JP3379518B2 - 圧電素子の製造方法 - Google Patents
圧電素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば弾性表面波
装置のような圧電素子の製造方法に関し、より詳細に
は、圧電基板上にＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極を
形成してなるウェハーを切断し、個々の圧電素子を製造
する方法の改良に関する。
装置のような圧電素子の製造方法に関し、より詳細に
は、圧電基板上にＡｌもしくはＡｌ合金からなる電極を
形成してなるウェハーを切断し、個々の圧電素子を製造
する方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波装置などの圧電素子の
製造に際しては、量産性を高めるために、まずマザーの
ウェハーを用意し、該ウェハーをダイシングすることに
より個々の圧電素子が得られている。すなわち、圧電材
料からなる圧電基板上にＡｌもしくはＡｌ合金などの金
属からなる電極を形成してウェハーを得、該ウェハーを
切断することにより個々の圧電素子が得られている。
製造に際しては、量産性を高めるために、まずマザーの
ウェハーを用意し、該ウェハーをダイシングすることに
より個々の圧電素子が得られている。すなわち、圧電材
料からなる圧電基板上にＡｌもしくはＡｌ合金などの金
属からなる電極を形成してウェハーを得、該ウェハーを
切断することにより個々の圧電素子が得られている。
【０００３】ところで、上記ウェハーの切断に際して
は、冷却水によりウェハーを冷却しつつダイシングする
方法が一般的に用いられている。しかしながら、ダイシ
ングに際しては、圧電基板から圧電材料粉などの切り屑
が発生する。この圧電材料粉が電極表面に付着したり、
圧電材料粉によってはその一部が冷却水に溶解し、電極
を腐食したりし、その結果、得られた圧電素子の特性が
劣化することがあった。
は、冷却水によりウェハーを冷却しつつダイシングする
方法が一般的に用いられている。しかしながら、ダイシ
ングに際しては、圧電基板から圧電材料粉などの切り屑
が発生する。この圧電材料粉が電極表面に付着したり、
圧電材料粉によってはその一部が冷却水に溶解し、電極
を腐食したりし、その結果、得られた圧電素子の特性が
劣化することがあった。
【０００４】そこで、ダイシングに先立ち、ウェハーの
電極が形成されている面に、予めＳｉＯ2 からなるパッ
シベーション膜などの保護膜を形成する方法が採用され
ている。
電極が形成されている面に、予めＳｉＯ2 からなるパッ
シベーション膜などの保護膜を形成する方法が採用され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記保
護膜を形成する方法では、最終的な圧電素子において必
要でない該保護膜を形成する工程が増加し、製造工程が
煩雑となるだけでなく、コストが高くなるという問題が
あった。
護膜を形成する方法では、最終的な圧電素子において必
要でない該保護膜を形成する工程が増加し、製造工程が
煩雑となるだけでなく、コストが高くなるという問題が
あった。
【０００６】加えて、保護膜を形成した場合であって
も、ダイシングに際し発生する圧電材料粉の付着等によ
るためか、得られた圧電素子の電気的特性が設計値より
も低かったり、良品率が充分に高くならなかったりする
ことがあった。
も、ダイシングに際し発生する圧電材料粉の付着等によ
るためか、得られた圧電素子の電気的特性が設計値より
も低かったり、良品率が充分に高くならなかったりする
ことがあった。
【０００７】また、圧電基板上にＡｌ合金よりなる金属
膜を形成し、ＣＦ4 ，Ｃｌ2 などのハロゲン元素含有ガ
スを用いたプラズマにより金属膜をエッチングして電極
を形成してなるウェハー、あるいは電極形成後、基板を
エッチングして周波数をトリミングしたウェハーを用い
た場合には、ＣｌやＦなどのハロゲン元素が酸化剤とし
て作用し、電極が腐食するという問題もあった。
膜を形成し、ＣＦ4 ，Ｃｌ2 などのハロゲン元素含有ガ
スを用いたプラズマにより金属膜をエッチングして電極
を形成してなるウェハー、あるいは電極形成後、基板を
エッチングして周波数をトリミングしたウェハーを用い
た場合には、ＣｌやＦなどのハロゲン元素が酸化剤とし
て作用し、電極が腐食するという問題もあった。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、ダイシングに先立ち保護膜の形成を行わずと
も、良好な特性を有する圧電素子を安定にかつ高い良品
率で得ることを可能とする圧電素子の製造方法を提供す
ることにある。
を解消し、ダイシングに先立ち保護膜の形成を行わずと
も、良好な特性を有する圧電素子を安定にかつ高い良品
率で得ることを可能とする圧電素子の製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電材料より
なる圧電基板上にＡｌ合金よりなる電極が形成されてお
り、かつ該電極がハロゲン元素含有ガスを用いたプラズ
マにさらされる工程を経て形成されているウェハーを、
冷却水により冷却しつつダイシングすることにより圧電
素子を得る圧電素子の製造方法において、前記ダイシン
グ用冷却水として、Ａｌと反応して電極表面に防食被膜
を形成する化合物が含有されている冷却水を用いること
を特徴とする。
なる圧電基板上にＡｌ合金よりなる電極が形成されてお
り、かつ該電極がハロゲン元素含有ガスを用いたプラズ
マにさらされる工程を経て形成されているウェハーを、
冷却水により冷却しつつダイシングすることにより圧電
素子を得る圧電素子の製造方法において、前記ダイシン
グ用冷却水として、Ａｌと反応して電極表面に防食被膜
を形成する化合物が含有されている冷却水を用いること
を特徴とする。
【００１０】上記冷却水に含有される化合物としては、
好ましくは、リン酸またはリン酸塩の少なくとも１種が
用いられ、リン酸塩としては、リン酸水素カルシウム、
リン酸二水素カルシウム及びリン酸水素ナトリウムから
なる群から選択した少なくとも１種が好適に用いられ
る。
好ましくは、リン酸またはリン酸塩の少なくとも１種が
用いられ、リン酸塩としては、リン酸水素カルシウム、
リン酸二水素カルシウム及びリン酸水素ナトリウムから
なる群から選択した少なくとも１種が好適に用いられ
る。
【００１１】さらに、第１，第２の発明は、上記圧電素
子として弾性表面波装置を製造する場合に好適に用いる
ことができる。以下、本発明の詳細を説明する。
子として弾性表面波装置を製造する場合に好適に用いる
ことができる。以下、本発明の詳細を説明する。
【００１２】本発明では、圧電材料よりなる圧電基板上
にＡｌ合金からなる電極が形成されており、かつ該電極
がハロゲン元素含有ガスを用いたエッチングにより形成
されているウェハーが用意される。ここで、圧電基板を
構成する圧電材料については、特に限定されず、ＬｉＴ
ａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 もしくは水晶などの圧電単結晶、
あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような
圧電セラミックスを用いることができる。
にＡｌ合金からなる電極が形成されており、かつ該電極
がハロゲン元素含有ガスを用いたエッチングにより形成
されているウェハーが用意される。ここで、圧電基板を
構成する圧電材料については、特に限定されず、ＬｉＴ
ａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 もしくは水晶などの圧電単結晶、
あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような
圧電セラミックスを用いることができる。
【００１３】また、上記圧電基板上に形成される電極を
構成する材料についても、Ａｌ合金であれば特に限定さ
れず、例えばＡｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金などを例
示することができる。
構成する材料についても、Ａｌ合金であれば特に限定さ
れず、例えばＡｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金などを例
示することができる。
【００１４】上記Ａｌ合金よりなる電極は、ハロゲン元
素含有ガスを用いたエッチングにより形成されている。
ハロゲン元素含有ガスとしては、特に限定されるわけで
はないが、例えば、ＣＦ4 、Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 など、従
来より圧電素子の電極のエッチングや基板エッチングに
一般的に用いられているハロゲン元素含有ガスを用いる
ことができる。
素含有ガスを用いたエッチングにより形成されている。
ハロゲン元素含有ガスとしては、特に限定されるわけで
はないが、例えば、ＣＦ4 、Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 など、従
来より圧電素子の電極のエッチングや基板エッチングに
一般的に用いられているハロゲン元素含有ガスを用いる
ことができる。
【００１５】なお、上記電極のエッチングの具体的な方
法については、目的とする圧電素子の電極形状に応じ、
従来より公知の方法で適宜行うことができ、特に限定さ
れるものではない。
法については、目的とする圧電素子の電極形状に応じ、
従来より公知の方法で適宜行うことができ、特に限定さ
れるものではない。
【００１６】本発明では、上記のようにして構成された
ウェハーを、冷却水により冷却しつつダイシングするこ
とにより圧電素子が得られる。ダイシング装置について
は、従来から一般的に用いられているダイシングソーを
有するダイシング装置を用いることができる。
ウェハーを、冷却水により冷却しつつダイシングするこ
とにより圧電素子が得られる。ダイシング装置について
は、従来から一般的に用いられているダイシングソーを
有するダイシング装置を用いることができる。
【００１７】ダイシングに際しては、ウェハーを冷却す
るために、冷却水が用いられる。このダイシング用冷却
水として、Ａｌと反応して電極表面に絶縁被膜を形成す
る化合物が含有されている冷却水が用いられる。このよ
うな化合物としては、Ａｌと反応して絶縁被膜を形成し
得る限り特に限定されず、例えば、リン酸水素カルシウ
ム、リン酸水素ナトリウムなどのリン酸塩、またはリン
酸を例示することができる。
るために、冷却水が用いられる。このダイシング用冷却
水として、Ａｌと反応して電極表面に絶縁被膜を形成す
る化合物が含有されている冷却水が用いられる。このよ
うな化合物としては、Ａｌと反応して絶縁被膜を形成し
得る限り特に限定されず、例えば、リン酸水素カルシウ
ム、リン酸水素ナトリウムなどのリン酸塩、またはリン
酸を例示することができる。
【００１８】また、上記絶縁被膜を形成する化合物の濃
度についても、上記絶縁被膜を形成し得る限り、化合物
種に応じて適宜定められるが、通常、１×１０-5ｍｏｌ
％〜１×１０-3ｍｏｌ％程度とされる。
度についても、上記絶縁被膜を形成し得る限り、化合物
種に応じて適宜定められるが、通常、１×１０-5ｍｏｌ
％〜１×１０-3ｍｏｌ％程度とされる。
【００１９】また、上記ダイシング用冷却水の温度は、
ウェハーを冷却するものであるため、通常、１５〜３０
程度の温度とされる。本発明では、上記化合物が含有さ
れている冷却水を用いてウェハーを冷却しつつダイシン
グが行われる。この場合、冷却水中に上記化合物が含有
されているので、該化合物がＡｌ合金からなる電極中の
Ａｌと反応し、電極表面に絶縁被膜が形成される。例え
ば、上記化合物としてリン酸水素カルシウムを用いた場
合、電極表面にリン酸アルミ（ＡｌＰＯ4 ）からなる絶
縁被膜が形成されることになる。
ウェハーを冷却するものであるため、通常、１５〜３０
程度の温度とされる。本発明では、上記化合物が含有さ
れている冷却水を用いてウェハーを冷却しつつダイシン
グが行われる。この場合、冷却水中に上記化合物が含有
されているので、該化合物がＡｌ合金からなる電極中の
Ａｌと反応し、電極表面に絶縁被膜が形成される。例え
ば、上記化合物としてリン酸水素カルシウムを用いた場
合、電極表面にリン酸アルミ（ＡｌＰＯ4 ）からなる絶
縁被膜が形成されることになる。
【００２０】従って、電極表面が上記絶縁被膜により被
覆されて保護されることになるため、ハロゲン元素含有
ガスを用いたエッチング後にハロゲン元素、例えばＦや
Ｃｌが残存していたとしても、これらのハロゲン元素に
よる電極の腐食を効果的に抑制することができる。よっ
て、ハロゲン元素含有ガスを用いたエッチングにより電
極が形成されていたとしても、電気的特性の劣化が生じ
難い圧電素子を提供することができる。
覆されて保護されることになるため、ハロゲン元素含有
ガスを用いたエッチング後にハロゲン元素、例えばＦや
Ｃｌが残存していたとしても、これらのハロゲン元素に
よる電極の腐食を効果的に抑制することができる。よっ
て、ハロゲン元素含有ガスを用いたエッチングにより電
極が形成されていたとしても、電気的特性の劣化が生じ
難い圧電素子を提供することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の非限定的な実施例を挙げるこ
とにより、本発明を明らかにする。
とにより、本発明を明らかにする。
【００２２】（実施例１及び比較例１）厚み０．３５ｍ
ｍのＬｉＴａＯ3 単結晶基板上に、Ａｌ−Ｃｕ合金から
なる厚み３００μｍの金属膜を全面に形成しドライエッ
チングすることにより、図１（ａ）に示すウェハー１を
得た。ウェハー１では、圧電基板２上にＡｌ−Ｃｕ合金
からなるくし歯状電極２が形成されている。
ｍのＬｉＴａＯ3 単結晶基板上に、Ａｌ−Ｃｕ合金から
なる厚み３００μｍの金属膜を全面に形成しドライエッ
チングすることにより、図１（ａ）に示すウェハー１を
得た。ウェハー１では、圧電基板２上にＡｌ−Ｃｕ合金
からなるくし歯状電極２が形成されている。
【００２３】次に、上記ウェハー１を、図１（ａ）の一
点鎖線Ａに沿ってダイシングすることにより、個々の圧
電素子を得た。ダイシングに際しては、冷却水として、
リン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ4 ）が水に１×１０
-4ｍｏｌ％の濃度で溶解されている２５℃の温度に設定
されたリン酸水素カルシウム水溶液を用いた。
点鎖線Ａに沿ってダイシングすることにより、個々の圧
電素子を得た。ダイシングに際しては、冷却水として、
リン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ4 ）が水に１×１０
-4ｍｏｌ％の濃度で溶解されている２５℃の温度に設定
されたリン酸水素カルシウム水溶液を用いた。
【００２４】上記のようにして、ウェハー１を切断し、
圧電素子として弾性表面波装置を得た。この弾性表面波
装置の周波数特性を図２に示す。なお、図２の実線Ａ
は、縦軸の右側のスケールで拡大した特性を示す。
圧電素子として弾性表面波装置を得た。この弾性表面波
装置の周波数特性を図２に示す。なお、図２の実線Ａ
は、縦軸の右側のスケールで拡大した特性を示す。
【００２５】比較のために、上記リン酸水素カルシウム
が含有されていない純水を冷却水として用いたことを除
いては、上記と同様にしてウェハー１をダイシングし、
弾性表面波装置を得た。このようにして得られた比較例
１の周波数特性を図３に示す。なお、図３の実線Ｂは、
縦軸の右側のスケールで拡大した特性を示す。
が含有されていない純水を冷却水として用いたことを除
いては、上記と同様にしてウェハー１をダイシングし、
弾性表面波装置を得た。このようにして得られた比較例
１の周波数特性を図３に示す。なお、図３の実線Ｂは、
縦軸の右側のスケールで拡大した特性を示す。
【００２６】図２と図３との比較から明らかなように、
実施例１の弾性表面波装置では比較例１に比べて、帯域
幅の拡大、及び通過帯域内の挿入損失のばらつきの低減
を果たし得る。
実施例１の弾性表面波装置では比較例１に比べて、帯域
幅の拡大、及び通過帯域内の挿入損失のばらつきの低減
を果たし得る。
【００２７】（実施例２及び比較例２）厚み０．３５ｍ
ｍの水晶からなる圧電基板上に、Ａｌ−Ｃｕ合金からな
る厚み２００μｍの金属膜を全面に形成した後、ウェッ
トエッチングにより図１（ａ）に示したくし歯状電極２
を形成した。その後ＣＦ4 プラズマにさらし、金属に覆
われていない部分の基板をエッチングし、周波数のトリ
ミングを実施した。このようにして得たウェハー１を用
い、実施例１と同様にしてダイシングを行い、弾性表面
波装置を得た。
ｍの水晶からなる圧電基板上に、Ａｌ−Ｃｕ合金からな
る厚み２００μｍの金属膜を全面に形成した後、ウェッ
トエッチングにより図１（ａ）に示したくし歯状電極２
を形成した。その後ＣＦ4 プラズマにさらし、金属に覆
われていない部分の基板をエッチングし、周波数のトリ
ミングを実施した。このようにして得たウェハー１を用
い、実施例１と同様にしてダイシングを行い、弾性表面
波装置を得た。
【００２８】比較のために、冷却水としてＣａＨＰＯ4
水溶液に代えてＮａＨＣＯ3 水溶液を用いたことを除い
ては、上記実施例２と同様にして比較例２の弾性表面波
装置を得た。
水溶液に代えてＮａＨＣＯ3 水溶液を用いたことを除い
ては、上記実施例２と同様にして比較例２の弾性表面波
装置を得た。
【００２９】上記のようにして得た実施例２の弾性表面
波装置について、電極表面をＸＰＳにより分析したとこ
ろ、ＰとＡｌとの化合物が検出された。また、カルシウ
ムは検出されなかった。従って、Ａｌとリン酸水素カル
シウムとが反応し、防食（ＡｌＰＯ4 ）被膜の形成され
ていることが確かめられた。
波装置について、電極表面をＸＰＳにより分析したとこ
ろ、ＰとＡｌとの化合物が検出された。また、カルシウ
ムは検出されなかった。従って、Ａｌとリン酸水素カル
シウムとが反応し、防食（ＡｌＰＯ4 ）被膜の形成され
ていることが確かめられた。
【００３０】また、実施例２及び比較例２の各弾性表面
波装置のＩＤＴの写真を図４及び図５に示す。図４及び
図５の比較から明らかなように、ＣａＨＰＯ4 水溶液を
用いた実施例２では、比較例２に比べて、ＰとＡｌとの
化合物の形成により電極精度が高められていることがわ
かる。
波装置のＩＤＴの写真を図４及び図５に示す。図４及び
図５の比較から明らかなように、ＣａＨＰＯ4 水溶液を
用いた実施例２では、比較例２に比べて、ＰとＡｌとの
化合物の形成により電極精度が高められていることがわ
かる。
【００３１】
【発明の効果】本願の第１の発明では、ダイシング用冷
却水として、Ａｌと反応してＡｌ合金からなる電極表面
に絶縁被膜を形成する化合物が含有されている冷却水が
用いられるので、ダイシングに際し、電極表面に絶縁被
膜が形成される。従って、該絶縁被膜により、電極の腐
食が抑制される。
却水として、Ａｌと反応してＡｌ合金からなる電極表面
に絶縁被膜を形成する化合物が含有されている冷却水が
用いられるので、ダイシングに際し、電極表面に絶縁被
膜が形成される。従って、該絶縁被膜により、電極の腐
食が抑制される。
【００３２】よって、ハロゲン元素含有ガスを用いて電
極がエッチングされているので、エッチング後にハロゲ
ン元素が残留していたとしても、上記絶縁被膜によりハ
ロゲン元素による電極の腐食を確実に抑制することがで
き、それによって電気的特性が良好であり、かつ安定な
圧電素子を提供することができる。
極がエッチングされているので、エッチング後にハロゲ
ン元素が残留していたとしても、上記絶縁被膜によりハ
ロゲン元素による電極の腐食を確実に抑制することがで
き、それによって電気的特性が良好であり、かつ安定な
圧電素子を提供することができる。
【００３３】また、従来法では、上記電極の腐食を防止
するために、ＳｉＯ2 保護膜などをダイシングに先立ち
形成しなければならなかったのに対し、第１の発明で
は、このような保護膜をダイシングに先立ち形成する必
要もない。よって、良好な特性を有する圧電素子を効率
良くかつ安価に供給することが可能となる。
するために、ＳｉＯ2 保護膜などをダイシングに先立ち
形成しなければならなかったのに対し、第１の発明で
は、このような保護膜をダイシングに先立ち形成する必
要もない。よって、良好な特性を有する圧電素子を効率
良くかつ安価に供給することが可能となる。
【００３４】また、上記冷却水に含有される化合物とし
て、リン酸水素カルシウム、リン酸二水素カルシウム、
リン酸及びリン酸二水素ナトリウムからなる群から選択
した少なくとも１種を用いた場合、これらの化合物がＡ
ｌと反応して電極表面に安定な絶縁被膜が形成されるの
で、電極の腐食をより確実に抑制することができる。
て、リン酸水素カルシウム、リン酸二水素カルシウム、
リン酸及びリン酸二水素ナトリウムからなる群から選択
した少なくとも１種を用いた場合、これらの化合物がＡ
ｌと反応して電極表面に安定な絶縁被膜が形成されるの
で、電極の腐食をより確実に抑制することができる。
【００３５】本発明においては、適用される圧電素子に
ついては特に限定されないが、細い電極指が多数形成さ
れいている弾性表面波装置では、電極指が腐食し易いた
め、本発明をより効果的に利用し得る。
ついては特に限定されないが、細い電極指が多数形成さ
れいている弾性表面波装置では、電極指が腐食し易いた
め、本発明をより効果的に利用し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施例において
用意されるウェハーの平面図及びＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。
用意されるウェハーの平面図及びＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。
【図２】実施例１で得られた弾性表面波装置の減衰量−
周波数特性を示す図。
周波数特性を示す図。
【図３】比較例１で得られた弾性表面波装置の減衰量−
周波数特性を示す図。
周波数特性を示す図。
【図４】実施例２で得られた弾性表面波装置の電極形状
を示す写真。
を示す写真。
【図５】比較例２で得られた弾性表面波装置の電極形状
を示す写真。
を示す写真。
１…ウェハー
２…圧電基板
３…電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/08
H01L 21/301
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電材料よりなる圧電基板上にＡｌ合金
よりなる電極が形成されており、かつ該電極がハロゲン
元素含有ガスを用いたプラズマにさらされる工程を経て
形成されているウェハーを、冷却水により冷却しつつダ
イシングすることにより圧電素子を得る圧電素子の製造
方法において、 前記ダイシング用冷却水として、Ａｌと反応して電極表
面に防食被膜を形成する化合物が含有されている冷却水
を用いることを特徴とする、圧電素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記冷却水に含有される化合物として、
リン酸またはリン酸塩の少なくとも１種を用いる、請求
項１に記載の圧電素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記圧電基板が、水晶、ＬｉＴａＯ3 ま
たはＬｉＮｂＯ3 単結晶からなる、請求項１または２に
記載の圧電素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記圧電素子が、弾性表面波装置であ
る、請求項１〜３の何れかに記載の圧電素子の製造方
法。
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| US09/917,994 US6479324B2 (en) | 2000-08-14 | 2001-07-30 | Method and manufacturing piezoelectric device |
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|---|---|---|---|
| JP2000245802A JP3379518B2 (ja) | 2000-08-14 | 2000-08-14 | 圧電素子の製造方法 |
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|---|---|
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Family
ID=18736256
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|---|---|---|---|
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| JP5689665B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 金属膜表面の酸化防止方法及び酸化防止液 |
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| DE69313337T2 (de) * | 1992-04-17 | 1998-01-02 | Terumo Corp | Infrarotsensor und Verfahren für dessen Herstellung |
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| JPH08191227A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
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| JP3496347B2 (ja) * | 1995-07-13 | 2004-02-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH09307155A (ja) * | 1996-05-16 | 1997-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電部品の製造方法 |
| JPH10276055A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜素子の製造方法 |
| US6294439B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP3097619B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
| US6271102B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Method and system for dicing wafers, and semiconductor structures incorporating the products thereof |
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-
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- 2000-08-14 JP JP2000245802A patent/JP3379518B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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- 2001-07-27 TW TW90118387A patent/TW494626B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2001-08-14 CN CNB011339403A patent/CN1180490C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| KR20020013810A (ko) | 2002-02-21 |
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