TW201432833A - 半導體製造裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供一種可檢測於拾取時或安裝時半導體晶片有無產生裂痕之半導體製造裝置。本發明之實施形態之半導體製造裝置包括：頂起機構，其頂起經單片化之半導體晶片；拾取機構，其拾取由頂起機構頂起之半導體晶片；及檢測器，其介隔頂起機構而檢測半導體晶片之頂起時之彈性波。

Description

半導體製造裝置 【相關申請案】

本申請案享有將日本專利申請案2013-25685號(申請日：2013年2月13日)作為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。

本發明之實施形態係關於一種半導體製造裝置。

近年來，半導體封裝之小型化、薄型化不斷發展。又，亦存在於一個半導體封裝內積層複數個半導體裝置之半導體封裝。因此，半導體晶片之厚度變得非常薄。其結果，於將半導體基板貼附於切割片並進行切割後，自切割片拾取經單片化之半導體裝置時，於半導體晶片容易產生裂痕。又，於將自切割片拾取之半導體晶片載置於引線框架(lead frame)或配線基板(以下，簡單地記作基板)上時，半導體晶片中亦容易產生裂痕。

作為於拾取時在半導體晶片產生裂痕之原因，考慮切割片之黏著性根據位置而存在差異從而使拾取時施加至半導體晶片之負載有所不同之情形、或拾取之條件(頂起速度或頂起量等)不符之情形等。又，作為於安裝時在半導體晶片產生裂痕之原因，考慮載置時之按壓負載過大之情形、或於基板上存在異物而使負載集中於一點之情形等。

關於產生有裂痕之半導體晶片，必須進行將其作為不良品而廢 棄等處理，為了判斷有無裂痕，必須進行藉由放大觀察之檢查或藉由探測之電特性檢查。然而，對所有半導體晶片放大觀察而進行檢查作為現實問題不可能實現。又，關於藉由探測之電特性檢查，在厚度較薄之半導體晶片上難以進行。因此，在將半導體晶片封裝化後之最終測試時之前，未得知由裂痕引起之半導體晶片之問題，根據情形，在發現問題之前之期間內將會製造大量之不良品。

為了解決上述課題，例如，提出於以吸頭吸附晶片而將其自切割片等剝離之情形時，藉由監視吸頭之吸附系統之流量，而監視晶片自黏著帶完全地剝離之前之晶片之彎曲狀態。

如上所述，在拾取時或安裝時於半導體晶片易於產生裂痕，因而謀求可檢測出有無產生該裂痕之半導體裝置。

本發明之實施形態之目的在於提供一種可檢測出於拾取時或安裝時半導體晶片有無產生裂痕之半導體製造裝置。

本發明之實施形態之半導體製造裝置包括：頂起機構，其頂起經單片化之半導體晶片；拾取機構，其拾取由頂起機構頂起之半導體晶片；及檢測器，其介隔頂起機構而檢測半導體晶片之頂起時之彈性波。

2‧‧‧切割片

3‧‧‧晶圓環

100‧‧‧拾取裝置

110‧‧‧保持機構

120‧‧‧頂起機構

120a‧‧‧頂起機構之上表面

121‧‧‧頂起單元

122‧‧‧固持器

130‧‧‧X-Y平台

140‧‧‧支撐構件

150‧‧‧夾頭

160‧‧‧驅動機構

170‧‧‧缸體

180‧‧‧檢測器

200‧‧‧安裝裝置

210‧‧‧固持器

220‧‧‧夾頭

230‧‧‧缸體

240‧‧‧驅動機構

250‧‧‧電離器

260‧‧‧檢測器

300‧‧‧控制裝置

300a‧‧‧記憶體

400‧‧‧精密工作台

C‧‧‧半導體晶片

E‧‧‧彈性能量

e1‧‧‧閾值

e2‧‧‧閾值

e3‧‧‧閾值

e4‧‧‧閾值

e5‧‧‧閾值

e6‧‧‧閾值

F‧‧‧流量

R‧‧‧頂起量

S‧‧‧頂起速度

T‧‧‧基板

T‧‧‧保持時間

W‧‧‧負載

圖1係實施形態之半導體製造裝置之構成圖。

圖2(a)、(b)係實施形態之拾取裝置之頂起機構之動作說明圖。

圖3(a)、(b)係實施形態之拾取裝置之頂起機構之動作說明圖。

圖4(a)、(b)係實施形態之安裝裝置之安裝機構之動作說明圖。

圖5係實施形態之安裝裝置之安裝機構之動作說明圖。

圖6(a)、(b)係實施形態之半導體製造裝置中所記憶之表資料之一例。

圖7係表示實施形態之拾取裝置之動作之流程圖。

圖8係表示實施形態之拾取裝置之動作之流程圖。

以下，參照圖式對實施形態進行詳細說明。

(實施形態)

圖1係實施形態之半導體製造裝置之構成圖。該實施形態之半導體製造裝置包括：拾取裝置100，其自切割片2拾取經單片化之半導體晶片C；安裝裝置200，其將半導體晶片C載置於引線框架或配線基板(以下，簡單地記作基板T)上；控制裝置300，其控制拾取裝置100及安裝裝置200；及精密工作台(precision stage)400(交接台)。

(拾取裝置100)

拾取裝置100包括保持機構110、頂起機構120、X-Y平台130、支撐構件140、夾頭150、驅動機構160、缸體170及檢測器180。再者，拾取裝置100之動作係由控制裝置300進行控制。又，頂起機構120及夾頭150連接於未圖示之真空泵。

保持機構110保持晶圓環3。晶圓環3保持黏著有藉由切晶而單片化之半導體晶片C之切割片2之外周部。切割片2包含例如PVC(Polyvinyl chloride，聚氯乙烯)或PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等具有伸縮性之樹脂之片狀基材、及設置於該片狀基材之單面側(半導體晶片C側)之黏著劑層。黏著劑層較佳為使用藉由照射紫外線(UV)等而使黏著力下降之性質者。

頂起機構120將半導體晶片C自背面側(下側)頂起。X-Y平台130相對於切割片2上之半導體晶片C沿水平方向驅動頂起機構120，進行水平方向上之定位動作。支撐構件140支撐頂起機構120。

夾頭150吸附並拾取由頂起機構120頂起之半導體晶片C。驅動機構160相對於切割片2上之半導體晶片C沿水平方向驅動夾頭150，進行水平方向上之定位動作。缸體170相對於切割片2上之半導體晶片C沿垂直方向驅動夾頭150。

檢測器180例如為壓電元件(AE(Acoustic Emission，聲波發射)感測器)，檢測半導體晶片C之變形或損壞時所釋放之彈性能量並轉換成電信號。彈性能量通常係以聲波(主要具有數十kHz~數MHz之較高之頻率成分)之形式釋放。該聲波係伴隨著材料達到損壞之前之變形或裂痕之產生而產生。藉由檢測該聲波，可檢測出半導體晶片C之變形或裂痕之產生。

在圖1中，檢測器180係安裝於支撐頂起機構120之支撐構件140。然而，只要為可檢測出因半導體晶片C之裂痕產生而以聲波之形式釋放之彈性能量之位置，則亦可安裝於其他位置。因半導體晶片C之裂痕產生而導致產生之聲波亦經由彈性體(橡膠等)而傳遞。因此，可安裝於拾取裝置100之大部分之位置。

再者，為了去除因半導體晶片C之裂痕而導致產生之聲波以外之聲波(雜訊)，較佳為於檢測器180中設置使於矽(Si)中產生裂痕時所產生之聲波之頻帶通過之濾波器。該濾波器既可由硬體構成，亦可由軟體構成。進而，亦可僅於半導體晶片C之頂起動作時檢測彈性能量。藉由僅於半導體晶片C之頂起動作時檢測彈性能量，而可進一步去除雜訊。

拾取裝置100將切割片2上之半導體晶片C拾取並載置於精密工作台400(交接台)上。

(拾取動作)

圖2~圖3係頂起機構120之動作說明圖。以下，參照圖2、圖3對頂起機構120之構成及拾取動作簡單地進行說明。再者，拾取裝置100 之拾取動作係由控制裝置300進行控制。

頂起機構120包括多段頂起單元121(以下，記作頂起單元121)及固持器122。頂起機構120連接於未圖示之真空泵，且以能夠以頂起機構120之上表面120a吸附切割片2之背面之方式構成。

固持器122收容頂起單元121，且使頂起單元121升降。頂起單元121之升降係藉由未圖示之馬達及將馬達之旋轉運動轉換成直線運動之線性導軌而進行。由於頂起單元121由馬達驅動，故可變更頂起單元121之升降速度及頂起量。

其次，對動作進行說明。首先，控制驅動機構160，將夾頭150定位於作為拾取對象之半導體晶片C之正上方。又，控制X-Y平台130，將頂起機構120定位於作為拾取對象之半導體晶片C之正下方。

其後，使頂起機構120上升，使上表面120a抵接於切割片2之背面，並藉由抽真空而吸引切割片2之背面。又，使夾頭150下降並吸附半導體晶片C之上表面(參照圖2(a))。

使頂起單元121及夾頭150同時以相同之速度上升，使半導體晶片C上升至所需之高度。此時，固持器122內之頂起單元121自外周側向內周側逐漸上升。其結果，介隔切割片2將作為拾取對象之半導體晶片C上推至所需之高度(參照圖2(b)、圖3(a))。再者，此處所謂的「同時」、「相同之速度」，並非嚴格指「同時」、「相同之速度」之意，而只要大致為「同時」、「相同之速度」即可。

於頂起半導體晶片C後，將圖3(a)所示之狀態保持一定時間。該保持時間係為了將黏附於半導體晶片C之背面之切割片2自半導體晶片C之背面剝離所需。再者，該保持時間可藉由控制頂起機構120之馬達而變更。

經過一定時間後，控制缸體170，使夾頭150保持著吸附有半導體晶片C之狀態上升(參照圖3(b))。其後，藉由驅動機構160將經拾取 之半導體晶片C載置於圖1所示之精密工作台400上。

(安裝裝置200)

安裝裝置200包括固持器210、夾頭220、缸體230、驅動機構240、電離器250及檢測器260。再者，安裝裝置200之動作係由控制裝置300控制。又，夾頭220連接於未圖示之真空泵。

固持器210保持用以載置半導體晶片C之基板T。

夾頭220吸附並拾取載置於精密工作台400上之半導體晶片C。驅動機構240相對於固持器210沿水平方向驅動夾頭220，進行水平方向之定位動作。缸體230沿垂直方向驅動夾頭220。電離器250(靜電去除裝置)將空氣中之氧分子或氮分子離子化，藉由該經離子化之氧分子或氮分子而中和半導體晶片C之電荷，從而防止帶電。

檢測器260與拾取裝置100之檢測器180相同，為壓電元件(AE(Acoustic Emission，聲波發射)感測器)，檢測半導體晶片C之變形或損壞時所釋放之彈性能量並轉換成電信號。

在圖1中，檢測器260係安裝於缸體230。然而，只要為可檢測出因半導體晶片C產生裂痕而導致以聲波之形式釋放之彈性能量之部位，則亦可安裝於其他部位。因半導體晶片C產生裂痕而產生之聲波例如亦會經由彈性體(橡膠等)而傳遞。因此，可安裝於安裝裝置200之幾乎所有之部位。

再者，為了去除因半導體晶片C之裂痕而產生之聲波以外之聲波(雜訊)，較佳為於檢測器260中設置使於矽(Si)中產生裂痕時所產生之聲波之頻帶通過之濾波器。此濾波器既可由硬體構成，亦可由軟體構成。進而，亦可僅於半導體晶片C之安裝動作時檢測彈性能量。藉由僅於半導體晶片C之安裝動作時檢測彈性能量，可進一步去除雜訊。

(安裝動作)

圖4、圖5係安裝裝置之安裝機構之剖面圖。以下，參照圖4及圖 5對安裝動作進行說明。再者，安裝裝置200之安裝動作係由控制裝置300控制。

首先，控制驅動機構240，將夾頭220定位於精密工作台400上之半導體晶片C之正上方。其後，使夾頭220下降並吸附半導體晶片C之上表面，從而拾取半導體晶片C(參照圖4(a))。

其次，控制驅動機構240，使夾頭220移動至應載置半導體晶片C之基板T之正上方。其後，使夾頭220下降而將半導體晶片C載置於基板T上，且對半導體晶片C賦予負載W(參照圖4(b))。

經過一定時間後，將夾頭220之真空(vaccum)斷開(off)，並控制缸體230使夾頭220上升(參照圖5)。其後，為了安裝下一個半導體晶片C，夾頭220向精密工作台400移動。

控制裝置300控制拾取裝置100及安裝裝置200之動作。又，於控制裝置300之記憶體300a中記憶有表資料，該表資料用以根據由拾取裝置100之檢測器180及安裝裝置200之檢測器260檢測出之彈性能量之大小，變更拾取裝置100及安裝裝置200之動作。

圖6係表示記憶體300a中所記憶之表資料之一例之圖。圖6(a)係拾取裝置100用之表資料，圖6(b)係安裝裝置200用之表資料。

如圖6(a)所示，控制裝置300根據由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小(實際上為與彈性能量e之大小成比例地轉換之電壓值)，改變拾取裝置100之頂起速度S、頂起量R、保持時間T。

其中，圖6(a)中之各值滿足以下之關係(1)~(4)。

0≦e1<e2<e3‧‧‧(1)

S3<S2<S1‧‧‧(2)

R3<R2<R1‧‧‧(3)

T1<T2<T3‧‧‧(4)

亦即，控制裝置300係隨著由檢測器180檢測出之彈性能量e變 大，而減小頂起速度S及頂起量R，且延長保持時間T，當彈性能量e達到閾值e3以上時，使拾取裝置100之動作停止。

若檢測出之彈性能量e較大，則於半導體晶片C中產生裂痕之可能性較高。因此，藉由如上述般隨著彈性能量e變大，而減小拾取裝置100之頂起速度S、頂起量R、且延長保持時間，可降低因裂痕導致於半導體晶片C中產生問題之虞。再者，參照圖7對使用圖6(a)所示之表資料之控制裝置300之具體之控制進行說明。

又，如圖6(b)所示，控制裝置300根據由檢測器260檢測出之彈性能量e之大小(實際上為與彈性能量之大小成比例地轉換之電壓值),改變安裝裝置200之按壓負載W、電離器之流量F。

其中，圖6(b)中之各值滿足以下之關係(5)~(7)。

0≦e4<e5<e6‧‧‧(5)

W3<W2<W1‧‧‧(6)

F1<F2<F3‧‧‧(7)

亦即，控制裝置300係隨著由檢測器260檢測出之彈性能量e變大，而減小按壓負載W，並使電離器之流量F增大，當彈性能量e達到閾值e6以上時，使安裝裝置200之動作停止。

若檢測出之彈性能量e較大，則於半導體晶片C中產生裂痕之可能性較高。因此，藉由如上述般隨著彈性能量e變大而減小安裝裝置200之按壓負載W，來降低因裂痕導致於半導體晶片C中產生問題之虞。又，藉由增大電離器之流量F，而去除半導體晶片C之背面或載置面之灰塵(微粒)，從而降低於半導體晶片C產生裂痕之虞。再者，參照圖8對使用圖6(b)所示之表資料之控制裝置300之具體之控制進行說明。

再者，於該實施形態中，雖以1個控制裝置300控制拾取裝置100與安裝裝置200，但亦可於拾取裝置100及安裝裝置200中各自獨立地 具備控制裝置。

精密工作台400(交接台)係拾取裝置100與安裝裝置200之交接台。在拾取裝置100中被拾取之半導體晶片C係載置於精密工作台400上，並藉由安裝裝置200而安裝於基板T上。再者，於精密工作台400上，進行半導體晶片C之對準(對位)。藉由具備精密工作台400，而可獨立地進行半導體晶片C之拾取動作與安裝動作。因此，可縮短拾取及安裝所需之製程時間。

(拾取裝置100之動作)

圖7係表示拾取裝置100之動作之流程圖。以下，參照圖1及圖7，說明拾取裝置100之動作。再者，拾取裝置100係藉由控制裝置300控制其動作。

首先，控制裝置300辨識作為拾取對象之半導體晶片C之ID(identification，識別碼)(步驟S101)。其次，控制裝置300控制拾取裝置100而拾取作為拾取對象之半導體晶片C(步驟S102)。

拾取裝置100之檢測器180檢測出半導體晶片C之拾取時之彈性波(彈性能量e)(步驟S103)，並向控制裝置300輸出。控制裝置300參照記憶體300a中所記憶之表資料，判定由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小是否未達閾值e1(步驟S104)。

於由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小未達閾值e1之情形時(步驟S104之是(YES))，控制裝置300判定是否已將所有半導體晶片C拾取(步驟S105)。於拾取所有半導體晶片C之情形時(步驟S105之YES)，控制裝置300結束利用拾取裝置100進行之半導體晶片C之拾取動作。

於未拾取所有半導體晶片C之情形時(步驟S105之否(NO))，即存在未拾取之半導體晶片C之情形時，控制裝置300返回至步驟S101之動作，接著辨識半導體晶片之ID。

於由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小並非未達閾值e1(e1以上)之情形時(步驟S104之NO)，將在步驟S102中已拾取之半導體晶片C之ID(半導體基板之ID及半導體基板上之位置(縱、橫分別為第幾個))記憶於記憶體300a中(步驟S106)。

其次，控制裝置300判定由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小是否未達閾值e2(步驟S107)。於由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小未達閾值e2之情形時(步驟S107之YES)，控制裝置300改變拾取裝置100之動作參數(步驟S108)。

具體而言，控制裝置300使拾取裝置100之頂起速度S、頂起量R、保持時間T分別變為S2、R2、T2。於變更動作參數後，控制裝置300自步驟S105實施動作。

於由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小並非未達閾值e2(e2以上)之情形時(步驟S107之NO)，控制裝置300判定由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小是否未達閾值e3(步驟S109)。於由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小未達閾值e3之情形時(步驟S109之YES)，控制裝置300改變拾取裝置100之動作參數(步驟S108)。

具體而言，控制裝置300使拾取裝置100之頂起速度S、頂起量R、保持時間T分別變為S3、R3、T3。於變更動作參數後，控制裝置300自步驟S105實施動作。

於由檢測器180檢測出之彈性能量e之大小並非未達閾值e3(e3以上)之情形時(步驟S109之NO)，控制裝置300停止拾取裝置100之動作(步驟S110)。

(安裝裝置200之動作)

圖8係表示安裝裝置200之動作之流程圖。以下，參照圖1及圖8，說明安裝裝置200之動作。再者，安裝裝置200係藉由控制裝置300控制其動作。

首先，控制裝置300辨識作為安裝對象之半導體晶片C之ID(步驟S201)。其次，控制裝置300控制安裝裝置200，將作為安裝對像之半導體晶片C自精密工作台400拾取後，安裝於基板T上(步驟S202)。

安裝裝置200之檢測器260檢測出半導體晶片C之安裝時之彈性波(彈性能量e)(步驟S203)，並向控制裝置300輸出。控制裝置300參照記憶體300a中所記憶之表資料，判定由檢測器260檢測出之彈性能量e之大小是否未達閾值e4(步驟S204)。

於由檢測器260檢測出之彈性能量e之大小未達閾值e4之情形時(步驟S204之YES)，控制裝置300判定是否已安裝所有半導體晶片C(步驟S205)。於安裝有所有半導體晶片C之情形時(步驟S205之YES)，控制裝置300結束利用安裝裝置200進行之半導體晶片C之安裝動作。

於未安裝所有半導體晶片C之情形時(步驟S205之NO)，即存在未安裝之半導體晶片C之情形時，控制裝置300返回至步驟S201之動作，接著辨識半導體晶片之ID。

於由檢測器260檢測之彈性能量e之大小並非未達閾值e4(e4以上)之情形時(步驟S204之NO)，將在步驟S202中已安裝之半導體晶片C之ID(哪個基板之第幾層)記憶於記憶體300a中(步驟S206)。

其次，控制裝置300判定由檢測器260檢測之彈性能量e之大小是否未達閾值e5(步驟S207)。於由檢測器260檢測之彈性能量e之大小未達閾值e5之情形時(步驟S207之YES)，控制裝置300改變安裝裝置200之動作參數(步驟S208)。

具體而言，控制裝置300使安裝裝置200之按壓負載W及電離器之流量F分別變為W2、F2。於變更動作參數後，控制裝置300自步驟S205實施動作。

於由檢測器260檢測之彈性能量e之大小並非未達閾值e5(e5以上)之情形時(步驟S207之NO)，控制裝置300判定由檢測器260檢測之彈 性能量e之大小是否未達閾值e6(步驟S209)。於由檢測器260檢測出之彈性能量e之大小未達閾值e6之情形時(步驟S209之YES)，控制裝置300使安裝裝置200之動作參數改變(步驟S208)。

具體而言，控制裝置300使安裝裝置200之按壓負載W及電離器之流量F分別變為W3、F3。於變更動作參數後，控制裝置300自步驟S205實施動作。

於由檢測器260檢測之彈性能量e之大小並非未達閾值e6(e6以上)之情形時(步驟S209之NO)，控制裝置300停止安裝裝置200之動作(步驟S209)。

如上所述，於實施形態之拾取裝置100及安裝裝置200中，具備檢測在拾取半導體晶片C時產生之彈性能量之檢測器180及檢測器260。因此，可即時地檢測半導體晶片C之裂痕之產生。其結果，可將已產生裂痕之半導體晶片C作為不良晶片而立即剔除，從而可防止一直到將半導體晶片C封裝化後之最終測試時仍未獲知由裂痕所致之半導體晶片C之瑕疵而製造出大量之不良品。

又，於拾取裝置100中，隨著所檢測出之彈性能量e變大，而減小頂起速度S、頂起量R，且延長保持時間T。進而，於所檢測之彈性能量e之大小為特定之閾值e3以上之情形時，使拾取裝置100之動作停止。因此，可在拾取下一個半導體晶片C時抑制於半導體晶片C中產生裂痕。

又，於安裝裝置200中，隨著所檢測之彈性能量e變大，而減小按壓負載W，且增大電離器流量F。進而，於所檢測之彈性能量e之大小為特定之閾值e6以上之情形時，使安裝裝置200之動作停止。因此，可在安裝下一個半導體晶片C時抑制於半導體晶片C中產生裂痕。

(實施形態之變化例)

再者，亦可於拾取裝置100及安裝裝置200中設置對被檢測出閾 值(e1、e2)以上之彈性能量之半導體晶片C賦予記號之標記。藉由對檢測出伴隨著裂痕產生之彈性波之半導體晶片C賦予記號，則即使藉由目測亦可確認不良晶片，從而提高便利性。又，於上述實施形態中，雖對拾取裝置100與安裝裝置200分別設定有3個閾值(e1~e3、e4~e4)，但亦可增加設定之閾值數，進而精細地控制參數。

(其他實施形態)

如上所述，對本發明之若干個實施形態進行了說明，但上述實施形態係作為例子而提示者，並非意圖限定發明之範圍者。上述實施形態可以其他各種形態實施，且可於不變更發明之主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。該等實施形態或變化與發明之範圍或主旨中所包含者同樣地包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。

2‧‧‧切割片

3‧‧‧晶圓環

100‧‧‧拾取裝置

110‧‧‧保持機構

120‧‧‧頂起機構

130‧‧‧X-Y平台

140‧‧‧支撐構件

150‧‧‧夾頭

160‧‧‧驅動機構

170‧‧‧缸體

180‧‧‧檢測器

200‧‧‧安裝裝置

210‧‧‧固持器

220‧‧‧夾頭

230‧‧‧缸體

240‧‧‧驅動機構

250‧‧‧電離器

260‧‧‧檢測器

300‧‧‧控制裝置

300a‧‧‧記憶體

400‧‧‧精密工作台

C‧‧‧半導體晶片

T‧‧‧基板

Claims (6)

1. 一種半導體製造裝置，其包括：頂起機構，其頂起經單片化之半導體晶片；拾取機構，其拾取由上述頂起機構頂起之上述半導體晶片；第1檢測器，其介隔上述頂起機構而檢測半導體晶片之頂起時之彈性波；安裝機構，其將由上述拾取機構拾取之半導體晶片載置於基板上；第2檢測器，其介隔上述安裝機構而檢測半導體晶片之搭載時之彈性波；及電離器，其防止上述半導體晶片帶電；且上述頂起機構根據利用上述第1檢測器所檢測之彈性波之大小，而變更上述半導體晶片之頂起速度、上述半導體晶片之頂起量及保持頂起上述半導體晶片之狀態之保持時間中之至少一者，且當由上述第1檢測器所檢測之彈性波超過第1閾值時停止動作；上述安裝機構根據利用上述第2檢測器所檢測之彈性波之大小，變更將上述半導體晶片安裝至上述基板上時之按壓壓力及來自上述電離器之風量中之至少一者，且當由上述第2檢測器所檢測之彈性波超過第2閾值時停止動作。
2. 一種半導體製造裝置，其包括：頂起機構，其頂起經單片化之半導體晶片；拾取機構，其拾取由上述頂起機構頂起之上述半導體晶片；及檢測器，其介隔上述頂起機構，而檢測半導體晶片之頂起時 之彈性波。
3. 如請求項2之半導體製造裝置，其中上述頂起機構根據利用上述檢測器所檢測之彈性波之大小，而變更上述半導體晶片之頂起速度、上述半導體晶片之頂起量及保持頂起上述半導體晶片之狀態之保持時間中之至少一者。
4. 一種半導體製造裝置，其包括：安裝機構，其將經單片化之半導體晶片載置於基板上；及檢測器，其介隔上述安裝機構而檢測半導體晶片之搭載時之彈性波。
5. 如請求項4之半導體製造裝置，其包括：電離器，其防止上述半導體晶片帶電；且上述安裝機構根據利用上述檢測器所檢測之彈性波之大小，而變更將上述半導體晶片安裝至上述基板上時之按壓壓力及來自上述電離器之風量中之至少一者。
6. 如請求項2或4之半導體製造裝置，其中當由上述檢測器所檢測之彈性波超過閾值時停止動作。