JP5931772B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、半導体製造装置に関する。

近年、半導体パッケージの小型化、薄型化が進んでいる。また、一つの半導体パッケージ内に複数枚の半導体装置を積層する半導体パッケージもある。このため、半導体チップの厚みが非常に薄くなっている。この結果、半導体基板をダイシングシートに貼り付けてダイシングした後、個片化された半導体装置をダイシングシートからピックアップする際に半導体チップにクラックが生じやすくなっている。また、ダイシングシートからピックアップした半導体チップをリードフレームや配線基板（以下、単に基板と記載する）上に載置する際にも、半導体チップにクラックが生じやすくなっている。

ピックアップ時に半導体チップにクラックが生じる理由としては、ダイシングシートの粘着性が場所によってばらついており、ピックアップ時に半導体チップに掛かる負荷が異なる場合や、ピックアップの条件（突き上げ速度や突き上げ量など）が合っていない場合などが考えられる。また、マウント時に半導体チップにクラックが生じる理由としては、載置する際の押し付け荷重が大きすぎる場合や、基板上に異物が存在し、荷重が一点に集中する場合などが考えられる。

クラックが生じた半導体チップは、不良品として破棄する等の処置が必要であるが、クラックの有無を判断するためには、拡大観察による検査やプロービングによる電気特性検査を行う必要がある。しかしながら、半導体チップ全数について拡大観察して検査を行うことは、現実問題として不可能である。また、プロービングによる電気特性検査についても、厚みの薄い半導体チップでは難しい。このため、半導体チップをパッケージ化した後の最終テスト時まで、クラックによる半導体チップの不具合がわからず、場合によっては、不具合の発見までの間に大量の不良品を製造することになる。

上記課題を解決するため、例えば、ダイシングシート等からチップを吸引コレットで吸着して剥離する場合において、吸引コレットの吸着系の流量をモニタすることで、チップが粘着テープから完全に剥離する以前のチップの湾曲状態を監視することが提案されている。

特開２０１２−３９１５３号公報

以上のように、ピックアップ時やマウント時に半導体チップにクラックが生じやすくなっており、このクラック発生の有無を検出できる半導体装置が求められている。

本発明の実施形態は、ピックアップ時やマウント時における半導体チップのクラック発生の有無を検出できる半導体製造装置を提供することを目的とする。

本発明の実施形態に係る半導体製造装置は、個片化された半導体チップを突上げる突き上げ機構と、突き上げ機構により突き上げられた半導体チップをピックアップするピックアップ機構と、突き上げ機構を介して、半導体チップの突き上げ時の弾性波を検出する検出器と、を備える。突き上げ機構は、検出器にて検出される弾性波の大きさが大きくなった場合、半導体チップの突き上げ速度、半導体チップの突き上げ量、及び半導体チップを突き上げた状態を保持する保持時間の少なくとも一つを、突き上げ速度及び突き上げ量については小さく、保持時間については長くなるように変更する。

実施形態に係る半導体製造装置の構成図である。 実施形態に係るピックアップ装置の突き上げ機構の動作説明図である。 実施形態に係るピックアップ装置の突き上げ機構の動作説明図である。 実施形態に係るマウント装置のマウント機構の動作説明図である。 実施形態に係るマウント装置のマウント機構の動作説明図である。 実施形態に係る半導体製造装置に記憶されるテーブルデータの一例である。 実施形態に係るピックアップ装置の動作を示すフローチャートである。 実施形態に係るピックアップ装置の動作を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。

（実施形態）
図１は、実施形態に係る半導体製造装置の構成図である。この実施形態に係る半導体製造装置は、個片化された半導体チップＣをダイシングシート２からピックアップするピックアップ装置１００と、半導体チップＣをリードフレームや配線基板（以下、単に基板Ｔと記載する）上に載置するマウント装置２００と、ピックアップ装置１００及びマウント装置２００を制御する制御装置３００と、プリサイサステージ４００（受け渡し台）とを備える。

（ピックアップ装置１００）
ピックアップ装置１００は、保持機構１１０、突き上げ機構１２０、Ｘ−Ｙステージ１３０、支持部材１４０、コレット１５０、駆動機構１６０、シリンダ１７０及び検出器１８０を備える。なお、ピックアップ装置１００の動作は、制御装置３００により制御される。
また、突き上げ機構１２０及びコレット１５０は、図示しない真空ポンプに接続されている。

保持機構１１０は、ウェハリング３を保持する。ウェハリング３は、ダイシングにより個片化された半導体チップＣが粘着されたダイシングシート２の外周部を保持する。ダイシングシート２は、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニール）やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の伸縮性を有する樹脂のシート基材及びこのシート基材の片面側（半導体チップＣ側）に設けられた粘着剤層とを備える。粘着剤層は、紫外線（ＵＶ）の照射等により粘着力が低下する性質のものを使用することが好ましい

突き上げ機構１２０は、半導体チップＣを裏面側（下側）から突き上げる。Ｘ−Ｙステージ１３０は、突き上げ機構１２０をダイシングシート２上の半導体チップＣに対して水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。支持部材１４０は、突き上げ機構１２０を支持する。

コレット１５０は、突き上げ機構１２０により突き上げられる半導体チップＣを吸着してピックアップする。駆動機構１６０は、コレット１５０をダイシングシート２上の半導体チップＣに対して水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。シリンダ１７０は、コレット１５０を、ダイシングシート２上の半導体チップＣに対して垂直方向に駆動する。

検出器１８０は、例えば、圧電素子（ＡＥ（Acoustic Emission）センサ）であり、半導体チップＣの変形や破壊時に放出される弾性エネルギを検出して電気信号に変換する。弾性エネルギは、通常、音波（主に数十ｋＨｚ〜数ＭＨｚの高い周波数成分をもつ）の形で放出される。該音波は、材料が破壊に至る前の変形やクラックの発生に伴って発生する。この音波を検出することにより、半導体チップＣの変形やクラックの発生を検出できる。

図１では、検出器１８０は、突き上げ機構１２０を支持する支持部材１４０に取り付けられている。ただし、半導体チップＣのクラック発生により音波の形で放出される弾性エネルギを検出できる場所であれば、他の場所に取り付けてもよい。半導体チップＣのクラック発生により生じる音波は、弾性体（ゴム等）を介していても伝達される。このため、ピックアップ装置１００のほとんどの場所に取り付けることが可能である。

なお、半導体チップＣのクラックにより生じる音波以外の音波（ノイズ）を除去するために、検出器１８０には、シリコン（Ｓｉ）にクラックが生じる際に発生する音波の周波数帯を通すフィルタを設けることが好ましい。このフィルタは、ハードで構成してもよく、ソフトウェアで構成してもよい。さらに、半導体チップＣの突き上げ動作時にのみ弾性エネルギを検出するようにしてもよい。半導体チップＣの突き上げ動作時にのみ弾性エネルギを検出することで、ノイズをさらに除去することができる。

ピックアップ装置１００は、ダイシングシート２上の半導体チップＣをピックアップして、プリサイサステージ４００（受け渡し台）上に載置する。

（ピックアップ動作）
図２〜図３は、突き上げ機構１２０の動作説明図である。以下、図２，図３を参照して、突き上げ機構１２０の構成及びピックアップ動作について簡単に説明する。なお、ピックアップ装置１００のピックアップ動作は、制御装置３００により制御される

突き上げ機構１２０は、多段突き上げユニット１２１（以下、突き上げユニット１２１と記載）及びホルダー１２２を備える。突き上げ機構１２０は、図示しない真空ポンプに接続されており、突き上げ機構１２０の上面１２０ａでダイシングシート２の裏面を吸着することができるように構成されている。

ホルダー１２２は、突き上げユニット１２１を収容し、突き上げユニット１２１を昇降させる。突き上げユニット１２１の昇降は、図示しないモータ及びモータの回転運動を直線運動に変換するリニアガイドにより行われる。突き上げユニット１２１は、モータにより駆動されるため、突き上げユニット１２１の昇降速度及び突き上げ量を変更可能である。

次に、動作について説明する。初めに、駆動機構１６０を制御して、コレット１５０をピックアップ対象である半導体チップＣの直上部に位置決めする。また、Ｘ−Ｙステージ１３０を制御して、突き上げ機構１２０をピックアップ対象である半導体チップＣの直下部に位置決めする。

その後、突き上げ機構１２０を上昇させて、上面１２０ａをダイシングシート２の裏面に当接させ、真空引きによりダイシングシート２の裏面を吸引する。また、コレット１５０を下降させて、半導体チップＣの上面を吸着する（図２（ａ）参照）。

突き上げユニット１２１及びコレット１５０を同時に同一の速度で上昇させて、半導体チップＣを所望の高さまで上昇させる。このとき、ホルダー１２２内の突き上げユニット１２１は、外周側から内周側へと段々と上昇していく。この結果、ダイシングシート２を介してピックアップ対象である半導体チップＣが所望の高さまで押し上げられる（図２（ｂ），図３（ａ）参照）。なお、ここでいう「同時」、「同一の速度」とは、厳密に「同時」、「同一の速度」との意味ではなく、略「同時」、「同一の速度」であればよい。

半導体チップＣの突き上げ後、図３（ａ）に示す状態を一定時間保持する。この保持時間は、半導体チップＣに裏面に貼り付いているダイシングシート２を半導体チップＣの裏面から剥離するために必要となる。なお、この保持時間は、突き上げ機構１２０のモータを制御することで変更が可能である。

一定時間経過後、シリンダ１７０を制御して、半導体チップＣを吸着したままコレット１５０を上昇させる（図３（ｂ）参照）。その後、駆動機構１６０によりピックアップした半導体チップＣを図１に示すプリサイサステージ４００上に載置する。

（マウント装置２００）
マウント装置２００は、ホルダー２１０と、コレット２２０、シリンダ２３０、駆動機構２４０、イオナイザ２５０及び検出器２６０を備えている。なお、マウント装置２００の動作は、制御装置３００により制御される。また、コレット２２０は、図示しない真空ポンプに接続されている。

ホルダー２１０は、半導体チップＣを載置するための基板Ｔを保持する。

コレット２２０は、プリサイサステージ４００上に載置されている半導体チップＣを吸着してピックアップする。駆動機構２４０は、ホルダー２１０に対してコレット２２０を水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。シリンダ２３０は、コレット２２０を垂直方向に駆動する。イオナイザ２５０（静電気除去装置）は、空気中の酸素分子や窒素分子をイオン化し、このイオン化された酸素分子や窒素分子により半導体チップＣの電荷を中和し、帯電を防止する。

検出器２６０は、ピックアップ装置１００の検出器１８０と同様、圧電素子（ＡＥ（Acoustic Emission）センサ）であり、半導体チップＣの変形や破壊時に放出される弾性エネルギを検出して電気信号に変換する。

図１では、検出器２６０は、シリンダ２３０に取り付けられている。ただし、半導体チップＣのクラック発生により音波の形で放出される弾性エネルギを検出できる場所であれば、他の場所に取り付けてもよい。半導体チップＣのクラック発生により生じる音波は、例えば、弾性体（ゴム等）を介していても伝達される。このため、マウント装置２００のほとんどの場所に取り付けることが可能である。

なお、半導体チップＣのクラックにより生じる音波以外の音波（ノイズ）を除去するために、検出器２６０には、シリコン（Ｓｉ）にクラックが生じる際に発生する音波の周波数帯を通すフィルタを設けることが好ましい。このフィルタは、ハードで構成してもよく、ソフトウェアで構成してもよい。さらに、半導体チップＣのマウント動作時にのみ弾性エネルギを検出するようにしてもよい。半導体チップＣのマウント動作時にのみ弾性エネルギを検出することで、ノイズをさらに除去することができる。

（マウント動作）
図４，図５は、マウント装置のマウント機構の断面図である。以下、図４及び図５を参照して、マウント動作について説明する。なお、マウント装置２００のマウント動作は、制御装置３００により制御される。

初めに、駆動機構２４０を制御して、コレット２２０をプリサイサステージ４００上の半導体チップＣの直上部に位置決めする。この後、コレット２２０を下降させて、半導体チップＣの上面を吸着し、半導体チップＣをピックアップする（図４（ａ）参照）。

次に、駆動機構２４０を制御して、コレット２２０を半導体チップＣを載置すべき基板Ｔの直上に移動する。この後、コレット２２０を下降して基板Ｔ上に半導体チップＣを載置し、半導体チップＣに荷重Ｗを付与する（図４（ｂ）参照）。

一定時間経過後、コレット２２０のバキューム（vaccum）をオフ（off）し、シリンダ２３０を制御してコレット２２０を上昇させる（図５参照）。その後、コレット２２０は、次の半導体チップＣをマウントするためにプリサイサステージ４００へ移動する。

制御装置３００は、ピックアップ装置１００及びマウント装置２００の動作を制御する。また、制御装置３００のメモリ３００ａには、ピックアップ装置１００の検出器１８０及びマウント装置２００の検出器２６０で検出される弾性エネルギの大きさに応じて、ピックアップ装置１００及びマウント装置２００の動作を変更するためのテーブルデータが記憶されている。

図６は、メモリ３００ａに記憶されているテーブルデータの一例を示す図である。図６（ａ）は、ピックアップ装置１００用のテーブルデータ、図６（ｂ）は、マウント装置２００用のテーブルデータである。

図６（ａ）に示すように、制御装置３００は、検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさ（実際には、弾性エネルギｅの大きさに比例して変換された電圧値）に応じて、ピックアップ装置１００の突き上げ速度Ｓ、突き上げ量Ｒ、保持時間Ｔを変化させる。

但し、図６（ａ）中の各値は以下の関係（１）〜（４）を満たしている。
０≦ｅ１＜ｅ２＜ｅ３・・・（１）
Ｓ３＜Ｓ２＜Ｓ１・・・（２）
Ｒ３＜Ｒ２＜Ｒ１・・・（３）
Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３・・・（４）

つまり、制御装置３００は、検出器１８０で検出される弾性エネルギｅが大きくなるに従い突き上げ速度Ｓ及び突き上げ量Ｒを小さく、保持時間Ｔを長くし、弾性エネルギｅが閾値ｅ３以上になるとピックアップ装置１００の動作を停止させる。

検出される弾性エネルギｅが大きいと、半導体チップＣにクラックが生じている可能性が高い。そこで、上記のように弾性エネルギｅが大きくなるに従い、ピックアップ装置１００の突き上げ速度Ｓ、突き上げ量Ｒを小さく、保持時間Ｔを長くすることでクラックにより半導体チップＣに不具合が生じる虞を低減している。なお、図６（ａ）に示すテーブルデータを用いる制御装置３００による具体的な制御については、図７を参照して説明する。

また、図６（ｂ）に示すように、制御装置３００は、検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさ（実際には、弾性エネルギの大きさに比例して変換された電圧値）に応じて、マウント装置２００の押し付け荷重Ｗ、イオナイザの流量Ｆを変化させる。

但し、図６（ｂ）中の各値は以下の関係（５）〜（７）を満たしている。
０≦ｅ４＜ｅ５＜ｅ６・・・（５）
Ｗ３＜Ｗ２＜Ｗ１・・・（６）
Ｆ１＜Ｆ２＜Ｆ３・・・（７）

つまり、制御装置３００は、検出器２６０で検出される弾性エネルギｅが大きくなるに従い、押し付け荷重Ｗを小さく、イオナイザの流量Ｆを大きくし、弾性エネルギｅが閾値ｅ６以上になるとマウント装置２００の動作を停止させる。

検出される弾性エネルギｅが大きいと、半導体チップＣにクラックが生じている可能性が高い。そこで、上記のように弾性エネルギｅが大きくなるに従い、マウント装置２００の押し付け荷重Ｗを小さくすることでクラックにより半導体チップＣに不具合が生じる虞を低減している。また、イオナイザの流量Ｆを大きくすることで、半導体チップＣの裏面や載置面のごみ（パーティクル）を除去し、半導体チップＣにクラックが生じる虞を低減している。なお、図６（ｂ）に示すテーブルデータを用いる制御装置３００による具体的な制御については、図８を参照して説明する。

なお、この実施形態では、一つの制御装置３００でピックアップ装置１００とマウント装置２００とを制御しているが、ピックアップ装置１００及びマウント装置２００に、それぞれ独立に制御装置を備えるようにしてもよい。

プリサイサステージ４００（受け渡し台）は、ピックアップ装置１００とマウント装置２００との受け渡し台である。ピックアップ装置１００でピックアップされた半導体チップＣは、プリサイサステージ４００上に載置され、マウント装置２００により基板Ｔ上へマウントされる。なお、プリサイサステージ４００では、半導体チップＣのアライメント（位置合わせ）が行われる。プリサイサステージ４００を備えることで、半導体チップＣのピックアップ動作とマウント動作とを独立して行うことができる。このため、ピックアップ及びマウントに必要なプロセス時間を短縮することができる。

（ピックアップ装置１００の動作）
図７は、ピックアップ装置１００の動作を示すフローチャートである。以下、図１及び図７を参照して、ピックアップ装置１００の動作を説明する。なお、ピックアップ装置１００は、制御装置３００により、その動作を制御される。

初めに、制御装置３００は、ピックアップ対象である半導体チップＣのＩＤを認識する（ステップＳ１０１）。次に、制御装置３００は、ピックアップ装置１００を制御してピックアップ対象である半導体チップＣをピックアップする（ステップＳ１０２）。

ピックアップ装置１００の検出器１８０は、半導体チップＣのピックアップ時における弾性波（弾性エネルギｅ）を検出し（ステップＳ１０３）、制御装置３００へ出力する。制御装置３００は、メモリ３００ａに記憶されているテーブルデータを参照し、検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ１未満であるかを判定する（ステップＳ１０４）。

検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ１未満である場合（ステップＳ１０４のＹＥＳ）、制御装置３００は、すべての半導体チップＣをピックアップしたかを判定する（ステップＳ１０５）。すべての半導体チップＣをピックアップしている場合（ステップＳ１０５のＹＥＳ）、制御装置３００は、ピックアップ装置１００による半導体チップＣのピックアップ動作を終了する。

すべての半導体チップＣをピックアップしていない場合（ステップＳ１０５のＮＯ）、すなわちピックアップしていない半導体チップＣがある場合、制御装置３００は、ステップＳ１０１の動作に戻り、次に半導体チップのＩＤを認識する。

検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ１未満でない（ｅ１以上の）場合（ステップＳ１０４のＮＯ）、ステップＳ１０２でピックアップした半導体チップＣのＩＤ（半導体基板のＩＤ及び半導体基板上の位置（縦、横それぞれ何番目か）をメモリ３００ａに記憶する（ステップＳ１０６）。

次に、制御装置３００は、検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ２未満であるかを判定する（ステップＳ１０７）。検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ２未満である場合（ステップＳ１０７のＹＥＳ）、制御装置３００は、ピックアップ装置１００の動作パラメータを変化させる（ステップＳ１０８）。

具体的には、制御装置３００は、ピックアップ装置１００の突き上げ速度Ｓ、突き上げ量Ｒ、保持時間Ｔを各々Ｓ２、Ｒ２、Ｔ２へ変化させる。動作パラメータを変更後、制御装置３００は、ステップＳ１０５から動作を実施する。

検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ２未満でない（ｅ２以上の）場合（ステップＳ１０７のＮＯ）、制御装置３００は、検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ３未満であるかを判定する（ステップＳ１０９）。検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ３未満である場合（ステップＳ１０９のＹＥＳ）、制御装置３００は、ピックアップ装置１００の動作パラメータを変化させる（ステップＳ１０８）。

具体的には、制御装置３００は、ピックアップ装置１００の突き上げ速度Ｓ、突き上げ量Ｒ、保持時間Ｔを各々Ｓ３、Ｒ３、Ｔ３へ変化させる。動作パラメータを変更後、制御装置３００は、ステップＳ１０５から動作を実施する。

検出器１８０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ３未満でない（ｅ３以上の）場合（ステップＳ１０９のＮＯ）、制御装置３００は、ピックアップ装置１００の動作を停止する（ステップＳ１１０）。

（マウント装置２００の動作）
図８は、マウント装置２００の動作を示すフローチャートである。以下、図１及び図８を参照して、マウント装置２００の動作を説明する。なお、マウント装置２００は、制御装置３００により、その動作を制御される。

初めに、制御装置３００は、マウント対象である半導体チップＣのＩＤを認識する（ステップＳ２０１）。次に、制御装置３００は、マウント装置２００を制御してマウント対象である半導体チップＣをプリサイサステージ４００からピックアップした後、基板Ｔにマウントする（ステップＳ２０２）。

マウント装置２００の検出器２６０は、半導体チップＣのマウント時における弾性波（弾性エネルギｅ）を検出し（ステップＳ２０３）、制御装置３００へ出力する。制御装置３００は、メモリ３００ａに記憶されているテーブルデータを参照し、検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ４未満であるかを判定する（ステップＳ２０４）。

検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ４未満である場合（ステップＳ２０４のＹＥＳ）、制御装置３００は、すべての半導体チップＣをマウントしたかを判定する（ステップＳ２０５）。すべての半導体チップＣをマウントしている場合（ステップＳ２０５のＹＥＳ）、制御装置３００は、マウント装置２００による半導体チップＣのマウント動作を終了する。

すべての半導体チップＣをマウントしていない場合（ステップＳ２０５のＮＯ）、すなわちマウントしていない半導体チップＣがある場合、制御装置３００は、ステップＳ２０１の動作に戻り、次に半導体チップのＩＤを認識する。

検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ４未満でない（ｅ４以上の）場合（ステップＳ２０４のＮＯ）、ステップＳ２０２でマウントした半導体チップＣのＩＤ（どの基板の何層目か）をメモリ３００ａに記憶する（ステップＳ２０６）。

次に、制御装置３００は、検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ５未満であるかを判定する（ステップＳ２０７）。検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ５未満である場合（ステップＳ２０７のＹＥＳ）、制御装置３００は、マウント装置２００の動作パラメータを変化させる（ステップＳ２０８）。

具体的には、制御装置３００は、マウント装置２００の押し付け荷重Ｗ及びイオナイザの流量Ｆを各々Ｗ２、Ｆ２へ変化させる。動作パラメータを変更後、制御装置３００は、ステップＳ２０５から動作を実施する。

検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ５未満でない（ｅ５以上の）場合（ステップＳ２０７のＮＯ）、制御装置３００は、検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値６ｅ未満であるかを判定する（ステップＳ２０９）。検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ６未満である場合（ステップＳ２０９のＹＥＳ）、制御装置３００は、マウント装置２００の動作パラメータを変化させる（ステップＳ２０８）。

具体的には、制御装置３００は、マウント装置２００の押し付け荷重Ｗ及びイオナイザの流量Ｆを各々Ｗ３、Ｆ３へ変化させる。動作パラメータを変更後、制御装置３００は、ステップＳ２０５から動作を実施する。

検出器２６０で検出される弾性エネルギｅの大きさが、閾値ｅ６未満でない（ｅ６以上の）場合（ステップＳ２０９のＮＯ）、制御装置３００は、マウント装置２００の動作を停止する（ステップＳ２０９）。

以上のように、実施形態に係るピップアップ装置１００及びマウント装置２００では、半導体チップＣをピックアップする際に生じる弾性エネルギを検出する検出器１８０及び検出器２６０を備えている。このため、半導体チップＣのクラックの発生をリアルタイムで検出することができる。この結果、クラックの発生した半導体チップＣを不良チップとして直ちに取り除くことができ、半導体チップＣをパッケージ化した後の最終テスト時までクラックによる半導体チップＣの不具合がわからず大量の不良品を製造することを防止することができる。

また、ピップアップ装置１００では、検出される弾性エネルギｅが大きくなるに従い、突き上げ速度Ｓ、突き上げ量Ｒを小さく、保持時間Ｔを長くしている。さらに、検出される弾性エネルギｅの大きさが所定の閾値ｅ３以上の場合、ピックアップ装置１００の動作を停止させている。このため、次の半導体チップＣをピックアップする際に、半導体チップＣにクラックが発生するのを抑制することができる。

また、マウント装置２００では、検出される弾性エネルギｅが大きくなるに従い、押し付け荷重Ｗを小さく、イオナイザ流量Ｆを大きくしている。さらに、検出される弾性エネルギｅの大きさが所定の閾値ｅ６以上の場合、マウント装置２００の動作を停止させている。このため、次の半導体チップＣをマウントする際に、半導体チップＣにクラックが発生するのを抑制することができる。

（実施形態の変形例）
なお、ピックアップ装置１００及びマウント装置２００に、閾値（ｅ１，ｅ２）以上の弾性エネルギが検出された半導体チップＣに目印を付与するマーカーを設けるようにしてもよい。クラック発生に伴う弾性波が検出された半導体チップＣに目印を付与することで、目視でも不良チップの確認ができ、利便性が向上する。また、上記実施形態では、ピックアップ装置１００とマウント装置２００とに、それぞれ閾値を３つ設定（ｅ１〜ｅ３，ｅ４〜ｅ４）しているが、設定する閾値の数を増やし、さらにきめ細かくパラメータを制御するようにしてもよい。

（その他の実施形態）
以上のように、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を変更しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態や変形が、発明の範囲や要旨に含まれるのと同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

２…ダイシングシート、３…ウェハリング、１００…ピックアップ装置、１１０…保持機構、１２０…突き上げ機構、１３０…Ｘ−Ｙステージ、１４０…支持部材、１５０…コレット、１６０…駆動機構、１７０…シリンダ、１８０…検出器、２００…マウント装置、２１０…ホルダー、２２０…コレット、２３０…シリンダ、２４０…駆動機構、２５０…イオナイザ、２６０…検出器、３００…制御装置、３００ａ…メモリ、４００…プリサイサステージ。

Claims (4)

1. 個片化された半導体チップを突上げる突き上げ機構と、
   前記突き上げ機構により突き上げられた前記半導体チップをピックアップするピックアップ機構と、
   前記突き上げ機構を介して、半導体チップの突き上げ時の弾性波を検出する第１の検出器と、
   前記ピックアップ機構によりピックアップされた半導体チップを基板上に載置するマウント機構と、
   前記マウント機構を介して、半導体チップの搭載時の弾性波を検出する第２の検出器と、
   前記半導体チップへの帯電を防止するイオナイザと、
   を備え、
   前記突き上げ機構は、
   前記第１の検出器にて検出される弾性波の大きさが大きくなった場合、前記半導体チップの突き上げ速度、前記半導体チップの突き上げ量、及び半導体チップを突き上げた状態を保持する保持時間の少なくとも一つを、前記突き上げ速度及び前記突き上げ量については小さく、前記保持時間については長くなるように変更し、前記第１の検出器で検出される弾性波が第１の閾値を超えると動作を停止し、
   前記マウント機構は、
   前記第２の検出器にて検出される弾性波の大きさが大きくなった場合、前記半導体チップを前記基板上にマウントする際の押し付け圧力及び前記イオナイザからの風量の少なくとも一方を、前記押し付け圧力については小さく、前記風量については大きくなるように変更し、前記第２の検出器で検出される弾性波が第２の閾値を超えると動作を停止する半導体製造装置。
2. 個片化された半導体チップを突上げる突き上げ機構と、
   前記突き上げ機構により突き上げられた前記半導体チップをピックアップするピックアップ機構と、
   前記突き上げ機構を介して、半導体チップの突き上げ時の弾性波を検出する検出器と、
   を備え、
   前記突き上げ機構は、
   前記検出器にて検出される弾性波の大きさが大きくなった場合、前記半導体チップの突き上げ速度、前記半導体チップの突き上げ量、及び半導体チップを突き上げた状態を保持する保持時間の少なくとも一つを、前記突き上げ速度及び前記突き上げ量については小さく、前記保持時間については長くなるように変更する半導体製造装置。
3. 個片化された半導体チップを基板上に載置するマウント機構と、
   前記マウント機構を介して、半導体チップの搭載時の弾性波を検出する検出器と、
   前記半導体チップへの帯電を防止するイオナイザと、
   を備え、
   前記マウント機構は、
   前記検出器にて検出される弾性波の大きさが大きくなった場合、前記半導体チップを前記基板上にマウントする際の押し付け圧力及び前記イオナイザからの風量の少なくとも一方を、前記押し付け圧力については小さく、前記風量については大きくなるように変更する半導体製造装置。
4. 前記検出器で検出される弾性波が閾値を超えると動作を停止する請求項２又は請求項３に記載の半導体製造装置。

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