JP3496347B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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wafer
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に関し、特に、ＭＯＳトランジスタ型加速度セ
ンサや圧力センサのように１チップ内に可動部を有する
半導体装置や、エアーブリッジ配線構造などのように機
械的強度の低い構造体を持つ半導体装置及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばシリコンウェハ等の半導体ウェハ
上に形成された半導体集積回路素子を複数のチップに分
割する方法は、通常は粘着シート上に置かれた半導体ウ
ェハをダイシングカット装置を用いてダイシングカット
することによってなされていた。
【０００３】この際、シリコンの切り屑を除去及び切断
時の熱を放熱したり、カットが容易にできるように大量
の切削水を流しながらダイシングカットして半導体ウェ
ハを複数のチップに分割していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ンチップ内に例えば、ＭＯＳトランジスタ型加速度セン
サのように可動部を有する素子やエアーブリッジ配線構
造のように機械的強度が低い構造体が存在する場合、使
用される大量の切削水の圧力や表面張力により機能素子
が破壊されて正常な動作が行われなくなってしまう。
【０００５】この問題に対して特開平２−１０６９４７
号公報は、エアーブリッジ構造に関して、ウェハ上にレ
ジストを塗布して硬化させた状態でダイシングカット
し、その後、オゾン雰囲気中で紫外線照射してレジスト
を除去する方法を提案している。
【０００６】しかるにこの方法では紫外線の当たらない
領域ではレジストが残ってしまい、しかもこのレジスト
を除去する適当な方法がなかった。また可動部を有する
素子においてはレジスト塗布時にレジストの粘性やスピ
ンナーの回転（角速度）により可動部が破損されたり、
正常動作ができなくなってしまう場合がある。また、単
なるダイシング工程に比べて余分の工数がかかるという
欠点があった。
【０００７】このように従来の技術では、例えばＭＯＳ
トランジスタ型加速度センサの可動ゲートや圧力センサ
のダイアフラムのような可動部またはエアーブリッジ配
線構造のような機械的強度の低い構造体が形成された半
導体ウェハを高歩留りかつ低コストでチップ状に分割す
ることができなかった。また、機械的強度の低い構造体
が形成された半導体ウェハを搬送する際に、機械的強度
の低い構造体が周囲の環境によって汚れないように配慮
せねばならず搬送時における取扱いが容易でなかった。
【０００８】本発明の半導体装置及びその製造方法はこ
のような課題に着目してなされたものであり、その目的
とするところは、機械的強度の低い構造体が形成された
半導体ウェハを保護用キャップによって保護してダイシ
ングカットすることにより、半導体ウェハを高歩留りか
つ低コストでチップ状に分割することができる半導体装
置及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は、保護用キャッ
プによって搬送中の半導体ウェハの汚染を防止したり、
機械的強度の低い構造体を外力から保護することによ
り、搬送時における半導体ウェハの取り扱いを容易にし
た半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、第１の発明は、可動部や機械的強度の低い構造
体が露出した構造を有する半導体装置において、前記可
動部や機械的強度の低い構造体が形成された半導体ウェ
ハと、前記可動部や機械的強度の低い構造体を覆うよう
に前記半導体ウェハに関して設けられた取り外し可能な
粘着シートからなる保護用キャップとを具備し、前記保
護用キャップは、前記構造体と対向する凹部と、この凹
部の領域内に設けられた貫通孔とを具備する治具によっ
て真空吸引により象られた粘着シートからなる。
【００１１】また、第２の発明は、面状に配置された複
数の凹部と、この凹部の領域内に各々形成された貫通孔
とを有する治具の表面に第１の粘着シートを貼り付ける
工程と、前記治具内に形成された貫通孔を介して前記第
１の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する工程と、表
面に機械的強度の低い構造体が形成された半導体ウェハ
を凹部に沿って吸引された前記第１の粘着シート上に貼
り付ける工程と、前記半導体ウェハの裏面に第２の粘着
シートを貼り付けて、前記治具から第１の粘着シートと
半導体ウェハとを取り外す工程と、前記半導体ウェハの
表面側から裏面方向へ第１の粘着シートとともに前記半
導体ウェハをダイシングカットする工程とを具備する。
【００１２】また、第３の発明は、機械的強度の低い構
造体が露出した構造を有する半導体装置の製造方法にお
いて、支持台の上に粘着シートを配置する工程と、表面
に加熱された針状部を有する治具を前記粘着シートに少
なくとも接近させるか又は前記治具の針状部を前記粘着
シートに押し当てて前記粘着シートに前記構造体と対向
する凹部を形成する工程と、前記凹部が形成された粘着
シートを前記露出した構造体が形成された半導体ウェハ
上に貼り付ける工程と、前記粘着シートと前記半導体ウ
ェハとをダイシングカットする工程とを具備する。
【００１３】また、第４の発明は、機械的強度の低い構
造体が露出した構造を有する半導体装置の製造方法にお
いて、前記構造体の周囲領域の半導体ウェハの表面に転
写または印刷可能な接着材料を用いて所定の壁を形成す
る工程と、前記半導体ウェハ表面を覆うように前記構造
体と対向する凹部を有する第１の粘着シートを貼る工程
と、真空吸引手段によって前記第１の粘着シートを吸引
して、前記第１の粘着シートを前記半導体ウェハの表面
に接着させる工程と、前記半導体ウェハの裏面に第２の
粘着シートを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハの表
面から裏面方向へ前記第１の粘着シートと前記半導体ウ
ェハとをダイシングカットする工程とを具備する。
【００１４】また、第５の発明は、面状に配置された複
数の凹部と、この凹部の領域内に各々形成された貫通孔
とを有する治具の表面に絶縁体あるいは導電体シートを
貼り付ける工程と、真空吸引ステージからの真空引きに
より、前記治具内に形成された貫通孔を介して前記シー
トを前記凹部に沿って吸引する工程と、前記治具を吸引
されたシートごと加熱する工程と、前記シート上に表面
に機械的強度の低い構造体が形成された半導体ウェハを
貼り付ける工程と、前記貼り付ける工程の後、冷却する
前または冷却してから前記半導体ウェハを貼り付けてウ
ェハ保護用キャップを設ける工程とを具備する。
【００１５】すなわち、第１の発明は、可動部や機械的
強度の低い構造体が露出した構造を有する半導体装置に
おいて、半導体ウェハに前記可動部や機械的強度の低い
構造体を形成した後、前記可動部や機械的強度の低い構
造体を覆うように取り外し可能な粘着シートからなる保
護用キャップを半導体ウェハに関して設けるようにす
る。この保護用キャップは、前記構造体と対向する凹部
と、この凹部の領域内に設けられた貫通孔とを具備する
治具によって真空吸引により象られた粘着シートからな
る。
【００１６】また、第２の発明は、まず、面状に配置さ
れた複数の凹部と、この凹部の領域内に各々形成された
貫通孔とを有する治具の表面に第１の粘着シートを貼り
付け、前記治具内に形成された貫通孔を介して前記第１
の粘着シートを前記凹部に沿って吸引する。次に、表面
に機械的強度の低い構造体が形成された半導体ウェハを
凹部に沿って吸引された前記第１の粘着シート上に貼り
付け、その後、前記半導体ウェハの裏面に第２の粘着シ
ートを貼り付けて、前記治具から第１の粘着シートと半
導体ウェハとを取り外し、前記半導体ウェハの表面側か
ら裏面方向へ第１の粘着シートとともに前記半導体ウェ
ハをダイシングカットする。
【００１７】また、第３の発明は、機械的強度の低い構
造体が露出した構造を有する半導体装置の製造方法にお
いて、支持台の上に粘着シートを配置した後、表面に加
熱された針状部を有する治具を前記粘着シートに少なく
とも接近させるか又は前記治具の針状部を前記粘着シー
トに押し当てて前記粘着シートに前記構造体と対向する
凹部を形成する。次に、前記凹部が形成された粘着シー
トを前記露出した構造体が形成された半導体ウェハ上に
貼り付けた後、前記粘着シートと前記半導体ウェハとを
ダイシングカットする。
【００１８】また、第４の発明は、機械的強度の低い構
造体が露出した構造を有する半導体装置の製造方法にお
いて、前記構造体の周囲領域の半導体ウェハの表面に転
写または印刷可能な接着材料を用いて所定の壁を形成し
た後、前記半導体ウェハ表面を覆うように前記構造体と
対向する凹部を有する第１の粘着シートを貼る。次に、
真空吸引手段によって前記第１の粘着シートを吸引し
て、前記第１の粘着シートを前記半導体ウェハの表面に
接着させ、前記半導体ウェハの裏面に第２の粘着シート
を貼り付ける。そして、前記半導体ウェハの表面から裏
面方向へ前記第１の粘着シートと前記半導体ウェハとを
ダイシングカットする。
【００１９】また、第５の発明は、まず、面状に配置さ
れた複数の凹部と、この凹部の領域内に各々形成された
貫通孔とを有する治具の表面に絶縁体あるいは導電体シ
ートを貼り付け、真空吸引ステージからの真空引きによ
り、前記治具内に形成された貫通孔を介して前記シート
を前記凹部に沿って吸引する。次に、前記治具を吸引さ
れたシートごと加熱した後、前記シート上に表面に機械
的強度の低い構造体が形成された半導体ウェハを貼り付
ける。そして、この貼り付ける工程の後、冷却する前ま
たは冷却してから前記半導体ウェハを貼り付けてウェハ
保護用キャップを設ける。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。まず、実施の形態の概略を
説明する。図１は本実施の形態に用いられる半導体装置
とダイシングブレードとの対応関係を示す図である。ま
ず、可動部や突起物等の機械的強度が低い構造体を有す
る半導体装置を、円盤状の半導体ウェハ（以下、単にウ
ェハと呼ぶ）１上に複数個形成する。次に取り外し可能
な保護用キャップ２ａを、可動部や突起物（以下では総
称してセンサ１ａと呼ぶ）に対応させて以下に述べる工
程フローにより形成し、その後ダイシングブレード３に
よってダイシングカットを実行してウェハ１をチップ状
に分割する。保護用キャップ２ａとしては以下に述べる
ように粘着シートが用いられる。また、ここではダイシ
ングブレード３によって最終的にチップ状に分割されて
いないが、ある程度カットされた状態にあるものもウェ
ハ１に含まれるものとする。
【００２１】図２（ａ）、図２（ｂ）は本実施の形態に
用いる治具と、粘着シートと、半導体ウェハとの対応関
係を各々半分に切欠いて示す図である。上記した保護用
キャップ２ａは図２（ａ）に示すようにセンサ１ａに対
向する領域に設けられた凹部として実現されており、こ
の凹部は以下に述べるように、粘着シート吸引用の貫通
孔４ｂを有する治具４によって象り用凹部４ａを介して
第１の粘着シート２を吸引変形して形成される。
【００２２】なお、本実施の形態で使用する粘着シート
変形用の治具４の材料としては剛性の高い材料（金属、
セラミックス等）が用いられるが、加工が容易なセラミ
ックス材料であるマコールが最も適している。また、治
具４に形成する貫通孔４ｂや象り用凹部４ａの加工方法
としてはドリル、レーザー加工などが用いられる。
【００２３】次に、第１の実施の形態に係るダイシング
カットの工程フローについて図３を参照して説明する。 （１）先ず、図３（ａ）に示すように、象り用凹部４ａ
の一部に貫通孔４ｂを有する治具４を用意する。なお、
象り用凹部４ａは治具４の構造上、貫通孔４ｂの径が小
さい場合に必要となるが貫通孔４ｂのみでもよい。
【００２４】（２）次に、図３（ｂ）に示すように、治
具４の表面に第１の粘着シート２をその粘着面を上にし
て貼る。ここでは、第１の粘着シート２として紫外線に
より粘着力が低下するＵＶ硬化性シートを用いることに
する。粘着力はチップ表面内への切削水の浸入を防ぐた
めに高い方が望ましい。ここでは、剥離強度１０００ｇ
／２５ｍｍの粘着シートを選定した。
【００２５】（３）次に、図３（ｃ）に示すように、治
具４内の貫通孔４ｂを通して第１の粘着シート２を真空
チャックステージ５によって吸引して撓ませる。その
後、治具４を第１の粘着シート２ごと４０〜１００℃の
温度の範囲内で加熱するが、以下の図９からわかるよう
に望ましくは５０〜７０℃の温度がよい。
【００２６】図９は治具加熱温度とギャップ間隔ｄ（図
１０参照）との関係を示す図であり、ポリオレフィン基
材の第１の粘着シート２を治具４ごと加熱し、室温まで
冷却した後、１時間放置した後でギャップ間隔ｄを測定
した結果を示している。また、加熱時に第１の粘着シー
ト２が反ることがあるが、予め金属フレームなどで固定
しておけば金属フレームの自重でその反りを防ぐことが
できる。所望の温度に達した後冷却して、治具４及び第
１の粘着シート２を室温まで下げ、第１の粘着シート２
の形状を維持させる。ここで、図３（ｃ）では第１の粘
着シート２の形状として治具４の象り用凹部４ａ内側の
形状を反映した形状を示しているが第１の粘着シート２
の厚みや材料、加熱条件などによって形状が変わるのは
言うまでもない。
【００２７】（４）次に、図３（ｄ）に示すように、セ
ンサ１ａ付きウェハ１を第１の粘着シート２に密着させ
る。この場合、図７に示すように、例えば予め素子が完
全に固定されている状態でウェハ１の２箇所１ｃ、１ｄ
を位置合わせラインとしてカット成形しておき、また、
治具４上にウェハ１のガイド用に４箇所にピン４ｃを立
てる。ウェハ１の位置合わせライン１ｃ、１ｄとピン４
ｃは、ウェハ１上のセンサ１ａが治具４内の象り用凹部
４ａに納まるような位置関係にする（図２参照）。ま
た、ウェハパターンと粘着シートパターンとを画像認識
により直接合わせてからウェハ１と第１の粘着シート２
を合わせてもよい。
【００２８】なお、ウェハ１と第１の粘着シート２との
密着は治具４及び第１の粘着シート２とを冷却する前に
実施してもよい。 （５）次に、図３（ｅ）に示すように、ウェハ１の裏面
に第２の粘着シート６を貼る。この第２の粘着シート６
はＵＶ硬化性粘着シートでも感圧性粘着シートでもよ
い。ただし、感圧性粘着シートを用いる場合は、この後
工程で行われるように、第１の粘着シート２を取り外す
手段として加熱による取り外しを実施する場合には、第
１の粘着シート２よりも耐熱性のある粘着シートを選定
する。
【００２９】また、第１の粘着シート２に金属フレーム
を付けた場合は金属フレームを取り外した後に第２の粘
着シートを貼る。 （６）次に、図４（ａ）に示すように、治具４内の貫通
孔４ｂを通しての吸引を止めて治具４から第１及び第２
の粘着シート２、６が付着したウェハ１を外す。
【００３０】（７）次に、図４（ｂ）に示すように、第
１の粘着シート２ごとウェハ１に形成されたスクライブ
ライン７に沿ってダイシングカットする。 （８）次に、図４（ｃ）示すように、例えばＵＶ硬化性
粘着シートを用いた場合は紫外線（ＵＶ光）を照射して
粘着力を低下させる。
【００３１】（９）次に、図４（ｄ）に示すように、真
空ピンセット８や第３の粘着シート、テープ、接着剤、
あるいは針のような先が鋭くとがったもので引っかける
などして第１の粘着シート２を取り外す。また、切断
後、第１の粘着シート２の切断部を半田コテ等の熱源で
溶融し、粘着シートどうしをくっつけてもよい。
【００３２】（１０）次に、チップ間隔を広げる必要が
あるときは、図４（ｅ）に示すように、第２の粘着シー
ト６をウェハ１の切り込みが広がる方向に引っ張り力を
与えてチップ間隔を広げる。なお、（９）と（１０）は
逆になってもよい。
【００３３】以下に上記した第１の実施の形態の変形例
を説明する。第１の実施の形態では治具４内の貫通孔４
ｂを介して真空吸引することで粘着シート９に凹部を形
成しているが、図５に示すように、治具１２の表面部に
設けられた加熱した針状突起部（以下単に針と呼ぶ）１
０を使用して粘着シート９を局所的に溶融して凹部を形
成してもよい。この場合、針１０は粘着シート９に接触
させてもさせなくともよい。この方法の利点は治具１
２、ウェハ１を加熱あるいは冷却する必要がないことで
ある。加熱あるいは冷却した場合は治具１２、ウェハ１
の熱容量のために加熱あるいは冷却させるのに相当の時
間を要するが、この変形例によれば熱が粘着シート９に
局所的にかかるために熱容量が非常に小さくなってスル
ープットが格段に向上する。また、粘着シート９をウェ
ハ１に取り付けるときには空気を巻き込むのでウェハ１
と粘着シート９との間にボイドを生じることがあるが、
この実施の形態では粘着シート９に突起部がないので粘
着シート９の貼り付け時にローラ等で空気を一方向に追
い出すことができ、ボイドを発生させずに貼り付けが可
能になる。
【００３４】以下に図５を参照して上記した変形例の製
造工程を説明する。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、支持台１１の上
に粘着シート９を配置する。次に治具１２の表面に設け
られた針１０を加熱して、この針１０を上方から粘着シ
ート９に接近あるいは接触させて粘着シート９を局所的
に溶融する。その後、治具１２を粘着シート９から離
す。なお、粘着シート９の固定方法は例えば、支持台１
１として真空吸引ステージの上に多孔質のセラミック板
を載せたものを使用すれば真空吸引によって固定するこ
とができる。また、粘着シート９を金属フレームに取り
付けておけば金属フレームの自重で粘着シート９を固定
することができる。 （２）次に溶融部９ａが硬化したら、図５（ｂ）に示す
ようにウェハ１を粘着シート９の上に載せて粘着シート
９の接着剤でウェハ１を固定する。また、粘着シート９
をローラ等によって転がしながらウェハ１に貼り付けて
もよい。 （３）最後に、図５（ｃ）に示すようにウェハ１を粘着
シート９とともにダイシングカットする。
【００３５】図６は第１の実施の形態の他の変形例を示
す図である。この実施の形態では針１０が設けられた治
具１２を粘着シート９に押し当てて粘着シート９を強制
的に変形させる。以下、この変形例の製造工程について
説明する。 （１）まず、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、支
持台１１の上に粘着シート９を置き、上方から針１０が
設けられた治具１２を粘着シート９に押し当てて粘着シ
ート９を強制的に変形させる。 （２）次に図６（ｃ）に示すように、粘着シート９をウ
ェハ１上に配置する。 （３）最後に図６（ｄ）に示すように、粘着シート９と
ともにウェハ１をダイシングカットする。
【００３６】次に本発明の第２の実施の形態を説明す
る。上記した第１の実施の形態では治具を用いることに
より粘着シートを所望の形状に変形させていたが、第２
の実施の形態では治具を使用せずにダイシングカットを
する方法である。
【００３７】以下に、第２の実施の形態によるダイシン
グカットの工程フローを図８を参照して説明する。 （１）先ず、図８（ａ）に示すように、可動部を有する
半導体センサなどの半導体装置が形成されたウェハ１の
センサ１ａの周辺にそれを取り巻く壁１ｂを形成するた
めに、接着剤などを例えばスクリーン印刷法により印刷
する。この際、後の工程で貼り付ける第１の粘着シート
２がダイシングカット時にセンサ１ａに触れないように
フィラーを入れるなどしてできるだけ接着剤の高さを高
くするとともに高さの制御も行う。また、センサ１ａと
接着剤との距離をできるだけ近づける。その後、オーブ
ンなどを用いて加熱することにより接着剤を硬化させて
壁１ｂを形成する。 （２）次に図８（ｂ）に示すように、ウェハ１の表面側
に接着剤の印刷により形成された壁１ｂ上に第１の粘着
シート２を貼り付ける。ここでは、第１の粘着シート２
として赤外線により粘着力が低下するＵＶ硬化性シート
を用いることにする。チップ表面内への切削水の浸入を
防ぐために粘着力は高い方が望ましい。ここでは、剥離
強度１０００ｇ／２５ｍｍの粘着シートを選定した。 （３）続いて図８（ｃ）に示すように、第１の粘着シー
ト２が貼り付けられたウェハ１を真空チャックステージ
１３上に置いて吸引するとともに、第２の粘着シート６
をウェハ１の裏面に貼り付ける。この真空チャックステ
ージ１３はウェハマウンタ装置の真空チャックステージ
でもよい。第２の粘着シート６はＵＶ硬化性粘着シート
でも感圧性粘着シートでもよい。ただし、感圧性粘着シ
ートを用いた第１の粘着シート２を加熱によって取り外
す場合には、第１の粘着シート２よりも耐熱性のある粘
着シートを第２の粘着シート６として選定する。
【００３８】また、第１の粘着シート２に金属フレーム
を付けた場合は金属フレームを取り外した後に第２の粘
着シート６を貼る。 （４）次に図８（ｄ）に示すように、第１の粘着シート
２が貼られているウェハ１の表面側から真空チャックス
テージ１４へ向けてフルカットで第１の粘着シート２と
ウェハ１とをダイシングカットする。 （５）次に図８（ｅ）に示すように、真空ピンセット８
や第３の粘着シート、接着剤、あるいは先が鋭くとがっ
たもので粘着シートに引っかけるなどして第１の粘着シ
ート２を取り外す。 （６）次に図８（ｆ）に示すように、第１の実施の形態
で述べた通常のエキスパンディングによりチップ間隔を
広げる。
【００３９】以下に本発明の第３の実施の形態を説明す
る。上記した第１及び第２の実施の形態では機械的強度
が低い構造体が形成された半導体ウェハのダイシングカ
ット方法について述べたが、第３の実施の形態では機械
的強度が低い構造体が形成された半導体ウェハ用の保護
用キャップを形成する実施の形態であり、工程フロー
は、第１の実施の形態の図３（ａ）〜（ｅ）及び図４
（ａ）に示されるように保護用キャップを構成する第１
の粘着シート２をウェハ１に貼り付けるまでの工程であ
る。この工程の間、ウェハ１上の機械的強度の低い構造
体は外力から保護されるので次工程までの搬送が容易に
なる。保護用キャップは搬送後に外してもよいし、
（ｄ）のダイシングカットの後、実装工程までチップの
保護キャップとしてそのまま残してもよい。また、粘着
シートとして導電性シートを用いれば周辺回路に対し静
電気破壊防止対策が可能となる。
【００４０】上記した実施の形態によれば、ダイシング
カット時、ウェハ内の機械的強度の低い構造体は保護用
キャップで覆われているため、切削水の圧力、切削水の
表面張力、切り屑の付着から保護される。また上記の構
成により、レジストなどの粘液体を機械的強度の低い構
造体の固定に用いる必要がないために、レジストなどの
粘液体の塗布や除去工程を用いることなしに機械的強度
の低い構造体を形成した半導体装置のダイシングカット
が可能となる。したがって、機械的強度の低い構造体を
形成した半導体ウェハを高歩留りかつ低コストでチップ
状に分割することができる。また、保護用キャップによ
って搬送中の半導体ウェハを保護するようにしたので、
汚染を防止することができ、かつ機械的強度の低い構造
体が外力から保護されるので、搬送時における半導体ウ
ェハの取り扱いが容易になる。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、機械的強度の低い構造
体が形成された半導体ウェハを保護用キャップによって
保護してダイシングカットするようにしたので、半導体
ウェハを高歩留りかつ低コストでチップ状に分割するこ
とができる。
【００４２】また、保護用キャップによって搬送中の半
導体ウェハを保護するようにしたので、汚染を防止する
ことができ、かつ機械的強度の低い構造体が外力から保
護されるので、搬送時における取り扱いが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置とダイ
シングブレードとの対応関係を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における治具、粘着シート
と半導体ウェハとの対応関係をそれぞれ半分に切欠いて
示す図である。
【図３】第１の実施の形態によるダイシングの工程フロ
ーの前部を示す図である。
【図４】第１の実施の形態によるダイシングの工程フロ
ーの後部を示す図である。
【図５】第１の実施の形態の変形例を説明するための図
である。
【図６】第１の実施の形態の他の変形例を説明するため
の図である。
【図７】第１の実施の形態に用いるウェハと第１の粘着
シートの位置合わせ方法を説明するための図である。
【図８】第２の実施の形態によるダイシングカットの工
程フローを示す図である。
【図９】治具加熱温度とギャップ間隔ｄとの関係を示す
図である。
【図１０】図９におけるギャップ間隔ｄの説明図であ
る。
【符号の説明】
１…ウェハ、１ａ…センサ、１ｂ…壁、１ｃ、１ｄ…位
置合わせライン、２…第１の粘着シート、２ａ…保護用
キャップ、３…ダイシングブレード、４…治具、４ａ…
象り用凹部、４ｂ…貫通孔、４ｃ…ピン、５、１３、１
４…真空チャックステージ、６…第２の粘着シート、７
…ダイシングカットライン、８…真空ピンセット。
フロントページの続き (72)発明者 倉橋 崇 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−28924（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−39954（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/301

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 可動部や機械的強度の低い構造体が露出
    した構造を有する半導体装置において、 前記可動部や機械的強度の低い構造体が形成された半導
    体ウェハと、 前記可動部や機械的強度の低い構造体を覆うように前記
    半導体ウェハに関して設けられた取り外し可能な粘着シ
    ートからなる保護用キャップと、 を具備し、 前記保護用キャップは、前記構造体と対向する凹部と、
    この凹部の領域内に設けられた貫通孔とを具備する治具
    によって真空吸引により象られた粘着シートからなるこ
    と を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 面状に配置された複数の凹部と、この凹
    部の領域内に各々形成された貫通孔とを有する治具の表
    面に第１の粘着シートを貼り付ける工程と、 前記治具内に形成された貫通孔を介して前記第１の粘着
    シートを前記凹部に沿って吸引する工程と、 表面に機械的強度の低い構造体が形成された半導体ウェ
    ハを凹部に沿って吸引された前記第１の粘着シート上に
    貼り付ける工程と、 前記半導体ウェハの裏面に第２の粘着シートを貼り付け
    て、前記治具から第１の粘着シートと半導体ウェハとを
    取り外す工程と、 前記半導体ウェハの表面側から裏面方向へ第１の粘着シ
    ートとともに前記半導体ウェハをダイシングカットする
    工程と、 を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 凹部に沿って吸引された前記第１の粘着
    シートと、前記治具とを同時に熱処理する工程をさらに
    具備し、この熱処理工程において、前記治具と吸引され
    た粘着シートとを４０℃〜１００℃の範囲内で加熱し、
    その後３０℃以下まで冷却することを特徴とする請求項
    ２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 機械的強度の低い構造体が露出した構造
    を有する半導体装置の製造方法において、 支持台の上に粘着シートを配置する工程と、 表面に加熱された針状部を有する治具を前記粘着シート
    に少なくとも接近させ るか又は前記治具の針状部を前記
    粘着シートに押し当てて前記粘着シートに前記構造体と
    対向する凹部を形成する工程と、 前記凹部が形成された粘着シートを前記露出した構造体
    が形成された半導体ウェハ上に貼り付ける工程と、 前記粘着シートと前記半導体ウェハとをダイシングカッ
    トする工程と、 を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 機械的強度の低い構造体が露出した構造
    を有する半導体装置の製造方法において、 前記構造体の周囲領域の半導体ウェハの表面に転写また
    は印刷可能な接着材料を用いて所定の壁を形成する工程
    と、 前記半導体ウェハ表面を覆うように前記構造体と対向す
    る凹部を有する第１の粘着シートを貼る工程と、 真空吸引手段によって前記第１の粘着シートを吸引し
    て、前記第１の粘着シートを前記半導体ウェハの表面に
    接着させる工程と、 前記半導体ウェハの裏面に第２の粘着シートを貼り付け
    る工程と、 前記半導体ウェハの表面から裏面方向へ前記第１の粘着
    シートと前記半導体ウェハとをダイシングカットする工
    程と、 を具備したことを特徴とする半導体の製造方法。
  6. 【請求項６】 面状に配置された複数の凹部と、この凹
    部の領域内に各々形成された貫通孔とを有する治具の表
    面に絶縁体あるいは導電体シートを貼り付ける工程と、 真空吸引ステージからの真空引きにより、前記治具内に
    形成された貫通孔を介して前記シートを前記凹部に沿っ
    て吸引する工程と、 前記治具を吸引されたシートごと加熱する工程と、 前記シート上に表面に機械的強度の低い構造体が形成さ
    れた半導体ウェハを貼り付ける工程と、 前記貼り付ける工程の後、冷却する前または冷却してか
    ら前記半導体ウェハを貼り付けてウェハ保護用キャップ
    を設ける工程と、 を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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