KR101729334B1 - 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치 - Google Patents

보호 테이프 박리 방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101729334B1
KR101729334B1 KR1020100083994A KR20100083994A KR101729334B1 KR 101729334 B1 KR101729334 B1 KR 101729334B1 KR 1020100083994 A KR1020100083994 A KR 1020100083994A KR 20100083994 A KR20100083994 A KR 20100083994A KR 101729334 B1 KR101729334 B1 KR 101729334B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective tape
peeling
substrate
adsorption plate
tape
Prior art date
Application number
KR1020100083994A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110023821A (ko
Inventor
유끼또시 하세
마사유끼 야마모또
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20110023821A publication Critical patent/KR20110023821A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101729334B1 publication Critical patent/KR101729334B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1142Changing dimension during delaminating [e.g., crushing, expanding, warping, etc.]
    • Y10T156/1147Using shrinking or swelling agent during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1911Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1911Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y10T156/1917Electromagnetic radiation delaminating means [e.g., microwave, uv, ir, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

보호 테이프가 부착된 상태에서 다이싱 처리가 실시된 마운트 프레임을 이면으로부터 척 테이블에 의해 흡착 유지함과 함께, 히터를 매설한 흡착 플레이트를 접촉시켜 가열함으로써 점착층을 발포 팽창시켜 접착력을 상실하게 한 후, 흡착력을 유지하면서 흡착 플레이트를 상승시켜 모든 칩 부품으로부터 보호 테이프를 박리한다.

Description

보호 테이프 박리 방법 및 그 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING PROTECTIVE TAPE}
본 발명은 반도체 웨이퍼, 회로 기판, 및 전자 디바이스(예를 들어, LED(Light-emitting diode; 발광 다이오드)나 CCD(charge coupled device; 전하 결합 소자)) 등의 기판의 회로면을 보호하는 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치에 관한 것이며, 특히 기판을 소정 형상으로 분단한 후의 칩 부품으로부터 보호 테이프를 박리하는 기술에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)는, 그 표면 상에 다수의 소자를 형성한 후, 백그라인드 공정에서 웨이퍼 이면을 깎아낸다. 그 후, 다이싱 공정에서 각 소자로 분할 절단된다. 최근에는 고밀도 실장의 요구에 수반하여 웨이퍼 두께를 100㎛ 내지 50㎛, 나아가 그 이하로까지 얇게 하는 경향이 있다.
따라서, 백그라인드 공정에서 웨이퍼를 박화 가공할 때, 웨이퍼의 회로면의 보호, 백그라인드시의 연삭 스트레스로부터의 웨이퍼의 보호, 및 백그라인드에 의해 박형화된 웨이퍼의 보강을 위해, 그 표면에 보호 테이프가 부착된다.
또한, 백그라인드 공정 후에, 다이싱 테이프를 개재하여 링 프레임에 웨이퍼를 접착 유지하여 이루어지는 마운트 프레임에 있어서, 그 웨이퍼 상의 보호 테이프에 박리용의 점착 테이프를 부착하여 박리함으로써, 당해 점착 테이프와 일체로 하여 보호 테이프를 웨이퍼 표면으로부터 박리하고 있다(일본 특허 공개 제2006-165385호 공보를 참조).
그러나, 상기 종래 방법에서는 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 종래의 보호 테이프 박리 방법에서는, 박리 테이프를 박리할 때에 박리 부위에 작용하는 인장력에 의해 보호 테이프뿐만 아니라 박형화된 웨이퍼도 잡아당겨 올려 휘어지게 하는 경우가 있다. 이러한 경우, 웨이퍼를 파손시키게 된다.
또한, 다이싱 테이프에 접착 유지되어 있어도, 박형화된 웨이퍼에 대한 다이싱 테이프만으로의 보강으로는, 강성이 저하된 웨이퍼를 충분히 완전하게 보강할 수 없게 되어 오고 있다. 따라서, 마운트 프레임을 다이싱 공정으로 반송하는 과정에서 웨이퍼가 파손되기 쉬운 등의 새로운 문제가 발생하였다.
본 발명은 기판을 파손시키지 않고 보호 테이프를 박리하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취한다.
기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법이며, 상기 방법은, 이하의 과정, 즉
상기 보호 테이프를 부착한 상태의 기판을 소정 형상으로 분단한 칩 부품에 부착되어 있는 당해 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 접착력 저감 과정과,
상기 기판 전체면을 흡착하고, 접착력이 약화된 상기 보호 테이프를 기판 표면으로부터 박리하는 박리 과정을 포함한다.
이 보호 테이프 박리 방법에 따르면, 백그라인드 공정부터 칩 부품으로 분단되는 공정까지 기판 표면에 보호 테이프가 부착되어 있으므로, 기판이 보강되어 있다. 따라서, 백그라인드 처리 후부터 다이싱 처리까지의 과정에서 발생하기 쉬운 기판의 파손을 억제할 수 있다.
또한, 접착력이 약화된 상태의 보호 테이프가 칩 부품으로부터 박리되므로, 박형화된 대형 기판으로부터 보호 테이프를 박리할 때에 발생하기 쉬운 파손을 피할 수도 있다. 즉, 칩 부품에 부착되어 있는 보호 테이프의 접착 면적은, 기판 전체면에 접착되어 있는 보호 테이프의 면적에 비하여 극히 작으므로, 박리시에 칩 부품에 작용하는 박리 응력이 현저하게 작아진다. 따라서, 박리 응력에 의해 칩 부품이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 접착력은 약화되는 것에 한하지 않고 감소하여 없어지는 경우도 포함한다.
또한, 상기 방법에 있어서, 예를 들어 상기 접착력 저감 과정에서는, 열 발포성의 점착층을 갖는 보호 테이프에 히터를 구비한 흡착 플레이트를 접촉시켜 흡착한 채 가열하고,
상기 박리 과정에서는, 가열 발포에 의해 접착력이 약화된 보호 테이프를 흡착 기구에서 흡착하여 박리 제거한다.
이 방법에 따르면, 열 발포성의 점착층이 가열됨으로써 접착력이 약화된다. 그 후, 흡착 기구에 의해 보호 테이프가 흡착 유지됨으로써 칩 부품으로부터 당해 보호 테이프가 박리 제거된다. 따라서, 칩 부품에 보호 테이프를 잔사시키지 않고 고정밀하게 제거할 수 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 상기 접착력 저감 과정에서는, 소정의 일축 방향으로 휘도록 구성된 보호 테이프에 히터를 구비한 흡착 플레이트를 접촉시키고, 당해 보호 테이프를 열 수축시킴과 함께, 당해 열 수축률이 높아짐에 따라서 흡착 플레이트를 상승시키면서 흡착력도 높이고,
상기 박리 과정에서는, 상기 흡착 플레이트에서 보호 테이프를 흡착하여 박리 제거한다.
이 방법에 따르면, 칩 부품과 동일 형상으로 분단된 보호 테이프가 규칙적으로 일축 방향으로 휘므로, 제각각의 방향으로 휜 경우에 발생하기 쉬운 보호 테이프의 분산을 억제할 수 있다. 또한, 보호 테이프의 열 수축에 따라 흡착 플레이트를 상승시켜 가므로, 칩 부품과 흡착 플레이트의 사이에서 휘는 보호 테이프에 의해 작용하는 칩 부품으로의 가압력을 억제할 수 있다. 동시에, 열 수축률이 높아짐에 따라서 흡착 플레이트에 의한 보호 테이프로의 흡착력도 높일 수 있으므로, 칩 부품으로부터의 보호 테이프의 박리를 조장하면서, 확실하게 박리 제거할 수도 있다.
또한, 상기 방법에 있어서, 상기 접착력 저감 과정에서는, 자외선 경화형의 보호 테이프에 자외선을 조사하고,
상기 박리 과정에서는, 자외선의 조사에 의해 접착력이 약화된 보호 테이프를 흡착 플레이트에서 흡착하여 박리 제거한다.
이 방법에 따르면, 자외선 조사에 의해 보호 테이프의 점착층이 경화되어, 접착력이 약화된다.
또한, 상기 방법에 있어서, 상기 접착력 저감 과정에서는, 자외선 조사 유닛을 구비한 투과성을 갖는 흡착 플레이트를 보호 테이프에 접촉시키고, 당해 보호 테이프를 흡착한 채 자외선을 조사한다.
이 방법에 따르면, 흡착 플레이트와 칩 부품 사이에 보호 테이프를 끼워 넣어 흡착하면서 자외선이 보호 테이프에 조사된다. 따라서, 접착력이 약화된 보호 테이프를 비산시키지 않고 칩 부품으로부터 확실하게 박리할 수 있다.
또한, 본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취한다.
기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 장치이며, 상기 장치는, 이하의 구성 요소, 즉
상기 보호 테이프를 부착한 상태에서 소정 형상의 칩 부품으로 분단되어 이루어지는 상기 기판을 흡착 유지하는 척 테이블과,
상기 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 접착력 저감 장치와,
접착력이 약화된 상기 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 기구를 포함한다.
이 구성에 따르면, 분단되기 전의 기판 전체면에 이르는 칩 부품이 척 테이블에 흡착 유지된 상태에서, 척 테이블 표면의 보호 테이프의 접착력이 접착력 저감 장치에 의해 약화된다. 그 후에 칩 부품으로부터 보호 테이프가 박리 제거된다.
또한, 상기 구성에 있어서, 예를 들어 상기 보호 테이프는 열 발포성의 점착층을 갖고, 상기 접착력 저감 장치는 히터인 것이 바람직하다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 히터를 흡착 플레이트에 매설하여 구성하는 것이 바람직하다.
이 구성에 따르면, 척 테이블에 유지된 복수개의 칩 부품을 흡착 플레이트 사이에 끼워 넣은 상태에서 흡착하면서, 그 표면의 보호 테이프를 가열할 수 있다. 따라서, 가열에 의해 접착력이 약화된 보호 테이프를 비산시키지 않고, 즉시 흡착하여 박리 제거할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 보호 테이프는 소정의 일축 방향으로 휘도록 구성되어 있고, 상기 접착력 저감 장치는 히터인 것이 바람직하다.
또한, 이 구성에 있어서, 히터를 흡착 플레이트에 매설하여 구성하고, 흡착 플레이트를 보호 테이프에 접촉시켜 보호 테이프를 열 수축시킴과 함께, 당해 열 수축률이 높아짐에 따라서 흡착 플레이트를 상승시키면서 흡착력을 높이는 제어부를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 구성에 있어서, 상기 보호 테이프는 자외선 경화형의 점착 테이프이고, 상기 접착력 저감 장치는 자외선 조사 유닛인 것이 바람직하다.
또한, 이 구성에 있어서, 접착력 저감 장치는, 또한 자외선 조사 유닛을 흡착 플레이트에 구비하여 구성되는 것이 바람직하다.
발명을 설명하기 위해 현재의 적합하다고 생각되는 몇가지 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것이 아니라는 것을 이해하기 바란다.
도 1은, 마운트 프레임의 사시도.
도 2는, 보호 테이프 박리 장치의 평면도.
도 3은, 보호 테이프 박리 장치의 정면도.
도 4는, 카세트 적재부의 정면도.
도 5는, 제1 반송 기구의 평면도.
도 6은, 제1 반송 기구의 정면도.
도 7은, 척 테이블의 정면도.
도 8은, 테이프 박리 기구의 측면도.
도 9 내지 도 12는, 실시예의 유지 테이블의 동작 설명도.
도 13은, 변형예의 보호 테이프의 구성을 도시하는 단면도.
도 14는, 변형예의 보호 테이프의 박리 동작을 도시하는 설명도.
도 15는, 자외선 경화형의 보호 테이프를 이용한 변형 장치의 정면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
이 실시예에서는, 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 반도체 웨이퍼 W(이하, 간단히 「웨이퍼 W」라고 함)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 상의 회로 패턴을 보호하는 보호 테이프 PT를 부착한 상태에서 백그라인드 처리 및 다이싱 처리가 실시되어 칩 부품 CP로 분단되어 있다. 이 복수개의 칩 부품 CP가, 점착 테이프 DT(다이싱 테이프)를 개재하여 링 프레임 f에 접착 유지되고, 마운트 프레임 MF로서 취급된다.
여기서, 보호 테이프 PT는, 테이프 기재에 가열함으로써 발포 팽창하여 접착력을 상실하는 열 발포성의 점착층을 구비한 것이다.
도 2 및 도 3에, 본 발명의 방법을 실행하는 보호 테이프 박리 장치의 개략 구성 및 보호 테이프 박리 공정이 도시되어 있다.
이 보호 테이프 박리 장치는, 마운트 프레임 MF를 소정 피치를 두고 다단으로 수납한 카세트 C를 적재하는 카세트 적재부(1), 카세트 C로부터 마운트 프레임 MF를 반출하여 척 테이블(2)에 적재함과 함께, 보호 테이프 PT가 박리된 마운트 프레임 MF를 카세트 C에 수납하는 제1 반송 기구(3), 소정의 크기로 분단된 칩 부품 CP로부터 보호 테이프 PT를 박리하는 테이프 박리 기구(4), 및 칩 부품 CP로부터 박리된 보호 테이프 PT를 회수하는 테이프 회수 기구(5)로 구성되어 있다. 이하, 각 구성에 대하여 구체적으로 설명한다.
카세트 적재부(1)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 장치 프레임에 연결 고정된 세로 레일(6)과, 이 세로 레일(6)을 따라 모터 등의 구동 기구(7)에 의해 나사 이송 승강되는 승강대(8)가 구비되어 있다. 따라서, 카세트 적재부(1)는, 마운트 프레임 MF를 승강대(8)에 적재하여 피치 이송 승강하도록 구성되어 있다.
제1 반송 기구(3)는, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 안내 레일(9)을 따라 좌우 수평하게 이동하는 가동대(10)를 구비하고, 고정받이편(11)과 실린더(12)에 의해 개폐되는 척편(13)을 구비하고 있다. 고정받이편(11)과 척편(13)은, 마운트 프레임 MF의 일단부를 상하로부터 협지하도록 구성되어 있다. 또한, 모터(14)에 의해 회동되는 벨트(15)에 가동대(10)의 하부가 연결되어 있다. 모터(14)의 정역 작동에 의해 가동대(10)를 좌우로 왕복 이동시키도록 되어 있다.
척 테이블(2)은, 도 7에 도시한 바와 같이, 마운트 프레임 MF를 이면측으로부터 진공 흡착하도록 구성되어 있다. 또한, 척 테이블(2)은, 전후 수평하게 배치된 좌우 한쌍의 레일(16)을 따라 전후로 슬라이드 이동 가능하게 지지된 가동대(17)에 지지되어 있다. 가동대(17)는, 펄스 모터(18)에 의해 정역 구동되는 나사축(19)에 의해 나사 이송 구동된다. 즉, 척 테이블(2)은, 마운트 프레임 MF의 수취 위치와 보호 테이프 PT의 박리 위치에 걸쳐 왕복 이동한다.
테이프 박리 기구(4)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 세로벽(20)의 후부에 세로 방향으로 배치된 레일(21)을 따라 승강 가능한 가동대(22), 이 가동대(22)에 높이 조절 가능하게 지지된 가동 프레임(23), 이 가동 프레임(23)으로부터 전방을 향하여 연장된 아암(24)의 선단부에 장착된 흡착 플레이트(25) 등을 구비하고 있다. 가동대(22)는, 나사축(26)을 모터(27)에 의해 정ㆍ역회전함으로써 나사 이송 승강된다. 또한, 흡착 플레이트(25)의 하면은 진공 흡착면에 구성됨과 함께, 플레이트 내부에는 히터(28)가 매설되어 있다. 또한, 테이프 박리 기구(4)는 본 발명의 박리 기구에 상당한다.
테이프 회수 기구(5)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 안내 레일(29)을 따라 좌우 수평하게 이동하는 가동대(30)에 연장된 아암(31)의 선단부에 회수 박스(32)를 구비하고 있다. 또한, 모터(33)에 의해 회동되는 벨트(34)에 가동대(30)가 연결되어 있다. 모터(33)의 정역 작동에 의해 가동대(30)를 좌우로 왕복 이동시킨다.
다음에, 상기 실시예의 장치를 사용하여 보호 테이프 PT를 웨이퍼 W의 표면으로부터 박리하기 위한 일련의 기본 동작을 도 9 내지 도 12에 기초하여 설명한다.
도 2 중의 중앙 근처의 대기 위치에 있는 제1 반송 기구(3)가, 마운트 프레임 MF의 반출 위치로 이동한다. 이 제1 반송 기구(3)는, 웨이퍼 W의 표면을 상향으로 하여 카세트 C에 다단 수납되어 있는 마운트 프레임 MF를 파지하여 후퇴하면서 카세트 C로부터 반출된다. 이 시점에서 척 테이블(2)가, 테이프 박리 기구(4)의 바로 아래의 박리 위치로부터 마운트 프레임 MF의 수취 위치로 이동하여 대기하고 있다.
제1 반송 기구(3)는 대기 위치에서 정지한 후에 하강하고, 척편(13)을 개방함으로써 마운트 프레임 MF를 척 테이블(2)에 이동 탑재한다.
척 테이블(2)은, 마운트 프레임 MF의 이면 전체를 흡착 유지하면서 박리 위치로 이동한다.
도 9에 도시한 바와 같이, 척 테이블(2)이 박리 위치에 도달하면, 도 10에 도시한 바와 같이, 테이프 박리 기구(4)를 작동시켜 흡착 플레이트(25)를 하강시키고, 보호 테이프 PT를 흡착한다. 이 상태에서 히터(28)가 흡착 플레이트(25)를 가열한다. 흡착 플레이트(25)의 가열에 수반하여 보호 테이프 PT의 점착층이 발포 팽창한다. 그 결과, 점착층의 접착력이 상실되어 간다.
이 가열 과정에 있어서, 도 7에 도시하는 제어부(35)는, 보호 테이프 PT에 사용하는 점착층의 종류, 가열 온도, 가열 시간에 의해 미리 결정되는 보호 테이프 PT의 두께의 변화에 따라, 테이프 박리 기구(4)를 간헐적 혹은 연속적으로 상승 제어한다. 즉, 점착층이 발포 팽창하여 보호 테이프 PT의 두께가 증가함으로써, 흡착 플레이트(25)와 척 테이블(2) 사이에 끼워져 있는 박형화된 칩 부품 CP에 과도한 가압력이 작용하고, 파손되지 않도록 흡착 플레이트(25)가 상승 제어되고 있다.
점착층의 가열 발포 처리가 완료되면, 흡착 플레이트(25)는, 도 11에 도시한 바와 같이, 보호 테이프 PT를 계속해서 흡착한 채 소정 높이까지 상승한다. 이 때, 척 테이블(2)은, 흡착 플레이트(25)에 의해 전부의 칩 부품 CP로부터 보호 테이프 PT가 박리된 마운트 프레임 MF를 흡착 유지한 채, 마운트 프레임 MF의 전달 위치까지 이동한다. 또한, 이 때, 테이프 회수 기구(5)가 작동하고, 회수 박스(32)를 대기 위치로부터 박리 위치로 이동시킨다.
척 테이블(2)이 마운트 프레임 MF의 전달 위치에 도달하면, 처리 완료된 마운트 프레임 MF를 제1 반송 기구(3)의 척편(13)이 파지하여 척 테이블(2)로부터 반출되고, 카세트 C의 원래의 위치에 수납된다. 수납이 완료되면, 승강대(8)가 소정 피치만큼 상승하고, 제1 반송 기구(3)는 새로운 마운트 프레임 MF를 반출한다.
회수 박스(32)가 박리 위치에 도달하면, 도 12에 도시한 바와 같이, 흡착 플레이트(25)의 흡착이 해제되고, 칩 부품 CP로부터 박리된 모든 보호 테이프 PT를 회수 박스(32)에 낙하시킨다.
이상에 의해 일련의 동작이 완료되고, 카세트 C에 수납되어 있는 모든 마운트 프레임 MF에 대하여 동일한 처리가 반복하여 실행된다.
상기 구성에 따르면, 백그라인드 처리 후에 마운트 프레임 MF에 접착 유지된 웨이퍼 W가, 보호 테이프를 부착한 채로 다이싱 처리가 실시된 상태에서 박리 공정으로 반송되어 오므로, 종래의 보호 테이프 박리 후의 마운트 프레임 MF를 취급하는 것에 비하여, 강성이 보강된 상태에서의 취급이 가능해진다. 그 결과, 백그라인드 공정부터 다이싱 공정까지의 반송 과정에 있어서 발생하기 쉬운 웨이퍼 W의 파손을 해소할 수 있다.
또한, 접착력이 상실된 상태의 보호 테이프 PT가 칩 부품 CP로부터 박리되므로, 박형화된 대형의 웨이퍼 W의 전체면으로부터 보호 테이프 PT를 박리할 때에 발생하기 쉬운 파손을 피할 수도 있다. 즉, 칩 부품 CP에 부착되어 있는 보호 테이프 PT의 접착 면적은, 웨이퍼 전체면에 접착되어 있는 보호 테이프 PT의 면적에 비하여 극히 작으므로, 칩 부품 CP에 작용하는 박리 응력이 현저하게 작아진다. 따라서, 박리 응력에 의해 칩 부품 CP가 파손되거나, 비산하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예의 것에 한하지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.
(1) 보호 테이프 PT는, 가열에 의해 소정의 일축 방향으로 휘는 열 수축성의 점착층을 구비한 보호 테이프 PT를 이용하여도 된다.
즉, 보호 테이프 PT는, 도 13에 도시한 바와 같이, 일축 수축성을 갖는 수축성 필름층(40)과, 이 수축성 필름층(40)의 수축을 구속하는 구속층(41)과 점착층(42)의 적층체로 이루어지는 자발 권회성 점착 시트이다.
구속층(41)은, 또한 수축성 필름층(40)측의 탄성층(43)과 수축성 필름층(40)과는 반대측의 강성 필름층(44)으로 구성되어 있다.
수축성 필름층(40)으로서는, 적어도 일축 방향으로 수축성을 갖는 필름층이면 되며, 열 수축성 필름, 광에 의해 수축성을 나타내는 필름, 전기적 자극에 의해 수축하는 필름 등의 어느 것으로 구성되어도 된다. 또한, 수축성 필름층(40)은 단층이어도 되고, 2개 이상의 층으로 이루어지는 복층이어도 된다.
구속층(41)은 수축성 필름층(40)의 수축을 구속하고, 반작용력을 만들어 냄으로써, 적층체 전체적으로 우력을 만들어 내고, 권회를 야기하는 구동력이 된다. 또한, 이 구속층(41)에 의해, 수축성 필름층(40)의 주 수축 방향과는 다른 방향의 부차적 수축이 억제되고, 일축 수축성이라고는 하여도 반드시 균일하다고는 할 수 없는 수축성 필름층(40)의 수축 방향이 일 방향으로 수렴되는 작용도 한다. 이로 인해, 적층 시트에 수축성 필름층(40)의 수축을 촉구하는 열 등의 자극을 제공하면, 구속층(41)에서의 수축성 필름층(40)의 수축력에 대한 반발력이 구동력으로 되어, 적층 시트의 외측 테두리부(제1 단부 또는 대향하는 제2 단부)가 들떠, 수축성 필름층(40)측을 내측으로 하여, 단부로부터 일 방향 또는 중심 방향(통상, 열 수축성 필름의 주 수축 축 방향)으로 자발적으로 권회하여 통 형상 권회체가 형성된다. 또한, 이 구속층(41)에 의해, 수축성 필름층(40)의 수축 변형에 의해 발생하는 전단력이 점착층(42)이나 칩 부품 CP에 전달되는 것을 방지할 수 있으므로, 칩 부품 CP의 파손이나 오염 등을 방지할 수 있다.
탄성층(43)은, 수축성 필름층(40)의 수축시의 온도하에서 변형되기 쉬운 재료로 이루어진다. 예를 들어, 고무 상태인 것이 바람직하다.
강성 필름층(44)은 구속층(41)에 강성 혹은 인성을 부여함으로써, 수축성 필름층(40)의 수축력에 대하여 반작용의 힘을 만들어 내고, 나아가서는 권회에 필요한 우력을 발생시키는 기능을 갖는다. 강성 필름층(44)을 형성함으로써, 수축성 필름층(40)에 열 등의 수축 원인이 되는 자극이 부여되었을 때, 적층 시트가, 도중에서 정지하거나 방향이 어긋나지 않고 원활하게 자발 권회하고, 형태가 정돈된 통 형상 권회체를 형성할 수 있다.
이 경우, 소정의 칩 부품 CP의 크기로 분단된 복수매의 보호 테이프 PT는, 흡착 플레이트(25)에 의해 가열되면, 도 14에 도시한 바와 같이, 좌우측 단부로부터 상향으로 휘어 박리된다. 따라서, 상기 실시예와 마찬가지로, 가열 과정에 있어서, 제어부(35)가, 보호 테이프 PT에 사용하는 점착층의 종류, 가열 온도, 가열 시간에 의해 미리 결정되는 보호 테이프 PT의 휨량에 따라, 테이프 박리 기구(4)를 간헐적 혹은 연속적으로 상승 제어하도록 구성된다. 동시에 흡착 플레이트(25)의 흡착력도 동시에 증가하도록 제어된다.
즉, 보호 테이프 PT가 휘어 높이 방향의 거리가 증가함으로써, 흡착 플레이트(25)와 척 테이블(2) 사이에 끼워져 있는 박형화된 칩 부품 CP에 과도한 가압력이 작용하고, 파손되지 않도록 흡착 플레이트(25)가 상승 제어되고 있다. 동시에, 보호 테이프 PT가 휘어 흡착 플레이트(25)와의 접촉 면적이 저하하지 않도록, 휨량에 따라서 흡착 플레이트(25)의 흡착력이 증가하도록 제어된다.
이 구성에 따르면, 보호 테이프 PT가 휘어 높이 방향으로의 두께가 증가하여도 칩 부품 CP를 파손시키지 않으면, 흡착 불량에 의한 보호 테이프 PT의 비산을 방지할 수도 있다.
(2) 상기 실시예에 있어서, 자외선 경화형의 점착 테이프를 보호 테이프 PT로서 이용할 수도 있다. 이 경우, 도 15에 도시한 바와 같이, 흡착 플레이트(25)는 투과성을 갖고, 각 칩 부품 CP와 대응하는 위치에 흡착 구멍을 갖는 강화 유리 또는 아크릴 플레이트로 구성함과 함께, 보호 테이프 PT에 접촉하는 반대측에 자외선 조사용의 형광관(36)을 배치한다. 또한, 자외선 조사용의 형광관(36)은, 본 발명의 자외선 조사 유닛에 상당한다.
또한, 자외선 조사 유닛의 구성은, 형광관에 한정되지 않고, 자외선 조사용의 램프, LED이어도 된다. LED의 경우, 칩 부품 CP와 동일한 수의 LED를 2차원 배열하는 것이 바람직하다. 이 구성에 따르면, 각 칩 부품 CP 상의 보호 테이프 PT에 대하여, 자외선을 균일하게 조사할 수 있다.
이 구성의 경우, 흡착 플레이트(25)를 보호 테이프 PT에 접촉하여 흡착한 채 자외선이 보호 테이프 PT에 조사된다. 소정 시간의 자외선 조사에 의해 접착력이 약화되면, 보호 테이프 PT를 흡착한 채 흡착 플레이트(25)를 상승시킴으로써, 모든 칩 부품 CP로부터 보호 테이프 PT를 일괄적으로 박리 제거할 수 있다.
(3) 상기 각 실시예에서는, 다음과 같이 구성하여도 된다. 척 테이블(2)과 흡착 플레이트(25)를 반전시켜, 하향으로 된 보호 테이프 PT를 하측으로부터 흡착 플레이트(25)에서 흡착하여 제거한다.
이 경우, 흡착 플레이트(25)와는 개별적인 흡착 플레이트를 배치하고, 칩 부품 CP로부터 박리하여 흡착 플레이트(25) 상에 있는 보호 테이프 PT를 상측으로부터 다른 흡착 플레이트에서 흡착하여 제거하는 구성으로 함으로써 실현할 수 있다. 또한, 흡착 플레이트(25)를 반전 가능하게 구성하여도 된다.
본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있으며, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라 첨부된 특허청구범위를 참조해야 한다.
1: 카세트 적재부
2: 척 테이블
3: 제1 반송 기구
4: 테이프 박리 기구
5: 테이프 회수 기구
25: 흡착 플레이트
35: 제어부
PT: 보호 테이프

Claims (12)

  1. 기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법이며,
    소정의 일축 방향으로 휘도록 구성된 상기 보호 테이프를 부착한 상태의 기판을 소정 형상으로 분단한 칩 부품에 부착되어 있는 당해 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 접착력 저감 과정과,
    상기 기판 전체면을 흡착하고, 접착력이 약화된 상기 보호 테이프를 기판 표면으로부터 박리하는 박리 과정을 포함하고,
    상기 접착력 저감 과정에서는, 가열 수단을 구비한 흡착 플레이트를 보호 테이프에 접촉시켜 보호 테이프를 열 수축시킴과 함께, 당해 열 수축률이 높아짐에 따라 흡착 플레이트를 상승시키면서 흡착력도 높여가고,
    상기 박리 과정에서는, 상기 흡착 플레이트에서 보호 테이프를 흡착하여 박리 제거하는, 보호 테이프 박리 방법.
  2. 기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 방법이며,
    열 발포성의 점착층을 갖는 상기 보호 테이프를 부착한 상태의 기판을 소정 형상으로 분단한 칩 부품에 부착되어 있는 당해 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 접착력 저감 과정과,
    상기 기판 전체면을 흡착하고, 접착력이 약화된 상기 보호 테이프를 기판 표면으로부터 박리하는 박리 과정을 포함하고,
    상기 접착력 저감 과정에서는, 열 발포성의 점착층을 갖는 보호 테이프에 히터를 구비한 흡착 플레이트를 접촉시켜 당해 보호 테이프를 흡착한 채 가열함과 함께, 가열에 의해 발포 팽창하여 보호 테이프의 두께가 증가함에 따라 흡착 플레이트를 상승시키면서 흡착력도 높여가고,
    상기 박리 과정에서는, 가열 발포에 의해 접착력이 약화된 보호 테이프를 흡착 기구에서 흡착하여 박리 제거하는, 보호 테이프 박리 방법.
  3. 기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 장치이며,
    소정의 일축 방향으로 휘도록 구성된 상기 보호 테이프를 부착한 상태에서 소정 형상의 칩 부품으로 분단되어 이루어지는 상기 기판을 흡착 유지하는 척 테이블과,
    상기 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 히터를 매설한 흡착 플레이트와,
    접착력이 약화된 상기 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 기구와,
    상기 흡착 플레이트를 보호 테이프에 접촉시켜 보호 테이프를 열 수축시킴과 함께, 당해 열 수축률이 높아짐에 따라 흡착 플레이트를 상승시키면서 흡착력을 높이는 제어부를 포함하는, 보호 테이프 박리 장치.
  4. 기판의 표면에 부착된 보호 테이프를 박리하는 보호 테이프 박리 장치이며,
    열 발포성의 점착층을 갖는 상기 보호 테이프를 부착한 상태에서 소정 형상의 칩 부품으로 분단되어 이루어지는 상기 기판을 흡착 유지하는 척 테이블과,
    상기 보호 테이프의 접착력을 약화시키는 히터를 매설한 흡착 플레이트와,
    접착력이 약화된 상기 보호 테이프를 칩 부품으로부터 박리하는 박리 기구와,
    상기 흡착 플레이트를 보호 테이프에 접촉시켜 보호 테이프를 흡착한 채 가열함과 함께, 가열에 의해 발포 팽창하여 보호 테이프의 두께가 증가함에 따라 흡착 플레이트를 상승시키면서 흡착력을 높이는 제어부를 포함하는, 보호 테이프 박리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
KR1020100083994A 2009-08-31 2010-08-30 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치 KR101729334B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009200316A JP5412214B2 (ja) 2009-08-31 2009-08-31 保護テープ剥離方法およびその装置
JPJP-P-2009-200316 2009-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110023821A KR20110023821A (ko) 2011-03-08
KR101729334B1 true KR101729334B1 (ko) 2017-04-21

Family

ID=43623085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100083994A KR101729334B1 (ko) 2009-08-31 2010-08-30 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110048630A1 (ko)
JP (1) JP5412214B2 (ko)
KR (1) KR101729334B1 (ko)
CN (1) CN102005365B (ko)
TW (1) TWI505339B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012140987A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム及び剥離方法
KR101275290B1 (ko) * 2011-07-19 2013-06-17 도레이첨단소재 주식회사 열박리형 양면 점착시트
JP5853713B2 (ja) * 2012-01-16 2016-02-09 三菱電機株式会社 保護テープ剥離装置、保護テープ剥離方法
JP6105951B2 (ja) * 2013-01-23 2017-03-29 株式会社ディスコ テープ剥離方法及びテープ剥離装置
JP6260471B2 (ja) * 2014-06-27 2018-01-17 株式会社村田製作所 シート剥離装置及びシート剥離方法
US9475272B2 (en) 2014-10-09 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. De-bonding and cleaning process and system
KR101722172B1 (ko) 2014-12-05 2017-03-31 삼성중공업 주식회사 필름 제거 장치
KR101722162B1 (ko) 2014-12-05 2017-03-31 삼성중공업 주식회사 필름 제거 장치
KR20160071613A (ko) 2014-12-12 2016-06-22 삼성중공업 주식회사 선박용 필름 제거장치
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
CN108122814B (zh) * 2017-10-27 2021-04-23 江西乾照光电有限公司 一种led芯片中led芯粒的分选转移方法
KR102505213B1 (ko) * 2017-12-08 2023-03-03 삼성전자주식회사 분리용 전자 장치 및 이의 공정 방법
EP3924999A4 (en) 2019-02-15 2022-11-02 Kulicke & Soffa Netherlands B.V. DYNAMIC RELEASE STRIPS FOR SEPARATE COMPONENT ASSEMBLY
CN110091249A (zh) * 2019-05-06 2019-08-06 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种研磨垫的安装方法、研磨垫的拆卸方法和加热装置
CN215745441U (zh) * 2021-02-02 2022-02-08 三赢科技(深圳)有限公司 拆解装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007179A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Lintec Corp 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP2004063645A (ja) 2002-07-26 2004-02-26 Enzan Seisakusho:Kk 半導体ウェハの保護部材剥離装置
JP2005116679A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2006196823A (ja) 2005-01-17 2006-07-27 Renesas Technology Corp 半導体素子の製造方法
JP2007134390A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204542A (ja) * 1986-03-05 1987-09-09 Hitachi Ltd ウエハ分割方法および装置
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US7105226B2 (en) * 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
JP2000129227A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Lintec Corp 半導体ウエハ保護用粘着シートおよびその使用方法
JP3504543B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP2001345368A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Fujitsu Ltd 半導体チップ剥離・搬送方法及び装置
SG116533A1 (en) * 2003-03-26 2005-11-28 Toshiba Kk Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device.
JP4716668B2 (ja) * 2004-04-21 2011-07-06 日東電工株式会社 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4353975B2 (ja) * 2006-11-29 2009-10-28 日東電工株式会社 粘着シートの貼付・剥離方法及び粘着シートの貼付装置並びに粘着シートの剥離装置
JP4851415B2 (ja) * 2007-10-10 2012-01-11 日東電工株式会社 紫外線照射方法およびこれを用いた装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007179A (ja) * 1999-06-17 2001-01-12 Lintec Corp 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP2004063645A (ja) 2002-07-26 2004-02-26 Enzan Seisakusho:Kk 半導体ウェハの保護部材剥離装置
JP2005116679A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2006196823A (ja) 2005-01-17 2006-07-27 Renesas Technology Corp 半導体素子の製造方法
JP2007134390A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI505339B (zh) 2015-10-21
JP2011054650A (ja) 2011-03-17
US20110048630A1 (en) 2011-03-03
CN102005365B (zh) 2015-11-25
JP5412214B2 (ja) 2014-02-12
CN102005365A (zh) 2011-04-06
KR20110023821A (ko) 2011-03-08
TW201133580A (en) 2011-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101729334B1 (ko) 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치
TWI457976B (zh) 保護帶剝離方法及其裝置
KR101286929B1 (ko) 보호 테이프 박리 방법 및 이것을 이용한 장치
JP4275254B2 (ja) 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4401322B2 (ja) 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法
TWI383440B (zh) 保護膠帶剝離方法及使用此種方法的裝置
TWI502636B (zh) 晶圓安裝方法和晶圓安裝裝置
JP5253996B2 (ja) ワーク分割方法およびテープ拡張装置
JP2003152058A (ja) ウェハ転写装置
KR20110011564A (ko) 점착 테이프 부착 방법 및 점착 테이프 부착 장치
KR20050045823A (ko) 반도체 웨이퍼 뒷면에의 점착테이프 접착방법 및점착테이프 접착장치
TWI707818B (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
JP2007043048A (ja) 保護テープ剥離方法およびこれを用いた装置
KR101486594B1 (ko) 점착 테이프 부착 장치
KR20060044663A (ko) 초박 칩의 제조 프로세스 및 제조장치
KR20150143539A (ko) 밀봉 시트 부착 방법 및 밀봉 시트 부착 장치
JP2007088038A (ja) 貼替装置及び貼替方法
JP2002164414A (ja) 半導体ペレット処理方法及び装置
JP4293356B2 (ja) 半導体ウエハの供給回収方法およびこれを用いた装置
JP5489662B2 (ja) 半導体ウェーハの取り扱い方法
CN115910843A (zh) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant