TW311264B - Method of producing semiconductor devices including a step of dicing a semiconductor wafer while covering the semiconductor wafer by a tape - Google Patents

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TW311264B TW085114656A TW85114656A TW311264B TW 311264 B TW311264 B TW 311264B TW 085114656 A TW085114656 A TW 085114656A TW 85114656 A TW85114656 A TW 85114656A TW 311264 B TW311264 B TW 311264B
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TW085114656A
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Yoshihiro Toyama
Takanori Muramoto
Akihisa Haita
Hidenori Akatani
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Fujitsu Ltd
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Description

311264 A7 B7___ 五、發明説明(1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明大致係關於半導體元件的製造,更詳,细的說是 關於在Μ黏帶覆蓋半導髏晶圓時將半導體晶圓切成痼別的 半導體晶粒。 在半導體元件的製造過程中,許多値半導體元件被形 成於一個共同的半導髏晶圓上。因而連同這些半導體元件 形成的晶圓接著須接受一値切割過程將半導體晶圓用鋸片 . 切割成個別的許多晶粒。 在切割過程中,一黏帶或其他適當的附著性介質被提 供於半導體晶圓之相對於半導體形成面的背面上,在這樣 的狀態下執行切割可Κ使切割形成的晶粒不會四處飛散。 於是,只有半導髏晶圓被切割*而黏帶本身郤保持完整。 由於用如此的黏帶,半導體晶粒在切割過程後能在黏帶上 維持完整地排列,如此一來使用自動裝配設備一個接著一 個地揀取晶粒確實是方便的。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 然而,一片典型的半導體晶圓,通常其厚度爲320撤 米,又有彎曲的趨向使得其形成半導體元件的正面係為凸 出,而其背面係為凹入。如此,只將黏帶附著在晶圓的背 面易於留下一個空隙在凹入背面的中央部位,而對應在這 晶圓中央部位的半導體晶粒因為不易附著於黏帶上而在切 割過程後易於雜亂或飛散。 爲了防止晶粒如此的飛散Μ及飛散時對晶粒可能的損 害,一種用以阽附黏帶的傳统設備在基座的黏帶表面上, 應用一個滾筒如第1圖所示。 參閲第1圖,一固定於黏帶附著設備的平台2上的半 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ~
A7 B7 i'發明説明(2) 導體晶圓1被一黏帶4覆蓋住其上主要表面,而黏帶4是 固定在框架3之上。基座的上主要表面上沒有半導體元件 被形成。接著,一個滾筒從一上方被推向黏帶4並在黏帶 4上面移動,使黏帶4與基座1之上主要表面之間的任何 空隙陷缩。必須被提到的是黏帶4之貼附是在真空環境中 執行。因此,第1圖的設備是被放置在真空室中。 ' 然而,第1圖的設備有一値缺點就是需要提供一種將 滾筒5推向黏帶4並使滾筒5在黏帶4表面上移動的機構 ,如此一來,必須提供一間很大的真空室來容納第1圔的 設備,而使用一間大的真空室需要相當多的時間來抽真空 。尤其是,使用一次輾壓一點的此種滾筒5,可能由於超 過負荷而損傷晶圓1。而且,使用此種滾筒5將導致在基 座1之上主要表面上的黏帶4變形,原因是黏帶4被滾筒 5所施加的壓力。當黏帶4變形,經過切割後所得的半導 體晶粒可能從其標稱位置偏離而造成使用自動配集設備揀 取晶粒時變爲困難。 第2圖展現另一個作為在切割前附著黏帶於半導體晶 圓上的傳統構造,其中對應於前述零件的零件將被省略不 再重覆。 參閲第2圖展現一個晶圓平台8被設在下密室7之内 而一値上密室6位在下密室7之上且整値形成一個真空室 ,必須提及的是下密室7被抽真空到壓力的同時,經由 輸送管9將空氣導入上密室6使上密室6壓力變。且 壓力Pi要高於壓力Pa (Pi> Ρ»)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0>< 297公釐) m ml HI ml In n^· n -J ,-=9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 發明説明(3) 由於上密室6壓力化的結果,黏帶4被凸向下密室7 的方向,形成一面向半導體晶圓1側的凸出面如第2圖所 示。藉由在此情形下在向上方向舉起晶圓平台8也就舉起 晶圓1,黏帶4首先將接觸到晶圓1的下凹表面之中心處 。平台8的更進一步向上移動,接觸面積將由晶圓1中心 逐漸增加至其邊緣,免除了晶圓1與黏帶4之間空隙的形 成。 在第2圖的構造下,需要控制壓力Ρ*及匕使實際作用 在黏帶4上的壓力保持一定且是最適宜的。然而,上密室 6的壓力與下密室7的壓力Pa要作這樣的調整卻是困難 的。例如,當壓力太低,用於使黏帶4推向對晶圓1的 推進力不能充分得到。反過來說,當壓力Pi太高,黏帶4 的膨脹凸出及作用於黏帶4上的張力變得超過了,且黏帶 4將造成塑性變形。如此一來,黏帶上的半導體晶粒,在 切割過程後,從標稱位置偏離,則利用自動配集設備將變 得困難了。 第3圖展現出另一部使黏帶附著於一個半導體晶國凹 表面上之傳統設備,如揭露於日本Laidopen Patent Publication 4-65109 ,其中對於前述零件都Μ相同编號 標定,其說明將省略。 參閲第3圖,在上密室6内設有一個可向上向下移動 ‘的可動組件9,其中可動組件9帶有一個可變形的彈性組 件10,其有一向下突出或鼓出的形狀相當於晶圓1下凹的 上主要表面,藉由降下可動組件9,彈性組件10的突出表 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) I. - - - I.....I I— I - - * j I - - - I - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 -L 一 A7 五、發明説明(〇 n- ml ΑΙ·1« —fl—·— tmB lai am n^i -,- 0¾ '-口 (請先閱讀背面之法意事項再填寫本頁) 面與黏帶4接合並造成黏帶在向下凸出。如此,在黏帶4 向下凸出的狀態下昇起平台8,則黏帶4將首先碰觸到晶 圓1的下凹表面之中心,而更進一步的昇起平台8將使接 觸面積逐漸向晶圓1的邊緣增加。 然而,第3圖的設備,依賴彈性組件10的機械變形來 使黏帶4產生所需的變形,仍然有一痼問題就是黏帶4推 ' 進力的控制,尤其是對於晶圓1凹表面推進力之分佈,是 困難的。從晶圓1的非常小之厚度的觀點來看,如此的構 造,其作用於晶圓1的黏帶4之推進力被可動組件8與9 的推進力Μ及可變形組件10的彈力所控制,這在使黏帶4 貼附到晶圓的過程中對晶圓1的損害確實是一項冒險。 太發昍的摘要 所以,本發明的大致目標是提供一種生產半導體元件 的新穎且有用的方法,其包括在準備切割過程時在晶圓上 使用黏帶,其中前面所述的諸多問題都被成功地消除了。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明的另一及更多特定的目標是提供一種用控制的 推進力將黏帶附著在一個晶圓的下凹表面上而不會有損害 晶圓的危險之方法。 本發明的另一目標是提供一種用於用控制的推進力將 黏帶附著於一屆晶圓上而不會使晶圖產生損害的危險之設 備。 本發明的另一目標是提供一個生產半導體元件的方法 ,包含Μ下幾値步驟: 置放一條黏帶在一値晶圓的上方; 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 7 Α7 Β7 五、 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明説明(5) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 置放一値可撓的推進組件在該黏帶的上方,此可撓的 推進組件由於重力而變形使得該可撓組件以向下方向朝向 黏帶凸出; 使此可撓推進組件相對於該黏帶下降,使該黏帶與該 可撓推進組件有一致的變形,則該黏帶以向下朝向晶圓的 方向凸出; 相對於該黏帶昇高該晶圓使該晶圓與向下凸出的黏帶 底部接觸; 昇高該晶圓的步驟繼續進行,使該可撓推進組件透過 介於中間的黏帶,而遵照該晶圄之上主要表面的形狀變形 Ο 本發明的另一目標是提供一個用於附著黏帶到晶圓上 的設備,包含: 一痼適合固定晶圓於其上的平台; 一個適合固定一黏帶於此平台上的該晶圓之上方的黏 帶固定架; 一値設於黏帶固定架上的推進組件,其可相對於該黏 帶固定架上的黏帶向上或向下的方向移動; 該推進組件包含一因重力而在向下方向朝向黏帶固定 架上的黏帶凸出的可撓體; 一値封閉該平台、該黏帶固定架Μ及該推進組件的真 空密閉室;Μ及 —部用以造成該平台向上或向下移動的驅動機構,該 驅動機構進一步使該推進裝置向上或向下移動。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 8 A7 B7 五、 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明説明(6) 依據本發明,黏帶被推向半導體晶圓僅由於可變形推 進組件的重力,沒有外力作用,如此一來,作用在黏帶上 的推進力Μ及遍及黏帶的推進力之分佈是確實地且可重覆 產生地控制,不會有超出的力被加在黏帶上,而因黏帶的 塑性變形而使晶圓切割後在黏帶上的晶粒產生錯位的問題 ,被成功地消除了。此外,當黏帶僅因可撓推進組件之重 力作用被推進時,晶圓被超出的推進力作用而造成晶圓損 害的問題也有效地消除了。例如,一個人甚至能在使推進 組件向上和向下移動之驅動機構和/或平台之控制不良時 亦可成功地避免對晶圓的損害。 本發明的其他目標及更進一步的特色將由於以下的詳 細描述配合附圖的閲讀而變得清楚明瞭。 附匾:> 簡钽椹沭 第1圖所示為一使用於半導體元件生產之一傳統的黏 帶附箸設備的構造; 第2圖所示為另一傳統的黏帶附著設備的構造; 第3圖所示仍為另一傳统的黏帶附著設備的構造; 第4圖所示為依據本發明第一實施例之黏帶附著設備 的構造; 第5圖所示為第4圖之黏帶附箸設備的整體構造; 第6Α至6D圖為第4圖設備中附箸黏帶過程的圖示; 第7圖所示為第6Α至6D圖的黏帶附著過程的圖示; 第8圖所示為本發明第二實施例的圖式; 第9圖所示為本發明第三實施例的圖式;Μ及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) m· am ϋϋ ffm ^i^i· ^^^^1 ^^^^1 / nn t^nc nn am· nn —^1·—1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 A7 B7 五、 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明説明(7) 第10圖所示為一應用於附有黏帶的晶圓之切割過程的 圖式。 太發明:> 詳細描沭 第4圖所示為依照本發明第一實施例的黏帶附著設備 之結構的剖面圖。 參閲第4圖,此黏帶附著設備包括一個上密室12和一 痼下密室13合成為一個真空室14,在上密室12和下密室13 K 一個密封環15互相接合。此外,在下密室13底部形成有 一個抽氣出口 13b作爲真空室14抽真空用。 下密室13之内包括一個作為安裝晶圓16之晶圓平台17 ,此處可Μ看到晶圓平台17被可Μ經由形成在下密室13的 穿透洞13c而上下移動之兩根棒18所支撐。如此一束,晶 圓平台17本身在不超過下密室13頂緣的範圍內上下移動。 晶圓16包括一個有半導體元件形成的前面16a及一値無半 導體元件形成的背面16b,晶圓16被安裝於晶圓平台17上 使其前面16a面對晶圓平台17,結果,其背面16b面對一値 垂直向上的方向。一如在描述習知技術時所提到的,由於 製造半導體元件時晶圓16造成彎曲,晶圓16之背面16b趨 向形成一艏下凹的表面。 另外,必須被提到的是下密室13承載支柱19,它們又 承載一値環形的框架平台20,框架平台20支撐一値附著黏 帶21的環形框架22。支柱19被配置在晶圓平台17的外侧並 在高於平台17高度之水平高度支撐附著黏帶21。附著黏帶 21有一帶著一層附著性物質的附著面21aM及無附著性的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ^^^1 ϋϋ I m tm ^11 n^i nn ^^4 ^ 、vs (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 Π 10 ^11264 A 7 B7 五、發明説明(8) 背面211^環形框架22被安裝在框架平台20上使黏帶的附 著面21a面對著放在平台17上的晶圓16。 將於稍後再解釋,當在上密室12被向上舉起並從下密 室13移開的狀態下,晶圓16以及黏帶21藉由未檫示於圖中 的手動機械或自動機械臂被安装。在晶圓16M及黏帶21被 安裝之後,上密室12被帶到與下密室13接合,經由引動一 - 部真空幫浦從抽氣出口 13b抽氣於是真空室14便形成。 另一方面,上密室12設有使黏帶21推向晶圄16的一推 進機構23。推進機構23包括一個典型重量為200g的矽質圓 形薄膜或可撓薄片24以及握住此圓形薄片24外緣的環形夾 鉗機構25,另外推進機構23還包含可動支柱26,它們穿過 上密室12頂壁12a的穿透洞12b可Μ上下移動,支柱26與上 述夾鉗機構25相接,而薄片24隨著支柱26向上或向下移動 而上下移動。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的薄片24是由一可撓的,彈性材料形成為一種 鬆弛形狀,在薄片24被夾鉗機構25握住的狀態下因薄片24 本身的重量而Μ重力向下的方向凸出。如此*在晶圓16及 黏帶21被安裝在下密室的狀態下,夾鉗機構25被拉到薄片 24被升高到黏帶21上方的一上升位置。第4圖所示即為當 上密室12與下密閉室13接合形成封閉真空室14之後的立邸 狀態。 如第4圖所示在上密室12接合之後真空室14被抽真空 ,支柱26被外在的上升下降機構降低,必須注意的是向下 突出之薄片24底部最先與圓形黏帶21的中心部份接觸且以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八私見格(210Χ297公釐) -11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 向下方向推進黏帶21。結果,黏帶21變形成一相當於薄片 24形狀的一向下突出的形狀。此外,藉由使平台17向上升 起,黏帶21的附著面21a與晶圓16的背面16b中心部份接合 。平台17再進一步上升,黏帶21與晶圓16的接觸面積由前 述的中心部份向晶圓16的邊緣部份增加如第7圖所示,則 黏帶21被貼到晶圓16的背面16b而沒有任何空隙在黏帶21 . 與晶圓16之間形成。必須注意的是在平台17被舉起的過程 期間,薄片24產生一値遵照晶圓16之背面16b形狀之彈性 變形。在前述之薄片24重量為300g的情況下,黏帶21被以 約0.6g/cma的推進壓力被推向背面16b。 在黏帶21被如此完全覆蓋於晶圓16之背面16b之後, 支柱26被升起而支棒18被降低。如此,薄片24與黏帶21分 開,留下晶圓16在平台17之上而晶圓16的背面16b已被黏 帶21所覆。 為了便利薄片24從晶圓16分開,薄片24可帶有撤小的 突出與凹陷在其下方主要表面上。 此外,第4圖的結構包括一個在降低支柱26時作為偵 測夾鉗機構25的正確定位的感測器27,更詳言之,感測器 27被用來偵測夾鉗降到一個預定的位置。在感测器27偵測 位置之後,支柱26被持薄降低到一個預定的距離,如此, 準確控制因薄片24而施加在黏帶21上的推近力是可能的, 如此一來黏帶21被均勻地黏覆到晶圓16的整値背面16b上 〇 第5圖所示爲第4圖之黏帶附著設備的整個構造,其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) ---------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 12 A7 B7 五 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 '發明説明(10 ) 中前述的一些零件都用相同的编號且其說明將省略。 參閲第5圖,下密室13被引導支柱31托住而它們被可 移動的支撐於下方基座32上,下方基座32帶著一部使下密 室13向上及向下移勛的液壓缸33,因而,下密室13之上升 /下降移動被引導支柱31所引導。另外,必須注意的是下 密室13帶著另一部使平台17上下移動的液壓缸30。因而, 與下密室13在洞13c内接合的支棒18功能如同一引導平台 17上/下移動的引導棒。 同樣地,上密室12被連接到引導支柱35而它們與上方基 座34係為可移動的接合。上方基座34帶箸一部使上密室12 向上及向下移動的液壓缸36。因而,上密室12之上/下移 動是被接合於上方基座34的引導支柱35所引導。 必須注意的是上密室12帶有一部液壓缸29,其中液壓 缸29藉由連結組件28使支棒26上及下移動。因而,薄片24 被上下移動Μ因應液壓缸29的引動。在第5圖中,為了簡 化圖示抽氣出口 13b的標示被省略。 第6A圖顯示上密室12被舉起而下密室被打開的狀態。 在此狀態下,晶圓16被一部未標示在圖上的手動機構放置 於平台17上面,且被安裝於環形框架22上的黏帶21亦被一 部未檫示於圖上的手動機構放置於框架平台20上如第6B圖 所示。 其次,在第6C圖的步驟中,上密室12與下密室13接合 ,而真空室14被抽真空。接著,第5圖的液壓缸29帶動支 棒26降低,一直到向下凸出的薄片24使黏帶21產生相對應 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) f» i ^^^^1 l^n In ml ^^^^1 ^^^^1 —^i 1^1^1 ^flu (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 Α7 Β7 五、發明説明(11 ) 的變形並且向下凸出的黏帶21的底部接觸到沒有半導體元 件形成的晶圓16背面16b為止。 在第6C圖向下凸出的黏帶21與晶圓16接觸的狀態下, 必須注意的是作用在晶圓16的力只有相當於薄片24的重量 而已,黏帶21本身的重量可以不計。如此一來,由於作用 在晶圓16的力而造成晶圓16的損害之風險可說是絕對沒有 - 。更進一步來說*薄片24是可撓的且依照晶圓16的表面16b 形狀而變形的。如此一來,就算支棒26的定位控制不良, 晶圓16仍然不會損害。 接著,在第6D圖的步驟中,平台17被引動的汽壓缸30 向上方檯起。因而,隨著晶圓16高度的增加黏帶21與晶圓 16的接觸面積也增加。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第6D圖的狀態下,必須注意的是黏帶21的接觸面積 是由晶圓16的中心向其邊緣徑向擴展的如第7圖的箭頭所 示。如此一來,在晶圓16與黏帶21之間的空隙形成係正面 地避免了,甚至在晶圓16之表面16b爲凹狀的情形下。因 而,可以確保晶圓16與黏帶21之間的緊密接觸。在第6D圖 的步驟中,同時也沒有損害產生在晶圓16,因爲黏帶21的 變形僅由薄片24的重量產生。 此外,藉由調節晶圓16相對於薄片24的高度,黏帶21 於晶圓16上的接觸面積是可Μ控制的。此特性對於將黏帶 21貼在不同尺寸晶圓上或只貼在晶圖16—部份上的情況下 特別有利。 第7圖顯示黏帶21與晶圓16的接觸面積,其中最初接 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 14
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 '發明説明(12 ) 觸面積由最内部之虛線圓圈到下一個虛線圓圈,此乃由於 第6C圖所述過程降低薄片24的結果。在第6D圖步驟升起平 台17將使接觸面積更進一步增加到用實線所標示的圓圈。 第8_所示為依照本發明第二實施例之黏帶附著設備 ,其中前述之零件係K相同编號標示且其說明將被省略。 在此實施例中,一個第二可撓薄片24’被加在薄片24 上作為調整作用於黏帶21的推進力。因而,黏帶21向晶圓 16的向下凸出被調整以因應在框架22上黏帶21的張力。必 須注意的是附加薄片24’之數目並非只限於一個,而是視 需要可Μ有兩個或多個附加薄片。 第9圖所示為依照本發明之第三實施例的黏帶附著設 備,其中前述之零件係以相同编號標示,其說明將被省略 敘述。 在第9_實施例中,一砝碼24”被置於薄片24的上面 作為使黏帶21產生所期望的向下凸出。砝碼24”可Κ任何 包括金屬,陶瓷或諸如橡膠之可撓物質之材料形成。 此外,薄片24不必如關於第一實施例所提到的重量 300g所限制,而是不同重量的薄片24亦可被使用。 第10圖所示為依照前述之任何實施例應用於背面16b 己貼上黏帶21之晶圓16的切割過程。必須注意的是第1〇圖 本身的過程是已知的。 參閲第10圖,已貼上黏帶之晶國16被置於一個未檫示 於圖中的平台上*形成半導髏元件之面16a是朝上的,接 箸,一値滾動切割鋸40沿著已搭之線16c加在晶圓前面16a 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) ^ϋ. - 1 1--- - - 1 n m ϊ ---- HI 1^1 l!i 1» -I ^14 U3. 、va (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -15 A7 B7 i、發明説明(13 ) 之上,因而晶圓16被分割成很多値晶粒41,其中晶粒41在 切割之後仍保持其排列秩序。 依照本發明,在晶圓16與黏帶21之間的空隙形成可靠 且成功地消除而不損傷晶圓16前面16a上的半導體元件。 如此,半導體元件之生產利潤能實質上改善。更進一步地 ,値別晶粒41在切割後仍適當地排列著,因為在第1至3 - 圖的傳統過程情形下因超出的推進力而造成黏帶21的變形 係完全地消除。因而使用自動臂揀取晶粒實質上係便利的 Ο 由於本發明不使用關於第1圖所述習知技術之滾筒機 構,因此真空室14的體積縮小且所需真空室抽真空的時間 係最小。因而,半導體元件生產的產量提昇。 在前述之任何實施例中,更應注意的是可以用一個彈 性的薄片代替可撓薄片24,只要彈性薄片因重力而向下凸 出,像這樣的彈性薄片包括一層安裝於環狀框架22上具有 適當張力的可撓薄膜,允許薄膜向下的突出或重力變形。 另外,本發明不限於上逑之實施例,各種不同的變化 型式或改良可在不偏離本發明之範圍做出。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 16 A7 B7 五、發明説明(14 ) 元件標號對照 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1,. · · 晶圓 19 ____ 支柱 2 ____ 平台 20 •… 框架平台 3 ____ 框架 21…· 黏帶 4 ____ 黏帶 21a .附著面 5 ____ 滾筒 21b ... .背面 6 ____ 上密室 22 .... 環形框架 7 ____ 下密室 23 .... 推進機構 8 ---- 平台 24,24, ....薄片 9 ____ 可動組件 24"... .砝碼 10 ____ 彈性組件 25 ____ 夾鉗機構 12 ____ 上密室 26 ---- 支柱 12a ... .頂壁 27 ____ 感測器 12b ... .穿透洞 28 ____ 連結組件 13 ---- 下密室 29 ____ 液壓缸 13b ... .抽氣出口 30 ____ 液壓缸 13c ... .穿透洞 31 ____ 引導支柱 14 ____ 真空室 32 ____ 下方基座 15 ---- 密封環 33 ____ 液壓缸 16 ____ 晶圓 34 ____ 上方基座 16a ... 前面 35 ____ 引導支柱 16b ... 背面 36 ____ 液壓缸 16c ... 線 40 ____ 切割鋸 17 ____ 晶圓平台 41 ____ 晶粒 18 ·… 支棒 ^^^^1 ^^^1· ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 i nn If m· B^i-^— I ^^^^1 V* ^¾-5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 17

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 311264 A、申請專利範圍 1. 一種生產半導髏元件的方法,其包含幾個步驟: 配置一黏帶於一晶圓上使該黏帶之附著面向該晶 圓的頂面; 配置一可撓的推進組件於該黏帶上,該可撓的推 進組件因重力產生變形,使該可撓推進組件Μ向下對 著該黏帶的方向產生凸出; . 相對於該黏帶移動該可撓的推進組件而與該黏帶 接合,如此該黏帶產生與該可撓的推進組件一致的變 形,該黏帶因而朝該晶圓向下凸出;Μ及 使該變形的黏帶與該晶圓的頂面接觸。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中使該變形的黏帶 接觸到該晶圓的該頂面上之該步驟係為,使該變形的 黏帶的一底部與該晶圓之該頂部在該頂部的中心部份 接觸*而且接觸面積從該晶圓的該中心部份向邊緣部 份徑向地增加。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,使該變形的黏帶接觸 到該晶圓的該頂面上之該步驟包括相對於黏帶升起該 晶圓使該晶圓與該向下凸出之黏帶的底面在該晶圓的 該頂面之中心部份接合的一步驟,持繙該晶圓的該升 起步驟使該彈性推進組件,經由該介於其中的黏帶, 與該晶圓的該頂面產生一致變形。 4 .如申請專利範圍第i項之方法,其中該可撓的推進組 件係為一可撓的薄膜。 5.如申請專利範圍第4項之方法,其中該可撓的薄膜具 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) --------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 訂_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 18 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 有導致該黏帶變形的一重置。 6·如申請專利範圍第1項之方法,其中該可撓的推進組 件包括多層的可撓薄膜。 7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該可撓的推進組 件包含一可撓的薄膜及一設於其上的砝碼。 8. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該可撓的推進組 . 件包括一値具有彈性的薄膜。 9. 如申請專利範圍第1項之方法,其更包含在該晶圓覆 有該黏帶的情況下,在相對於該頂面切割該晶圓的步 驟。 10·—種用於附著黏帶於晶圓上的設備,包含有: 一個適於托住晶圓於其上的平台; 一個適於握住黏帶於該平台上之該晶圓上方的黏 帶握臂; 該平台係可相對於該黏帶握臂上的該黏帶向上及 向下移動; 在該黏帶握臂上方提供一個驅動支臂可以相對於 該黏帶握臂上的該黏帶向上及向下移動; 該推進組件包括一値因重力而朝該黏帶握臂上的 該黏帶向下凸出的可撓體; 一間包圍該平台,該黏帶握臂及該驅動支臂的真 空密閉室;Μ及 一作為在向上及向下方向移動該平台的驅動機構 ,該驅動機構更造成該推進組件在向上及向下方向移 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---------袭------1Τ------' ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 動。 11_如申請專利範圍第10項之設備,其中該推進組件包含 —可撓的薄片。 12.如申請專利範圍第^項之設備,其中該可撓的薄片具 有足夠使該黏帶握臂上之該黏帶產生形變的重量。 申請專利範圍第10項之設備,其中該推進組件包含 有多個互相堆叠的可撓的薄片。 14·如申請專利範圍第10項之設備,其中該推進組件包含 一可撓薄片及一設於其上的砝碼。 15.如申請專利範圍第10項之設備,其中該推進組件包含 —镝具有彈性的薄膜。 --------裝I I I I--訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局男工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 20
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