CN105637618B - 半导体元件的制造方法、晶圆安装装置 - Google Patents

半导体元件的制造方法、晶圆安装装置 Download PDF

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Abstract

本发明的特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从该晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使该平坦晶圆的该第2面吸附于吸附手部，一边将该平坦晶圆从该吸附台分离，将该第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于该切割带的该平坦晶圆进行切割。

Description

半导体元件的制造方法、晶圆安装装置
技术领域
本发明涉及例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等半导体元件的制造方法、以及在该制造方法中使用的晶圆安装装置。
背景技术
在专利文献1中，公开了在FZ晶圆的表面形成晶体管等表面构造后对该晶圆的背面进行磨削的内容。通过该磨削，使晶圆的背面的中央部比外周端部薄。由此，在晶圆的背面的外周端部形成肋部。对磨削后的晶圆实施离子注入及金属电极膜的形成等处理。
专利文献1：日本特开2009－283636号公报
专利文献2：日本特表平10－500903号公报
发明内容
例如，如果将晶圆磨削至成为小于或等于100μm的厚度，则由于电极膜的应力等，导致晶圆翘曲几mm至几十mm。翘曲的晶圆是不能进行输送的。因此，有时通过不对晶圆的外周的几mm的区域进行磨削、将该区域保留，从而设置比晶圆的中央部厚的环部，对晶圆的翘曲进行抑制。
在使用切割刀对晶圆进行切割的情况下，将切割带粘贴于晶圆。但是，如果试图将具有环部的晶圆粘贴于切割带，则存在如下等问题，即，在晶圆和切割带之间产生间隙，有效芯片数(有效半导体元件数)降低。
本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够对晶圆进行切割而不存在有效芯片数降低等问题的半导体元件的制造方法、以及晶圆安装装置。
本发明所涉及的半导体元件的制造方法的特征在于，具有：切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从该晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的该环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面；粘贴工序，一边使该平坦晶圆的该第2面吸附于吸附手部，一边将该平坦晶圆从该吸附台分离，将该第1面粘贴于切割带；以及切割工序，对被粘贴于该切割带的该平坦晶圆进行切割。
本发明所涉及的晶圆安装装置的特征在于，具有：切断部，其具有吸附台和激光振荡器，该切断部用于形成平坦晶圆，该吸附台对晶圆的第1面进行吸附，在该晶圆的外周形成比中央部厚的环部，该晶圆具有该第1面、和与该第1面相反的面即第2面，该激光振荡器利用激光从该晶圆将该环部切除；粘贴部，其设置有切割带；以及吸附手部，其一边对该平坦晶圆的该第2面进行真空吸附，一边使该平坦晶圆从该吸附台移动而粘贴于该切割带。
在下面使本发明的其他特征变得明确。
发明的效果
根据本发明，由于在利用激光从晶圆将环部去除而形成平坦晶圆后使平坦晶圆附着于切割带，因此能够无问题地对晶圆进行切割。
附图说明
图1是晶圆的剖视图。
图2是晶圆和吸附台的剖视图。
图3是表示激光振荡器等的图。
图4是表示切断工序后的晶圆的剖视图。
图5是表示将平坦晶圆从吸附台分离这一情况的图。
图6是表示将平坦晶圆粘贴于切割带这一情况的剖视图。
图7是表示被切割构造的剖视图。
图8是表示对平坦晶圆进行切割这一情况的剖视图。
图9是切割工序后的平坦晶圆等的俯视图。
图10是实施方式1所涉及的晶圆安装装置的俯视图。
图11是说明对比例的图。
图12是说明对比例的图。
图13是说明对比例中的切割带相对于晶圆的粘贴的图。
图14是说明对比例中的切割的图。
图15是表示对比例的间隙的图。
图16是表示对比例中的延展台等的图。
图17是说明对比例中的切割带的断裂的图。
图18是表示实施方式2所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。
图19是表示实施方式3所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。
图20是表示实施方式4所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。
图21是表示实施方式5所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。
图22是表示变形例所涉及的切断部的图。
图23是表示变形例所涉及的切断部的图。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体元件的制造方法和晶圆安装装置进行说明。对相同或者相对应的构成要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。
实施方式1
对本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法进行说明。图1是晶圆的剖视图，该晶圆具有第1面10a、与第1面10a相反的面即第2面10b。晶圆10具有中央部10A和环部10B。中央部10A的第1面10a侧被磨削，例如成为小于或等于100μm的厚度。在中央部10A的第2面10b侧，作为器件的表面构造，例如形成有晶体管等元件。
环部10B是位于中央部10A的外周的比中央部10A厚的部分。环部10B是为了提高晶圆10的强度、防止晶圆10的翘曲而形成的。此外，在外周具有厚的部分的晶圆被称为“TAIKO”(注册商标)晶圆。
图2是表示将晶圆10载置于吸附台这一情况的剖视图。使吸附手部12吸附于晶圆10的第2面10b而使晶圆10移动，将晶圆10载置于吸附台14。由此，晶圆10的第1面10a与吸附台14接触。
然后，将环部10B去除。图3是表示将环部10B去除这一情况的剖视图。在该工序中，一边使晶圆10的第1面10a吸附于吸附台14，一边利用激光16a从晶圆10将环部10B切除。此时，激光16a照射于中央部10A和环部10B之间的边界。激光16a是从激光振荡器16发出的。作为激光振荡器16，优选使用YAG激光器，但不特别地限定于此。
如上所述，将从晶圆10切除环部10B的工序称为切断工序。图4是表示切断工序后的晶圆的剖视图。通过切断工序，将环部10B从晶圆10切断，仅残留中央部10A。将仅由中央部10A形成的、厚度恒定的晶圆称为平坦晶圆11。
然后，如图5所示，将平坦晶圆11从吸附台14分离。具体地说，一边使平坦晶圆11的第2面10b吸附于吸附手部12，一边将平坦晶圆11从吸附台14分离。在这里，通过预先将吸附手部12设为能够与平坦晶圆11的第2面10b的绝大部分接触的大小，从而能够利用吸附手部12防止平坦晶圆11的翘曲。
然后，如图6所示，将平坦晶圆11粘贴于切割带20。切割带20具有粘接剂20A和基材20B密接的构造。切割带20的外周附着于环状的安装框架22。在该工序中，将平坦晶圆11的第1面10a粘贴于切割带20的粘接剂20A。如上所述，将以下工序称为粘贴工序，即，一边使平坦晶圆11的第2面10b吸附于吸附手部12，一边将平坦晶圆11从吸附台14分离、将第1面10a粘贴于切割带20的工序。
然后，如图7所示，使吸附手部从平坦晶圆11退避。在该状态下，由于平坦晶圆11被粘贴于切割带20，因此不翘曲。将图7所示的安装框架22、切割带20、以及平坦晶圆11成为一体的构造称为被切割构造。
然后，如图8所示，对粘贴于切割带20的平坦晶圆11进行切割。将该工序称为切割工序。在切割工序中，首先，将被切割构造置于切割机的吸附台40之上。然后，在使切割带20吸附于切割机的吸附台40的状态下，利用切割刀42对平坦晶圆11进行切割。由此，平坦晶圆11被分割为各个半导体元件11A(芯片)。而且，利用切割刀42，在切割带20形成槽44。
图9是切割工序后的晶圆等的俯视图。通过纵向的槽44A和横向的槽44B，将平坦晶圆11分割为各个半导体元件11A。本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法具有上述的工序。
然后，对用于形成被切割构造的装置、即晶圆安装装置进行说明。图10是晶圆安装装置50的俯视图。晶圆安装装置50是主要实施切断工序和粘贴工序的装置。晶圆安装装置50具有工作台52。在工作台52之上设置有安装框架盒54，该安装框架盒54收容安装框架22。将安装框架盒54内的安装框架22向切割带粘贴部60输送。输送方向以箭头56示出。
切割带粘贴部60是将安装框架22粘贴于切割带20的场所。在将安装框架22粘贴于切割带20后，对切割带20的外周部进行切断。将被粘贴了切割带20的安装框架22向粘贴部70输送。输送方向以箭头62示出。
在说明粘贴部70之前，对晶圆的处理进行说明。晶圆安装装置50具有工作台80。在工作台80之上，设置有晶圆盒82，该晶圆盒82收容晶圆10。使用吸附手部12将晶圆盒82的晶圆10向切断部90输送。输送方向以箭头84示出。
切断部90具有吸附台14和激光振荡器16。如参照图2－4说明所述，利用切断部90对环部10B进行切断。由于通过对环部10B进行切断而形成的厚度恒定的平坦晶圆11被保持于吸附台14，因此不会翘曲。
平坦晶圆11向以箭头92示出的输送方向输送。具体地说，利用吸附手部12，一边对平坦晶圆11的第2面10b进行真空吸附，一边使平坦晶圆11从吸附台14向粘贴部70移动。然后，在粘贴部70，被粘贴了切割带20的安装框架22等待于此，如参照图6说明所述，将平坦晶圆11粘贴于切割带20。此时，优选对平坦晶圆11进行朝向切割带20的方向的辊压、或真空－大气加压等，而使平坦晶圆11和切割带20密接。
这样，在粘贴部70，安装框架22、切割带20、以及平坦晶圆11成为一体的被切割构造完成。将被切割构造向工作台100输送。输送方向以箭头94示出。在工作台100之上设置有盒102，该盒102收容被切割构造。被切割构造被收容于盒102，由晶圆安装装置50进行的处理结束。
下面，为了易于理解本发明的意义，说明对比例。在对比例的半导体元件的制造方法中，首先，如图11所示，将被粘贴了切割带20的安装框架22、以及晶圆10输送至腔室200内。然后，对腔室200内进行抽真空。抽真空是从与腔室200相通的配管202将腔室200内的空气进行排气而进行的。变为真空后，如图12所示，使晶圆10的环部10B和切割带20密接。
然后，将腔室200内恢复至大气压。这样，如图13所示，大气压204使切割带20附着于晶圆10的第1面10a。此时，在晶圆10的台阶部和切割带20之间产生间隙206。这样，对比例的被切割构造完成。对比例的被切割构造具有未对环部10B进行切断的晶圆10。
然后，对环部10B进行切断。具体地说，如图14所示，将被切割构造载置于吸附台210，利用切割刀212以圆周状将晶圆10进行切断。切割刀212的旋转方向以方向214示出，移动方向以方向216(沿晶圆10的外周的方向)示出。
此时，在切割刀212的正下方，必须存在吸附台210。如果在切割刀212的正下方不存在吸附台210，则切割刀212会将晶圆10压弯而使晶圆10破裂。因此，如果考虑到环部10B的宽度的波动、切割带20的厚度、吸附台210和晶圆10的中心错位等，则必须与环部10B相比在内侧进行切断，该内侧是指，相对于环部10B的距离为X1(1.5mm左右)左右。
如上所述，在对比例中，由于在对环部10B进行切断时，必须对中央部10A的一部分也进行切断，因此有效芯片数相应地减少。将该问题称为第1问题。
根据本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法，能够消除第1问题。即，在实施方式1中，由于使用激光，因此能够对环部10B和中央部10A之间的边界进行切断而将环部10B去除。由此，由于能够对环部10B进行切断而不实质上对中央部10A进行切断，因此有效芯片数不会减少。上述效果是通过在图10所示的晶圆安装装置50的切断部90设置激光振荡器16而得到的。
此外，在对比例中，在晶圆10和切割带20之间的密接性差的情况下，它们之间的间隙变大。图15是表示晶圆10和切割带20之间的间隙206形成得较大这一情况的图。在图15的上侧示出剖视图，在图15的下侧示出俯视图。由于如果间隙206大，则必须增大从环部10B至进行切断的部位为止的距离X1，因此有效芯片数减少。具体地说，由于仅被圆220包围的部分进入切割工序，因此浪费的芯片(半导体元件)多。而且，由于晶圆10和切割带20的粘接面积变小，因此在切割过程中晶圆10容易飞出。将由于间隙206变大而产生的这些问题称为第2问题。
根据本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法，能够消除第2问题。即，在实施方式1中，由于将平坦晶圆11粘贴于切割带20，因此在平坦晶圆11和切割带20之间不会产生间隙。因此，在实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法中，不会产生第2问题。
在对晶圆进行切割而分割为各个半导体元件后，为了使半导体元件易于拾取，通常对切割带进行延展(伸展)。图16是表示对切割带进行延展这一情况的剖视图。单片化后的半导体元件10C与切割带20粘接。在切割带20形成有在对环部进行切断时形成的环状的槽302、以及在将晶圆10分割为各个半导体元件10C时产生的槽304。通过使延展台300上升而使切割带20伸展，从而能够使切割线(槽304)的宽度扩展而使半导体元件10C易于拾取。
在这里，槽302形成为环状，在俯视观察时延展台300也为圆形，因此在延展时，力集中于切割带20的槽302的周边，有时切割带20沿槽302断裂。图17是表示切割带20沿槽302断裂这一情况的剖视图。当然，如果切割带20断裂，则半导体元件10C变得难以拾取。将这称为第3问题。
根据本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法，能够消除第3问题。即，在实施方式1中，由于在将晶圆10粘贴于切割带20之前对环部10B进行切断，因此在切割带20不形成因对环部进行切断而引起的环状的槽。因此，在实施方式1的半导体元件的制造方法中，不会产生第3问题。
如上所述，本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法，与对比例的方法相比，有效芯片数增加，在切割过程中晶圆不会飞出，能够避免延展时的切割带20的断裂。
此外，如果在将晶圆10粘贴于切割带20之前对环部10B进行切断，则有可能发生平坦晶圆11的翘曲。但是，在本发明的实施方式1的切断工序中，由于一边使晶圆10的第1面10a吸附于吸附台14，一边利用激光从晶圆10将环部10B切除，因此平坦晶圆11不会翘曲。并且，在粘贴工序中，由于一边使平坦晶圆11的第2面10b吸附于吸附手部12，一边将平坦晶圆11从吸附台14分离，将第1面10a粘贴于切割带20，因此平坦晶圆11不会翘曲。如上所述，从对环部10B进行切断时起，直至将平坦晶圆11粘贴于切割带20为止，始终能够使平坦晶圆11保持平坦。
作为激光振荡器16，优选使用YAG激光器，该YAG激光器是固体激光器且操作容易、效率高且寿命长。但是，作为激光振荡器16，也可以使用其他激光元件。另外，在本发明的实施方式1中，将晶圆10中的被研磨而出现的面作为第1面10a，将与其相反的面作为第2面10b。但是，即使将被研磨而出现的面定义为第2面、将与其相反的面定义为第1面而实施上述的处理，也能够得到本发明的效果。此外，这些变形还能够应用于以下的实施方式所涉及的半导体元件的制造方法以及晶圆安装装置。
关于以下的实施方式所涉及的半导体元件的制造方法和晶圆安装装置，由于与实施方式1的一致点多，因此将与实施方式1的不同点作为中心进行说明。
实施方式2
图18是表示本发明的实施方式2所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。在使用了切断部的切断工序中，首先，在第2面10b形成水溶性的保护膜400。然后，利用激光16a从晶圆10将环部10B切除。利用保护膜400，能够防止激光切屑402附着于晶圆10。
实施方式3
图19是表示本发明的实施方式3所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。在使用了切断部的切断工序中，首先，利用橡胶环410和防尘罩412将第2面10b的中央部覆盖。然后，利用激光16a，从晶圆10将环部10B切除。通过橡胶环410和防尘罩412，能够防止激光切屑402附着于晶圆10。该方法与在第2面10b形成水溶性的保护膜相比能够由更少的工序实现。
实施方式4
图20是表示本发明的实施方式4所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。在使用了切断部的切断工序中，首先，利用橡胶环410和防尘罩412将第2面10b的中央部覆盖。然后，以覆盖橡胶环410和防尘罩412的方式设置气流生成装置420。在气流生成装置420中，存在流过箭头方向的气流的空腔420a。气流生成装置420产生经由空腔420a从第2面10b的中央部朝向外周部的气流422。然后，一边产生气流422，一边利用激光16a从晶圆10将环部10B切除。根据该方法，能够防止激光切屑402附着于晶圆10的边缘。
实施方式5
图21是表示本发明的实施方式5所涉及的晶圆安装装置的切断部的图。切断部具有高压水泵450。在高压水泵450连接有配管452。在配管452连接有喷嘴454。该切断部构成为，使从高压水泵450释放出的水经由配管452及喷嘴454而喷射至晶圆10。从喷嘴454喷出的水柱458的直径例如为几十μm。
从激光振荡器16发出的激光16a通过光纤456和喷嘴454而被导入至水柱458内，照射于中央部10A和环部10B之间的边界。如上所述，在切断工序中，通过将水(水柱458)喷射至激光的照射部分，从而能够抑制该照射部分的温度上升。另外，通过该水能够将激光切屑402向外部排出。
此外，也可以对上述的各实施方式所涉及的半导体元件的制造方法和晶圆安装装置的特征适当地进行组合，提高本发明的效果。例如，也可以如图22所示，对实施方式5的结构附加橡胶环410和防尘罩412。另外，也可以如图23所示，对实施方式5的结构附加橡胶环410、防尘罩412、以及气流生成装置420。
标号的说明
10晶圆，10A中央部，10B环部，10C半导体元件，10a第1面，10b第2面，11平坦晶圆，11A半导体元件，12吸附手部，14吸附台，16激光振荡器，20切割带，20A粘接剂，20B基材，22安装框架，40切割机的吸附台，42切割刀，44槽，50晶圆安装装置，52工作台，54安装框架盒，60切割带粘贴部，70粘贴部，80工作台，82晶圆盒，90切断部，100工作台，102盒，200腔室，202配管，206间隙，300延展台，302、304槽，400保护膜，402激光切屑，410橡胶环，412防尘罩，420气流生成装置，422气流，450高压水泵，452配管，454喷嘴，456光纤

Claims (7)

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：
切断工序，通过一边使晶圆的第1面吸附于吸附台，一边利用激光从所述晶圆将环部切除，从而形成平坦晶圆，在该晶圆的外周形成比中央部厚的所述环部，该晶圆具有所述第1面、和与所述第1面相反的面即第2面；
粘贴工序，一边使所述平坦晶圆的所述第2面吸附于吸附手部，一边将所述平坦晶圆从所述吸附台分离，将所述第1面粘贴于切割带；以及
切割工序，对被粘贴于所述切割带的所述平坦晶圆进行切割。
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中使用YAG激光器。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，在所述第2面形成水溶性的保护膜后，从所述晶圆将所述环部切除。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，在利用橡胶环和防尘罩而将所述第2面的中央部覆盖后，从所述晶圆将所述环部切除。
5.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，一边产生从所述第2面的中央部朝向外周部的气流，一边从所述晶圆将所述环部切除。
6.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，将水喷射至所述激光的照射部分。
7.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在所述切断工序中，将所述激光照射至所述中央部和所述环部之间的边界。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US9748140B1 (en) 2016-05-13 2017-08-29 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing semiconductor devices
JP2017212255A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社ジェイデバイス 半導体製造装置及び製造方法
DE102016110378B4 (de) * 2016-06-06 2023-10-26 Infineon Technologies Ag Entfernen eines Verstärkungsrings von einem Wafer
DE102016111629B4 (de) * 2016-06-24 2022-10-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
US10504767B2 (en) * 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
DE112017006493T5 (de) * 2016-12-22 2019-09-12 Mitsubishi Electric Corporation Laserbearbeitungs-Vorrichtung, Laserbearbeitungs-Verfahren und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung
TWI754065B (zh) * 2017-06-23 2022-02-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 零件製造裝置及零件製造方法
JP6938084B2 (ja) * 2017-07-26 2021-09-22 株式会社ディスコ ブレード保持具
US11538711B2 (en) * 2018-07-23 2022-12-27 Micron Technology, Inc. Methods for edge trimming of semiconductor wafers and related apparatus
WO2020054504A1 (ja) * 2018-09-13 2020-03-19 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
TWI716931B (zh) * 2019-07-10 2021-01-21 昇陽國際半導體股份有限公司 太鼓晶圓環形切割製程方法
CN111070448A (zh) * 2019-12-30 2020-04-28 成都先进功率半导体股份有限公司 一种晶圆环形切割方法
JP7431052B2 (ja) 2020-02-13 2024-02-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
TWI821679B (zh) * 2020-08-25 2023-11-11 南韓商杰宜斯科技有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN112475627A (zh) * 2020-11-17 2021-03-12 华虹半导体(无锡)有限公司 Taiko减薄晶圆的去环方法
US11551923B2 (en) * 2021-01-15 2023-01-10 Phoenix Silicon International Corp. Taiko wafer ring cut process method
WO2022264546A1 (ja) * 2021-06-16 2022-12-22 日東電工株式会社 導電性シート及びダイシングダイボンドフィルム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1539590A (zh) * 2003-04-25 2004-10-27 株式会社迪斯科 激光加工机床
CN102017067A (zh) * 2008-05-06 2011-04-13 应用材料股份有限公司 碎片撷取排出系统

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3866398A (en) 1973-12-20 1975-02-18 Texas Instruments Inc In-situ gas-phase reaction for removal of laser-scribe debris
DE4418845C5 (de) 1994-05-30 2012-01-05 Synova S.A. Verfahren und Vorrichtung zur Materialbearbeitung mit Hilfe eines Laserstrahls
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JP3685837B2 (ja) * 1995-05-30 2005-08-24 宮崎沖電気株式会社 半導体ウエハへのレーザマーキング方法及びその装置
JPH0966386A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Amada Co Ltd レーザ加工機
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
WO2003073495A1 (fr) 2002-02-27 2003-09-04 Tokyo Electron Limited Procede de support d'un substrat
JP2004214359A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd 基板加工方法および基板加工装置
JP2004221187A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置及びその製造方法
JP2004268080A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置および加工方法
JP4860113B2 (ja) 2003-12-26 2012-01-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
CN101290907B (zh) * 2003-12-26 2010-12-08 瑞萨电子株式会社 半导体集成电路器件的制造方法
JP2006032419A (ja) 2004-07-12 2006-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
WO2006010289A2 (de) 2004-07-30 2006-02-02 Synova S.A. Verfahren zur vereinzelung von auf einem halbleiterwafer angeordneten elektronischen schaltkreiseinheiten (chips)
JP2006286900A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Furukawa Electric Co Ltd:The チップの製造方法
SG126885A1 (en) 2005-04-27 2006-11-29 Disco Corp Semiconductor wafer and processing method for same
JP4993886B2 (ja) 2005-09-07 2012-08-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2007134510A (ja) 2005-11-10 2007-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハマウンタ装置
JP2007281095A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク搬送装置
JP2008283025A (ja) 2007-05-11 2008-11-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US20080302480A1 (en) 2007-06-07 2008-12-11 Berger Michael A Method and apparatus for using tapes to remove materials from substrate surfaces
JP4989498B2 (ja) 2008-01-18 2012-08-01 株式会社ディスコ ウェーハ搬送装置および加工装置
JP2008177600A (ja) * 2008-03-26 2008-07-31 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP5839768B2 (ja) 2008-05-21 2016-01-06 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010212608A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5471064B2 (ja) 2009-06-24 2014-04-16 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011125871A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工装置
JP2011189400A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Disco Corp レーザー加工装置
JP5686551B2 (ja) * 2010-08-31 2015-03-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5610991B2 (ja) * 2010-11-08 2014-10-22 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5893952B2 (ja) * 2012-02-22 2016-03-23 株式会社ディスコ チャックテーブルを用いたウエーハのレーザー加工方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1539590A (zh) * 2003-04-25 2004-10-27 株式会社迪斯科 激光加工机床
CN102017067A (zh) * 2008-05-06 2011-04-13 应用材料股份有限公司 碎片撷取排出系统

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Publication number Publication date
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