JPS5855686B2 - 表面弾性波装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高周波電子装置の信号処理分野で使用する表面
弾性波装置で特に高い寸法精度を要する電気・機械変換
器および機械・電気変換器等の製造方法に関するもので
ある。

表面弾性波フィルターなどの表面弾性波装置の製造方法
としては、圧電体板表面上に金属薄膜を蒸着し、衆知の
ホトエツチング法によって該金属薄膜を所定の形状を持
つ電気・機械変換器および機械・電気変換器として形成
する方法が用いられている。

しかし、湿式法である化学エツチング法を用いる場合で
もイオンエツチングやスパッタエツチングなどの乾式エ
ツチング法の場合においてもサイドエッチが生じ、この
ために変換器の寸法精度が低下し、表面弾性波装置の周
波数ずれ、阻止域減衰量の減少などの周波数特性の劣化
を招く。

他方、エツチング法を使用せずに微細パターンを形成す
る方法としては、電気メツキ法があり、磁気バブルドメ
インデバイスの製造プロセスがその一例として知られて
いる。

すなわち基板表面上に薄いパーマロイ薄膜（膜厚−１２
００人）を形成し、所定のパターン形状に該パーマロイ
薄膜が露出しているフォトレジスト膜を形成し、該パー
マロイ薄膜をメッキ用電極として電気メッキを行なうこ
とにより、転送用Ｔ、Ｉパターン、および金（Ａｕ）コ
ンダクタ−パターンを形成する。

次いで、フォトレジストはく離後、スパッタエツチング
などの乾式エツチング法により、電気メツキ電極である
薄いパーマロイ薄膜の不要部を除去する方法である。

しかし、この方法は最終工程である乾式エツチングに選
択性が無いために、必要部パターンも同時に削りとられ
、パターン部膜厚の極度の減少や、パターンエツジのテ
ーパ一部等ではサイドエッチが生じ、寸法精度の低下、
再現性、歩留りの低下を招いていた。

特に信頼度を高めるためのＡｕ膜パターンでは、Ａｕ膜
の乾式エツチング速度が、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒなとの金属
膜に比して、−桁速いため、一層上記の欠点は著しかっ
た。

本発明は、上述の欠点を無くシ、寸法精度の高い電気・
機械変換器および機械・電気変換器を有する表面弾性波
装置を妻止りよく提供することにある。

本発明では、上記目的を達成するために、電気メツキ法
を用いて電気・機械変換器および機械・電気変換器パタ
ーンを形成した後、フォトレジストをはく離せずにさら
に乾式エツチングに対する保護膜を電気メッキにより、
電気・機械変換器および機械・電気変換器パターン上に
形成する。

保護膜は電気・機械変換器および機械・電気変換器上に
のみ形成される。

この時、保護膜の膜厚を不要部の電極用導体薄膜の乾式
エツチング時間でちょうどエツチングが完了する膜厚と
することが要点である。

本発明の実施例を図をもらいて詳細に説明する第１図〜
第６図は本発明による製造プロセスの工程毎の表面弾性
波装置の模型断面図である。

第１図に示すようにリチュームナイオベート（ＬｉＮｂ
Ｏ３：などの圧電体基板１表面に周知の蒸着法などによ
り電気メツキ電極用導体膜２を形成する。

この電極用導体膜は、基板に対して付着力の強い、Ｎｉ
。

Ｃｒ、Ｆｅ等の金属単体あるいはそれらの合金を用いる
。

膜厚は電気伝導を有する範囲内で可能な限り薄くする。

色々点から約数盲人が適当である。ついで第２図に示す
ように電気メツキ電極用導体膜２上に所望の変換器の形
状にレジスト膜のないフォトレジストパターン３を形成
する。

さらに第３図に示すように、電気メツキ電極用導体膜２
を負電極として、良く知られたＡｕメッキ液中に浸漬通
電し、Ａｕ膜４を電気メッキする。

この際レジスト膜のない変換器部形状のＡｕ膜４の膜厚
はフォトレジストパターン３の膜厚を越えないようにす
る。

ついで第４図に示すように電気メツキ電極用導体膜２を
負電極として、メッキ電極用導体膜２と同種あるいは類
似のエツチングレートを有する金属をＡｕ膜４上にさら
に電気メツキ法等で形成し乾式エツチングに対する保護
膜５とする。

保護膜５の膜厚は電気メツキ電極用導体膜２と−じくす
る。

ついで、第５図（こ示すように周知の文法でフォトレジ
ストをはく離する。

次いで第６図に示すようにイオンエツチングなどのアン
ダー叉ットの無いエツチング法で電気メッキ電極用導付
膜２を除去する。

この際、Ａｕ膜４上の保護膜５はメッキ電極用導体膜と
エツチングレートが同じなので除去されるがＡｕ膜４は
エツチングされすＡｕ膜４の膜厚減少がなく、かつ、寸
法精度のり化がない。

以上説明したように、本発明による製造方法によればフ
ォトレジストパターンに対して忠実な、高寸法精度の電
気・機械変換器および機械電気像換器の形状を形成する
ことができ、これを持つ清面性波装置を製造できる。

以上のべたごとく、屑波数ずれ、阻止域減衰量の低下な
ど周波数特性Ｃ劣化を避けることが出来ることは明らか
であるＣで、電子部品等の小型化の傾向に対する表面弾
性波装置の実用化を一層進める効果は犬である。

また、本発明による上記利点は特に圧電体基板なし゛し
弾性表面波基板として、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等
のＩＩ−Ｖ化合物半導体やＢ１５ｉ０１２ＢｉＧｅ０１
２等を用いてＡｕ系配線を行なう場合や強い酸又はアル
カリでエツチングを行なう場合に顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は本発明の一実施例である製造プロ
セスの工程毎の表面弾性波装置の模型け・面図である。 １：圧電体基板、２：電気メッキ電極用導体膝３：フォ
トレジストパターン、４：金膜、５：傍護膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面弾性波装置の製造工程で、下記の工程を含むこ
   とを特徴とする表面弾性波装置の製造方法。 （イ）圧電体基板の第一の主面に第一の導体薄膜を形成
   する工程。 （ロ）上記第一の導体薄膜の表面に所定のパターン形状
   に第一の導体薄膜が露出するごとく電気的な絶縁膜を形
   成する工程。 （ハ）第一の導体薄膜を電気化学的電極としてその表面
   に金属片を形成する工程。 に）上記金属片表面上に第二の導体薄膜を第一の導体薄
   膜と略同−除去時間で除去可能な厚さで電気化学的に形
   成する工程。 （ホ）上記の電気的絶縁膜を除去する工程。 （へ）第一および第二の導体薄膜を除去する工程。