CN101244613B - 保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 - Google Patents
保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101244613B CN101244613B CN2007100849333A CN200710084933A CN101244613B CN 101244613 B CN101244613 B CN 101244613B CN 2007100849333 A CN2007100849333 A CN 2007100849333A CN 200710084933 A CN200710084933 A CN 200710084933A CN 101244613 B CN101244613 B CN 101244613B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- protective layer
- cutting
- layer
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 83
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003701 mechanical milling Methods 0.000 description 2
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明揭露一种保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法。首先提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件，接着在该晶片的正面形成保护层，然后利用第一黏着层将晶片固定于切割载具，之后进行晶片切割工艺，以形成多个管芯，最后移除该第一黏着层以及该保护层，以分离所述管芯供后续封装之用。其中该保护层为水溶性胶。
Description
技术领域
本发明关于一种保护晶片正面结构的方法，特别是一种以一水溶性胶保护层覆盖于晶片的正面，在晶片切割工艺形成多个管芯后，再以热水去除该水溶性胶保护层的方法。
背景技术
因应消费性电子产品的超薄化晶片及微机电产品的特殊工艺需求，各种晶片的承载技术纷纷被开发且应用于产品上，以现有的技术来说每片晶片上制造了数百或数千个包含电路、微机电结构或是光学元件的管芯(管芯的数量将取决于该晶片的尺寸，及各个管芯的尺寸)，这些元件被整齐地制造于晶片上，因此，要把每一个集成电路从晶片上分割下来予以封装成具有独立功能的个体，必须将其切割。目前使用的技术可略分成下列几类：
1)将该晶片接于另一晶片上以加强以其强度，当工艺结束时，再使用特殊工艺将两晶片分离；常用的两种接合方式如下：
(A)利用双面具黏性的胶带，在两晶片接合并切割工艺结束后，再利用特殊工艺将两晶片分开；或
(B)使用特殊胶或是蜡当作接合物，当切割工艺完成后再泡入可去除该特殊胶或蜡的特定溶剂中，去除该接合物。除了前述以双面胶带、特殊胶或蜡将欲切割的晶片接合在另一晶片上的方式外，另一种方式则为：
2)将晶片贴于单面胶带上，配合切割用的胶圈或金属圈作为框架，以支撑该晶片，在晶片切割工艺结束后，再将单面胶带和框架移除。
然而，上述的几种方式在接合用的胶带或接合物移除后，在接合物和晶片的接触面、或是单面胶带和晶片的接触面，都会发现有残胶滞留在晶片表面(或更明确的说，滞留在独立管芯表面的微机电结构或光学元件表面)，更令人担心的是，这些滞留的残胶去除不易，不仅造成工艺污染，同时也会使产品的成品率降低。
发明内容
有鉴于此，申请人为解决习知切割工艺后常见的残胶问题，特提出一种保护晶片正面并进行晶片切割的方法，依本发明所述的方法所切割完成的管芯，不仅工艺成品率稳定，亦无残胶污染的问题。
为解决上述问题，本发明提供一种保护晶片正面结构的方法。首先提供一晶片，且该晶片的一正面设有多个元件，接着形成一保护层覆盖于该晶片的该正面，然后提供一第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于一切割载具，之后进行一晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，形成多个管芯，最后移除该第一黏着层及该保护层。
此外，申请人另提出一种保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法。最初先提供一晶片，而该晶片的一正面设有多个元件，然后形成一水溶性胶保护层覆盖于该晶片的该正面，并且提供一第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于一切割载具，之后进行一晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，单体化所述元件以形成多个管芯，再者提供一第二黏着层贴附于所述管芯的背面，并翻转所述管芯，之后移除该第一黏着层及该水溶性胶保护层，最后移除该第二黏着层以单体化所述管芯。
附图说明
图1至图8，是依据本发明的一优选实施例所绘示的保护晶片正面图案及进行晶片切割的操作步骤。
主要元件符号说明
10 晶片 12 正面
14 元件 16 光阻层
18 保护层 20 背面
22 第一黏着层 24 框架
26 管芯 28 第二黏着层
具体实施方式
为了突显本发明的优点及特征，下文列举本发明的数个优选实施例，并配合图示作详细说明如下：
首先请参考图1至8图，是依据本发明的一优选实施例所绘示的保护晶片正面图案及进行晶片切割的操作步骤。如图1所示，首先提供一晶片10，晶片10已完成前段元件制作的工艺，在晶片10的一正面12形成有多个元件14，其中元件14可以是具有立体结构的微机电元件、可感应或投射影像的光学元件或是其他可传递电子信号的电路。
接着如图2所示，在晶片10的正面12形成一光阻层16，接着再形成一保护层18覆盖于晶片10的正面12。在此必须说明的是，形成于晶片10的正面12的光阻层16或保护层18，其功能都是在于保护设于正面12的元件14，由于保护层18已具有保护元件14的功能，因此光阻层16的设置并非本发明所述的方法操作时的必要步骤，即光阻层16的设置与否可依元件14的态样而选择性地形成，例如，当元件16为具有立体结构的微机电元件时，则可利用光阻层16先覆盖于该些微机电元件，同时光阻层16可填补该些微机电元件立体空间内的空隙，更能强化光阻层16保护该些微机电元件的功能。此外，在保护层18形成后，另可进行一固化(curing)工艺，使保护层18失去原有的黏性。由于本优选实施例所使用的保护层18材料为一水溶性胶，其特性在于固化后并不溶于一般的水或是溶液，必须以温度较高的热水才能将固化后的保护层18移除。
之后如图3所示，可视晶片10的种类及厚薄度，选择性地进行一晶片薄化工艺，例如利用一化学机械研磨工艺(CMP)，自晶片10的一背面20薄化该晶片，减少晶片10的厚度。如晶片10已为一薄晶片，则可略过此一步骤，直接进行后续所述的工艺。然而薄化晶片10的方法并不限于本优选实施例所示的化学机械研磨工艺，其他适用于薄化基板或晶片的方法，例如蚀刻或利用晶片薄化机台薄化晶片10等方法，亦适用于本发明。
此时，如图4所示，提供一第一黏着层22贴附于保护层18上，并将晶片10固定至一晶片载具，如利用一框架24支撑第一黏着层22及晶片10或利用第一黏着层22将晶片10固定于一承载晶片(图未示)。且第一黏着层22可使用习知技术中晶片切割常用的切割胶带，其特性在此不多作说明。
在晶片10固定后，进行一晶片切割工艺，如图5所示，利用一晶片切割机台自晶片10的背面20切割晶片10，分离该些元件14以形成各具功能的多个管芯26。由于第一黏着层22周围有框架24支撑，切割形成的管芯26将井然有序排列于第一黏着层22上，而框架24的支撑避免了第一黏着层22的皱折与管芯26间相互碰撞。其后如图6所示，另提供一第二黏着层28，贴附于该些管芯26的背面，并翻转该些管芯26。于本实施例中，以一具有黏性的第二黏着层28辅助翻转已分割完成的管芯26，然并不以此为限，其他可用于协助管芯26翻转的工具或方法，此外，翻转晶片10的方式不限于本实施例所述另提供第二黏着层28协助晶片翻转，在不损及元件14及管芯26的前提下，以任何可能的方式翻转晶片，如晶片夹具、静电吸盘等，亦可运用于本发明。
晶片切割的步骤至此已大致完成，然后如图7所示，移除贴附于保护层18表面的第一黏着层28，并利用加热后具有较高温度的热水直接冲刷保护层18，以迅速移除保护层18。最后如图8所示，移除固定管芯26的第二黏着层，以分离各个管芯26，供后续的产品封装使用。
由上述的优选实施例可知，本发明的一特性在于利用保护层当作晶片及切割胶带间的中间物，除具有保护元件的功能外，以可避免习知残胶滞留元件表面、影响元件性能、或造成产品成品率下降等问题。再者，以本发明所述的方法进行晶片切割的晶片，并不受晶片本身的厚薄度限制，若欲切割的晶片为薄晶片，亦可放心利用本发明所述的方法进行切割，不需另行添购薄晶片专用的切割机台或昂贵的薄晶片清洗设备，以降低制造生产上的成本。最后，本发明所述的实施例在形成保护层保护晶片正面结构元件后，进行晶片切割工艺作简单的说明，然而，本发明的精神不仅能应用于晶片切割，其他需要先保护晶片正面元件结构、再进行后续动作的半导体工艺，例如欲另在晶片背面制作其他元件的双面工艺，同样准用本发明所述的保护层，以确保晶片正面元件功能正常，并可减少工艺污染。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (11)
1.一种保护晶片正面结构的方法，包含有：
提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件；
形成保护层覆盖于该晶片的该正面；
提供第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于切割载具；
进行晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，形成多个管芯；以及
移除该第一黏着层及该保护层，
其中该保护层为水溶性胶。
2.如权利要求1所述的方法，其中于形成该保护层覆盖于该晶片的该正面前，可选择性地形成光阻层，以保护所述元件。
3.如权利要求1所述的方法，其中于该保护层形成后，另包含固化工艺，并使该保护层失去黏性。
4.如权利要求1所述的方法，其中于该晶片固定于该切割载具后，可选择性地进行晶片薄化工艺，自该晶片的该背面薄化该晶片。
5.如权利要求1所述的方法，其中于该晶片切割工艺后，另包含提供第二黏着层，将该第二黏着层黏附于所述管芯的背面以固定所述管芯，以利翻转所述管芯。
6.如权利要求1所述的方法，其中该保护层利用热水移除。
7.一种保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法，包含有：
提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件；
形成水溶性胶保护层覆盖于该晶片的该正面；
提供第一黏着层贴附于该保护层上，并将该晶片固定于切割载具；
进行晶片切割工艺，自该晶片的一背面切割该晶片，单体化所述元件以形成多个管芯；
提供第二黏着层贴附于所述管芯的背面，并翻转所述管芯；
移除该第一黏着层及该水溶性胶保护层；以及
移除该第二黏着层以单体化所述管芯。
8.如权利要求7所述的方法，其中于形成该水溶性胶保护层覆盖于该晶片的该正面前，可选择性地形成光阻层，以保护所述元件。
9.如权利要求7所述的方法，其中于该水溶性胶保护层形成后，另包含固化工艺，并使该保护层失去黏性。
10.如权利要求7所述的方法，其中于该晶片固定于该切割载具后，可选择性地进行晶片薄化工艺，自该晶片的该背面薄化该晶片。
11.如权利要求7所述的方法，其中该水溶性胶保护层利用热水移除。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100849333A CN101244613B (zh) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100849333A CN101244613B (zh) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101244613A CN101244613A (zh) | 2008-08-20 |
| CN101244613B true CN101244613B (zh) | 2012-02-22 |
Family
ID=39945397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007100849333A Expired - Fee Related CN101244613B (zh) | 2007-02-16 | 2007-02-16 | 保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101244613B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8043891B2 (en) * | 2009-06-05 | 2011-10-25 | Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. | Method of encapsulating a wafer level microdevice |
| CN103128865A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种硅片切割方法 |
| JP2015118976A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
| CN111668110B (zh) * | 2019-03-08 | 2022-11-01 | 矽磐微电子(重庆)有限公司 | 半导体芯片的封装方法 |
| CN112542534B (zh) * | 2019-09-20 | 2022-04-05 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种表面生长ito和铝电极的led晶片切割方法 |
| CN113001793B (zh) * | 2021-03-12 | 2022-08-02 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种晶体处理装置及方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| US6297131B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method for grinding and dicing a wafer from a back side of the wafer |
| US6551906B2 (en) * | 2000-07-06 | 2003-04-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| US6603191B2 (en) * | 2000-05-18 | 2003-08-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN1206726C (zh) * | 1999-11-11 | 2005-06-15 | 卡西欧计算机株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
-
2007
- 2007-02-16 CN CN2007100849333A patent/CN101244613B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| US6297131B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method for grinding and dicing a wafer from a back side of the wafer |
| CN1206726C (zh) * | 1999-11-11 | 2005-06-15 | 卡西欧计算机株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
| US6603191B2 (en) * | 2000-05-18 | 2003-08-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6551906B2 (en) * | 2000-07-06 | 2003-04-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101244613A (zh) | 2008-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101244613B (zh) | 保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 | |
| JP6738591B2 (ja) | 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ | |
| TWI446420B (zh) | 用於半導體製程之載體分離方法 | |
| TWI664078B (zh) | Mask integrated surface protection film | |
| JP2002118081A5 (zh) | ||
| TWI324801B (en) | Method of protecting front surface structure of wafer and dividing wafer | |
| CN102822946B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| JP2016171263A (ja) | 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび半導体ウェハ処理用表面保護テープ。 | |
| KR102282587B1 (ko) | 반도체 칩의 제조 방법 | |
| US7169248B1 (en) | Methods for releasably attaching support members to microfeature workpieces and microfeature assemblies formed using such methods | |
| CN103295893A (zh) | 一种晶圆级微组装工艺 | |
| CN103367221A (zh) | 一种晶圆拆键合工艺及系统 | |
| US7846776B2 (en) | Methods for releasably attaching sacrificial support members to microfeature workpieces and microfeature devices formed using such methods | |
| JP7084702B2 (ja) | 指紋センサに適したカバー部材を製造する方法 | |
| JP2006286900A (ja) | チップの製造方法 | |
| TW201923862A (zh) | 半導體晶片之製造方法 | |
| US7306955B2 (en) | Method of performing a double-sided process | |
| JP4234630B2 (ja) | 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ | |
| CN109716502A (zh) | 掩模一体型表面保护带 | |
| CN102122624B (zh) | 晶圆封装方法 | |
| CN102163542A (zh) | 薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片 | |
| JP2000040677A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2009095962A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| CN102064092B (zh) | 用于半导体工艺的载体分离方法 | |
| TWI722002B (zh) | 製造電子組件或晶粒的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120222 Termination date: 20150216 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |