WO2022264546A1 - 導電性シート及びダイシングダイボンドフィルム - Google Patents

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WO2022264546A1
WO2022264546A1 PCT/JP2022/009950 JP2022009950W WO2022264546A1 WO 2022264546 A1 WO2022264546 A1 WO 2022264546A1 JP 2022009950 W JP2022009950 W JP 2022009950W WO 2022264546 A1 WO2022264546 A1 WO 2022264546A1
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conductive sheet
particles
mass
bonding film
resin
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PCT/JP2022/009950
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English (en)
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亮太 三田
智昭 市川
祐一 大木場
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日東電工株式会社
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    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present invention relates to a conductive sheet and a dicing die-bonding film.
  • a conductive sheet as a method (die bonding method) for bonding a semiconductor element (semiconductor chip) to an adherend such as a metal lead frame in the manufacture of a semiconductor device (for example, the following patent document 1).
  • Patent Literature 1 listed below discloses a conductive sheet containing conductive particles and a thermosetting resin. Further, in Patent Document 1 below, a semiconductor element (semiconductor chip) is attached to one surface of the conductive sheet, and then the other surface of the conductive sheet is brought into contact with an adherend such as a metal lead frame. Later, it is disclosed that the conductive sheet is heat-cured at a predetermined temperature (for example, 200° C.) and adhered to an adherend such as a metal lead frame.
  • a predetermined temperature for example, 200° C.
  • a semiconductor wafer for example, TAIKO (registered trademark) wafer
  • TAIKO (registered trademark) wafer produced by mechanical grinding so as to leave a ring-shaped inner portion up to several tens of mm from the outer peripheral edge.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid trademark
  • the TAIKO (registered trademark) wafer has a stepped portion formed between the ring-shaped portion and the inner portion thereof, and the maximum height of the stepped portion is usually about 450 ⁇ m.
  • the thickness of the flat plate portion obtained by mechanical grinding is usually about 20 ⁇ m.
  • a stepped portion is formed between the ring-shaped portion and the inner portion thereof. That is, such a semiconductor wafer is a semiconductor wafer having a stepped portion. Therefore, in obtaining a semiconductor element (semiconductor chip), if the conductive sheet is attached to a semiconductor wafer having a stepped portion as described above, the conductive sheet may not sufficiently follow the stepped portion. In such a case, between the semiconductor wafer having the stepped portion and the conductive sheet, there is a relatively large gap (from the edge of the stepped portion) toward the center of the semiconductor wafer having the stepped portion from the edge of the stepped portion.
  • voids formed to the inner side exceeding 500 ⁇ m may occur.
  • the conductive sheet is diced from the gap as a starting point for the semiconductor wafer having the stepped portion. It becomes easy to peel off from.
  • the semiconductor element semiconductor chip
  • the conductive sheet does not have sufficient characteristics. cannot be shown.
  • an object of the present invention is to provide a conductive sheet that can sufficiently follow a stepped portion when attached to a semiconductor wafer having a stepped portion, and a dicing die-bonding film comprising the conductive sheet.
  • the conductive sheet according to the present invention is A conductive sheet containing a binder resin and conductive particles, Viscosity at 70 ° C. is 10 kPa s or more and 10000 kPa s or less, The elongation at break at 70°C is 110% or more.
  • the content of the conductive particles is 85% by mass or more and 97% by mass or less.
  • the conductive particles contain at least one selected from the group consisting of silver particles, copper particles, silver oxide particles, and copper oxide particles.
  • thermosetting resin In the conductive sheet, What the said binder resin contains a thermosetting resin is preferable.
  • the conductive sheet It is preferable to further include a volatile component having a volatilization start temperature of 100° C. or higher.
  • the dicing die-bonding film according to the present invention is a dicing tape having an adhesive layer laminated on a base material layer; A conductive sheet laminated on the adhesive layer of the dicing tape, The conductive sheet is any of the conductive sheets described above.
  • FIG. 4A and 4B are schematic cross-sectional views for explaining a state of a wafer mounting process;
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a state of a dicing die-bonding film placement step;
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the state of a dicing die-bonding film contacting step;
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the state of a dicing die-bonding film adhesion step;
  • the conductive sheet according to this embodiment contains a binder resin and conductive particles.
  • conductive particles mean particles having an electrical conductivity of 100 ⁇ S/cm or less as measured according to JIS K 0130 (2008).
  • the conductive sheet according to the present embodiment has a viscosity of 10 kPa ⁇ s or more and 10000 kPa ⁇ s or less at 70°C. Furthermore, the conductive sheet according to the present embodiment has an elongation at break of 110% or more at 70°C.
  • the viscosity at 70°C may be denoted by the reference number ⁇
  • the elongation at break at 70°C may be denoted by the reference number Bpe.
  • the sheet shape of the conductive sheet can be sufficiently maintained, and when the viscosity at 70°C is 10000 kPa s or less, the conductive sheet can have moderate hardness. Furthermore, since the elongation at break at 70° C. is 110% or more, the conductive sheet can have excellent toughness, that is, the conductive sheet can be made highly ductile and has excellent strength. can be made into By having the above characteristics, the conductive sheet according to the present embodiment can sufficiently follow the stepped portion when attached to the semiconductor wafer having the stepped portion. In this specification, the ability to sufficiently follow the stepped portion means that the gap generated from the edge of the stepped portion toward the center of the semiconductor wafer having the stepped portion is 500 ⁇ m or less.
  • the conductive sheet When the viscosity at 70° C. is less than 10 kPa ⁇ s, the conductive sheet cannot maintain its sheet shape and becomes a pasty conductive composition. Since such a paste-like conductive composition is highly deformable, the paste-like conductive composition can sufficiently follow the stepped portion of a semiconductor wafer having a stepped portion. Difficult to install with uniform thickness. Further, when the conductive sheet is a pasty conductive composition, it becomes difficult to transfer the conductive sheet to a semiconductor wafer having a stepped portion in the state of a dicing die-bonding film.
  • the semiconductor wafer having the stepped portion is cut inside the stepped portion after the conductive sheet is attached to obtain a flat semiconductor wafer, and then the flat semiconductor wafer is diced into a plurality of semiconductor wafers. It is cleaved into semiconductor chips.
  • the semiconductor chip is used as a component of a semiconductor device by being attached to an adherend such as a metal lead frame.
  • the conductive sheet is a paste-like conductive composition, dicing cannot be performed with high accuracy.
  • the pasty conductive composition creeps up from the edge of the semiconductor chip. In this way, if the pasty conductive composition creeps up, it is not preferable because it causes a short circuit when used as a part of a semiconductor device.
  • binder resins include thermoplastic resins and thermosetting resins.
  • the conductive sheet according to this embodiment preferably contains a thermosetting resin.
  • the conductive sheet can be thermoset, so that the adhesiveness to the adherend (for example, a metal lead frame) can be enhanced.
  • the conductive sheet according to the present embodiment contains a thermoplastic resin in addition to the thermosetting resin.
  • the thermoplastic resin By containing the thermoplastic resin in addition to the thermosetting resin, the conductive sheet can have relatively low elasticity even after the conductive sheet is thermoset.
  • the thermoplastic resin since the thermoplastic resin is included, the viscosity ⁇ at 70° C. of the conductive sheet can be relatively easily adjusted to 10 kPa ⁇ s or more and 10000 kPa ⁇ s or less.
  • thermosetting resin examples include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. Among these, it is preferable to use an epoxy resin.
  • Epoxy resins include, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, cresol novolak type, ortho-cresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins.
  • Bisphenol A type epoxy resins include aliphatic modified bisphenol A type epoxy resins.
  • phenolic resins used as curing agents for epoxy resins include novolak-type phenolic resins, resol-type phenolic resins, biphenyl-type phenolic resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene.
  • novolak-type phenolic resins novolak-type phenolic resins
  • resol-type phenolic resins biphenyl-type phenolic resins
  • polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene.
  • thermosetting resin a thermoplastic resin having a thermosetting functional group
  • thermoplastic resins having thermosetting functional groups include thermosetting functional group-containing acrylic resins.
  • acrylic resins in thermosetting functional group-containing acrylic resins include those containing monomer units derived from (meth)acrylic acid esters.
  • a curing agent is selected according to the type of thermosetting functional group.
  • thermoplastic resin examples include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, and polycarbonate resin.
  • thermoplastic polyimide resins examples include polyamide resins such as polyamide 6 and polyamide 6,6, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. Only one type of the thermoplastic resin may be used, or two or more types may be used in combination.
  • an acrylic resin is preferable from the viewpoint that connection reliability by the conductive sheet can be easily ensured because of its low ionic impurity content and high heat resistance.
  • the acrylic resin is preferably a polymer containing monomer units derived from (meth)acrylic acid esters as the monomer units having the largest mass ratio.
  • (Meth)acrylic acid esters include, for example, (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, and (meth)acrylic acid aryl esters.
  • the acrylic resin may contain monomer units derived from other components copolymerizable with the (meth)acrylic acid ester.
  • Examples of other components include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, and functional group-containing monomers such as acrylamide and acrylonitrile. Examples include monomers and various polyfunctional monomers.
  • the acrylic resin is preferably a carboxyl group-containing acrylic polymer.
  • the binder resin accounts for 100% by mass (parts by mass) of the conductive sheet. % or more and 25 mass % or less.
  • the mass of the thermosetting resin in 100% by mass of the conductive sheet % is preferably 1% by mass or more and 30% by mass or less, and more preferably 2% by mass or more and 18% by mass or less.
  • the mass% of the thermoplastic resin in 100% by mass of the conductive sheet is preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less, and more preferably 1% by mass or more and 7% by mass or less. preferable.
  • the mass ratio of the thermosetting resin to 100% by mass of the binder resin is 30% by mass or more and 90% by mass or less. and more preferably 40% by mass or more and 70% by mass or less.
  • the conductive particles include particles such as silver particles, silver oxide particles, nickel particles, copper particles, copper oxide particles, aluminum particles, carbon black, and carbon nanotubes; Alternatively, particles plated with a metal such as silver (hereinafter also referred to as plated metal particles), and particles in which the surface of a resin particle serving as a core (nucleus) is coated with a metal (hereinafter also referred to as metal-coated resin particles), etc. mentioned. Only one type of these conductive particles may be used, or two or more types may be used in combination.
  • the conductive sheet according to the present embodiment may contain at least one selected from the group consisting of silver particles, copper particles, silver oxide particles, and copper oxide particles. preferable. By containing the above-described conductive particles, the conductive sheet exhibits sufficient electrical conductivity and thermal conductivity.
  • the shape of particles such as silver particles, silver oxide particles, nickel particles, copper particles, copper oxide particles, aluminum particles, carbon black, and carbon nanotubes is, for example, flake-like, needle-like, filament-like, spherical, and flat. (including scaly) can be used, and among these, spherical ones are preferably used.
  • spherical particles By using spherical particles, the dispersibility of these particles in the conductive sheet can be enhanced.
  • the conductive sheet according to the present embodiment particularly preferably contains silver particles.
  • the silver particles may be silver particles composed of silver elements and other elements (such as metal elements) contained as unavoidable impurity elements, or may be surface-treated (for example, silane coupling treatment). It may be silver particles.
  • surface treatment agents for silver particles include coating agents such as fatty acid-based, amine-based, and epoxy-based coating agents.
  • silver particles surface-treated with a coating agent such as a fatty acid-based, amine-based, or epoxy-based coating agent may be referred to as coating agent-treated silver particles.
  • the plated metal particles for example, particles obtained by using a nickel particle or a copper particle as a nucleus and plating the surface of the nucleus with a noble metal such as gold or silver can be used.
  • the metal-coated resin particles for example, particles obtained by using a resin particle as a nucleus and coating the surface of the nucleus with a metal such as nickel or gold can be used.
  • the shape of the plated metal particles and the metal-coated resin particles for example, flake-like, needle-like, filament-like, spherical, and flat (including scale-like) shapes can be used, and among these, spherical ones can be used. is preferably used. By using spherical plated metal particles and metal-coated resin particles, the dispersibility of the plated metal particles and metal-coated resin particles in the conductive sheet can be enhanced.
  • the conductive sheet according to the present embodiment contains plated metal particles
  • particles silver-coated copper particles obtained by using a copper particle as a core and plating the surface of the core with silver as the plated metal particle.
  • the silver-coated copper particles include flat copper particles coated with a silver layer of 10% by mass and spherical copper particles coated with a silver layer of 20% by mass.
  • the content of the conductive particles in 100% by mass (parts by mass) of the conductive sheet is 60% by mass or more and 98% by mass. %, more preferably 80% by mass or more and 97% by mass or less, and even more preferably 85% by mass or more and 97% by mass or less.
  • the conductive sheet according to the present embodiment preferably contains silver particles and silver-coated copper particles as the conductive particles.
  • the amount of the silver particles in 100 parts by mass of the conductive particles is preferably 10 parts by mass or more and 95 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or more and 90 parts by mass or less. preferable.
  • the viscosity ⁇ at 70° C. is preferably 50 kPa ⁇ s or more, more preferably 70 kPa ⁇ s or more, and even more preferably 100 kPa ⁇ s or more. Also, the viscosity ⁇ at 70° C. is preferably 7000 kPa ⁇ s or less, more preferably 5000 kPa ⁇ s or less, and even more preferably 3500 kPa ⁇ s or less.
  • the sheet shape of the conductive sheet can be more sufficiently maintained, and the conductive sheet has a more appropriate hardness. can be
  • the viscosity ⁇ at 70° C. can be evaluated using a rheometer (rotary rheometer HAAKE MARS manufactured by Thermo Fisher Scientific). Specifically, when the gap value is 250 ⁇ m, the frequency is 1 Hz, and the strain amount is 0.1%, the temperature is increased from 30° C. to 180° C. at a temperature increase rate of 10° C./min. It can be obtained by reading the indicated value at 70°C.
  • a rheometer rotary rheometer HAAKE MARS manufactured by Thermo Fisher Scientific
  • the elongation at break Bpe at 70°C is preferably 112% or more, more preferably 113% or more, and even more preferably 114% or more.
  • the conductive sheet can be made even more excellent in toughness. That is, the conductive sheet can be made more ductile and more excellent in strength.
  • the upper limit of the elongation at break Bpe at 70°C is usually 200%.
  • the elongation at break Bpe at 70° C. can be evaluated using a tensile tester (for example, model “AGS-X” manufactured by Shimadzu Corporation). Specifically, it can be evaluated as follows. (1) Prepare a conductive sheet with a width of 10 mm, a length of 30 mm, and a thickness of 200 ⁇ m. (2) A test piece is obtained by attaching a polyimide tape to both ends of the conductive sheet in the length direction. Specifically, for the conductive sheet, a polyimide tape is attached to an area up to 10 mm along the length direction from the upper edge in the length direction, and 10 mm along the length direction from the lower edge in the length direction. A test piece is obtained by pasting a polyimide tape on the area up to .
  • a tensile tester for example, model “AGS-X” manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the conductive sheet according to the present embodiment has a viscosity ⁇ at 70°C and an elongation at break at 70°C by appropriately adjusting the content ratio of the binder resin and the content ratio of the conductive particles in the conductive sheet. It can be obtained by appropriately adjusting Bpe.
  • the viscosity ⁇ at 70° C. is adjusted to a high value by increasing the content ratio of the conductive particles in the conductive sheet, or lowered by decreasing the content ratio of the conductive particles. value can be adjusted.
  • the elongation at break at 70 ° C. is adjusted to a high value by decreasing the content ratio of the conductive particles in the conductive sheet, or by increasing the content ratio of the conductive particles. It can be adjusted to a lower value.
  • the conductive sheet according to the present embodiment contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin as the matrix resin
  • the content ratio of the thermosetting resin and the content ratio of the thermoplastic resin are can be obtained by appropriately adjusting the viscosity ⁇ at 70°C and the elongation at break Bpe at 70°C.
  • the conductive sheet according to the present embodiment preferably further contains a volatile component having a volatilization start temperature of 100° C. or higher.
  • the volatile component is more preferably a component that volatilizes at 200° C. or higher, more preferably a component that volatilizes at 250° C. or higher.
  • Examples of such volatile components include organic compounds containing one or more hydroxyl groups and having a volatilization start temperature of 100° C. or higher.
  • the boiling point of the organic compound is preferably 200° C. or higher, more preferably 250° C. or higher.
  • the boiling point of the organic compound is preferably 350° C. or lower.
  • Such organic compounds include terpene compounds.
  • isobornylcyclohexanol represented by the following formula (1) is preferable as the volatile component.
  • isobornylcyclohexanol is an organic compound having a boiling point of 308 to 318° C., and under a nitrogen gas stream of 200 mL/min, at a temperature rising condition of 10° C./min, from room temperature (23 ⁇ 2° C.) When the temperature is raised to 600 ° C., the mass decreases significantly from 100 ° C. or higher (volatilization starts), and the volatilization is completed at 245 ° C. (no further mass decrease is observed).
  • the conductive sheet containing isobornylcyclohexanol has excellent sheet shape retention at room temperature and has tackiness at temperatures of 60° C. or higher. Therefore, when mounting a semiconductor element attached to one side of a conductive sheet on a metal lead frame or the like, the semiconductor element is usually mounted on the metal lead frame or the like via the conductive sheet at a temperature of 60 to 80°C. Although it is temporarily attached (temporarily fixed) to the adherend, isobornylcyclohexanol has tackiness at 60° C. or higher as described above, so that the conductive sheet according to the present embodiment contains isobornyl as a volatile component.
  • the conductive sheet When cyclohexanol is included, the conductive sheet has improved temporary adhesion to an adherend such as a metal lead frame. That is, in the temporarily attached state, it is possible to prevent the mounting position of the semiconductor element from shifting and the lifting of the conductive sheet from the adherend. Moreover, when the conductive sheet contains a thermosetting resin and the semiconductor element is adhered to the adherend by thermosetting the conductive sheet, the adhesion can be performed with high reliability.
  • the conductive sheet according to the present embodiment preferably contains 10 parts by mass or more of the volatile component with respect to 100 parts by mass of the binder resin.
  • the conductive sheet according to the present embodiment preferably contains 200 parts by mass or less of the volatile component, more preferably 150 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the binder resin. It is more preferable to contain 100 parts by mass or less.
  • the volume of the conductive sheet can be reduced by heating the conductive sheet at 200° C. or higher to volatilize the volatile component.
  • the conductive particles are in a close positional relationship in the conductive sheet to the extent that the volume is reduced. It becomes easier to form a heat conduction path. Thereby, the thermal conductivity of the conductive sheet can be made relatively high.
  • the conductive sheet according to the present embodiment contains silver particles and silver-coated copper particles as described above, spherical particles are used as silver-coated copper particles. Since the specific surface area is small, the contact area between the silver-coated copper particles and the silver particles is smaller than when spherical particles are used as the silver particles and flat particles are used as the silver-coated copper particles. It is also considered to be disadvantageous from the viewpoint of thermal conductivity.
  • the conductive sheet according to the present embodiment contains a volatile component having a volatilization start temperature of 100° C. or higher, as described above, the conductive sheet is heated at a temperature of 150 to 200° C. The volatile components can be relatively sufficiently volatilized when heat-curing or the like.
  • the volume of the conductive sheet can be reduced relatively sufficiently, in other words, the volume of the conductive sheet can be shrunk relatively sufficiently, so that the silver-coated copper particles and the silver particles are positioned close to each other. can be related. Therefore, even when spherical particles are used as the silver-coated copper particles, a sufficient contact area between the silver-coated copper particles and the silver particles can be secured, thereby sufficiently improving electrical conductivity and thermal conductivity. can be secured to
  • thermosetting resin when the conductive sheet according to the present embodiment contains a thermosetting resin, it contains a thermosetting catalyst from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction of the thermosetting resin and increasing the curing reaction rate.
  • thermosetting catalysts include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, and trihalogen borane-based compounds.
  • the thickness of the conductive sheet according to this embodiment is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 10 ⁇ m or more, and even more preferably 20 ⁇ m or more. Also, the thickness of the conductive sheet is preferably 150 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 80 ⁇ m or less. When the thickness of the conductive sheet is 150 ⁇ m or less, thermal conductivity can be further improved.
  • a dial gauge PEACOCK, model R-205
  • PDACOCK model R-205
  • the thermal conductivity after thermosetting is preferably 1 W/m ⁇ K or more, more preferably 3 W/m ⁇ K or more. , 10 w/m ⁇ K or more.
  • the thermal conductivity after thermosetting satisfies the above numerical range, the conductivity of the conductive sheet can be further increased.
  • the maximum upper limit of the thermal conductivity after thermosetting is 420 W/m ⁇ K.
  • the upper limit of the thermal conductivity after thermosetting may be 200 W/m ⁇ K.
  • the thermal conductivity after thermal curing was obtained by thermally curing the conductive sheet according to the present embodiment at 200 ° C. for 1 hour while applying a pressure of 0.5 MPa in a pressure cooker. For the conductive sheet, it can be calculated by the following formula.
  • the thermal diffusivity (m 2 /s) in the above formula can be measured by the TWA method (temperature wave thermal analysis method, measuring device: iphase mobile, manufactured by iphase).
  • the specific heat (J/g ⁇ ° C.) in the above formula can be measured by the DSC method. Specific heat measurement is performed using a DSC6220 manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd. under the conditions of a temperature increase rate of 10 ° C./min and a temperature range of 20 to 300 ° C. Based on the obtained data, the JIS handbook (specific heat capacity measurement method K -7123) can be used to calculate the specific heat.
  • the specific gravity in the above formula can be measured by the Archimedes method.
  • the conductive sheet according to the present embodiment may contain one or more other components as necessary.
  • Other ingredients include, for example, filler dispersants, flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents.
  • At least one surface of the conductive sheet according to the present embodiment is an adhesive surface to be adhered to an adherend.
  • the conductive sheet according to this embodiment can be used for adhesion to an adherend having at least a part of the surface serving as an adhesion area to which the conductive sheet is adhered.
  • the conductive sheet according to the present embodiment exhibits good conformability to the uneven portion even when unevenness is formed in the adhesive region.
  • the conductive sheet according to the present embodiment has a bonding surface to be bonded to both the circular concave portion and the annular convex portion of a semiconductor wafer provided with a circular concave portion and an annular convex portion surrounding the circular concave portion on one side. By having it, the effect can be exhibited remarkably.
  • annular convex portion of the semiconductor wafer is formed in a state of protruding from the surface of the circular concave portion, a stepped portion is formed at the boundary between the two. , and exhibits good followability even at locations where such stepped portions are formed.
  • the conductive sheet according to the present embodiment may have an adhesive surface large enough to cover all of the circular recess, covers all of the circular recess, furthermore, a part of the annular protrusion, Alternatively, it may have an adhesive surface that can cover the entire surface.
  • the height of the step portion may be 50 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the dicing die bond film 20 includes a dicing tape 10 in which an adhesive layer 2 is laminated on a base layer 1, and a dicing tape 10 laminated on the adhesive layer 2 of the dicing tape 10. and a conductive sheet 3.
  • a semiconductor element is stuck on the conductive sheet 3 .
  • the semiconductor device may be a bare wafer.
  • a bare wafer attached to the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment is cut into a plurality of bare chips by blade dicing, DBG (Dicing Before Grinding), SDBG (Stealth Dicing Before Grinding), or the like.
  • the conductive sheet 3 is also cut together with the bare wafer.
  • the conductive sheet 3 is cut into a size corresponding to the size of a plurality of singulated bare chips. As a result, a plurality of bare chips with conductive sheets 3 can be obtained.
  • the conductive sheet 3 of the dicing die-bonding film 20 contains a binder resin and conductive particles as described above.
  • the conductive sheet 3 of the dicing die-bonding film 20 has a viscosity of 10 kPa ⁇ s or more and 10000 kPa ⁇ s or less at 70°C.
  • the conductive sheet 3 of the dicing die-bonding film 20 has an elongation at break of 110% or more at 70° C., as described above.
  • the base material layer 1 supports the adhesive layer 2 and the conductive sheet 3 laminated on the adhesive layer 2 .
  • the base material layer 1 contains resin.
  • resins include olefin resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), ethylene-propylene copolymer; ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer. , Ethylene-(meth) acrylic ester (random, alternating) copolymers with ethylene as a monomer component; polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene terephthalate (PBT), etc.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PBT polybutylene terephthalate
  • the base material layer 1 contains, as the resin, at least one selected from the group consisting of polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC), and ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). is preferably included.
  • PP polypropylene
  • PVC polyvinyl chloride
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • the base material layer 1 has a first resin layer containing ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) as a central layer, and a second resin layer containing polypropylene (PP) on both surfaces of the first resin layer, And the third resin layer containing polyvinyl chloride (PVC) may be a laminated body respectively laminated.
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • PP polypropylene
  • PVC polyvinyl chloride
  • the base material layer 1 may contain one type of the above-described resin, or may contain two or more types of the above-described resin.
  • Examples of materials for the base layer 1 include polymers such as crosslinked resins (for example, plastic films).
  • the plastic film may be used without being stretched, or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat-shrinkability has been imparted by stretching treatment or the like, by heat-shrinking the base material layer 1 after dicing, the bonding area between the adhesive layer 2 and the conductive sheet 3 is reduced, and the semiconductor is formed. It is possible to facilitate recovery of chips (semiconductor elements).
  • the surface of the base material layer 1 may be subjected to a general surface treatment in order to improve adhesion, retention, etc. with adjacent layers.
  • surface treatments include chemical or physical treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage shock exposure, ionizing radiation treatment, and coating treatment with a primer.
  • the thickness of the substrate layer 1 is preferably 1 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, even more preferably 20 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, and particularly 30 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. preferable.
  • the thickness of the base material layer 1 can be determined using a dial gauge (Model R-205 manufactured by PEACOCK) in the same manner as the thickness of the conductive sheet 3 described above.
  • the base material layer 1 may contain various additives.
  • various additives include coloring agents, fillers, plasticizers, antioxidants, antioxidants, surfactants, flame retardants and the like.
  • the adhesive used to form the adhesive layer 2 is not particularly limited, and for example, general pressure-sensitive adhesives such as acrylic adhesives and rubber adhesives can be used.
  • an acrylic adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is used from the standpoint of cleanability with ultrapure water or an organic solvent such as alcohol for electronic parts such as semiconductor wafers and glass, which should not be contaminated. is preferred.
  • acrylic polymer examples include acrylic polymers using one or more of (meth)acrylic acid alkyl esters and (meth)acrylic acid cycloalkyl esters as monomer components.
  • (Meth)acrylic acid alkyl esters include, for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopentyl ester, hexyl ester, Heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, oc
  • (meth)acrylic acid cycloalkyl ester for example, cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, and the like can be used.
  • (meth)acrylic acid ester means at least one of acrylic acid ester and methacrylic acid ester, and (meth) in the present invention means the same content as described above.
  • the acrylic polymer may optionally be added to other monomer components copolymerizable with the (meth)acrylic acid alkyl ester or (meth)acrylic acid cycloalkyl ester. May contain corresponding units.
  • Such monomer components include carboxyl-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride; Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth)acrylate, 10-hydroxydecyl (meth)acrylate, 12-hydroxylauryl (meth)acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate; styrene; Contains sulfonic acid such as sulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamid
  • the acrylic polymer since the acrylic polymer is crosslinked, it can contain a polyfunctional monomer or the like as a monomer component for copolymerization, if necessary.
  • polyfunctional monomers include hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, Pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate acrylates and the like.
  • One or more of these polyfunctional monomers can also be used.
  • the amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by mass or less of the
  • the acrylic polymer can be obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more monomers. Polymerization may be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization and suspension polymerization. From the point of view of preventing contamination of a clean adherend, etc., it is preferable that the content of the low-molecular-weight substance is small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.
  • an external cross-linking agent can be appropriately added to the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of the base polymer, such as an acrylic polymer.
  • Specific means of the external cross-linking method include a method of adding a cross-linking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine-based cross-linking agent to react.
  • a cross-linking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine-based cross-linking agent to react.
  • the amount used is appropriately determined in consideration of the balance with the base polymer to be cross-linked and the application as an adhesive.
  • the external cross-linking agent is preferably blended in an amount of about 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the base polymer.
  • the adhesive may contain additives such as various known tackifiers and anti-aging agents, as necessary, in addition to the above components.
  • the adhesive layer 2 can be formed from a radiation-curable adhesive. Radiation-curable pressure-sensitive adhesives can be easily reduced in adhesive strength by increasing the degree of cross-linking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays. That is, by forming the adhesive layer 2 with a radiation-curable adhesive, the conductive sheet 3 is sufficiently adhered to the adhesive layer 2 without irradiating the adhesive layer 2 with radiation before dicing, After dicing, by irradiating the adhesive layer 2 with radiation to reduce the adhesive strength of the adhesive layer 2, the semiconductor chips (semiconductor elements) can be easily picked up (recovered).
  • radiation-curable adhesives can be easily reduced in adhesive strength by increasing the degree of cross-linking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays. That is, by forming the adhesive layer 2 with a radiation-curable adhesive, the conductive sheet 3 is sufficiently adhered to the adhesive layer 2 without irradiating the adhesive layer 2 with radiation before dicing, After dicing, by irradi
  • Radiation-curable adhesives can be used without any particular restrictions as long as they have radiation-curable functional groups such as carbon-carbon double bonds and exhibit adhesiveness.
  • Radiation-curable pressure-sensitive adhesives include, for example, additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives in which a radiation-curable monomer component or oligomer component is blended with a general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive. is mentioned.
  • the radiation-curable monomer component examples include urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, ) acrylate, dipentaerythritol monohydroxy penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate and the like.
  • the radiation-curable oligomer component includes various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers. be.
  • the blending amount of the radiation-curable monomer component and the radiation-curable oligomer component is preferably an amount that can suitably reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 2 after radiation irradiation.
  • the amount of the radiation-curable monomer component and the radiation-curable oligomer component is, for example, 5 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of a base polymer such as an acrylic polymer that constitutes the adhesive. parts, more preferably 40 to 150 parts by mass.
  • the radiation-curable pressure-sensitive adhesives may include, as base polymers, those having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, in the main chain, or at the end of the main chain.
  • the embedded type radiation-curable pressure-sensitive adhesive used can be mentioned.
  • the internal radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like, which is a low-molecular component, or the content of the oligomer component or the like is relatively small. Therefore, when the internal radiation-curable adhesive is used, migration of the oligomer component and the like in the adhesive layer 2 over time is suppressed. As a result, the adhesive layer 2 can have a relatively stable layer structure.
  • the base polymer having a carbon-carbon double bond can be used without any particular limitation as long as it has a carbon-carbon double bond and has adhesiveness.
  • a base polymer one having an acrylic polymer as a basic skeleton is preferable.
  • the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers described above.
  • the method of introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be employed. Molecular design becomes easier. For example, after copolymerizing a monomer having a functional group with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is added to the radiation-curing of the carbon-carbon double bond. Examples include a method of condensation reaction or addition reaction while maintaining the properties.
  • combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group.
  • a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable from the viewpoint of ease of reaction tracking.
  • any functional group is on the side of the acrylic polymer or the carbon-carbon double bond. Although it may be on the compound side, in the case of the above preferred combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound having a carbon-carbon double bond has an isocyanate group.
  • examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate and the like.
  • the acrylic polymer a copolymer obtained by copolymerizing the hydroxyl group-containing monomer, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like is used.
  • the embedded radiation-curable pressure-sensitive adhesive can use the base polymer having a carbon-carbon double bond (particularly, an acrylic polymer) alone, but the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be used to the extent that the properties are not deteriorated.
  • a monomer component and the radiation-curable oligomer component can also be blended.
  • the radiation-curable oligomer component and the like are usually contained in the range of 30 parts by weight or less, preferably in the range of 1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the base polymer.
  • a photopolymerization initiator is included in the radiation-curable adhesive when it is cured by ultraviolet light or the like.
  • photopolymerization initiators include 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, ⁇ -hydroxy- ⁇ , ⁇ '-dimethylacetophenone, 2-methyl-hydroxypropiophenone, ⁇ -ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl ]-Acetophenone compounds such as 2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; fragrances such as 2-naphthalenesulfony
  • radiation-curable adhesives include photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group, which are disclosed in JP-A-60-196956.
  • photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group, which are disclosed in JP-A-60-196956.
  • rubber-based pressure-sensitive adhesives and acrylic pressure-sensitive adhesives containing compounds and photopolymerization initiators such as carbonyl compounds, organic sulfur compounds, peroxides, amines, and onium salt-based compounds.
  • the surface of the radiation-curable adhesive layer 2 When curing is inhibited by oxygen during radiation irradiation, it is desirable to shield the surface of the radiation-curable adhesive layer 2 from oxygen (air) in some way.
  • oxygen air
  • examples thereof include a method of covering the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, and a method of irradiating radiation such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere.
  • the thickness of the adhesive layer 2 is not particularly limited, it is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 2 to 30 ⁇ m, in order to achieve both chipping prevention of the cut surface of the chip and fixation and retention of the conductive sheet 3. It is more preferable to have
  • the dicing die-bonding film 20 according to this embodiment is attached to a semiconductor wafer having a stepped portion such as a TAIKO (registered trademark) wafer using a film attaching device or the like.
  • a film attaching device or the like An example of attaching the dicing die-bonding film 20 according to the present embodiment to a semiconductor wafer having a step portion using a film attaching apparatus will be described below with reference to FIGS. 2A to 2F.
  • the film mounting device 100 is formed in a circular shape when viewed from above, and includes a housing chamber bottom wall portion 101a and a housing chamber side wall extending vertically upward from the edge of the housing chamber bottom wall portion 101a.
  • the storage chamber 101 has an accommodation space S formed by the portion 101b and is open on the upper side.
  • the storage chamber 101 and the lid 104 are formed in a circular shape when viewed from above, in the example shown in FIGS. It extends vertically upward around the edge, and the lid side wall portion 104b extends vertically downward around the edge of the lid bottom wall portion 104a.
  • the storage chamber 101 includes storage chamber packing P1 provided on the storage chamber side wall portion 101b so as to surround the storage chamber side wall portion 101b.
  • a lid packing P2 is provided so as to surround the body side wall portion 104b. Rubber packing is preferably used as the storage chamber packing P1 and the lid packing P2.
  • the film attachment device 100 does not necessarily have to include both the accommodation chamber packing P1 and the lid packing P2, and may include at least one of them.
  • the stage 102 includes a stage bottom wall portion 102a and a stage side wall portion 102b provided to protrude vertically upward from the edge of the stage bottom wall portion 102a. ing.
  • the stage 102 is formed in a circular shape when viewed from above, in the example shown in FIGS. It is provided so as to protrude upward.
  • the film mounting device 100 includes a decompression pump (not shown) for reducing the pressure in the storage space S when the storage chamber 101 is closed with the lid 104 .
  • the film mounting device 100 has an open valve (not shown) for releasing the decompressed state of the storage space S. As shown in FIG.
  • the method of attaching the dicing die-bonding film to the semiconductor wafer having a stepped portion includes a wafer mounting step of mounting the semiconductor wafer SW having a stepped portion on the upper surface side of the stage 102, and a step of covering a part of the open portion on the upper side. 2, a dicing die-bonding film placing step of arranging the dicing die-bonding film 20 on the upper edge of the side wall portion 101b of the accommodating chamber 101; A depressurization step of depressurizing the accommodation space S of the accommodation chamber 101 to bend a part of the dicing die bond film 20 downward, and a stage 102 is raised to dicing the semiconductor wafer SW having a stepped portion in a bent state.
  • the semiconductor wafer SW having a stepped portion is mounted on the upper surface side of the stage 102 so that the side having the stepped portion SW1 faces upward.
  • the semiconductor wafer SW having the stepped portion is mounted on the upper surface side of the stage 102 by mounting the stepped portion SW1 on the stage side wall portion 102b.
  • the surface without the stepped portion SW1 is the surface on which the circuit is formed (that is, the circuit forming surface).
  • the circuit forming surface can be prevented from directly contacting the stage bottom wall portion 102a of the stage 102, so that damage to the circuit forming surface can be suppressed.
  • the dicing die-bonding film 20 is arranged on the side wall portion 101b of the storage chamber 101 so that the conductive sheet 3 side faces the semiconductor wafer SW having a stepped portion. It is placed on the storage chamber packing P1.
  • the dicing die-bonding film arrangement step the dicing die-bonding film 20 is placed so as to cover the semiconductor wafer SW having the stepped portion (so that the dicing die-bonding film 20 overlaps the semiconductor wafer SW having the stepped portion). It is arranged on the storage chamber packing P1 arranged on the storage chamber side wall portion 101b in the storage chamber 101 .
  • the film unwound from the rolled state is placed on the housing chamber packing P1.
  • illustration of how the dicing die-bonding film 20 is unrolled from a wound state is omitted.
  • the storage chamber 101 is closed and hermetically sealed by bringing the lid 104 into contact with the base layer 1 side of the dicing die-bonding film 20 from above. More specifically, in the sealing step, as shown in FIG. 2C, the lid packing P2 arranged on the lid side wall portion 104b of the lid 104 is brought into contact with the base layer 1 side of the dicing die-bonding film 20. The containment chamber 101 is closed and sealed.
  • the decompression pump (not shown) is used to decompress the accommodation space S of the accommodation chamber 101 to bend a portion of the dicing die-bonding film 20 downward.
  • the pressure in the accommodation space S is reduced below the pressure in the space S′ formed between the dicing die-bonding film 20 and the lid body 104, thereby reducing the pressure between the space S′ and the accommodation space S.
  • a differential pressure is generated, and the dicing die-bonding film 20 is bent downward as if pulled into the accommodation space S by the differential pressure.
  • the stage 102 is raised by the lifting device 103 to bring the semiconductor wafer SW having a step portion into contact with the dicing die-bonding film 20 in a bent state.
  • the dicing die-bonding film 20 is in a partially bent state.
  • the dicing die-bonding film 20 is in contact with the stepped portion SW1 of the semiconductor wafer SW having the stepped portion, the dicing die-bonding film 20 does not sufficiently follow the stepped portion SW1, and the end edge of the stepped portion SW1 is not in contact with the stepped portion SW1. Therefore, a relatively large gap (a gap formed from the edge of the stepped portion SW1 to the inner side exceeding 500 ⁇ m) is generated toward the center of the semiconductor wafer SW having the stepped portion.
  • a release valve (not shown) is opened to release the decompressed state of the accommodation space S of the accommodation chamber 101, thereby removing the semiconductor wafer SW having a stepped portion.
  • the dicing die-bonding film 20 in contact with the stepped portion SW1 is further deformed so that the dicing die-bonding film 20 follows the stepped portion SW1.
  • the conductive sheet 3 has a viscosity of 10 kPa s or more and 10000 kPa s or less at 70°C, and an elongation at break of 110% at 70°C.
  • the dicing die-bonding film adhesion step may be performed under atmospheric pressure by releasing the reduced pressure state, or may be performed under pressurized conditions.
  • the film mounting device 100 is provided with a pressure mechanism, and the dicing die-bonding film adhesion step is performed by applying pressure with the pressure mechanism.
  • the semiconductor wafer SW having a stepped portion and the dicing die-bonding film 20 in contact with the stepped portion SW1 are taken out from the film mounting device 100 and placed in a pressure device separate from the film mounting device 100.
  • the dicing die-bonding film adhesion step may be performed by applying pressure in the pressure device.
  • the pressure conditions include pressure conditions of 0.2 MPa to 0.7 MPa for 10 seconds to 3 minutes.
  • the pressurization may be performed under heated conditions. Heating conditions include heating at a temperature of 40° C. or higher and 90° C. or lower.
  • the semiconductor wafer SW having a stepped portion is cut at a position inside the stepped portion SW1, and the dicing die-bonding film 20 is attached to form a flat semiconductor wafer (hereinafter referred to as a flat-shaped semiconductor wafer). (referred to as a semiconductor wafer with a dicing die-bonding film).
  • the flat semiconductor wafer with dicing die-bonding film is cut into a plurality of semiconductor chips (hereinafter referred to as semiconductor chips with dicing die-bonding film) to which the dicing die-bonding film 20 is attached by blade dicing or the like.
  • the conductive sheet 3 is separated from the adhesive layer 2 to obtain a semiconductor chip with the conductive sheet 3 attached (hereinafter referred to as a semiconductor chip with a conductive sheet).
  • a semiconductor chip with a conductive sheet thus obtained is attached to an adherend such as a metal lead frame and used as a component of a semiconductor device.
  • the conductive sheet according to the present embodiment is suitable for use by being attached to the surface of a semiconductor wafer having a stepped portion such as a TAIKO (registered trademark) wafer on which the stepped portion is formed. It is particularly suitable for use by being attached to the surface of a semiconductor wafer having a plurality of steps on the side where the steps are formed.
  • the conductive sheet according to the present embodiment is suitable for use for attaching a power semiconductor chip to a substrate in a power semiconductor device.
  • the conductive sheet and dicing die-bonding film according to this embodiment are configured as described above, and thus have the following advantages.
  • a conductive sheet containing a binder resin and conductive particles, Viscosity at 70 ° C. is 10 kPa s or more and 10000 kPa s or less, A conductive sheet having an elongation at break of 110% or more at 70°C.
  • the conductive sheet can sufficiently follow the stepped portion when attached to the semiconductor wafer having the stepped portion.
  • the conductive sheet when attached to a semiconductor wafer having a stepped portion, can sufficiently conform to the stepped portion and exhibits sufficient conductivity.
  • the conductive particles include at least one selected from the group consisting of silver particles, copper particles, silver oxide particles, and copper oxide particles.
  • the conductive sheet can sufficiently conform to the stepped portion when attached to the semiconductor wafer having the stepped portion, and in addition, exhibits sufficient electrical conductivity and thermal conductivity. .
  • the conductive sheet can be thermally cured, so that the adhesiveness to the adherend (for example, metal lead frame, etc.) can be enhanced.
  • adherend for example, metal lead frame, etc.
  • the volatilization Components can be volatilized relatively well.
  • the volume of the conductive sheet can be reduced relatively sufficiently. Since the conductive particles have a close positional relationship in the conductive sheet by the amount of the reduction in the volume of the conductive sheet, the conductive particles in the conductive sheet provide a heat conduction path. becomes easier to form. Thereby, the thermal conductivity of the conductive sheet can be made relatively high.
  • a dicing tape having an adhesive layer laminated on a base material layer; A conductive sheet laminated on the adhesive layer of the dicing tape, A dicing die-bonding film, wherein the conductive sheet is the conductive sheet according to any one of (1) to (5) above.
  • the dicing die-bonding film can sufficiently conform to the stepped portion when attached to the semiconductor wafer having the stepped portion via the conductive sheet.
  • the conductive sheet and dicing die-bonding film according to the present invention are not limited to the above embodiments. Moreover, the conductive sheet and the dicing die-bonding film according to the present invention are not limited by the effects described above. Various modifications can be made to the conductive sheet and the dicing die-bonding film according to the present invention without departing from the gist of the present invention.
  • Example 1 Using a hybrid mixer (manufactured by Keyence Corporation, trade name: HM-500), a mixture containing each material at the mass ratio shown in Example 1 in Table 1 below is stirred and mixed for 3 minutes to form a varnish. prepared. After applying this varnish to one side of a release treatment film (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: MRA38, thickness 38 ⁇ m), it is dried at a temperature of 100° C. for 2 minutes to obtain a conductive sheet with a thickness of 30 ⁇ m. rice field.
  • a release treatment film manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: MRA38, thickness 38 ⁇ m
  • thermoplastic resin acrylic resin
  • thermosetting resin epoxy resin (solid and liquid) and phenol resin
  • volatile material to 100 parts by mass of the thermosetting resin
  • Table 2 The mass ratio (parts by mass) of isobornylcyclohexanol (MTPH)) and the mass ratio (parts by mass) of the conductive particles to 100 parts by mass of the thermosetting resin are shown in Table 2 below.
  • Table 3 shows the mass ratio of the silver-coated copper particles and silver particles to 100 parts by mass of the conductive particles (silver-coated copper particles and silver particles).
  • Example 2 The liquid epoxy resin is YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, the silver particles are silver particles surface-treated with a fatty acid-based coating agent (fatty acid-treated silver particles, the particle shape is spherical, hereinafter referred to as fatty acid-treated silver particles), and the silver-coated copper
  • the particles are spherical copper particles coated with a silver layer of 20% by mass (the particle shape is spherical; hereinafter referred to as 20% coated silver-coated copper particles), and are shown in the section of Example 2 in Table 1 below.
  • a conductive sheet according to Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a mixture containing each material in the same mass ratio was obtained.
  • Example 3 The liquid epoxy resin is YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, the silver particles are fatty acid-treated silver particles, and the silver-coated copper particles are 20% coated silver-coated copper particles.
  • a conductive sheet according to Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a mixture containing each material in the same mass ratio was obtained.
  • Example 4 The liquid epoxy resin is YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and the silver particles are silver particles surface-treated with an epoxy-based coating agent (epoxy-treated silver particles. The particle shape is spherical. Hereinafter referred to as epoxy-treated silver particles).
  • a conductive sheet according to Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a mixture containing each material in the mass ratio shown in the section of Example 4 in Table 1 below was obtained.
  • Comparative Example 1 The liquid epoxy resin is YL980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, the silver particles are fatty acid-treated silver particles, and the silver-coated copper particles are 20% coated silver-coated copper particles.
  • a conductive sheet according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1, except that a mixture containing each material in the same mass ratio was obtained.
  • the conductive sheet according to each example was thermally cured at 200° C. for 1 hour while applying a pressure of 0.5 MPa in a pressure cooker.
  • the thermal conductivity of the heat-cured conductive sheet according to each example was calculated by the following formula.
  • the thermal diffusivity ⁇ (m 2 /s) was measured by the TWA method (temperature wave thermal analysis method, measuring device: iphase mobile, manufactured by iphase).
  • the specific heat C p (J/g ⁇ °C) was measured by the DSC method. Specific heat measurement is performed using a DSC6220 manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd. under the conditions of a temperature increase rate of 10 ° C./min and a temperature range of 20 to 300 ° C. Based on the obtained data, the JIS handbook (specific heat capacity measurement method K-7123) was used to calculate the specific heat.
  • the specific gravity was measured by the Archimedes method. Table 3 below shows the results of calculating the thermal conductivity of the conductive sheet after thermosetting according to each example.
  • ⁇ Viscosity ⁇ at 70°C> The viscosity ⁇ at 70° C. of the conductive sheet according to each example was measured using a rheometer (rotary rheometer HAAKE MARS manufactured by Thermo Fisher Scientific). Specifically, when the gap value is 250 ⁇ m, the frequency is 1 Hz, and the strain amount is 0.1%, the temperature is increased from 30° C. to 180° C. at a temperature increase rate of 10° C./min. It was measured by reading the indicated value at 70°C. The results are shown in Table 3 below.
  • ⁇ Elongation at break Bpe at 70°C> For the conductive sheet according to each example, the elongation at break Bpe at 70° C. was measured using a tensile tester (model "AGS-X” manufactured by Shimadzu Corporation). Specifically, it was measured as follows. (1) Prepare a conductive sheet with a width of 10 mm, a length of 30 mm, and a thickness of 200 ⁇ m. (2) A test piece is obtained by attaching a polyimide tape to both ends of the conductive sheet in the length direction. Specifically, for the conductive sheet, a polyimide tape is attached to an area up to 10 mm along the length direction from the upper edge in the length direction, and 10 mm along the length direction from the lower edge in the length direction.
  • a test piece is obtained by pasting a polyimide tape on the area up to .
  • (3) The upper end in the longitudinal direction of the test piece is attached to one chuck of the tensile tester, and the lower end in the longitudinal direction of the test piece is attached to the other chuck of the tensile tester.
  • a second bare chip having a planar dimension of 9 mm ⁇ 9 mm and a thickness of 300 ⁇ m was attached to the exposed surface of the first bare chip. to obtain a bare chip laminate.
  • the second bare chip is fixed to the exposed surface of the first bare chip so that the central portion of the second bare chip is aligned with the central portion of the first bare chip.
  • one set of bare chip laminates is formed on a slide glass.
  • a specimen is obtained by fixing the bare chip laminate together with a wafer ring onto an adhesive layer of a dicing tape (manufactured by Nitto Denko, trade name: "ELP V-12SR").
  • the bare chip laminate is fixed on the slide glass side to the adhesive layer of the dicing tape.
  • the specimen is placed on a stage arranged in a housing chamber of a vacuum wafer mounter so that the dicing tape side faces downward. The stage is heated to 70°C.
  • a dicing die-bonding film is placed on the upper edge of the side wall of the housing chamber so as to cover the bare chip stack in the specimen and to face the bare chip stack with the conductive sheet side.
  • the dicing die-bonding film was obtained by laminating the conductive sheet according to each example onto the adhesive layer of a dicing tape (manufactured by Nitto Denko Co., Ltd., trade name "ELP V-12SR") as a die-bonding film. .
  • a dicing tape manufactured by Nitto Denko Co., Ltd., trade name "ELP V-12SR"
  • ELP V-12SR trade name "ELP V-12SR”
  • the value of the viscosity ⁇ at 70 ° C. is in the range of 10 kPa s or more and 10000 kPa s or less, and the value of the elongation at break Bpe at 70 ° C. It is 110% or more, and the evaluation of followability to the step portion is excellent in all cases, and it can be seen that the followability is sufficiently achieved.
  • the value of the viscosity ⁇ at 70 ° C. exceeds 10000 kPa s, and the value of the elongation at break Bpe at 70 ° C. is less than 110%. It can be seen that the evaluation of the followability to .
  • the conductive sheet contains a binder resin and conductive particles, and furthermore, the viscosity ⁇ at 70 ° C. is 10 kPa s or more and 10000 kPa s or less, and the breaking point at 70 ° C. It is understood that by setting the elongation to 110% or more, the conductive sheet can sufficiently follow the stepped portion in the semiconductor wafer having the stepped portion.
  • the conductive sheet according to each example has a sufficient value of thermal conductivity after heat curing exceeding 1 W / m K, and the conductive sheet according to Examples 2 to 5 , the thermal conductivity after thermosetting is more than 5 W/m K, which is a sufficient value. ⁇ It can be seen that the value is more sufficient than that of K.

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Abstract

本発明に係る導電性シートは、バインダ樹脂及び導電性粒子を含む導電性シートであって、７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下であり、７０℃における破断点伸びが１１０％以上である。

Description

導電性シート及びダイシングダイボンドフィルム 関連出願の相互参照
　本願は、日本国特願２０２１－１００１７６号の優先権を主張し、引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。
　本発明は、導電性シート及びダイシングダイボンドフィルムに関する。
　従来、半導体装置の製造において半導体素子（半導体チップ）を金属リードフレーム等の被着体に接着する方法（ダイボンディング法）として、導電性シートを用いることが知られている（例えば、下記特許文献１）。
　下記特許文献１には、前記導電性シートとして、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含むものが開示されている。
　また、下記特許文献１には、前記導電性シートの一方面に半導体素子（半導体チップ）を取り付けた上で、前記導電性シートの他方面を金属リードフレーム等の被着体に当接させた後に、前記導電性シートを、所定温度（例えば、２００℃）で熱硬化させて金属リードフレーム等の被着体に接着させて用いることが開示されている。
　ところで、近年、半導体装置の高密度集積化の要望がますます高まっている。
　これを実現するためには、半導体素子（半導体チップ）の厚みを薄くする必要がある。
　そして、半導体素子（半導体チップ）は、ブレードダイシングなどにより半導体ウェハをダイシングすることにより得られることから、半導体素子（半導体チップ）の厚みを薄くするためには、半導体ウェハの厚みを薄くする必要がある。
　しかしながら、半導体チップの厚みを薄くすればするほど、半導体ウェハに反りが生じ易くなる。
　このように、半導体ウェハに反りが生じると、ブレードダイシングなどによる半導体ウェハのダイシングを精度良く実施できなくなるという問題がある。
　このような反りの問題を解決するために、外周縁から数１０ｍｍまでの内側部分をリング状に残すように機械研削して作製した半導体ウェハ（例えば、ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウェハ）を用いることが知られている（例えば、下記特許文献２）。
　上記のごとき半導体ウェハは、リング状の部分を備えているので、該リング状の部分よりも内側部分を薄く研削したとしても、該半導体ウェハに反りが生じることを抑制することができる。
　なお、ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウェハは、前記リング状の部分とそれよりも内側の部分との間に段差部が形成されており、該段差部の最大高さは、通常、４５０μｍ程度となっており、機械研削して得られた平板部分の厚さは、通常、２０μｍ程度となっている。
日本国特開２０１９－２１８１３号公報 日本国特開２０１３－１２６９０号公報
　ところで、上記のように、ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウェハのような半導体ウェハでは、前記リング状の部分とそれよりも内側の部分との間に段差部が形成されている。
　すなわち、このような半導体ウェハは、段差部を有する半導体ウェハとなっている。
　そのため、半導体素子（半導体チップ）を得るに際して、上記のごとき段差部を有する半導体ウェハに前記導電性シートを取り付けようとすると、前記導電性シートが十分に段差部に追従できないことがある。
　このような場合、前記段差部を有する半導体ウェハと前記導電性シートとの間において、段差部の端縁から前記段差部を有する半導体ウェハの中心に向かって比較的大きな空隙（段差の端縁から５００μｍを超える内側にまでに形成される空隙）が生じてしまうことがある。
　このように、前記段差部を有する半導体ウェハと前記導電性シートとの間において比較的大きな空隙が生じると、その空隙を起点として、ダイシング時などに前記導電性シートが前記段差部を有する半導体ウェハから剥離し易くなる。
　また、ダイシング後において、半導体素子（半導体チップ）と前記導電性シートとの間に空隙が生じている場合には、このような導電性シート付の半導体素子（半導体チップ）は、十分な特性を示すことができない。
　そのため、前記段差部を有する半導体ウェハと前記導電性シートとの間において比較的大きな空隙が生じると、ダイシング後に得られる導電性シート付の半導体素子（半導体チップ）を半導体装置の部品として利用できる割合が低下してしまうという問題、すなわち、歩留まりが低下してしまうという問題もある。
　しかしながら、段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができる導電性シートについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
　そこで、本発明は、段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができる導電性シート、及び、該導電性シートを備えるダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。
　本発明に係る導電性シートは、
　バインダ樹脂及び導電性粒子を含む導電性シートであって、
　７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下であり、
　７０℃における破断点伸びが１１０％以上である。
　前記導電性シートにおいては、
　前記導電性粒子の含有割合が８５質量％以上９７質量％以下である、ことが好ましい。
　前記導電性シートにおいては、
　前記導電性粒子が、銀粒子、銅粒子、酸化銀粒子、および、酸化銅粒子からなる群から選択される少なくとも１種を含む、ことが好ましい。
　前記導電性シートにおいては、
　前記バインダ樹脂は、熱硬化性樹脂を含む、ことが好ましい。
　前記導電性シートにおいては、
　揮発開始温度が１００℃以上である揮発成分をさらに含む、ことが好ましい。
　本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
　基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
　前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に積層された導電性シートと、を備え、
　前記導電性シートが、上記のいずれかの導電性シートである。
本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。 ウェハ載置工程の様子を説明する模式断面図。 ダイシングダイボンドフィルム配置工程の様子を説明する模式断面図。 密閉工程の様子を説明する模式断面図。 減圧工程の様子を説明する模式断面図。 ダイシングダイボンドフィルム接触工程の様子を説明する模式断面図。 ダイシングダイボンドフィルム密着工程の様子を説明する模式断面図。
　以下、本発明の一実施形態について説明する。
［導電性シート］
　本実施形態に係る導電性シートは、バインダ樹脂及び導電性粒子を含む。
　本明細書において、導電性粒子とは、ＪＩＳ　Ｋ　０１３０（２００８）にしたがって測定した電気伝導率が１００μＳ／ｃｍ以下の粒子を意味する。
　また、本実施形態に係る導電性シートは、７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下である。
　さらに、本実施形態に係る導電性シートは、７０℃における破断点伸びが１１０％以上である。
　なお、以下では、７０℃における粘度にηという参照番号を付し、７０℃における破断点伸びにＢｐｅという参照番号を付すことがある。
　７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上であることにより、前記導電性シートのシート形状を十分に維持することができ、また、７０℃における粘度が１００００ｋＰａ・ｓ以下であることにより、前記導電性シートを適度な硬さを有するものとすることができる。
　さらに、７０℃における破断点伸びが１１０％以上であることにより、前記導電性シートを優れた靭性を有するもの、すなわち、前記導電性シートを延性に富むものにすることができるとともに、強度に優れるものにすることができる。
　上記特性を備えることにより、本実施形態に係る導電性シートは、段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができるものになる。
　なお、本明細書において、十分に段差部に追従させることができるとは、段差部の端縁から段差部を有する半導体ウェハの中心に向かって生じる空隙が、５００μｍ以下であることを意味する。
　なお、７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ未満の場合には、前記導電性シートはシート形状を維持できなくなって、ペースト状の導電性組成物となる。
　このようなペースト状の導電性組成物は変形性に富むため、該ペースト状の導電性組成物は、段差部を有する半導体ウェハの段差部に十分に追従できるものの、段差部を有する半導体ウェハに均一な厚さで取り付けることが難しくなる。
　また、前記導電性シートがペースト状の導電性組成物となっていると、ダイシングダイボンドフィルムとした状態では、段差部を有する半導体ウェハに前記導電性シートを転写し難くなる。
　さらに、段差部を有する半導体ウェハは、前記導電性シートを取り付けた後に段差部の内側でカットされて平板状の半導体ウェハとされた後、該平板状の半導体ウェハにダイシングが施されて複数の半導体チップへと割断される。
　そして、該半導体チップは、金属リードフレーム等の被着体に取り付けられることにより、半導体装置の部品として使用される。
　しかしながら、上記のように、前記導電性シートがペースト状の導電性組成物となっている場合には、ダイシングを精度よく実施することができなくなることに加えて、半導体チップとされて金属リードフレーム等に取り付けられた状態において、該半導体チップの端縁からペースト状の導電性組成物が這い上がってしまうようになる。
　このように、ペースト状の導電性組成物の這い上がりが生じると、半導体装置の部品として用いた場合に、短絡を招来するので好ましくない。
　バインダ樹脂としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などが挙げられる。
　本実施形態に係る導電性シートは、熱硬化性樹脂を含んでいることが好ましい。
　熱硬化性樹脂を含んでいることにより、前記導電性シートを熱硬化させることができるので、被着体（例えば、金属リードフレーム等）との接着性を高めることができる。
　本実施形態に係る導電性シートは、熱硬化性樹脂に加えて熱可塑性樹脂を含んでいることがより好ましい。
　熱硬化性樹脂に加えて熱可塑性樹脂を含んでいることにより、前記導電性シートを熱硬化させた後においても、前記導電性シートを比較的低弾性を有するものとすることができる。
　また、熱可塑性樹脂を含んでいることにより、前記導電性シートについて、７０℃における粘度ηを１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下に比較的容易に調整することができる。
　前記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及び、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の少なくとも一方を用いることが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を組み合わせて用いることがより好ましい。
　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、脂肪族変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が挙げられる。
　エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。上記フェノール樹脂の中でも、ビフェニル型フェノール樹脂を用いることが好ましい。
　また、熱硬化性樹脂としては、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂も用いることができる。熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
　熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。
　前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、前記導電性シートによる接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。
　上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシル基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。
　上記アクリル樹脂は、カルボキシル基含有アクリル重合体であることが好ましい。
　本実施形態に係る導電性シートにおいて、前記導電性シートの１００質量％（質量部）に占める前記バインダ樹脂の質量％は、１．５質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、４質量％以上２５質量％以下であることがより好ましい。
　本実施形態に係る導電性シートが、前記バインダ樹脂として、前記熱硬化性樹脂及び前記熱可塑性樹脂を含んでいる場合には、前記導電性シートの１００質量％に占める前記熱硬化性樹脂の質量％は、１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上１８質量％以下であることがより好ましい。
　また、前記導電性シートの１００質量％に占める前記熱可塑性樹脂の質量％は、０．５質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上７質量％以下であることがより好ましい。
　さらに、前記バインダ樹脂が前記熱硬化性樹脂及び前記熱可塑性樹脂で構成されている場合、前記バインダ樹脂の１００質量％に占める前記熱硬化性樹脂の質量割合は、３０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。
　前記導電性粒子としては、銀粒子、酸化銀粒子、ニッケル粒子、銅粒子、酸化銅粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック、および、カーボンナノチューブなどの粒子、コア（核）となる金属粒子の表面を金または銀等の金属でメッキした粒子（以下、メッキ金属粒子ともいう）、及び、コア（核）となる樹脂粒子の表面を金属で被覆した粒子（以下、金属被覆樹脂粒子ともいう）等などが挙げられる。これらの導電性粒子は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。
　本実施形態に係る導電性シートは、上記のごとき導電性粒子の中でも、銀粒子、銅粒子、酸化銀粒子、および、酸化銅粒子からなる群から選択される少なくとも１種を含んでいることが好ましい。
　前記導電性粒子として上記のごときものを含むことにより、前記導電性シートは、十分な導電性および熱伝導性を示すものとなる。
　銀粒子、酸化銀粒子、ニッケル粒子、銅粒子、酸化銅粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック、および、カーボンナノチューブなどの粒子の形状としては、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、扁平状（鱗片状を含む）のものを用いることができるが、これらの中でも、球状のものを用いることが好ましい。
　球状のものを用いることにより、前記導電性シート中において、これらの粒子の分散性を高めることができる。
　また、本実施形態に係る導電性シートは、これらの粒子の中でも、銀粒子を含んでいることが特に好ましい。
　前記銀粒子は、銀元素及び不可避的不純物元素として含まれる他の元素（金属元素など）で構成された銀粒子であってもよいし、表面処理（例えば、シランカップリング処理）が施された銀粒子であってもよい。銀粒子の表面処理剤としては、脂肪酸系やアミン系、エポキシ系などの被覆剤が挙げられる。
　なお、以下では、脂肪酸系やアミン系、エポキシ系などの被覆剤で表面処理された銀粒子のことを被覆剤処理銀粒子と称することがある。
　本実施形態に係る導電性シートでは、前記銀粒子として、被覆剤処理銀粒子を用いることが好ましい。前記銀粒子として被覆剤処理銀粒子を用いることにより、前記導電性シートに含まれるバインダ樹脂（熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等）との親和性を高めることができるので、前記銀粒子は、前記導電性シート中に分散され易くなる。
　メッキ金属粒子としては、例えば、ニッケル粒子又は銅粒子を核とし、その核の表面を金や銀等の貴金属でメッキした粒子を用いることができる。
　金属被覆樹脂粒子としては、例えば、樹脂粒子を核とし、その核の表面を、ニッケルや金等の金属で被覆した粒子を用いることができる。
　メッキ金属粒子や金属被覆樹脂粒子の形状としては、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、扁平状（鱗片状を含む）のものを用いることができるが、これらの中でも、球状のものを用いることが好ましい。
　メッキ金属粒子や金属被覆樹脂粒子の形状として、球状のものを用いることにより、導電性シート中において、メッキ金属粒子や金属被覆樹脂粒子の分散性を高めることができる。
　本実施形態に係る導電性シートがメッキ金属粒子を含む場合、メッキ金属粒子としては、銅粒子を核とし、その核の表面を銀でメッキした粒子（銀被覆銅粒子）を用いることが好ましい。
　銀被覆銅粒子としては、扁平状銅粒子に１０質量％の銀層をコートしたものや、球状の銅粒子に２０質量％の銀層をコートしたものなどが挙げられる。
　本実施形態に係る導電性シートにおいて、前記導電性シートの１００質量％（質量部）に占める前記導電性粒子の質量％（すなわち、前記導電性粒子の含有割合）は、６０質量％以上９８質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上９７質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以上９７質量％以下であることがさらに好ましい。
　本実施形態に係る導電性シートは、前記導電性粒子として、銀粒子及び銀被覆銅粒子を含んでいることが好ましい。
　このような場合、前記導電性粒子の１００質量部に占める前記銀粒子の質量部は、１０質量部以上９５質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上９０質量部以下であることがより好ましい。
　７０℃における粘度ηは、５０ｋＰａ・ｓ以上であることが好ましく、７０ｋＰａ・ｓ以上であることがより好ましく、１００ｋＰａ以・ｓ以上であることがさらに好ましい。
　また、７０℃における粘度ηは、７０００ｋＰａ・ｓ以下であることが好ましく、５０００ｋＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、３５００ｋＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。
　７０℃における粘度ηが上記のごとき数値範囲であることにより、前記導電性シートのシート形状をより一層十分に維持することができることに加えて、前記導電性シートをより一層適度な硬さを有するものとすることができる。
　７０℃における粘度ηは、レオメータ（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、回転式レオメータ　ＨＡＡＫＥ　ＭＡＲＳ）を用いて評価することができる。
　具体的には、Ｇａｐ値として２５０μｍ、周波数として１Ｈｚ、歪み量として０．１％を採用した上で、昇温速度１０℃／ｍｉｎにて、３０℃から１８０℃まで昇温させたときに、７０℃の指示値を読み取ることにより得ることができる。
　７０℃における破断点伸びＢｐｅは、１１２％以上であることが好ましく、１１３％以上であることがより好ましく、１１４％以上であることがさらに好ましい。
　７０℃における破断点伸びＢｐｅが上記のごとき数値範囲であることにより、前記導電性シートをより一層靭性に優れるものとすることができる。
　すなわち、前記導電性シートをより一層延性に富むものにすることができるとともに、より一層強度に優れるものにすることができる。
　なお、７０℃における破断点伸びＢｐｅの上限は、通常、２００％である。
　７０℃における破断点伸びＢｐｅは、引張試験機（例えば、島津製作所社製の型式「ＡＧＳ－Ｘ」）を用いて評価することができる。
　具体的には、以下のようにして評価することができる。
 
（１）幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍ、および、厚さ２００μｍの導電性シートを準備する。
（２）前記導電性シートの長さ方向の両端側にポリイミドテープを貼り付けて試験体を得る。具体的には、前記導電性シートについて、長さ方向の上端縁から長さ方向に沿って１０ｍｍまでの領域にポリイミドテープを貼り付けるとともに、長さ方向の下端縁から長さ方向に沿って１０ｍｍまでの領域にポリイミドテープを貼り付けて試験体を得る。
（３）前記試験体の長さ方向の上端側を前記引張試験機の一方のチャックに取り付け、前記試験体の長さ方向の下端側を前記引張試験機の他方のチャックに取り付ける。
（４）前記試験体を取り付けた前記引張試験機を恒温槽内に載置した後、恒温槽内の温度を７０℃まで上昇させる。
（５）恒温槽内の温度が７０℃に達してから３ｍｉｎ経過後に、チャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件にて、前記試験片を長さ方向に引っ張り、引張試験時に得られたデータを、ストローク（単位はｍｍ）を横軸とし、試験力（引張強さ。単位はＮ）を縦軸としたグラフ上にプロットする。
（６）前記グラフにおいて、前記試験力が最大となるときを前記導電性シートに破断が生じたときとみなして、前記試験力が最大となるときのストローク値を読み取り、該ストローク値を前記導電性シートの有効長さ（１０ｍｍ。ポリイミドテープが貼り付けられていない部分の長さ）で除した後、１００を乗ずることにより、７０℃における破断点伸びを算出する。
　本実施形態に係る導電性シートは、前記導電性シート中において、前記バインダ樹脂の含有比率と前記導電性粒子の含有比率を適宜調整することにより、７０℃における粘度ηおよび７０℃における破断点伸びＢｐｅを適宜調整して得ることができる。
　例えば、７０℃における粘度ηについては、前記導電性シート中において、前記導電性粒子の含有比率を上げることに高い値となるように調整したり、前記導電性粒子の含有比率を下げることにより低い値となるように調整したりすることができる。
　また、７０℃における破断点伸びについては、前記導電性シート中において、前記導電性粒子の含有比率を下げることにより高い値となるように調整したり、前記導電性粒子の含有比率を上げることにより低い値となるように調整したりすることができる。
　さらに、本実施形態に係る導電性シートが、前記マトリックス樹脂として、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含んでいる場合には、前記熱硬化性樹脂の含有比率と前記熱可塑性樹脂の含有比率とを適宜調整することにより、７０℃における粘度ηおよび７０℃における破断点伸びＢｐｅを適宜調整して得ることができる。
　本実施形態に係る導電性シートは、揮発開始温度が１００℃以上である揮発成分をさらに含んでいることが好ましい。
　前記揮発成分は、２００℃以上で揮発する成分であることがより好ましく、２５０℃以上で揮発する成分であることがより好ましい。
　このような揮発成分としては、水酸基を１個以上含み、かつ、揮発開始温度が１００℃以上である有機化合物を挙げることができる。該有機化合物の沸点は、２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。また、前記有機化合物の沸点は、３５０℃以下であることが好ましい。このような有機化合物としては、テルペン化合物が挙げられる。揮発成分としては、テルペン化合物の中でも、下記式（１）で表されるイソボルニルシクロヘキサノールが好ましい。なお、イソボルニルシクロヘキサノールは、沸点が３０８～３１８℃の有機化合物であり、２００ｍＬ／ｍｉｎの窒素ガス気流下で、１０℃／ｍｉｎの昇温条件にて、室温（２３±２℃）から６００℃まで昇温したときに、１００℃以上から大きく質量減少し（揮発が開始し）、２４５℃で揮発が完了する（それ以上の質量減少が認められなくなる）という性質を有するとともに、２５℃において１００００００ｍＰａ・ｓもの極めて高い粘度を示すものの、６０℃において１０００ｍＰａ・ｓ以下という比較的低い粘度を示すという性質を有する。なお、質量減少は、測定開始温度（室温）における質量減少率を０％とした場合の値である。
　このように、イソボルニルシクロヘキサノールは、２５℃において上記のごとく極めて高い粘度を示すため、室温においてシート形状を維持することができるものの、６０℃では上記のごとく比較的低い粘度を示すようになるので、タック性を有するようになる。すなわち、イソボルニルシクロヘキサノールを含む導電性シートは、室温においてはシート形状の維持性に優れ、６０℃以上の温度においてはタック性を有するものとなる。
　そのため、導電性シートの一方面に貼付された半導体素子を金属リードフレーム等にマウントする際には、通常、６０～８０℃の温度で、導電性シートを介して半導体素子を金属リードフレーム等の被着体に仮着（仮固定）させるが、イソボルニルシクロヘキサノールは上記のごとく６０℃以上においてタック性を有するようになるので、本実施形態に係る導電性シートが揮発成分としてイソボルニルシクロヘキサノールを含む場合、導電性シートは、金属リードフレーム等の被着体への仮着性がより向上されたものとなる。すなわち、仮着した状態において、半導体素子の取り付け位置がずれたり、被着体からの導電性シートの浮き上がりが抑制されるようになる。
　また、導電性シートが熱硬化性樹脂を含んでおり、該導電性シートを熱硬化させて半導体素子を被着体に接着させる場合には、信頼性高く接着を行うことができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　本実施形態に係る導電性シートは、前記バインダ樹脂の１００質量部に対して、前記揮発成分を１０質量部以上含んでいることが好ましい。
　また、本実施形態に係る導電性シートは、前記バインダ樹脂の１００質量部に対して、前記揮発成分を２００質量部以下含んでいることが好ましく、１５０質量部以下含んでいることがより好ましく、１００質量部以下含んでいることがさらに好ましい。
　また、２００℃以上で揮発する揮発成分を含んでいると、前記導電性シートを２００℃以上で加熱して前記揮発成分を揮発させることにより、前記導電性シートの体積を低減させることができる。
　このように、前記導電性シートの体積が低減されると、体積が低減された分だけ、前記導電性粒子どうしは、前記導電性シート中において近い位置関係となるため、前記導電性粒子どうしによって熱伝導パスを形成し易くなる。
　これにより、前記導電性シートの熱伝導性を比較的高くすることができる。
　また、本実施形態に係る導電性シートが、上記したように、銀粒子及び銀被覆銅粒子を含んでいる場合、銀被覆銅粒子として球状粒子を用いると、球状粒子は扁平状粒子に比べて比表面積が小さいことから、銀粒子として球状粒子を用い銀被覆銅粒子として扁平状粒子を用いた場合に比べて、銀被覆銅粒子と銀粒子との接触面積が小さくなって、電気伝導性および熱伝導性の観点から不利になるとも思われる。
　しかしながら、本実施形態に係る導電性シートが、上記のように、揮発開始温度が１００℃以上である揮発成分を含んでいる場合には、前記導電性シートを１５０～２００℃の温度で加熱して熱硬化などをさせるときに、前記揮発成分を比較的十分に揮発させることができる。
　これにより、前記導電性シートの体積を比較的十分に低減させること、換言すれば、前記導電性シートを比較的十分に体積収縮させることができるので、銀被覆銅粒子と銀粒子とを近い位置関係にすることができる。
　そのため、銀被覆銅粒子として球状粒子を用いた場合であっても、銀被覆銅粒子と銀粒子との接触面積を十分に確保することができ、これにより、電気伝導性及び熱伝導性を十分に確保することができる。
　本実施形態に係る導電性シートが熱硬化性樹脂を含んでいる場合、前記熱硬化性樹脂の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。
　本実施形態に係る導電性シートの厚さは、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、導電性シートの厚さは、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以下であることがさらに好ましい。
　導電性シートの厚さが１５０μｍ以下であることにより、熱伝導性をより向上させることができる。
　導電性シートの厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
　本実施形態に係る導電性シートが熱硬化性樹脂を含むものである場合、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましく、１０ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがさらに好ましい。
　熱硬化後の熱伝導率が上記数値範囲を満たすことにより、前記導電性シートの導電性をより一層高くすることができる。
　なお、本実施形態に係る導電性シートでは、熱硬化後の熱伝導率の上限値は、最大で、４２０Ｗ／ｍ・Ｋである。
　本実施形態に係る導電性シートでは、熱硬化後の熱伝導率の上限値は、２００Ｗ／ｍ・Ｋであってもよい。
　熱硬化後における熱伝導率は、本実施形態に係る導電性シートを、プレッシャークッカー装置にて、０．５ＭＰａの圧力をかけながら、２００℃で１時間処理して熱硬化させ、熱硬化させた導電性シートについて、下記式により算出することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　上記式における、熱拡散率（ｍ２／ｓ）は、ＴＷＡ法（温度波熱分析法、測定装置：アイフェイズモバイル、アイフェーズ社製）により測定することができる。
　また、上記式における、比熱（Ｊ／ｇ・℃）は、ＤＳＣ法により測定することができる。比熱測定は、エスアイアイナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０を用い、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度範囲２０～３００℃の条件で行い、得られたデータを基に、ＪＩＳハンドブック（比熱容量測定方法Ｋ－７１２３）に記載された方法で、比熱を算出することができる。
　さらに、上記式における、比重は、アルキメデス法により測定することができる。
　本実施形態に係る導電性シートは、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、フィラー分散剤、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。
　本実施形態に係る導電性シートは、少なくとも片面が被着体に接着される接着面となっている。
　換言すれば、本実施形態に係る導電性シートは、表面の少なくとも一部が当該導電性シートの接着される接着領域となっている被着体への接着に用いられ得る。
　本実施形態に係る導電性シートは、前記接着領域に凹凸が形成されているような場合でも、この凹凸部分に対して良好な追従性を発揮する。
　本実施形態に係る導電性シートは、片面側に円形凹部と、該円形凹部を取り囲む環状凸部が設けられた半導体ウェハの前記円形凹部と前記環状凸部との両方に接着される接着面を備えていることにより、その効果が顕著に発揮され得る。
　半導体ウェハでの前記環状凸部は、前記円形凹部の表面から突出した状態で形成されるため、両者の境界には段差部が形成されることになるものの、本実施形態に係る導電性シートは、そのような段差部が形成されている箇所にも良好な追従性を発揮する。
　本実施形態に係る導電性シートは、前記円形凹部の全てを覆うことができる大きさの接着面を有していてもよく、前記円形凹部の全てを覆い、さらに前記環状凸部の一部、または、全部を覆うことができる接着面を有していてもよい。
　前記段差部の高さは、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。
［ダイシングダイボンドフィルム］
　次に、図１を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム２０について説明する。なお、以下の説明において、導電性シートと重複する部分については、その説明は繰り返さない。
　図１に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層された導電性シート３と、を備える。
　ダイシングダイボンドフィルム２０では、導電性シート３上に半導体素子が貼付される。半導体素子は、ベアウェハであってもよい。
　本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０に貼付されたベアウェハは、ブレードダイシング、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）、または、ＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）等により複数のベアチップへと割断される。そして、前記のごとき割断時に、ベアウェハと共に、導電性シート３も割断される。導電性シート３は、個片化された複数のベアチップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、複数の導電性シート３付ベアチップを得ることができる。
　ダイシングダイボンドフィルム２０の導電性シート３は、上記したように、バインダ樹脂及び導電性粒子を含む。
　また、ダイシングダイボンドフィルム２０の導電性シート３は、上記したように、７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下である。
　さらに、ダイシングダイボンドフィルム２０の導電性シート３は、上記したように、７０℃における破断点伸びが１１０％以上である。
　基材層１は、粘着剤層２と、粘着剤層２上に積層された導電性シート３とを支持する。基材層１は樹脂を含む。樹脂としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン－プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂等が挙げられる。
　伸縮性を高める観点から、基材層１は、前記樹脂として、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、および、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
　また、基材層１は、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を含む第１樹脂層を中心層とし、該第１樹脂層の両表面に、ポリプロピレン（ＰＰ）を含む第２樹脂層、および、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）を含む第３樹脂層が、それぞれ積層された積層体であってもよい。
　基材層１は、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
　基材層１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマー（例えば、プラスチックフィルム）が挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後に、その基材層１を熱収縮させることにより、粘着剤層２と導電性シート３との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。
　基材層１の表面には、隣接する層との密着性、保持性等を高めるために、一般的な表面処理を施してもよい。このような表面処理としては、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤によるコーティング処理等が挙げられる。
　基材層１の厚さは、１μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上３００μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下であることが特に好ましい。
　基材層１の厚さは、上記した導電性シート３の厚さと同様にダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて求めることができる。
　基材層１は、各種添加剤を含んでいてもよい。各種添加剤としては、例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等が挙げられる。
　粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に限定されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶媒による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
　前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１～３０、特に、炭素数４～１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等を用いることができる。（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等を用いることができる。
　なお、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方を意味し、本発明の（メタ）は全て前記した内容と同様の内容を意味する。
　前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又は（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸含有モノマー；２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０質量％以下が好ましい。
　更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、必要に応じて、多官能性モノマー等も共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０質量％以下が好ましい。
　前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合することにより得ることができる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等のいずれの方法で行ってもよい。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さい方が好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、３０万以上であることが好ましく、４０万～３００万程度であることがより好ましい。
　また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるために、外部架橋剤を適宜添加することができる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等の架橋剤を添加して反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランス及び粘着剤としての使用用途を考慮して、適宜決定される。一般的には、外部架橋剤は、前記ベースポリマー１００質量部に対して、５質量部程度以下配合することが好ましく、０．１～５質量部配合することがより好ましい。
　粘着剤は、前記成分の他に、必要に応じて、各種公知の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を含んでいてもよい。
　粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させて、その粘着力を容易に低下させることができる。すなわち、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成することにより、ダイシング前においては、粘着剤層２放射線を照射せずに導電性シート３を粘着剤層２に十分に接着させておき、ダイシング後においては、粘着剤層２に放射線を照射して粘着剤層２の粘着力を低下させることにより、半導体チップ（半導体素子）を容易にピックアップ（回収）することができる。
　放射線硬化型粘着剤は、炭素－炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ、粘着性を示すものであれば、特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。
　前記放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、前記放射線硬化性のオリゴマー成分としては、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、その分子量が１００～３００００程度の範囲のものが好適である。前記放射線硬化性のモノマー成分や前記放射線硬化性のオリゴマー成分の配合量は、放射線照射後に、粘着剤層２の粘着力を好適に低下できる量とすることが好ましい。一般的には、前記放射線硬化性のモノマー成分や前記放射線硬化性のオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００質量部に対して、例えば、５～５００質量部であることが好ましく、４０～１５０質量部であることがより好ましい。
　また、放射線硬化型粘着剤としては、上記した添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして、炭素－炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または、前記オリゴマー成分等の含有量が比較的少ない。そのため、前記内在型の放射線硬化型粘着剤を用いた場合には、経時的に前記オリゴマー成分等が粘着剤層２中を移動することが抑制される。その結果、粘着剤層２を比較的安定した層構造を有するものとすることができる。
　前記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素－炭素二重結合を有し、かつ、粘着性を有するものであれば、特に制限なく使用することができる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記したアクリル系ポリマーが挙げられる。
　前記アクリル系ポリマーへの炭素－炭素二重結合の導入法は特に制限されず、種々の方法を採用することができるものの、炭素－炭素二重結合をポリマー側鎖に導入する方法を採用すると、分子設計が容易となる。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合させた後、この官能基と反応し得る官能基及び炭素－炭素二重結合を有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線硬化性を維持した状態で、縮合反応または付加反応させる方法が挙げられる。
　これら官能基の組み合わせの例としては、カルボキシル酸基とエポキシ基、カルボキシル酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組み合わせの中でも、反応追跡の容易さの点から、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせが好適である。また、これら官能基の組み合わせは、前記炭素－炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組み合わせであれば、いずれの官能基がアクリル系ポリマー側または前記炭素－炭素二重結合を有する化合物側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせの場合、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記炭素－炭素二重結合を有する化合物がイソシアネート基を有することが好適である。この場合、炭素－炭素結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記したヒドロキシル基含有モノマーや２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
　前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素－炭素二重結合を有するベースポリマー（特に、アクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分や前記放射線硬化性のオリゴマー成分を配合することもできる。前記放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常、ベースポリマー１００質量部に対して３０質量部以下の範囲で含まれており、１～１０質量部の範囲で含まれていることが好ましい。
　前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテ系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２－ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００質量部に対して、例えば、０．０５～２０質量部である。
　また、放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０－１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
　放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が生じる場合には、放射線硬化型の粘着剤層２の表面について何らかの方法で酸素（空気）を遮断することが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
　粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止と、導電性シート３の固定保持性とを両立させる点から、１～５０μｍであることが好ましく、２～３０μｍであることがより好ましい。
　本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、フィルム貼付装置などを用いて、ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウェハなどのような段差部を有する半導体ウェハに取り付けられる。
　以下、図２Ａ～図２Ｆを参照しながら、フィルム貼付装置を用いて、段差部を有する半導体ウェハに、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０を取り付ける例について説明する。
　図２Ａ～図２Ｅに示すように、フィルム取付装置１００は、上面視円形状に形成され、収容室底壁部１０１ａと該収容室底壁部１０１ａ端縁から垂直上方に延在する収容室側壁部１０１ｂとによって形成される収容空間Ｓを有するとともに、上方側が開放されている収容室１０１と、収容室１０１の収容空間Ｓ内に配され、上面視円形状に形成されており、上面側にフィルムの被着体を載置可能に構成されたステージ１０２と、収容室１０１の収容室底壁部１０１ａの一部を貫通した状態で、ステージ１０２の下面側に昇降可能に取り付けられた昇降装置１０３と、収容室１０１の上方側に配され、上面視円形状に形成されるとともに、蓋体底壁部１０４ａと該蓋体底壁部１０４ａの端縁から垂直下方に延在する蓋体側壁部１０４ｂとを備え、蓋体側壁部１０４ｂの下面側を収容室側壁部１０１ｂの上面側に当接させることにより、収容室１０１を閉じるように構成された蓋体１０４と、を備えている。
　上記のように、収容室１０１及び蓋体１０４は上面視円形状に形成されていることから、図２Ａ～図２Ｅに示す例では、収容室側壁部１０１ｂは、収容室底壁部１０１ａの端縁を周回するように垂直上方に延在しており、蓋体側壁部１０４ｂは、蓋体底壁部１０４ａの端縁を周回するように垂直下方に延在している。
　また、収容室１０１は、収容室側壁部１０１ｂ上に、収容室側壁部１０１ｂを周回するように設けられる収容室パッキンＰ１を備えており、蓋体１０４は、蓋体側壁部１０４ｂ上に、蓋体側壁部１０４ｂを周回するように設けられる蓋体パッキンＰ２を備えている。
　収容室パッキンＰ１および蓋体パッキンＰ２としては、ゴム製のパッキンを用いることが好ましい。
　なお、フィルム取付装置１００は、必ずしも、収容室パッキンＰ１および蓋体パッキンＰ２の両方を備えている必要はなく、少なくとも、いずれか一方を備えていればよい。
　さらに、図２Ａ～図２Ｅに示す例では、ステージ１０２は、ステージ底壁部１０２ａと、該ステージ底壁部１０２ａの端縁から垂直上方に突出するように設けられたステージ側壁部１０２ｂとを備えている。
　上記のように、ステージ１０２は上面視円形状に形成されていることから、図２Ａ～図２Ｅに示す例では、ステージ側壁部１０２ｂは、ステージ底壁部１０２ａの端縁を周回するように垂直上方に突出するように設けられている。
　フィルム取付装置１００は、蓋体１０４で収容室１０１を閉じた状態において、収容空間Ｓを減圧状態にするための減圧ポンプ（図示せず）を備えている。
　フィルム取付装置１００は、収容空間Ｓの減圧状態を解除するための開放弁（図示せず）を備えている。
　段差部を有する半導体ウェハへのダイシングダイボンドフィルムの取付方法は、ステージ１０２の上面側に段差部を有する半導体ウェハＳＷを載置するウェハ載置工程と、上方側の開放部の一部を覆うように、ダイシングダイボンドフィルム２０を収容室１０１における収容室側壁部１０１ｂの上端縁に配置するダイシングダイボンドフィルム配置工程と、ダイシングダイボンドフィルム２０の上方側から収容室１０１を蓋体１０４で閉じる密閉工程と、ダイシングダイボンドフィルム２０の一部を下方側に撓ませるべく、収容室１０１の収容空間Ｓを減圧する減圧工程と、ステージ１０２を上昇させて、段差部を有する半導体ウェハＳＷを撓んだ状態のダイシングダイボンドフィルム２０に接触させるダイシングダイボンドフィルム接触工程と、収容室１０１の収容空間Ｓの減圧状態を解除することにより、段差部を有する半導体ウェハＳＷを撓んだ状態のダイシングダイボンドフィルム２０に密着させるダイシングダイボンドフィルム密着工程と、を有する。
　ウェハ載置工程では、図２Ａに示すように、段差部ＳＷ１を有する側が上側となるように、段差部を有する半導体ウェハＳＷをステージ１０２の上面側に載置する。
　詳しくは、ウェハ載置工程では、段差部ＳＷ１をステージ側壁部１０２ｂに載置することにより、段差部を有する半導体ウェハＳＷをステージ１０２の上面側に載置する。
　ここで、段差部ＳＷ１を有さない側の面は、回路が形成される面（すなわち、回路形成面）となるものの、上記のように、段差部ＳＷ１をステージ側壁部１０２ｂに載置することにより、回路形成面がステージ１０２におけるステージ底壁部１０２ａと直に接触することを防ぐことができるので、前記回路形成面が損傷することを抑制することができる。
　ダイシングダイボンドフィルム配置工程では、図２Ｂに示すように、導電性シート３側が段差部を有する半導体ウェハＳＷと対向するように、ダイシングダイボンドフィルム２０を収容室１０１における収容室側壁部１０１ｂ上に配された収容室パッキンＰ１上に配置する。
　また、ダイシングダイボンドフィルム配置工程では、ダイシングダイボンドフィルム２０が段差部を有する半導体ウェハＳＷを覆うように（ダイシングダイボンドフィルム２０と段差部を有する半導体ウェハＳＷとが重なるように）、ダイシングダイボンドフィルム２０を収容室１０１における収容室側壁部１０１ｂ上に配された収容室パッキンＰ１上に配置する。
　なお、ダイシングダイボンドフィルム２０は、通常、ロール状に巻き取った状態で保管されていることから、ロール状に巻き取った状態から繰り出されたものが、収容室パッキンＰ１上に配置されることとなるが、図２Ｂ等では、ダイシングダイボンドフィルム２０がロール状に巻き取った状態から繰り出されている様子については図示を省略している。
　密閉工程では、図２Ｃに示すように、上方側から、蓋体１０４をダイシングダイボンドフィルム２０の基材層１側に当接させることにより、収容室１０１を閉じて密閉する。
　詳しくは、密閉工程では、図２Ｃに示すように、蓋体１０４における蓋体側壁部１０４ｂ上に配された蓋体パッキンＰ２をダイシングダイボンドフィルム２０の基材層１側に当接させることにより、収容室１０１を閉じて密閉する。
　減圧工程では、図２Ｄに示すように、前記減圧ポンプ（図示せず）を用いて、収容室１０１の収容空間Ｓを減圧して、ダイシングダイボンドフィルム２０の一部を下方側に撓ませる。
　詳しくは、前記減圧ポンプを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０と蓋体１０４との間に形成される空間Ｓ’よりも収容空間Ｓを減圧することにより、空間Ｓ’と収容空間Ｓとの間で差圧を生じさせ、該差圧によってダイシングダイボンドフィルム２０を収容空間Ｓに引っ張るようにして下方側に撓ませる。
　減圧工程では、収容室１０１の収容空間Ｓを、１００Ｐａ以下となるように減圧することが好ましい。
　ダイシングダイボンドフィルム接触工程では、図２Ｅに示すように、昇降装置１０３によってステージ１０２を上昇させて、段差部を有する半導体ウェハＳＷを撓んだ状態のダイシングダイボンドフィルム２０に接触させる。
　ダイシングダイボンドフィルム接触工程では、ステージ１０２を０．１ｃｍ／ｍｉｎ～１０ｃｍ／ｍｉｎの速度で上昇させることが好ましい。
　ここで、図２Ｅに示すように、ダイシングダイボンドフィルム２０は、一部が撓んだ状態となっている。
　そのため、ダイシングダイボンドフィルム２０は、段差部を有する半導体ウェハＳＷの段差部ＳＷ１に接触した状態となっているものの、段差部ＳＷ１に十分に追従した状態となっておらず、段差部ＳＷ１の端縁から、段差部を有する半導体ウェハＳＷの中心に向かって比較的大きな空隙（段差部ＳＷ１の端縁から５００μｍを超える内側までに形成される空隙）が生じた状態となっている。
　ダイシングダイボンドフィルム密着工程では、図２Ｆに示すように、開放弁（図示せず）を開状態として、収容室１０１の収容空間Ｓの減圧状態を解除することにより、段差部を有する半導体ウェハＳＷの段差部ＳＷ１に接触しているダイシングダイボンドフィルム２０をさらに変形させて、ダイシングダイボンドフィルム２０を段差部ＳＷ１に追従させる。
　上記したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０では、導電性シート３は、７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下となっているとともに、７０℃における破断点伸びが１１０％以上であるので、段差部ＳＷ１に十分に追従させることができる。
　なお、ダイシングダイボンドフィルム密着工程は、減圧状態を開放して大気圧にて実施してもよいし、加圧条件下にて実施してもよい。
　前記ダイシングダイボンドフィルム密着工程を加圧条件下にて実施する場合には、フィルム取付装置１００に加圧機構を備えておき、該加圧機構で加圧することにより、前記ダイシングダイボンドフィルム密着工程を実施してもよい。
　あるいは、フィルム取付装置１００から段差部を有する半導体ウェハＳＷと、段差部ＳＷ１に接触しているダイシングダイボンドフィルム２０とを取出して、これをフィルム取付装置１００とは別体の加圧装置内に配した後、該加圧装置内で加圧することにより、前記ダイシングダイボンドフィルム密着工程を実施してもよい。
　前記ダイシングダイボンドフィルム密着工程を加圧条件下にて実施する場合には、加圧条件としては、０．２ＭＰａ～０．７ＭＰａの条件の圧力で１０秒～３分間加圧することが挙げられる。
　また、前記ダイシングダイボンドフィルム密着工程を加圧条件下にて実施する場合において、前記加圧は、加熱条件下で実施されてもよい。加熱条件としては、４０℃以上９０℃以下の温度で加熱することが挙げられる。
　なお、ダイシングダイボンドフィルム密着工程後に、段差部を有する半導体ウェハＳＷは、段差部ＳＷ１の内側の位置でカットされて、ダイシングダイボンドフィルム２０が取り付けられた状態で平板状の半導体ウェハ（以下、平板状のダイシングダイボンドフィルム付半導体ウェハという）とされる。
　そして、平板状のダイシングダイボンドフィルム付半導体ウェハは、ブレードダイシングなどにより、ダイシングダイボンドフィルム２０が取り付けられた複数の半導体チップ（以下、ダイシングダイボンドフィルム付半導体チップという）に割断される。
　その後、ダイシングダイボンドフィルム付半導体チップにおいて、粘着剤層２から導電性シート３を切り離すことにより、導電性シート３が取り付けられた半導体チップ（以下、導電性シート付半導体チップという）を得る。
　このようにして得られた導電性シート付半導体チップは、金属リードフレーム等に被着体に取り付けられて、半導体装置の部品として使用される。
　本実施形態に係る導電性シートは、上記したように、ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウェハのような段差部を有する半導体ウェハの段差部が形成されている側の面に取り付けて用いることに適しており、段差部が複数段となっている半導体ウェハの段差部が形成されている側の面に取り付けて用いることに特に適している。
　また、本実施形態に係る導電性シートは、パワー半導体装置において、パワー半導体用チップを基板に取り付けるための使用に適している。
　本実施形態に係る導電性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、上記のように構成されているので、以下の利点を有するものである。
（１）
　バインダ樹脂及び導電性粒子を含む導電性シートであって、
　７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下であり、
　７０℃における破断点伸びが１１０％以上である
　導電性シート。
　斯かる構成によれば、前記導電性シートは、段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができるものとなる。
（２）
　前記導電性粒子の含有割合が８５質量％以上９７質量％以下である
　上記（１）に記載の導電性シート。
　斯かる構成によれば、前記導電性シートは、段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができることに加えて、十分な導電性を示すものとなる。
（３）
　前記導電性粒子が、銀粒子、銅粒子、酸化銀粒子、および、酸化銅粒子からなる群から選択される少なくとも１種を含む
　上記（１）または（２）に記載の導電性シート。
　斯かる構成によれば、前記導電性シートは、段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができることに加えて、十分な導電性および熱伝導性を示すものとなる。
（４）
　前記バインダ樹脂は、熱硬化性樹脂を含む
　上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の導電性シート。
　斯かる構成によれば、前記導電性シートを熱硬化させることができるので、被着体（例えば、金属リードフレーム等）との接着性を高めることができる。
（５）
　揮発開始温度が１００℃以上である揮発成分をさらに含む
　上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の導電性シート。
　斯かる構成によれば、揮発開始温度が１００℃以上である揮発成分をさらに含んでいるので、前記導電性シートを１５０～２００℃の温度で加熱して熱硬化などをさせる場合において、前記揮発成分を比較的十分に揮発させることができる。
　これにより、前記導電性シートの体積を比較的十分に低減させることができる。
　そして、前記導電性シートの体積が低減された分だけ、前記導電性粒子どうしは、前記導電性シート中において近い位置関係となるため、前記導電性シート中に前記導電性粒子どうしによって熱伝導パスを形成し易くなる。
　これにより、前記導電性シートの熱伝導性を比較的高くすることができる。
（６）
　基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
　前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に積層された導電性シートと、を備え、
　前記導電性シートが、上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の導電性シートである
　ダイシングダイボンドフィルム。
　斯かる構成によれば、前記ダイシングダイボンドフィルムは、前記導電性シートを介して段差部を有する半導体ウェハに取り付けるに際して、十分に段差部に追従させることができるものとなる。
　なお、本発明に係る、導電性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る、導電性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係る、導電性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
　次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
　［実施例１］
　ハイブリッドミキサー（株式会社キーエンス製、商品名：ＨＭ－５００）を用いて、以下の表１の実施例１の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を３分間撹拌混合して、ワニスを調製した。
　このワニスを離型処理フィルム（三菱ケミカル株式会社製、商品名：ＭＲＡ３８、厚さ３８μｍ）の一方面に塗布した後に、温度１００℃で２分間乾燥させて、厚さ３０μｍの導電性シートを得た。
　なお、以下の表１に示した各材料としては、以下のものを用いた。
 
・フェノール樹脂
　明和化成社製のＭＥＨＣ－７８５１Ｓ（ビフェニル型フェノール樹脂、フェノール当量２０９ｇ／ｅｑ）
・固体エポキシ樹脂
　新日鉄住金化学社製のＫＩ－３０００－４（クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ）
・液状エポキシ樹脂
　ＤＩＣ社製のＥＸＡ－４８１６（脂肪族変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２官能）、エポキシ当量４０３ｇ／ｅｑ）
・銀（Ａｇ）被覆銅（Ｃｕ）粒子
　扁平状銅粒子に１０質量％の銀層をコートしたもの（平均粒子径３．５μｍ、不定形。以下、１０％コート銀被覆銅粒子という）
・銀（Ａｇ）粒子
　凝集ナノ粒子（不定形、凝集体の平均粒子径１．８μｍ。以下、凝集銀粒子という）
・揮発材（イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ））
　日本テルペン化学製のＭＴＰＨ
・アクリル樹脂溶液
　ナガセケミテック社製のテイサンレジンＳＧ－７０Ｌ（溶剤としてＭＥＫ及びトルエンを含有、固形分１２．５％、ガラス転移温度－１３℃、質量平均分子量９０万、酸価５ｍｇ／ＫＯＨ、カルボキシル基含有アクリル共重合体）
・カップリング剤
　信越化学工業社製のＫＢＥ－８４６（ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド）
・触媒
　北興化学工業社製のＴＰＰ－ＭＫ（テトラフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリルボレート）
・溶剤
　メチルエチルケトン（ＭＥＫ）
 
　また、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂（固体及び液状）及びフェノール樹脂）の１００質量部に対する熱可塑性樹脂（アクリル樹脂）の質量割合（質量部）、熱硬化性樹脂の１００質量部に対する揮発材（イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ））の質量割合（質量部）、及び、熱硬化性樹脂の１００質量部に対する導電性粒子の質量割合（質量部）について、以下の表２に示した。
　さらに、導電性粒子（銀被覆銅粒子及び銀粒子）の１００質量部に占める銀被覆銅粒子及び銀粒子の質量割合について以下の表３に示した。
［実施例２］
　液状エポキシ樹脂を三菱ケミカル社製のＹＬ９８０とし、銀粒子を脂肪酸系被覆剤で表面処理された銀粒子（脂肪酸処理銀粒子。粒子形状は球状。以下、脂肪酸処理銀粒子という）とし、銀被覆銅粒子を球状の銅粒子に銀層を２０質量％コートしたもの（粒子形状は球状。以下、２０％コート銀被覆銅粒子という）とした上で、以下の表１の実施例２の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を得た以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係る導電性シートを得た。
［実施例３］
　液状エポキシ樹脂を三菱ケミカル社製のＹＬ９８０とし、銀粒子を脂肪酸処理銀粒子とし、銀被覆銅粒子を２０％コート銀被覆銅粒子とした上で、以下の表１の実施例３の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を得た以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係る導電性シートを得た。
［実施例４］
　液状エポキシ樹脂を三菱ケミカル社製のＹＬ９８０とし、銀粒子をエポキシ系被覆剤で表面処理された銀粒子（エポキシ処理銀粒子。粒子形状は球状。以下、エポキシ処理銀粒子という）とした上で、以下の表１の実施例４の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を得た以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係る導電性シートを得た。
［比較例１］
　液状エポキシ樹脂を三菱ケミカル社製のＹＬ９８０とし、銀粒子を脂肪酸処理銀粒子とし、銀被覆銅粒子を２０％コート銀被覆銅粒子とした上で、以下の表１の比較例１の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を得た以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係る導電性シートを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
＜導電性シートの熱伝導率＞
　各例に係る導電性シートを、プレッシャークッカー装置にて、０．５ＭＰａの圧力をかけながら、２００℃で１時間処理して熱硬化させた。熱硬化させた各例に係る導電性シートについて、下記式により熱伝導率を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
　熱拡散率α（ｍ２／ｓ）は、ＴＷＡ法（温度波熱分析法、測定装置：アイフェイズモバイル、アイフェーズ社製）により測定した。
　比熱Ｃｐ（Ｊ／ｇ・℃）は、ＤＳＣ法により測定した。比熱測定は、エスアイアイナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０を用い、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度範囲２０～３００℃の条件下で行い、得られたデータを基に、ＪＩＳハンドブック（比熱容量測定方法Ｋ－７１２３）に記載された方法で比熱を算出した。
　比重は、アルキメデス法により測定した。
　各例に係る熱硬化後の導電性シートについて、熱伝導率を算出した結果を以下の表３に示した。
＜７０℃における粘度η＞
　各例に係る導電性シートについて、７０℃における粘度ηをレオメータ（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、回転式レオメータ　ＨＡＡＫＥ　ＭＡＲＳ）を用いて測定した。
　具体的には、Ｇａｐ値として２５０μｍ、周波数として１Ｈｚ、歪み量として０．１％を採用した上で、昇温速度１０℃／ｍｉｎにて、３０℃から１８０℃まで昇温させたときに、７０℃の指示値を読み取ることにより測定した。
　その結果を以下の表３に示した。
＜７０℃における破断点伸びＢｐｅ＞
　各例に係る導電性シートについて、７０℃における破断点伸びＢｐｅを、引張試験機（島津製作所社製の型式「ＡＧＳ－Ｘ」）を用いて測定した。
　具体的には、以下のようにして測定した。
 
（１）幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍ、および、厚さ２００μｍの導電性シートを準備する。
（２）前記導電性シートの長さ方向の両端側にポリイミドテープを貼り付けて試験体を得る。具体的には、前記導電性シートについて、長さ方向の上端縁から長さ方向に沿って１０ｍｍまでの領域にポリイミドテープを貼り付けるとともに、長さ方向の下端縁から長さ方向に沿って１０ｍｍまでの領域にポリイミドテープを貼り付けて試験体を得る。
（３）前記試験体の長さ方向の上端側を前記引張試験機の一方のチャックに取り付け、前記試験体の長さ方向の下端側を前記引張試験機の他方のチャックに取り付ける。
（４）前記試験体を取り付けた前記引張試験機を恒温槽内に載置した後、恒温槽内の温度を７０℃まで上昇させる。
（５）恒温槽内の温度が７０℃に達してから３ｍｉｎ経過後に、チャック間距離１０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件にて、前記試験片を長さ方向に引っ張り、引張試験時に得られたデータを、ストローク（単位はｍｍ）を横軸とし、試験力（引張強さ。単位はＮ）を縦軸としたグラフ上にプロットする。
（６）前記グラフにおいて、前記試験力が最大となるときを前記導電性シートに破断が生じたときとみなして、前記試験力が最大となるときのストローク値を読み取り、該ストローク値を前記導電性シートの有効長さ（１０ｍｍ。ポリイミドテープが貼り付けられていない部分の長さ）で除した後、１００を乗ずることにより、７０℃における破断点伸びを算出する。
 
　その結果を以下の表３に示した。
＜段差部への追従性＞
　各例に係る導電性シートについて、段差部への追従性を真空ウエハマウンター（日東精機社製、真空マウンターＭＳＡ８４０ＶＩＩＩ）を用いて評価した。
　具体的には、以下のようにして評価した。
 
（１）第１ダイボンドフィルム（日東電工社製、商品名「ＥＭ－３１０Ｖ」、厚さ７μｍ）を用いて、平面寸法１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ１００μｍの第１ベアチップをスライドガラスに一方面に固定した後、第２ダイボンドフィルム（日東電工社製、商品名「ＥＭ－３１０Ｖ」、厚さ７μｍ）を用いて、平面寸法９ｍｍ×９ｍｍ、厚さ３００μｍの第２ベアチップを前記第１ベアチップの露出面に固定して、ベアチップ積層体を得る。
　なお、前記第２ベアチップは、該第２ベアチップの中心部と前記第１ベアチップの中心部とが一致するように、前記第１ベアチップの露出面に固定する。
　また、ベアチップ積層体は、スライドガラス上に１組形成する。
（２）ダイシングテープ（日東電工社製、商品名「ＥＬＰ　Ｖ－１２ＳＲ」）の粘着剤層上に、ウェハリングとともに前記ベアチップ積層体を固定して供試体を得る。
　なお、前記ベアチップ積層体は、スライドガラス側を前記ダイシングテープの粘着剤層に固定する。
（３）前記供試体を、ダイシングテープ側が下側となるように真空ウエハマウンターの収容室内に配されたステージ上に載置する。なお、前記ステージは７０℃に加熱しておく。
（４）前記供試体における前記ベアチップ積層体を覆い、かつ、導電性シート側が前記ベアチップ積層体と対向するように、収容室の側壁部の上端縁にダイシングダイボンドフィルムを配置する。
　なお、前記ダイシングダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルムとしてダイシングテープ（日東電工社製、商品名「ＥＬＰ　Ｖ－１２ＳＲ」）の粘着剤層上に各例に係る導電性シートを貼り合せて得たものである。
（５）真空ウエハマウンターの蓋体を閉じた後、前記収容室の収容空間を０ＭＰａまで減圧する。
（６）前記収容室の収容空間の減圧状態を解除して、前記真空ウエハマウンターをオートクレーブ内に入れた後、該オートクレーブ内で、前記真空ウエハマウンターを温度７０℃にて０．５ＭＰａで１分間加圧する。
（７）前記真空ウエハマウンター内から前記ベアチップ積層体を取出し、前記ベアチップ積層体をスライドガラス側から顕微鏡観察することにより、前記第１ベアチップの端縁からどの程度の距離まで空隙が形成されているかを確認する。
 
　段差部への追従性は、以下の基準で判断した。
 
優：空隙が第１ベアチップの端縁から５００μｍ以下までの距離に形成されている。
不可：空隙が第１ベアチップの端縁から５００μｍを超える距離まで形成されている。
 
　段差部への追従性を評価した結果を以下の表３に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表３より、各実施例に係る導電性シートでは、７０℃における粘度ηの値が、１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下の範囲に入っているとともに、７０℃における破断点伸びＢｐｅの値が、１１０％以上となっており、段差部への追従性の評価がいずれも優となっていて、十分に追従できていることが分かる。
　これに対し、比較例１に係る導電性シートでは、７０℃における粘度ηの値が１００００ｋＰａ・ｓを超えているとともに、７０℃における破断点伸びＢｐｅの値が１１０％を下回っており、段差部への追従性の評価が不可となっていて、十分に追従できていないことが分かる。
　この結果から、導電性シートを、バインダ樹脂及び導電性粒子を含むものとした上で、さらに、７０℃における粘度ηを１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下のものとするとともに、７０℃における破断点伸びを１１０％以上のものとすることにより、該導電性シートは、段差部を有する半導体ウェハにおいて、段差部に十分に追従できるものとなることが把握される。
　また、表３より、各実施例に係る導電性シートでは、熱硬化後の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋを上回る十分な値となっており、実施例２～５に係る導電性シートでは、熱硬化後の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋを上回るより十分な値となっており、特に、実施例３～５に係る導電性シートでは、熱硬化後の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋを上回るより一層十分な値となっていることが分かる。
　１　基材層、２　粘着剤層、３　導電性シート、１０　ダイシングテープ、２０　ダイシングダイボンドフィルム、１００　フィルム取付装置、１０１　収容室、１０２　ステージ、１０３　昇降装置、１０４　蓋体、１０１ａ　収容室底壁部、１０１ｂ　収容室側壁部、１０４ａ　蓋体底壁部、１０４ｂ　蓋体側壁部、Ｐ１　収容室パッキン、Ｐ２　蓋体パッキン、Ｓ　収容空間、Ｓ’　空間、ＳＷ　段差を有する半導体ウェハ、ＳＷ１　段差部。

Claims (6)

  1. 　バインダ樹脂及び導電性粒子を含む導電性シートであって、
    　７０℃における粘度が１０ｋＰａ・ｓ以上１００００ｋＰａ・ｓ以下であり、
    　７０℃における破断点伸びが１１０％以上である
    　導電性シート。
  2. 　前記導電性粒子の含有割合が８５質量％以上９７質量％以下である
    　請求項１に記載の導電性シート。
  3. 　前記導電性粒子が、銀粒子、銅粒子、酸化銀粒子、および、酸化銅粒子からなる群から選択される少なくとも１種を含む
    　請求項１または２に記載の導電性シート。
  4. 　前記バインダ樹脂は、熱硬化性樹脂を含む
    　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導電性シート。
  5. 　揮発開始温度が１００℃以上である揮発成分をさらに含む
    　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導電性シート。
  6. 　基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
    　前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層された導電性シートと、を備え、
    　前記導電性シートが、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の導電性シートである
    　ダイシングダイボンドフィルム。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116132890A (zh) * 2023-01-29 2023-05-16 歌尔股份有限公司 用于发声装置的振膜、发声装置及电子设备

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071492A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2015008307A (ja) * 2014-08-07 2015-01-15 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
WO2015056303A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置
JP2015195266A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 日東電工株式会社 ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2016103524A (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 日東電工株式会社 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法
JP2016125043A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 積水化学工業株式会社 半導体ウエハ用接着フィルム
JP2017045935A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 日立化成株式会社 接着シートとダイシングテープを用いる半導体装置の製造方法
WO2018179796A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 日東電工株式会社 加熱接合用シートおよび加熱接合用シート付きダイシングテープ
WO2019092959A1 (ja) * 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ
JP2019104862A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
WO2020189535A1 (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体、及び装置の製造方法
JP2021077766A (ja) * 2019-11-08 2021-05-20 日東電工株式会社 熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルム

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071492A (ja) * 2009-08-25 2011-04-07 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2012079936A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
WO2015056303A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置
JP2015195266A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 日東電工株式会社 ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2015008307A (ja) * 2014-08-07 2015-01-15 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2016103524A (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 日東電工株式会社 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法
JP2016125043A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 積水化学工業株式会社 半導体ウエハ用接着フィルム
JP2017045935A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 日立化成株式会社 接着シートとダイシングテープを用いる半導体装置の製造方法
WO2018179796A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 日東電工株式会社 加熱接合用シートおよび加熱接合用シート付きダイシングテープ
WO2019092959A1 (ja) * 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ
JP2019104862A (ja) * 2017-12-14 2019-06-27 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
WO2020189535A1 (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体、及び装置の製造方法
JP2021077766A (ja) * 2019-11-08 2021-05-20 日東電工株式会社 熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルム

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