JP3485525B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、広く採用されている半導体装置
を構成する半導体素子が複数個形成されたウエハを個別
の半導体素子に分割するまでの製造工程の断面図を図７
に示す。
【０００３】図７の（ａ）において、半導体素子を複数
個形成したウエハ１を準備する。ウエハ１の材質は一般
にシリコンが採用されている。
【０００４】（ｂ）に示すように、ウエハ１の裏面を所
望の厚さに削るために、バックグラインド用保護テープ
２をウエハ１の表面（半導体素子面）に貼り付ける。
【０００５】バックグラインド用保護テープ２は、テー
プ基材２１と接着剤２２によって構成されており、テー
プ基材２１はウエハ１を搬送する方式等を考慮して、ウ
エハ１がたわまないような材質、厚さを選択する。接着
剤２２には、粘着性樹脂、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂等が
使用される。
【０００６】（ｃ）に示すように、図示してない切削装
置（バックグラインダー）で所望の厚さに切削（バック
グラインド処理）し、（ｄ）に示すようにバックグライ
ンド用保護テープ２を剥す。バックグラインド用保護テ
ープこの接着剤２２が粘着性樹脂の場合は機械的に、Ｕ
Ｖ硬化樹脂の場合はＵＶを前記テープ２に照射して接着
性を低下させた後に剥す。その後、洗浄する場合もあ
る。
【０００７】次に（ｅ）において、ウエハ１は所望の電
気特性が得られているかプロービング針７等により選別
（プロービング）され、良品・不良品をインクマーキン
グ、又はマッピングする等して区別する。
【０００８】その後、ウエハ１上に形成された複数個の
半導体素子を個別に分割（ダイシング）するために、
（ｆ）に示すように切削されたウエハ１の裏面にダイシ
ング用保護テープ３を貼り付ける。
【０００９】ダイシング用保護テープ３は、テープ基材
３１と接着剤３２によって構成されている。接着剤３２
にはＵＶ硬化樹脂が広く使用されている。
【００１０】（ｇ）では、ウエハ１の全厚とダイシング
用保護テープ３の厚さの半分程度の切り代４を図示して
ないダイシング装置で入れ、個別の半導体素子のサイズ
に分割する。
【００１１】そして、ダイシング用保護テープ３全面に
ＵＶを照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を低
下させた後、（ｈ）に示すようにダイスボンド装置のピ
ックアップツール５でピックアップして個別の半導体素
子１１とダイシング用保護テープ３を分離する。
【００１２】その後、ダイスボンド工程に入り、最終形
態となるパッケージ形状ごとに設定されている組立工程
が実施され、パッケージングが完了する。ダイスボンド
以降の工程は周知なので説明を省略する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造方法による半導体装置では、以下に示す問題があっ
た。
【００１４】背景：ウエハがこれまでの６インチ（約１
５０ｍｍ）ウエハや８インチ（約２００ｍｍ）ウエハか
ら１２インチ（約３００ｍｍ）ウエハへと大口径化して
きており、もともとのウエハ厚が厚くなってきている
（６インチウエハでは約６２５μｍ、８インチウエハで
は約７２５μｍ）。
【００１５】しかし、搭載するパッケージからウエハ厚
（チップ厚）が設定されているため、ウエハ厚を変えな
い場合、切削する量が増加し、ウエハの機械的な強度が
低下する。
【００１６】さらに、近年、パッケージのさらなる薄型
化要求が強まっており、これに対応するため、ウエハ厚
を薄くする必要が生じている。例えば、ＩＣカード等の
薄型パッケージへの搭載は１５０μｍレベルのウエハ厚
が必要である。
【００１７】問題点：上述の背景において、ウエハの厚
さを薄型化（特に１５０μｍレベル）した場合、 （１）バックグラインド処理した後、バックグラインド
用保護テープを剥す際に、ウエハが割れることがあり、
不良を発生させ、結果的にコストアップになっていた。
【００１８】（２）バックグラインド用保護テープを剥
した後、プロービングする際に、プロービング針の圧力
が加わることにより、ウエハが割れることがあり、不良
を発生させ、結果的にコストアップになっていた。
【００１９】（３）プロービング後、ダイシング用保護
テープを貼り付ける際に、ウエハが割れることがあり、
不良を発生させ、結果的にコストアップになっていた。
【００２０】（４）上記全ての工程の搬送に際して、ウ
エハがたわむ等により、ウエハが割れることがあり、不
良を発生させ、結果的にコストアップになっていた。
【００２１】（５）この対策として、ウエハ厚（チップ
厚）を厚くしていたため、薄型パッケージへの採用が困
難になったり、他の材料（特にチップをカバーするパッ
ケージ材料）を薄くする等して対応するため、耐湿性、
耐はんだ付け性等の品質を低下させていた。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、ウエハの表面にバックグラインド用保護
テープを貼り付けてバックグラインド処理をした後、バ
ックグラインド用保護テープを貼り付けた状態でバック
グラインド処理したウエハの裏面にダイスボンド用テー
プ状接着剤を貼り付け、ダイシング工程等を経て前記ダ
イスボンド用テープ状接着剤を利用してダイスボンドす
るようにしたものである。また、本発明は、プロービン
グが完了したウエハの表面にバックグラインド用保護テ
ープを貼り付けてバックグラインド処理をした後、バッ
クグラインド用保護テープを貼り付けた状態でダイシン
グし、又はバックグラインド用保護テープを剥した後に
ダイシングするようにしたものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施形態を
示す断面図で、ウエハを個別の半導体素子に分割するま
での製造工程を示している。
【００２４】（ａ）において、半導体素子を複数個形成
したウエハ１を準備する。
【００２５】（ｂ）に示すように、ウエハ１の裏面を所
望の厚さに削るためにバックグラインド用保護テープ２
をウエハ１の表面（半導体素子面）に貼り付ける。この
とき使用するバックグラインド用保護テープ２はテープ
基材２１と接着剤２２によって構成されており、ウエハ
を搬送する方式等を考慮して、テープ基材２１はウエハ
がたわまないような材質、厚さを選択する。接着剤２２
には、粘着性樹脂、ＵＶ硬化樹脂、熱可塑性樹脂が使用
される。
【００２６】（ｃ）に示すように、図示してない切削装
置で所定の厚さに切削（バックグラインド処理）する。
【００２７】（ｄ）に示すように、バックグラインド用
保護テープ２を貼ったまま、バックグラインド処理が完
了したウエハ１の裏面にダイスボンド用テープ状接着剤
６を貼り付ける。ダイスボンド用テープ状接着剤６には
熱可塑性樹脂等が使用される。
【００２８】その後、（ｅ）に示すようにバックグライ
ンド用保護テープ２を剥す。バックグラインド用保護テ
ープ２の接着剤２２が粘着性樹脂の場合は機械的に、Ｕ
Ｖ硬化樹脂の場合はＵＶをバックグラインド用保護テー
プ２に照射して、熱可塑性樹脂の場合は加熱して接着性
を低下させた後に剥す。その後、洗浄する場合もある。
【００２９】次に（ｆ）において、ウエハ１は所望の電
気特性が得られているかプロービング針７等により選別
（プロービング）され、良品・不良品をインクマーキン
グ、又はマッピングする等して区別する。
【００３０】（ｇ）に示すように、ウエハ１上に形成さ
れた複数個の半導体素子を個別に分割（ダイシング）す
るために、切削されたウエハ１の裏面にダイシング用保
護テープ３を貼り付ける。ダイシング用保護テープ３
は、テープ基材３１と接着剤３２によって構成されてお
り、接着剤３２には広く使用されているＵＶ硬化樹脂を
使用する。
【００３１】（ｈ）では、ウエハ１及びダイスボンド用
テープ状接着剤６の全厚とダイシング用保護テープ３の
厚さの半分程度の切り代４を図示してないダイシング装
置で入れ、ダイシング用保護テープ３の基材３１の一部
を残して個別の半導体素子のサイズに分割する。
【００３２】そして、ダイシング用保護テープ３全面に
ＵＶを照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を低
下させた後、（ｉ）に示すように、ダイスボンド装置の
ピックアップツール５でピックアップし、ダイシング用
保護テープ３からダイスボンド用テープ状接着剤６が貼
り付いた状態の個別の半導体素子１１に分離する。
【００３３】その後、図示してないが、ダイスボンド工
程に入り、熱が加えられ、ダイスボンド用テープ状接着
剤６の粘着力で半導体素子１１がダイスボンドされる。
【００３４】以後、最終形態となるパッケージ形状ごと
に設定されている周知の組立工程が実施され、パッケー
ジングが完了する。
【００３５】以上のように、第１の実施形態によれば、
下記の効果がある。
【００３６】（１）ウエハを所望の厚さにバックグライ
ンド処理した後、バックグラインド用保護テープを剥す
際に、ダイスボンド用テープ状接着剤が貼り付けられて
いるため、ダイスボンド用テープ状接着剤がウエハを補
強することとなり、ウエハの厚さを薄型化（特に１５０
μｍレベル、以下同じ）した場合でもウエハが割れるこ
とを抑制可能とし、不良を発生させず、結果的にコスト
ダウンすることが可能となった。
【００３７】（２）プロービングを実施する際に、ダイ
スボンド用テープ状接着剤が貼り付けられているため、
ダイスボンド用テープ状接着剤がウエハを補強すること
となり、ウエハの厚さを薄型化した場合でもウエハが割
れることを抑制可能とし、不良を発生させず、結果的に
コストダウンすることが可能となった。
【００３８】（３）上記全ての工程の搬送に際して、ダ
イスボンド用テープ状接着剤が貼り付けられているた
め、ダイスボンド用テープ状接着剤がウエハを補強する
こととなり、ウエハの厚さを薄型化した場合でもウエハ
が割れることを抑制可能とし、不良を発生させず、結果
的にコストダウンすることが可能となった。
【００３９】（４）ウエハの厚さを薄型化することが可
能となるため、ウエハ厚（チップ厚）を厚くする必要が
なくなって薄型パッケージへの採用が可能になり、他の
材料（特にチップをカバーするパッケージ材料）を薄く
する等の必要もなくなるため、耐湿性、耐はんだ付け性
等の品質を低下させることがなくなった。
【００４０】（５）ダイスボンド用テープ状接着剤が貼
り付けられているため、ダイスボンドする際に接着剤を
塗布せずにダイスボンドが実施できるようになった。
【００４１】図２は本発明の第２の実施形態を示す断面
図で、ウエハを個別の半導体素子に分割するまでの製造
工程を示している。
【００４２】（ａ）において、半導体素子を複数個形成
し、プロービングが完了したウエハ１０を準備する。こ
の場合は、半導体素子を複数個形成したウエハを準備
し、その後、プロービングすることや、また、半導体素
子を複数個形成したウエハを準備する工程のいずれかの
段階でプロービングを完了させることを意味している。
【００４３】従って、ウエハ１０は所望の電気特性を得
られているかプロービングされ、良品・不良品をインク
マーキング、又はマッピングする等して区別されてい
る。
【００４４】（ｂ）に示すように、ウエハ１０の裏面を
所望の厚さに削るためにバックグラインド用保護テープ
２をウエハ１０の表面に貼り付ける。このとき使用する
バックグラインド用保護テープ２はテープ基材２１と接
着剤２２によって構成されている。
【００４５】（ｃ）に示すように、図示してない切削装
置で所定の厚さに切削する。
【００４６】（ｄ）に示すように、バックグラインド用
保護テープ２を貼ったまま、ウエハ１０上に形成された
複数個の半導体素子を個別に分割するために、切削され
たウエハ１０の裏面にダイシング用保護テープ３を貼り
付ける。ダイシング用保護テープ３は、テープ基材３１
と接着剤３２によって構成されており、接着剤３２には
広く使用されているＵＶ硬化樹脂を使用する。
【００４７】（ｅ）では、ウエハ１０の全厚とダイシン
グ用保護テープ３の厚さの半分程度の切り代４を図示し
てないダイシング装置で入れ、個別の半導体素子のサイ
ズに分割する。従って、バックグラインド用保護テープ
２は個別チップに分割するために設けられているスクラ
イブラインが見える程度の透明度を有する必要がある。
【００４８】そして（ｆ）において、剥し用ツール等を
使用してチップ１個ずつに付いているバックグラインド
用保護テープ２を剥す。
【００４９】次にダイシング用保護テープ３全面にＵＶ
を照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を低下さ
せた後、（ｇ）に示すように、ダイスボンド装置のピッ
クアップツール５でピックアップして、個別の半導体素
子１１とダイシング用保護テープ３を分離する。
【００５０】その後、ダイスボンド工程に入り、最終形
態となるパッケージ形状ごとに設定されている組立工程
が実施され、パッケージが完了する。ダイスボンド以降
の工程は省略する。
【００５１】以上のように、第２の実施形態によれば、
下記の効果がある。
【００５２】（１）バックグラインド工程に入る前段階
で、プロービングを完了させるため、ウエハが厚いまま
であり、プロービング針の圧力が加わることによるウエ
ハが割れることを抑制可能とし、不良を発生させず、結
果的にコストダウンすることが可能となった。
【００５３】（２）ウエハを所望の厚さにバックグライ
ンド処理した後、バックグラインド用保護テープを剥す
際に、ダイシング用保護テープが貼り付けられているた
め、ダイシング用保護テープがウエハを補強することと
なり、ウエハの厚さを薄型化した場合でもウエハが割れ
ることを抑制可能とし、不良を発生させず、結果的にコ
ストダウンすることが可能となった。
【００５４】（３）上記全ての工程の搬送に際して、バ
ックグラインド用保護テープ及びダイシング用保護テー
プが貼り付けられているため、ウエハを補強することと
なり、ウエハの厚さを薄型化した場合でもウエハが割れ
ることを抑制可能とし、不良を発生させず、結果的にコ
ストダウンすることが可能となった。
【００５５】（４）ウエハの厚さを薄型化することが可
能となるため、ウエハ厚（チップ厚）を厚くする必要が
なくなって薄型パッケージへの採用が可能になり、他の
材料（特にチップをカバーするパッケージ材料）を薄く
する等の必要もなくなるため、耐湿性、耐はんだ付け性
等の品質を低下させることがなくなった。
【００５６】図３は本発明の第３の実施形態を示す断面
図で、ウエハを個別の半導体素子に分割するまでの製造
工程を示している。
【００５７】（ａ）から（ｄ）までの工程は第２の実施
形態と同じなので説明を省略する。
【００５８】（ｅ）において、バックグラインド用保護
テープ２を剥す。
【００５９】次に（ｆ）に示すように、ウエハ１０の全
厚とダイシング用保護テープ３の厚さの半分程度の切り
代４を図示してないダイシング装置で入れ、個別の半導
体素子のサイズに分割する。
【００６０】そして、ダイシング用保護テープ３全面に
ＵＶを照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を低
下させた後、（ｇ）に示すようにダイスボンド装置のピ
ックアップツール５でピックアップし、ダイシングテー
プ３から個別の半導体素子１１に分離する。
【００６１】その後、ダイスボンド工程に入り、最終形
態となるパッケージ形状ごとに設定されている組立工程
が実施され、パッケージングが完了する。ダイスボンド
以降の工程は省略する。
【００６２】以上のように、第３の実施形態によれば第
２の実施形態と同等の効果を奏する。
【００６３】図４は本発明の第４の実施形態を示す断面
図で、ウエハを個別の半導体素子に分割するまでの製造
工程を示している。
【００６４】（ａ）から（ｃ）までの工程は第２の実施
形態と同じなので説明を省略する。
【００６５】（ｄ）において、ウエハ１０の表面にバッ
クグラインド用保護テープ２を貼ったまま、バックグラ
インド処理が完了したウエハ１０の裏面にダイスボンド
用テープ状接着剤６を貼り付ける。ダイスボンド用テー
プ状接着剤６には熱可塑性樹脂等が使用される。
【００６６】その後、（ｅ）に示すようにバックグライ
ンド用保護テープ２を剥す。
【００６７】（ｆ）に示すようにウエハ１０上に形成さ
れた複数個の半導体素子を個別に分割するために、切削
されたウエハ１０の裏面にダイシング用保護テープ３を
貼り付ける。
【００６８】次に（ｇ）に示すようにウエハ１０及びダ
イスボンド用テープ状接着剤６の全厚とダイシング用保
護テープ３の厚さの半分程度の切り代４を図示してない
ダイシング装置で入れ、個別の半導体素子のサイズに分
割する。
【００６９】そして、ダイシング用保護テープ３全面に
ＵＶを照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を低
下させた後、（ｈ）に示すように、ダイスボンド装置の
ピックアップツール５で個別にチップをピックアップし
て、ダイスボンド用テープ状接着剤６が貼り付いた半導
体素子１１とダイシング用保護テープ３を分離する。
【００７０】その後、図示してないが、ダイスボンド工
程に入り、熱が加えられ、ダイスボンド用テープ状接着
剤６の粘着力で半導体素子１１がダイスボンドされる。
【００７１】以後、最終形態となるパッケージ形状ごと
に設定されている周知の組立工程が実施され、パッケー
ジングが完了する。
【００７２】以上のように、第４の実施形態によれば、
下記の効果がある。
【００７３】（１）バックグラインド工程に入る前段階
で、プロービングを完了させるため、ウエハが厚いまま
であり、プロービング針の圧力が加わることによるウエ
ハが割れることを抑制可能とし、不良を発生させず、結
果的にコストダウンすることが可能となった。
【００７４】（２）ウエハを所望の厚さにバックグライ
ンド処理した後、バックグラインド用保護テープを剥す
際に、ダイスボンド用テープ状接着剤が貼り付けられて
いるため、ダイスボンド用テープ状接着剤がウエハを補
強することとなり、ウエハの厚さを薄型化した場合でも
ウエハが割れることを抑制可能とし、不良を発生させ
ず、結果的にコストダウンすることが可能となった。
【００７５】（３）上記全ての工程の搬送に際して、ダ
イスボンド用テープ状接着剤が貼り付けられているた
め、ダイスボンド用テープ状接着剤がウエハを補強する
こととなり、ウエハの厚さを薄型化した場合でもウエハ
が割れることを抑制可能とし、不良を発生させず、結果
的にコストダウンすることが可能となった。
【００７６】（４）ウエハの厚さを薄型化することが可
能となるため、ウエハ厚（チップ厚）を厚くする必要が
なくなって薄型パッケージへの採用が可能になり、他の
材料（特にチップをカバーするパッケージ材料）を薄く
する等の必要もなくなるため、耐湿性、耐はんだ付け性
等の品質を低下させることがなくなった。
【００７７】（５）ダイスボンド用テープ状接着剤が貼
り付けられているため、ダイスボンドする際に接着剤を
塗布せずにダイスボンドが実施できるようになった。
【００７８】図５は本発明の第５の実施形態を示す断面
図で、ウエハを個別の半導体素子に分割するまでの製造
工程を示している。
【００７９】（ａ）から（ｄ）までの工程は第４の実施
形態と同じなので説明を省略する。
【００８０】（ｅ）において、ウエハ１０上に形成され
た複数個の半導体素子を個別に分割するために、切削さ
れ、ダイスボンド用テープ状接着剤６が貼り付けられた
ウエハ１０の裏面にダイシング用保護テープ３を貼り付
ける。
【００８１】そして、（ｆ）に示すようにバックグライ
ンド用保護テープ２を剥す。
【００８２】次に（ｇ）に示すようにウエハ１０及びダ
イスボンド用テープ状接着剤６の全厚とダイシング用保
護テープ３の厚さの半分程度の切り代４を図示してない
ダイシング装置で入れ、個別の半導体素子のサイズに分
割する。
【００８３】そして、ダイシング用保護テープ３の全面
にＵＶを照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を
低下させた後、（ｈ）に示すように、ダイスボンド装置
のピックアップツール５でピックアップして、ダイスボ
ンド用テープ状接着剤６が貼り付いた半導体素子１１と
ダイシング用保護テープ３を分離する。
【００８４】その後、図示してないが、ダイスボンド工
程に入り、熱が加えられ、ダイスボンド用テープ状接着
剤６の粘着力で半導体素子１１がダイスボンドされる。
【００８５】以後最終形態となるパッケージ形状ごとに
設定されている周知の組立工程が実施され、パッケージ
ングが完了する。
【００８６】以上のように、第５の実施形態によれば、
第４の実施形態と同等の効果を奏する。
【００８７】図６は本発明の第６の実施形態を示す断面
図で、ウエハを個別の半導体素子に分割するまでの製造
工程を示している。
【００８８】（ａ）から（ｅ）までの工程は第５の実施
形態と同じなので説明を省略する。
【００８９】（ｆ）において、バックグラインド用保護
テープ２、ウエハ１０及びダイスボンド用テープ状接着
剤６の全厚とダイシング用保護テープ３の厚さの半分程
度の切り代４を図示してないダイシング装置で個別の半
導体素子のサイズに分離する。従って、バックグライン
ド用保護テープ２は個別チップに分割するために設けら
れているスクライブラインが見える程度の透明度を有す
る必要がある。
【００９０】そして、ダイシング用保護テープ３の全面
にＵＶを照射し、ダイシング用保護テープ３の接着性を
低下させた後、（ｇ）に示すように、ダイスボンド装置
のピックアップツール５でピックアップして、バックグ
ラインド用保護テープ２とダイスボンド用テープ状接着
剤６が貼り付いた半導体素子１１とダイシング用保護テ
ープ３を分離する。
【００９１】その後、ピックアップツール５でピックア
ップしたまま又は同様の形状のダイスボンドツールを使
用して、図示してないが周知のダイスボンド工程に入
り、熱が加えられ、ダイスボンド用テープ状接着剤６の
粘着力で半導体素子１１がダイスボンドされる。
【００９２】そして、（ｈ）に示すように、ピックアッ
プツールのような形状の剥し用ツール等を使用して半導
体素子１１に付いているバックグラインド用保護テープ
２を剥す。この際バックグラインド用保護テープ２の接
着剤２２が粘着性樹脂の場合は剥し用ツールに付いた粘
着テープ等により機械的に剥し、ＵＶ硬化樹脂の場合は
ＵＶ照射後、剥し用ツールに付けた粘着テープ等により
剥し、熱可塑性樹脂の場合は剥し用ツールで加熱して剥
す。
【００９３】以後、最終形態となるパッケージ形状ごと
に設定されている周知の組立工程が実施され、パッケー
ジングが完了する。
【００９４】以上のように、第６の実施形態によれば、
下記の効果がある。
【００９５】（１）バックグラインド工程に入る前段階
で、プロービングを完了させるため、ウエハが厚いまま
であり、プロービング針の圧力が加わることによるウエ
ハが割れることを抑制可能とし、不良を発生させず、結
果的にコストダウンすることが可能となった。
【００９６】（２）上記全ての工程の搬送に際して、個
別の半導体素子に分割する前にバックグラインド用保護
テープ、ダイスボンド用テープ状接着剤、ダイシング用
保護テープが貼り付けられているため、これらの材料が
ウエハを補強することとなり、ウエハの厚さを薄型化し
た場合でも、ウエハが割れることを抑制可能とし、不良
を発生させず、結果的にコストダウンすることが可能と
なった。
【００９７】（３）ウエハの厚さを薄型化することが可
能となるため、ウエハ厚（チップ厚）を厚くする必要が
なくなって薄型パッケージへの採用が可能になり、他の
材料（特にチップをカバーするパッケージ材料）を薄く
する等の必要もなくなるため、耐湿性、耐はんだ付け性
等の品質を低下させることがなくなった。
【００９８】（４）ダイスボンド用テープ状接着剤が貼
り付けられているため、ダイスボンドする際に接着剤を
塗布せずにダイスボンドが実施できるようになった。
【００９９】（５）ダイスボンドする際にバックグライ
ンド用保護テープが半導体素子上に存在するため、傷等
を保護する役割を果たし、結果的に品質を向上させた。
【０１００】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、ウエ
ハが割れるのを防止してコストダウンをはかることがで
き、品質の低下をなくし、ウエハの薄型化を実現して薄
型パッケージの採用を可能とし、さらにダイスボンド時
の接着剤の塗布をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す断面図。
【図３】本発明の第３の実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の第４の実施形態を示す断面図。
【図５】本発明の第５の実施形態を示す断面図。
【図６】本発明の第６の実施形態を示す断面図。
【図７】従来の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
１，１０ ウエハ ２ バックグラインド用保護テープ ２１ 基材 ２２ 接着剤 ３ ダイシング用保護テープ ３１ 基材 ３２ 接着剤 ４ 切り代 ６ ダイスボンド用テープ状接着剤 １１ 半導体素子
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/301 H01L 21/304 631

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子を複数個形成したウエハを準
    備する工程と、 前記ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼
    り付ける工程と、 前記バックグラインド用保護テープを貼り付けた前記ウ
    エハの裏面をバックグラインド処理する工程と、 バックグラインド処理した前記ウエハの裏面にダイスボ
    ンド用テープ状接着剤を貼り付ける工程と、 その後、前記バックグラインド用保護テープを剥す工程
    と、 前記ダイスボンド用テープ状接着剤を貼り付けた状態の
    前記ウエハをプロ−ビングする工程と、 前記ダイスボンド用テープ状接着剤にダイシング用保護
    テープを貼り付ける工程と、 前記ウエハ、ダイスボンド用テープ状接着剤及びダイシ
    ング用保護テープの一部を個別の半導体素子のサイズに
    ダイシングする工程と、 前記ダイシング用保護テープから、前記ダイスボンド用
    テープ状接着剤が貼り付いた前記個別の半導体素子を分
    離する工程と、 分離した前記半導体素子を前記ダイスボンド用テープ状
    接着剤を利用してダイスボンドする工程とを備えたこと
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記ダイスボンド用テープ状接着剤が熱
    可塑性樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記バックグラインド用保護テープが粘
    着性樹脂であることを特徴とする請求項１または請求項
    ２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記バックグラインド用保護テープがＵ
    Ｖ硬化樹脂であることを特徴とする請求項１または請求
    項２記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記バックグラインド用保護テープが熱
    可塑性樹脂であることを特徴とする請求項１または請求
    項２記載の半導体装置の製造方法。
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