JP2002141762A - 弾性表面波フィルタの製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタの製造方法Info
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- JP2002141762A JP2002141762A JP2000336318A JP2000336318A JP2002141762A JP 2002141762 A JP2002141762 A JP 2002141762A JP 2000336318 A JP2000336318 A JP 2000336318A JP 2000336318 A JP2000336318 A JP 2000336318A JP 2002141762 A JP2002141762 A JP 2002141762A
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- insulating protective
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】端子電極が侵食される危険性がなく、短時間で
の工程完了が可能な絶縁保護膜のエッチング方法を有す
る弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】圧電基板の表面に櫛形電極および端子電極
を形成する工程と、圧電基板上に櫛形電極電極および端
子電極を被覆して絶縁保護膜を形成する工程と、絶縁保
護膜の一部をエッチング除去して、端子電極の一部を露
出させる工程とを有する弾性表面波フィルタの製造方法
において、端子電極の一部を露出させる工程は、ウエッ
トエッチングによる第１の工程と、ドライエッチングに
よる第２の工程とにより行う。
の工程完了が可能な絶縁保護膜のエッチング方法を有す
る弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】圧電基板の表面に櫛形電極および端子電極
を形成する工程と、圧電基板上に櫛形電極電極および端
子電極を被覆して絶縁保護膜を形成する工程と、絶縁保
護膜の一部をエッチング除去して、端子電極の一部を露
出させる工程とを有する弾性表面波フィルタの製造方法
において、端子電極の一部を露出させる工程は、ウエッ
トエッチングによる第１の工程と、ドライエッチングに
よる第２の工程とにより行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上に形成
された櫛形電極および端子電極と、それを被覆する絶縁
保護膜を備えた弾性表面波フィルタの製造方法に関する
ものである。
された櫛形電極および端子電極と、それを被覆する絶縁
保護膜を備えた弾性表面波フィルタの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波フィルタは通常図２に示され
るように、圧電基板１１と、圧電基板１１上に形成され
たＡｌまたはＡｌ合金からなる櫛形電極１２および端子
電極１３を有し、これらの電極を保護するため、ＳｉＯ
2等の絶縁保護膜１４が櫛形電極１２および端子電極１
３を被覆して形成されている。また、絶縁保護膜１４の
端子電極１３に対応する位置には開口部１６が設けら
れ、外部からの電気信号の入出力が行われる。
るように、圧電基板１１と、圧電基板１１上に形成され
たＡｌまたはＡｌ合金からなる櫛形電極１２および端子
電極１３を有し、これらの電極を保護するため、ＳｉＯ
2等の絶縁保護膜１４が櫛形電極１２および端子電極１
３を被覆して形成されている。また、絶縁保護膜１４の
端子電極１３に対応する位置には開口部１６が設けら
れ、外部からの電気信号の入出力が行われる。
【０００３】ところで、絶縁保護膜１４の端子電極に対
応する位置に開口部１６を設けるには、従来ウエットエ
ッチングを用いて絶縁保護膜の一部をエッチング除去し
ていた。具体的には、櫛形電極１２および端子電極１３
を被覆して絶縁保護膜１４を形成した後、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合液等からなるエッチング液を用い
て絶縁保護膜１４の端子電極に対応する部分をエッチン
グ除去して端子電極１３を露出させていた。このように
ウエットエッチングを用いた場合、エッチングレートが
大きいため比較的短時間で工程を終えることができ、処
理時間の短縮が図られるという利点があった。
応する位置に開口部１６を設けるには、従来ウエットエ
ッチングを用いて絶縁保護膜の一部をエッチング除去し
ていた。具体的には、櫛形電極１２および端子電極１３
を被覆して絶縁保護膜１４を形成した後、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合液等からなるエッチング液を用い
て絶縁保護膜１４の端子電極に対応する部分をエッチン
グ除去して端子電極１３を露出させていた。このように
ウエットエッチングを用いた場合、エッチングレートが
大きいため比較的短時間で工程を終えることができ、処
理時間の短縮が図られるという利点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ウエットエッチングを用いる方法では次のような問題が
あった。すなわち、ウエットエッチングはエッチングレ
ートが大きいという利点がある一方で、絶縁保護膜の膜
厚のばらつきにより下層の端子電極までエッチングされ
てしまうという問題が生じる。
ウエットエッチングを用いる方法では次のような問題が
あった。すなわち、ウエットエッチングはエッチングレ
ートが大きいという利点がある一方で、絶縁保護膜の膜
厚のばらつきにより下層の端子電極までエッチングされ
てしまうという問題が生じる。
【０００５】この問題を解決するために、図３に示すよ
うに端子電極１３上に別の金属膜１７を形成するという
方法がある。具体的な工程は、絶縁保護膜１４を形成す
る前に、端子電極１３上にエッチング液に対して不溶性
のＮｉやＮｉＣｒ等からなる金属膜１７をあらかじめ形
成しておき、櫛形電極１２、端子電極１３およびその上
に形成された金属膜１７を被覆して形成された絶縁保護
膜１４の端子電極に対応する部分を、フッ酸とフッ化ア
ンモニウムの混合液等からなるエッチング液を用いて除
去して端子電極１３を露出させるものである。この際、
端子電極上にはエッチング液に対して不溶性の金属膜が
形成されているため、端子電極がエッチング液によって
侵食されることなく必要部分の絶縁保護膜を完全に除去
することができるものである。
うに端子電極１３上に別の金属膜１７を形成するという
方法がある。具体的な工程は、絶縁保護膜１４を形成す
る前に、端子電極１３上にエッチング液に対して不溶性
のＮｉやＮｉＣｒ等からなる金属膜１７をあらかじめ形
成しておき、櫛形電極１２、端子電極１３およびその上
に形成された金属膜１７を被覆して形成された絶縁保護
膜１４の端子電極に対応する部分を、フッ酸とフッ化ア
ンモニウムの混合液等からなるエッチング液を用いて除
去して端子電極１３を露出させるものである。この際、
端子電極上にはエッチング液に対して不溶性の金属膜が
形成されているため、端子電極がエッチング液によって
侵食されることなく必要部分の絶縁保護膜を完全に除去
することができるものである。
【０００６】しかしながら、上述の方法では端子電極の
侵食が防げるものの、金属膜を形成する工程が必要とな
り、コストアップにつながるという問題があった。
侵食が防げるものの、金属膜を形成する工程が必要とな
り、コストアップにつながるという問題があった。
【０００７】また、端子電極の侵食を防ぐ別の方法とし
て、絶縁保護膜と端子電極のエッチング選択比が大きい
ドライエッチングを用いて絶縁保護膜の必要部分を除去
する方法がある。しかしながら、ドライエッチングはエ
ッチングレートが小さくウエットエッチングの１０分の
１程度であるため、工程完了までの時間が非常に長くな
るという問題があった。
て、絶縁保護膜と端子電極のエッチング選択比が大きい
ドライエッチングを用いて絶縁保護膜の必要部分を除去
する方法がある。しかしながら、ドライエッチングはエ
ッチングレートが小さくウエットエッチングの１０分の
１程度であるため、工程完了までの時間が非常に長くな
るという問題があった。
【０００８】そこで本発明は、端子電極が侵食される危
険性がなく、短時間での工程完了が可能な絶縁保護膜の
エッチング方法を有する弾性表面波フィルタの製造方法
を提供することを目的とする。
険性がなく、短時間での工程完了が可能な絶縁保護膜の
エッチング方法を有する弾性表面波フィルタの製造方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、圧電基
板の表面に櫛形電極および端子電極を形成する工程と、
圧電基板上に櫛形電極電極および端子電極を被覆して絶
縁保護膜を形成する工程と、絶縁保護膜の一部をエッチ
ング除去して、端子電極の一部を露出させる工程とを有
する弾性表面波フィルタの製造方法において、端子電極
の一部を露出させる工程は、ウエットエッチングによる
第１の工程と、ドライエッチングによる第２の工程とに
より行うことを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方
法を提供する。
板の表面に櫛形電極および端子電極を形成する工程と、
圧電基板上に櫛形電極電極および端子電極を被覆して絶
縁保護膜を形成する工程と、絶縁保護膜の一部をエッチ
ング除去して、端子電極の一部を露出させる工程とを有
する弾性表面波フィルタの製造方法において、端子電極
の一部を露出させる工程は、ウエットエッチングによる
第１の工程と、ドライエッチングによる第２の工程とに
より行うことを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方
法を提供する。
【００１０】本発明では、絶縁保護膜の一部をエッチン
グ除去する工程をウエットエッチングとドライエッチン
グを組み合わせて行うものである。すなわち、ウエット
エッチングで絶縁保護膜をある程度除去した後、端子電
極の付近をドライエッチングで除去するため、端子電極
が侵食される危険性がなく、なおかつ比較的短時間で絶
縁保護膜のエッチング除去を完了することができる。ま
た、端子電極上に金属膜を形成する必要もなく、コスト
ダウンが図られるという利点も有する。
グ除去する工程をウエットエッチングとドライエッチン
グを組み合わせて行うものである。すなわち、ウエット
エッチングで絶縁保護膜をある程度除去した後、端子電
極の付近をドライエッチングで除去するため、端子電極
が侵食される危険性がなく、なおかつ比較的短時間で絶
縁保護膜のエッチング除去を完了することができる。ま
た、端子電極上に金属膜を形成する必要もなく、コスト
ダウンが図られるという利点も有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図１を用いて
説明する。図１には本発明による弾性表面波フィルタの
製造方法を示す。まず、図１（ａ）に示すように、厚さ
０．１〜０．５ｍｍの圧電基板１表面に、厚さ０．２〜
２μｍのＡｌやＡｌ−Ｃｕ合金等からなる櫛形電極２お
よび端子電極３を形成する。端子電極３は櫛形電極２に
電気的に接続されている。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、圧電基板１上に櫛形電極２および端子電極３を被覆
して絶縁保護膜４を形成する。絶縁保護膜４は厚さ１〜
１０μｍとし、ＳｉＯ2やＳｉＮ等で形成する。続い
て、絶縁保護膜４上に全面にレジスト５を塗布後、露
光、現像を行い、レジスト５の端子電極３に対応する位
置に開口部８を形成する（図１（ｃ））。
説明する。図１には本発明による弾性表面波フィルタの
製造方法を示す。まず、図１（ａ）に示すように、厚さ
０．１〜０．５ｍｍの圧電基板１表面に、厚さ０．２〜
２μｍのＡｌやＡｌ−Ｃｕ合金等からなる櫛形電極２お
よび端子電極３を形成する。端子電極３は櫛形電極２に
電気的に接続されている。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、圧電基板１上に櫛形電極２および端子電極３を被覆
して絶縁保護膜４を形成する。絶縁保護膜４は厚さ１〜
１０μｍとし、ＳｉＯ2やＳｉＮ等で形成する。続い
て、絶縁保護膜４上に全面にレジスト５を塗布後、露
光、現像を行い、レジスト５の端子電極３に対応する位
置に開口部８を形成する（図１（ｃ））。
【００１２】上記方法で形成したレジスト５をマスクと
して、絶縁保護膜４のエッチングを行う。具体的には、
第１工程として図１（ｄ）に示すように、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合液を用いたウエットエッチングに
より絶縁保護膜４を除去し、端子電極３に対応する位置
に開口部６を形成する。エッチングは絶縁保護膜４の膜
厚の８〜９割に相当する深さまで行い、その後純水を用
いて洗浄する。続いて、第２工程として図１（ｅ）に示
すように、ＣＦ4やＣ2Ｆ6等のガスプラズマを用いたド
ライエッチングにより、絶縁保護膜４の残りの部分を除
去して端子電極３を露出させる。最後に、レジスト５を
除去して弾性表面波フィルタ９が完成する（図１
（ｆ））。
して、絶縁保護膜４のエッチングを行う。具体的には、
第１工程として図１（ｄ）に示すように、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合液を用いたウエットエッチングに
より絶縁保護膜４を除去し、端子電極３に対応する位置
に開口部６を形成する。エッチングは絶縁保護膜４の膜
厚の８〜９割に相当する深さまで行い、その後純水を用
いて洗浄する。続いて、第２工程として図１（ｅ）に示
すように、ＣＦ4やＣ2Ｆ6等のガスプラズマを用いたド
ライエッチングにより、絶縁保護膜４の残りの部分を除
去して端子電極３を露出させる。最後に、レジスト５を
除去して弾性表面波フィルタ９が完成する（図１
（ｆ））。
【００１３】このようにして形成された弾性表面波フィ
ルタ９は、端子電極３上に設けられた開口部１６を通し
て、外部からの電気信号の入出力が行われる。
ルタ９は、端子電極３上に設けられた開口部１６を通し
て、外部からの電気信号の入出力が行われる。
【００１４】このように本発明では、ウエットエッチン
グにより絶縁保護膜１４をある程度除去した後、端子電
極１３の付近の残りの絶縁保護膜１４をドライエッチン
グで除去する。すなわち、端子電極１３の付近の絶縁保
護膜１４を、絶縁保護膜１４と端子電極１３のエッチン
グ選択比が大きいドライエッチングを用いて除去するた
め、端子電極１３が侵食される危険性がない。また、絶
縁保護膜１４の大部分をエッチングレートの大きいウエ
ットエッチングにより除去するため、比較的短時間で絶
縁保護膜１４のエッチング工程を完了することができ
る。さらに、端子電極１３上に金属膜を形成する必要も
なく、コストダウンが図られるという利点も有する。
グにより絶縁保護膜１４をある程度除去した後、端子電
極１３の付近の残りの絶縁保護膜１４をドライエッチン
グで除去する。すなわち、端子電極１３の付近の絶縁保
護膜１４を、絶縁保護膜１４と端子電極１３のエッチン
グ選択比が大きいドライエッチングを用いて除去するた
め、端子電極１３が侵食される危険性がない。また、絶
縁保護膜１４の大部分をエッチングレートの大きいウエ
ットエッチングにより除去するため、比較的短時間で絶
縁保護膜１４のエッチング工程を完了することができ
る。さらに、端子電極１３上に金属膜を形成する必要も
なく、コストダウンが図られるという利点も有する。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、端子電極
が侵食される危険性がなく、短時間での工程完了が可能
な絶縁保護膜のエッチング方法を有する弾性表面波フィ
ルタの製造方法を提供することができた。
が侵食される危険性がなく、短時間での工程完了が可能
な絶縁保護膜のエッチング方法を有する弾性表面波フィ
ルタの製造方法を提供することができた。
【図１】本発明の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】従来の弾性表面波フィルタを示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来の弾性表面波フィルタを示す断面図であ
る。
る。
１ 圧電基板 ２ 櫛形電極 ３ 端子電極 ４ 絶縁保護膜 ５ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】圧電基板の表面に櫛形電極および端子電極
を形成する工程と、 前記圧電基板上に前記櫛形電極電極および端子電極を被
覆して絶縁保護膜を形成する工程と、 前記絶縁保護膜の一部をエッチング除去して、前記端子
電極の一部を露出させる工程とを有する弾性表面波フィ
ルタの製造方法において、 前記端子電極の一部を露出させる工程は、ウエットエッ
チングによる第１の工程と、ドライエッチングによる第
２の工程とにより行うことを特徴とする弾性表面波フィ
ルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000336318A JP2002141762A (ja) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000336318A JP2002141762A (ja) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141762A true JP2002141762A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18811914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000336318A Pending JP2002141762A (ja) | 2000-11-02 | 2000-11-02 | 弾性表面波フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141762A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480030B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법 |
| US7205700B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device |
| KR100891419B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2009-04-02 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성파 디바이스의 제조 방법 |
| US20170370791A1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of fabricating acoustic wave device and acoustic wave device |
-
2000
- 2000-11-02 JP JP2000336318A patent/JP2002141762A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480030B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 박막 필름 벌크 오코스틱 공진기 및 필터 제조 방법 |
| US7205700B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device |
| KR100891419B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2009-04-02 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성파 디바이스의 제조 방법 |
| US7721411B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-05-25 | Fujitsu Media Devices Limited | Method of manufacturing an acoustic wave device |
| US20170370791A1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of fabricating acoustic wave device and acoustic wave device |
| CN107547060A (zh) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 太阳诱电株式会社 | 制造声波装置的方法和声波装置 |
| US10763813B2 (en) * | 2016-06-28 | 2020-09-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of fabricating acoustic wave device |
| CN107547060B (zh) * | 2016-06-28 | 2021-02-09 | 太阳诱电株式会社 | 制造声波装置的方法和声波装置 |
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