JPH1188101A - 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPH1188101A JPH1188101A JP32836297A JP32836297A JPH1188101A JP H1188101 A JPH1188101 A JP H1188101A JP 32836297 A JP32836297 A JP 32836297A JP 32836297 A JP32836297 A JP 32836297A JP H1188101 A JPH1188101 A JP H1188101A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸や水に溶解する性質を有する圧電性基板を
用いた場合でも周波数特性の優れた、信頼性、耐久性の
高い弾性表面波素子を提供する。 【解決手段】 Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 （ＬＢＯ）からなる圧電
性基板１０１と、この圧電性基板上に形成されたＳｉＯ
2 からなる膜厚ｈの第１の誘電体膜１０２と、この第１
の誘電体膜１０２上に形成されたアルミニウム薄膜から
なるピッチＬの櫛歯状電極１０３ｂとをする弾性表面波
素子１００の第１の誘電体膜１０２を、その膜厚と比誘
電率が、電気機械結合係数ｋ2 が約０．７４％より大き
くなるように選択して形成する。
用いた場合でも周波数特性の優れた、信頼性、耐久性の
高い弾性表面波素子を提供する。 【解決手段】 Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 （ＬＢＯ）からなる圧電
性基板１０１と、この圧電性基板上に形成されたＳｉＯ
2 からなる膜厚ｈの第１の誘電体膜１０２と、この第１
の誘電体膜１０２上に形成されたアルミニウム薄膜から
なるピッチＬの櫛歯状電極１０３ｂとをする弾性表面波
素子１００の第１の誘電体膜１０２を、その膜厚と比誘
電率が、電気機械結合係数ｋ2 が約０．７４％より大き
くなるように選択して形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子に関
し、特に四硼酸リチウム（ＬＢＯ：Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）か
らなる圧電性基板など酸、水に対して溶解する圧電性基
板を用いた弾性表面波素子に関する。
し、特に四硼酸リチウム（ＬＢＯ：Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）か
らなる圧電性基板など酸、水に対して溶解する圧電性基
板を用いた弾性表面波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置は圧電性基板上に設けら
れた櫛歯状電極（ＩＤＴ：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ
Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ) により電気信号を弾性表面波
（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖ
ｅ）に変換し、圧電性基板上を伝搬してくる弾性表面波
を同じく圧電性基板上に設けられたＩＤＴにより弾性表
面波を受信し、電気信号と弾性表面波との変換に関わる
周波数特性を利用する素子である。弾性表面波素子は、
弾性表面波フィルタ、弾性表面波共振子、遅延回路をは
じめとして幅広く用いられている。
れた櫛歯状電極（ＩＤＴ：ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ
Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ) により電気信号を弾性表面波
（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖ
ｅ）に変換し、圧電性基板上を伝搬してくる弾性表面波
を同じく圧電性基板上に設けられたＩＤＴにより弾性表
面波を受信し、電気信号と弾性表面波との変換に関わる
周波数特性を利用する素子である。弾性表面波素子は、
弾性表面波フィルタ、弾性表面波共振子、遅延回路をは
じめとして幅広く用いられている。
【０００３】近年、特に携帯電話など移動体通信の分野
などで、薄型化・小型化が可能であるというメリットに
より弾性表面波素子が広く用いられるようになってきて
いる。この中で、例えばごく最近普及の始まった日本の
簡易携帯電話システム（ＰＨＳ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈ
ａｎｄｙ−ｐｈｏｎｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の中間周波数
（ＩＦ）段（約２４０ＭＨｚ）には、約０．１％程度の
比帯域を有し急峻な帯域外減衰特性を有する弾性表面波
フィルタが要求されている。このような用途において
は、周波数温度特性の１次係数が０で電気機械結合係数
ｋ2 が１％程度と比較的大きく、ＩＤＴ１本当たりの弾
性表面波の反射係数が約３％と大きい４５°ＸカットＺ
伝搬のＬＢＯ基板 （４５°Ｘ−Ｚ ＬＢＯ、特公平７
−１６１４１）を利用することが有望視されている。
などで、薄型化・小型化が可能であるというメリットに
より弾性表面波素子が広く用いられるようになってきて
いる。この中で、例えばごく最近普及の始まった日本の
簡易携帯電話システム（ＰＨＳ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｈ
ａｎｄｙ−ｐｈｏｎｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の中間周波数
（ＩＦ）段（約２４０ＭＨｚ）には、約０．１％程度の
比帯域を有し急峻な帯域外減衰特性を有する弾性表面波
フィルタが要求されている。このような用途において
は、周波数温度特性の１次係数が０で電気機械結合係数
ｋ2 が１％程度と比較的大きく、ＩＤＴ１本当たりの弾
性表面波の反射係数が約３％と大きい４５°ＸカットＺ
伝搬のＬＢＯ基板 （４５°Ｘ−Ｚ ＬＢＯ、特公平７
−１６１４１）を利用することが有望視されている。
【０００４】このＬＢＯ基板を用いると、水晶基板（周
波数温度特性の１次係数＝０、ｋ2＝０．１５％、ＩＤ
Ｔ１本当たりの弾性表面波の反射係数＝０．７％）を利
用した場合に比べて弾性表面波素子を小型化できるとい
う長所がある。
波数温度特性の１次係数＝０、ｋ2＝０．１５％、ＩＤ
Ｔ１本当たりの弾性表面波の反射係数＝０．７％）を利
用した場合に比べて弾性表面波素子を小型化できるとい
う長所がある。
【０００５】ところが、ＬＢＯ基板は酸にも水にも溶解
するという性質を有するため、アルミニウムなどにより
電極を形成するにはプロセス上の工夫が必要となる。図
１１及び図１２はＬＢＯ基板を用いた場合における従来
の電極形成プロセスを概略的に示す図である。
するという性質を有するため、アルミニウムなどにより
電極を形成するにはプロセス上の工夫が必要となる。図
１１及び図１２はＬＢＯ基板を用いた場合における従来
の電極形成プロセスを概略的に示す図である。
【０００６】まず、ＬＢＯ基板９０１上にスパッタ法、
真空蒸着法などによりアルミニウム薄膜９０２を堆積す
る（図１１（ａ））。
真空蒸着法などによりアルミニウム薄膜９０２を堆積す
る（図１１（ａ））。
【０００７】ついで、アルミニウム薄膜９０２上にアル
ミニウム薄膜をパターニングするためにレジスト９０３
を形成する（図１１（ｂ））。そして、このレジスト９
０３をマスクとして、ｐＨ５程度の混酸（燐酸、酢酸、
硝酸の混合液）によりアルミニウム薄膜９０２をエッチ
ングする。
ミニウム薄膜をパターニングするためにレジスト９０３
を形成する（図１１（ｂ））。そして、このレジスト９
０３をマスクとして、ｐＨ５程度の混酸（燐酸、酢酸、
硝酸の混合液）によりアルミニウム薄膜９０２をエッチ
ングする。
【０００８】このような場合、四硼酸リチウムはｐＨ５
程度の酸に対して、２５℃においてほぼ１μｍ／ｍｉｎ
の溶解速度を有する。このため、アルミニウム薄膜９０
２のエッチングが完了した直後から図１１（ｃ）に示す
ようにＬＢＯ基板９０１がエッチングされてしまうこと
になる。したがって、レジスト９０３を除去した後に、
ＬＢＯ基板９０１に窪み９０４が形成されてしまうこと
になる（図１１（ｄ））。
程度の酸に対して、２５℃においてほぼ１μｍ／ｍｉｎ
の溶解速度を有する。このため、アルミニウム薄膜９０
２のエッチングが完了した直後から図１１（ｃ）に示す
ようにＬＢＯ基板９０１がエッチングされてしまうこと
になる。したがって、レジスト９０３を除去した後に、
ＬＢＯ基板９０１に窪み９０４が形成されてしまうこと
になる（図１１（ｄ））。
【０００９】さらに、アルミニウム薄膜９０２を個々の
弾性表面波素子内で、またウエハ全体として均一性を保
つため、追加のエッチングを行う必要があるが、追加す
るエッチング時間を１０秒とすると、ＬＢＯ基板９０１
に形成される窪み９０４の深さは０．１７μｍ程度にも
なる。そして、この窪み９０４の深さは均一ではなくウ
エハ内、弾性表面波素子内でばらついてしまう。このた
め、ＩＤＴによる弾性表面波の反射特性が変化し弾性表
面波素子としての特性がばらついてしまうという問題が
ある。
弾性表面波素子内で、またウエハ全体として均一性を保
つため、追加のエッチングを行う必要があるが、追加す
るエッチング時間を１０秒とすると、ＬＢＯ基板９０１
に形成される窪み９０４の深さは０．１７μｍ程度にも
なる。そして、この窪み９０４の深さは均一ではなくウ
エハ内、弾性表面波素子内でばらついてしまう。このた
め、ＩＤＴによる弾性表面波の反射特性が変化し弾性表
面波素子としての特性がばらついてしまうという問題が
ある。
【００１０】これらの点を改善するため、従来はエッチ
ング液にｐＨ１０程度のアルカリ液（例えばＫＯＨ＋Ｋ
3 ［ＣＮ］6 等）が使用されている。このエッチング液
によるアルミニウムのエッチング速度は０．０１３μｍ
／ｍｉｎと遅いため、エッチング時間が長くなりエッチ
ング途中でアルカリに対して耐性の低いレジストが剥が
れてしまうという問題がある。
ング液にｐＨ１０程度のアルカリ液（例えばＫＯＨ＋Ｋ
3 ［ＣＮ］6 等）が使用されている。このエッチング液
によるアルミニウムのエッチング速度は０．０１３μｍ
／ｍｉｎと遅いため、エッチング時間が長くなりエッチ
ング途中でアルカリに対して耐性の低いレジストが剥が
れてしまうという問題がある。
【００１１】さらに、上述のような製造プロセス中に限
らず、パターンニング完了後においても多湿の環境下に
おいては圧電性基板が腐食されてしまうという問題があ
る。また、多湿の環境下では圧電性基板が腐食されるだ
けでなく、櫛歯状電極や反射器など圧電性基板上に配設
した電極が腐食してしまい、特性劣化を生じたり、耐久
性が低下したりするという問題がある。
らず、パターンニング完了後においても多湿の環境下に
おいては圧電性基板が腐食されてしまうという問題があ
る。また、多湿の環境下では圧電性基板が腐食されるだ
けでなく、櫛歯状電極や反射器など圧電性基板上に配設
した電極が腐食してしまい、特性劣化を生じたり、耐久
性が低下したりするという問題がある。
【００１２】図１２はＬＢＯ基板上でのリフトオフプロ
セスによる従来の電極形成方法を概略的に示す図であ
る。
セスによる従来の電極形成方法を概略的に示す図であ
る。
【００１３】まずＬＢＯ基板９１１上にレジスト９１２
を形成してパターニングする（図１２（ａ））。つい
で、このレジスト９１２の上側からスパッタ法、真空蒸
着法などによりアルミニウム薄膜９１３を堆積する（図
１２（ｂ））。そして、有機溶剤などの剥離液によりレ
ジスト９１２を除去することにより所定形状のアルミニ
ウム薄膜９１３を得ることができる。
を形成してパターニングする（図１２（ａ））。つい
で、このレジスト９１２の上側からスパッタ法、真空蒸
着法などによりアルミニウム薄膜９１３を堆積する（図
１２（ｂ））。そして、有機溶剤などの剥離液によりレ
ジスト９１２を除去することにより所定形状のアルミニ
ウム薄膜９１３を得ることができる。
【００１４】この方法はいわゆるリフトオフ法として知
られている手法であるが、一般的にリフトオフ法によっ
て形成されたアルミニウム電極は圧電性基板との密着性
が悪く、弾性表面波素子としての信頼性が低下するとい
う問題がある。また、例えばワイヤボンディング工程な
どにおいて、アルミニウム薄膜９１３が圧電性基板９１
１から剥がれるなど生産性を低下させるという問題があ
る。
られている手法であるが、一般的にリフトオフ法によっ
て形成されたアルミニウム電極は圧電性基板との密着性
が悪く、弾性表面波素子としての信頼性が低下するとい
う問題がある。また、例えばワイヤボンディング工程な
どにおいて、アルミニウム薄膜９１３が圧電性基板９１
１から剥がれるなど生産性を低下させるという問題があ
る。
【００１５】このような問題を解決する方法の一つとし
て、可溶性の圧電性基板に不溶性の誘電体膜を形成し、
この上に櫛歯状電極を形成する方法が提案されている。
しかしながら誘電体膜を形成することにより、圧電性基
板と櫛歯状電極との電気的、機械的結合は弱まってしま
うという問題がある。
て、可溶性の圧電性基板に不溶性の誘電体膜を形成し、
この上に櫛歯状電極を形成する方法が提案されている。
しかしながら誘電体膜を形成することにより、圧電性基
板と櫛歯状電極との電気的、機械的結合は弱まってしま
うという問題がある。
【００１６】さらに、上述のようにＬＢＯ基板は酸にも
水にも溶解するという性質を有するため、デバイスプロ
セスはもちろんのこと、製品としての耐環境性などにも
向上する工夫が必要となる。
水にも溶解するという性質を有するため、デバイスプロ
セスはもちろんのこと、製品としての耐環境性などにも
向上する工夫が必要となる。
【００１７】図１３はＬＢＯ基板を用いた従来の弾性表
面波素子の製造方法の例を概略的に示す図である。ま
ず、ＬＢＯ基板１２０１上にスパッタ法、真空蒸着法な
どにより金属薄膜１２０２を堆積させる（図１３
（ａ））。ついで、金属薄膜１２０２上に金属薄膜をパ
ターニングするためにレジスト１２０３をマスクとし
（図１３（ｂ））、ＰＨ５程度の混酸（燐酸、硝酸等の
混合液）により金属薄膜１２０２をエッチングして電極
パターン１２０２ｂに形成する（図１３（ｃ））。
面波素子の製造方法の例を概略的に示す図である。ま
ず、ＬＢＯ基板１２０１上にスパッタ法、真空蒸着法な
どにより金属薄膜１２０２を堆積させる（図１３
（ａ））。ついで、金属薄膜１２０２上に金属薄膜をパ
ターニングするためにレジスト１２０３をマスクとし
（図１３（ｂ））、ＰＨ５程度の混酸（燐酸、硝酸等の
混合液）により金属薄膜１２０２をエッチングして電極
パターン１２０２ｂに形成する（図１３（ｃ））。
【００１８】ついで、マスクを剥離し（図１３
（ｄ））、ダイシングを経た後にＬＢＯ基板裏面に粘着
材１２０４を塗布し（図１３（ｅ））、パッケージ１２
０５に収める（図１３（ｆ））。
（ｄ））、ダイシングを経た後にＬＢＯ基板裏面に粘着
材１２０４を塗布し（図１３（ｅ））、パッケージ１２
０５に収める（図１３（ｆ））。
【００１９】このような揚合、ＬＢＯは水に溶解すると
いう性質を有しているため、ダイシング中に冷却水等に
よりＬＢＯ裏面の粘着性が弱まってしまうという問題が
生じる。特に複数の弾性表面波素子パターンを配設した
ウエハを個々の弾性表面波素子に分離するダイシング工
程においては、ウエハの電極形成面の裏面とダイシング
のステージとを粘着テープなどにより固定したうえでダ
イシングを行って個々の弾性表面波素子を分離する。と
ころが、ダイシングには水あるいは水溶液が用いられる
ため、ダイシング中にウエハとステージとの接着力が弱
まり、弾性表面波素子がステージから飛散したりすると
いう問題がある。
いう性質を有しているため、ダイシング中に冷却水等に
よりＬＢＯ裏面の粘着性が弱まってしまうという問題が
生じる。特に複数の弾性表面波素子パターンを配設した
ウエハを個々の弾性表面波素子に分離するダイシング工
程においては、ウエハの電極形成面の裏面とダイシング
のステージとを粘着テープなどにより固定したうえでダ
イシングを行って個々の弾性表面波素子を分離する。と
ころが、ダイシングには水あるいは水溶液が用いられる
ため、ダイシング中にウエハとステージとの接着力が弱
まり、弾性表面波素子がステージから飛散したりすると
いう問題がある。
【００２０】また、パッケージング後においても、大気
中の水分等によりパッケージ内でのＬＢＯ裏面の粘着性
が弱まり、弾性表面波素子の特性に大きな変動を招来し
てしまうという問題がある。
中の水分等によりパッケージ内でのＬＢＯ裏面の粘着性
が弱まり、弾性表面波素子の特性に大きな変動を招来し
てしまうという問題がある。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものである。すなわち、
本発明は酸や水に溶解する性質を有する圧電性基板を用
いた場合でも周波数特性の優れた、信頼性、耐久性の高
い弾性表面波素子を提供することを目的とする。また本
発明は、酸や水に溶解する性質を有する圧電性基板を用
いた場合においても、周波数特性が優れ、信頼性、生産
性、耐久性の高い弾性表面波素子の製造方法を提供する
ことを目的とする。
題点を解決するためになされたものである。すなわち、
本発明は酸や水に溶解する性質を有する圧電性基板を用
いた場合でも周波数特性の優れた、信頼性、耐久性の高
い弾性表面波素子を提供することを目的とする。また本
発明は、酸や水に溶解する性質を有する圧電性基板を用
いた場合においても、周波数特性が優れ、信頼性、生産
性、耐久性の高い弾性表面波素子の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波素子
は、四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、この圧電性
基板上に配設された第１の誘電体膜と、前記第１の誘電
体膜上に前記第１の誘電体膜を介して前記圧電性基板と
電気機械結合するように配設された櫛歯状電極と、この
櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜とを
具備したことを特徴とする。
は、四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、この圧電性
基板上に配設された第１の誘電体膜と、前記第１の誘電
体膜上に前記第１の誘電体膜を介して前記圧電性基板と
電気機械結合するように配設された櫛歯状電極と、この
櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜とを
具備したことを特徴とする。
【００２３】前記第１の誘電体膜は前記櫛歯状電極を前
記圧電性基板上に直接配設したときの電気機械結合係数
と前記櫛歯状電極を前記第１の誘電体膜上に配設したと
きの電気機械結合係数とがほぼ等しくなるように選択さ
れた膜厚および比誘電率を有するようにしてもよい。例
えば、第１の誘電体膜を配設した場合における電気機械
結合係数の低下が最小限度に抑制されるように、第１の
誘電体膜または第２の誘電体膜の膜厚および比誘電率を
選択・調節して配設するようにすればよい。
記圧電性基板上に直接配設したときの電気機械結合係数
と前記櫛歯状電極を前記第１の誘電体膜上に配設したと
きの電気機械結合係数とがほぼ等しくなるように選択さ
れた膜厚および比誘電率を有するようにしてもよい。例
えば、第１の誘電体膜を配設した場合における電気機械
結合係数の低下が最小限度に抑制されるように、第１の
誘電体膜または第２の誘電体膜の膜厚および比誘電率を
選択・調節して配設するようにすればよい。
【００２４】また本発明の弾性表面波素子は、圧電性基
板と、この圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気機
械結合係数ｋ2 が約０．７４％より大きくなるように膜
厚または比誘電率を選択して配設した第１の誘電体膜
と、この第１の誘電体膜上に配設された櫛歯状電極と、
この櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜
とを具備するようにしてもよい。ここで約０．７４％
は、後で詳述するように、弾性表面波素子として所定の
機能を得るための電気機械結合係数ｋ2 の下限を定めた
ものであって、電気機械結合係数ｋ2 はできるだけ大き
くなるように第１の誘電体膜の膜厚、比誘電率を選択し
て配設するようにすればよい。第１の誘電体膜は常誘電
体にかぎらず強誘電体を用いて配設するようにしてもよ
い。
板と、この圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気機
械結合係数ｋ2 が約０．７４％より大きくなるように膜
厚または比誘電率を選択して配設した第１の誘電体膜
と、この第１の誘電体膜上に配設された櫛歯状電極と、
この櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜
とを具備するようにしてもよい。ここで約０．７４％
は、後で詳述するように、弾性表面波素子として所定の
機能を得るための電気機械結合係数ｋ2 の下限を定めた
ものであって、電気機械結合係数ｋ2 はできるだけ大き
くなるように第１の誘電体膜の膜厚、比誘電率を選択し
て配設するようにすればよい。第１の誘電体膜は常誘電
体にかぎらず強誘電体を用いて配設するようにしてもよ
い。
【００２５】また本発明の弾性表面波素子は、四硼酸リ
チウムからなる圧電性基板と、この圧電性基板上を伝搬
する弾性表面波の電気機械結合係数ｋ2 が約０．７４％
以上となるような膜厚および比誘電率を有する第１の誘
電体膜と、前記第１の誘電体膜上に配設された櫛歯状電
極と、前記櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘
電体膜とを具備するようにしてもよい。
チウムからなる圧電性基板と、この圧電性基板上を伝搬
する弾性表面波の電気機械結合係数ｋ2 が約０．７４％
以上となるような膜厚および比誘電率を有する第１の誘
電体膜と、前記第１の誘電体膜上に配設された櫛歯状電
極と、前記櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘
電体膜とを具備するようにしてもよい。
【００２６】また本発明の弾性表面波素子は、四硼酸リ
チウムからなる圧電性基板と、この圧電性基板上に配設
された第１の誘電体膜と、この第１の誘電体膜上に配設
されたピッチＬ（Ｌは弾性表面波素子が動作する中心周
波数における弾性表面波の波長λとほぼ等しい）の櫛歯
状電極とを有する弾性表面波素子において、前記第１の
誘電体膜は、ｈ／Ｌが約０．６％より小さくなるような
膜厚ｈを有するとともに、前記櫛歯状電極を覆うように
配設された第２の誘電体膜とを具備するようにしてもよ
い。
チウムからなる圧電性基板と、この圧電性基板上に配設
された第１の誘電体膜と、この第１の誘電体膜上に配設
されたピッチＬ（Ｌは弾性表面波素子が動作する中心周
波数における弾性表面波の波長λとほぼ等しい）の櫛歯
状電極とを有する弾性表面波素子において、前記第１の
誘電体膜は、ｈ／Ｌが約０．６％より小さくなるような
膜厚ｈを有するとともに、前記櫛歯状電極を覆うように
配設された第２の誘電体膜とを具備するようにしてもよ
い。
【００２７】そして第１の誘電体膜は、ＳｉＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉ
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 からなる群の少なくとも１種を用い
て配設するようにしてもよい。ここでこれらの物質のス
トイキオメトリーは多少ずれていてもかまわない。例え
ばＳｉＯ2 の場合、ＳｉとＯとの組成比は厳密に１：２
でなくともよく、いわゆるＳｉＯx のように組成がずれ
ていてもよい。同様にＳｉ3 Ｎ4 の場合、ＳｉとＮとの
組成比は厳密に３：４でなくともよく、いわゆるＳｉＮ
x のように組成がずれていてもよい。他の誘電体につい
ても同様である。
2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉ
Ｏ3 、ＳｒＴｉＯ3 からなる群の少なくとも１種を用い
て配設するようにしてもよい。ここでこれらの物質のス
トイキオメトリーは多少ずれていてもかまわない。例え
ばＳｉＯ2 の場合、ＳｉとＯとの組成比は厳密に１：２
でなくともよく、いわゆるＳｉＯx のように組成がずれ
ていてもよい。同様にＳｉ3 Ｎ4 の場合、ＳｉとＮとの
組成比は厳密に３：４でなくともよく、いわゆるＳｉＮ
x のように組成がずれていてもよい。他の誘電体につい
ても同様である。
【００２８】これらの物質を適宜組み合わせて用いるこ
とにより、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜の比誘電率
を選択するようにすればよい。このとき、比誘電率の異
なるこれらの物質の積層膜を配設するようにしてもよい
し、混合膜を配設するようにしてもよい。例えばＳｉＯ
2 （ε＝約５）と、Ｔａ2 Ｏ5 （ε＝約２０）とをほぼ
１：１に組み合わせて第１の誘電体膜、第２の誘電体膜
を配設した場合、この第１の誘電体膜の比誘電率は約１
２．５程度になる。また、成膜材料の比誘電率に応じて
配設する第１の誘電体膜、第２の誘電体膜の膜厚を変え
るようにしてもよい。このとき、配設する第１の誘電体
膜、第２の誘電体膜の膜厚は少なくとも約５ｎｍより厚
く配設することが好ましい。これは、本発明の弾性表面
波素子が備える第１の誘電体膜、第２の誘電体膜は、エ
ッチング工程や、ダイシング工程などにおいて圧電性基
板の保護膜としても機能するが、第１の誘電体膜、第２
の誘電体膜の膜厚が約５ｎｍより薄くなると、エッチン
グ工程や、ダイシング工程などにおける保護膜としての
機能が十分ではなくなるからである。第１の誘電体膜ま
たは第２の誘電体膜を比誘電率の異なる２種以上の誘電
体材料からなる積層構造としてもよい。各層の材質、厚
さを選択することにより、第１の誘電体膜、第２の誘電
体膜全体として比誘電率、膜厚が選択される。さらに、
第１の誘電体膜または第２の誘電体膜を積層構造とする
ことにより、１層に欠陥があった場合でも圧電性基板は
他の層により保護されるから、エッチング液への保護膜
としての信頼性はより高いものとなる。
とにより、第１の誘電体膜、第２の誘電体膜の比誘電率
を選択するようにすればよい。このとき、比誘電率の異
なるこれらの物質の積層膜を配設するようにしてもよい
し、混合膜を配設するようにしてもよい。例えばＳｉＯ
2 （ε＝約５）と、Ｔａ2 Ｏ5 （ε＝約２０）とをほぼ
１：１に組み合わせて第１の誘電体膜、第２の誘電体膜
を配設した場合、この第１の誘電体膜の比誘電率は約１
２．５程度になる。また、成膜材料の比誘電率に応じて
配設する第１の誘電体膜、第２の誘電体膜の膜厚を変え
るようにしてもよい。このとき、配設する第１の誘電体
膜、第２の誘電体膜の膜厚は少なくとも約５ｎｍより厚
く配設することが好ましい。これは、本発明の弾性表面
波素子が備える第１の誘電体膜、第２の誘電体膜は、エ
ッチング工程や、ダイシング工程などにおいて圧電性基
板の保護膜としても機能するが、第１の誘電体膜、第２
の誘電体膜の膜厚が約５ｎｍより薄くなると、エッチン
グ工程や、ダイシング工程などにおける保護膜としての
機能が十分ではなくなるからである。第１の誘電体膜ま
たは第２の誘電体膜を比誘電率の異なる２種以上の誘電
体材料からなる積層構造としてもよい。各層の材質、厚
さを選択することにより、第１の誘電体膜、第２の誘電
体膜全体として比誘電率、膜厚が選択される。さらに、
第１の誘電体膜または第２の誘電体膜を積層構造とする
ことにより、１層に欠陥があった場合でも圧電性基板は
他の層により保護されるから、エッチング液への保護膜
としての信頼性はより高いものとなる。
【００２９】なお、櫛歯状電極は例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａ
ｕあるいはこれらをベースとした合金、例えばＡｌ−Ｔ
ｉ系合金、Ａｌ−Ｃｕ系合金などから配設するようにす
ればよい。
ｕあるいはこれらをベースとした合金、例えばＡｌ−Ｔ
ｉ系合金、Ａｌ−Ｃｕ系合金などから配設するようにす
ればよい。
【００３０】本発明の弾性表面波素子の製造方法は、四
硼酸リチウムからなる圧電性基板上に第１の誘電体膜を
形成する工程と、前記第１の誘電体膜上に櫛歯状電極を
形成する工程と、前記櫛歯状電極を覆うように前記第１
の誘電体膜上に第２の誘電体膜を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
硼酸リチウムからなる圧電性基板上に第１の誘電体膜を
形成する工程と、前記第１の誘電体膜上に櫛歯状電極を
形成する工程と、前記櫛歯状電極を覆うように前記第１
の誘電体膜上に第２の誘電体膜を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００３１】前記第１の誘電体膜を形成する工程は、前
記圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気機械結合係
数ｋ2 が０．７４％より大きくなるように膜厚および比
誘電率を選択して形成することが好適である。
記圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気機械結合係
数ｋ2 が０．７４％より大きくなるように膜厚および比
誘電率を選択して形成することが好適である。
【００３２】また本発明の弾性表面波素子の製造方法
は、四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、この圧電性
基板上に形成された厚さｈの第１の誘電体膜と、この第
１の誘電体膜上に形成されたピッチＬの櫛歯状電極と、
前記櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜
とを有する弾性表面波素子の製造方法において、前記圧
電性基板上に、ｈ／Ｌが約０．６％以下となるように膜
厚ｈを予め選択して前記第１の誘電体膜を形成する工程
と、前記第１の誘電体膜上にピッチＬの櫛歯状電極を形
成することが好適である。
は、四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、この圧電性
基板上に形成された厚さｈの第１の誘電体膜と、この第
１の誘電体膜上に形成されたピッチＬの櫛歯状電極と、
前記櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜
とを有する弾性表面波素子の製造方法において、前記圧
電性基板上に、ｈ／Ｌが約０．６％以下となるように膜
厚ｈを予め選択して前記第１の誘電体膜を形成する工程
と、前記第１の誘電体膜上にピッチＬの櫛歯状電極を形
成することが好適である。
【００３３】さらに本発明の弾性表面波装置の製造方法
においては四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、この
圧電性基板上に形成された厚さｈの第１の誘電体膜と、
この第１の誘電体膜上に形成されたピッチＬの櫛歯状電
極と前記櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電
体膜とを有する弾性表面波素子の製造方法において、前
記圧電性基板上に、ｈ／Ｌが約０．６％以下となるよう
に、かつこの圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気
機械結合係数ｋ2 が約０．７４％以上となるように膜厚
および比誘電率を選択して前記第１の誘電体膜を形成す
る工程と、前記第１の誘電体膜上にピッチＬの櫛歯状電
極を形成することが好適である。
においては四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、この
圧電性基板上に形成された厚さｈの第１の誘電体膜と、
この第１の誘電体膜上に形成されたピッチＬの櫛歯状電
極と前記櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電
体膜とを有する弾性表面波素子の製造方法において、前
記圧電性基板上に、ｈ／Ｌが約０．６％以下となるよう
に、かつこの圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気
機械結合係数ｋ2 が約０．７４％以上となるように膜厚
および比誘電率を選択して前記第１の誘電体膜を形成す
る工程と、前記第１の誘電体膜上にピッチＬの櫛歯状電
極を形成することが好適である。
【００３４】すなわち、本発明の弾性表面波素子の製造
方法は、ＬＢＯ基板のようなアルミニウム薄膜のエッチ
ング液、特に酸に対して溶解する性質を持つ圧電基板を
保護するために予め圧電基板表面を酸に対して溶解しな
い誘電膜、例えばＳｉＯ2 膜を形成して保護膜とし、こ
の誘電膜上に形成したアルミニウム薄膜を酸によりエッ
チングすることによりアルミニウム電極パターンを得る
ものである。第１の誘電体膜、第２の誘電体膜を形成す
る際には、上述のように第１の誘電体膜の比誘電率と膜
厚とを選択するようにすればよい。また、第２の誘電体
膜の比誘電率と膜厚とを選択についても、第１の誘電体
膜と同様に行うようにすればよい。
方法は、ＬＢＯ基板のようなアルミニウム薄膜のエッチ
ング液、特に酸に対して溶解する性質を持つ圧電基板を
保護するために予め圧電基板表面を酸に対して溶解しな
い誘電膜、例えばＳｉＯ2 膜を形成して保護膜とし、こ
の誘電膜上に形成したアルミニウム薄膜を酸によりエッ
チングすることによりアルミニウム電極パターンを得る
ものである。第１の誘電体膜、第２の誘電体膜を形成す
る際には、上述のように第１の誘電体膜の比誘電率と膜
厚とを選択するようにすればよい。また、第２の誘電体
膜の比誘電率と膜厚とを選択についても、第１の誘電体
膜と同様に行うようにすればよい。
【００３５】また本発明の弾性表面波素子は、四硼酸リ
チウムからなり、第１の面と第２の面とを有する圧電性
基板と、前記圧電性基板の第１の面に配設された櫛歯状
電極と、前記圧電性基板の第２の面に配設された第３の
誘電体膜とを具備したことを特徴とする。また前述のよ
うに、四硼酸リチウムからなり、第１の面と第２の面と
を有する圧電性基板と、前記圧電性基板の第１の面に配
設された第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に前
記第１の誘電体膜を介して前記圧電性基板と電気機械結
合するように配設された櫛歯状電極と、前記圧電性基板
の第２の面に配設された第３の誘電体膜とを具備するよ
うにしてもよい。さらに前述のように、前記櫛歯状電極
を覆うように配設された第２の誘電体膜をさらに具備す
るようにしてもよい。
チウムからなり、第１の面と第２の面とを有する圧電性
基板と、前記圧電性基板の第１の面に配設された櫛歯状
電極と、前記圧電性基板の第２の面に配設された第３の
誘電体膜とを具備したことを特徴とする。また前述のよ
うに、四硼酸リチウムからなり、第１の面と第２の面と
を有する圧電性基板と、前記圧電性基板の第１の面に配
設された第１の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜上に前
記第１の誘電体膜を介して前記圧電性基板と電気機械結
合するように配設された櫛歯状電極と、前記圧電性基板
の第２の面に配設された第３の誘電体膜とを具備するよ
うにしてもよい。さらに前述のように、前記櫛歯状電極
を覆うように配設された第２の誘電体膜をさらに具備す
るようにしてもよい。
【００３６】前記第３の誘電体膜の膜厚は約５０ｎｍ以
下に設定することが好適であり、より好ましくは約３０
ｎｍ以下、さらに好ましくは約２０ｎｍに設定すること
が好適である。
下に設定することが好適であり、より好ましくは約３０
ｎｍ以下、さらに好ましくは約２０ｎｍに設定すること
が好適である。
【００３７】つまり本発明の弾性表面波素子は、弾性表
面波素子の第２の面（電極パターン配設面の裏面）にも
厚さおよび誘電率の等しい第３の誘電体膜を配設したも
のである。このような構成を採用することにより、弾性
表面波素子の裏面を保護するとともにより平滑にするこ
とができ、余計な反射波の発生を抑制することができる
と同時に、外囲器に接着剤などを用いて搭載する場合な
どに生産性を向上することができる。なお、弾性表面波
素子の裏面にも櫛歯状電極を配設した第１の面と同様
に、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜のような積層膜を
配設するようにしてもよい。
面波素子の第２の面（電極パターン配設面の裏面）にも
厚さおよび誘電率の等しい第３の誘電体膜を配設したも
のである。このような構成を採用することにより、弾性
表面波素子の裏面を保護するとともにより平滑にするこ
とができ、余計な反射波の発生を抑制することができる
と同時に、外囲器に接着剤などを用いて搭載する場合な
どに生産性を向上することができる。なお、弾性表面波
素子の裏面にも櫛歯状電極を配設した第１の面と同様
に、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜のような積層膜を
配設するようにしてもよい。
【００３８】ここで第３の誘電体膜は、圧電性基板を保
護でき得る範囲でできるかぎり薄く形成することが好適
である。これは第３の誘電体膜を厚く（例えば数μｍ以
上）すると、弾性表面波素子の周波数特性に悪影響を及
ぼしてしまうからである。このため、第３の誘電体膜は
例えばスパッタ法、ＣＶＤ法などにより配設することが
好ましい。例えばスピンコートなどによりウエハに第３
の誘電体膜を配設すると、膜厚が厚くなってしまい、ま
た研磨したとしても均一な膜を配設することは困難であ
る。
護でき得る範囲でできるかぎり薄く形成することが好適
である。これは第３の誘電体膜を厚く（例えば数μｍ以
上）すると、弾性表面波素子の周波数特性に悪影響を及
ぼしてしまうからである。このため、第３の誘電体膜は
例えばスパッタ法、ＣＶＤ法などにより配設することが
好ましい。例えばスピンコートなどによりウエハに第３
の誘電体膜を配設すると、膜厚が厚くなってしまい、ま
た研磨したとしても均一な膜を配設することは困難であ
る。
【００３９】また本発明の弾性表面波素子の製造方法
は、四硼酸リチウムからなり、第１の面と第２の面とを
有する圧電性基板の前記第１の面と前記第２の面とを研
磨する工程と、前記圧電性基板の前記第１の面に導体薄
膜を堆積する工程と、前記導体薄膜をパターニングする
工程と、前記圧電性基板の前記第２の面に第３の誘電体
膜を堆積する工程とを具備したことを特徴とする。
は、四硼酸リチウムからなり、第１の面と第２の面とを
有する圧電性基板の前記第１の面と前記第２の面とを研
磨する工程と、前記圧電性基板の前記第１の面に導体薄
膜を堆積する工程と、前記導体薄膜をパターニングする
工程と、前記圧電性基板の前記第２の面に第３の誘電体
膜を堆積する工程とを具備したことを特徴とする。
【００４０】また本発明の弾性表面波素子の製造方法
は、四硼酸リチウムからなり、第１の面と第２の面とを
有する圧電性基板の前記第１の面と前記第２の面とを研
磨する工程と、前記圧電性基板の前記第１の面に第２の
誘電体膜を堆積する工程と、前記圧電性基板の第１の面
に導体薄膜を堆積する工程と、前記導体薄膜をパターニ
ングする工程と、前記圧電性基板の第２の面に第３の誘
電体膜を堆積する工程とを具備したことを特徴とする。
は、四硼酸リチウムからなり、第１の面と第２の面とを
有する圧電性基板の前記第１の面と前記第２の面とを研
磨する工程と、前記圧電性基板の前記第１の面に第２の
誘電体膜を堆積する工程と、前記圧電性基板の第１の面
に導体薄膜を堆積する工程と、前記導体薄膜をパターニ
ングする工程と、前記圧電性基板の第２の面に第３の誘
電体膜を堆積する工程とを具備したことを特徴とする。
【００４１】さらに本発明の弾性表面波素子の製造方法
は、四硼酸リチウムからなり、複数の素子領域を有する
ウエハの第１の面に導体薄膜を堆積し前記素子領域ごと
に弾性表面波素子が形成されるようにパターニングする
工程と、前記ウエハの第２の面を研磨する工程と、前記
ウエハの第２の面に誘電体膜を堆積する工程と、前記ウ
エハの第２の面とステージとを接着手段によりに固定す
る工程と、前記ウエハを前記素子領域ごとに分離する工
程とを具備したことを特徴とする。
は、四硼酸リチウムからなり、複数の素子領域を有する
ウエハの第１の面に導体薄膜を堆積し前記素子領域ごと
に弾性表面波素子が形成されるようにパターニングする
工程と、前記ウエハの第２の面を研磨する工程と、前記
ウエハの第２の面に誘電体膜を堆積する工程と、前記ウ
エハの第２の面とステージとを接着手段によりに固定す
る工程と、前記ウエハを前記素子領域ごとに分離する工
程とを具備したことを特徴とする。
【００４２】このような本発明の弾性表面波素子の製造
方法では、ＬＢＯからなる圧電性基板の第２の面に第３
の誘電体膜を配設しているため、ダイシング工程を通じ
てウエハあるいは弾性表面波素子のチップがステージに
強固に固定され、途中で飛散したりすることはなく、生
産性を大きく向上することができる。このような効果
は、圧電性基板の裏面を研磨せずとも、あるいは意図的
に粗面に形成しても同様に得ることができたが、特に研
磨した場合にはその効果が大きい。
方法では、ＬＢＯからなる圧電性基板の第２の面に第３
の誘電体膜を配設しているため、ダイシング工程を通じ
てウエハあるいは弾性表面波素子のチップがステージに
強固に固定され、途中で飛散したりすることはなく、生
産性を大きく向上することができる。このような効果
は、圧電性基板の裏面を研磨せずとも、あるいは意図的
に粗面に形成しても同様に得ることができたが、特に研
磨した場合にはその効果が大きい。
【００４３】このように本発明の弾性表面波素子の製造
方法によれば、ＬＢＯなどの水溶性を有する圧電性基板
を用いて、高い生産性で、良好な特性を有する弾性表面
波素子を製造することができる。また本発明の弾性表面
波素子を搭載した弾性表面波装置では、圧電性基板の裏
面に誘電体膜が配設されており、この膜により圧電性基
板が保護されるため、例えば水分などによる圧電性基板
の経時的変化を防止することができる。このため弾性表
面波装置の信頼性を向上することができる。
方法によれば、ＬＢＯなどの水溶性を有する圧電性基板
を用いて、高い生産性で、良好な特性を有する弾性表面
波素子を製造することができる。また本発明の弾性表面
波素子を搭載した弾性表面波装置では、圧電性基板の裏
面に誘電体膜が配設されており、この膜により圧電性基
板が保護されるため、例えば水分などによる圧電性基板
の経時的変化を防止することができる。このため弾性表
面波装置の信頼性を向上することができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００４５】（実施形態１）図１は本発明の弾性表面波
素子の構造の例を概略的に示す図である。図１（ａ）は
第２の誘電体膜を透視して示す斜視図であり、図１
（ｂ）では図１（ａ）のＡＡ方向の断面構造を示してい
る。
素子の構造の例を概略的に示す図である。図１（ａ）は
第２の誘電体膜を透視して示す斜視図であり、図１
（ｂ）では図１（ａ）のＡＡ方向の断面構造を示してい
る。
【００４６】図１（ａ）の弾性表面波素子１００は、Ｌ
ｉ2 Ｂ4 Ｏ7 （ＬＢＯ）からなる圧電性基板１０１と、
この圧電性基板上に形成されたＳｉＯ2 からなる膜厚ｈ
の第１の誘電体膜１０２と、この第１の誘電体膜１０２
上に形成されたアルミニウム薄膜からなるピッチＬの櫛
歯状電極１０３ｂと、この櫛歯状電極１０３ｂを覆うよ
うに第１の誘電体膜１０２上に配設された第２の誘電体
膜１０５とを有している。
ｉ2 Ｂ4 Ｏ7 （ＬＢＯ）からなる圧電性基板１０１と、
この圧電性基板上に形成されたＳｉＯ2 からなる膜厚ｈ
の第１の誘電体膜１０２と、この第１の誘電体膜１０２
上に形成されたアルミニウム薄膜からなるピッチＬの櫛
歯状電極１０３ｂと、この櫛歯状電極１０３ｂを覆うよ
うに第１の誘電体膜１０２上に配設された第２の誘電体
膜１０５とを有している。
【００４７】圧電性基板１０１上に第１の誘電体膜１０
２と第２の誘電体膜１０５の複数の誘電体膜を配設する
ことにより、どちらか一方の誘電体膜に欠陥が生じて
も、圧電性基板１０１を保護する機能を維持することが
でき、弾性表面波素子の信頼性を向上することができ
る。また第２の誘電体膜１０５は、櫛歯状電極１０３ｂ
あるいは図示しない反射器などの弾性表面波素子を構成
する電極パターンを覆うように配設されており、製造工
程においても、実際に使用されるときにもこれらの電極
パターンを保護することができる。
２と第２の誘電体膜１０５の複数の誘電体膜を配設する
ことにより、どちらか一方の誘電体膜に欠陥が生じて
も、圧電性基板１０１を保護する機能を維持することが
でき、弾性表面波素子の信頼性を向上することができ
る。また第２の誘電体膜１０５は、櫛歯状電極１０３ｂ
あるいは図示しない反射器などの弾性表面波素子を構成
する電極パターンを覆うように配設されており、製造工
程においても、実際に使用されるときにもこれらの電極
パターンを保護することができる。
【００４８】例えば、弾性表面波素子は、外囲器と呼ば
れるパッケージに接着剤などにより搭載され、封止され
る。この接着剤からは経時的に揮発性のガス成分が放出
され、このガスが弾性表面波素子を構成する櫛歯状電極
や反射器などに悪影響を及ぼすという問題があるが、本
発明の弾性表面波素子においては第２の誘電体膜１０５
によりこのような悪影響が生じるのを防止することがで
きる。さらに第２の誘電体膜１０５を積層構造にするこ
とにより、保護膜としての機能を向上することができ
る。
れるパッケージに接着剤などにより搭載され、封止され
る。この接着剤からは経時的に揮発性のガス成分が放出
され、このガスが弾性表面波素子を構成する櫛歯状電極
や反射器などに悪影響を及ぼすという問題があるが、本
発明の弾性表面波素子においては第２の誘電体膜１０５
によりこのような悪影響が生じるのを防止することがで
きる。さらに第２の誘電体膜１０５を積層構造にするこ
とにより、保護膜としての機能を向上することができ
る。
【００４９】また本発明においては、第１の誘電体膜１
０２と第２の誘電体膜１０５とは、弾性表面波素子とし
ての機能を損なわないように、その膜厚と比誘電率とを
調節して配設している。図２は図１（ａ）に例示した弾
性表面波素子の一部を拡大して示す図である。なお、こ
の図では第２の誘電体膜１０５を取り除いた状態を示し
ている。
０２と第２の誘電体膜１０５とは、弾性表面波素子とし
ての機能を損なわないように、その膜厚と比誘電率とを
調節して配設している。図２は図１（ａ）に例示した弾
性表面波素子の一部を拡大して示す図である。なお、こ
の図では第２の誘電体膜１０５を取り除いた状態を示し
ている。
【００５０】例えば第１の誘電体膜１０２は、その膜厚
と比誘電率とが弾性表面波の電気機械結合係数ｋ2 が
０．７４％より大きくなるように選択して形成されてい
る。
と比誘電率とが弾性表面波の電気機械結合係数ｋ2 が
０．７４％より大きくなるように選択して形成されてい
る。
【００５１】また、第１の誘電体膜の膜厚ｈを、櫛歯状
電極１０３ｂのピッチＬで規格化した換算膜厚ｈ／Ｌが
０．６％以下になるように選択して形成するようにして
もよい。
電極１０３ｂのピッチＬで規格化した換算膜厚ｈ／Ｌが
０．６％以下になるように選択して形成するようにして
もよい。
【００５２】また、第２の誘電体膜１０５の厚さは第１
の誘電体膜と同様に必要に応じて設定するようにすれば
よい。
の誘電体膜と同様に必要に応じて設定するようにすれば
よい。
【００５３】ここでは第１の誘電体膜１０２、第２の誘
電体膜１０５としてＳｉＯ2 を用いた例をとりあげる
が、第１の誘電体膜１０２、第２の誘電体膜１０５の材
質はこれに限ることはない。例えば、ＳｉＯ2 の他に、
Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＭｇＴｉＯ3 、Ｃａ
ＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 などを用いるようにしてもよ
い。また、これらの物質を適宜組み合わせて用いること
により、第１の誘電体膜１０２および第２の誘電体膜１
０５の比誘電率を選択するようにしてもよい。また、比
誘電率に応じて形成する第１の誘電体膜１０２、第２の
誘電体膜１０５の膜厚を変えるようにしてもよい。第１
の誘電体膜１０２および第２の誘電体膜１０５を異なる
誘電体材料からなる積層構造としてもよい。各層の材
質、厚さを選択することにより、第１の誘電体膜１０２
全体として比誘電率、膜厚が選択される。さらに、第１
の誘電体膜１０２または第２の誘電体膜１０５を積層構
造とすることにより、いずれかの誘電体層のうちの１層
に欠陥があった場合でも圧電性基板は他の層により保護
されるから、エッチング液、製造後の湿度などに対応す
る保護膜としての信頼性はより高いものとなる。
電体膜１０５としてＳｉＯ2 を用いた例をとりあげる
が、第１の誘電体膜１０２、第２の誘電体膜１０５の材
質はこれに限ることはない。例えば、ＳｉＯ2 の他に、
Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ、ＭｇＴｉＯ3 、Ｃａ
ＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 などを用いるようにしてもよ
い。また、これらの物質を適宜組み合わせて用いること
により、第１の誘電体膜１０２および第２の誘電体膜１
０５の比誘電率を選択するようにしてもよい。また、比
誘電率に応じて形成する第１の誘電体膜１０２、第２の
誘電体膜１０５の膜厚を変えるようにしてもよい。第１
の誘電体膜１０２および第２の誘電体膜１０５を異なる
誘電体材料からなる積層構造としてもよい。各層の材
質、厚さを選択することにより、第１の誘電体膜１０２
全体として比誘電率、膜厚が選択される。さらに、第１
の誘電体膜１０２または第２の誘電体膜１０５を積層構
造とすることにより、いずれかの誘電体層のうちの１層
に欠陥があった場合でも圧電性基板は他の層により保護
されるから、エッチング液、製造後の湿度などに対応す
る保護膜としての信頼性はより高いものとなる。
【００５４】（実施形態２）また、図３は本発明の弾性
表面波素子の構成を概略的に示す図であり、図１（ａ）
に例示した弾性表面波素子の裏面にも厚さおよび誘電率
の等しい第３の誘電体膜２０３を形成したものである。
ここでは第１の誘電体膜１０２を圧電性基板１０１の櫛
歯状電極１０３ｂ形成面（第１の面）だけでなく、その
反対側の面（第２の面）にも第３の誘電体膜２０３を形
成することにより、弾性表面波素子の裏面をより平滑に
することができ、余計な反射波の発生を抑制することが
できると同時に、外囲器に接着剤などを用いて搭載する
場合などに生産性を向上することができる。なお、弾性
表面波素子の裏面にも櫛歯状電極形成面と同様に、第１
の誘電体膜１０２と第２の誘電体膜１０５との積層膜を
配設するようにしてもよい。
表面波素子の構成を概略的に示す図であり、図１（ａ）
に例示した弾性表面波素子の裏面にも厚さおよび誘電率
の等しい第３の誘電体膜２０３を形成したものである。
ここでは第１の誘電体膜１０２を圧電性基板１０１の櫛
歯状電極１０３ｂ形成面（第１の面）だけでなく、その
反対側の面（第２の面）にも第３の誘電体膜２０３を形
成することにより、弾性表面波素子の裏面をより平滑に
することができ、余計な反射波の発生を抑制することが
できると同時に、外囲器に接着剤などを用いて搭載する
場合などに生産性を向上することができる。なお、弾性
表面波素子の裏面にも櫛歯状電極形成面と同様に、第１
の誘電体膜１０２と第２の誘電体膜１０５との積層膜を
配設するようにしてもよい。
【００５５】圧電性基板１０１の第２の面に配設する第
３の誘電体膜２０３は、圧電性基板を保護でき得る範囲
でできるかぎり薄く形成することが好適である。これは
第３の誘電体膜２０３を厚く（例えば数μｍ以上）する
と、弾性表面波素子の周波数特性に悪影響を及ぼしてし
まうからである。このため本発明の弾性表面波素子で
は、第３の誘電体膜２０３の厚さを約２０ｎｍ程度に設
定している。発明者はこの程度の厚さでは弾性表面波素
子の周波数特性にほとんど悪影響を及ぼすことなく、圧
電性基板を保護できることを見出だした。 さらに、誘
電体膜（第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、または第３
の誘電体膜２０３）はスパッタ法、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶ
Ｄ法などにより堆積することが好適である。これは配設
する誘電体膜は、その膜厚を薄く、かつ均一に形成する
必要があるからである。スピンコートなどにより比較的
厚い膜を配設し、その後この膜を研磨等により薄くしよ
うとすると、誘電体膜の膜厚を均一に維持することが極
めて困難になる。
３の誘電体膜２０３は、圧電性基板を保護でき得る範囲
でできるかぎり薄く形成することが好適である。これは
第３の誘電体膜２０３を厚く（例えば数μｍ以上）する
と、弾性表面波素子の周波数特性に悪影響を及ぼしてし
まうからである。このため本発明の弾性表面波素子で
は、第３の誘電体膜２０３の厚さを約２０ｎｍ程度に設
定している。発明者はこの程度の厚さでは弾性表面波素
子の周波数特性にほとんど悪影響を及ぼすことなく、圧
電性基板を保護できることを見出だした。 さらに、誘
電体膜（第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、または第３
の誘電体膜２０３）はスパッタ法、ＣＶＤ法、ＰＥＣＶ
Ｄ法などにより堆積することが好適である。これは配設
する誘電体膜は、その膜厚を薄く、かつ均一に形成する
必要があるからである。スピンコートなどにより比較的
厚い膜を配設し、その後この膜を研磨等により薄くしよ
うとすると、誘電体膜の膜厚を均一に維持することが極
めて困難になる。
【００５６】このように、圧電性基板１０１の第２の面
に第３の誘電体膜２０３を配設する場合には、圧電性基
板の第２の面をパフなどにより鏡面に研磨するようにす
ることが好適である。圧電性基板１０１の第２の面を研
磨することにより、第３の誘電体膜２０３を均一な膜厚
で配設することができる。また圧電性基板１０１と第３
の誘電体膜２０３との接合強度が大きくなり、弾性表面
波装置の信頼性が向上する。このような研磨は圧電性基
板１０１に電極パターンや、第１の誘電体膜１０２を配
設するより前に両面同時に行うようにしてもよい。
に第３の誘電体膜２０３を配設する場合には、圧電性基
板の第２の面をパフなどにより鏡面に研磨するようにす
ることが好適である。圧電性基板１０１の第２の面を研
磨することにより、第３の誘電体膜２０３を均一な膜厚
で配設することができる。また圧電性基板１０１と第３
の誘電体膜２０３との接合強度が大きくなり、弾性表面
波装置の信頼性が向上する。このような研磨は圧電性基
板１０１に電極パターンや、第１の誘電体膜１０２を配
設するより前に両面同時に行うようにしてもよい。
【００５７】（実施形態３）ここで第１の誘電体膜１０
２としてＳｉＯ2 を形成した場合を例にとって、弾性表
面波の励振特性へ及ぼす影響について説明する。
２としてＳｉＯ2 を形成した場合を例にとって、弾性表
面波の励振特性へ及ぼす影響について説明する。
【００５８】図４は第１の誘電体膜１０２をＳｉＯ2 で
形成したとき、その膜厚とＬＢＯ基板（４５°Ｘカット
Ｚ伝搬Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）上の弾性表面波の励振効率の目
安となる電気機械結合係数ｋ2 と関係を示す図である。
図４から電気機械結合係数ｋ2 は第１の誘電体膜１０２
が厚くなるにつれて小さくなることがわかる。図４のｘ
軸は、第１の誘電体膜１０２の膜厚ｈを弾性表面波のピ
ッチＬとほぼ一致する波長λ（λ＝Ｖs ／ｆ0 、ｆ0 ：
弾性表面波素子の動作周波数、Ｖs ：弾性表面波の位相
速度）で規格化した換算膜厚ｈ／λ（％）として示し
た。ＬＢＯの位相速度は約３４００ｍ／ｓであるから、
弾性表面波素子の動作周波数を７１ＭＨｚとした場合、
波長λは４８μｍとなる。このとき、第１の誘電体膜１
０２を形成しない場合のｋ2 が１．０２％であるのに対
し、第１の誘電体膜１０２としてＳｉＯ2 膜を膜厚０．
２９μｍ （ｈ／λ＝０．６％）とした場合のｋ2 は
０．７４％まで低下することがわかる。
形成したとき、その膜厚とＬＢＯ基板（４５°Ｘカット
Ｚ伝搬Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）上の弾性表面波の励振効率の目
安となる電気機械結合係数ｋ2 と関係を示す図である。
図４から電気機械結合係数ｋ2 は第１の誘電体膜１０２
が厚くなるにつれて小さくなることがわかる。図４のｘ
軸は、第１の誘電体膜１０２の膜厚ｈを弾性表面波のピ
ッチＬとほぼ一致する波長λ（λ＝Ｖs ／ｆ0 、ｆ0 ：
弾性表面波素子の動作周波数、Ｖs ：弾性表面波の位相
速度）で規格化した換算膜厚ｈ／λ（％）として示し
た。ＬＢＯの位相速度は約３４００ｍ／ｓであるから、
弾性表面波素子の動作周波数を７１ＭＨｚとした場合、
波長λは４８μｍとなる。このとき、第１の誘電体膜１
０２を形成しない場合のｋ2 が１．０２％であるのに対
し、第１の誘電体膜１０２としてＳｉＯ2 膜を膜厚０．
２９μｍ （ｈ／λ＝０．６％）とした場合のｋ2 は
０．７４％まで低下することがわかる。
【００５９】図５は、このときの弾性表面波素子の周波
数特性への影響をシミュレーションにより比較した結果
を示す図である。弾性表面波フィルタは例えば携帯電話
システムの一つであるＧＳＭ （Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓ
ｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎ）のＩＦ段（動作周波数：７１ＭＨｚ）に用いる
ことができる弾性表面波フィルタを想定し、２ポートＩ
ＤＴ共振子フィルタ構造２段従属接続、ＩＤＴ４０本、
反射器６０本、ＩＤＴの交差幅０．４８ｍｍとしてその
特性を検討した。図５から電気機械結合係数ｋ2 が減少
するとともにフィルタの通過帯域幅が減少し、また通過
帯域内のリップルも増大することがわかる。
数特性への影響をシミュレーションにより比較した結果
を示す図である。弾性表面波フィルタは例えば携帯電話
システムの一つであるＧＳＭ （Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓ
ｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎ）のＩＦ段（動作周波数：７１ＭＨｚ）に用いる
ことができる弾性表面波フィルタを想定し、２ポートＩ
ＤＴ共振子フィルタ構造２段従属接続、ＩＤＴ４０本、
反射器６０本、ＩＤＴの交差幅０．４８ｍｍとしてその
特性を検討した。図５から電気機械結合係数ｋ2 が減少
するとともにフィルタの通過帯域幅が減少し、また通過
帯域内のリップルも増大することがわかる。
【００６０】図６はこの弾性表面波フィルタの３ｄＢ帯
域幅のＳｉＯ2 膜厚依存性を示す図である。ＧＳＭ用Ｉ
Ｆ段弾性表面波フィルタの場合、ＬＢＯ基板の周波数温
度ドリフトを含め２７５ＫＨｚ程度の通過帯域幅を必要
とするのに対し、ＳｉＯ2 第１の誘電体膜１０２の換算
膜厚ｈ／λがほぼ０．６％までは２７５ＫＨｚ以上の帯
域幅を確保することができるが、換算膜厚ｈ／λが０．
６％を越えると通過帯城内のリップルが増大するため急
速に帯域幅が減少し２７５ＫＨｚ以下となることがわか
る。したがって、ＳｉＯ2 の膜厚は換算膜厚ｈ／λが約
０．６％以下になるように設定する必要がある。図７は
図６の弾性表面波フィルタの３ｄＢ帯域幅の電気機械結
合係数ｋ2 依存性を示す図である。約０．７４％の電気
機械結合係数ｋ2 を得られれば、２７５ＫＨｚ以上の帯
域幅を確保することができることがわかる。なお約０．
７４％の電気機械結合係数ｋ2 はここでは２７５ＫＨｚ
以上の帯域幅を確保する場合に必要な下限値であるか
ら、形成する第１の誘電体膜１０２はより大きな電気機
械結合係数ｋ2 が得られるように必要に応じて選択する
ようにすればよい。
域幅のＳｉＯ2 膜厚依存性を示す図である。ＧＳＭ用Ｉ
Ｆ段弾性表面波フィルタの場合、ＬＢＯ基板の周波数温
度ドリフトを含め２７５ＫＨｚ程度の通過帯域幅を必要
とするのに対し、ＳｉＯ2 第１の誘電体膜１０２の換算
膜厚ｈ／λがほぼ０．６％までは２７５ＫＨｚ以上の帯
域幅を確保することができるが、換算膜厚ｈ／λが０．
６％を越えると通過帯城内のリップルが増大するため急
速に帯域幅が減少し２７５ＫＨｚ以下となることがわか
る。したがって、ＳｉＯ2 の膜厚は換算膜厚ｈ／λが約
０．６％以下になるように設定する必要がある。図７は
図６の弾性表面波フィルタの３ｄＢ帯域幅の電気機械結
合係数ｋ2 依存性を示す図である。約０．７４％の電気
機械結合係数ｋ2 を得られれば、２７５ＫＨｚ以上の帯
域幅を確保することができることがわかる。なお約０．
７４％の電気機械結合係数ｋ2 はここでは２７５ＫＨｚ
以上の帯域幅を確保する場合に必要な下限値であるか
ら、形成する第１の誘電体膜１０２はより大きな電気機
械結合係数ｋ2 が得られるように必要に応じて選択する
ようにすればよい。
【００６１】このように本発明の弾性表面波素子におい
ては、圧電性基板と櫛歯状電極との間に形成する第１の
誘電体膜１０２の膜厚および誘電率を、この弾性表面波
素子を伝搬する弾性表面波の電気機械結合係数ｋ2 がで
きるかぎり低減しないように選択することにより、周波
数特性が良好で、かつばらつきの少ない高品質な弾性表
面波素子を得ることができる。
ては、圧電性基板と櫛歯状電極との間に形成する第１の
誘電体膜１０２の膜厚および誘電率を、この弾性表面波
素子を伝搬する弾性表面波の電気機械結合係数ｋ2 がで
きるかぎり低減しないように選択することにより、周波
数特性が良好で、かつばらつきの少ない高品質な弾性表
面波素子を得ることができる。
【００６２】図４、図５、図６、図７においては第１の
誘電体膜１０２としてＳｉＯ2 膜を用いた例について説
明したが、絶縁体で比誘電率が４以上であればＳｉＯ2
膜と同様に用いることができる。第１の誘電体膜１０２
として利用できる材料としては、例えばＳｉＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮのなどの単体かもしくは複
数を混合した成分からなる材料を用いるようにしてもよ
い。また前述のように、これらの誘電体材料を積層構造
にして第１の誘電体膜１０２を形成するようにしてもよ
い。
誘電体膜１０２としてＳｉＯ2 膜を用いた例について説
明したが、絶縁体で比誘電率が４以上であればＳｉＯ2
膜と同様に用いることができる。第１の誘電体膜１０２
として利用できる材料としては、例えばＳｉＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮのなどの単体かもしくは複
数を混合した成分からなる材料を用いるようにしてもよ
い。また前述のように、これらの誘電体材料を積層構造
にして第１の誘電体膜１０２を形成するようにしてもよ
い。
【００６３】また、ここでは圧電性基板については４５
°ＸカットＺ伝搬の四硼酸リチウム（Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）
を用いた例について説明したが、本発明の弾性表面波素
子はこのカット角には限定されない。これ以外にも、例
えば米国特許第４６７２２５５号明細書に示されている
オイラー角の範囲を好適に用いることもできる。
°ＸカットＺ伝搬の四硼酸リチウム（Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ）
を用いた例について説明したが、本発明の弾性表面波素
子はこのカット角には限定されない。これ以外にも、例
えば米国特許第４６７２２５５号明細書に示されている
オイラー角の範囲を好適に用いることもできる。
【００６４】さらに上述の例では、第１の誘電体膜１０
２としてＳｉＯ2 を用いて膜厚を選択した例について説
明したが、比誘電率と膜厚とを調節・選択するようにし
てもよい。また、第２の誘電体膜１０５もその比誘電率
または膜厚を調節・選択して配設するようにしてもよ
い。
２としてＳｉＯ2 を用いて膜厚を選択した例について説
明したが、比誘電率と膜厚とを調節・選択するようにし
てもよい。また、第２の誘電体膜１０５もその比誘電率
または膜厚を調節・選択して配設するようにしてもよ
い。
【００６５】図８は第１の誘電体膜１０２を形成する物
質の比誘電率（ε）を変化させたときの、換算膜厚と圧
電性基板１０１上の弾性表面波の励振効率の目安となる
電気機械結合係数ｋ2 との関係を示す図である。
質の比誘電率（ε）を変化させたときの、換算膜厚と圧
電性基板１０１上の弾性表面波の励振効率の目安となる
電気機械結合係数ｋ2 との関係を示す図である。
【００６６】比誘電率を問わず、第１の誘電体膜１０２
が厚くなるにしたがい電気機械結合係数ｋ2 が低下する
ことがわかる。また、比誘電率が大きいほど同じ電気機
械結合係数ｋ2 を得るのに必要な誘電体の最大膜厚は小
さくなることがわかる。例えば、電気機械結合係数ｋ2
として０．７４％とすると、比誘電率εが５の場合には
ほぼ０．６％以下の換算膜厚（ｈ／λ）とする必要があ
るが、比誘電率εが１００の場合にはほぼ０．３％以下
の換算膜厚（ｈ／λ）としなければならないことがわか
る。
が厚くなるにしたがい電気機械結合係数ｋ2 が低下する
ことがわかる。また、比誘電率が大きいほど同じ電気機
械結合係数ｋ2 を得るのに必要な誘電体の最大膜厚は小
さくなることがわかる。例えば、電気機械結合係数ｋ2
として０．７４％とすると、比誘電率εが５の場合には
ほぼ０．６％以下の換算膜厚（ｈ／λ）とする必要があ
るが、比誘電率εが１００の場合にはほぼ０．３％以下
の換算膜厚（ｈ／λ）としなければならないことがわか
る。
【００６７】図９は形成する第１の誘電体膜１０２の比
誘電率と、所定の電気機械結合係数ｋ2 を得るために最
小限必要な第１の誘電体膜１０２の最大膜厚との関係を
示す図である。第１の誘電体膜１０２の比誘電率を大き
くするためには例えばＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ
4 、ＡｌＮ、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ
3 、ＣａＴｉＯ3 のような材料と、例えばＳｒＴｉＯ3
のような比誘電率の大きな材料との割合を必要に応じて
変えてスパッタリングなどにより堆積することにより、
必要な電気機械結合係数ｋ2 を有する第１の誘電体膜１
０２を形成するようにすればよい。
誘電率と、所定の電気機械結合係数ｋ2 を得るために最
小限必要な第１の誘電体膜１０２の最大膜厚との関係を
示す図である。第１の誘電体膜１０２の比誘電率を大き
くするためには例えばＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｉ3 Ｎ
4 、ＡｌＮ、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ
3 、ＣａＴｉＯ3 のような材料と、例えばＳｒＴｉＯ3
のような比誘電率の大きな材料との割合を必要に応じて
変えてスパッタリングなどにより堆積することにより、
必要な電気機械結合係数ｋ2 を有する第１の誘電体膜１
０２を形成するようにすればよい。
【００６８】また、第２の誘電体膜１０５の誘電率、膜
厚についても上述した第１の誘電体膜１０２の誘電率、
膜厚と同様な手法で設定するようにすればよい。
厚についても上述した第１の誘電体膜１０２の誘電率、
膜厚と同様な手法で設定するようにすればよい。
【００６９】なお、ここでは、本発明の弾性表面波素子
を用いた弾性表面波装置の１例として上述の弾性表面波
フィルタを例示したが、本発明はこれに限ることはな
く、四硼酸リチウムなどの、酸、水に対して溶解する圧
電性基板を用いた弾性表面波素子一般に適用することが
できる。
を用いた弾性表面波装置の１例として上述の弾性表面波
フィルタを例示したが、本発明はこれに限ることはな
く、四硼酸リチウムなどの、酸、水に対して溶解する圧
電性基板を用いた弾性表面波素子一般に適用することが
できる。
【００７０】（実施形態４）つぎに本発明の弾性表面波
素子の製造方法について説明する。
素子の製造方法について説明する。
【００７１】図１０は、本発明の弾性表面波素子の製造
方法を模式的に示す図である。ここでは、動作周波数７
１ＭＨｚ、櫛歯状電極のピッチ４８μｍ（Ｌ）の弾性表
面波素子を例にとって説明する。
方法を模式的に示す図である。ここでは、動作周波数７
１ＭＨｚ、櫛歯状電極のピッチ４８μｍ（Ｌ）の弾性表
面波素子を例にとって説明する。
【００７２】図１０（ａ）のように、まず四硼酸リチウ
ムからなる圧電性基板１０１上にスパッタ法などにより
第１の誘電体膜１０２を形成し、この上に例えば真空蒸
着法などによりアルミニウム薄膜１０３を形成する。な
お、櫛歯状電極はアルミニウムに限らず他の導電性材料
により形成するようにしてもよい。
ムからなる圧電性基板１０１上にスパッタ法などにより
第１の誘電体膜１０２を形成し、この上に例えば真空蒸
着法などによりアルミニウム薄膜１０３を形成する。な
お、櫛歯状電極はアルミニウムに限らず他の導電性材料
により形成するようにしてもよい。
【００７３】この製造例では、形成する第１の誘電体膜
１０２の膜厚と比誘電率が、電気機械結合係数ｋ2 が
０．７４％より大きくなるように選択して形成した。ま
た、第１の誘電体膜１０２の膜厚ｈを、櫛歯状電極のピ
ッチＬで規格化した換算膜厚ｈ／Ｌが０．６％以下にな
るように選択して形成するようにしてもよい。
１０２の膜厚と比誘電率が、電気機械結合係数ｋ2 が
０．７４％より大きくなるように選択して形成した。ま
た、第１の誘電体膜１０２の膜厚ｈを、櫛歯状電極のピ
ッチＬで規格化した換算膜厚ｈ／Ｌが０．６％以下にな
るように選択して形成するようにしてもよい。
【００７４】ここでは第１の誘電体膜１０２として、厚
さ４０ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成し、アルミニウム薄膜１
０３の厚さは０．５μｍとした。このときＳｉＯ2 第１
の誘電体膜１０２の換算膜厚ｈ／λは、約０．０８％と
なり、図４から約０．９８％の電気機械結合係数ｋ2 が
得られることがわかる。この電気機械結合係数ｋ2 は、
第１の誘電体膜１０２を形成しない場合ときのｋ2 とほ
ぼ等しい。したがって、例えば上述したＧＳＭ用のＩＦ
段フィルタを製造した場合にも、十分な帯域幅を確保す
ることができ、また通過帯域内のリップルも小さくする
ことができる（図５、図６、図７参照）。
さ４０ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成し、アルミニウム薄膜１
０３の厚さは０．５μｍとした。このときＳｉＯ2 第１
の誘電体膜１０２の換算膜厚ｈ／λは、約０．０８％と
なり、図４から約０．９８％の電気機械結合係数ｋ2 が
得られることがわかる。この電気機械結合係数ｋ2 は、
第１の誘電体膜１０２を形成しない場合ときのｋ2 とほ
ぼ等しい。したがって、例えば上述したＧＳＭ用のＩＦ
段フィルタを製造した場合にも、十分な帯域幅を確保す
ることができ、また通過帯域内のリップルも小さくする
ことができる（図５、図６、図７参照）。
【００７５】ついで、堆積したアルミニウム薄膜１０３
上にレジスト１０４を堆積し、フォトリソグラフィー法
などにより櫛歯状電極、反射器などの所定形状にパター
ニングする。その後、形成したレジストパターンをマス
クとしてｐＨ５の混酸（燐酸、酢酸、硝酸の混合液）に
よりアルミニウム薄膜１０３をエッチングし、櫛歯状電
極１０３ｂ、図示しない反射器などの形状にパターニン
グする（図１０（ｃ））。この状態からレジスト１０４
をレジスト剥離液などにより除去することによって、ア
ルミニウム薄膜からなる電極パターンが形成されること
になる（図１０（ｄ））。この際、第１の誘電体膜１０
２により四硼酸リチウム基板は保護されており、基板の
溶解は防止される。したがって、基板の窪みに起因する
特性のばらつきのない、高品質な弾性表面波素子を製造
することができる。さらに、櫛歯状電極と接続して圧電
性基板上に配設された外部回路との接続端子の部分にレ
ジストを堆積、露光してマスクを形成し、櫛歯状電極１
０３ｂ、図示しない反射器などの電極を覆うように、ス
パッタ法などによりＳｉＯ2 からなる第２の誘電体膜１
０５を形成した（図１０（ｅ））。この第２の誘電体膜
１０５の厚さについては、第１の誘電体膜１０２と同様
に必要に応じて設定するようにすればよい。第２の誘電
体膜１０５形成後、レジストは除去した。
上にレジスト１０４を堆積し、フォトリソグラフィー法
などにより櫛歯状電極、反射器などの所定形状にパター
ニングする。その後、形成したレジストパターンをマス
クとしてｐＨ５の混酸（燐酸、酢酸、硝酸の混合液）に
よりアルミニウム薄膜１０３をエッチングし、櫛歯状電
極１０３ｂ、図示しない反射器などの形状にパターニン
グする（図１０（ｃ））。この状態からレジスト１０４
をレジスト剥離液などにより除去することによって、ア
ルミニウム薄膜からなる電極パターンが形成されること
になる（図１０（ｄ））。この際、第１の誘電体膜１０
２により四硼酸リチウム基板は保護されており、基板の
溶解は防止される。したがって、基板の窪みに起因する
特性のばらつきのない、高品質な弾性表面波素子を製造
することができる。さらに、櫛歯状電極と接続して圧電
性基板上に配設された外部回路との接続端子の部分にレ
ジストを堆積、露光してマスクを形成し、櫛歯状電極１
０３ｂ、図示しない反射器などの電極を覆うように、ス
パッタ法などによりＳｉＯ2 からなる第２の誘電体膜１
０５を形成した（図１０（ｅ））。この第２の誘電体膜
１０５の厚さについては、第１の誘電体膜１０２と同様
に必要に応じて設定するようにすればよい。第２の誘電
体膜１０５形成後、レジストは除去した。
【００７６】この第２の誘電体膜１０５を配設すること
により、まず、圧電性基板１０１を保護する保護膜が多
重化され、弾性表面波素子の信頼性を向上することがで
きる。さらに、櫛歯状電極１０３ｂやグレーティング反
射器は第２の誘電体膜１０５により被覆されるから、弾
性表面波素子を外囲器に搭載する際の接着剤などから経
時的に放出されるガス成分や、水分、さらに製造後に弾
性表面波素子が用いられる環境に起因する水分などから
櫛歯状電極、反射器、圧電性基板などを保護することも
できる。
により、まず、圧電性基板１０１を保護する保護膜が多
重化され、弾性表面波素子の信頼性を向上することがで
きる。さらに、櫛歯状電極１０３ｂやグレーティング反
射器は第２の誘電体膜１０５により被覆されるから、弾
性表面波素子を外囲器に搭載する際の接着剤などから経
時的に放出されるガス成分や、水分、さらに製造後に弾
性表面波素子が用いられる環境に起因する水分などから
櫛歯状電極、反射器、圧電性基板などを保護することも
できる。
【００７７】また、本発明の弾性表面波素子の製造方法
は、第１の誘電体膜１０２の比誘電率または厚さを、製
造する弾性表面波素子の動作周波数、通過周波数帯域、
許容されるリップルなどに応じて形成している。したが
って、第１の誘電体膜１０２を形成しても、通過周波数
帯域が減少したり、通過周波数帯域内でのリップルが増
大したりすることはなく、特性の優れた弾性表面波素子
を製造することができる。
は、第１の誘電体膜１０２の比誘電率または厚さを、製
造する弾性表面波素子の動作周波数、通過周波数帯域、
許容されるリップルなどに応じて形成している。したが
って、第１の誘電体膜１０２を形成しても、通過周波数
帯域が減少したり、通過周波数帯域内でのリップルが増
大したりすることはなく、特性の優れた弾性表面波素子
を製造することができる。
【００７８】なお、ここに取り上げた製造例では第１の
誘電体膜１０２、第２の誘電体膜１０５の成膜にはスパ
ッタ法を用いたが、Ｐ−ＣＶＤ法（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
法）やその他の成膜方法を必要に応じて用いるようにす
ればよい。また、アルミニウム薄膜１０３ｂの成膜には
真空蒸着法を用いたが、スパッタ法により成膜するよう
にしてもよい。さらに、アルミニウム薄膜のエッチング
には、混酸によるエッチング（ウエット・エッチング）
を行ったが、例えば塩素系のガスなどを用いてエッチン
グするドライ・エッチング法を用いるようにしてもよ
い。
誘電体膜１０２、第２の誘電体膜１０５の成膜にはスパ
ッタ法を用いたが、Ｐ−ＣＶＤ法（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
法）やその他の成膜方法を必要に応じて用いるようにす
ればよい。また、アルミニウム薄膜１０３ｂの成膜には
真空蒸着法を用いたが、スパッタ法により成膜するよう
にしてもよい。さらに、アルミニウム薄膜のエッチング
には、混酸によるエッチング（ウエット・エッチング）
を行ったが、例えば塩素系のガスなどを用いてエッチン
グするドライ・エッチング法を用いるようにしてもよ
い。
【００７９】（実施形態５）図１４は本発明の弾性表面
波素子を外囲器に搭載した弾性表面波装置の構造の例を
概略的に示す図である。また図１５は図１４に例示した
本発明の弾性表面波装置の断面構造を概略的に示す図で
ある。
波素子を外囲器に搭載した弾性表面波装置の構造の例を
概略的に示す図である。また図１５は図１４に例示した
本発明の弾性表面波装置の断面構造を概略的に示す図で
ある。
【００８０】この弾性表面波装置２００は、Ｌｉ2 Ｂ4
Ｏ7 （ＬＢＯ）からなる圧電性基板２０１と、この圧電
性基板２０１の第１の面に配設された金属薄膜からなる
櫛歯状電極２０２ｂを含む電極パターンと、圧電性基板
２０１の第２の面に配設されたＳｉＯ2 からなる第３の
誘電体膜２０３とを有する弾性表面波素子を外囲器２０
４に搭載したものである。外囲器２０４と弾性表面波素
子とは接着層２０５により接合されている。また外囲器
２０４は図示しない接続端子を有しており、櫛歯状電極
２０２ｂの入出力端子と図示しないボンディングワイヤ
などにより電気的に接続されている。
Ｏ7 （ＬＢＯ）からなる圧電性基板２０１と、この圧電
性基板２０１の第１の面に配設された金属薄膜からなる
櫛歯状電極２０２ｂを含む電極パターンと、圧電性基板
２０１の第２の面に配設されたＳｉＯ2 からなる第３の
誘電体膜２０３とを有する弾性表面波素子を外囲器２０
４に搭載したものである。外囲器２０４と弾性表面波素
子とは接着層２０５により接合されている。また外囲器
２０４は図示しない接続端子を有しており、櫛歯状電極
２０２ｂの入出力端子と図示しないボンディングワイヤ
などにより電気的に接続されている。
【００８１】そして第３の誘電体膜２０３は、弾性表面
波素子の周波数特性を損なわないような所望の膜厚に調
節して形成されている。第３の誘電体膜の膜厚は約５０
ｎｍ以下程度に設定することが好ましく、約３０ｎｍ以
下に設定することがより好ましい。ここでは第３の誘電
体膜２０３はスパッタ法により約２０ｎｍの厚さに形成
している。第３の誘電体膜２０３は、種類の異なる絶縁
性物質を混合したり積層させたり、あるいは適宜組み合
わせて配設するようにしてもよい。また厚さとととも
に、前述のように誘電率を選択して配設するようにして
もよい。
波素子の周波数特性を損なわないような所望の膜厚に調
節して形成されている。第３の誘電体膜の膜厚は約５０
ｎｍ以下程度に設定することが好ましく、約３０ｎｍ以
下に設定することがより好ましい。ここでは第３の誘電
体膜２０３はスパッタ法により約２０ｎｍの厚さに形成
している。第３の誘電体膜２０３は、種類の異なる絶縁
性物質を混合したり積層させたり、あるいは適宜組み合
わせて配設するようにしてもよい。また厚さとととも
に、前述のように誘電率を選択して配設するようにして
もよい。
【００８２】なおこの例では、圧電性基板２０１の第１
の面に直接櫛歯状電極２０２ｂを配設した例を示してい
るが、実施形態１乃至実施形態４で説明したように、圧
電性基板２０１上に第１の誘電体膜を配設しその上に櫛
歯状電極２０２ｂを配設するようにしてもよいし、さら
に櫛歯状電極２０２ｂを第３の誘電体膜により覆うよう
にしてもよい。
の面に直接櫛歯状電極２０２ｂを配設した例を示してい
るが、実施形態１乃至実施形態４で説明したように、圧
電性基板２０１上に第１の誘電体膜を配設しその上に櫛
歯状電極２０２ｂを配設するようにしてもよいし、さら
に櫛歯状電極２０２ｂを第３の誘電体膜により覆うよう
にしてもよい。
【００８３】（実施形態６）図１６は本発明の弾性表面
波素子の製造方法の例を説明するための図である。ここ
では図１４、図１５に例示した本発明の弾性表面波素子
の製造例について説明する。
波素子の製造方法の例を説明するための図である。ここ
では図１４、図１５に例示した本発明の弾性表面波素子
の製造例について説明する。
【００８４】まず四硼酸リチウムからなる圧電性基板２
０１を所定のカット角で切り出してその両面をパフなど
により研磨する。
０１を所定のカット角で切り出してその両面をパフなど
により研磨する。
【００８５】ついで、圧電性基板２０１の第１の面に例
えばスパッタ法などにより、例えばＳｉＯ2 などの第３
の誘電体膜２０３を堆積する。このとき第３の誘電体膜
２０３は、弾性表面波素子の周波数特性を損なわないよ
うな所望の膜厚に調節して形成している。第３の誘電体
膜の膜厚は約５０ｎｍ以下程度に設定することが好まし
く、約３０ｎｍ以下に設定することがより好ましい。こ
こでは第３の誘電体膜２０３はスパッタ法により約２０
ｎｍの厚さに形成している。第３の誘電体膜２０３は、
種類の異なる絶縁性物質を混合したり積層させたり、あ
るいは適宜組み合わせて配設するようにしてもよい。ま
た厚さととともに、前述のように誘電率を選択して配設
するようにしてもよい。
えばスパッタ法などにより、例えばＳｉＯ2 などの第３
の誘電体膜２０３を堆積する。このとき第３の誘電体膜
２０３は、弾性表面波素子の周波数特性を損なわないよ
うな所望の膜厚に調節して形成している。第３の誘電体
膜の膜厚は約５０ｎｍ以下程度に設定することが好まし
く、約３０ｎｍ以下に設定することがより好ましい。こ
こでは第３の誘電体膜２０３はスパッタ法により約２０
ｎｍの厚さに形成している。第３の誘電体膜２０３は、
種類の異なる絶縁性物質を混合したり積層させたり、あ
るいは適宜組み合わせて配設するようにしてもよい。ま
た厚さととともに、前述のように誘電率を選択して配設
するようにしてもよい。
【００８６】そして圧電性基板２０１の第１の面には例
えば真空蒸着法などにより金属薄膜２０２ａを形成する
（図１６（ａ））。
えば真空蒸着法などにより金属薄膜２０２ａを形成する
（図１６（ａ））。
【００８７】ついで、この金属薄膜２０２ａ上にレジス
ト２０６を堆積し、フォトエッチングプロセスにより露
光、現像し（図１６（ｂ））、このレジスト２０６をマ
スクとして金属薄膜２０２ａをパターニングして櫛歯状
電極２０２ｂを形成する（図１６（ｃ））。
ト２０６を堆積し、フォトエッチングプロセスにより露
光、現像し（図１６（ｂ））、このレジスト２０６をマ
スクとして金属薄膜２０２ａをパターニングして櫛歯状
電極２０２ｂを形成する（図１６（ｃ））。
【００８８】そしてレジスト２０６を除去し（図１６
（ｄ））、ダイシングによりウエハ状態から個々の弾性
表面波素子を分離する。本発明の弾性表面波素子では、
ＬＢＯからなる圧電性基板２０１の第２の面に誘電体膜
２０３を配設しているため、ダイシング工程を通じてウ
エハあるいは弾性表面波素子のチップがステージに強固
に固定され、途中で飛散したりすることはなく、生産性
を大きく向上することができた。このような効果は、圧
電性基板の裏面を研磨せずとも、あるいは意図的に粗面
に形成しても同様に得ることができたが、特に研磨した
場合にはその効果が大きかった。
（ｄ））、ダイシングによりウエハ状態から個々の弾性
表面波素子を分離する。本発明の弾性表面波素子では、
ＬＢＯからなる圧電性基板２０１の第２の面に誘電体膜
２０３を配設しているため、ダイシング工程を通じてウ
エハあるいは弾性表面波素子のチップがステージに強固
に固定され、途中で飛散したりすることはなく、生産性
を大きく向上することができた。このような効果は、圧
電性基板の裏面を研磨せずとも、あるいは意図的に粗面
に形成しても同様に得ることができたが、特に研磨した
場合にはその効果が大きかった。
【００８９】この後、弾性表面波素子の第３の誘電体膜
２０３上に粘着材等の接着層２０５を塗布し（図１６
（ｅ））、この接着層２０５を介して外囲器２０４の素
子搭載面とを粘着材２０５を介して対向配置する（図１
６（ｆ））。さらに外囲器２０４と弾性表面波素子の入
出力端子とをボンディングワイヤなどにより電気的に接
続し、メタルキャップ等により外囲器を気密封止すれば
弾性表面波装置が完成する。
２０３上に粘着材等の接着層２０５を塗布し（図１６
（ｅ））、この接着層２０５を介して外囲器２０４の素
子搭載面とを粘着材２０５を介して対向配置する（図１
６（ｆ））。さらに外囲器２０４と弾性表面波素子の入
出力端子とをボンディングワイヤなどにより電気的に接
続し、メタルキャップ等により外囲器を気密封止すれば
弾性表面波装置が完成する。
【００９０】このように本発明の弾性表面波素子の製造
方法によれば、ＬＢＯなどの水溶性を有する圧電性基板
を用いて、高い生産性で、良好な特性を有する弾性表面
波素子を製造することができる。また本発明の弾性表面
波素子を搭載した弾性表面波装置では、圧電性基板の裏
面に誘電体膜が配設されており、この膜により圧電性基
板が保護されるため、例えば水分などによる圧電性基板
の経時的変化を防止することができる。このため弾性表
面波装置の信頼性を向上することができる。
方法によれば、ＬＢＯなどの水溶性を有する圧電性基板
を用いて、高い生産性で、良好な特性を有する弾性表面
波素子を製造することができる。また本発明の弾性表面
波素子を搭載した弾性表面波装置では、圧電性基板の裏
面に誘電体膜が配設されており、この膜により圧電性基
板が保護されるため、例えば水分などによる圧電性基板
の経時的変化を防止することができる。このため弾性表
面波装置の信頼性を向上することができる。
【００９１】
【発明の効果】本発明の弾性表面波素子によれば、圧電
性基板上に第１の誘電体膜と第２の誘電体膜の複数の誘
電体膜を配設することにより、どちらか一方の誘電体膜
に欠陥が生じても、圧電性基板を保護する機能を維持す
ることができ、弾性表面波素子の信頼性を向上すること
ができる。また第２の誘電体膜は、櫛歯状電極あるいは
図示しない反射器などの弾性表面波素子を構成する電極
パターンを覆うように配設されており、製造工程におい
ても、実際に使用されるときにもこれらの電極パターン
を保護することができる。また本発明の弾性表面波素子
は、比誘電率または膜厚を選択した第１の誘電体膜を圧
電性基板上に形成するので、酸や水に溶解する性質を有
する四硼酸リチウムなどからなる圧電性基板を用いるこ
とができる。またこの構造によれば、第１の誘電体膜を
形成して弾性表面波素子の特性を均一にすることができ
るとともに、周波数特性の優れた、信頼性の高い弾性表
面波素子となる。
性基板上に第１の誘電体膜と第２の誘電体膜の複数の誘
電体膜を配設することにより、どちらか一方の誘電体膜
に欠陥が生じても、圧電性基板を保護する機能を維持す
ることができ、弾性表面波素子の信頼性を向上すること
ができる。また第２の誘電体膜は、櫛歯状電極あるいは
図示しない反射器などの弾性表面波素子を構成する電極
パターンを覆うように配設されており、製造工程におい
ても、実際に使用されるときにもこれらの電極パターン
を保護することができる。また本発明の弾性表面波素子
は、比誘電率または膜厚を選択した第１の誘電体膜を圧
電性基板上に形成するので、酸や水に溶解する性質を有
する四硼酸リチウムなどからなる圧電性基板を用いるこ
とができる。またこの構造によれば、第１の誘電体膜を
形成して弾性表面波素子の特性を均一にすることができ
るとともに、周波数特性の優れた、信頼性の高い弾性表
面波素子となる。
【００９２】本発明の弾性表面波素子の製造方法によれ
ば、圧電性基板上に第１の誘電体膜を形成しても、通過
周波数帯域が減少したり、通過周波数帯域内でのリップ
ルが増大したりすることはなく、特性の優れた弾性表面
波素子を製造することができる。
ば、圧電性基板上に第１の誘電体膜を形成しても、通過
周波数帯域が減少したり、通過周波数帯域内でのリップ
ルが増大したりすることはなく、特性の優れた弾性表面
波素子を製造することができる。
【００９３】また、酸に圧電基板が直接触れない構造と
することにより、従来から用いられているエッチング・
スピードの高い酸をエッチング液として用いアルミニウ
ム電極を形成することができる。また、アルミニウム電
極形成後に圧電基板は、直接外気に晒されないため基板
の吸湿性等に起因するアルミニウム電極の腐食を防止す
ることができる。
することにより、従来から用いられているエッチング・
スピードの高い酸をエッチング液として用いアルミニウ
ム電極を形成することができる。また、アルミニウム電
極形成後に圧電基板は、直接外気に晒されないため基板
の吸湿性等に起因するアルミニウム電極の腐食を防止す
ることができる。
【００９４】本発明の弾性表面波素子の製造方法によれ
ば、ダイシング中の冷却水などの要因による弾性表面波
素子の飛散がなくなり、また、圧電性基板裏面に誘電体
膜を形成しても通過周波数帯域が減少したり、通過周波
数帯域内でのリップルが増大することはなく、特性の優
れた弾性表面波素子を製造することができる。
ば、ダイシング中の冷却水などの要因による弾性表面波
素子の飛散がなくなり、また、圧電性基板裏面に誘電体
膜を形成しても通過周波数帯域が減少したり、通過周波
数帯域内でのリップルが増大することはなく、特性の優
れた弾性表面波素子を製造することができる。
【図１】本発明の弾性表面波素子の構造を概略的に示す
図。
図。
【図２】図１（ａ）に例示した弾性表面波素子の一部を
拡大して示す図。
拡大して示す図。
【図３】本発明の弾性表面波素子の構造の別の例を概略
的に示す図。。
的に示す図。。
【図４】第１の誘電体膜１０２の膜厚と電気機械結合係
数との関係を示す図。
数との関係を示す図。
【図５】第１の誘電体膜１０２を含むＬＢＯ基板の電気
機械結合係数ｋ2 と弾性表面波フィルタの周波数特性と
の関係を示す図。
機械結合係数ｋ2 と弾性表面波フィルタの周波数特性と
の関係を示す図。
【図６】弾性表面波フィルタの３ｄＢ帯域幅とＳｉＯ2
膜厚との関係を示す図。
膜厚との関係を示す図。
【図７】弾性表面波フィルタの３ｄＢ帯域幅と電気機械
結合係数ｋ2 の関係を示す図。
結合係数ｋ2 の関係を示す図。
【図８】換算膜厚と電気機械結合係数ｋ2 との関係を示
す図。
す図。
【図９】第１の誘電体膜１０２の比誘電率と所定の電気
機械結合係数ｋ2 を得るために必要な第１の誘電体膜１
０２の膜厚との関係を示す図。
機械結合係数ｋ2 を得るために必要な第１の誘電体膜１
０２の膜厚との関係を示す図。
【図１０】本発明の弾性表面波素子の製造方法を説明す
るための図。
るための図。
【図１１】従来の弾性表面波素子の製造方法を説明する
ための図。
ための図。
【図１２】従来の弾性表面波素子の製造方法を説明する
ための図。
ための図。
【図１３】ＬＢＯ基板を用いた従来の弾性表面波素子の
製造方法の例を概略的に示す図。
製造方法の例を概略的に示す図。
【図１４】本発明の弾性表面波素子を外囲器に搭載した
弾性表面波装置の構造の例を概略的に示す図。
弾性表面波装置の構造の例を概略的に示す図。
【図１５】図１４に例示した本発明の弾性表面波装置の
断面構造を概略的に示す図。
断面構造を概略的に示す図。
【図１６】本発明の弾性表面波素子の製造方法の例を説
明するための図。
明するための図。
１００…………弾性表面波素子 １０１…………圧電性基板 １０２…………第１の誘電体膜 １０３…………アルミニウム薄膜 １０３ｂ………櫛歯状電極 １０４…………レジスト １０５…………第２の誘電体膜 ２００…………弾性表面波装置 ２０１…………圧電性基板 ２０２…………導体薄膜 ２０２ｂ………櫛歯状電極 ２０３…………第３の誘電体膜 ２０４…………外囲器 ２０５…………接着層
Claims (10)
- 【請求項１】 四硼酸リチウムからなる圧電性基板と、 この圧電性基板上に配設された第１の誘電体膜と、 前記第１の誘電体膜上に前記第１の誘電体膜を介して前
記圧電性基板と電気機械結合するように配設された櫛歯
状電極と、 この櫛歯状電極を覆うように配設された第２の誘電体膜
とを具備したことを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】 前記第１の誘電体膜は前記櫛歯状電極を
前記圧電性基板上に直接配設したときの電気機械結合係
数と前記櫛歯状電極を前記第１の誘電体膜上に配設した
ときの電気機械結合係数とがほぼ等しくなるように選択
された膜厚および比誘電率を有することを特徴とする請
求項１に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】 四硼酸リチウムからなる圧電性基板上に
第１の誘電体膜を形成する工程と、 前記第１の誘電体膜上に櫛歯状電極を形成する工程と、 前記櫛歯状電極を覆うように前記第１の誘電体膜上に第
２の誘電体膜を形成する工程とを有することを特徴とす
る弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の誘電体膜を形成する工程は、
前記圧電性基板上を伝搬する弾性表面波の電気機械結合
係数ｋ2 が０．７４％より大きくなるように膜厚および
比誘電率を選択して形成することを特徴とする弾性表面
波素子の製造方法。 - 【請求項５】 四硼酸リチウムからなり、第１の面と第
２の面とを有する圧電性基板と、 前記圧電性基板の第１の面に配設された第１の誘電体膜
と、 前記第１の誘電体膜上に前記第１の誘電体膜を介して前
記圧電性基板と電気機械結合するように配設された櫛歯
状電極と、 前記圧電性基板の第２の面に配設された第３の誘電体膜
とを具備したことを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項６】 前記櫛歯状電極を覆うように配設された
第２の誘電体膜をさらに具備したことを特徴とする請求
項５に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項７】 前記第３の誘電体膜の膜厚は約５０ｎｍ
以下であることを特徴とする請求項５乃至請求項６のい
ずれかに記載の弾性表面波素子。 - 【請求項８】 四硼酸リチウムからなり、第１の面と第
２の面とを有する圧電性基板の前記第１の面と前記第２
の面とを研磨する工程と、 前記圧電性基板の前記第１の面に導体薄膜を堆積する工
程と、 前記導体薄膜をパターニングする工程と、 前記圧電性基板の前記第２の面に第３の誘電体膜を堆積
する工程とを具備したことを特徴とする弾性表面波素子
の製造方法。 - 【請求項９】 四硼酸リチウムからなり、第１の面と第
２の面とを有する圧電性基板の前記第１の面と前記第２
の面とを研磨する工程と、 前記圧電性基板の前記第１の面に第２の誘電体膜を堆積
する工程と、 前記圧電性基板の第１の面に導体薄膜を堆積する工程
と、 前記導体薄膜をパターニングする工程と、 前記圧電性基板の第２の面に第３の誘電体膜を堆積する
工程とを具備したことを特徴とする弾性表面波素子の製
造方法。 - 【請求項１０】 四硼酸リチウムからなり、複数の素子
領域を有するウエハの第１の面に導体薄膜を堆積し前記
素子領域ごとに弾性表面波素子が形成されるようにパタ
ーニングする工程と、 前記ウエハの第２の面を研磨する工程と、 前記ウエハの第２の面に誘電体膜を堆積する工程と、 前記ウエハの第２の面とステージとを接着手段によりに
固定する工程と、 前記ウエハを前記素子領域ごとに分離する工程とを具備
したことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32836297A JPH1188101A (ja) | 1997-07-08 | 1997-11-28 | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-182811 | 1997-07-08 | ||
| JP18281197 | 1997-07-08 | ||
| JP32836297A JPH1188101A (ja) | 1997-07-08 | 1997-11-28 | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1188101A true JPH1188101A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=26501471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32836297A Pending JPH1188101A (ja) | 1997-07-08 | 1997-11-28 | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1188101A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025967A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 強誘電体膜の損傷層を除去するための清浄液及びこれを利用した清浄方法 |
| US7046102B2 (en) | 2002-03-06 | 2006-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, balanced type circuit, and communication apparatus |
| JP2008067289A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| JP2008078739A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| JP2008109413A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| WO2014034222A1 (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| KR20140064916A (ko) * | 2011-09-30 | 2014-05-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
| WO2014192614A1 (ja) | 2013-05-27 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| WO2016017129A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave elements, antenna duplexers, modules and electronic devices using the same |
| US9634644B2 (en) | 2014-07-28 | 2017-04-25 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave elements and antenna duplexers, and modules and electronic devices using same |
| JP2020031428A (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 多層圧電基板 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP32836297A patent/JPH1188101A/ja active Pending
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