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GEBIET
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Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Verfahren zum Produzieren eines Halbleitermoduls und ein Halbleitermodul.
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HINTERGRUND
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Mikrofone, Druck- und Gassensoren werden in elektronische Vorrichtungen wie zum Beispiel Smartphones, Tablet-Computer, Laptop-Computer, Automobil- und medizinische Vorrichtungen sowie tragbare Vorrichtungen auf dem Gebiet des Lebensstils (Lifestyle) implementiert und können heutzutage als siliziumbasierte Mikroelektro-Mechanische-Systeme (MEMS) konstruiert werden. In einem Mikrofon wird ein rückseitiges Volumen unter oder hinter einer MEMS-Schallvorrichtung gebildet. Der Begriff „rückseitiges Volumen“ kann sich auf einen Raum gegenüber einer MEMS-Schallkomponente wie zum Beispiel einer Membran, auf der Schallwellen auftreffen, beziehen und kann auch als ein rückseitiger Hohlraum bezeichnet werden. Im Allgemeinen ist bekannt, dass, wenn das rückseitige Volumen vergrößert wird, die Mikrofonempfindlichkeit, z.B. das Signal-Rausch-Verhältnis, weiter erhöht und eine bessere Frequenzgangkurve erhalten werden kann. Das rückseitige Volumen ist an einer Seite durch eine Kappe oder Abdeckung begrenzt, die den Mikrofonhohlraum abdeckt. Die vorliegende Offenbarung betrifft außerdem andere Sensoren, die eine Kappe umfassen können, wie zum Beispiel Erschütterungssensoren, Beschleunigungssensoren, Temperatursensoren, Gassensoren, Feuchtigkeitssensoren, Magnetfeldsensoren, Elektrofeldsensoren oder optische Sensoren. Zum weiteren Reduzieren der Herstellungskosten für diese Vorrichtungen streben die Fachleute im Fachgebiet ständig nach der Entwicklung besser wirksamer und anwendbarer Fertigungsverfahren.
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KURZFASSUNG
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Gemäß einem ersten Aspekt der Offenbarung umfasst ein Verfahren zum Produzieren eines Halbleitermoduls Herstellen einer Halbleiterplatte, umfassend eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen oder Halbleiterbauelementen, Herstellen einer Kappenplatte, umfassend eine Vielzahl von Kappen, Binden der Kappenplatte auf die Halbleiterplatte, so dass jede der Kappen eine oder mehrere der Halbleitervorrichtungen abdeckt, und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von Halbleitermodulen.
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Gemäß einem zweiten Aspekt der Offenbarung umfasst ein Halbleitermodul eine Halbleitervorrichtung oder ein Halbleiterbauelement und eine über der Halbleitervorrichtung angeordnete Kappe, wobei das Halbleitermodul durch Binden einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, auf eine Halbleiterplatte, die eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen umfasst, und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von Halbleitermodulen hergestellt wird.
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Gemäß einem dritten Aspekt der Offenbarung umfasst eine verpackte oder mit Gehäuse versehene MEMS-Vorrichtung eine Einbettungsanordnung, eine in der Einbettungsanordnung angeordnete MEMS-Vorrichtung oder MEMS-Bauelement, eine über der MEMS-Vorrichtung angeordnete Kappe, wobei die mit Gehäuse versehene MEMS-Vorrichtung durch Binden einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, auf eine MEMS-Platte, die eine Vielzahl von MEMS-Vorrichtungen umfasst, und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von verpackten oder mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtungen hergestellt wird.
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Ein Fachmann im Fachgebiet wird nach dem Lesen der folgenden ausführlichen Beschreibung und nach dem Berücksichtigen der beigefügten Zeichnungen zusätzliche Merkmale und Vorteile erkennen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die begleitenden Zeichnungen sind beigefügt, um ein weiteres Verständnis von Beispielen bereitzustellen, und sind in dieser Patentschrift inkorporiert und bilden einen Bestandteil davon. Die Zeichnungen veranschaulichen Beispiele und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Grundsätzen von Beispielen. Andere Beispiele und viele der beabsichtigten Vorteile von Beispielen werden leicht erkannt werden, indem sie durch Bezugnahme auf die nachstehende ausführliche Beschreibung besser verstanden werden.
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1 zeigt ein Ablaufdiagramm zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Produzieren eines Halbleitermoduls gemäß einem Beispiel.
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2 umfasst die 2A und 2B und zeigt schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellung einer Gießvorrichtung zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Herstellen einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, gemäß einem Beispiel, in dem folienunterstütztes Pressgießen eingesetzt und ein Träger auf eine untere Gussform der Gießvorrichtung platziert wird.
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3 umfasst die 3A und 3B und zeigt schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellungen einer Gießvorrichtung zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Herstellen einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, gemäß einem Beispiel, in dem folienunterstütztes Pressgießen eingesetzt und kein Träger, sondern stattdessen eine zusätzliche Folie verwendet wird.
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4 umfasst die 4A und 4B und zeigt eine schematische Darstellung der hergestellten Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, umfassend eine kreisförmige Waferform (A) und eine rechteckige oder quadratische Form (B).
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5 umfasst die 5A und 5B und zeigt schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellungen eines Abschnitts eines rekonfigurierten Wafers, der eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen umfasst (A), und des gleichen Abschnitts nach Binden der Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, auf den rekonfigurierten Wafer (B).
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6 umfasst die 6A und 6B und zeigt eine schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellung eines Abschnitts der Kappenplatte (A) und eine Unteransicht-Darstellung des Abschnitts (B).
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7 umfasst die 7A und 7B und zeigt eine schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellung (A) und eine Unteransicht von einer Ebene, die in 7A als B-B bezeichnet ist, eines Halbleitermoduls, die eine Mikrofonvorrichtung ohne weitere elektrische Vorrichtungen umfasst (B).
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8 umfasst die 8A bis 8D und zeigt eine schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellung eines Halbleitermoduls, das eine Drucksensorvorrichtung ohne Verkapselung umfasst (A), eines Halbleitermoduls, das eine Drucksensorvorrichtung mit Verkapselung und eine zwischen Verkapselungswänden aufgehängte Membran umfasst (B), eines Halbleitermoduls, das eine Drucksensorvorrichtung und eine ASIC mit Verkapselung umfasst (C), und eines Halbleitermoduls, das zwei Drucksensorvorrichtungen mit Verkapselung und einer Kappe, die die beiden Hohlräume voneinander trennt, umfasst (D).
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Die Aspekte und Beispiele werden jetzt unter Bezugnahme auf die Zeichnungen, in denen im Allgemeinen durchgehend gleiche Bezugszeichen zur Bezugnahme auf gleiche Elemente genutzt werden, beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden zu Erklärungszwecken zahlreiche spezifische Einzelheiten angeführt, um ein gründliches Verständnis eines oder mehrerer Aspekte der Beispiele zu vermitteln. Es kann jedoch einem Fachmann im Fachgebiet offensichtlich sein, dass ein oder mehrere Aspekte der Beispiele mit einem geringeren Grad der spezifischen Einzelheiten praktiziert werden können. In anderen Fällen werden bekannte Strukturen und Elemente in schematischer Form dargestellt, um die Beschreibung eines oder mehrerer Aspekte der Beispiele zu erleichtern. Es versteht sich, dass andere Beispiele genutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung zu verlassen. Es ist ferner zu beachten, dass die Zeichnungen nicht maßstabsgerecht oder nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
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In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird Bezug auf die beigefügten Zeichnungen genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen durch Veranschaulichung spezifische Aspekte, in denen die Offenbarung praktiziert werden kann, gezeigt werden. In dieser Hinsicht kann Richtungsterminologie wie „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“ usw. mit Bezugnahme auf die Ausrichtung der Figuren, die beschrieben werden, verwendet werden. Da Komponenten von beschriebenen Vorrichtungen in einer Anzahl von verschiedenen Ausrichtungen angeordnet sein können, kann die Richtungsterminologie für Zwecke der Veranschaulichung verwendet werden und ist in keiner Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Aspekte genutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung zu verlassen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist daher nicht in einem einschränkenden Sinn zu verstehen und der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
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Außerdem kann, während ein besonderes Merkmal oder ein besonderer Aspekt eines Beispiels in Bezug auf nur eine von mehreren Implementierungen offenbart werden kann, ein derartiges Merkmal oder ein derartiger Aspekt mit einem oder mehreren anderen Merkmalen oder Aspekten der anderen Implementierungen kombiniert werden, wie es gewünscht wird oder für eine gegebene oder besondere Anwendung vorteilhaft ist. Des Weiteren sollen in dem Ausmaß, in dem die Begriffe „enthalten“, „aufweisen“, „mit“ oder andere Varianten davon in entweder der ausführlichen Beschreibung oder in den Ansprüchen verwendet werden, derartige Begriffe in einer Weise ähnlich dem Begriff „umfassen“ einschließlich sein. Die Begriffe „gekoppelt“ und „verbunden“ zusammen mit Ableitungen können verwendet werden. Es versteht sich, dass diese Begriffe verwendet werden können, um anzugeben, dass zwei Elemente unabhängig davon, ob sie in direktem physikalischen oder elektrischen Kontakt stehen, miteinander kooperieren oder wechselwirken, oder sie nicht in direktem Kontakt miteinander stehen. Außerdem wird der Begriff „beispielhaft“ lediglich als ein Beispiel und nicht als das beste oder optimale gemeint. Die folgende ausführliche Beschreibung ist daher nicht in einem einschränkenden Sinn zu verstehen und der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
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Die Beispiele eines Verfahrens zum Produzieren eines Halbleitermoduls und die Beispiele eines Halbleitermoduls und einer mit Gehäuse versehenen oder verpackten MEMS-Vorrichtung können eine erste Gussmasse, in der die Halbleitervorrichtungen eingebettet sind, und eine zweite Gussmasse, die das Material der Kappenplatte ist, die die Vielzahl von Kappen umfasst, umfassen. Die erste und die zweite Gussmasse können jedes elektrisch isolierende Material wie zum Beispiel jede Art von Gussmaterial, jede Art von Harzmaterial oder jede Art von Epoxymaterial, ein Bismaleimid oder ein Cyanatester sein. Die erste und die zweite Gussmasse können außerdem ein Polymermaterial, ein Polyimidmaterial oder ein Thermoplastmaterial sein. Die erste und die zweite Gussmasse können außerdem beliebige der vorstehend angeführten Materialien umfassen und ferner darin eingebettete Füllmaterialien wie zum Beispiel thermisch leitende Inkremente enthalten. Diese Füllinkremente können aus SiO, SiC, Al2O3, ZnO, AlN, BN, MgO, Si3N4 oder Keramik oder einem metallischen Material wie zum Beispiel Cu, Al, Ag oder Mo hergestellt sein. Des Weiteren können die Füllinkremente die Form von Fasern haben und können zum Beispiel aus Kohlenstofffasern oder Nanoröhrchen hergestellt sein. Die Gussmassen können außerdem weitere Zusätze zum Einstellen von Herstellungseigenschaften enthalten.
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Insofern ein Verfahren zum Produzieren eines Halbleitermoduls als eine spezifische Reihenfolge von Verfahrensschritten aufweisend beschrieben wird, sollte erwähnt werden, dass jede andere geeignete Reihenfolge der Verfahrensschritte von dem Fachmann eingesetzt werden kann. Es sollte ferner erwähnt werden, dass jegliche Kommentare, Anmerkungen oder Merkmale, die in Verbindung mit einem beschriebenen Verfahren erwähnt werden, so zu verstehen sind, dass sie ebenfalls eine Vorrichtung offenbaren, die aufgrund derartiger Kommentare, Anmerkungen oder Merkmale erhalten wird oder daraus resultiert, selbst wenn eine derartige Vorrichtung nicht explizit beschrieben oder in den Figuren dargestellt wird. Des Weiteren sind jegliche Kommentare, Anmerkungen oder Merkmale, die in Verbindung mit einer Vorrichtung erwähnt werden, so zu verstehen, dass sie ebenfalls einen Verfahrensschritt zum Bereitstellen oder Herstellen des jeweiligen Vorrichtungsmerkmals offenbaren.
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1 zeigt ein Ablaufdiagramm zum Veranschaulichen eines Verfahrens zum Produzieren eines Halbleitermoduls gemäß einem ersten Aspekt. Das Verfahren umfasst Herstellen einer Halbleiterplatte, die eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen umfasst (s1), Herstellen einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst (s2), Binden der Kappenplatte auf die Halbleiterplatte, so dass jede der Kappen eine oder mehrere der Halbleitervorrichtungen abdeckt (s3), und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von Halbleitermodulen (s4).
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Die Kappenplatte kann durch eine Vielfalt von verschiedenen Verfahren hergestellt werden, wie nachstehend ausgeführt werden wird.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst Herstellen der Kappenplatte Formen. Gemäß einem weiteren Beispiel davon umfasst Herstellen der Kappe Gießen, insbesondere Pressgießen, Transfergießen und Spritzgießen, jedes davon entweder folienunterstützt oder nicht folienunterstützt. Ein besonderes Beispiel eines Gießprozesses wird nachstehend in Verbindung mit den 2 und 3 weiter dargestellt und erläutert werden.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst Herstellen der Kappenplatte Abtragen, Punzieren, Schneiden, Stanzen oder Prägen. Zum Beispiel kann zuerst eine Vorläuferplatte bereitgestellt werden und dann können bestimmte Abschnitte der Vorläuferplatte durch Abtragen, Punzieren, Schneiden, Stanzen oder Prägen entfernt werden, um eine Kappenplatte einer gewünschten Form und Struktur zu erhalten. Insbesondere werden diejenigen Abschnitte entfernt, die als die von den Kappen abgedeckten Hohlräume vorgesehen sind.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst Herstellen der Kappenplatte Tiefziehen.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst Herstellen der Kappenplatte jede beliebige weitere Art von erzeugendem Formen der Kappenplatte wie zum Beispiel Bereitstellen eines geeigneten Pulvers und Formen der Kappenplatte aus dem Pulver, insbesondere mit der Unterstützung von Wärme und/oder Druck.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts kann die Kappenplatte durch ein beliebiges der vorstehend erwähnten Verfahren unter Verwendung beliebiger geeigneter Materialien hergestellt werden. Die Kappenplatte kann aus jeder Art von Gussmasse, wie vorstehend angeführt, jedoch auch aus Halbleitermaterial wie Si, aus Glas, aus Keramik oder aus Metall, hergestellt werden.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst jede der Halbleitervorrichtungen eine Sensorvorrichtung. Gemäß einem weiteren Beispiel davon umfasst jede der Halbleitervorrichtungen einen oder mehrere eines Drucksensors, eines Erschütterungssensors, eines Beschleunigungssensors, eines Temperatursensors, eines Gassensors, eines Feuchtigkeitssensors, eines Magnetfeldsensors, eines Elektrofeldsensors oder eines optischen Sensors.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst jede der Halbleitervorrichtungen eine MEMS-Vorrichtung. Insbesondere umfasst die Halbleitervorrichtung im Fall eines Mikrofons oder Drucksensors eine MEMS-hergestellte Membran.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts ist die Halbleiterplatte ein rekonfigurierter Wafer, hergestellt durch erweiterte Waferebenen-Technologie, d.h. erhalten durch Verarbeiten einer Vielzahl von Halbleiterchips in einem Halbleiterwafer, Herausschneiden der Halbleiterchips und Einbetten der Halbleiterchips in ein Verkapselungsmaterial. Der erhaltene rekonfigurierte Wafer kann jede gewünschte Gestalt haben. Er kann eine kreisförmige Form oder eine rechteckige oder quadratische Form haben.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts ist die Halbleiterplatte ein Halbleiterwafer, umfassend eine Vielzahl von darin verarbeiteten Halbleitervorrichtungen oder -bauelementen. In diesem Fall umfasst die Halbleiterplatte kein Gussmaterial zwischen den einzelnen Halbleitervorrichtungen.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts korrespondiert die Vielzahl der auf der Platte hergestellten Kappen mit der Vielzahl von Halbleitervorrichtungen auf der Halbleiterplatte. Es kann der Fall sein, dass jedes der Halbleitermodule nicht mehr als eine Halbleitervorrichtung wie zum Beispiel einen spezifischen Sensor aus der Vielfalt von Sensoren, die vorstehend aufgelistet sind, umfasst. Alternativ kann es auch der Fall sein, dass jedes Halbleitermodul mehr als eine Halbleitervorrichtung umfasst. Zum Beispiel kann eine Sensorvorrichtung und eine andere elektrische Vorrichtung wie zum Beispiel eine beliebige Art von Steuervorrichtung, die mit der Sensorvorrichtung verbunden ist, vorhanden sein. Die Steuervorrichtung kann zum Beispiel eine ASIC (anwendungsspezifische integrierte Schaltung) sein, die verwendet werden kann, um z.B. eine Leistungszuführung für den Sensor und/oder Auslesefunktionalität zum Bereitstellen eines elektrischen Signals, das mit einem bestimmten Parameter oder seiner vom Sensor gemessenen Größe korrespondiert, bereitzustellen. Die Steuervorrichtung oder ASIC kann außerdem als ein Verstärker und/oder ein Analog-zu-Digital-Wandler arbeiten. Als ein anderes Beispiel kann das Halbleitermodul zwei Sensorvorrichtungen umfassen. Die beiden Sensorvorrichtungen können verschiedene Funktionalitäten aufweisen, zum Beispiel kann ein Sensor ein Drucksensor sein und der andere ein Temperatursensor sein. Sie können außerdem gleiche Funktionalitäten, aber verschiedene Empfindlichkeiten aufweisen, zum Beispiel hat ein Sensor eine relativ hohe Empfindlichkeit und ein anderer Sensor hat eine relativ niedrige Empfindlichkeit. Im Fall eines Drucksensors kann zum Beispiel vorgesehen sein, dass ein Drucksensor ein relativ großes rückseitiges Volumen aufweist und demgemäß eine relativ hohe Empfindlichkeit ergibt und ein anderer Drucksensor ein relativ kleines rückseitiges Volumen aufweist und demgemäß eine niedrige Empfindlichkeit ergibt. Weiter unten wird dargestellt werden, auf welche Weise die Abmessungen des rückseitigen Volumens angepasst werden könnten.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts umfasst Herstellen der Kappenplatte Versehen der Kappen oder Abschnitte davon mit einer elektrischen Leitfähigkeit. Gemäß einem Beispiel davon kann eine elektrisch leitende Schicht auf eine Wand der Kappen, d.h. eine innere Wand oder eine äußere Wand, aufgetragen oder kann in die Kappen integriert werden. Gemäß einem Beispiel können die Kappen auch aus elektrisch leitendem Material hergestellt werden, d.h. durch Inkorporieren elektrisch leitender Inkremente in ein Wirtsmaterial wie z.B. ein Gussmaterial. Die elektrische Leitfähigkeit kann mindestens eine der nachstehenden Funktionalitäten bereitstellen: Abschirmen der Halbleitervorrichtung, Abschirmen der Verschaltung mit einer Steuervorrichtung, z.B. einer ASIC, oder Abschirmen darunter liegender Umverteilungsschichten.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts wird eine Öffnung in jeder der Kappen gebildet, so dass im Fall eines Mikrofons oder Drucksensors eine Schallwelle oder ein gasförmiges Medium in den Hohlraum der Sensorvorrichtung eintreten kann. Im Fall eines optischen Sensors kann zum Beispiel eine Linse in die Öffnung montiert werden, um eine Lichtwelle in das Innere des Sensors zu bündeln. Alternativ wird in dem Halbleitermodul nicht notwendigerweise eine Öffnung in der Kappe gebildet, sondern in der Halbleitervorrichtung oder in dem Verkapselungsmaterial.
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Gemäß einem Beispiel des Verfahrens des ersten Aspekts kann Binden der Kappenplatte auf die Halbleiterplatte durch Kleben oder Anhaften oder durch Löten im Fall von metallischen Oberflächen durchgeführt werden. Der Kleber oder das Haftmittel kann auf eine oder beide der Oberflächen durch zum Beispiel Drucken aufgebracht werden.
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2 umfasst die 2A und 2B und stellt ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen der Kappenplatte dar, wobei eine Gießvorrichtung 10 ein oberes Gusswerkzeug 1 und ein Anbauteil 2, angebracht an das obere Gusswerkzeug 1, und ein unteres Gusswerkzeug 3 umfasst, wobei das Anbauteil 2 eine untere Oberfläche 2.1 umfasst, die eine Oberflächenstruktur umfasst, die invers zu der Oberflächenstruktur der Vielzahl von Kappen ist, die zu produzieren sind. Die Gießvorrichtung 10 umfasst ferner Walzen 4A und 4B zum Einführen einer Folie 5, die auf die untere Oberfläche 2.1 des Anbauteils 2 aufzubringen ist. Ein Träger 6 wird auf das untere Gusswerkzeug 3 aufgebracht und eine Klebefolie oder Adhäsionsfolie 7 wird auf eine obere Oberfläche des Trägers 6 angehaftet.
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2A zeigt den Anfang des Gussprozesses. Gemäß dem gegenwärtigen Beispiel wird Pressgießen eingesetzt. Eine bestimmte Menge einer Gussmasse 8 wird auf den Träger 6 platziert, spezifischer auf die Adhäsionsfolie 7. Danach wird das obere Gusswerkzeug 1 in einer Abwärtsrichtung bewegt, so dass, nachdem es die Gussmasse 8 erreicht, die Gussmasse 8 sich in einer lateralen Richtung verteilt und in die verschiedenen Vertiefungen fließt, die in der unteren Oberfläche 2.1 des Anbauteils 2 gebildet sind. Danach wird die Gussmasse ausgehärtet oder verfestigt und danach wird die fertige Platte 8.1 aus der Gießvorrichtung herausgenommen.
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Es sollte erwähnt werden, dass der vorstehend beschriebene Prozess im Prinzip auch ohne Verwendung der Folie 5, die auf das Anbauteil 2 aufgebracht wird, durchgeführt werden kann.
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Es sollte ferner erwähnt werden, dass auch andere Gussverfahren wie zum Beispiel Transfergießen oder Spritzgießen eingesetzt werden können.
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3 umfasst die 3A und 3B und stellt einen ähnlichen Prozess zum Herstellen einer Platte dar, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, wobei eine Gießvorrichtung 20 eingesetzt wird. Ein Unterschied zur Gießvorrichtung 10 von 2 besteht darin, dass der Träger 6, wie in 2 dargestellt, weggelassen wird und stattdessen eine weitere Folie 15 durch Walzen 14A und 14B in die Gießvorrichtung 20 eingeführt wird. Wie in 3A gezeigt, wird die Gussmasse 8 auf eine obere Oberfläche der Folie 15 aufgebracht, und danach ist der Prozess ähnlich dem in Verbindung mit 2 beschriebenen.
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Die Beispiele von 2 und 3 zeigen einen so genannten Hohlraum-oben-Modus (Modus mit oben angeordnetem Hohlraum), was bedeutet, dass das obere Gusswerkzeug 1 das Anbauteil 2 umfasst, das die Form der Kappenplatte bestimmt, die zu produzieren ist. Die Gießvorrichtung kann jedoch auch einen Hohlraum-unten-Modus (Modus mit unten angeordnetem Hohlraum) aufweisen, in dem das untere Gusswerkzeug das Anbauteil umfasst, das die Form der Kappenplatte bestimmt, die zu produzieren ist.
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4 umfasst die 4A und 4B, wobei 4A ein Beispiel einer Platte zeigt, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, wobei die Platte eine kreisförmige Form oder die Form eines typischen Wafers aufweist. Es sollte erwähnt werden, dass die Platte auch jede andere Form wie zum Beispiel eine rechteckige oder eine quadratische Form, wie in 4B gezeigt, aufweisen kann. Auf dieselbe Weise, wie bereits vorstehend umrissen, kann auch die Halbleiterplatte eine typische Waferform aufweisen, aber auch jede andere Form wie zum Beispiel eine rechteckige oder quadratische Form. Die Kappenplatte 40, wie in 4 gezeigt, umfasst eine Vielzahl von Kappen oder Hohlräumen 41, wobei die Anzahl von Kappen im Bereich von 1000 oder mehreren 1000 sein kann, insbesondere in einem Bereich zwischen 1000 und 10.000. Die Kappenplatte 40 kann ferner einen peripheren Kantenabschnitt 42 umfassen, in dem keine Kappen gebildet werden und der zum Versteifen und Stabilisieren der Kappenplatte 40 dient.
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5 umfasst die 5A und 5B und zeigt etwas detaillierter einen Abschnitt der Halbleiterplatte vor und nach dem Binden der Kappenplatte darauf. Im Beispiel von 5 ist die Halbleiterplatte ein rekonfigurierter Wafer. 5A zeigt zwei aneinander angrenzende Halbleitervorrichtungen 50, wobei jede der Halbleitervorrichtungen 50 einen Halbleiterkörper 51 umfasst, umfassend Seitenwände 51.1 und eine zwischen den Seitenwänden 51.1 verbundene Mikrofonmembran 51.2. Die Seitenwände 51.1 können derart konfiguriert sein, dass sie vier peripher verbundene Außenflächen und eine Innenfläche, die im Querschnitt kreisförmig ist, umfassen, siehe zum Beispiel 7B.
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Jedenfalls umgeben die Seitenwände 51.1 einen Innenraum 51.3 über der Mikrofonmembran 51.2. Die Halbleitervorrichtungen 50 umfassen ferner eine Gussmasse (erste Gussmasse) 52, die derart angeordnet ist, dass sie jeden der Halbleiterkörper 51 an allen vier Seiten einbettet. Die Halbleitervorrichtungen 50 umfassen ferner elektrische Kontaktflächen 53, aufgebracht auf einer rückseitigen Oberfläche des rekonfigurierten Wafers 50 und verbunden mit einer oder mehreren der Mikrofonmembran 51.2 und möglichen anderen elektrischen Vorrichtungen, die in dem Halbleiterkörper 51 enthalten sind.
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5B zeigt ein Zwischenprodukt (gebundene Platten), erhalten nach Aufbringen einer Kappenplatte 55 auf eine obere Oberfläche des rekonfigurierten Wafers. Die Kappenplatte 55 kann mit der Kappenplatte 40, wie in 4 gezeigt, korrespondieren und kann eine Vielzahl von Kappen 55.1 umfassen, wobei jede der Kappen 55.1 präzise über einer der Halbleitervorrichtungen 50 angeordnet ist und die senkrechten Wände der Kappenplatte 55 präzise und zentral auf die Wände der Gussmasse 52 gesetzt sind. In dem Beispiel, wie in 5B gezeigt, umfasst die Innenwand der Kappen 55.1 eine ebene waagerechte Wand und ebene Seitenwände, die an die waagerechte Wand angrenzen. Ferner ist in 5B ersichtlich, dass die Seitenwände geneigt sind, so dass ein Winkel zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden von 90° verschieden ist, im gegenwärtigen Beispiel größer als 90°. Eine derartige Konfiguration hilft, Scherkräfte beim Binden der Kappenplatte 55 auf den rekonfigurierten Wafer und dadurch senkrechtes Pressen der Kappenplatte 55 auf den rekonfigurierten Wafer 50 zu vermeiden. Des Weiteren sind die geneigten Wände vorteilhaft beim Lösen der Kappenplatte 8.1 aus den Gusswerkzeugen 1 und 2, wie in 2 und 3 gezeigt. Zum Erhalten der geneigten Seitenwände muss das Anbauteil 2 auf dem oberen Gusswerkzeug 1 eine korrespondierend inverse Oberflächenstruktur aufweisen.
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Das Beispiel, wie in 5B gezeigt, gestattet außerdem eine scharfe oder abrupte Verbindung zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden der Kappe 55.1 mit einem deutlich definierten Winkel dazwischen. Es kann jedoch auch der Fall sein, dass die Verbindung zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden glatt oder gekrümmt ist mit einem bestimmten Radius der Krümmung.
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Gemäß einem anderen Beispiel ist es außerdem möglich, dass die Innenwände der Kappen keine ebene Wand umfassen, sondern eine vollständig gekrümmte Oberfläche wie zum Beispiel eine sphärische Oberfläche oder eine ellipsoide Oberfläche.
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Das Beispiel, wie in 5B gezeigt, zeigt außerdem, dass die Innenwände der Kappen 55.1 eine dünne Schicht 55.2 eines elektrisch leitenden Materials wie zum Beispiel Cu oder Al umfassen, die zum elektrischen Abschirmen der Halbleitervorrichtung von außen dient. Alternativ ist es auch möglich, die Schicht 55.2 wegzulassen und stattdessen die Kappenplatte 55 aus einem elektrisch leitenden Material zu Herstellen.
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Wie vorstehend erwähnt, umfasst die Kappenplatte 55 eine Gussmasse (zweite Gussmasse), deren Material von dem Material der ersten Gussmasse 52 verschieden oder dazu ähnlich oder identisch sein kann. Insbesondere kann es der Fall sein, dass die erste und die zweite Gussmasse vollständig identische Materialien umfassen, was bedeutet, dass sie identische Wirtsmaterialien und ebenfalls identische Mengen und Typen von darin inkorporierten Füllinkrementen umfassen. Dies ist vorteilhaft, da die Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) der ersten und der zweiten Gussmasse gleich sind, so dass im Betrieb der Mikrofonvorrichtung keine Probleme an der Grenzfläche zwischen den Gussmassen aufgrund verschiedener CTEs auftreten werden. Es kann jedoch auch der Fall sein, dass die erste und die zweite Gussmasse ähnliche oder identische Wirtsmaterialien, aber eines oder mehrere von verschiedenen Mengen oder verschiedenen Typen darin eingebetteter Füllinkremente umfassen. Insbesondere kann dies der Fall sein, wenn man eine elektrisch leitende Kappe 55.1 haben möchte, um die Aufbringung der Schicht 55.2 zu vermeiden, wobei in diesem Falle eine ausreichende Menge leitender Füllinkremente in die zweite Gussmasse zu inkorporieren ist. Da die erste Gussmasse 52 isolierend sein muss, werden die erste und die zweite Gussmasse in diesem Fall dann notwendigerweise verschieden sein.
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Nach dem Binden der Kappenplatte 55 auf den rekonfigurierten Wafer kann das erhaltene Zwischenprodukt vereinzelt werden, um eine Vielzahl von einzelnen Mikrofonvorrichtungen zu erhalten. Die senkrechte gestrichelte Linie in 5B kennzeichnet die Ebene entlang der aneinander angrenzenden Mikrofonvorrichtungen, die voneinander durch zum Beispiel Zerschneiden, Stealth-Dicing, Sägen, Ätzen, Laser-Abtragen oder beliebig geeignete Kombinationen dieser getrennt werden können.
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Die Kappenplatte 55, wie im Beispiel von 5B gezeigt, umfasst eine ebene obere Oberfläche. Es sollte jedoch erwähnt werden, dass beim Herstellen der Kappenplatte auch die obere Oberfläche aus verschiedenen Gründen, wie z.B. Erhöhen der Stabilität der Kappe oder Erleichtern des Vereinzelns durch Bilden von Rillen an den Grenzen der Halbleitermodule oder Bilden von Markierungen wie Zahlen oder Kreuze in die obere Oberfläche, in jeder gewünschten Weise geformt oder strukturiert werden kann.
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6 umfasst die 6A und 6B und stellt die räumlichen Abmessungen der in der Kappenplatte angeordneten Kappen dar. 6 zeigt einen Abschnitt der Kappenplatte, umfassend eine Vielzahl von Kappen, den Abschnitt von zwei aneinander angrenzenden Kappen wie die in 5B gezeigten und gekennzeichnet mit Bezugszeichen 55.1. Die Buchstaben a bis h kennzeichnen verschiedene Längenabmessungen, wobei a sich auf die Höhe der Kappenplatte oder der Kappen bezieht, b sich auf die Höhe oder die lichte Höhe des Hohlraums der Kappe bezieht, c sich auf die Dicke der oberen waagerechten Wand bezieht (mit a = b + c), d sich auf die Dicke der Seitenwand bezieht, e sich auf die Dicke der Wand, die zwei aneinander angrenzende Hohlräume trennt, bezieht, f sich auf den Teil von e, der für die Sägelinie reserviert ist, bezieht, g sich auf die Länge des Hohlraums bezieht und h sich auf die Breite des Hohlraums bezieht. Die Bereiche von b und c können wie folgt sein:
b: 50 µm bis 500 µm
c: 50 µm bis 300 µm.
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7 umfasst die 7A und 7B und zeigt eine schematische Querschnitt-Seitenansicht-Darstellung (A) und eine Unteransicht von einer Ebene, die in 7A als B-B bezeichnet ist, (B) eines Halbleitermoduls gemäß einem zweiten Aspekt.
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Das Halbleitermodul 50 umfasst eine Halbleitervorrichtung 51 und eine über der Halbleitervorrichtung 51 angeordnete Kappe 55, wobei das Halbleitermodul 50 durch Binden einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, auf eine Halbleiterplatte, die eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen umfasst, und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von Halbleitermodulen hergestellt worden ist. Vereinzeln der verbundenen Platten erfolgt durch Trennen aneinander angrenzender Halbleitermodule 50 entlang der senkrechten gestrichelten Linie, wie in 5B dargestellt, durch zum Beispiel Zerschneiden. Als ein Ergebnis ist eine äußere Seitenwand des Halbleitermoduls 50 vollständig glatt und zeigt keine seitliche Abstufung oder Schulter an der Grenze 57 zwischen der Kappe 55 und dem Verkapselungsmaterial 52. Dieses Merkmal gilt für alle weiteren Beispiele der hier dargestellten Halbleitermodule.
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Wie in den 5 und 7 gezeigt, kann das Halbleitermodul 50 in der Form einer Mikrofonvorrichtung 50 konfiguriert werden. Die Mikrofonvorrichtung 50, wie in 7 gezeigt, ist die linke der beiden in 5B gezeigten Vorrichtungen, dementsprechend wurden die Bezugszeichen von 5B übernommen. Die Mikrofonvorrichtung 50 kann demgemäß einen Halbleiterkörper 51, umfassend die Seitenwände 51.1 und eine Mikrofonmembran 51.2, verbunden zwischen den Seitenwänden 51.1, eine erste Gussmasse 52, die die Seitenwände 51.1 einbettet, und eine Kappe 55.1, verbunden mit der ersten Gussmasse 52, umfassen, wobei die Kappe 55.1 aus einer zweiten Gussmasse hergestellt wird.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts kann die Halbleitervorrichtung jede Art von Sensorvorrichtung umfassen. In dem Beispiel, wie in 7 gezeigt, ist die Sensorvorrichtung ein Drucksensor oder Mikrofon. Die Halbleitervorrichtung kann jedoch außerdem einen oder mehrere eines Erschütterungssensors, eines Beschleunigungssensors, eines Temperatursensors, eines Gassensors, eines Feuchtigkeitssensors, eines Magnetfeldsensors, eines Elektrofeldsensors oder eines optischen Sensors umfassen.
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Gemäß dem Beispiel des Halbleitermoduls, wie in 7 gezeigt, umfasst die Halbleitervorrichtung eine MEMS-Vorrichtung, die die Membran 51.2 enthält. Es sollte jedoch beachtet werden, dass die Halbleitervorrichtung nicht notwendigerweise eine MEMS-Vorrichtung umfasst.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts umfasst das Halbleitermodul zwei oder mehr Halbleitervorrichtungen. Gemäß einem Beispiel davon umfasst das Halbleitermodul eine Sensorvorrichtung und eine weitere elektronische Vorrichtung, wobei die weitere elektronische Vorrichtung mit der Sensorvorrichtung verbunden ist und konfiguriert ist, der Sensorvorrichtung eine Leistungszuführung bereitzustellen und/oder elektrische Signale von der Sensorvorrichtung auszulesen. Die weitere elektronische Vorrichtung kann zum Beispiel eine ASIC-Vorrichtung sein.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts umfassen eine oder mehrere der ersten und der zweiten Gussmasse ein Wirtsmaterial, umfassend eines oder mehrere eines Harzes, insbesondere ein Epoxidharz, eines Epoxidsilicons, eines Epoxidpolyimids, eines Bismaleids, eines Cyanatesters oder eines Thermoplasts.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts umfassen die erste und die zweite Gussmasse verschiedene, ähnliche oder identische Materialien, insbesondere verschiedene, ähnliche oder identische Wirtsmaterialien. Gemäß einem weiteren Beispiel davon umfassen die erste und die zweite Gussmasse verschiedene, ähnliche oder identische Wirtsmaterialien, und eine oder mehrere der ersten und der zweiten Gussmasse umfassen ein Wirtsmaterial und darin eingebettete Füllinkremente, wobei die Füllinkremente insbesondere aus SiO, Al2O3, ZnO, MgO, AlN, Si3N4, BN, einem Keramikmaterial oder einem metallischen Material, insbesondere Cu, Al, Ag oder Mo, hergestellt sind.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts umfasst das Halbleitermodul ferner eine elektrisch leitende Schicht, aufgebracht auf eine Innenwand der Kappe 55.1.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts umfasst die Kappe 55.1 Innenwände, umfassend eine ebene waagerechte Wand und ebene Seitenwände, die an die waagerechte Wand angrenzen. Gemäß einem weiteren Beispiel davon sind die Seitenwände geneigt, so dass ein Winkel zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden von 90° verschieden ist, insbesondere größer als 90°.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts ist die Verbindung zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden entweder scharf oder abrupt oder glatt oder gekrümmt.
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Gemäß einem Beispiel des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts umfasst das Halbleitermodul mindestens eine weitere elektronische Vorrichtung. Die weitere elektronische Vorrichtung kann zum Beispiel ein Mikrocontroller, ein Prozessor, eine ASIC usw. sein.
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8 umfasst die 8A bis 8D und zeigt weitere Beispiele von Halbleitermodulen gemäß dem zweiten Aspekt.
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8A zeigt ein Halbleitermodul 100, das mit dem von 7 vergleichbar ist, aber ohne Verkapselung. Alle anderen Bezugszeichen wurden von 7 übernommen. Wie vorstehend erläutert, kann ein derartiges Halbleitermodul 100 in Fällen erhalten werden, in denen die Halbleiterplatte ein Halbleiterwafer ist, in dem die Halbleitervorrichtungen hergestellt werden und dann die Kappenplatte auf den Halbleiterwafer gebunden wird und die verbundenen Platten schließlich durch eines der vorstehend beschriebenen Verfahren vereinzelt werden. Als ein Ergebnis werden glatte Seitenwände ohne Abstufung oder Schulter an der Grenze zwischen der Kappe 55.1 und der Seitenwand 51.1 des Halbleiterkörpers 51 erhalten. Aufgrund des Herstellungsverfahrens ist eine äußere Seitenwand des Halbleitermoduls 100 vollständig glatt und zeigt keine seitliche Abstufung oder Schulter an der Grenze 58 zwischen der Kappe 55 und dem Verkapselungsmaterial 52.
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8B zeigt ein Halbleitermodul 200, das mit dem von 7 vergleichbar ist, aber ohne die Seitenwände 51.1. Stattdessen ist die Membran 51.2 direkt zwischen den Wänden des Verkapselungsmaterials 52 aufgehängt. Alle anderen Bezugszeichen wurden von 7 übernommen.
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8C zeigt ein Halbleitermodul 300, das mit dem von 7 vergleichbar ist, aber mit einer zusätzlichen elektronischen Vorrichtung, die ebenfalls von der Kappe 55.1 abgedeckt ist. In diesem Beispiel ist die zusätzliche elektronische Vorrichtung ein Siliziumchip 60, der eine elektronische Schaltung 61 an einer oberen Hauptfläche davon umfasst. Die elektronische Schaltung 61 kann jede Art von Steuerschaltung sein, insbesondere eine ASIC, die mit der Sensorvorrichtung 51 verbunden ist und zum Beispiel konfiguriert ist, der Sensorvorrichtung 51 elektrische Leistung bereitzustellen oder Signale aus der Sensorvorrichtung 51 auszulesen und Analog-zu-Digital-Umwandlung der ausgelesenen Signale durchzuführen. Eine elektrische Durchgangsverbindung 62 kann in einer der Wände des Verkapselungsmaterials 52 gebildet sein. Die Durchgangsverbindung 62 verbindet die Kontaktfläche 53 der Sensorvorrichtung 51 mit der Kontaktfläche 63, die auf einer oberen Hauptfläche des Siliziumchips 60 gebildet ist.
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8D zeigt ein Halbleitermodul 100, das mit dem von 7 vergleichbar ist, aber eine zusätzliche Sensorvorrichtung 71 ist an der Sensorvorrichtung 51 angebracht und davon mit einer Wand des Verkapselungsmaterials 52 getrennt. Die zusätzliche Sensorvorrichtung 71 ist ebenfalls von einer Kappe 75.1 abgedeckt, wobei die Kappe 75.1 ebenfalls mit einer elektrisch leitenden Schicht 75.2 an ihren Innenwänden bedeckt ist. Der Unterschied zwischen den Sensorvorrichtungen 51 und 71 liegt in der verschiedenen Dicke der jeweiligen Kappen 55.1 und 75.1. Während die Kappe 55.1 eine relativ geringe Dicke d1 umfasst, umfasst die Kappe 75.1 eine relativ große Dicke 75.1. Als ein Ergebnis hat der Hohlraum der Sensorvorrichtung 51 ein größeres Volumen als der Hohlraum der Sensorvorrichtung 71 und weist demgemäß ein größeres Signal-Rausch-Verhältnis und eine höhere Empfindlichkeit auf.
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Die vorliegende Offenbarung betrifft außerdem eine mit Gehäuse versehene oder verpackte MEMS-Vorrichtung nach einem dritten Aspekt. Die mit Gehäuse versehene MEMS-Vorrichtung gemäß dem dritten Aspekt umfasst eine Einbettungsanordnung, eine in der Einbettungsanordnung angeordnete MEMS-Vorrichtung, eine über der MEMS-Vorrichtung angeordnete Kappe, wobei die mit Gehäuse versehene MEMS-Vorrichtung durch Binden einer Kappenplatte, die eine Vielzahl von Kappen umfasst, auf eine MEMS-Platte, die eine Vielzahl von MEMS-Vorrichtungen umfasst, und Vereinzeln der verbundenen Platten zu einer Vielzahl von mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtungen hergestellt wird.
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Gemäß einem Beispiel der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung umfasst die MEMS-Vorrichtung eine Sensorvorrichtung.
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Gemäß einem Beispiel der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung umfasst die MEMS-Vorrichtung einen oder mehrere eines Drucksensors, eines Erschütterungssensors, eines Beschleunigungssensors, eines Temperatursensors, eines Gassensors, eines Feuchtigkeitssensors, eines Magnetfeldsensors, eines Elektrofeldsensors oder eines optischen Sensors.
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Gemäß einem Beispiel der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung umfasst die MEMS-Vorrichtung zwei oder mehrere Halbleitervorrichtungen. Gemäß einem weiteren Beispiel davon umfasst die MEMS-Vorrichtung eine Sensorvorrichtung und eine weitere elektronische Vorrichtung, wobei die weitere elektronische Vorrichtung mit der Sensorvorrichtung verbunden ist und konfiguriert ist, der Sensorvorrichtung eine Leistungszuführung bereitzustellen und/oder elektrische Signale von der Sensorvorrichtung auszulesen. Gemäß einem weiteren Beispiel davon ist die weitere elektronische Vorrichtung eine ASIC-Vorrichtung.
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Gemäß einem Beispiel der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung des dritten Aspekts umfasst die Kappe Innenwände, umfassend eine ebene waagerechte Wand und ebene Seitenwände, die an die waagerechte Wand angrenzen.
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Gemäß einem Beispiel der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung des dritten Aspekts sind die Seitenwände geneigt, so dass ein Winkel zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden von 90° verschieden ist, insbesondere größer als 90°.
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Gemäß einem Beispiel der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung des dritten Aspekts ist die Verbindung zwischen der waagerechten Wand und den Seitenwänden scharf oder abrupt.
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Weitere Beispiele der mit Gehäuse versehenen MEMS-Vorrichtung des dritten Aspekts können durch Inkorporieren von Beispielen oder Merkmalen, die vorstehend in Verbindung mit dem Verfahren zum Produzieren eines Halbleitermoduls des ersten Aspekts oder des Halbleitermoduls des zweiten Aspekts beschrieben wurden, gebildet werden.
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Während die Erfindung in Bezug auf eine oder mehrere Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben wurde, können Abänderungen und/oder Modifikationen an den dargestellten Beispielen vorgenommen werden, ohne das Wesen und den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche zu verlassen. Insbesondere sollen hinsichtlich der verschiedenen Funktionen, die von den oben beschriebenen Komponenten oder Strukturen (Baugruppen, Vorrichtungen, Schaltungen, Systeme usw.) durchgeführt werden, die Begriffe (einschließlich einer Bezugnahme auf ein „Mittel“), die zur Beschreibung derartiger Komponenten verwendet werden, wenn nicht anders angegeben, mit jeder Komponente oder Struktur korrespondieren, die die spezifizierte Funktion der beschriebenen Komponente durchführt (die z.B. funktionell äquivalent ist), obwohl nicht strukturell äquivalent zu der offenbarten Struktur, die die Funktion in den hierin veranschaulichten beispielhaften Implementierungen der Erfindung durchführt.
