KR19990080608A - 쏘필터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
쏘필터를 구성하는 압전기판에 형성되는 패턴이 외부의 충격등에 의해 파손되지 않도록 보호하는 쏘필터의 제조방법이 개시되어 있다. 쏘필터를 제조하는 공정에서 압전기판상에 알루미늄을 증착시키고, 표면에 포토레지스트(PR)를 코팅시키며, 에칭공정을 거친 후, 다시 표면의 포토레지스트를 제거한다. 상기 포토레지스트를 제거한 후 표면에 형성된 패턴을 견고하게 보호하기 위하여 보호막을 코팅함으로써 쏘필터의 표면에 형성된 패턴은 외부로부터 인가되는 충격등에 의해 파손되지 않게 된다.
Description
본 발명은 쏘필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 쏘필터를 구성하는 압전기판에 형성되는 패턴이 외부의 충격등에 의해 파손되지 않도록 보호하는 쏘필터의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 쏘필터는 텔레비전 또는 이동통신의 단말기등에 사용되며, 텔레비전의 경우 튜너에서 선택된 채널주파수를 중간주파수로 변환추출하는 과정에서 시스템에 요구되는 색, 영상 및 음성등의 중간주파수 신호레벨을 자체 필터특성에서 결정하여 최적의 신호크기로 배출시키는 여파기능을 수행하는 특성을 갖는다.
도 1은 종래의 쏘필터의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하여 쏘필터의 제조방법을 설명하면, 쏘필터를 구성하는 압전기판(예 ; Quartz)을 세정액(예 ; deconix)로 세정을 하여 유기질등을 제거한 후 DC 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)방식으로 압전기판상에 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정(10)을 실행한다. 상기 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정(10) 다음에는 스핀 코터(spin coater)를 사용하여 알루미늄박막의 표면에 포토레지스트(Photoresist)를 균일하게 코팅하는 코팅공정(12)을 실행하게 된다. 상기 포토레지스트를 균일하게 코팅하는 코팅공정(12) 다음에는 표면에 IDT패턴을 형성하기 위해 마스크 얼라이너(Mask Aliner)를 사용하여 진공접촉모드(vacuum contact mode)로 노광처리를 하는 노광공정(14)을 실행하게 된다. 상기 노광공정(14) 다음에는 현상액을 순수(DI water)에 희석시켜 압전기판을 침적시킴으로써 현상처리(develop)를 하는 현상공정(16)을 실행하게 된다. 상기 현상공정(16) 다음에는 알루미늄 전용의 에칭용액을 이용하여 표면을 에칭처리하는 에칭공정(18)을 실행하게 된다. 상기 에칭공정(18) 다음에는 압전기판위에 패턴을 형성하기 위하여 사용된 포토레지스트를 포토레지스트 스트리퍼(PR stripper)를 이용하여 제거하는 PR제거공정(20)을 실행하게 된다. 상기 PR제거공정(20) 다음에는 웨이퍼를 다이아몬드 쏘 블레이드를 이용하여 절단공정(Dicing)(22)을 실행한 후 패키지화하게 된다.
상기와 같은 쏘필터의 제조공정을 통해 제작된 쏘필터는 주파수 특성 및 전기적 특성을 측정한 후 제품화된다. 그런데 상기 쏘필터의 표면에 형성된 패턴의 두께는 매우 미소하여 외부로부터 인가되는 충격등에 의해 파손되거나 특성이 원활하게 출력되지 않는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 쏘필터를 구성하는 압전기판에 형성되는 패턴이 외부의 충격등에 의해 파손되지 않도록 보호하는 쏘필터의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 쏘필터의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 쏘필터의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 쏘필터를 구성하는 압전기판을 세정액으로 세정을 하여 유기질등을 제거하는 세정공정; 상기 압전기판상에 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정; 상기 증착공정 다음에는 알루미늄박막의 표면에 포토레지스트를 균일하게 코팅하는 PR코팅공정; 상기 포토레지스트를 균일하게 코팅하는 PR코팅공정 다음에는 표면에 IDT패턴을 형성하기 위해 노광처리를 하는 노광공정; 상기 노광공정 다음에는 현상액에 압전기판을 침적시킴으로써 현상처리를 하는 현상공정; 상기 현상공정 다음에는 알루미늄 전용의 에칭용액을 이용하여 표면을 에칭처리하는 에칭공정; 상기 에칭공정 다음에는 압전기판위에 패턴을 형성하기 위하여 사용된 포토레지스트를 제거하는 PR제거공정; 상기 PR제거공정 다음에는 패턴위에 패턴을 보호하는 보호막을 증착시키는 보호막증착공정; 그리고 상기 보호막증착공정 다음에는 웨이퍼를 다이아몬드 쏘 블레이드를 이용하여 절단을 한 후 패키지화하는 절단공정으로 이루어지는 쏘필터 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 쏘필터를 제조하는 공정에서 압전기판상에 알루미늄을 증착시키고, 표면에 포토레지스트(PR)를 코팅시키며, 에칭공정을 거친 후, 다시 표면의 포토레지스트를 제거한다. 상기 포토레지스트를 제거한 후 표면에 형성된 패턴을 견고하게 보호하기 위하여 보호막을 코팅함으로써 쏘필터의 표면에 형성된 패턴은 외부로부터 인가되는 충격등에 의해 파손되지 않게 된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 쏘필터의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하여 쏘필터의 제조방법을 설명하면, 먼저, 쏘필터를 구성하는 압전기판에는 수정(Quartz), LT(LiTaO3), LN(LiNbO3)등이 사용된다. 상기 수정(Quartz)의 경우에는 온도의 영향을 덜 받는 장점이 있으며, LT(LiTaO3) 및 LN(LiNbO3)은 온도의 영향을 많이 받는 반면에 회절성이 좋고 커플링계수가 높은 장점이 있다. 상기 압전기판을 초음파(Deconex)를 이용하여 세정을 하여 유기질등을 제거하는 세정공정(100)을 실행하게 된다. 상기 세정공정(100) 다음에는 DC 마그네트론(DC-magnetron) 스퍼터링 방식으로 압전기판상에 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정(200)을 실행한다. 상기 알루미늄박막이 증착되는 두께는 약 1㎛가 되도록 한다. 상기 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정(200) 다음에는 스핀 코터(spin coater)를 사용하여 스핀 코팅방식으로 알루미늄박막의 표면에 포토레지스트(Photo-resist)를 약 1㎛의 두께가 되도록 균일하게 코팅하는 코팅공정(300)을 실행하게 된다. 상기 포토레지스트를 균일하게 코팅하는 코팅공정(300) 다음에는 표면에 IDT패턴을 형성하기 위해 마스크 얼라이너(Mask Aliner)를 사용하여 패턴의 폭이 미세하므로 진공접촉모드(vacuum contact mode)로 노광처리(Expose)를 하는 노광공정(400)을 실행하게 된다. 상기 노광공정(400) 다음에는 순수(DI water)에 희석시킨 현상액에 약 12초동안 압전기판을 침적시킴으로써 현상처리(PR-developing)를 하는 현상공정(500)을 실행하게 된다. 상기 현상공정(500) 다음에는 알루미늄 전용의 에칭용액을 이용하여 압전기판을 약 3분간 침적(dipping)시킴으로써 표면을 습식으로 에칭처리하는 에칭공정(600)을 실행하게 된다. 상기 에칭공정(600) 다음에는 압전기판위에 패턴을 형성하기 위하여 사용된 포토레지스트를 습식 침적방식인 포토레지스트 스트리퍼(PR stripper)를 이용하여 약 20분간 침적시킴으로써 포토레지스트를 패턴의 손상없이 제거하는 PR제거공정(700)을 실행하게 된다. 상기 PR제거공정(700) 다음에는 포토레지스트가 제거된 패턴위에 SiO2를 이용하여 패턴을 보호하는 보호막을 증착시키는 보호막증착공정(800)을 실행하게 된다. 상기 보호막증착공정(800) 다음에는 웨이퍼를 다이아몬드 쏘 블레이드를 이용하여 절단하여 패키지화 할 수 있도록 하는 절단공정(Dicing)(900)을 실행한 후 패키지화하게 된다.
이상 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 쏘필터를 제조하는 공정에서 압전기판상에 알루미늄을 증착시키고, 표면에 포토레지스트(PR)를 코팅시키며, 에칭공정을 거친 후, 다시 표면의 포토레지스트를 제거한다. 상기 포토레지스트를 제거한 후 표면에 형성된 패턴을 견고하게 보호하기 위하여 보호막을 코팅함으로써 쏘필터의 표면에 형성된 패턴은 외부로부터 인가되는 충격등에 의해 파손되지 않게 된다.
Claims (1)
- 쏘필터를 구성하는 세정된 압전기판상에 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정(200);상기 알루미늄박막을 증착시키는 증착공정(200) 다음에는 스핀 코터를 사용하여 스핀 코팅방식으로 알루미늄박막의 표면에 포토레지스트를 균일하게 코팅하는 코팅공정(300);상기 포토레지스트를 균일하게 코팅하는 코팅공정(300) 다음에는 표면에 IDT패턴을 형성하기 위해 노광처리를 하는 노광공정(400);상기 노광공정(400) 다음에는 순수(DI water)에 희석시킨 현상액에 압전기판을 침적시킴으로써 현상처리를 하는 현상공정(500);상기 현상공정(500) 다음에는 알루미늄 전용의 에칭용액을 이용하여 압전기판을 침적시킴으로써 표면을 에칭처리하는 에칭공정(600);상기 에칭공정(600) 다음에는 압전기판위에 패턴을 형성하기 위하여 사용된 포토레지스트를 제거하는 PR제거공정(700);상기 PR제거공정(700) 다음에는 포토레지스트가 제거된 패턴위에 SiO2를 이용하여 패턴을 보호하는 보호막을 증착시키는 보호막증착공정(800); 그리고상기 보호막증착공정(800) 다음에는 웨이퍼를 패키지화 할 수 있도록 하는 절단하는 절단공정(Dicing)(900)으로 이루어지는 쏘필터 제조방법.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019980013988A KR19990080608A (ko) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 쏘필터의 제조방법 |
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KR1019980013988A KR19990080608A (ko) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 쏘필터의 제조방법 |
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KR1019980013988A KR19990080608A (ko) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | 쏘필터의 제조방법 |
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KR (1) | KR19990080608A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100434616B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2004-06-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 소자의 제조 방법 |
KR101976809B1 (ko) | 2018-10-17 | 2019-05-09 | (주)이산글로벌 | 그래핀 미세패턴화 공정을 통한 쏘필터 제조방법 |
-
1998
- 1998-04-20 KR KR1019980013988A patent/KR19990080608A/ko not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100434616B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2004-06-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 소자의 제조 방법 |
KR101976809B1 (ko) | 2018-10-17 | 2019-05-09 | (주)이산글로벌 | 그래핀 미세패턴화 공정을 통한 쏘필터 제조방법 |
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