TWI457976B - 保護帶剝離方法及其裝置 - Google Patents

Description

保護帶剝離方法及其裝置

本發明係關於一種剝離用於保護半導體晶圓、電路基板及電子裝置(例如LED(發光二極體：Light-Emitting Diode)或CCD(電荷耦合元件：Charge Coupled Device)等基板之電路面的保護帶之保護帶剝離方法及其裝置，尤其是關於一種用於在將基板切割成特定形狀後的晶片元件安裝於基板之特定位置後，剝離保護帶之技術。

半導體晶圓(在下文中，僅稱為「晶圓」)係在其表面上形成許多元件後以背面研磨工程削薄晶圓背面，然後以切割工程分割成各元件。近年來伴隨著高密度安裝之要求而有將晶圓厚度從100μm改向至50μm，甚至於削薄到更小的傾向。

因此，在背面研磨工程將晶圓薄化加工時，為保護形成有電路圖案的晶圓表面、且為保護晶圓免受在背面研磨工程中的應力所破壞、以及為補強經由背面研磨所薄型化的晶圓，而在其表面貼附保護帶。

此外，在背面研磨工程後，對於隔著切割帶而將晶圓黏接保持在環形框架所構成之安裝框架，則一向是採取藉由在其晶圓上之保護帶貼附剝離用之黏著膠帶並加以剝離，以與保護帶成一體而從晶圓剝離之方法。(請參照日本發明特開第2006-165385號公報)

然而，在上所述習知方法有如下所述問題。

亦即，習知的保護帶剝離方法係由晶圓表面剝離保護帶後施加切割處理。因此具有切割時之粉塵或洗淨水附著於晶圓表面，以致造成會污染露出之電路面的問題。

此外，在晶圓被保持在安裝框架之狀態下剝離保護帶後，以露出晶片元件之電路面或電極之狀態輸送至下一個工程，或使晶片安裝器之吸頭直接接觸於電路面等來安裝於作為被著體(adherend)之基板的特定位置。在此等的情況亦將導致污染或毀損電路面等。其結果，也造成會導致安裝不良或黏接不良的問題。

並且，在晶片元件為LED(發光二極體)的情況，會受洗淨液或在輸送時所附著於表面的油膜等所影響，即使是良品還是有在品質檢查時之測定輝度被測定出比基準值低的情況。在此情況下，亦會產生結果是被判定品質不良的問題。

本發明之目的係欲實現可在不致於污染切割處理後之晶片元件的電路面等而達成對於被著體之安裝。

本發明為達成如上所述目的而採取如下所述構成。

一種用於剝離貼附在基板表面的保護帶之保護帶剝離方法，其係包括下列工程：貼附著前述保護帶之狀態的基板分割成特定形狀後的晶片元件上所貼附之該保護帶，係在該晶片元件安裝於被著體後加以剝離。

若根據該保護帶剝離方法時，由於在被安裝於被著體以前是晶片元件表面受保護帶所保護，因此沒有電路面等受到污染的情形。剝離該保護帶之時序較佳為例如在黏晶工程後、或在打線接合工程前。在此等的情況，由於要被電連接之電極在即將與被著體側之電極或電線相連接之前是受保護帶所保護，因此可在不被污染及破損下達成確實的連接。

在上述方法中，保護帶係可利用加熱剝離性者。例如，具有熱發泡性黏著層之保護帶、或具有朝特定單軸方向翹曲的熱收縮性黏著層之保護帶等。

在剝離此等之保護帶時，較佳為具備下列工程：安裝工程，以配備有加熱器之吸著輸送裝置將前述晶片元件安裝於被著體的特定位置；加熱工程，在該特定位置以吸著輸送裝置，將具有經加熱會發泡膨脹的黏著層之保護帶加熱；以及剝離工程，將經該加熱工程而減弱黏著力之保護帶，在吸著輸送裝置退避時加以吸著並從晶片元件剝離。

另外，在上述加熱剝離性之保護帶的情況，較佳為在該加熱工程中，因應經加熱而朝厚度增加的方向變化的保護帶之變化，使吸著輸送裝置上升。

若根據該方法，即使保護帶之黏著層經加熱而發泡膨脹、或導致保護帶翹曲，此時，晶片元件與吸著輸送裝置之間所發生之按壓力則因吸著輸送裝置之上升而解除。因此，由於過度的按壓力不會施加到晶片元件，因此不會造成破損。

此外，保護帶也可為紫外線硬化型之黏著膠帶。在此情況下，較佳為包括：安裝工程，以吸著輸送裝置將前述晶片元件安裝於被著體的特定位置；紫外線照射工程，在該特定位置對紫外線硬化型之黏著膠帶照射紫外線；以及剝離工程，將經該紫外線照射工程而減弱黏著力之保護帶從晶片元件剝離。

並且，較佳為吸著輸送裝置係配備紫外線照射單元，且在該紫外線照射工程中，以吸著輸送裝置將晶片元件安裝在特定位置，同時以紫外線照射單元對保護帶照射紫外線。

在該剝離工程中，將經紫外線照射而減弱黏著力之保護帶，在吸著輸送裝置退避時加以吸著並從晶片元件剝離。

此外，本發明為達成上述目的而採取如下之構成。

一種用於剝離貼附在基板表面的保護帶之保護帶剝離裝置，其係包括下列構成要素：吸著輸送裝置，係吸著以貼附有該保護帶之狀態分割成特定形狀之晶片元件，並安裝於被著體的特定位置；黏著力減少部，係在該特定位置減弱貼附在晶片元件之保護帶的黏著力；以及剝離裝置，係將黏著力已減弱之該保護帶從晶片元件剝離。

若根據該構成時，貼附有保護帶之狀態之晶片元件在藉由吸著輸送裝置安裝於被著體的特定位置後，黏著力已減弱，並從晶片元件剝離移除保護帶。因此，可順利地實施上述之方法。

另外，在保護帶為具熱發泡性黏著層、或朝特定單軸方向翹曲的熱收縮性黏著層之有加熱剝離性者的情況，則黏著力減少部較佳為加熱器。該加熱器較佳為配備於吸著輸送裝置。

若根據該構成時，則可藉由吸著輸送裝置進行從以維持吸著保持著晶片元件之狀態對被著體的特定位置之安裝迄至剝離保護帶為止的一連串處理。因此，黏著力已減弱的保護帶不會飛散而污染到被著體。並且，也可簡化裝置構成。

在上述裝置構成中，較佳為更進一步配備有控制部，該控制部因應經加熱而朝增加厚度的方向變化的該保護帶之變化，使吸著輸送裝置上升。

若根據該構成時，則即使保護帶之黏著層經加熱而發泡膨脹、或保護帶翹曲，此時在晶片元件與吸著輸送裝置之間所發生之按壓力則因吸著輸送裝置之上升而解除。因此，由於不會有過度的按壓力施加到晶片元件，因此不會導致破損。

此外，在保護帶為紫外線硬化型之黏著膠帶的情況，黏著力減少裝置宜為紫外線照射單元。

該紫外線照射單元宜配備於吸著輸送裝置。

在此構成中，剝離裝置建構成係使黏著力已減弱的保護帶仍以吸著輸送裝置吸著之狀態退避，而從晶片元件剝離保護帶者更好。

若根據如上所述裝置時，則可藉由吸著輸送裝置進行從以吸著保持著晶片元件之狀態對被著體的特定位置之安裝迄至剝離保護帶為止之一連串處理。因此，黏著力已減弱的保護帶不會飛散而污染到被著體。並且，也可簡化裝置構成。

[本發明之最佳實施方式] 《實施例》

以下，參閱圖式說明本發明之一實施例。

在此實施例係以半導體晶圓當作基板為例而加以說明。半導體晶圓W(以下，僅稱為「晶圓W」)係如第1圖所示，在貼附著用於保護電路圖案的保護帶T之狀態下施以背面研磨處理及切割處理而分割成晶片元件CP。該經分割的基板大小之複數個晶片元件CP，則隔著黏著膠帶DT(Dicing Tape)而黏結保持在環形框架f上，以作為安裝框架MF使用。

在此所謂保護帶T係在帶基材上具有經加熱會發泡膨脹而喪失黏著力的熱發泡性黏著層者。

在第2圖及第3圖展示實施本發明方法之保護帶剝離裝置示意構成及保護帶剝離工程圖。

該「保護帶剝離裝置」係包括：匣盒載置部1，用於載置經隔著特定節距而收納多層的安裝框架MF之匣盒C；框架輸送裝置3，用於從匣盒C搬出安裝框架MF並載置於吸盤2，同時將經剝離處理保護帶T後之安裝框架MF收納於匣盒C；帶剝離裝置4，用於從經吸著保持在吸盤2之安裝框架MF吸著晶片元件CP並輸送於下一個工程之基板GW上的特定位置及進行安裝，同時從晶片元件CP剝離保護帶T；基板收納部5，用於將基板GW隔著特定節距而收納多層；基板輸送裝置7，用於從基板收納部5搬出基板GW並移載至保持盤6，同時將保持盤6上之基板GW收納於基板收納部5；以及帶回收部8，用於回收從晶片元件CP所剝離之保護帶T。在下文中，則就各構成具體地加以說明。

匣盒載置部1係如第3圖所示配備經連結固定在裝置框架之縱向軌道10、及以馬達等驅動裝置11以沿著該縱向軌道10藉由螺桿進給而升降之升降台12。因此，匣盒載置部1係將安裝框架MF載置於升降台12而進行螺桿進給升降。

框架輸送裝置3係如第4圖及第5圖所示在沿著導軌13水平移動之活動台14上配備由固定支撐板15與作動筒16所開閉的夾頭17。並且，以此等固定支撐板15與夾頭17從上下夾持安裝框架MF之一端部。此外，活動台14之下部係連結於以馬達18轉動之皮帶19。因此，活動台14是可藉由馬達18之正反作動而作往復移動。

吸盤2係如第6圖所示，由將安裝框架MF之晶圓W吸著保持於活動台20之晶圓保持盤21、及保持環形框架f之框架保持盤22所構成。此外，活動台20係如第3圖所示建構成可分別朝水平兩軸(X,Y)方向、上下(Z)方向、及Z軸周圍(θ)方向移動。

晶圓保持盤21係藉致動器9作升降。亦即，致動器9係使晶圓保持盤21上升至特定高度使得晶圓W之表面高度比環形框架f還高。藉此，將黏著膠帶DT延伸以分離成各個晶片元件CP。

帶剝離裝置4係如第2圖及第3圖所示配備沿著導軌23水平移動之活動台24、配備於從活動台24延伸之機械臂前端之吸頭25、及用於升降吸頭25之作動筒26。此外，帶剝離裝置4也具有本發明之吸著輸送裝置之功能。

吸頭25係如第7圖所示由金屬製之本體27的下部依序具有陶瓷製之保持器28、加熱器29及壓頭30之構成。另外，保持器28係藉螺栓31固設於本體27。此外，形成由本體27貫通至壓頭30之流路32，且在本體側與外部之泵浦33連接成相連通。亦即，藉由以控制部34將泵浦33控制成負壓而利用吸頭前端來吸著保持晶片元件CP。此外，藉由以控制部34將泵浦33控制成正壓而排出所吸著保持的剝離後之保護帶T。另外，帶剝離裝置4係相當於本發明之剝離裝置，加熱器29則相當於黏著力減少部。

基板收納部5係如第2圖及第3圖所示配備用於將未處理之基板GW及已安裝晶片元件CP之基板GW收納成多層之基板收納箱35。另外，有關基板GW方面，可例舉液晶面板用之玻璃基板或可撓性基板等之形成有電路圖案及電極之基板等。

保持盤6係配備用於吸著保持基板GW之基板保持台36。該基板保持台36係建構成可朝水平兩軸(X,Y)方向、上下(Z)方向、及Z軸周圍(θ)方向分別移動自如。

基板輸送裝置7係具備配設於裝置基台之導軌37、配設於沿導軌37移動的活動台38且可朝前後進退及升降之機械臂39、安裝於機械臂39之前端而用於吸著保持基板GW之基板保持部40。

帶回收部8係在吸盤2與保持盤6之間且在帶剝離裝置4的移動路徑之下方配備使開口部朝上之回收箱41。

其次，配合第8圖至第12圖說明用於使用上述實施例裝置由晶片CP之表面剝離保護帶T之一連串基本動作。

位於待機位置之框架輸送裝置3移動至安裝框架MF之搬出位置。該框架輸送裝置3係將以晶圓W之表面朝上而多層地收納於匣盒C之安裝框架MF把持並一邊後退一邊搬出。然後，在吸盤2之交接位置移動該安裝框架MF。

到達交接位置之框架輸送裝置3則下降至特定高度並開放夾頭17使安裝框架MF移載至吸盤2。

如第8圖所示，安裝框架MF已被移載之吸盤2係將安裝框架MF之背面整體吸著保持。晶圓保持盤21係如第9圖所示上升特定高度並將晶片元件CP按各個黏著膠帶DT往上推而各個分離後，下降至原先高度。

其後，操作活動台20使搬出對象之晶片元件CP對準於帶剝離裝置4之吸著位置。如第10圖所示使帶剝離裝置4下降使得吸頭25抵接於晶片元件CP並加以吸著。經確認已吸著，則如第11圖所示使帶剝離裝置4上升，同時使之水平移動以將晶片元件CP輸送至保持盤6。

此外，在搬出安裝框架MF的同時，基板輸送裝置7係作動而從基板收納箱35將處理對象的基板GW以基板保持部40吸著保持並搬出。該基板GW係載置於基板保持台36。

基板保持台36係在吸著保持基板GW後，安裝部位被對準於帶剝離裝置4之下降位置。

帶剝離裝置4一到達保持盤6側時，經以感測器等確認安裝部位後則下降，並如第12圖所示將晶片元件CP安裝於基板GW之特定位置。另外，在基板安裝部位則預先塗佈導電性糊P等。在此，晶片元件CP對安裝部位之電連接及固定係並不受限於導電性糊P，也可為導電性薄膜。此外，在不需要電連接的情況，也可使用非導電性糊或非導電性薄膜。

帶剝離裝置4將在安裝位置停止並在維持吸著著晶片元件CP之狀態下以加熱器29加熱保護帶T及導電性糊P。隨著加熱器29之加熱，保護帶T之黏著層發泡膨脹而喪失黏著力同時導電性糊P係硬化而固結於基板。

在該加熱工程中，控制部34則因應預先取決於使用在保護帶T的黏著層之種類、加熱溫度、加熱時間的保護帶T之厚度變化而控制帶剝離裝置4間歇性地或連續性地上升。亦即，帶剝離裝置4係被控制上升，使得黏著層不會因發泡膨脹而增加保護帶T之厚度，使過度之按壓力作用於夾住在吸頭25與基板GW之間的經薄型化之晶片元件CP而導致破損。

此外，帶剝離裝置4之上升控制亦可藉預先實施的再現實驗結果或模擬試驗等所決定之程式來控制，亦可以感測器偵測保護帶T之表面高度而根據其偵測結果來控制高度。

當基於特定時間之加熱的黏著層加熱處理結束時，在控制部34以第7圖所示之感測器S確認了並無吸著不良之情形後，帶剝離裝置4繼續維持吸著保護帶T之狀態而上升並朝向新的晶片元件CP之搬出位置開始移動。在該移動工程中，通過回收箱41之上方時，控制部34將泵浦33控制正壓並如第13圖所示將吸著保持在吸頭25之剝離後的保護帶T朝向回收箱41排出。

安裝有晶片元件CP之基板GW，係被基板輸送裝置7從基板保持台36搬出，並收納於基板收納箱35之原先位置。之後，基板輸送裝置7搬出新的基板GW。

經由上文所述過程，針對一個晶片元件CP的保護帶T之剝離動作即告結束。以後，則對包括在安裝框架MF內之晶片元件CP進行相同的處理。再者，當對全部晶片元件CP的保護帶T之剝離處理結束時，則對收納於匣盒C的安裝框架MF全部反復進行相同的處理。

根據上述構成時，由於晶片元件CP之表面被安裝於基板GW上以前係受保護帶T所保護，故電路面既不會受到污染，也不會破損。此外，即使保護帶T由於發泡膨脹而增加朝向高度方向之厚度，又不致於導致晶片元件CP破損又可防止起因於吸著不良的保護帶T之飛散。

本發明不限於上述實施例者，也可如下所述加以變形實施。

(1)在上述實施例之裝置，也可替代配備有經加熱會發泡膨脹之加熱剝離性黏著層之保護帶T而利用經加熱會朝特定單軸方向翹曲之熱收縮性黏著層。

在此情況下，特定的晶片元件CP之剝離係以與上述實施例相同的處理次序實施。亦即，藉由帶剝離裝置4在基板GW的特定位置安裝晶片元件CP之後，吸頭25則在該位置一邊吸著保護帶T一邊加熱。經該加熱工程，保護帶T則如第14圖所示向上翹曲、控制部34係以因應預先取決於使用於保護帶T的黏著層之種類、加熱溫度、加熱時間的保護帶T之翹曲量而使帶剝離裝置4間歇性地或連續性地上升，同時吸頭25之吸著力也同時增加的方式作控制。

亦即，即使黏著層收縮使得保護帶發生翹曲而增加高度方向之距離，過度之按壓力也不會作用到夾在吸頭25與基板GW之間的經薄型化後的晶片元件CP。換言之，吸頭25被控制上升使晶片元件CP不會發生破損。同時亦控制成可因應翹曲量而增加吸頭25之吸著力使得與吸頭25之接觸面積不致因翹曲而減少。

在依特定時間之加熱而結束由晶片元件CP剝離保護帶T時，則在仍舊吸著保持保護帶T之狀態而返回晶片元件CP之搬出位置之工程，將保護帶T從吸頭25朝回收箱41排出。

若根據此構成時，即使保護帶T翹曲而增加朝向高度方向之厚度，亦不會導致晶片元件CP破損，又可防止起因於吸著不良所導致保護帶T之飛散。

(2)也可替代上述各實施例之具有加熱剝離性之保護帶T而利用紫外線硬化型之黏著膠帶作為保護帶T。

在此情況下，帶剝離裝置4則以具有透射性之構件構成吸頭25，同時採取如第15圖所示在該吸頭25埋設紫外線LED 42之構成。另外，紫外線LED 42是相當於本發明之紫外線照射單元。

在此構成的情況，在基板GW之特定位置安裝晶片元件CP後，吸頭25則在該位置朝向保護帶T照射紫外線。在黏著層經因特定時間之紫外線照射而硬化且消失黏著力之時刻，則以仍舊吸著保護帶T之狀態使帶剝離裝置4上升。其結果，保護帶T即從晶片元件剝離。

(3)在上述各實施例，也可替代導電性糊P而利用晶片黏合帶。

在此情況下，則預先替代保護帶T而將黏晶帶貼附在晶圓W之電路面，並製造使該電路面朝下且隔著黏著膠帶DT而接著保持於環形框架f所構成之安裝框架MF。然後，以此安裝框架MF之狀態下包括黏晶帶在內加以切割處理，藉此即可在上述實施例裝置使用此安裝框架MF。亦即，可實現對基板GW實施晶片元件CP之面朝下接合。

(4)在上述各實施例係採取將晶片元件CP黏晶於基板GW後，再從晶片元件CP剝離保護帶T，但亦可採用下列方式。亦即，利用上述實施例裝置之帶剝離裝置4，將晶片元件CP安裝於在打線接合工程內之基板保持台所保持著的基板GW之特定位置，然後，在即將對該晶片元件CP進行打線接合之前剝離保護帶T。

若根據該構成時，由於晶片元件CP之電極部位係在迄至即將進行打線接合之前被為保護帶T所保護，因而不會受到污染。因此，可在良好的精確度下打線接合於電極。

※本發明尚可在不脫離本發明思想或本質範圍內以其他具體形態實施，因此，以上之說明並非用以代表本發明範圍，當應參閱本發明申請專利範圍。

1．．．匣盒載置部

2．．．吸盤

3．．．框架輸送裝置

4．．．帶剝離裝置

5．．．基板收納部

6．．．保持盤

7．．．基板輸送裝置

8．．．帶回收部

9．．．致動器

10．．．縱向軌道

11．．．驅動裝置

12．．．升降台

13．．．導軌

14．．．活動台

15．．．固定支撐板

16．．．作動筒

17．．．夾頭

18．．．馬達

19．．．皮帶

20．．．活動台

21．．．晶圓保持盤

22．．．框架保持盤

23．．．導軌

24．．．活動台

25．．．吸頭

26．．．作動筒

27．．．金屬製之本體

28．．．保持器

29．．．加熱器

30．．．壓頭

31．．．螺栓

32．．．流路

33．．．泵浦

34．．．控制部

35．．．基板收納箱

36．．．基板保持台

37．．．導軌

38．．．活動台

39．．．機械臂

40．．．基板保持部

41．．．回收箱

C．．．匣盒

CP．．．晶片元件

DT．．．黏著膠帶

F．．．環形框架

GW．．．基板

MF．．．安裝框架

P．．．導電性糊

T．．．保護帶

W．．．晶圓

※以上係為用於說明而圖示若干個目前認為適合的形態，但是本發明未受限於圖示之構成及對策。

第1圖是安裝框架之立體圖。

第2圖是保護帶剝離裝置之平面圖。

第3圖是保護帶剝離裝置之正面圖。

第4圖是框架輸送裝置之平面圖。

第5圖是框架輸送裝置之正面圖。

第6圖是吸盤之正面圖。

第7圖是吸頭之局部截面圖。

第8至13圖是實施例之剝離保護帶之動作說明圖。

第14圖是展示變形例之保護帶之剝離動作說明圖。

第15圖是利用紫外線硬化型之保護帶之變形裝置正面圖。

4．．．帶剝離裝置

21．．．晶圓保持盤

22．．．框架保持盤

36．．．基板保持台

41．．．回收箱

CP．．．晶片元件

DT．．．黏著膠帶

F．．．環形框架

GW．．．基板

MF．．．安裝框架

T．．．保護帶

Claims (18)

1. 一種保護帶剝離方法，用於剝離貼附在基板表面的保護帶，其係包括下列工程：安裝工程，以配備有黏著力減少部之吸著輸送裝置將晶片元件安裝於被著體的特定位置；黏著力減少工程，在該特定位置利用吸著輸送裝置使保護帶之黏著力減少；剝離工程，係將經該黏著力減少工程後黏著力已減弱之該保護帶，在吸著輸送裝置退避時予以吸著而從晶片元件剝離。
2. 如申請專利範圍第1項之保護帶剝離方法，其中該保護帶之剝離是在黏晶工程後實施。
3. 如申請專利範圍第1項之保護帶剝離方法，其中該保護帶之剝離是在打線接合工程前實施。
4. 如申請專利範圍第1項之保護帶剝離方法，其中該黏著力減少部為加熱器，該黏著力減少工程係在特定位置以吸著輸送裝置將具有經加熱會發泡膨脹的黏著層之保護帶加熱使黏著力變弱。
5. 如申請專利範圍第1項之保護帶剝離方法，其中在該黏著力減少工程中，因應於經加熱而發泡膨脹且朝厚度增加的方向變化的保護帶之該變化，使吸著輸送裝置上升。
6. 如申請專利範圍第1項之保護帶剝離方法，其中該黏著力減少部為加熱器，該黏著力減少工程係在特定位置以吸著輸送裝置，將具有朝特定單軸方向翹曲的熱收縮性黏著層之保護帶加熱使黏著力變弱。
7. 如申請專利範圍第6項之保護帶剝離方法，其中該黏著力減少工程係因應於經加熱而翹曲且朝厚度增加的方向變化的保護帶之該變化，使吸著輸送裝置上升。
8. 如申請專利範圍第1項之保護帶剝離方法，其中該保護帶是紫外線硬化型，該吸著輸送裝置係配備有紫外線照射單元，在該黏著力減少工程中，以吸著輸送裝置將晶片元件安裝在特定位置，同時以紫外線照射單元對保護帶照射紫外線，在該剝離工程中，將經紫外線照射而減弱黏著力之保護帶在吸著輸送裝置退避時加以吸著並從晶片元件剝離。
9. 一種保護帶剝離裝置，係剝離貼附在基板表面的保護帶，該保護帶剝離裝置包括下列構成要素：具備有吸著輸送裝置，其係吸著在貼附有該保護帶之狀態分割成特定形狀之晶片元件，並安裝於被著體的特定位置；該吸著輸送裝置具有黏著力減少部，其係在該特定位置減弱貼附在晶片元件之保護帶的黏著力；以及 將經該黏著力減少部減弱黏著力之保護帶在吸著輸送裝置退避時加以吸著並從晶片元件剝離。
10. 如申請專利範圍第9項之保護帶剝離裝置，其中該黏著力減少部係加熱器，用於將該保護帶所具有的熱發泡性黏著層加熱。
11. 如申請專利範圍第10項之保護帶剝離裝置，其中該加熱器係配備於吸著輸送裝置。
12. 如申請專利範圍第10項之保護帶剝離裝置，其中配備有控制部，該控制部因應於經加熱而朝厚度增加的方向變化的該保護帶之該變化，使吸著輸送裝置上升。
13. 如申請專利範圍第9項之保護帶剝離裝置，其中該黏著力減少部係加熱器，用於將具有朝特定單軸方向翹曲的熱收縮性黏著層之保護帶加熱。
14. 如申請專利範圍第13項之保護帶剝離裝置，其中該加熱器係配備於吸著輸送裝置。
15. 如申請專利範圍第13項之保護帶剝離裝置，其中配備有控制部，該控制部因應於經加熱而翹曲且朝厚度增加的方向變化的該保護帶之該變化，使吸著輸送裝置上升。
16. 如申請專利範圍第9項之保護帶剝離裝置，其中該黏著力減少部係紫外線照射單元，用於對紫外線硬化型黏著膠帶照射紫外線。
17. 如申請專利範圍第16項之保護帶剝離裝置，其中該紫 外線照射單元係配備於吸著輸送裝置。
18. 如申請專利範圍第9項之保護帶剝離裝置，其中該剝離裝置係使黏著力已減弱的保護帶在仍以吸著輸送裝置吸著之狀態下加以退避，而將保護帶從晶片元件一邊吸著一邊移除，並輸送至特定位置加以廢棄。