と並行して、搬送ユニット６２０は、ウェーハ２（環状フレーム）を搬送可能である。
（制御手段）
図３は、本実施形態に係るウェーハ加工システム１を示すブロック図である。制御手段７００は、ウェーハ加工システム１の構成要素である、レーザー加工装置１００、研削装置２００、テープ貼着装置３００、及び搬送ユニット６００を制御する。
制御手段７００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置７１０と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又ストレージのような不揮発性メモリ及びＲＡＭ（Random Access Memory）のような揮発性メモリを含む記憶装置７２０と、入出力インターフェース装置７３０とを有する。演算処理装置７１０は、記憶装置７２０に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置７３０を介して、ウェーハ加工システム１を制御するための制御信号を出力する。
演算処理装置７１０は、第１加工プログラム７２１に従って制御信号を出力する第１加工プログラム指示部７１１と、第２加工プログラム７２２に従って制御信号を出力する第２加工プログラム指示部７１２と、第３加工プログラム７２３に従って制御信号を出力する第３加工プログラム指示部７１３と、第４加工プログラム７２４に従って制御信号を出力する第４加工プログラム指示部７１４とを有する。
記憶装置７２０は、第１加工プログラム７２１と、第２加工プログラム７２２と、第３加工プログラム７２３と、第４加工プログラム７２４とを記憶する。
第１加工プログラム７２１は、第１カセット４１０から搬出されたウェーハ２を、レーザー加工装置１００、研削装置２００、テープ貼着装置３００、及び第２カセット５１０の順で搬送ユニット６００によって搬送させ、１枚のウェーハ２に対してそれぞれの装置による加工を順次実施させるプログラムである。
第１加工プログラム指示部７１１は、第１カセット４１０から搬出したウェーハ２を、レーザー加工装置１００、研削装置２００、テープ貼着装置３００、及び第２カセット５１０の順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハ２に順次施すための制御信号を出力する。
第２加工プログラム７２２は、第１カセット４１０から搬出されたウェーハ２を、研削装置２００、レーザー加工装置１００、テープ貼着装置３００、及び第２カセット５１０の順で搬送ユニット６００によって搬送させ、１枚のウェーハ２に対してそれぞれの装置による加工を順次実施させるプログラムである。
第２加工プログラム指示部７１２は、第１カセット４１０から搬出したウェーハ２を、研削装置２００、レーザー加工装置１００、テープ貼着装置３００、及び第２カセット５１０の順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハ２に順次施すための制御信号を出力する。
第３加工プログラム７２３は、第１カセット４１０から搬出したウェーハ２を、研削装置２００及びテープ貼着装置３００の順で搬送ユニット６００によって搬送させ、１枚のウェーハ２に対してそれぞれの装置による加工を順次実施させるプログラムである。
第３加工プログラム指示部７１３は、第１カセット４１０から搬出したウェーハ２を、研削装置２００、及びテープ貼着装置３００の順序で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハ２に順次施すための制御信号を出力する。
第４加工プログラム７２４は、第１カセット４１０又は第２カセット５１０から搬出したウェーハ２を、レーザー加工装置１００に搬送ユニット６００によって搬送させ、１枚のウェーハ２に対してレーザー加工装置１００による加工を実施させるプログラムである。
第４加工プログラム指示部７１４は、第１カセット４１０又は第２カセット５１０から搬出したウェーハ２を、レーザー加工装置１００に搬送し、レーザー加工装置１００による加工をウェーハ２に施すための制御信号を出力する。
第３加工プログラム指示部７１３及び第４加工プログラム指示部７１４は、第３加工プログラム７２３と第４加工プログラム７２４とが並行して遂行されるように、制御信号を出力する。
［ウェーハ］
図４は、本実施形態に係るウェーハ２の一例を示す斜視図である。図４に示すように、ウェーハ２は、基板２０と、基板２０に設けられた機能層２１とを有する。ウェーハ２は、実質的に円板状の部材であり、表面２Ａと、表面２Ａの逆方向を向く裏面２Ｂとを有する。基板２０は、シリコン基板、サファイア基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、及びセラミックス基板の少なくとも一つを含む。機能層２１はデバイス２２を形成する層であり、基板２０の表面に積層される。機能層２１は、格子状に形成された分割予定ライン２３によって区画されている。
ウェーハ２の表面２Ａは、機能層２１の表面を含む。ウェーハ２の裏面２Ｂは、基板２０の裏面を含む。ウェーハ２は、交差する複数の分割予定ライン２３によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成された表面２Ａを有する。
デバイス２２は、ウェーハ２にマトリクス状に配置される。デバイス２２は、格子状の分割予定ライン２３によって区画される。ウェーハ２が分割予定ライン２３に沿って分割されることにより、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）のようなデバイスチップが製造される。
本実施形態において、ウェーハ２は、第１状態、第２状態、及び第３状態のいずれか一つの状態で、搬送、加工、又は保管される。図５は、本実施形態に係る第１状態のウェーハ２の一例を示す斜視図である。図６は、本実施形態に係る第２状態のウェーハ２の一例を示す斜視図である。図７は、本実施形態に係る第３状態のウェーハ２の一例を示す斜視図である。
図５に示すように、第１状態に係るウェーハ２は、表面２Ａに保護テープ３を貼着される。保護テープ３は、シート状の部材である。保護テープ３は、合成樹脂製でもよいし、金属製でもよいし、セラミックス製でもよいし、ガラス製でもよい。保護テープ３の外形及び寸法と、ウェーハ２の外形及び寸法とは実質的に等しい。ウェーハ２の表面２Ａの全部が保護テープ３により覆われる。ウェーハ２の表面２Ａに保護テープ３が貼着されることにより、表面２Ａに形成されたデバイス２２が保護される。
図６に示すように、第２状態に係るウェーハ２は、表面２Ａにダイシングテープ４を貼着される。ダイシングテープ４は、シート状の部材である。ダイシングテープ４の外形の寸法は、ウェーハ２の外形の寸法よりも大きい。ダイシングテープ４の外周縁には環状フレーム５が固定される。ウェーハ２は、ダイシングテープ４を介して環状フレーム５の開口５Ｍに支持される。第２状態に係るウェーハ２は、ダイシングテープ４及び環状フレーム５と一体化されたフレームユニット６を形成する。
図７に示すように、第３状態に係るウェーハ２は、裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着される。ダイシングテープ７は、シート状の部材である。ダイシングテープ７の外形の寸法は、ウェーハ２の外形の寸法よりも大きい。ダイシングテープ７の外周縁には環状フレーム８が固定される。ウェーハ２は、ダイシングテープ７を介して環状フレーム８の開口８Ｍに支持される。第３状態に係るウェーハ２は、ダイシングテープ７及び環状フレーム８と一体化されたフレームユニット９を形成する。
図５を参照して説明した、第１状態に係るウェーハ２は、第１カセット４１０に収容される。図６及び図７を参照して説明した、第２状態に係るウェーハ２及び第３状態に係るウェーハ２は、第２カセット５１０に収容される。
［ウェーハの加工方法］
（第１加工プログラムによるウェーハの加工方法）
次に、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法について説明する。はじめに、第１加工プログラムによるウェーハ２の加工方法について説明する。図８は、本実施形態に係る第１加工プログラムによるウェーハ２の加工方法の一例を示すフローチャートである。
図８に示すように、第１加工プログラムによるウェーハ２の加工方法は、第１カセット４１０から搬出した第１状態のウェーハ２をレーザー加工装置１００に搬送する第１搬送ステップ（Ｓ１１）と、レーザー加工装置１００に搬送されたウェーハ２にレーザー光線を照射して、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２の内部に改質層を形成する改質層形成ステップ（Ｓ１２）と、改質層が形成されたウェーハ２を研削装置２００に搬送する第２搬送ステップ（Ｓ１３）と、研削装置２００に搬送されたウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化する薄化ステップ（Ｓ１４）と、薄化されたウェーハ２をテープ貼着装置３００に搬送する第３搬送ステップ（Ｓ１５）と、テープ貼着装置３００に搬送されたウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着するとともに、ダイシングテープ７の外周縁に環状フレーム８を固定してフレームユニット９を形成した後、ウェーハ２の表面２Ａに貼着されている保護テープ３を剥離する貼り替えステップ（Ｓ１６）と、テープ貼着装置３００で生成された第３状態のウェーハ２を第２カセット５１０に搬送する第４搬送ステップ（Ｓ１７）と、を含む。
第１搬送ステップ（Ｓ１１）について説明する。図９は、本実施形態に係る第１搬送ステップの一例を模式的に示す図である。図９に示すように、第１カセット４１０に、表面２Ａに保護テープ３が貼着されたウェーハ２が複数収容されている。第１カセット４１０は、Ｚ軸方向に配置される複数の棚４２０を有する。第１状態のウェーハ２は、棚４２０のそれぞれに支持されている。制御手段７００は、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２を搬出して、レーザー加工装置１００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。本実施形態においては、搬送ユニット６１０Ａ又は搬送ユニット６１０Ｂによって第１状態のウェーハ２が第１カセット４１０から搬出される。例えば搬送ユニット６１０Ｂは、第１カセット４１０に設けられている開口４２０Ｍを介して、第１カセット４１０の内部に吸着パッド６１２Ｂを進入させる。搬送ユニット６１０Ｂは、吸着パッド６１２Ｂでウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２を搬出し、レーザー加工装置１００に搬送する。
次に、改質層形成ステップ（Ｓ１２）について説明する。図１０は、本実施形態に係る改質層形成ステップの一例を模式的に示す図である。制御手段７００は、ウェーハ２に改質層２４を形成させるための制御信号をレーザー加工装置１００に出力する。図１０に示すように、レーザー加工装置１００のチャックテーブル１２０に第１状態のウェーハ２が保持される。チャックテーブル１２０は、保護テープ３を介してウェーハ２を保持する。保護テープ３とチャックテーブル１２０の保持面とが対向し、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、チャックテーブル１２０がウェーハ２を保持する。
第１状態のウェーハ２がチャックテーブル１２０に保持された後、制御手段７００は、テーブル移動装置１３０を制御して、レーザー光線照射ユニット１１０から射出されるレーザー光線ＬＢの照射位置に、ウェーハ２の分割予定ライン２３を配置する。制御手段７００は、テーブル移動装置１３０を制御して、レーザー光線ＬＢに対してチャックテーブル１２０を移動する。
改質層形成ステップにおいては、レーザー光線照射ユニット１１０は、ウェーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢを射出する。レーザー光線ＬＢは、ウェーハ２の裏面２Ｂ側から分割予定ライン２３に沿って照射される。これにより、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２の内部に改質層２４が形成される。
次に、第２搬送ステップ（Ｓ１３）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２をレーザー加工装置１００から研削装置２００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。改質層２４が形成されチャックテーブル１２０から搬出されたウェーハ２は、搬送ユニット６００の搬送ユニット６１０Ａ又は搬送ユニット６１０Ｂによってレーザー加工装置１００から搬出され、研削装置２００に搬送される。例えば搬送ユニット６１０Ｂは、吸着パッド６１２Ｂでウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、レーザー加工装置１００から第１状態のウェーハ２を搬出し、研削装置２００に搬送する。
次に、薄化ステップ（Ｓ１４）について説明する。図１１は、本実施形態に係る薄化ステップの一例を模式的に示す図である。制御手段７００は、ウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化させるための制御信号を研削装置２００に出力する。図１１に示すように、研削装置２００のチャックテーブル２２０に第１状態のウェーハ２が保持される。チャックテーブル２２０は、保護テープ３を介してウェーハ２を保持する。保護テープ３とチャックテーブル２２０の保持面とが対向し、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、チャックテーブル２２０がウェーハ２を保持する。チャックテーブル２２０は、アクチュエータの作動により、Ｚ軸と平行なテーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転可能である。
研削装置２００の研削ユニット２１０は、スピンドルハウジング２１２と、スピンドルハウジング２１２に回転可能に支持されるスピンドル２１４と、スピンドル２１４の下端部に設けられる研削ホイール２１６と、研削ホイール２１６の下面に配置された研削砥石２１８とを有する。研削ホイール２１４は、アクチュエータの作動により、Ｚ軸と平行な研削回転軸ＡＸ２を中心に回転可能である。
ＸＹ平面内において、研削砥石２１８は円環状に設けられる。研削砥石２１８は、チャックテーブル２２０に保持されているウェーハ２の裏面２Ｂと対向可能である。
ウェーハ２が保護テープ３を介してチャックテーブル２２０に保持された後、チャックテーブル２２０がテーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転されつつ、研削ユニット２１０の研削ホイール２１６が研削回転軸ＡＸ２を中心に回転される。チャックテーブル２２０及び研削ホイール２１６が回転している状態で、研削砥石２１８とウェーハ２の裏面２Ｂとが接触される。これにより、ウェーハ２の裏面２Ｂが研削され、ウェーハ２が薄化される。
次に、第３搬送ステップ（Ｓ１５）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２を研削装置２００からテープ貼着装置３００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。改質層２４が形成され薄化されたウェーハ２は、チャックテーブル２２０から搬出される。チャックテーブル２２０から搬出されたウェーハ２は、洗浄された後、搬送ユニット６００の搬送ユニット６１０Ａによって研削装置２００から搬出され、テープ貼着装置３００に搬送される。搬送ユニット６１０Ａは、吸着パッド６１２でウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、研削装置２００から第１状態のウェーハ２を搬出し、テープ貼着装置３００に搬送する。
次に、貼り替えステップ（Ｓ１６）について説明する。図１２は、本実施形態に係る貼り替えステップの一例を模式的に示す図である。制御手段７００は、研削装置２００で研削されたウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着させるとともに、ダイシングテープ７の外周縁に環状フレーム８を固定させるための制御信号をテープ貼着装置３００のフレームユニット形成手段３１０に出力する。また、制御手段７００は、ウェーハ２の表面２Ａに貼着された保護テープ３を剥離させるための制御信号をテープ貼着装置３００の剥離手段３２０に出力する。これにより、図１２に示すように、テープ貼着装置３００において、環状フレーム８に支持されたダイシングテープ７が裏面２Ｂに貼着され、表面２Ａから保護テープ３から剥離された第３状態のウェーハ２が生成される。
次に、第４搬送ステップ（Ｓ１７）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２をテープ貼着装置３００から第２カセット５１０に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。第３状態のウェーハ２は、搬送ユニット６００によってテープ貼着装置３００から搬出され、第２カセット５１０に搬送される。本実施形態において、第３状態のウェーハ２を含むフレームユニット９は、搬出仮置き部３５０に載置された後、ガイドレールにガイドされながら、第２カセット５１０にスライドして挿入され、収容される。
（第２加工プログラムによるウェーハの加工方法）
次に、第２加工プログラムによるウェーハ２の加工方法について説明する。図１３は、本実施形態に係る第２加工プログラムによるウェーハ２の加工方法の一例を示すフローチャートである。
図１３に示すように、第２加工プログラムによるウェーハ２の加工方法は、第１カセット４１０から搬出した第１状態のウェーハ２を研削装置２００に搬送する第５搬送ステップ（Ｓ２１）と、研削装置２００に搬送されたウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化する薄化ステップ（Ｓ２２）と、薄化されたウェーハ２をレーザー加工装置１００に搬送する第６搬送ステップ（Ｓ２３）と、レーザー加工装置１００に搬送されたウェーハ２にレーザー光線を照射して、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２の内部に改質層を形成する改質層形成ステップ（Ｓ２４）と、改質層が形成されたウェーハ２をテープ貼着装置３００に搬送する第７搬送ステップ（Ｓ２５）と、テープ貼着装置３００に搬送されたウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着するとともに、ダイシングテープ７の外周縁に環状フレーム８を固定してフレームユニット９を形成した後、ウェーハ２の表面２Ａに貼着されている保護テープ３を剥離する貼り替えステップ（Ｓ２６）と、テープ貼着装置３００で生成された第３状態のウェーハ２を第２カセット５１０に搬送する第８搬送ステップ（Ｓ２７）と、を含む。
第５搬送ステップ（Ｓ２１）について説明する。制御手段７００は、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２を搬出して、研削装置２００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。上述の第１搬送ステップＳ１１と同様、第５搬送ステップＳ２１においては、搬送ユニット６１０Ｂによって第１状態のウェーハ２が第１カセット４１０から搬出される。搬送ユニット６１０Ｂは、吸着パッド６１２Ｂでウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２を搬出し、研削装置２００に搬送する。
次に、薄化ステップ（Ｓ２２）について説明する。図１４は、本実施形態に係る薄化ステップの一例を模式的に示す図である。制御手段７００は、ウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化させるための制御信号を研削装置２００に出力する。図１４に示すように、研削装置２００のチャックテーブル２２０に第１状態のウェーハ２が保持される。チャックテーブル２２０は、保護テープ３を介してウェーハ２を保持する。
ウェーハ２が保護テープ３を介してチャックテーブル２２０に保持された後、チャックテーブル２２０がテーブル回転軸ＡＸ１を中心に回転されつつ、研削ユニット２１０の研削ホイール２１６が研削回転軸ＡＸ２を中心に回転される。チャックテーブル２２０及び研削ホイール２１６が回転している状態で、研削砥石２１８とウェーハ２の裏面２Ｂとが接触される。これにより、ウェーハ２の裏面２Ｂが研削され、ウェーハ２が薄化される。
次に、第６搬送ステップ（Ｓ２３）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２を研削装置２００からレーザー加工装置１００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。薄化されたウェーハ２は、チャックテーブル２２０から搬出される。チャックテーブル２２０から搬出されたウェーハ２は、搬送ユニット６００の搬送ユニット６１０Ｂによって研削装置２００から搬出され、レーザー加工装置１００に搬送される。搬送ユニット６１０Ｂは、吸着パッド６１２Ｂでウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、研削装置２００から第１状態のウェーハ２を搬出し、レーザー加工装置１００に搬送する。
次に、改質層形成ステップ（Ｓ２４）について説明する。図１５は、本実施形態に係る改質層形成ステップの一例を模式的に示す図である。制御手段７００は、ウェーハ２に改質層２４を形成させるための制御信号をレーザー加工装置１００に出力する。図１５に示すように、レーザー加工装置１００のチャックテーブル１２０に、薄化された第１状態のウェーハ２が保持される。チャックテーブル１２０は、保護テープ３を介してウェーハ２を保持する。保護テープ３とチャックテーブル１２０の保持面とが対向し、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、チャックテーブル１２０がウェーハ２を保持する。
第１状態のウェーハ２がチャックテーブル１２０に保持された後、制御手段７００は、テーブル移動装置１３０を制御して、レーザー光線照射ユニット１１０から射出されるレーザー光線ＬＢの照射位置に、ウェーハ２の分割予定ライン２３を配置する。制御手段７００は、テーブル移動装置１３０を制御して、レーザー光線ＬＢに対してチャックテーブル１２０を移動する。
改質層形成ステップにおいては、レーザー光線照射ユニット１１０は、ウェーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢを射出する。レーザー光線ＬＢは、ウェーハ２の裏面２Ｂ側から分割予定ライン２３に沿って照射される。これにより、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２の内部に改質層２４が形成される。
次に、第７搬送ステップ（Ｓ２５）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２をレーザー加工装置１００からテープ貼着装置３００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。改質層２４が形成されチャックテーブル１２０から搬出されたウェーハ２は、搬送ユニット６００の第１搬送ユニット６１０によってレーザー加工装置１００から搬出され、テープ貼着装置３００に搬送される。搬送ユニット６１０Ａは、吸着パッド６１２Ａでウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、レーザー加工装置１００から第１状態のウェーハ２を搬出し、テープ貼着装置３００に搬送する。
次に、貼り替えステップ（Ｓ２６）について説明する。制御手段７００は、研削装置２００で研削されたウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着させるとともに、ダイシングテープ７の外周縁に環状フレーム８を固定させるための制御信号をテープ貼着装置３００のフレームユニット形成手段３１０に出力する。また、制御手段７００は、ウェーハ２の表面２Ａに貼着された保護テープ３を剥離させるための制御信号をテープ貼着装置３００の剥離手段３２０に出力する。これにより、上述の貼り替えステップＳ１６と同様、テープ貼着装置３００において、環状フレーム８に支持されたダイシングテープ７が裏面２Ｂに貼着され、表面２Ａから保護テープ７から剥離された第３状態のウェーハ２が生成される。
次に、第８搬送ステップ（Ｓ２７）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２をテープ貼着装置３００から第２カセット５１０に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。上述の第４搬送ステップＳ１７と同様、第３状態のウェーハ２は、テープ貼着装置３００から搬出され、第２カセット５１０に搬送される。第３状態のウェーハ２を含むフレームユニット９は、搬出仮置き部３５０に載置された後、ガイドレールにガイドされながら、第２カセット５１０にスライドして挿入され、収容される。
（第２カセットに収容されているウェーハの加工方法）
上述のように、第１加工プログラム及び第２加工プログラムの少なくとも一方によるウェーハ２の加工方法により、第２カセット５１０には、第３状態のウェーハ２が収容される。薄化され改質層２４が形成されたウェーハ２は、分割ステップにおいて複数のデバイスチップに分割される。図１６及び図１７は、本実施形態に係る分割ステップに使用される分割装置８００の動作を模式的に示す図である。
第２カセット５１０から搬出された第３状態のウェーハ２が分割装置８００に設置される。図１６に示すように、分割装置８００は、環状フレーム８を保持するフレーム保持手段８１０と、フレーム保持手段８１０に保持された環状フレーム８に装着されたダイシングテープ７を拡張するテープ拡張手段８２０とを備える。フレーム保持手段８１０は、環状のフレーム保持部材８１１と、フレーム保持部材８１１の外周に配置された複数のクランプ機構８１２とを有する。フレーム保持部材８１１の上面は、環状フレーム８が載置される載置面８１１Ａである。載置面８１１Ａに載置された環状フレーム８は、クランプ機構８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。フレーム保持手段８１０は、テープ拡張手段８２０によって上下方向に移動可能である。
テープ拡張手段８２０は、フレーム保持部材８１１の内側に配置される拡張ドラム８２１を有する。拡張ドラム８２１は、環状フレーム８の内径よりも小さく、ウェーハ２の外径より大きい内径及び外径を有する。テープ拡張手段８２０は、フレーム保持部材８１１を上下方向に移動可能な支持手段８３０を有する。支持手段８３０は、複数のエアシリンダ８３１を有する。エアシリンダ８３１のピストンロッド８３２がフレーム保持部材８１１の下面に連結される。複数のエアシリンダ８３１を含む支持手段８３０は、フレーム保持部材８１１の載置面８１１Ａが、拡張ドラム８２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム８２１の上端より所定量下方の拡張位置との間を上下方向に移動するように、フレーム保持部材８１１を移動させる。
次に、分割装置８００を用いる分割ステップについて説明する。分割予定ライン２３に沿って改質層２４が形成されているウェーハ２がダイシングテープ７に支持される。図１６に示すように、ダイシングテープ７を介してウェーハ２を支持する環状フレーム８が、フレーム保持手段８１０のフレーム保持部材８１１の載置面８１１Ａに載置され、クランプ機構８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。このとき、フレーム保持部材８１１は、図１６に示す基準位置に位置付けられている。
次に、支持手段８３０の複数のエアシリンダ８３１が作動され、フレーム保持部材８１１が図１７に示す拡張位置に下降される。これにより、フレーム保持部材８１１の載置面８１１Ａに固定されている環状フレーム８も下降する。そのため、図１７に示すように、環状フレーム８に装着されたダイシングテープ７は、拡張ドラム８２１の上端部に当接し、拡張する。その結果、ダイシングテープ７に貼着されているウェーハ２には放射状の引張力が作用する。ウェーハ２に放射状の引張力が作用すると、分割予定ライン２３に沿って形成された改質層２４を破断起点として、ウェーハ２の基板２０が分割予定ライン２３に沿って分割される。これにより、ウェーハ２が複数のデバイスチップ２５に分割される。
（第３加工プログラム及び第４加工プログラムによるウェーハの加工方法）
次に、第３加工プログラム及び第４加工プログラムによるウェーハ２の加工方法について説明する。図１８は、本実施形態に係る第３加工プログラム及び第４加工プログラムによるウェーハ２の加工方法の一例を示すフローチャートである。
図１８に示すように、第３加工プログラムによるウェーハ２の加工方法は、第１カセット４１０から搬出した第１状態のウェーハ２を研削装置２００に搬送する第９搬送ステップ（Ｓ３１）と、研削装置２００に搬送されたウェーハ２の裏面２Ｂを研削してウェーハ２を薄化する薄化ステップ（Ｓ３２）と、薄化されたウェーハ２をテープ貼着装置３００に搬送する第１０搬送ステップ（Ｓ３３）と、テープ貼着装置３００に搬送されたウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着するとともに、ダイシングテープ７の外周縁に環状フレーム８を固定してフレームユニット９を形成した後、ウェーハ２の表面２Ａに貼着されている保護テープ３を剥離する貼り替えステップ（Ｓ３４）と、テープ貼着装置３００で生成された第３状態のウェーハ２を第２カセット５１０に搬送する第１１搬送ステップ（Ｓ３５）と、を含む。
また、図１８に示すように、第４加工プログラムによるウェーハ２の加工方法は、第２カセット５１０から搬出した第２状態のウェーハ２をレーザー加工装置１００に搬送する第１２搬送ステップ（Ｓ４１）と、レーザー加工装置１００に搬送されたウェーハ２にレーザー光線を照射して、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２の内部に改質層を形成する改質層形成ステップ（Ｓ４２）と、改質層が形成された第２状態のウェーハ２を第２カセット５１０に搬送する第１３搬送ステップ（Ｓ４３）と、を含む。
第３加工プログラムによるウェーハ２の加工方法と、第４加工プログラムによるウェーハ２の加工方法とは、並行して遂行される。
第９搬送ステップ（Ｓ３１）について説明する。制御手段７００は、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２を搬出して、研削装置２００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。上述の第１搬送ステップＳ１１と同様、第９搬送ステップＳ２１においては、搬送ユニット６１０Ｂによって第１状態のウェーハ２が第１カセット４１０から搬出される。搬送ユニット６１０Ｂは、吸着パッド６１２Ｂでウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２を搬出し、研削装置２００に搬送する。
次に、薄化ステップ（Ｓ３２）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２の裏面を研削してウェーハ２を薄化させるための制御信号を研削装置２００に出力する。研削装置２００のチャックテーブル２２０に第１状態のウェーハ２が保持される。チャックテーブル２２０は、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、保護テープ３を介してウェーハ２を保持する。ウェーハ２の裏面２Ｂが研削ユニット２１０によって研削されることにより、ウェーハ２が薄化される。
次に、第１０搬送ステップ（Ｓ３３）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２を研削装置２００からテープ貼着装置３００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。薄化されたウェーハ２は、チャックテーブル２２０から搬出される。チャックテーブル２２０から搬出されたウェーハ２は、搬送ユニット６００の搬送ユニット６１０Ａによって研削装置２００から搬出され、テープ貼着装置３００に搬送される。第１搬送ユニット６１０は、吸着パッド６１２でウェーハ２の裏面２Ｂを吸着保持して、研削装置２００から第１状態のウェーハ２を搬出し、テープ貼着装置３００に搬送する。
次に、貼り替えステップ（Ｓ３４）について説明する。制御手段７００は、研削装置２００で研削されたウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープ７を貼着させるとともに、ダイシングテープ７の外周縁に環状フレーム８を固定させるための制御信号をテープ貼着装置３００のフレームユニット形成手段３１０に出力する。また、制御手段７００は、ウェーハ２の表面２Ａに貼着された保護テープ３を剥離させるための制御信号をテープ貼着装置３００の剥離手段３２０に出力する。これにより、テープ貼着装置３００において、環状フレーム８に支持されたダイシングテープ７が裏面２Ｂに貼着され、表面２Ａから保護テープ７から剥離された第３状態のウェーハ２が生成される。
次に、第１１搬送ステップ（Ｓ３５）について説明する。制御手段７００は、ウェーハ２をテープ貼着装置３００から第２カセット５１０に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。第３状態のウェーハ２は、テープ貼着装置３００から搬出され、第２カセット５１０に搬送される。第３状態のウェーハ２を含むフレームユニット９は、搬出仮置き部３５０に載置された後、ガイドレールにガイドされながら、第２カセット５１０にスライドして挿入され、収容される。
第３加工プログラムにおいては、研削装置２００により薄化されたものの、レーザー加工装置１００による改質層２４の形成は行われていない第３状態のウェーハ２が第２カセット５１０に収容される。
次に、第１２搬送ステップ（Ｓ４１）について説明する。第２カセット５１０には、図６を参照して説明したような、表面２Ａにダイシングテープ４が貼着された第２状態のウェーハ２も収容されている。制御手段７００は、第２カセット５１０から第２状態のウェーハ２を搬出して、レーザー加工装置１００に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。第１２搬送ステップＳ４１においては、搬送ユニット６２０によって第２状態のウェーハ２が第２カセット５１０から搬出される。搬送ユニット６２０は、保持ハンド６２２で、フレームユニット６の環状フレーム５を保持して、第２カセット５１０から第２状態のウェーハ２を搬出し、レーザー加工装置１００に搬送する。
図１９及び図２０は、本実施形態に係る第１２搬送ステップの一例を模式的に示す図である。図１９は、搬送ユニット６２０によってフレームユニット６が搬送されている状態を示す平面図である。図２０は、搬送ユニット６２０によってフレームユニット６が搬送されている状態を示す側断面図である。図１９及び図２０に示すように、搬送ユニット６２０の保持ハンド６２２は、フレームユニット６の環状フレーム５を支持する支持部材６２２Ａを有する。支持部材６２２Ａは、例えばセラミックスで形成された平板状の部材である。支持部材６２２Ａの中央部に開口６２２Ｍが設けられる。開口６２２Ｍにより、保持ハンド６２２の軽量化が図られる。
フレームユニット６が接触する支持部材６２２Ａの一方側の面の先端部には、環状フレーム５の端部に係合する２つの係合部材６２２Ｂが配置される。支持部材６２２Ａと係合部材６２２Ｂとの間には、環状フレーム５の少なくとも一部が挿入される隙間が設けられる。環状フレーム５の少なくとも一部が支持部材６２２Ａと係合部材６２２Ｂと隙間に挿入されることによって、フレームユニット６が保持ハンド６２２に保持される。
支持部材６２２Ａの一方側の面の基端部側には、環状フレーム５の外周縁を押圧してフレームユニット６を所定の位置に位置付ける押圧機構６２８が設けられる。押圧機構６２８は、環状フレーム８に接触可能な押圧部材６２９を有する。押圧部材６２９は、環状フレーム５に接触して環状フレーム８を係合部材６２２Ｂに押し付ける固定位置と、環状フレーム５から離れて環状フレーム８の固定を解除する解除位置との間で移動可能である。
第２状態のウェーハ２を含むフレームユニット６は、搬送ユニット６２０によって、第２カセット５１０から搬出され、レーザー加工装置１００の仮置き部１４０に搬送される。
本実施形態において、第２カセット５１０からレーザー加工装置１００に搬送される第２状態のウェーハ２は、裏面２Ｂが既に研削され薄化されている。なお、第２カセット５１０からレーザー加工装置１００に搬送される第２状態のウェーハ２は、薄化されていなくてもよい。
次に、改質層形成ステップ（Ｓ４２）について説明する。図２１は、本実施形態に係る改質層形成ステップの一例を模式的に示す図である。制御手段７００は、ウェーハ２に改質層２４を形成させるための制御信号をレーザー加工装置１００に出力する。図２１に示すように、レーザー加工装置１００のチャックテーブル１２０に、第２状態のウェーハ２が保持される。チャックテーブル１２０は、ダイシングテープ４を介してウェーハ２を保持する。ダイシングテープ４とチャックテーブル１２０の保持面とが対向し、ウェーハ２の裏面２Ｂが上方を向くように、チャックテーブル１２０がウェーハ２を保持する。チャックテーブル１２０は、ダイシングテープ４を介してウェーハ２を吸着保持する。環状フレーム５は、チャックテーブル１２０の保持面の周囲に配置されているクランプ機構１２２に保持される。
第２状態のウェーハ２がチャックテーブル１２０に保持された後、制御手段７００は、テーブル移動装置１３０を制御して、レーザー光線照射ユニット１１０から射出されるレーザー光線ＬＢの照射位置に、ウェーハ２の分割予定ライン２３を配置する。制御手段７００は、移動装置１３０を制御して、レーザー光線ＬＢに対してチャックテーブル１２０を移動する。レーザー光線照射ユニット１１０から射出されたレーザー光線ＬＢは、ウェーハ２の裏面２Ｂ側から分割予定ライン２３に沿って照射される。これにより、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２の内部に改質層２４が形成される。
次に、第１３搬送ステップ（Ｓ４３）について説明する。制御手段７００は、第２状態のウェーハ２をレーザー加工装置１００から第２カセット５１０に搬送させるための制御信号を搬送ユニット６００に出力する。改質層２４が形成されチャックテーブル１２０から搬出された第２状態のウェーハ２は、搬送ユニット６００の搬送ユニット６２０によってレーザー加工装置１００から搬出され、第２カセット５１０に搬送される。第２搬送ユニット６２０は、保持ハンド６２２で環状フレーム５を保持して、レーザー加工装置１００から第２状態のウェーハ２を搬出し、第２カセット５１０に搬送する。
なお、第４加工プログラムによるウェーハ２の加工方法の第１２搬送ステップ（Ｓ４１）において、第１カセット４１０から第１状態のウェーハ２が搬送ユニット６１０Ｂによって搬出され、レーザー加工装置１００に搬送されて改質層２４を形成されてもよい。また、改質層形成ステップ（Ｓ４２）により改質層２４が形成された第１状態のウェーハ２が、第１３搬送ステップ（Ｓ４３）において、搬送ユニット６１０Ｂによってレーザー加工装置１００から搬出され、第２カセット５１０に搬送されてもよい。
［作用及び効果］
以上説明したように、本実施形態によれば、レーザー加工装置１００、研削装置２００、及びテープ貼着装置３００が共通の搬送ユニット６００により一体化され、カセットを使用することなく、レーザー加工装置１００、研削装置２００、テープ貼着装置３００、第１カセット４１０、及び第２カセット５１０の間でウェーハ２を搬送することができる。したがって、ウェーハ２の搬送におけるウェーハ２の破損が抑制される。また、カセットを使用することなく、予め登録されたプログラムに従ってウェーハ２を搬送可能であるため、レーザー加工装置１００、研削装置２００、及びテープ貼着装置３００のいずれか一つの装置にウェーハ２を投入する場合、誤って異なる装置に投入してしまうことが抑制される。
また、本実施形態によれば、ウェーハ加工システム１は、第１加工プログラム及び第２加工プログラムの両方のプログラムが実施可能であり、ウェーハ２の破損を抑制しつつ、高い汎用性でウェーハ２を加工することができる。
また、本実施形態によれば、ウェーハ加工システム１は、研削装置２００及びテープ貼着装置３００を使用する第３プログラムと、レーザー加工装置１００を使用する第４プログラムとを並行して遂行可能である。これにより、レーザー加工装置１００、研削装置２００、及びテープ貼着装置３００それぞれの稼働率の低下が抑制され、レーザー加工装置１００、研削装置２００、及びテープ貼着装置３００はそれぞれ有効活用される。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
１ ウェーハ加工システム
２ ウェーハ
２Ａ 表面
２Ｂ 裏面
３ 保護テープ
４ ダイシングテープ
５ 環状フレーム
５Ｍ 開口
６ フレームユニット
７ ダイシングテープ
８ 環状フレーム
８Ｍ 開口
９ フレームユニット
２０ 基板
２１ 機能層
２２ デバイス
２３ 分割予定ライン
２４ 改質層
２５ デバイスチップ
１００ レーザー加工装置
１１０ レーザー光線照射ユニット
１１２ 支持機構
１１２Ａ 支柱
１１２Ｂ 支持アーム
１１４ レンズ
１２０ チャックテーブル
１２２ クランプ機構
１３０ テーブル移動装置
１３２ 第１ステージ
１３４ 第２ステージ
１３６ ベース部材
１４０ 仮置き部
２００ 研削装置
２１０ 研削ユニット
２１２ スピンドルハウジング
２１４ スピンドル
２１６ 研削ホイール
２１８ 研削砥石
２２０ チャックテーブル
２３０ ターンテーブル
２４０ 仮置き部
２５０ 位置合わせユニット
２６０ 洗浄ユニット
２７０ 第１搬送装置
２７２ アーム
２７４ ハンド
２８０ 第２搬送装置
２８２ 第１搬送アーム
２８４ 第２搬送アーム
２９０ 支持機構
３００ テープ貼着装置
３１０ フレームユニット形成手段
３２０ 剥離手段
３３０ アライメント部
３４０ 仮置き部
３５０ 搬出仮置き部
４００ 第１カセット載置部
４１０ 第１カセット
４２０ 棚
４２０Ｍ 開口
５００ 第２カセット載置部
５１０ 第２カセット
６００ 搬送ユニット
６１０Ａ 搬送ユニット
６１０Ｂ 搬送ユニット
６１２Ａ 吸着パッド
６１２Ｂ 吸着パッド
６１４Ａ 移動テーブル
６１４Ｂ 移動テーブル
６１６Ａ 可動アーム
６１６Ｂ 可動アーム
６２０ 搬送ユニット
６２２ 保持ハンド
６２２Ａ 支持部材
６２２Ｂ 係合部材
６２２Ｍ 開口
６２４ 移動テーブル
６２６ 可動アーム
６２８ 押圧機構
６２９ 押圧部材
６３０Ａ 移動機構
６３０Ｂ 移動機構
６３２Ａ ガイド部材
６３２Ｂ ガイド部材
６３４Ａ アクチュエータ
６４０ 移動機構
６４２ ガイド部材
７００ 制御手段
７１０ 演算処理装置
７１１ 第１加工プログラム指示部
７１２ 第２加工プログラム指示部
７１３ 第３加工プログラム指示部
７１４ 第４加工プログラム指示部
７２０ 記憶装置
７２１ 第１加工プログラム
７２２ 第２加工プログラム
７２３ 第３加工プログラム
７２４ 第４加工プログラム
７３０ 入出力インターフェース装置
８００ 分割装置
８１０ フレーム保持手段
８１１ フレーム保持部材
８１１Ａ 載置面
８１２ クランプ機構
８２０ テープ拡張手段
８２１ 拡張ドラム
８３０ 支持手段
８３１ エアシリンダ
８３２ ピストンロッド
９００ チャンバ
ＡＸ１ テーブル回転軸
ＡＸ２ 研削回転軸
ＬＢ レーザー光線

Claims (3)

  1. 交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウェーハに加工を施すウェーハ加工システムであって、
    ウェーハにレーザー光線を照射して、該分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に改質層を形成するレーザー光線照射ユニットを備えるレーザー加工装置と、
    ウェーハの裏面を研削しウェーハを薄化する研削ユニットを備える研削装置と、
    該研削装置で研削されたウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに、該ダイシングテープの外周縁に環状フレームを固定するフレームユニット形成手段と、ウェーハの表面に貼着された保護テープを剥離する剥離手段とを備えるテープ貼着装置と、
    表面に該保護テープが貼着されたウェーハを複数収容する第１のカセットを載置する第１のカセット載置部と、
    該ダイシングテープで環状フレームの開口に支持されたウェーハを複数収容する第２のカセットを載置する第２のカセット載置部と、
    該レーザー加工装置、該研削装置、該テープ貼着装置、該第１のカセット、該第２のカセットの間でウェーハを搬送する搬送ユニットと、
    各構成要素を制御する制御手段と、を備え、
    該制御手段は、
    該第１のカセットから搬出したウェーハを、該レーザー加工装置、該研削装置、該テープ貼着装置、該第２のカセットの順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハに順次施す第１加工プログラム指示部と、
    該第１のカセットから搬出したウェーハを、該研削装置、該レーザー加工装置、該テープ貼着装置、該第２のカセットの順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハに順次施す第２加工プログラム指示部と、を備えるウェーハ加工システム。
  2. 該搬送ユニットは、
    該ウェーハのレーザー装置への搬入、搬出、研削装置への搬入、搬出、及びテープ装着装置への搬入を実施可能である第１搬送ユニット及び第２搬送ユニットと、
    該ウェーハのレーザー装置への搬入、搬出、研削装置への搬入、搬出、及びテープ装着装置からの搬出を実施可能である第３搬送ユニットと、を有し、
    該第１搬送ユニットによるウェーハの搬送動作と並行して、該第２搬送ユニットがウェーハを搬送可能であるとともに、
    該第１搬送ユニット及び該第２搬送ユニットの少なくとも一方によるウェーハの搬送動作と並行して、該第３搬送ユニットは、ウェーハを搬送可能である請求項１に記載のウェーハ加工システム。
  3. 該制御手段は、
    該第１のカセットから搬出したウェーハを、該研削装置、該テープ貼着装置の順で搬送し、それぞれの装置による加工を１枚のウェーハに施す第３加工プログラム指示部と、
    該第１のカセット又は該第２のカセットから搬出したウェーハを、該レーザー加工装置に搬送し、該レーザー加工装置による加工をウェーハに施す第４加工プログラム指示部と、を備え、
    該第３加工プログラムと該第４加工プログラムは並行して遂行される請求項１又は請求項２記載のウェーハ加工システム。
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