JP2000216123A - ウエハの裏面研削およびダイシング方法 - Google Patents

ウエハの裏面研削およびダイシング方法

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JP2000216123A
JP2000216123A JP5134099A JP5134099A JP2000216123A JP 2000216123 A JP2000216123 A JP 2000216123A JP 5134099 A JP5134099 A JP 5134099A JP 5134099 A JP5134099 A JP 5134099A JP 2000216123 A JP2000216123 A JP 2000216123A
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wafer
grinding
annular frame
protective film
chuck mechanism
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Saburo Sekida
三郎 関田
Motoo Yoshida
元夫 吉田
Tomio Kubo
富美夫 久保
Hiroaki Kida
浩章 喜田
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Okamoto Machine Tool Works Ltd
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Okamoto Machine Tool Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 研削時およびダイシング時において、ウエハ
の破損の少ないウエハの搬送方法、裏面研削方法、ダイ
シング方法を提案する。 【解決手段】 表面にパターンを形成したウエハのパタ
ーン面に、ウエハ径よりも大きいサイズの粘着保護フィ
ルムを貼付し、これをウエハ径よりも大きいサイズの環
状フレームに貼着してウエハを環状フレーム内に位置さ
せ、該環状フレームを研削盤のスピンドル軸に軸承され
たヘッドにウエハのパターン面がヘッドに接するように
取り付け、ついでウエハ裏面を砥石で研削した後、ウエ
ハの研削された面をエッチング処理または研摩して研削
により生じた破砕傷をなくし、ついで環状フレームごと
粘着保護フィルムに貼付されている厚み30〜80μm
のウエハをダイサーのチャック機構にパターン面がチャ
ック機構に相向するように載置し、ついで、ウエハ裏面
側よりカッター刃を押しつけて裁断することを特徴とす
る、ウエハの裏面研削・ダイシング方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICカード用ウエ
ハの製造に適した表面にパターンを形成したウエハの裏
面研削、ダイシング方法に関する。特に、厚みが30〜
80μmの極薄のウエハの搬送を考慮した研削、ダイシ
ング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ICカード(特許第2510520号、
同2510669号)は、記録の書き込み、消去、書き
直しが可能であり、記録容量が大きく、記録帳を兼ねる
ので、現行するバンクカード、鉄道運行記録カード、シ
ョッピングカード、テレホンカードに代っての利用が検
討されている。このようなICカードは、ICチップモ
デュールと、このICモデュール挿着用の凹部が形成さ
れたカード基材とから形成される。
【0003】ICカードは一部にはマイコン電子カード
として利用されているが、厚みが500〜2,000μ
mと厚く、厚み、が100〜300μmのプリペイド磁
気記録カード程は利用されてない。ICカードの厚みを
プリペイド磁気記録カードの厚みほどにするには、デバ
イス形成されたウエハの厚みを30〜150μm、好ま
しくは30〜80μmとすることが必要であり、かかる
厚みのシリコンウエハは径が8〜12インチのものでは
可撓性があり、搬送しにくいのと衝撃により破損しやす
い。現在では8インチのウエハでは厚み100μmが、
12インチのウエハでは150μmが上限である。
【0004】また、現在のパターンが表面に形成された
ウエハは、研削・研摩されたシリコンウエハ表面にパタ
ーンを形成した厚み200〜500μmのウエハのパタ
ーン面を粘着保護シートを貼付して保護し、これを研削
盤のスピンドル軸に軸承されたヘッドにウエハのパター
ン面がヘッドに接するように取り付け、ついでウエハ裏
面を砥石で研削して厚み120〜220μmとした後、
ウエハの研削された面をエッチング処理して研削により
生じた破砕傷をなくし、必要により更に研摩し、ついで
粘着保護シートを剥離し、ダイシングする(特開平2−
39432号、同2−303128号、同3−2083
41号、同5−206104号、同7−130703
号、同9−223680号、特許第2610703
号)。粘着保護シートとして厚み150μm前後のUV
硬化性粘着テープを用い、ウエット洗浄による粘着テー
プ剥離でなく、UV照射により硬化させてからシートを
剥離する方法も提案されている(特開平6−22439
7号、同7−297171号)。
【0005】ウエハをダイシングする際は、パターン面
を上に向けてセラミック製チャックにのせ、パターン面
側よりカッターナイフ刃を下降させてウエハを切断して
細片化する。また、ウエハが100〜120μmと薄い
場合は、ウエハの破損を防ぐために環状フレームに貼着
した粘着シートまたはフィルム上にウエハ裏面を貼着面
とし、パターン面を上面としてチャック機構に載置し、
パターン面側よりカッターナイフ刃を下降させてウエハ
を切断して細片化することも提案されている(特開平9
−139363号)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ裏面研
削、ダイシング方法を、径が8〜12インチのウエハの
裏面研削された厚みが30〜120μmと薄いウエハに
採用しようとすると搬送時にウエハが破損しやすい。ま
た、粘着フィルムまたはシートをダイシング前に剥離す
る工程が加わり、場合によっては2枚の粘着保護シート
またはフィルムが必要とされる。本発明は、厚みが30
〜80μmと特に薄いウエハであっても搬送時の破損率
が低く、かつ、粘着保護シートまたはフィルムの貼り替
えが必要でなく、1枚の保護粘着シートまたはフィルム
で裏面研削・ダイシングできる方法を提供するものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面にパター
ンを形成したウエハのパターン面に、ウエハ径よりも大
きいサイズの粘着保護フィルムを貼付し、これをウエハ
径よりも大きいサイズの環状フレームに貼着してウエハ
を環状フレーム内に位置させ、該環状フレームを研削盤
のスピンドル軸に軸承されたヘッドにウエハのパターン
面がヘッドに接するように取り付け、ついでウエハ裏面
を砥石で研削した後、ウエハの研削された面をエッチン
グ処理または研摩して研削により生じた破砕傷をなく
し、ついで環状フレームごと粘着保護フィルムに貼付さ
れているウエハをダイサーのチャック機構にパターン面
がチャック機構に相向するように載置し、ついで、ウエ
ハ裏面側よりカッター刃を押しつけて裁断することを特
徴とする、ウエハの裏面研削・ダイシング方法を提供す
るものである。
【0008】粘着保護フィルムを介してウエハを環状フ
レームに固定し、環状フレームを吸着パッドあるいは搬
送用ロボットアームで吸着してウエハを搬送するのでウ
エハの破損率が小さくなる。パターンが形成されたウエ
ハは、それまでに何百通りの工程を経て形成され、高価
であるので、破損が少ないことはチップ1個当たりの単
価を押し下げる利点がある。また、粘着保護フィルムを
介してウエハを環状フレームに固定した状態で、ウエハ
を搬送、研削、エッチング、ダイシングするので保護フ
ィルムは1枚でよく、貼り替えの時間が短縮できる。
【0009】本発明はまた、上記粘着保護フィルムとし
て、厚み15〜100μmの透明な熱可塑性樹脂フィル
ムの表面にUV照射硬化性樹脂粘着剤を塗布して形成さ
れたものを用いる。厚みが薄い延展性フィルムを用いる
ことにより、ウエハ研削時にチャック機構を僅かに環状
フレームより上昇させることができ、環状フレームを削
らずにウエハを研削できる。また、ダイシング後、保護
フィルムを引っ張って延展させることにより切断された
ウエハ細片(チップ)の保護フィルムからの剥離を容易
とする。
【0010】本発明はまた、前記ウエハの裏面研削・ダ
イシング方法において、カッター刃でウエハ切断後、粘
着保護フィルムにUV照射してUV照射硬化性樹脂を硬
化させることにより保護フィルムの粘着性をなくし、つ
いで保護フィルムより切断されたウエハ細片を剥離する
ことを特徴とする。
【0011】UV照射硬化性粘着保護フィルムを用いる
ことにより、ウエハの搬送、研削、エッチング、ダイシ
ング時の再は、フィルムは粘着性を有しているのでウエ
ハの保護フィルム上の移動がなく、ウエハのアライメン
トは正確に行われる。ダイシング後は、保護フィルムは
UV照射により保護フィルムは粘着性が消滅するので保
護フィルムからの切断されたウエハ細片の剥離、回収が
容易となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。図1は研磨盤を備える研削装置の上面図、
図2は研削装置のインデックスターンテーブル部分での
断面図、図3はウエハのパターン形成面を粘着性の保護
フィルムで被覆し、保護フィルムを環状フレームに貼付
した状態を示す上面図、図4はウエハ裏面研削直前のチ
ャック機構と、環状フレームと、保護フィルム、ウエハ
の状態を示す部分断面図、図5は研削、エッチングされ
たウエハをウエハ裏面よりダイシングする状態を示すダ
イシング装置の部分断面図である。
【0013】図1、図2に示す研削装置において、1は
研削装置、左側の2はウエハローディング用カセット、
右側の2はウエハアンローディング用カセット、3は基
台、4は床、5はロボット、5aは基台より立設した枠
体、6はウエハ仮置台、7はウエハエッチング機構、
8、8は搬送パッド、8a,8aは吸着パッド、8b,
8’bは柄、8c,8cは軸、9は基台の中央部を刳り
抜いた箇所に設けたインデックスターンテーブル、s1
はウエハローディング/ウエハアンローディングゾー
ン、s2は粗研削ゾーン、s3は仕上研削ゾーン、9
a,9b,9cはチャック機構、10a,10bは基台
より立設した壁、11は粗研削砥石、11aは第1スピ
ンドル軸、12は仕上砥石、12aは第2スピンドル
軸、13はチャック洗浄機構、14はセラミック製チャ
ッククリーナ、15は研磨機構、15aはチャック機
構、15cは洗浄液供給機構、15dは空気供給ノズル
である。
【0014】図3において、16はウエハwのパターン
形成面を被覆した粘着性の保護フィルム、17は環状フ
レームである。図4のウエハチャック機構9a,9b,
9cにおいて、91は上面が台形状のポーラスセラミッ
ク製ウエハ載置板、92はフランジ、93は流体通路で
ある。図5におけるダイシング装置18において、18
1はスピンドル軸、182はカッター刃、183はウエ
ハチャックテーブル、183aはポーラスセラミック製
ウエハ載置台、183bは回転軸である。
【0015】前述の研削装置を用いてウエハを研削、エ
ッチングまたは研削・エッチング、研磨するには、次の
工程を経て行う。 (1)吸着アーム5b,5cが下側となるように吊した
多関節型ロボット5の吸着アーム5cにウエハローディ
ング用カセット2より、ウエハwを貼付している保護フ
ィルム16を貼着している環状フレーム17を吸着さ
せ、これを仮置台3上に載せる。
【0016】(2)インデックスターンテーブル9を
120度回転させ、ついで仮置台上のウエハを備える
環状フレーム17を搬送パッド8に吸着させ、搬送パッ
ドを回動させて環状フレームをインデックスターンテー
ブルのウエハローディング/ウエハアンローディングゾ
ーンs1のチャック機構9aに移送する。フランジ92
に設けた流体通路93を減圧することにより環状フレー
ム17をチャック機構に固定し、ついでポーラスセラミ
ック製ウエハ載置板を若干環状リングより上に移動させ
る。その間に前記多関節型ロボット5の吸着アームに
ウエハローディング用カセットよりウエハwを貼付して
いる保護フィルム16を貼着している環状フレーム17
を吸着させ、これを仮置台3上に載せる。
【0017】(3)インデックスターンテーブル9を
120度回転させてチャック機構aを粗研削ゾーンs2
に移動、チャック機構bをウエハローディング/ウエハ
アンローディングゾーンs1に移動させた後、第1番
目のスピンドル軸10aを下降させて砥石11をウエハ
に押圧し、チャック機構9aおよび第1スピンドル軸を
回転させてウエハの粗研削を行い、ついで、第1番目
のスピンドル軸を上昇させ、この間に仮置台3上の環
状フレームを搬送パッド8でインデックスターンテーブ
ル9のウエハローディング/ウエハアンローディングゾ
ーンs1のチャック機構9bに移送する。フランジ92
に設けた流体通路93を減圧することにより環状フレー
ム17をチャック機構に固定し、ついでポーラスセラミ
ック製ウエハ載置板を若干、環状リングより高めに上昇
させる。平行して、多関節型ロボット5を用いてウエ
ハローディング用カセット2内のウエハwを貼付してい
る保護フィルムを貼着している環状フレーム17を仮置
台3の上に載せる。
【0018】(4)インデックスターンテーブル9を
120度回転させて仕上研削ゾーンs3にチャック機構
9aを移動、チャック機構9bを粗研削ゾーンs2に移
動、チャック機構9cをウエハローディング/ウエハア
ンローディングゾーンs1に移動させた後、第2番目
のスピンドル10b軸を下降させて砥石12をウエハに
押圧し、チャック機構9aおよびスピンドル軸を回転さ
せてウエハの仕上研削を行い、ついで、第2番目のスピ
ンドル軸を上昇させ、この間に第1番目のスピンドル
軸10aを下降させて砥石11をウエハに押圧し、チャ
ック機構9bおよびスピンドル軸を回転させてウエハの
粗研削を行い、ついで、第1番目のスピンドル軸を上昇
させ、一方仮置台3上のウエハを左側の搬送パッド8
でインデックスターンテーブルのウエハローディング/
ウエハアンローディングゾーンs1のチャック機構9c
に移送する。フランジ92に設けた流体通路93を減圧
することにより環状フレーム17をチャック機構に固定
し、ついでポーラスセラミック製ウエハ載置板を若干、
環状リング17より高めに上昇させる。平行して、多
関節型ロボット5を用いてウエハローディング用カセッ
ト2内のウエハwを貼付している保護フィルムを貼着し
ている環状フレーム17を仮置台3の上に載せる。
【0019】(5)インデックスターンテーブル9を
120度回転させてチャック機構9aをウエハローディ
ング/ウエハアンローディングゾーンs1に、チャック
機構9bを仕上研削ゾーンs3ならびにチャック機構9
cを粗研削ゾーンs2に移動し、右側の搬送パッド8
で仕上研削されたウエハを備える環状フレーム17をエ
ッチング機構に移送し、該ウエハをエッチング、リンス
洗浄、空気乾燥した後、多関節型ロボット5を右側に移
動させて該ロボットのアームに仕上研削およびエッチン
グされたウエハを備える環状フレーム17を吸着させ、
これを研磨盤15のチャック機構15aに載せ、研磨パ
ッド15bをウエハ面に押圧し、チャック機構、研磨パ
ッドを回転させて研磨を行い、研磨されたウエハの表面
を洗浄機構15cより噴射される洗浄液で洗浄、ついで
空気供給ノズル15dより空気を吹き付けて乾燥後、多
関節型ロボット5の吸着アームにウエハを備える環状フ
レームを吸着させ、右側のアンローディング用カセット
2内に収納し、ついで、左側の搬送パッド8を回動さ
せて仮置台3上のウエハをインデックスターンテーブル
のウエハローディング/ウエハアンローディングゾーン
s1のチャック機構9aにフランジ92に設けた流体通
路93を減圧することにより環状フレーム17をチャッ
ク機構に固定し、ついでポーラスセラミック製ウエハ載
置板を若干、環状リング17より高めに上昇させる。平
行して、前記多関節型ロボットを左側に移動させ、多
関節型ロボットの吸着アームにウエハローディング用カ
セットよりウエハwを貼付している保護フィルムを貼着
している環状フレーム17を吸着させ、これを仮置台3
上に載せ、その間に第2番目のスピンドル軸を下降さ
せて砥石をウエハに押圧し、チャック機構9bおよびス
ピンドル軸を回転させてウエハの仕上研削を行い、つい
で、第2番目のスピンドル軸を上昇させ、また、第1
番目のスピンドル軸を下降させて砥石をウエハに押圧
し、チャック機構9cおよびスピンドル軸を回転させて
ウエハの粗研削を行い、ついで、第1番目のスピンドル
軸を上昇させる。
【0020】(6)インデックスターンテーブルを1
20度回転させてチャック機構9bをウエハローディン
グ/ウエハアンローディングゾーンに、チャック機構9
cを仕上研削ゾーンにならびにチャック機構9aを粗研
削ゾーンに移動し、搬送パッドで仕上研削されたウエ
ハを備える環状フレーム17をエッチング機構に移送
し、該ウエハをエッチング、リンス洗浄、空気乾燥した
後、多関節型ロボットを右側に移動させて該ロボットの
アームに仕上研削およびエッチングされたウエハを備え
る環状フレーム17を吸着させ、これを研磨盤のチャッ
ク機構に載せ、研磨パッドをウエハ面に押圧し、チャッ
ク機構、研磨パッドを回転させて研磨を行い、研磨され
たウエハの表面を洗浄、乾燥後、多関節型ロボット5の
吸着アームにウエハを備える環状フレーム17を吸着さ
せ、アンローディング用カセット2内に収納し、つい
で、搬送パッドを回動させて仮置台3上の環状フレーム
17をインデックスターンテーブル9のウエハローディ
ング/ウエハアンローディングゾーンのチャック機構9
bにフランジ92に設けた流体通路93を減圧すること
により環状フレーム17をチャック機構に固定し、つい
でポーラスセラミック製ウエハ載置板を若干、環状リン
グ17より高めに上昇させる。平行して、前記多関節
型ロボットを左側に移動させ、多関節型ロボットの吸着
アームにウエハローディング用カセットよりウエハwを
貼付している保護フィルムを貼着している環状フレーム
17を吸着させ、これを仮置台上に載せ、その間に第
2番目のスピンドル軸を下降させて砥石をウエハに押圧
し、チャック機構9cおよびスピンドル軸を回転させて
ウエハの仕上研削を行い、ついで、第2番目のスピンド
ル軸を上昇させ、また、第1番目のスピンドル軸を下
降させて砥石をウエハに押圧し、チャック機構9aおよ
びスピンドル軸を回転させてウエハの粗研削を行い、つ
いで、第1番目のスピンドル軸を上昇させる。
【0021】(7)インデックスターンテーブルを1
20度回転させてチャック機構9cをウエハローディン
グ/ウエハアンローディングゾーンに、チャック機構9
aを仕上研削ゾーンにならびにチャック機構9bを粗研
削ゾーンに移動し、搬送パッドで仕上研削されたウエ
ハを備える環状フレームをエッチング機構に移送し、該
ウエハをエッチング、リンス洗浄、空気乾燥した後、多
関節型ロボットを右側に移動させて該ロボットのアーム
に仕上研削およびエッチングされたウエハを備える環状
フレームを吸着させ、これをアンローディング用カセッ
ト内に収納し、ついで、搬送パッドを回動させて仮置
台上のウエハをインデックスターンテーブルのウエハロ
ーディング/ウエハアンローディングゾーンのチャック
機構9cにフランジ92に設けた流体通路93を減圧す
ることにより環状フレーム17をチャック機構に固定
し、ついでポーラスセラミック製ウエハ載置板を若干、
環状リング17より高めに上昇させる。平行して、前
記多関節型ロボットを左側に移動させ、多関節型ロボッ
トの吸着アームにウエハローディング用カセットよりウ
エハwを貼付している保護フィルムを貼着している環状
フレームを吸着させ、これを仮置台上に載せ、その間に
第2番目のスピンドル軸を下降させて砥石をウエハに
押圧し、チャック機構9aおよびスピンドル軸を回転さ
せてウエハの仕上研削を行い、ついで、第2番目のスピ
ンドル軸を上昇させ、また、第1番目のスピンドル軸
を下降させて砥石をウエハに押圧し、チャック機構9b
およびスピンドル軸を回転させてウエハの粗研削を行
い、ついで、第1番目のスピンドル軸を上昇させる。
【0022】(8)以下、インデックスターンテーブル
9の回動と、粗研削ウエハの仕上研削、エッチング、ウ
エハの研磨、研磨されたウエハのアンローディング用カ
セット内の収納、新たなウエハwを貼付している保護フ
ィルム16を貼着している環状フレーム17のウエハロ
ーディング/ウエハアンローディングゾーンのチャック
機構への移送、ウエハの粗研削の(5)から(7)の工
程を繰り返す。ウエハ研削面の破砕傷の消滅および目的
とするウエハ厚みの調整がエッチング工程のみで十分
で、研磨工程が必要でないときは、エッチング機構7で
エッチングされたウエハを備える環状フレームを多関節
型ロボット5でアンローディング用カセット2内に搬送
し、収納する。
【0023】次に、ウエハをダイシングするには、前記
カセット2内に収納された研削・エッチングがなされた
ウエハを保護フィルムに貼付し、この保護フィルムを貼
着した環状フレーム17をカセット2よりダイシング装
置18のチャックテーブル183上にパターン形成面を
下に、裏面研削、エッチングされた裏面を上側として載
置し、チャックテーブルを移動してアライメント機構に
よりアライメントした後、スピンドル軸182でカッタ
ー刃を回転させるとともに昇降機構でカッター刃を下降
させ、ウエハを切断する。
【0024】ウエハは、厚みが30〜80μmと非常に
薄いので、ウエハ裏面側より赤外線を照射し、反射光を
利用するパターン認識センサーでウエハを賽の目に切断
する切断ラインを認識しながらウエハ位置をアライメン
トし、アライメントされたウエハをダイシングするので
ダイシングは正確に行われる。
【0025】チャックテーブル183より、ダイシング
されたウエハ細片を貼付している保護フィルムを保持し
ている環状リング17ごと搬送し、ついで溶剤を保護フ
ィルム上に流してウエハ細片を剥離し、回収する。また
は、環状リングに保持されているUV硬化性保護フィル
ムにUV(紫外線、電子線等)照射してUV硬化性樹脂
を硬化させて保護フィルムの粘着性を消滅させ、ついで
保護フィルムを引っ張って延展させることにより保護フ
ィルムよりウエハ細片を剥離し、回収する。
【0026】UV硬化性保護フィルムは、直鎖線状低密
度ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等の厚
み15〜250μm、好ましくは15〜100μmの透
明な熱可塑性樹脂フィルムの表面に、UV硬化性樹脂組
成物を5〜100g/m塗布したもので、常温で粘着
性を有し、UV照射後は粘着性を示さないものである。
【0027】UV硬化性樹脂組成物は、多官能のビニル
基を有するオリゴマー、希釈剤の単官能ビニルモノマ
ー、熱可塑性樹脂、光吸収剤、必要により非官能の有機
溶剤、粘着剤、ワックス、シリコンオイル等を配合した
ものである。UV硬化性保護フィルムは、例えばリンテ
ック株式会社、積水化学工業株式会社、東京応化工業株
式会社より販売されている。中でも厚みが20〜40μ
mの熱可塑性樹脂フィルムを使用しているリンテック株
式会社の製品が、延展性の面から良好である。特に、熱
可塑性樹脂フィルムが日本ポリケム株式会社のカミンス
キー触媒を用いてエチレンと、α−オレフィンとを共重
合させて得られる直鎖線状低密度ポリエチレン「カーネ
ル」(商品名)を用いたものが延展性の面から好まし
い。また、環状フレームは、耐薬品性に良好なテトラフ
ルオロエチレンポリマーで被覆されたステンレス製のも
のが好ましい。
【0028】
【実施例】図1に示すエッチング機構を備える裏面研削
装置を用いて、表面にパターンも酔うが形成された8イ
ンチ径のシリコンウエハ(厚み150μm)の研削、エ
ッチングを行った。リンテック株式会社のUV硬化性保
護フィルムを10インチ径に断裁し、この中央にウエハ
のパターン面が保護フィルムのUV硬化性樹脂組成物の
粘着剤層に接するように貼付し、さらにこれを10イン
チ径で、リング幅が25mmの環状フレームに貼着し
た。前述した(1)から(4)の工程で、粗研削はスピ
ンドル軸の回転数を3000rpm、チャック機構の回
転数を400rpmで、仕上研削をスピンドル軸の回転
数を3600rpm、チャック機構の回転数を250r
pmで行い、ウエハの厚みを51μmまで減じた。研削
面の破砕傷の最大深さは0.5μmであった。
【0029】これを弗化水素酸、過酸化水素水溶液でエ
ッチングし、純水でリンス洗浄、空気乾燥して破砕傷を
消滅させて厚み50μmのウエハとした。このウエハを
貼付する保護フィルムを貼着する環状フレームをダイサ
ーのチャックテーブル上にロボットのハンドアームでパ
ターン面が下側となるように搬送し、テーブルを移動さ
せてアライメントし、カッター刃を回転、下降させ切断
を行ってウエハ細片にし、環状フレームをチャックテー
ブルより離し、ついで水銀蛍光燈より紫外線を照射して
保護フィルムの粘着剤層を硬化させた後、保護フィルム
を引っ張って環状フレーム上を滑らしながら延展してウ
エハ細片を保護フィルムより剥離させた。剥離は容易で
あった。インデックスターンテーブルの回動を行い、パ
ターンが形成された高価なウエハ10枚の裏面研削、エ
ッチング、ダイシングを続行したところ、搬送時、破損
するウエハはなかった。
【0030】
【発明の効果】パターンが形成されたウエハが極めて薄
肉であっても、ウエハの搬送時の破損率が小さい研削、
エッチング、ダイシング方法である。また、保護フィル
ムの貼り替えが不要であるので、加工時間を短縮でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】研磨盤を備える研削装置の上面図である。
【図2】研削装置のインデックスターンテーブル部分で
の断面図である。
【図3】ウエハのパターン形成面を粘着性の保護フィル
ムで被覆し、保護フィルムを環状フレームに貼付した状
態を示す上面図である。
【図4】ウエハ裏面研削直前のチャック機構と、環状フ
レームと、保護フィルム、ウエハの状態を示す部分断面
図である。
【図5】研削、エッチングされたウエハをウエハ裏面よ
りダイシングする状態を示すダイシング装置の部分断面
図である。
【符号の説明】
1 研削装置 w パターン形成ウエハ 3 仮置台 5 吊り下げ型多関節ロボット 7 エッチング機構 8 搬送パッド 11 粗研削砥石 12 仕上研削砥石 15 研磨機構 16 粘着性保護フィルム 17 環状フレーム 18 ダイシング装置
フロントページの続き (72)発明者 喜田 浩章 神奈川県厚木市上依知3009番地 株式会社 岡本工作機械製作所半導体事業部内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面にパターンを形成したウエハのパタ
    ーン面に、ウエハ径よりも大きいサイズの粘着保護フィ
    ルムを貼付し、これをウエハ径よりも大きいサイズの環
    状フレームに貼着してウエハを環状フレーム内に位置さ
    せ、該環状フレームを研削盤のスピンドル軸に軸承され
    たヘッドにウエハのパターン面がヘッドに接するように
    取り付け、ついでウエハ裏面を砥石で研削した後、ウエ
    ハの研削された面をエッチング処理または研摩して研削
    により生じた破砕傷をなくし、ついで環状フレームごと
    粘着保護フィルムに貼付されているウエハをダイサーの
    チャック機構にパターン面がチャック機構に相向するよ
    うに載置し、ついで、ウエハ裏面側よりカッター刃を押
    しつけて裁断することを特徴とする、ウエハの裏面研削
    ・ダイシング方法。
  2. 【請求項2】 粘着保護フィルムが、厚み15〜100
    μmの透明な熱可塑性樹脂フィルムの表面にUV照射硬
    化性樹脂粘着剤を塗布して形成されたものである、請求
    項1に記載のウエハの裏面研削・ダイシング方法。
  3. 【請求項3】 カッター刃でウエハ切断後、粘着保護フ
    ィルムにUV照射してUV照射硬化性樹脂を硬化させる
    ことにより保護フィルムの粘着性をなくし、ついで保護
    フィルムより切断されたウエハ細片を剥離することを特
    徴とする、請求項2に記載のウエハの裏面研削・ダイシ
    ング方法。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075920A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
JP2002141309A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシートおよびその使用方法
JP2002270560A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Lintec Corp ウエハの加工方法
JP2002299295A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法
JP2003007648A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割システム
WO2003060974A1 (fr) * 2002-01-11 2003-07-24 Disco Corporation Element de protection pour plaquette semi-conductrice et procede de meulage d'une plaquette semi-conductrice
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2005340423A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2007012810A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
CN100385691C (zh) * 2004-12-08 2008-04-30 深圳市方大国科光电技术有限公司 倒装发光二极管的划片方法
JP2011042003A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Disco Abrasive Syst Ltd 保持テーブルおよび研削装置
JP2011091293A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011125988A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2012059994A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 保持装置
JP2014011378A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着装置およびウェーハ吸着方法
JP2018117014A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ 搬出機構
WO2023068088A1 (ja) * 2021-10-20 2023-04-27 デンカ株式会社 凸部を有する半導体ウエハの加工用粘着シートに用いられる基材

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075920A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
JP2002141309A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシートおよびその使用方法
JP2002270560A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Lintec Corp ウエハの加工方法
JP2002299295A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の加工方法
JP2003007648A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割システム
WO2003060974A1 (fr) * 2002-01-11 2003-07-24 Disco Corporation Element de protection pour plaquette semi-conductrice et procede de meulage d'une plaquette semi-conductrice
JP2005340431A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2005340423A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
CN100385691C (zh) * 2004-12-08 2008-04-30 深圳市方大国科光电技术有限公司 倒装发光二极管的划片方法
JP2007012810A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2011042003A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Disco Abrasive Syst Ltd 保持テーブルおよび研削装置
JP2011091293A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011125988A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2012059994A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 保持装置
JP2014011378A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着装置およびウェーハ吸着方法
JP2018117014A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ 搬出機構
WO2023068088A1 (ja) * 2021-10-20 2023-04-27 デンカ株式会社 凸部を有する半導体ウエハの加工用粘着シートに用いられる基材

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