CN107640737B - 用于生产半导体模块的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于生产半导体模块的方法。所述方法包括：制备包括多个半导体装置的半导体板；制备包括多个盖的盖板；将盖板接合到半导体板上，使得所述盖中的每个都覆盖所述半导体装置中的一个或多个；以及将所接合的板单片化成多个半导体模块。

Description

用于生产半导体模块的方法
技术领域
本公开内容涉及一种用于生产半导体模块的方法，并且涉及一种半导体模块。
背景技术
麦克风、压力和气体传感器被实现于在生活方式（lifestyle）的领域中的电子装置（诸如，例如智能电话、平板计算机、膝上型计算机、汽车和医疗装置）和可穿戴装置中，并且可在现今被构造为硅微机电系统（MEMS）。在麦克风中，背面容积（back volume）被形成在MEMS发声装置下方或在MEMS发声装置之后。术语“背面容积”可指的是与MEMS发声部件（像例如声波可撞击到其上的膜）相对的空间，并且也可被称为背侧腔。通常，已知的是，当背面容积增加时，能够进一步增加麦克风灵敏度（例如，信噪比）并且能够实现更好的频率响应曲线。背面容积在一侧由覆盖麦克风腔的盖（cap）或罩（lid）限制。本公开内容还涉及其他传感器，所述其他传感器可包括盖状的、例如震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。为了进一步减少这些装置的制造成本，本领域技术人员永远努力开发更加高效并且可实行的制备方法。
发明内容
根据本公开内容的第一方面，一种用于生产半导体模块的方法包括：制备包括多个半导体装置的半导体板；制备包括多个盖的盖板；将盖板接合到半导体板上，使得所述盖中的每个盖都覆盖所述半导体装置中的一个或多个；以及将所接合的板单片化（singulate）成多个半导体模块。
根据本公开内容的第二方面，一种半导体模块包括：半导体装置；和盖，所述盖布置在该半导体装置上方，其中通过将包括多个盖的盖板接合到包括多个半导体装置的半导体板上，并且通过将所接合的板单片化成多个半导体模块，制备所述半导体模块。
根据本公开内容的第三方面，一种已打包的MEMS装置包括：嵌入装置；MEMS装置，所述MEMS装置被布置在该嵌入装置中；盖，所述盖被布置在该MEMS装置上方，其中通过将包括多个盖的盖板接合到包括多个MEMS装置的MEMS板上，并且通过将所接合的板单片化成多个已打包的MEMS装置，制备所述已打包的MEMS装置。
在阅读下面的详细描述时并且在考虑附图时，本领域技术人员意识到附加的特征和优点。
附图说明
包括随附的附图，以提供对实例的进一步理解，并且附图被并入本说明书中而且构成本说明书的部分。附图图解说明了实例，并且与描述一起用于解释实例的原理。将会容易理解其他实例和实例的许多预期优点，因为它们通过参照下面的详细描述而变得更好理解。
图1示出了用于图解说明根据实例的用于生产半导体模块的方法的流程图。
图2包括图2A和图2B，并且示出了成型（molding）设备的示意性的剖面侧视表示，用于图解说明根据实例的用于制备包括多个盖的盖板的方法，其中采用箔辅助的压缩成型，并且载体被放置到该成型设备的下模巢（mold form）上。
图3包括图3A和3B，并且示出了成型设备的示意性的剖面侧视表示，用于图解说明根据实例的用于制备包括多个盖的盖板的方法，其中采用箔辅助的压缩成型，并且不使用载体，而是反而使用附加的箔。
图4包括图4A和4B，并且示出了所制备的包括多个盖的盖板的示意性表示，所述盖板包括圆形晶片形式(（图4A）和矩形或正方形形式(（图4B）。
图5包括图5A和5B，并且示出了如下区段的示意性的剖面侧视表示：包括多个半导体装置的重新配置的晶片的区段（图5A），和在将包括多个盖的盖板接合到该重新配置的晶片上之后的相同区段（图5B）。
图6包括图6A和6B，并且示出了盖板的区段的示意性的剖面侧视表示（图6A）和所述区段的俯视（down view）表示（图6B）。
图7包括图7A和7B，并且示出了包括麦克风装置而没有任何另外的电气装置的半导体模块的示意性的剖面侧视表示（图7A）和从图7A中指定为B-B的平面来看的俯视图（图7B）。
图8包括图8A至8D，并且示出了如下四个半导体模块的示意性的剖面侧视表示：没有封装的包括压力传感器装置的半导体模块（图8A）、具有封装和悬挂在封装壁之间的膜的包括压力传感器装置的半导体模块（图8B）、具有封装的包括压力传感器装置和ASIC的半导体模块（图8C）以及具有封装和将两个腔彼此分离的盖的包括两个压力传感器装置的半导体模块（图8D）。
具体实施方式
现在参照附图描述各方面和实例，其中相同的参考编号通常遍及全文地被用于指代相同的单元。在下面的描述中，为了解释的目的，阐述许多具体细节，以便提供对实例的一个或多个方面的彻底理解。然而，对于本领域技术人员而言，可能明显的是，可利用较少程度的所述具体细节实践这些实例的一个或多个方面。在其他情况下，以示意性形式示出已知结构和单元，以便促进描述这些实例的一个或多个方面。要理解的是，在不背离本公开内容的范围的情况下，可利用其他实例，并且可进行结构或逻辑改变。还应该注意的是，这些附图并未按照比例绘制，或者未必按照比例绘制。
在下面的详细描述中，参照随附的附图，这些附图形成所述详细描述的部分，并且在这些附图中，通过图解说明示出了可实践本公开内容的具体方面。在这个方面，可参照正在描述的图的方位使用方向性术语、诸如“顶”、“底”、“前”、“后”等。由于所描述的装置的部件可位于许多不同方位，所以这些方向性术语可被用于图解说明的目的，并且绝不是限制性的。应该理解，在不背离本公开内容的范围的情况下，可利用其他方面，并且可进行结构或逻辑改变。因此，不应该在限制性意义上进行下面的详细描述，并且由所附的权利要求书限定本公开内容的范围。
另外，尽管可能仅参照几个实现方式之一公开实例的特定特征或方面，但是这样的特征或方面可如可能被期望的那样与其他实现方式的一个或多个其他特征或方面相组合，并且有益于任何给定或特定应用。此外，就在详细描述或权利要求书中使用术语“包含”、“具有”、“带有”或它们的其他变型而言，这样的术语意图按照与术语“包括”类似的方式是包括性的。可使用术语“耦合”和“连接”以及派生词。应该理解，这些术语可被用于指示：两个单元彼此协作或相互作用，而不管它们是处于直接物理接触还是处于电气接触，或者它们并不彼此直接接触。而且，术语“示例性的”仅意思是实例，而不是最好或最佳。因此，不应该在限制性意义上进行下面的详细描述，并且由所附的权利要求书限定本公开内容的范围。
用于生产半导体模块的方法的实例以及半导体模块的实例和已打包的MEMS装置的实例可包括：第一模制化合物（mold compound），该第一模制化合物具有嵌入在其中的半导体装置；和第二模制化合物，该第二模制成型化合物是包括多个盖的盖板的材料。第一和第二模制化合物能够是任何电绝缘材料，像例如任何种类的成型材料、任何种类的树脂材料或任何种类的环氧树脂材料、双马来酰亚胺或氰酸酯。第一和第二模制化合物也能够是聚合物材料、聚酰亚胺材料或热塑性材料。第一和第二模制化合物还可包括任何上面提及的材料，并且进一步包括嵌入在其中的填充材料，像例如导热增加物。这些填充增加物能够由SiO、SiC、Al2O3、ZnO、AlN、BN、MgO、Si3N4或陶瓷或金属材料（像例如Cu、Al、Ag或Mo）制成。此外，填充增加物可具有纤维的形状，并且能够由例如碳纤维或纳米管制成。模制化合物也可包括用于调整制造属性的另外的添加物。
在用于生产半导体模块的方法被描述为具有特定次序的方法步骤的情况下，应该提及的是，可由本领域技术人员采用任何其他合适的次序的这些方法步骤。应该进一步提及的是，结合所描述的方法提及的任何评论、注解或特征应该被理解为也公开了从这样的评论、注解或特征获得或由这样的评论、注解或特征造成的装置，即使未在图中明确地描述或图解说明了这样的装置也如此。此外，结合装置提及的任何评论、注解或特征要被理解为也公开了用于提供或制备相应的装置特征的方法步骤。
图1示出了用于图解说明根据第一方面的用于生产半导体模块的方法的流程图。所述方法包括：制备包括多个半导体装置的半导体板，（S1）；制备包括多个盖的盖板，（S2）；将盖板接合到半导体板上，使得所述盖中的每个盖都覆盖所述半导体装置中的一个或多个，（S3）；以及将所接合的板单片化成多个半导体模块，（S4）。
如以下将概述的那样，能够通过各种不同的方法来制备盖板。
根据第一方面的方法的实例，制备盖板包括成形（forming）。根据其另一实例，制备盖包括成型，特别地包括压缩成型、传递成型和注射成型，这些成型中的每种或者是箔辅助的成型或者是非箔辅助的成型。将在下面结合图2和3进一步示出和解释成型过程的特定实例。
根据第一方面的方法的实例，制备盖板包括烧蚀、冲压、切割、冲切（punching）或压印（embossing）。例如，最初，能够提供前体板（precursor panel），然后通过烧蚀、冲压、切割、冲切或压印，能够去除前体板的特定部分，以便获得期望的形式和结构的盖板。特别地，去除意图是由所述盖覆盖的腔的那些部分。
根据第一方面的方法的实例，制备盖板包括拉深成形（deep-drawing）。
根据第一方面的方法的实例，制备盖板包括任何另外的种类的再生形成（generative forming）盖板，像例如提供合适的粉末，并且特别地借助于热和/或压力用所述粉末来形成盖板。
根据第一方面的方法的实例，通过上面提及的方法中的任何一种方法，通过使用任何合适的材料，能够制备盖板。能够用如上面已概述的任何种类的模制化合物来制备盖板，但也能够用半导体材料（像Si）、用玻璃、用陶瓷或用金属来制备盖板。
根据第一方面的方法的实例，所述半导体装置中的每个半导体装置都包括传感器装置。根据其另一实例，所述半导体装置中的每个都包括下面的一种或多种传感器：压力传感器、震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。
根据第一方面的方法的实例，所述半导体装置中的每个半导体装置都包括MEMS装置。特别地，在麦克风或压力传感器的情况下，半导体装置包括MEMS制备的膜。
根据第一方面的方法的实例，半导体板是通过扩展的晶片级工艺来制备（即，通过处理半导体晶片中的多个半导体芯片、对半导体芯片进行切块（dicing out）并且将半导体芯片嵌入到封装材料（encapsulant）中来获得）的重新配置的晶片。所获得的重新配置的晶片能够具有任何期望的形状。它能够具有圆形形式或矩形或正方形形式。
根据第一方面的方法的实例，半导体板是如下半导体晶片：所述半导体晶片包括在其中处理的多个半导体装置。在这种情况下，半导体板在各个单独的半导体装置之间并不包括任何模制材料。
根据第一方面的方法的实例，在板上制备的所述多个盖对应于在半导体板上的所述多个半导体装置。可存在这样的情况：每个半导体模块都包括不超过一个半导体装置，像例如如在上面已列出的各种传感器中的特定传感器。可替代地，也能够存在这样的情况：每个半导体模块都包括超过一个的半导体装置。例如，能够存在传感器装置和另一电气装置，像例如与该传感器装置连接的任何种类的控制器装置。控制器装置能够例如是如下ASIC（专用集成电路）：所述ASIC可被用来给传感器提供例如电源和/或提供用于提供与由传感器测量的特定参数或其大小对应的电信号的读出功能。控制器装置或ASIC还可表现为放大器和/或模数转换器。作为另一实例，半导体模块可包括两个传感器装置。所述两个传感器装置可具有不同的功能，像例如一个传感器是压力传感器，并且另一个传感器是温度传感器。它们也可具有相等的功能，但具有不同的灵敏度，像例如一个传感器具有相对高的灵敏度，并且另一传感器具有相对低的灵敏度。在压力传感器的情况下，例如，可规定的是：一个压力传感器具有相对大的背面容积，因此产生相对高的灵敏度；并且另一压力传感器具有相对小的背面容积，因此产生低灵敏度。在下面将进一步图解说明的是，能够以哪种方式调整背面容积的尺寸。
根据第一方面的方法的实例，制备盖板包括提供具有导电性的盖或其部分。根据其实例，导电层能够被施加到盖的壁（即，施加到内壁或外壁），或者能够被集成在盖中。根据实例，也能够由导电材料（即，通过将导电增加物并入到基质材料（host material）（像如，例如模制材料）中）来制备所述盖。导电性可提供下面的功能中的至少一个：半导体装置的屏蔽、到控制器装置（例如ASIC）的互连的屏蔽或在下面的重分布层的屏蔽。
根据第一方面的方法的实例，开口被形成在所述盖中的每个盖中，使得在麦克风或压力传感器的情况下，声波或气体介质能够进入传感器装置的腔。在光学传感器的情况下，例如，透镜能够被安装到所述开口中，以便将光波归拢（bundle）到传感器的内部。可替代地，在半导体模块中，开口未必被形成在所述盖中，而是形成在半导体装置中或形成在封装材料中。
根据第一方面的方法的实例，通过粘合或粘附，或者在金属表面的情况下通过焊接，能够执行将盖板接合到半导体板上。例如，通过印刷，胶或粘合剂能够被施加到所述表面的一个或两个表面上。
图2包括图2A和2B，并且图解说明了用于制备盖板的方法的实例，其中成型设备10包括上模巢1和施加到上模巢1的附属装置2以及下模巢3，其中附属装置2包括下表面2.1，该下表面2.1包括如下表面结构：该表面结构与要被生产的所述多个盖的表面结构相反。成型设备10进一步包括用于进给箔5的辊4A和4B，该箔5要被施加到附属装置2的下表面2.1。载体6被施加到下模巢3上，并且粘合箔7被粘附到载体6的上表面。
图2A示出了成型过程的开始。根据本实例，采用压缩成型。特定量的模制化合物8被放置到载体6上，更具体地讲，放置到粘合箔7上。其后，上模巢1在向下的方向上移动，使得在到达模制化合物8时，模制化合物8在横向方向上展开，并且流入到形成在附属装置2的下表面2.1中的各种压痕中。其后，模制化合物固化或凝固，并且其后，完成的板8.1被从成型设备中取出。
应该提及的是，原则上也能够在不使用施加到附属装置2的箔5的情况下执行上述过程。
还应该提及的是，也能够采用其他成型方法，像例如传递成型或注射成型。
图3包括图3A和3B，并且图解说明了制备包括多个盖的板的类似过程，其中采用成型设备20。与图2的成型设备10的差别在于：载体6（如图2中所示）被省略，并且反而，另一箔15通过辊14A和14B而被进给到成型设备20中。如图3A中所示，模制化合物8被施加到箔15的上表面上，并且其后，所述过程类似于结合图2描述的过程。
图2和图3的实例图解说明了所谓的腔向上（cavity-up）模式，从而意味着：上模巢1包括确定要被生产的盖板的形式的附属装置2。然而，成型设备也能够具有腔向下（cavity-down）模式，在该腔向下模式下，下模巢包括确定要被生产的盖板的形式的附属装置。
图4包括图4A和4B，其中图4A示出了包括多个盖的板的实例，其中该板具有圆形形式或典型的晶片的形式。应该提及的是，该板也能够具有任何其他形式，像例如矩形或正方形形式，如图4B中所示。按照与上面已经概述的方式相同的方式，半导体板也能够具有典型的晶片形式，但也能够具有任何其他形式，像例如矩形或正方形形式。盖板（如图4中所示）包括多个盖或腔，其中盖的数目能够处于1000或数个1000的范围中，特别地，处于在1000到10000之间的范围中。板可进一步包括周边边缘部分，没有盖被形成在该周边边缘部分中，并且该周边边缘部分用于使板变硬并且稳定。
图5包括图5A和5B，并且稍微更详细地示出了半导体板的在将盖板接合到该半导体板上之前以及在将盖板接合到该半导体板上之后的区段。在图5的实例中，半导体板是重新配置的晶片。图5A示出了两个邻近的半导体装置50，其中半导体装置50中的每个都包括半导体本体51，该半导体本体51包括侧壁51.1和连接在侧壁51.1之间的麦克风膜51.2。侧壁51.1可被以这样的方式来配置：这些侧壁51.1包括四个在周边连接的外面并且包括内面，该内面的横截面是圆形的，参见例如图7B。不管怎样，侧壁51.1包围在麦克风膜51.2上方的内部空间51.3。半导体装置50进一步包括模制化合物（第一模制化合物）52，该模制化合物52被以这样的方式布置：它把半导体本体51的每个都嵌在所有四侧上。半导体装置50进一步包括电气接触区域53，该电气接触区域53被施加到重新配置的晶片50的后表面上，并且该电气接触区域53与麦克风膜51.2和在半导体本体51中所包括的可能的其他电气装置中的一个或多个连接。
图5B示出了在将盖板55施加到重新配置的晶片的上表面上之后获得的中间产品（所接合的板）。盖板55可对应于如图4中所示的板，并且可包括多个盖55.1，其中盖55.1中的每个盖都精确地位于半导体装置50之一的上方，并且板55的垂直壁精确地而且居中地设置在模制化合物52的壁上。在如图5B中所示的实例中，盖55.1的内壁包括平面水平壁和与水平壁邻接的平面侧壁。此外，在图5B中能够看出，侧壁倾斜，使得在水平壁和侧壁之间的角度不同于90°，在本实例中，在水平壁和侧壁之间的角度大于90°。在将板55接合到重新配置的晶片上时，这样的配置帮助避免剪力，并且由此垂直地将板55压到重新配置的晶片50上。进而，当从如在图2和图3中已示出的模巢1和2释放板8.1时，倾斜的壁是有利的。为了获得倾斜的侧壁，上模巢1上的附属装置2必须具有相对应的相反的表面结构。
如图5B中所示的实例也示出了在盖55.1的水平壁和侧壁之间的尖锐的或陡峭的汇合部（junction），该汇合部在盖55.1的水平壁和侧壁之间具有清楚限定的角度。然而，也能够是这样的情况：在水平壁和侧壁之间的汇合部是平滑的或弯曲的，具有特定的曲线半径。
根据另一实例，也可能的是：盖的内壁并不包括任何平面壁，而是包括完全弯曲的表面、如例如球面或椭球面。
如图5B中所示的实例也示出了：盖55.1的内壁包括导电材料（像例如Cu或Al）的薄层55.2，该薄层55.2用于将半导体装置与外部进行电屏蔽。可替代地，也可能省略该层55.2，并且反而可能用导电材料来制备板55。
如前面所提及的那样，板55包括如下模制化合物（第二模制化合物）：所述模制化合物的材料能够与第一模制化合物52的材料不同、类似或相同。特别地，能够存在这样的情况：第一和第二模制化合物包括完全相同的材料，这意味着它们包括相同的基质材料，并且也包括并入到其中的相同的量和类型的填充增加物。这是有利的，因为第一和第二模制化合物的热膨胀系数（CTE）相等，使得在麦克风装置工作时，将不会因为不同的CTE而在模制化合物之间的边界处发生问题。然而，也能够存在这样的情况：第一和第二模制化合物包括类似的或相同的基质材料，但一种或多种不同量或不同类型的填充增加物嵌入到其中。特别地，如果想要具有导电的盖55.1以便避免施加层55.2，则可存在该情况，在这种情况下，足够量的导电填充增加物不得不被并入到第二模制化合物中。当第一模制化合物52不得不是绝缘的时，那么第一和第二模制化合物将在这种情况下必然不同。
在将板55接合到重新配置的晶片上之后，所获得的中间产品能够被单片化，以获得多个各个单独的麦克风装置。图5B中的垂直虚线指示了如下平面：沿着所述平面，通过例如切块、隐形切块、锯切、蚀刻、激光烧蚀或这些方式当中的任何适当的组合，能够使邻近的麦克风装置彼此分离。
如图5B的实例中所示的盖板55包括平坦的上表面。然而，应该提及的是，当制备盖板时，也能够出于不同的原因以任何期望的方式形成或结构化上表面，所述原因像例如增加盖的稳定性，或者通过在半导体模块的边界处形成沟槽或将标记（像数字或十字）形成到上表面中来促进单片化。
图6包括图6A和6B，并且图解说明了布置在板中的盖的空间尺寸。图6示出了包括多个盖的板的区段，所述区段包括两个邻近的盖，诸如图5B中示出的并且利用参考符号55.1指定的那些盖。字母a到h指定不同长度尺寸，其中a指的是板或盖的高度，b指的是盖的腔的高度或净空高度，c指的是上水平壁的厚度（其中a=b+c），d指的是侧壁的厚度，e指的是分离两个邻近的腔的壁的厚度，f指的是为锯线保留的e的部分，g指的是腔的长度，并且h指的是腔的宽度。b和c的范围能够如下：
b：50 µm到500 µm，
c：50 µm到300 µm。
图7包括图7A和7B，并且示出了根据第二方面的半导体模块的示意性的剖面侧视表示（图7A）和从图7A中指定为B-B的平面来看的俯视图（图7B）。
半导体模块50包括：半导体装置51；和盖55.1，该盖55.1被布置在半导体装置51上方，其中通过将包括多个盖的盖板接合到包括多个半导体装置的半导体板上并且将所接合的板单片化成多个半导体模块，制备半导体模块50。通过经过例如切块来沿着如图5B中所示的垂直虚线而分离邻近的半导体模块50，对所接合的板进行单片化。作为结果，半导体模块50的外侧壁完全平滑，并且并未在盖55.1和封装材料52之间的边界57处显示任何横向阶状物（step）或肩状物（shoulder）。这个特征适用于这里呈现的半导体模块的所有另外的实例。
如在图5和7中所示，半导体模块50可被以麦克风装置50的形式来配置。如图7中所示的麦克风装置50是图5B中示出的两个装置中的左边的装置，因此这些参考符号已从图5B被承接过来。麦克风装置可因此包括：半导体本体51，该半导体本体51包括侧壁51.1和连接在侧壁51.1之间的麦克风膜51.2；第一模制化合物52，该第一模制化合物52使侧壁51.1嵌入；和盖55.1，该盖55.1与第一模制成型化合物52连接，该盖55.1由第二模制化合物制备。
根据第二方面的半导体模块的实例，该半导体装置可包括任何种类的传感器装置。在如图7中所示的实例中，传感器装置是压力传感器或麦克风。然而，半导体装置也可包括下面的一种或多种传感器：震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。
根据如图7中所示的半导体模块的实例，半导体装置包括MEMS装置，该MEMS装置包括膜51.2。然而，应该注意的是，半导体装置未必包括MEMS装置。
根据第二方面的半导体模块的实例，该半导体模块包括两个或更多个半导体装置。根据其实例，该半导体模块包括传感器装置和另外的电子装置，其中所述另外的电子装置连接到该传感器装置，并且被配置为给该传感器装置提供电源和/或从该传感器装置读出电信号。所述另外的电子装置能够例如是ASIC装置。
根据第二方面的半导体模块的实例，第一和第二模制化合物中的一个或多个包括基质材料，该基质材料包括一种或多种树脂，特别地，包括环氧树脂、环氧有机硅、环氧树脂聚酰亚胺、双马来酰亚胺、氰酸酯或热塑性塑料。
根据第二方面的半导体模块的实例，第一和第二模制化合物包括不同的、类似的或相同的材料，特别地，包括不同的、类似的或相同的基质材料。根据其另一实例，第一和第二模制化合物包括不同的、类似的或相同的基质材料，并且第一和第二模制化合物中的一个或多个包括基质材料和嵌入在其中的填充增加物，特别地，所述填充增加物由SiO、Al2O3、ZnO、MgO、AlN、Si3N4、BN、陶瓷材料或金属材料（特别地，Cu、Al、Ag或Mo）制成。
根据第二方面的半导体模块的实例，半导体模块进一步包括施加到盖55.1的内壁上的导电层。
根据第二方面的半导体模块的实例，盖55.1包括内壁，所述内壁包括平面水平壁和与水平壁邻接的平面侧壁。根据其另一实例，所述侧壁倾斜，使得在水平壁和侧壁之间的角度不同于90°，特别地，在水平壁和侧壁之间的角度大于90°。
根据第二方面的半导体模块的实例，在水平壁和侧壁之间的汇合部或者是尖锐的，或者是陡峭的，或者是平滑的，或者是弯曲的。
根据第二方面的半导体模块的实例，半导体模块包括至少一个另外的电子装置。所述另外的电子装置能够是例如微控制器、处理器、ASIC等。
图8包括图8A至8D，并且示出了根据第二方面的半导体模块的另外的实例。
图8A示出了可与图7的半导体模块相比但没有封装的半导体模块100。所有其他参考符号已从图7被承接过来。如前面已解释的那样，可在这样的情况下获得这样的半导体模块100：半导体板是其中制备了半导体装置的半导体晶片，然后盖板被接合到半导体晶片上，并且最后，所接合的板通过前面描述的任何一种方法而被单片化。作为结果，获得平滑的侧壁，在盖55.1和半导体本体51的侧壁51.1之间的边界处没有阶状物或肩状物。由于所述制备方法，半导体模块100的外侧壁完全平滑，并且并未在盖55.1和封装材料52之间的边界58处显示任何横向阶状物或肩状物。
图8B示出了可与图7的半导体模块相比但没有侧壁51.1的半导体模块200。反而，膜51.2直接悬挂在封装材料52的壁之间。所有其他参考编号已从图7被承接过来。
图8C示出了可与图7的半导体模块相比的半导体模块300，但该半导体模块300具有也被盖55.1覆盖的附加的电子装置。在这个实例中，所述附加的电子装置是硅芯片60，该硅芯片60在其上主面包括电子电路61。电子电路61能够是任何种类的控制电路（特别地，与传感器装置51连接的ASIC），并且例如被配置为给传感器装置51提供电源或从传感器装置51读出信号并且提供读出的信号的模数转换。电贯通连接（through-connection）62可被形成在封装材料52的壁中的一个中。贯通连接62将传感器装置51的接触区域53与形成在硅芯片60的上主面上的接触区域63连接。
图8D示出了可与图7的半导体模块相比的半导体模块400，但该半导体模块400具有附加的传感器装置71，该附加的传感器装置71附着到传感器装置51并且利用封装材料52的壁与传感器装置51分离。所述附加的传感器装置71也被盖75.1覆盖，其中盖75.1也在它的内壁上用导电层75.2覆盖。传感器装置51和71之间的差别在于相应的盖55.1和75.1的不同的厚度。盖55.1包括相对小的厚度d1，而盖75.1包括相对大的厚度75.1。作为结果，传感器装置51的腔具有比传感器装置71的腔更大的容积，并且因此具有更大的信噪比和灵敏度。
本公开内容还涉及第三方面的已打包的MEMS装置。根据第三方面的已打包的MEMS装置包括：嵌入装置；MEMS装置，该MEMS装置被布置在嵌入装置中；盖，该盖布置在MEMS装置上方，其中通过将包括多个盖的盖板接合到包括多个MEMS装置的MEMS板上，并且通过将所接合的板单片化成多个已打包的MEMS装置，制备已打包的MEMS装置。
根据已打包的MEMS装置的实例，MEMS装置包括传感器装置。
根据已打包的MEMS装置的实例，MEMS装置包括下面的一种或多种传感器：压力传感器、震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。
根据已打包的MEMS装置的实例，MEMS装置包括两个或更多个半导体装置。根据其另一实例，MEMS装置包括传感器装置和另外的电子装置，其中所述另外的电子装置连接到所述传感器装置，并且被配置为给所述传感器装置提供电源和/或从所述传感器装置读出电信号。根据其另外的实例，所述另外的电子装置是ASIC装置。
根据第三方面的已打包的MEMS装置的实例，所述盖包括内壁，所述内壁包括平面水平壁和与水平壁邻接的平面侧壁。
根据第三方面的已打包的MEMS装置的实例，所述侧壁倾斜，使得在水平壁和侧壁之间的角度不同于90°，特别地，在水平壁和侧壁之间的角度大于90°。
根据第三方面的已打包的MEMS装置的实例，在水平壁和侧壁之间的汇合部是尖锐的或陡峭的。
通过并入在上面已结合第一方面的用于生产半导体模块的方法或第二方面的半导体模块描述的实例或特征，能够形成第三方面的已打包的MEMS装置的另外的实例。
尽管已参照一个或多个实现方式图解说明和描述了本发明，但是可在不背离所附的权利要求书的精神和范围的情况下对所图解说明的实例进行变动和/或修改。特别地，关于由上述部件或结构（组件、装置、电路、系统等）执行的各种功能，除非另行指示，否则即使不在结构上等同于在本发明的在本文图解说明的示例性实现方式中执行该功能的所公开的结构，用于描述这样的部件的术语（包括对“装置”的提及）也意图对应于执行所描述的部件的规定功能的任何部件或结构（例如，在功能上等同的任何部件或结构）。

Claims (19)

1.一种用于生产半导体模块的方法，所述方法包括：
制备包括第一模制化合物的半导体板，所述第一模制化合物具有嵌入在其中的多个半导体装置，其中针对每个半导体装置，第一模制化合物都限定围绕内部空间的侧壁；
制备包括第二模制化合物的盖板，所述第二模制化合物包括多个盖，其中每个盖都通过形成在所述第二模制化合物之内的腔来限定；
将所述盖板接合到所述半导体板上，使得所述盖中的每个都覆盖所述半导体装置中的一个或多个；以及
将所连接的板的第一模制化合物和第二模制化合物单片化成多个半导体模块；
其中，制备所述盖板包括浇注。
2.如权利要求1所述的方法，其中，
所述半导体装置中的每个都包括传感器装置。
3.如权利要求2所述的方法，其中，
所述半导体装置中的每个都包括下面的一种或多种传感器：压力传感器、震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。
4.如前述权利要求之一所述的方法，其中，
所述半导体装置中的每个都包括MEMS装置。
5.如前述权利要求之一所述的方法，其中，
所述半导体板是重新配置的晶片，所述重新配置的晶片通过处理半导体晶片中的多个半导体芯片、对所述半导体芯片进行切块并且将所述半导体芯片嵌入封装材料中来获得。
6.如前述权利要求之一所述的方法，进一步包括：
制备所述盖板包括提供具有导电性的所述盖或其部分。
7.一种半导体模块，其包括：
半导体装置，所述半导体装置包括嵌有半导体本体的第一模制化合物，其中第一模制化合物限定围绕内部空间的侧壁；和
由第二模制化合物形成的盖，所述盖布置在所述半导体装置上方，使得所述盖的垂直壁与所述第一模制化合物的侧壁对齐；
其中，通过将包括多个盖的所浇注的盖板接合到包括多个半导体装置的半导体板上，并且通过将所连接的板单片化成多个半导体模块，制备所述半导体模块。
8.如权利要求7所述的半导体模块，其中，
所述半导体装置包括传感器装置。
9.如权利要求8所述的半导体模块，其中，
所述半导体装置包括下面的一种或多种传感器：压力传感器、震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。
10.如权利要求7至9之一所述的半导体模块，其中，
所述半导体装置包括MEMS装置。
11.如权利要求7至9之一所述的半导体模块，其中，
所述半导体模块包括两个或更多个半导体装置。
12.如权利要求11所述的半导体模块，其中，
所述半导体模块包括传感器装置和另外的电子装置，其中所述另外的电子装置与所述传感器装置连接，并且所述另外的电子装置被配置为给所述传感器装置提供电源和/或从所述传感器装置读出电信号。
13.如权利要求12所述的半导体模块，其中，
所述另外的电子装置是ASIC装置。
14.一种配备有壳体的或已打包的MEMS装置，其包括：
嵌入装置，所述嵌入装置包括第一模制化合物，所述第一模制化合物限定围绕内部空间的侧壁；
MEMS装置，所述MEMS装置布置在所述嵌入装置中；
由第二模制化合物形成的盖，所述盖布置在所述MEMS装置上方，使得所述盖的垂直壁与所述第一模制化合物的侧壁对齐；
其中，通过将包括多个盖的所浇注的盖板接合到包括多个MEMS装置的MEMS板上，并且通过将连接的板单片化成多个配备有壳体的MEMS装置，制备所述配备有壳体的MEMS装置。
15.如权利要求14所述的配备有壳体的MEMS装置，其中，
所述MEMS装置包括传感器装置。
16.如权利要求15所述的配备有壳体的MEMS装置，其中，
所述MEMS装置包括下面的一种或多种传感器：压力传感器、震动传感器、加速度传感器、温度传感器、气体传感器、湿度传感器、磁场传感器、电场传感器或光学传感器。
17.如权利要求14至16之一所述的配备有壳体的MEMS装置，其中，
所述MEMS装置包括一个或多个半导体装置。
18.如权利要求17所述的配备有壳体的MEMS装置，其中，
所述MEMS装置包括传感器装置和另外的电子装置，其中所述另外的电子装置与所述传感器装置连接，并且所述另外的电子装置被配置为给所述传感器装置提供电源和/或从所述传感器装置读出电信号。
19.如权利要求18所述的配备有壳体的MEMS装置，其中，
所述另外的电子装置是ASIC装置。
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