JP5973064B2 - 支持装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

支持装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

(関連出願の相互参照)
[0001] 本出願は、2012年5月29日に出願されて全体が引用により本願に含まれる米国仮出願61/652,582号の利益を主張する。本出願は、2012年6月29日に出願されて全体が引用により本願に含まれる米国仮出願61/666,348号の利益を主張する。
[0002] 本発明は、支持装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つかのダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。一般的に、1枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向(「スキャン」方向)と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向(「スキャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0004] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び/又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである(液体の効果は、システムの有効開口数(NA)を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる)。固体粒子(例えば石英)が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁(例えば最大10nmの最大寸法の粒子)がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び/又は水溶液である。
[0005] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと(例えば米国特許US4,509,852号参照)は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
[0006] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び/又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
[0007] リソグラフィ装置における液浸液のハンドリングでは、液体のハンドリングについて1つ以上の問題がある。通常、基板及び/又はセンサ等のオブジェクトと、このオブジェクト(例えば基板及び/又はセンサ)の縁部を囲むテーブル(例えば基板テーブル又は測定テーブル)と、の間には、ギャップが存在する。米国特許US2005−0264778号は、そのギャップを材料によって充填すること、又は液体源若しくは低圧源を設けてギャップを液体で故意に充填することによって、ギャップが液体供給システムの下を通過する際に泡が混入するのを回避すること及び/又はギャップに入る液体を除去することを開示する。
[0008] 例えば、リソグラフィ装置のオブジェクトホルダの温度プロファイルの安定性を向上させることが望ましい。
[0009] 1つの態様によれば、リソグラフィ装置のための支持装置が提供される。この装置は、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、オブジェクトホルダから実質的に分離するようにオブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を含む。抽出本体が突起を含み、突起が、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
[0010] 1つの態様によれば、リソグラフィ装置のための支持装置が提供される。この装置は、オブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、複数の外周方向に離間した接合部によってオブジェクトホルダに接続されて接合部間ではオブジェクトホルダから離間するようになっている、抽出本体と、を含む。
[0011] 1つの態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを基板上に投影することを含み、支持装置が、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、オブジェクトホルダから実質的に分離するようにオブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を含み、抽出本体が突起を含み、突起が、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
[0012] 1つの態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを基板上に投影することを含み、支持装置が、オブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、複数の外周方向に離間した接合部によってオブジェクトホルダに接続されて接合部間ではオブジェクトホルダから離間するようになっている、抽出本体と、を含む。
[0013] 1つの態様によれば、支持装置が提供される。これは、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
[0014] 1つの態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを基板上に投影することを含み、支持装置が、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
[0015] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0016] 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0017] リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。 [0017] リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。 [0018] リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す。 [0019] リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す。 [0020] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0020] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0020] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0021] ある実施形態の支持装置の一部を平面図で示す。 [0022] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0022] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0022] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0022] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0022] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0023] ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。 [0023] ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。 [0023] ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。 [0023] ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。 [0023] ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。 [0024] ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
[0025] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 例えば1つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、又は、基板(例えばレジストコート基板)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って例えば基板Wのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板支持装置60のような支持テーブルと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイの一部を含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
[0026] 照明システムILは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0027] 支持構造MTはパターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスMAが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造MTは、パターニングデバイスMAを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPSなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0028] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0029] パターニングデバイスMAは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0030] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0031] 本明細書で示すように、本装置は、(例えば透過マスクを使用する)透過タイプである。あるいは、装置は、(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する)反射タイプでもよい。
[0032] リソグラフィ装置は、例えば2つ以上の基板テーブル又は1つ以上の基板テーブルと1つ以上のセンサ若しくは測定テーブルとの組み合わせ等、2つ以上のテーブル(又はステージ又は支持部)を有するタイプとすることができる。このような「多ステージ」の機械では、多数のテーブルを並行して使用するか、又は1つ以上のテーブルを露光に使用している間に1つ以上の他のテーブルに準備ステップを実行する場合がある。リソグラフィ装置は、基板テーブル、センサテーブル及び測定テーブルと同様に並行使用可能な2つ以上のパターニングデバイステーブル(又はステージ(複数のステージ)若しくは支持部(複数の支持部))を有してもよい。
[0033] 図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源SOとリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源SOはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源SOが水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0034] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源SOと同様、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータILは着脱式であり、(例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって)別に提供されてもよい。
[0035] 放射ビームBは、支持構造(例えば、マスクテーブル)MT上に保持されたパターニングデバイス(例えば、マスク)MAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターニングされる。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ)の助けを借りて、基板支持装置60は、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の(図1には明示されていない)位置センサを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めできる。一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現できる。同様に、基板支持装置60の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。(スキャナとは対照的に)ステッパの場合、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよい(スクライブレーンアライメントマークとして知られている)。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0036] 図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。
[0037] 1.ステップモードでは、放射ビームBに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影(すなわち1回の静的露光)する間、支持構造MT及び基板支持装置60は基本的に静止したままである。次いで基板支持装置60をX方向及び/又はY方向にシフトさせて、異なるターゲット部分Cの露光を可能とする。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
[0038] 2.スキャンモードでは、放射ビームBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影(すなわち1回の動的露光)しながら、支持構造MT及び基板支持装置60を同期的にスキャンする。支持構造MTに対する基板支持装置60の速度及び方向は、投影システムPSの拡大率(縮小率)及び像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向の)幅が限定され、スキャン動作の長さ(及び露光フィールドのサイズ)によってターゲット部分Cの(スキャン方向の)高さが決定する。
[0039] 3.別のモードでは、支持構造MTは基本的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持するが、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影しながら基板支持装置60を移動又はスキャンする。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板支持装置60の各移動の後に又はスキャン中の連続放射パルスの間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスを更新する。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0040] 上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0041] 投影システムPAの最終要素と基板との間に液体を供給するための機構は、3つの大まかなカテゴリに分類することができる。これらは、浴槽タイプの機構、いわゆる局所液浸(localized immersion)システム、及び、オールウェット(all-wet)液浸システムである。浴槽タイプの機構では、実質的に基板Wの全体、及び任意選択として基板支持装置60の一部を、液体の浴槽内に浸漬する。
[0042] 局所液浸システムは、基板の局所領域にのみ液体が供給される液体供給システムを使用する。液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面よりも小さく、液体で充填される容積は、この容積の下を基板Wが移動する間、投影システムPSに対して実質的に静止したままである。図2から図5は、そのようなシステムで使用可能である様々な供給デバイスを示す。液体を局所領域に封止するために封止フィーチャが存在する。これを構成するために提案された1つの方法が、PCT特許出願公報WO99/49504号に開示されている。
[0043] オールウェット機構では、液体は閉じ込められない。基板の上面全体及び基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆っている液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜等の膜であり得る。液浸液は、投影システム及び投影システムに面する対向表面(かかる対向表面は基板及び/又は基板テーブルの表面であり得る)の領域に対して又はこの領域内に供給され得る。このようなシステムにおいて、図2から図5の液体供給デバイスのいずれも使用可能である。しかしながら、液体を局所領域にのみ封止するための封止フィーチャは存在しないか、活性化されないか、通常より効率が低いか、又は効果的でない。
[0044] 図2及び図3に示すように、液体は少なくとも1つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口によって除去される。基板が要素の下で−X方向にスキャンされると、液体は要素の+X側で供給され、−X側で回収される。最終要素の周りに様々な向き及び数の入口及び出口を位置決めすることが可能である。その一例を図3に示す。この場合、最終要素の周りに規則的なパターンで、各側に入口及び出口を有する4つのセットが設けられている。なお、図2及び図3においては液体のフローの方向を矢印で示している。
[0045] 図4に、局所液体供給システムを用いた別の液浸リソグラフィソリューションを示す。液体は、投影システムPSの各側にある2つの溝状入口によって供給され、これらの入口の半径方向外側に配置された複数の個別の出口によって除去される。図4では、液体及び基板のフローの方向を矢印で示している。
[0046] 提案されている別の機構は、液体供給システムにおいて、投影システムの最終要素と、基板、基板テーブル、又はそれら双方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延出する液体閉じ込め構造を設ける。図5に、そのような機構を示す。
[0047] 図5は、投影システムの最終要素と基板支持装置60又は基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延出する液体閉じ込め構造IHを有する局所液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示す。(以下の文章において、基板Wの表面への言及は、特別に明記しない限り、これに加えて又はこの代わりに基板テーブルの表面を指すことに留意されたい。)一実施形態において、液体閉じ込め構造IHと基板Wの表面との間に封止が形成され、これは、気体封止又は液体封止等の非接触封止であり得る(気体封止を有するこのようなシステムは、欧州特許出願公報EP−A−1,420,298号に開示されている)。
[0048] 液体閉じ込め構造IHは、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11に液体を少なくとも部分的に含む。空間11は、投影システムPSの最終要素の下に位置決めされてこれを取り囲む液体閉じ込め構造IHによって少なくとも部分的に形成されている。液体は、液体入口13によって、投影システムPSの下にあり液体閉じ込め構造IH内にある空間に供給される。液体は液体出口13によって除去され得る。
[0049] 液体は、使用中にバリア部材IHの底部と基板Wの表面との間に形成される気体封止16によって空間11内に封じ込めることができる。気体封止内の気体は、入口15を介してバリア部材IHと基板Wとの間のギャップに圧力下で供給される。気体は出口14を介して抽出される。気体入口15に対する過圧、出口14での真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める高速気体フロー16が内側に存在するように構成される。バリア部材IHと基板Wとの間の液体にかかる気体の力が、液体を空間11内に封じ込める。かかるシステムは、米国特許出願公報US2004−0207824号に開示されている。これは引用により全体が本願に含まれるものとする。一実施形態では、液体閉じ込め構造IHは気体封止を有しない。
[0050] 本発明のある実施形態は、例えば米国特許出願公報US2006−0158627号、US2006−0038968号、US2008−0212046号、US2009−0279060号、US2009−0279062号、US2004−0207824号、US2010−0313974号、及びUS2012−0120376号に開示されたものを含むいずれかの流体ハンドリング構造に適用される。これらの内容は引用により全体が本願に含まれるものとする。
[0051] コントローラ500は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御し、特に、以下でさらに説明する動作プロセスを実行する。コントローラ500は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性の記憶手段、キーボード及びスクリーン等の1つ以上の入力及び出力デバイス、リソグラフィ装置の様々な部分に対する1つ以上のネットワーク接続及び1つ以上のインタフェースを含む適切にプログラミングされた汎用コンピュータとして具現化することができる。コントロール側コンピュータとリソグラフィ装置との間の1対1の関係は必須ではないことは認められよう。本発明のある実施形態では、1つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、多数のネットワーク化コンピュータを用いて1つのリソグラフィ装置を制御することができる。コントローラ500は、1つ以上の関連付けられたプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成されて、それらのデバイスのリソセル(lithocell)又はクラスタの一部をリソグラフィ装置が形成することも可能である。コントローラ500は、リソセル又はクラスタの監督制御システム及び/又は製造工場の全体的な制御システムに従属するように構成することもできる。ある実施形態では、コントローラは、本発明のある実施形態を実行するように装置を動作させる。ある実施形態では、コントローラ500は、後にステップ2で用いるために本明細書に記載するステップ1の結果を記憶するメモリを有する。
[0052] 図6は本発明のある実施形態を示す。図6は支持装置及びオブジェクトを貫通する断面図である。ある実施形態において、支持装置は基板支持装置60であり、オブジェクトは基板Wである。支持装置はオブジェクトホルダを含む。オブジェクトホルダはオブジェクトを保持するように構成されている。以下の記載では、支持装置が基板支持装置60であると共に、オブジェクトホルダが基板Wを保持する基板ホルダ61である状況で、本発明の一実施形態を説明する。しかしながら、ある実施形態では、オブジェクトホルダは例えばセンサを保持するセンサホルダであり、基板支持装置60は任意選択として基板を保持することができないオブジェクトホルダのための支持装置である。
[0053] 図6に示すように、基板Wは基板ホルダ61によって保持されている。ある実施形態では、基板ホルダ61は1つ以上の突起62(例えば節)を含む。基板ホルダ61はピンプルテーブル又は節テーブルと呼んでもよい。
[0054] 基板支持装置60は抽出本体65を含む。抽出本体65は基板ホルダ61の半径方向外側にある。図6において、基板支持装置60及び基板Wの図の下の矢印は半径方向外側の方向を示す。ある実施形態では、抽出本体65は、平面視で基板ホルダ61を取り囲むような形状である。ある実施形態では、抽出本体65は閉じた形状を形成している。形状は特に限定されず、例えば環状又は多角形であり得る。
[0055] 基板Wの縁部が結像されている場合、又は基板Wが最初に投影システムPSの下を移動する等の他の場合、液体11は、基板Wの縁部と基板支持装置60の縁部との間のギャップ5の上を少なくとも部分的に通る。この結果、液溜め11からの液体がギャップ5内に入る可能性がある。
[0056] 基板ホルダ61によって基板Wと基板支持装置60との間に加わる負圧は、基板Wを確実に適正位置にしっかり保持するのに役立つ。しかしながら、液体が基板Wと基板ホルダ61との間に入ると、特に基板Wを取り外す際に問題を生じることがある。
[0057] 抽出本体65は、基板支持装置60の上面69からの流体を抽出するように構成されている。抽出開口66を設けることで、液体供給システムIHの液体11内に混入する気体の泡が減る。このような泡の1つ以上は基板Wの結像に悪影響を及ぼす恐れがある。抽出開口66は、基板Wと基板支持装置60との間のギャップ5内の気体が流体ハンドリング構造IHの液溜め11内に漏れるのを低減させるために設けられている。気体が液溜め11内に漏れると、これによって液溜め11内に泡が浮遊する可能性がある。このような泡が投影ビームの経路内にあると、結像エラーを招きかねない。抽出開口66は、基板Wの縁部と、基板Wが配置されている基板支持装置60の凹部の縁部との間のギャップ5から、気体を除去するためのものである。
[0058] 抽出開口66は、主として気体(約20から100ノルマルリットル/分(Nl/分))と、少量のみの液浸液(約1から100ml/分、任意選択として10から20ml/分)と、を抽出する。かかる2相フローによって、液浸液は蒸発し、基板Wの縁部を取り囲む基板支持装置60を冷却する。このため、基板Wが変形し、最終的にはオーバーレイ性能の低下につながる場合がある。
[0059] ある実施形態において、抽出本体65は、実質的に基板ホルダ61から分離されるように基板ホルダ61から離間している。抽出本体65は、基板ホルダ61から実質的に熱的に分離及び/又は実質的に機械的に分離されている。一実施形態では、実質的に基板ホルダ61の全体が、実質的に抽出本体65の全体から離間している。
[0060] 抽出本体65は実質的に基板ホルダ61から分離されていると規定することにより、抽出本体65にかかっている熱負荷が基板ホルダ61の熱機械的挙動に及ぼす影響が小さくなる。特に、抽出本体65の冷却が基板ホルダ61に与える影響は小さくなる。上述のように、蒸発による冷却は、抽出本体65の抽出開口66を通る2相フローによって行うことができる。従って、基板ホルダ61の温度プロファイルの安定性を向上させることができる。
[0061] ある実施形態では、オブジェクトホルダはセンサを保持するように構成されたセンサホルダであり、抽出本体は縁部封止部材である。ある実施形態では、縁部封止部材は、この縁部封止部材とセンサとの間のギャップを通るはずである液浸液を抽出する抽出開口を含む。
[0062] ある実施形態では、オブジェクトホルダは基板を保持するように構成された基板テーブルであり、抽出本体はセンサホルダである。センサは基板に隣接して配置される。センサ及び基板は異なる支持部によって支持される。ある実施形態では、センサホルダは、基板テーブルとセンサとの間のギャップを通るはずである液浸液を抽出する抽出開口を含む。
[0063] ある実施形態において、抽出本体65はチャネル68を含む。チャネル68は、通路67を介して抽出開口66と流体連通している。抽出開口66は、基板Wの縁部の外周(例えば円周)で1つ以上の個別の位置に設けてもよい。抽出開口66は、平面視でスリット又は円形の開口又は他のいずれかの形状であり得る。ある実施形態では、3つの個別の円形開口を設けて、抽出本体65から基板支持装置60に2相フローを抽出する。抽出開口66の直径は2mmとすればよい。チャネル68は、基板支持装置60の上面69から開口66を介して流体を抽出するように、負圧に接続されている。
[0064] ある実施形態では、抽出本体65は、基板ホルダ61に対して接続せずに基板ホルダ61から切り離されている。抽出本体65は、どの場所でも基板ホルダ61と直接接触しない。これによって、抽出本体65と基板ホルダ61との間の熱伝達、特に伝導による熱伝達が低減する。ある実施形態では、基板Wと基板支持装置60との間のギャップ5は、このギャップ5を通って基板ホルダ61の底部に至る液体損失を最小限とするように狭くなっている。
[0065] ある実施形態では、抽出本体65は基板ホルダ61に接続されている。図7は本発明のそのような実施形態を示す。抽出本体65は実質的に基板ホルダ61から分離されている。抽出本体65は封止によって基板ホルダ61に柔軟に(non-rigidly)接続されている。封止は、抽出本体65と基板ホルダ61との間の中間ギャップ75をまたぐように構成されている。
[0066] ある実施形態では、封止はステッカ70を含む。ステッカ70は、中間ギャップ75を介した液体損失を低減させるために配置されている。ある実施形態では、ステッカ70は中間ギャップ75を封止する。ある実施形態において、封止は、例えば溶接、ボルト締め、又は真空クランプによって形成される。抽出開口66は、封止よりも上方で、基板ホルダ61と抽出本体65との間のギャップから流体を抽出するように構成されている。
[0067] ある実施形態では、ステッカ70は接着層71及びフィルム層72を含む。接着層71は、フィルム層72を基板ホルダ61及び抽出本体65に接着する。ステッカ70は、流体が基板ホルダ61と抽出本体65との間の中間ギャップ75内に入るのを防止することに役立つ。中間ギャップ75は、基板ホルダ61と抽出本体65との間の良好な熱的接触を防ぐ。ある実施形態では、ステッカ70の厚さは50マイクロメートル以下であるか、10マイクロメートル以下であるか、又は約10マイクロメートルである。
[0068] ある実施形態では、抽出本体65は、真空又は気体を含む中間ギャップ75によって基板ホルダ61から離間している。中間ギャップ75内が真空であるか又は真空に近いと、抽出本体65と基板ホルダ61との間の熱伝達が低減する。
[0069] 図8は本発明のある実施形態を示す。図8に示すように、ある実施形態では、基板支持装置60は基板テーブルWTを含む。基板ホルダ61は、基板テーブルWTのオブジェクトホルダ凹部内に位置決めされている。オブジェクトホルダが基板ホルダ61である状況では、オブジェクトホルダ凹部は基板テーブルWTの基板ホルダ凹部85である。抽出本体65の少なくとも一部は、基板ホルダ凹部85内に位置決めされている。図8に示すように、ある実施形態では、抽出本体65の実質的に全てが基板ホルダ凹部85内に位置決めされている。しかしながら、必ずしもそうである必要はない。以下で説明するように、さらに例えば図12に示すように、ある実施形態では、抽出本体65の一部は基板ホルダ凹部85を超えて延出している。
[0070] 図8に示すように、抽出本体65は界面81で基板テーブルWTに接続されている。界面81は、抽出本体65と基板テーブルWTとの間の接続を与える。基板WTの加速力は、界面81を介して抽出本体65に伝達される。界面81は、基板テーブルWTからの加速力を抽出本体65に伝達する程度に強固な接続を与える。抽出本体65と基板テーブルWTとの間の熱伝達を低減するため、界面81における接続の強固さは最小限であることが望ましい。
[0071] ある実施形態において、界面81は、抽出本体65の底面82及び/又は半径方向の表面(例えば半径方向外側の縁部)である。これは図8に示されている。ある実施形態では、界面81は抽出本体65の外面である。
[0072] 界面81における接続の形態は特に限定されない。ある実施形態では、抽出本体65は、真空クランプ、ボルト締め、のり付け、及び/又は運動学的な板ばね結合によって、基板テーブルWTに接続されている。
[0073] ある実施形態において、界面81は1つ以上の節を含む。ある実施形態では、節と基板テーブルWTとの間の接続面積は、節と抽出本体65との間の接続表面よりも小さい。これによって節に追加の可撓性が与えられる。
[0074] ある実施形態では、ギャップ5の表面に疎水性コーティングが設けられている。疎水性コーティングは、基板支持装置60の上面69から中間ギャップ75を通る液体の損失を低減するのに役立つ。
[0075] ある実施形態において、抽出本体65は基板ホルダ61と同じ材料で生成される。ある実施形態では、基板ホルダ61及び抽出本体65の双方は、例えばSiC、SiSiC、又はダイアモンド状の材料で形成される。抽出本体65の材料を基板ホルダ61の材料と一致させることで、基板ホルダ61と抽出本体65との間の熱機械的クロストークを低減することができる。
[0076] ある実施形態において、抽出本体65は基板テーブルWTと同じ材料で生成される。ある実施形態では、抽出本体65及び基板テーブルWTの双方は、例えばZerodur(登録商標)等のガラスセラミック又はコーディエライトから形成される。
[0077] 図9は本発明のある実施形態を平面視で示す。ある実施形態において、抽出本体65は、外周方向に離間した複数の接合部91によって基板ホルダ61に接続されている。接合部91間では、抽出本体65は基板ホルダ61から離間している。
[0078] 抽出本体65が接合部91によってのみ基板ホルダ61に接続されていると規定することで、基板ホルダ61と抽出本体65との間の熱伝達が低減される。これによって、抽出本体65での蒸発冷却が基板ホルダ61に及ぼす影響が小さくなる。その結果として、蒸発冷却が基板Wに及ぼす影響が小さくなる。基板ホルダ61の熱プロファイルの安定性が向上する。
[0079] 接合部91の間にギャップ92が形成されている。ギャップ92は真空又は気体を含み得る。ギャップ92は、抽出本体65と基板ホルダ61との間の熱伝達、特に伝導による熱伝達を低減させる。ある実施形態では、ギャップ92の表面に疎水性コーティングが設けられている。
[0080] 接合部91は、抽出本体65と基板ホルダ61との間に最小限に強固な接続を与える。この接続は、基板ホルダ61から抽出本体65に加速力を伝達させるのに充分な強固さとすればよい。ある実施形態において、この強固さは、基板ホルダ61と抽出本体65との間の熱機械的クロストークを低減するように最小限とする。
[0081] 例えば図8及び図12に示すように、ある実施形態では、基板ホルダ61は、例えば一連の節によって基板テーブルWTに接続されている。節によって、基板テーブルWTから基板ホルダ61に加速力を伝達することができると共に、節の間には、基板テーブルWTと基板ホルダ61との間の熱伝達を低減するギャップが設けられる。
[0082] 図10は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態では、接合部91の少なくとも1つは、基板ホルダ61の上面から部分的にのみ抽出本体65の底面82へと延出する。接合部91の少なくとも1つの直下で、抽出本体65は基板ホルダ61から離間している。接合部91の少なくとも1つの下に、基板ホルダ61と抽出本体65との間にギャップ106が設けられている。真空又は気体を含み得るギャップ106は、基板ホルダ61と抽出本体65との間の熱伝達を低減させる。ギャップ106はギャップ92と流体連通している。
[0083] ある実施形態では、接合部91は基板ホルダ61の上面から抽出本体65の底面82まで延出する。ある実施形態では、接合部91は、基板ホルダ61及び/又は抽出本体65と一体である。ある実施形態では、接合部91は、基板ホルダ61及び/又は抽出本体65と別の部品ではない。ある実施形態では、抽出開口66は接合部91よりも上に位置決めされている。
[0084] ある実施形態では、接合部91の少なくとも1つは、接合部91への及び/又は接合部91間での熱エネルギの供給及び/又は接合部91からの及び/又は接合部91間での熱エネルギの除去を行うように構成された接合部調節システム101を含む。接合部調節システム101は、いかなるタイプの熱調節システムであってもよい。適切な熱調節システムについて、以下でさらに詳しく記載し、図15から図19に示している。図15から図19は、抽出本体65の本体に適用される適切な熱調節システムを示す。特に、図15から図19は、抽出開口66と流体連通しているチャネル68に適用される熱調節システムを示す。これらの熱調節システムは接合部91に適用され得る。
[0085] ある実施形態において、接合部91は、合計すると、基板ホルダ61と抽出本体65との間の外周部の多くても10%に沿って延出している。外周部は、接合部91間のギャップ92に沿って延出する。基板ホルダ61と抽出本体65との間の中間ギャップ75の外周部の少なくとも90%は、接合部91間のギャップ92から成る。図9において、中間ギャップ75は、2本の点線間の領域として表されている。2本の点線は、基板ホルダ61及び抽出本体65の縁部に対応する。接合部91が外周部の多くても10%に沿って延出していると規定することにより、基板ホルダ61と抽出本体65との間の熱伝達を許容可能レベルまで低減させることができる。
[0086] ある実施形態において、接合部91は、基板ホルダ61と抽出本体65との間の機械的な強固さを与える。ある実施形態では、接合部91は、合計すると、外周部の少なくとも2%又は少なくとも5%に沿って延出している。これによって接合部91は、基板ホルダ61と抽出本体65との間に許容可能レベルの機械的強固さを与えることができる。
[0087] 図9及び図10に示す基板支持装置60に、例えば図8に示すような基板テーブルWTを設けてもよい。
[0088] 接合部91の数は特に限定されない。ある実施形態では、基板支持装置60は、6、8、10、12、14又はそれ以上の接合部91を含む。接合部91の数は基数又は偶数であり得る。抽出本体65は、接合部91と同数のセグメント93に分けられている。各セグメント93は、ある接合部91から隣接する接合部91まで抽出本体65に沿って延出する。各セグメント93は、ギャップ92によって基板ホルダ61から離間している。
[0089] 抽出本体65は、接合部91によってのみ機械的及び熱的に基板ホルダ61に接続されている。これによって、抽出本体65から基板ホルダ61への熱的クロストークを低減させる。基板ホルダ61と抽出本体65との間の熱伝導が低減する。
[0090] 抽出本体65の温度が変動すると、基板ホルダ61の外縁に機械的応力がかかる可能性がある。これは機械的クロストークによるものである。この機械的クロストークの結果、基板ホルダ61及び基板Wの局所変形が生じる恐れがある。
[0091] 図9に示す実施形態において、抽出本体65と基板ホルダ61との間の機械的クロストークは、従来のシステムとは異なるように作用する。セグメント化された抽出本体65では、機械的応力は、接合部91の位置でのみ基板ホルダ61に伝達される。基板ホルダ61に加わる応力は、抽出本体65の各セグメント93の伸長(又は収縮)並びに接合部91の強固さにより決定する。
[0092] 各セグメント93の伸長は、主としてそのセグメント93の平均温度に影響される。セグメント93の伸長を軽減するため、望ましくは、そのセグメント93内の全ての局所歪みの和をゼロまで低減させるべきである。この場合、基板ホルダ61に機械的応力はかからない。上述の伸長という用語は、温度の変動によってセグメント93の長さが伸びることを意味するために用いる。望ましくは、温度変動によるセグメント93の収縮も低減させるべきである。
[0093] ある実施形態では、セグメント93の少なくとも1つは抵抗センサ94を含む。抵抗センサ94は薄膜抵抗センサであり得る。抵抗センサ94は、セグメント93の平均温度を測定するように構成されている。抵抗センサ94は、抽出本体65の表面上に又は表面に位置決めされている。例えば抵抗センサ94は、抽出本体65の上面105上若しくは上面105に、又は底面82上若しくは底面82に位置決めされ得る。
[0094] ある実施形態では、セグメント93の少なくとも1つは、抽出本体65に熱エネルギを与えるように構成されたヒータを含む。ある実施形態では、コントローラ500は、セグメント93の平均温度を維持するように、抵抗センサ94による測定に基づいてヒータを制御するように構成されている。ある実施形態では、抵抗センサ94を用いて抽出本体65に熱を与える。これは、例えば抵抗センサ94に電流を印加することで実行可能である。この場合、ヒータを追加する必要はない。
[0095] 抵抗センサ94は、この抵抗センサ94の実質的に全長にわたって電気抵抗を測定する。ある実施形態において、抵抗センサ94は、2つの隣接する接合部91の間に位置決めされている。抵抗センサ94は、そのセグメント93の平均温度を測定する。セグメント93の平均温度はセグメント93の伸長(又は収縮)に対応する。
[0096] 抵抗センサ94の熱応答は、その質量が小さいために極めて高速である。抵抗センサ94と、任意選択として別個のヒータと、を用いることで、例えば従来のセンサ及びフレックスフォイルヒータを用いる場合に比べて、制御性能を向上させることができる。ある実施形態では、抵抗センサ94の代わりに薄膜ヒータが用いられる。
[0097] ある実施形態において、ギャップ92は真空を含む。ある実施形態では、ギャップ92は基板支持装置60の上面で開放している。しかしながら、必ずしもそうである必要はない。ある実施形態では、ギャップ92は覆われているか又は閉じていてもよい。例えば、ギャップ92の上からステッカ等の薄膜材料/封止を適用するか、又はギャップ92を熱伝導率の低い材料で閉鎖してもよい。
[0098] 図11は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態において、抽出本体65は、本体111及びカバーリング112を含む。カバーリング112は、本体111の上面115に位置決めされている。ある実施形態では、カバーリング112は本体111と一体である。ある実施形態では、カバーリング112は本体111とは別個の部分である。カバーリング112を、通常の使用時に液体供給デバイスIHと接触するはずの抽出本体65の上に設けることで、抽出開口66、通路67、及びチャネル68における熱負荷が液体供給デバイスIHに及ぼす熱的な影響が小さくなる。
[0099] 図12は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態において、カバーリング112は、本体111の半径方向の範囲を超えて半径方向外側に延出している。断面で見ると、抽出本体65は階段状のプロファイルを有する。
[00100] カバーリング112が本体111の半径方向の範囲を超えて半径方向外側に延出していると規定することにより、リソグラフィ装置の使用時に液溜め11と接触する基板テーブルWTの上面122が小さくなる。ある実施形態では、基板テーブルWTの上面122に疎水性コーティングが設けられている。疎水性コーティングは、基板テーブルWTに対する蒸発負荷を低減するのに役立つ。液溜め11が基板テーブルWTの上面122に接触すると、疎水性コーティングが劣化する可能性がある。結果として、液体損失が増えると共に、蒸発負荷が大きくなる恐れがある。蒸発負荷によって、基板テーブルWTの変形が生じることがある。
[00101] カバーリング112は基板テーブルWTを保護することができる。液溜め11がカバーリング112に接触すると、カバーリング112に対する蒸発負荷が発生する(これに対応して、基板テーブルWTの上面122に対する蒸発負荷が軽減する)。流体ハンドリング構造IHによる熱負荷が基板テーブルWTに及ぼす影響は小さくなる。これが基板テーブルWTの温度プロファイルの安定性を向上させる。
[00102] ある実施形態では、本体111の半径方向範囲よりも半径方向外側に延出するカバーリング112の一部は、基板テーブルWTのカバーリング凹部125内に位置決めされている。ある実施形態では、カバーリング凹部125は基板ホルダ凹部85の半径方向外側にある。カバーリング凹部125が基板ホルダ凹部85よりも浅いことで、カバーリング凹部125及び基板ホルダ凹部85が基板テーブルWTの階段状凹部を形成するようになっている。
[00103] ある実施形態では、基板Wが基板ホルダ61によって保持されると、基板Wの上面は抽出本体65の上面105と実質的に同一平面になる。ある実施形態では、抽出本体65の上面105は基板テーブルWTの上面122と実質的に同一平面である。
[00104] ある実施形態では、カバーリング112は実質的に、基板テーブルWTの上面122における基準マーカ121まで延出している。しかしながら、必ずしもそうである必要はない。ある実施形態では、基準マーカ121は基板テーブルWTのカバーリング凹部125から離間している。
[00105] ある実施形態では、カバーリング112と基板テーブルWTの上面122における基準マーカ121(又は上面122)との間のギャップ123に、薄膜封止124がまたがっている。薄膜封止124は様々な構成をとり、これは図7を参照して示したステッカ70の様々なあり得る構成と同じであり得る。
[00106] カバーリング112が、通常は液体供給デバイスIHと接触するはずの基板テーブルWTの一部を覆うように延出していると規定することで、基板テーブルWTにおける熱負荷が、液体供給デバイスIHと、特にリソグラフィ装置の液体レンズと、に与える影響が低減される。これによってリソグラフィ装置のオーバーレイ及び焦点が向上する。ある実施形態では、カバーリング112は、接合部91と同様の方法で熱的に調節される。ある実施形態では、カバーリング112は、基板テーブルWTの予想される加熱源及び/又は冷却源に対して熱遮蔽を与えるように配置されている。これは、カバーリング112と基板テーブルWTとの間に断熱を行うことで達成し得る。
[00107] ある実施形態では、カバーリング112の厚さは少なくとも3mmである。ある実施形態では、カバーリング112は、リソグラフィ装置の使用時にカバーリング112の底部とカバーリング112の直下にある基板テーブルWTの表面との間の接触が実質的に必要ないような強固さとなる厚さを有する。しかしながら、ある実施形態では、カバーリング112の底面と基板テーブルWTの対向表面との間に、非剛性の局所接続を設ける。ある実施形態では、基板テーブルWTと抽出本体65のカバーリング112との間の熱伝達を低減させるように、非剛性の局所接続は極めて低い熱伝導率を有する。
[00108] 図13は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態では、基板支持装置60は液体抽出部130を含む。液体抽出部130は、抽出開口66の半径方向内側にある。液体抽出部130は、基板ホルダ61の上面から液体を抽出するように構成されている。
[00109] 液体抽出部130を設けることで、結像後に液体がギャップ5を通って基板Wの下方へと流れて基板ホルダ61から基板Wを効率的に取り外すのを妨げることを防止するのに役立つ。液体抽出部130を設けることにより、液体が基板Wの下方に流れることで起こり得る問題を軽減又は排除する。液体抽出部130は、抽出開口66と同様に、負圧によって流体を除去する。
[00110] 液体抽出部130は、開口131及びチャネル133を含む。チャネル133は通路132を介して開口131と流体連通している。開口131は、基板Wの縁部の周りで1つ以上の別個の位置に設けてもよく、平面視でスリット又は円形の開口又は他のいずれかの形状とすればよい。ある実施形態では、例えば基板Wの縁部の周囲に3つの別個の(円形の)開口131を設ける。
[00111] 図14は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態では、抽出本体65は液体抽出部130の少なくとも一部を含む。ある実施形態では、チャネル133は抽出本体65内に設けられている。ある実施形態では、通路132は、抽出本体65と基板ホルダ61との間の中間ギャップ75をまたいでいる。ある実施形態では、中間ギャップ75は、基板ホルダ61の底部への液体損失が最小とするように狭くなっている。
[00112] 液体抽出部130の少なくとも一部を抽出本体65内に設けることで、液体抽出部130における熱負荷が基板ホルダ61に与える影響が小さくなる。
[00113] ある実施形態では、液体抽出部130は、液体抽出部130に熱エネルギを供給する及び/又は液体抽出部130から熱エネルギを除去するように構成された液体抽出部調節システムを含む。液体抽出部調節システムは熱調節システムである。適切な熱調節システムについては、以下で説明し、図15から図19に示している。図15から図19においては、チャネル68が抽出本体65の抽出開口66と流体連通している熱調節システムの状況において熱調節システムを示す。これらの熱調節システムは、液体抽出部130、特に液体抽出部130のチャネル133に、等しく適用可能である。
[00114] ある実施形態において、抽出本体65は基板ホルダ61と基板テーブルWTとの間に設けられている。ある実施形態では、抽出開口66は、基板支持装置60の上面69から気体及び液体の双方を抽出するように構成されている。ある実施形態では、抽出本体65と基板ホルダ61との間の空間は、外周部で連続しており、抽出本体65の上面105から抽出本体65の底面82まで連続している。
[00115] 図15から図19は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。図15から図19において、熱調節システムは抽出本体65の抽出部の部分に適用される。熱調節システムは、液体抽出部130及び/又は接合部91及び/又は基板支持装置60の他の部分に適用することができる。図15から図19に示す熱調節システムは、相互に組み合わせてもよい。
[00116] ある実施形態では、抽出本体65は、抽出本体65に熱エネルギを供給及び/又は抽出本体65から熱エネルギを除去するように構成された抽出部調節システムを含む。抽出部調節システムは熱調節システムである。
[00117] 図15は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。ある実施形態では、熱調節システムは、別々に制御可能である複数の調節ユニットを含む。複数の調節ユニットの各々は、抽出本体65の各調節領域に熱エネルギを供給及び/又は抽出本体65の各調節領域から熱エネルギを除去するように構成されている。ある実施形態では、調節ユニットはヒータ/温度センサ151を含む。ある実施形態では、ヒータ/温度センサは、抽出本体65の抽出開口66に流体連通しているチャネル68に隣接して位置決めされている。
[00118] ヒータ/温度センサ151は、別々に制御可能である。温度センサは、チャネル68の温度を検知するように構成されている。ヒータは、チャネル68に熱エネルギを供給するように構成されている。ある実施形態では、チャネル68(又は基板支持装置60の他の構成要素)を特定の(例えば所定の)温度に維持するように、コントローラ500がヒータ/温度センサ151を制御する。
[00119] 図16は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。ある実施形態では、熱調節システムは、図16の図示における抽出本体65等の構成要素の温度を制御するように構成された流体移送チャネル161のネットワークを含む。ある実施形態では、流体移送チャネル161は熱調節液を移送する。熱調節液は例えば水とすることができる。流体移送チャネル161は、抽出本体65の温度を特定の(例えば所定の)温度に維持する。ある実施形態では、流体移送チャネル161内の熱調節液の温度を制御するように、流体移送チャネル161に又はその近傍に1つ以上のヒータ/温度センサ(図示せず)を配置する。
[00120] ある実施形態では、流体移送チャネル161は相変化材料を移送する。かかるシステムでは、相変化材料が所望の設定点温度において相を変化させ、従って相を変化させない流体よりもはるかに高効率で熱を伝達することができるように、相変化材料が選択される。
[00121] ある実施形態において、流体移送チャネル161は流体として二酸化炭素を移送する。流体移送チャネル161は冷却チャネルと称してもよい。ある実施形態では、流体移送チャネル161は、二酸化炭素が高くても30℃、任意選択として高くても22℃の沸点を有するような圧力下で二酸化炭素を収容している。二酸化炭素は、抽出本体65の温度を維持するのに役立つ。例えば、流体移送チャネル161内に収容されている二酸化炭素の沸点を超える抽出本体65の過剰な熱は、二酸化炭素に伝達させることができる。この過剰な熱は二酸化炭素を沸騰させる。
[00122] 図17は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。ある実施形態において、熱調節システムはヒートパイプ171を含む。ある実施形態では、ヒートパイプ171はチャネル68の周りに位置決めされている。ヒートパイプ171をチャネル68の周りに設けることによって、チャネル68の温度を容易に制御することができる。これは、ヒートパイプ171の「伝導率」が極めて高いことによるものである。
[00123] ある実施形態において、ヒートパイプ171の少なくとも一部は、チャネル68と基板ホルダ61との間に位置決めされている。これによって抽出本体65と基板ホルダ61との間の熱伝達を低減させる。ヒートパイプ171内の圧力が均一であるために、ヒートパイプ171の温度は極めて均一である。ヒートパイプ171は、蒸発して気体になることで熱エネルギを吸収することができる作動流体を収容している。この気体は、ヒートパイプ171の空洞に沿って低温領域に移動する。次いで気体は凝結して作動流体に戻り、ヒートパイプ171の芯によって吸収される。この凝結は熱エネルギを放出する。次いで作動流体はヒートパイプ171の高温領域に戻る。このため、ヒートパイプ171の温度は実質的に均一のままである。
[00124] ある実施形態では、ヒートパイプ171は、水、アセトン、エタノール、メタノール、アンモニア、2−ブタン、DME、1,1,1,2−テトラフルオロエタン、及びプロパンから成る群から選択された作動流体を含む。他の作動流体が適切な場合もある。
[00125] 図19は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。図19に示すように、熱調節システムは、ヒートパイプ171及び少なくとも1つのヒータ/温度センサ151を含んでもよい。ヒータ/温度センサは、ヒートパイプ171にエネルギを与えるように構成されている。これによって、ヒートパイプ171内の作動流体の飽和圧力を設定する。
[00126] 図18は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。図18に示す実施形態では、ヒータ/温度センサ151を流体移送チャネル161と組み合わせる。ある実施形態において、熱調節システムは抽出本体65内でチャネル68の周りに設けられている。ある実施形態では、コントローラ500が、ヒータ/温度センサ151によってチャネル68に供給される熱エネルギを制御する。
[00127] ヒータ/温度センサ151に供給されるエネルギは電気的なものとすることができる。ヒータ/温度センサ151は、この電気エネルギを熱エネルギに変換する。ヒータ/温度センサ151に供給される電気エネルギが小さすぎる場合、ヒータ/温度センサ151によって供給される熱エネルギも小さすぎることになる。ヒータ/温度センサ151に供給される電気エネルギが大きすぎる場合、ヒータ/温度センサ151によって供給される熱エネルギも大きすぎることになる。このため、抽出本体65の温度が低すぎるか又は高すぎる結果となる可能性がある。ヒータ/温度センサ151を別々に制御可能であると規定することにより、この潜在的なエラーを低減させることができる。
[00128] 流体移送チャネル161のネットワークをさらに設けることで、抽出本体65の温度の安定性を向上させることができる。ヒータ/温度センサ151によって過剰な熱が供給された場合、この過剰な熱は、例えば流体移送チャネル161内に収容されている二酸化炭素の蒸発によって吸収される。
[00129] ある実施形態では、コントローラ500は、流体移送チャネル161内の二酸化炭素の圧力を約6×10Paに制御するように構成されている。流体移送チャネル161内で、二酸化炭素の代わりに又は二酸化炭素に加えて、別の流体を用いてもよい。
[00130] 図20は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態において、抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部に縁部ヒータ201を含む。ある実施形態では、抽出本体65は、この抽出本体65の内面に縁部ヒータ202を含む。ある実施形態では、基板ホルダ61は、この基板ホルダ61の外縁部に位置決めされた縁部ヒータ203を含む。ある実施形態では、縁部ヒータ201、202、203はコントローラ500によって別々に制御可能である。縁部ヒータ201、202、203は、基板支持装置60の温度プロファイルの安定性を維持するのに役立つ。縁部ヒータ201、202、203の各々は温度センサを含むことができる。
[00131] 図21から図26は、上述のフィーチャを組み合わせることで形成された本発明の具体的な実施形態を示す。本明細書に記載された実現可能なフィーチャの他の組み合わせによって、さらに別の具体的な実施形態を形成することも可能である。
[00132] 図21は、本発明のある実施形態を示す。図21に示す実施形態では、基板ホルダ61に液体抽出部130が設けられている。基板ホルダ61は、流体移送チャネル161のネットワークによって熱的に調節される。抽出本体65は、流体移送チャネル161のネットワークによって熱的に調節される。抽出本体65のカバーリング112は、流体移送チャネル161によって熱的に調節される。
[00133] 図22は、本発明のある実施形態を示す。図22に示す実施形態では、基板ホルダ61に液体抽出部130が設けられている。基板ホルダ61は、この基板ホルダ61の温度を制御するように構成された流体移送チャネル161のネットワークを含む。基板ホルダ61は、この基板ホルダ61の外縁部に位置決めされた縁部ヒータ203を含む。抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部及び内縁部に位置決めされた縁部ヒータ201、202を含む。
[00134] 図23は、本発明のある実施形態を示す。図23に示す実施形態では、基板ホルダ61に液体抽出部130が設けられている。基板ホルダ61は、流体移送チャネル161のネットワークによって熱的に調節される。抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部及び内縁部に縁部ヒータ201、202を含む。
[00135] 図24は、本発明のある実施形態を示す。図24に示す実施形態では、液体抽出部130の一部は抽出本体65に設けられている。チャネル133は抽出本体65に設けられている。通路132の一部は抽出本体65に設けられている。基板ホルダ61は、この基板ホルダ61の温度を制御するように構成された流体移送チャネル161のネットワークを含む。抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部及び内縁部に縁部ヒータ201、202を含む。縁部ヒータ201、202は、抽出本体65の温度を制御するように構成されている。図24に示す実施形態は、縁部ヒータ201、202の代わりに流体移送チャネル161を用いることで変更してもよい。
[00136] 図25は、本発明のある実施形態を示す。図25に示す実施形態では、液体抽出部130の一部は抽出本体65に設けられている。チャネル133は抽出本体65に設けられている。通路132の一部は抽出本体65に設けられている。抽出本体65は、基板ホルダ61の階段形状に対応した階段形状を有する。液体抽出部130のチャネル133は、基板ホルダ61の一部の直下にある抽出本体65の部分に設けられている。
[00137] 図25に示す実施形態では、基板ホルダ61は、この基板ホルダ61の温度を制御するように構成された流体移送チャネル161のネットワークを含む。基板ホルダ61は、この基板ホルダの外縁部に縁部ヒータ203を含む。抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部及び内縁部に縁部ヒータ201、202を含む。図25に示す実施形態は、縁部ヒータ201、202,203の代わりに流体移送チャネル161を用いることで変更してもよい。
[00138] 図26は、本発明のある実施形態を示す。図26に示す実施形態では、液体抽出部130の一部は抽出本体65に設けられている。チャネル133は抽出本体65に設けられている。通路132の一部は抽出本体65に設けられている。抽出本体65は、図25と同様に、基板ホルダ61の階段形状に対応した階段形状を有する。基板ホルダ61は、この基板ホルダ61の温度を制御するように構成された流体移送チャネル161のネットワークを含む。抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部及び内縁部に位置決めされた縁部ヒータ201、202を含む。液体抽出部130のチャネル133を開口131に接続する通路132の半径方向外側で、基板ホルダ61に流体移送チャネル161が設けられている。図26に示す実施形態は、縁部ヒータ201、202の代わりに流体移送チャネル161を用いることで変更してもよい。
[00139] 図24から図26に示す実施形態では、カバーリング112は、1つ以上のヒータ/温度センサ、単相調節、2相調節、1つ以上のペルチェ要素、1つ以上の流体移送チャネル、又はこれらの構成要素のいずれかの組合せによって、熱的に調節することができる。
[00140] リソグラフィ装置の使用中、基板テーブルWTは液体閉じ込め構造IHに対して移動して、液体閉じ込め構造IHが基板テーブルWTの直上の位置にくるようにする。ある実施形態では、基板テーブルWTは液体閉じ込め構造IHに対して移動するように駆動される。空間11内の液体の温度は、絶対温度で数千度以内に制御する必要があり得る。その理由は、空間11内の液体の温度がリソグラフィ装置の有効レンズ屈折率に影響を与えるからである。
[00141] 基板テーブルWTが液体閉じ込め構造IHに対して移動して、液体閉じ込め構造IHが基板テーブルWTの直上の位置にくるようにすると、空間11内の液体と基板テーブルWTとの間で熱が伝達され得る。この熱伝達によって、空間11内の液体の温度が変動するという望ましくないことが起こる可能性がある。基板テーブルWTと空間11内の液体との間の熱伝達を低減させる支持装置60を提供することが望ましい。
[00142] 図27は、本発明のある実施形態に従った支持装置60の一部を断面で示す。支持装置60は、基板テーブルWT等のテーブル及び本体271を含む。本体271は、基板テーブルWTの凹部279内に位置決めされている。本体271と基板テーブルWTとの間にギャップ273がある。
[00143] 図27に示すように、支持装置60は、ギャップ273にまたがる部材274を含む。部材274は封止部材又は封止と称してもよい。部材274は、本体271の上面277から基板テーブルWTの上面122まで延出する。部材274の一部は本体271の上面277上にある。部材274の一部は基板テーブルWTの上面122上にある。
[00144] 基板テーブルWTは、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されている。部材274は熱抵抗層275を含む。熱抵抗層275は熱抵抗材料で形成されている。熱抵抗材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも低い。
[00145] 部材274は、液体閉じ込め構造IHが基板テーブルWTの直上にある場合に、基板テーブルWTと空間11内の液体との間の熱伝達を低減させる。熱抵抗層275は、基板テーブルWTから空間11内の液体への熱伝達、及び空間11内の液体から基板テーブルWTへの熱伝達に対する抵抗として機能する。熱抵抗層275の熱伝導係数が低いので、テーブル材料から空間11内の液体への熱伝達は、リソグラフィ装置の使用中に基板テーブルWTが空間11内の液体と直接接触している状態に比べて著しく低減される。部材274は、空間11内の液体と基板テーブルWTとの間の熱伝達を著しく低減させる熱遮蔽(例えば熱的分離又は断熱)を与える。
[00146] 部材274は、本明細書に記載する実施形態のいずれか、特に図6から図26を参照して記載したもののいずれかと組み合わせることができる。ある実施形態では、本体271は上述のような抽出本体65である。ある実施形態では、本体271は、例えば基板ホルダ61又はセンサであり得る。本体271が抽出本体65である場合、本体271の上面277は抽出本体65の上面105に相当する。
[00147] ある実施形態では、抽出本体65及び基板ホルダ61は相互に熱的に分離されていない。ある実施形態では、抽出本体65及び基板ホルダ61は単一の構成要素を形成する。部材274は、その単一の構成要素から基板テーブルWTの上面122まで延出し得る。ある実施形態では、ギャップ273は上述のような中間ギャップ75に相当する。ある実施形態では、凹部279は上述のような基板ホルダ凹部85に相当する。
[00148] 図27に示すように、ある実施形態では、本体271は複数の節272を介して基板テーブルWTに接続されている。節272の代わりに、本体271は、真空クランプ、ボルト、のり、及び/又は運動学的な板ばね結合等の他の手段によって基板テーブルWTに接続してもよい。
[00149] 図28は、本発明のある実施形態に従った支持装置60を断面で示す。ある実施形態では、部材274のうち、本体271の上面277上よりも基板テーブルWTの上面122上にある部分の方が大きい。ある実施形態では、部材274は、本体271の上面277に沿って半径方向内側に延出するよりも、基板WTの上面122に沿って半径方向外側に長く延出する。これは、図27を参照すると、距離D2が距離D1よりも大きいことを意味する。
[00150] 距離D2は、部材274が基板テーブルWTの上面122に沿って(例えば半径方向の)外側に延出する範囲を示す。距離D2は、凹部279の内縁部から部材274の外縁部まで外側(半径)方向に測定される。図27の下部の矢印は、(半径方向の)外側方向を表す。距離D1は、部材274が本体271の上面277に沿って(半径方向の)内側に延出する範囲に相当する。距離D1は、本体271の外縁部から部材274の内縁部まで計算される。
[00151] 部材274のうち、本体271の上面277上よりも基板テーブルWTの上面122上にある部分の方が大きいと規定することにより、部材274は、基板テーブルWTと液体閉じ込め構造IHの空間11内の液体との間の熱伝達をいっそう効率的に低減させる。
[00152] 図28に示すように、ある実施形態では、部材274は、基板テーブルWTの上面122の実質的に全体にわたって延出している。ある実施形態では、部材274は実質的に連続している。部材274は、基板テーブルWT上にある1つ以上のセンサ等の1つ以上の構成要素を取り囲んでもよい。部材274は、空間11内の液体が基板テーブルWTと直接接触するのを防ぐことができる。部材274は、基板テーブルWTの上面122と空間11内の液体との間の全地点の熱伝達を低減させることができる。
[00153] ある実施形態では、部材274は熱適合層276を含む。熱適合層276は熱適合材料で形成されている。ここで、熱適合材料という用語は、熱適合層276を形成する材料を指し示すために用いられる。熱適合材料は、その温度を空間11内の液体と同一の温度に適合させる。熱適合材料の25℃での比熱容量は、テーブル材料の25℃での比熱容量よりも小さい。基板テーブルWTが液体閉じ込め構造IHに対して移動して、液体閉じ込め構造IHが基板テーブルWTの直上の位置にくると、空間11内の液体は部材274と調節接触し得る。空間11内の液体が、熱適合層276を含む部材274と接触すると、部材274はその温度を液体の温度に比較的迅速に適合させる。
[00154] ある実施形態において、熱適合層276は熱抵抗層275より上に位置決めされている。ある実施形態では、熱適合層276は部材274の上面を形成する。空間11内の液体は熱適合層276に直接接触する。熱適合層276の比熱容量が小さいので、空間11内の液体の温度変動は極めて小さい。熱適合層276の比熱容量が小さいとは、熱適合層276が空間11内の液体と実質的に同じ温度となる前に、空間11内の液体と熱適合層276との間で伝達されるエネルギが比較的少量であることを意味する。比較的少量のエネルギ伝達のために、空間11内の液体の温度変動は比較的小さい。
[00155] ある実施形態では、熱適合材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも高い。熱適合層276と空間11内の液体との間の熱伝達では、伝達係数が高い場合がある。液体が熱適合層276に接触すると、部材274は、高い伝達係数が一つの原因となって、その温度を液体の温度に迅速に適合させる。
[00156] ある実施形態において、熱適合層276の厚さは、50マイクロメートル以下、20マイクロメートル以下、又は10マイクロメートル以下である。熱適合層276は薄いので、全体的な熱容量が小さく、例えば基板テーブルWTの上面122と基板WTとの間の同一平面の関係に著しい影響を与えない。空間11内の液体が熱適合層276と接触した場合、部材274と液体との間の熱伝達による液体の温度変動は比較的小さい。
[00157] ある実施形態において、熱適合材料の25℃での比熱容量は、800J/kgK以下、又は600J/kgK以下である。比熱容量が小さいことにより、液体が部材274と接触した場合の液体の温度変動は比較的小さい。
[00158] ある実施形態では、熱適合材料は、ステンレス鋼及びチタンから成る群から選択される。ある実施形態では、熱適合材料に用いられ得る材料は、アルミニウム、SiSiC、(カプセル化)熱分解黒鉛、及びアルミノケイ酸ガラスセラミック(Zerodur(登録商標)等)を含む。これらの材料は比熱容量が大きいので、ステンレス鋼及びチタンよりも良好でない場合がある。ある実施形態では、熱適合材料は耐水性である。ある実施形態では、熱適合材料は比較的高い熱抵抗を有する。
[00159] ステンレス鋼の熱伝導率は、約16〜24W/mKである。チタンの熱伝導率は、約15〜23W/mKである。熱適合材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも大きい場合がある。ある実施形態では、熱適合材料の熱伝導率は比較的低い。例えばステンレス鋼及びチタンは、耐水性であり比熱容量が小さい他の金属に比べて、比較的低い熱伝導率を有する。
[00160] ある実施形態では、熱適合層276と、基板テーブルWTの上面122及び本体271の上面277の双方と、の間に、熱抵抗層275がある。液体は、熱適合層276と接触するが、熱抵抗層275とは接触しない。
[00161] ある実施形態では、熱抵抗材料の25℃での比熱容量はテーブル材料の熱容量よりも大きい。
[00162] ある実施形態では、熱抵抗層275の厚さは、50マイクロメートル以下、20マイクロメートル以下、又は10マイクロメートル以下である。熱抵抗層275は薄いので、部材274の全体的な熱容量は比較的小さい。部材274が液体に接触した場合、部材274の熱容量が小さいので液体の温度変動は比較的小さい。
[00163] ある実施形態では、熱抵抗材料の熱伝導率は、0.5W/mK以下、0.1W/m以下、又は0.05W/mK以下である。熱伝導率が比較的低く、従って熱抵抗が大きいので、部材274、特に熱抵抗層275は、液体閉じ込め構造IHが基板テーブルWTの直上にある場合に基板テーブルWTのテーブル材料と空間11内の液体との間の熱伝達を低減させる。
[00164] ある実施形態では、熱抵抗材料は接着剤である。熱抵抗層275は、熱適合層276を基板テーブルWT及び本体271に接着するように作用することができる。ある実施形態では、部材274はステッカである。
[00165] ある実施形態では、熱抵抗材料は、アクリレートポリマー、シリル終端ポリエステル(MS Polymer(登録商標)等)、及びエポキシから成る群から選択される。ある実施形態では、熱抵抗材料として別の材料を用いてもよい。エポキシは、約0.05W/mK〜約0.35W/mKの範囲内の熱伝導率を有し得る。エポキシの25℃での比熱容量は約1000J/kgKである。
[00166] ある実施形態では、テーブル材料は、コーディエライト又はZerodur(登録商標)とすることができる。Zerodur(登録商標)の25℃での比熱容量は約820J/kgKである。Zerodur(登録商標)の熱伝導率は約1.5W/mKである。
[00167] ある実施形態では、部材274の全体の厚さは100マイクロメートル以下、50マイクロメートル以下、20マイクロメートル以下、又は10マイクロメートル以下である。部材274の全熱容量が比較的小さくなるように、部材274は全体の厚さが薄い。これによって、部材274と接触する液体の温度変動を低減させる。ある実施形態では、部材274は薄いので、基板テーブルWTの平坦な上面122に著しい悪影響を与えないようになっている。
[00168] ある実施形態では、部材274の平均熱伝導率は、25W/mK以下、15W/mK以下、又は10W/mK以下である。平均熱伝導率は、部材274の一部分でなく全体としての熱伝導率を指す。液体閉じ込め構造IHが基板テーブルWTの直上にある場合に基板テーブルWTのテーブル材料と空間11内の液体との間の熱伝達を低減させるように、部材274は低い平均熱伝導率を有する。
[00169] ある実施形態では、部材274の25℃での平均比熱容量は、1500J/kgK以下、1000J/kgK以下、又は750以下である。25℃での平均比熱容量は、部材274の一部分でなく全体としての25℃での比熱容量を指す。部材274がその温度を、部材274に接触する液体の温度に比較的迅速に適合させるように、部材274は小さい平均比熱容量を有する。
[00170] 図29は、本発明のある実施形態に従った支持装置60を断面で示す。図29に示すように、ある実施形態では、基板テーブルWTは部材凹部291を含む。部材274は、少なくとも部分的に部材凹部291内にある。部材凹部291は、部材274が基板テーブルWTの上面122よりも上にある範囲を(仮にあったとして)縮小する。ある実施形態では、部材凹部291の深さは、部材274の全体の厚さと実質的に等しい。ある実施形態では、部材274は基板テーブルWTの上面122と実質的に同一平面である。ある実施形態では、基板が基板テーブルWTにおいて基板ホルダ61に保持されている場合、部材274の上面は基板Wと実質的に同一平面である。
[00171] 図30は、ある実施形態の支持装置の一部を断面で示す。抽出本体65は、基板ホルダ61から実質的に熱的に分離され、及び/又は実質的に機械的に分離されている。
[00172] ある実施形態では、抽出本体65は突起30を含む。突起30は、オブジェクトホルダ(例えば基板ホルダ61)を取り囲むように構成されている。突起30は、使用時に、突起30上に液体32の層が維持されて、オブジェクトホルダ(例えば基板ホルダ61)上に支持されたオブジェクト(例えば基板W)と接触するように構成されている。
[00173] ある実施形態では、突起30は、その上面31が環状部を形成するように構成してもよい。環状部は、抽出本体65の内側領域の周りに延出する。環状部は基板ホルダ61を取り囲む。これによって製造を容易にすることができる。ある実施形態では、突起30は、基板Wに実質的に垂直な方向に延出している。ある実施形態では、突起30の上面31は、基板Wの下面に対向する。
[00174] ある実施形態において、突起30は、突起30の上面31と基板ホルダ61に支持された基板Wの下面との間の分離距離が約20μm以下であるように構成してもよい。ある実施形態では、突起は、突起30の上面31と基板ホルダ61に支持された基板Wの下面との間の分離距離が10μm以下であるように構成してもよい。
[00175] 使用時に、液体32の層は突起30上で、突起30の上面31と基板Wの下面との間に維持される。突起30は、使用時に、液体が突起30の半径方向外側から突起30の半径方向内側に流れるのを液体32の層によって防ぐように構成されている。これは、突起30上に維持される液体32の層の毛管圧が、突起30の半径方向外側と突起30の半径方向内側との間の圧力差による力よりも大きいために達成され得る。毛管圧は、基板Wと突起30との間のギャップに液体32の層を通すのに必要な力であり、ギャップが小さいと大きくなる。毛管圧は、液体32の層とこれを取り囲む気体(例えば空気)との間の界面での圧力の差によって生じる。
[00176] 突起30の上面31と基板Wの下面との間の分離距離が大きすぎる(例えば20μmよりも大きいか、又は10μmよりも大きい)場合、液体32の層の毛管圧は、液体が突起30の半径方向外側から突起30の半径方向内側まで流れるのを防ぐのに充分な大きさでない。分離距離が小さくなると、毛管圧は大きくなるので、液体が突起30の半径方向外側から突起30の半径方向内側まで流れるのを防ぐ機能が向上する。
[00177] 突起30の上面31は、基板Wの下面に接触しない。このような接触は、基板Wの平坦性に悪影響を及ぼすので望ましくない。このため、突起30の上面31と基板Wの下面との間の目標分離距離に下限を設けることが望ましい場合がある。例えば、ある実施形態において、突起30は、突起30の上面31と基板Wの下面との間の分離距離が2μm以上であるように構成されている。
[00178] ある実施形態では、突起30の上面31は抽出本体65の上面105よりも低い。これによって、基板Wの外周領域が突起30の直上に位置決めされるように、基板Wを位置決めすることができる。基板Wの上面は、抽出本体65の上面105と実質的に同一平面とすることができる。
[00179] ある実施形態において、基板支持装置60は、使用時に抽出本体65の一部が、オブジェクトホルダ(例えば基板ホルダ61)上に支持されたオブジェクト(例えば基板W)の周縁部の下に延出するように構成されている。これを示す図30では、抽出本体65の内側周縁領域が半径方向で基板Wの外側周縁領域に重なって図示されている。基板Wの上及び/又は抽出本体65の上から流れる液体は、抽出本体65と基板Wとの間のギャップ5を通って流れ得る。ギャップ5を通って流れる液体は、抽出本体65の抽出開口66、通路67、及びチャネル68を介して抽出することができる。抽出本体65が基板Wの下まで達すると規定することで、かかる液体が基板ホルダ61に到達することを防止する。
[00180] ある実施形態では、図30に示すように、基板ホルダ61は実質的にいかなる種類の液体抽出部も含まない。ある実施形態では、基板ホルダ61は使用時に、液浸リソグラフィ装置に用いられる液体と実質的に接触しない。液体は、基板ホルダ61とは分けられた抽出本体65のみによって抽出される。基板Wは、基板ホルダ61によってのみ支持され、抽出本体65には支持されない。ある実施形態では、(基板ホルダ61により実行される)基板支持機能と、(抽出本体65により実行される)液体捕獲機能と、の間は完全に分離している。ある実施形態では、基板ホルダ61は抽出本体65とは別個の本体である。液体32の層によって突起30に加わる熱負荷は最小限である。
[00181] 基板ホルダ61は、基板Wを支持すると共に正確な位置決めを実行する機能を果たす。基板ホルダ61が実質的に液体と接触しないように基板支持装置60を配置することによって、基板ホルダ61が基板Wを位置決めする精度を高めることができる。これは、基板ホルダ61が、例えば液体の蒸発のために生じる熱負荷により実質的に影響を受けないからである。
[00182] 突起30を設けることで、液体が基板ホルダ61に接触する可能性が回避され、これによって基板ホルダ61の精度を高める。
[00183] ある実施形態では、抽出本体65の内側周縁領域と基板Wの外側周縁領域との重なりの範囲は約0.5mm以上である。ある実施形態では、抽出本体65の内側周縁領域と基板Wの外側周縁領域との重なりの範囲は約3mm以下である。
[00184] ある実施形態では、抽出本体65はチャネル300を含むことがある。チャネル300は、チャネル300を抽出本体65の通路80に接続する通路301に接続されている。チャネル300及び通路301は任意選択である。通路80は、基板Wの下面と抽出本体65の上面との間に設けられている。通路80は、突起30の半径方向外側に隣接して位置決めされている。通路80は基板Wの下に延出している。
[00185] ある実施形態においては、通路80から通路301を通ってチャネル300内に流体を吸引するように、チャネル300は真空と連通している。ある実施形態では、チャネル300は過圧と連通し、通路301はチャネル300を中間ギャップ75に接続する。ある実施形態では、液体32の層を半径方向外側に突起30から落とすように、真空又は過圧が制御される。これは、例えば基板Wを取り外す前に実行され得る。これによって基板Wの除去を容易にし、乾燥した基板を搬出することができる。
[00186] ある実施形態では、チャネル300を用いて、突起30の半径方向外側の圧力と突起30の半径方向内側の圧力との間の差を制御し、この圧力差が液体32の層の毛管圧より小さくなるようにする。これによって液体32の層を突起30の上に保持する。
[00187] ある実施形態では、通路301は、チャネル300を抽出本体65の通路80に接続しない。この代わりに、ある実施形態では、通路301はチャネル300を、抽出本体65と基板ホルダ61との間の中間ギャップ75に接続する。この場合、チャネルは過圧に連通している。ある実施形態では、通路301は通路80をチャネル68に接続するが、この場合チャネル300は省略してもよい。
[00188] 突起30に加わる流体32の層の毛管圧によって、基板Wの外側周縁が下方向に引っ張られる可能性がある。これによって基板Wの平坦性が低下するリスクがある。平坦性は、約10nmの範囲内の量だけ低減し得る。基板Wの平坦性に対する毛管圧の影響は、予測して補償することができる。
[00189] 通路80内で突起30の近傍に泡が集まる可能性がある。これは、突起30の半径方向外側に隣接した領域において、流体流の双方向の速度が特に低いからである。ある実施形態では、チャネル300及び通路301を用いて、抽出本体65の通路80のこのかど部からそのような泡又は気体ポケットを吸引することができる。
[00190] ある実施形態において、抽出本体65は、この抽出本体65の温度を制御するように構成された流体移送チャネル161のネットワーク等の熱調節システムを含む。ある実施形態では、流体移送チャネル161は熱調節液を移送する。熱調節液は例えば水であってもよい。流体移送チャネル161は、抽出本体65の温度を特定の(例えば所定の)温度に維持する。ある実施形態では、流体移送チャネル161内の熱調節液の温度を制御するように、流体移送チャネル161に又はその近傍に1つ以上のヒータ/温度センサ(図示せず)を位置決めすることができる。
[00191] 基板ホルダ及び抽出部が同一の本体の一部として形成されている(すなわち中間ギャップ75が存在しない)基板支持装置では、かかる流体移送チャネルを設けることによって、抽出によって生じる熱負荷が原因となる最大基板変位を約2分の1に低減し得る。あるいは、基板ホルダから抽出部を熱的に分離することで(すなわち中間ギャップ75を設けることで)、抽出によって生じる熱負荷が原因となる最大基板変位を約6分の1に低減し得る。従って、基板ホルダから抽出部を熱的に分離することは、流体移送チャネルを設けることに比べて、基板変位の低減において約3倍効果的である。
[00192] 熱的分離と流体移送チャネル(又は縁部ヒータ等の代替的な温度制御機構)とを組み合わせることの効果は、個々の効果の和よりも大きい。特に、(例えば図30に示すように)中間ギャップ75を流体移送チャネル161と組み合わせて設けることによって、抽出による最大基板変位は約80分の1に低減することがわかっている(これは2x6=12よりも著しく大きい)。その理由を以下で説明する。
[00193] 中間ギャップ75を設けることによる熱的分離は最大基板変位を約6分の1に低減させるが、基板支持装置60全体の温度差は約10倍大きくなり、これは望ましくない。抽出本体65に流体移送チャネル161を設けることは、基板支持装置60全体の温度差を小さくするために効果的である。従って、中間ギャップ75及び流体移送チャネル161を設けることによって、最大基板変位は上述の程度まで低減する。ある実施形態では、中間ギャップは少なくとも0.2mmである。ある実施形態では、中間ギャップは少なくとも0.5mmである。ある実施形態では、中間ギャップは多くとも3mmである。
[00194] ある実施形態において、抽出本体65は、この抽出本体65の外縁部に縁部ヒータ201を含む。ある実施形態では、抽出本体65は、この抽出本体65の下面に縁部ヒータ204を含む。ある実施形態では、縁部ヒータ201、204は、コントローラ500によって別々に制御可能である。縁部ヒータ201、204は、基板支持装置60の温度プロファイルの安定性の維持に役立つ。縁部ヒータ201、204の各々は温度センサを含むことができる。縁部ヒータ201、204は、流体移送チャネル161に加えて又はその代わりに用いることができる。
[00195] 図面に示したフィーチャは相互に組み合わせてもよい。一例としてのみ、図30のフィーチャを、図8の界面81及び/又は図11のカバーリング112と組み合わせることができる。
[00196] ある実施形態では、支持装置が提供される。これは、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
[00197] ある実施形態では、部材のうち、本体の上面上よりもテーブルの上面上にある部分の方が大きい。
[00198] ある実施形態では、部材は、本体の上面に沿って内側に延出するよりもテーブルの前記上面に沿って外側に長く延出している。
[00199] ある実施形態では、部材は、テーブルの前記上面の実質的に全体にわたって延出している。
[00200] ある実施形態では、部材は、テーブル材料の25℃での比熱容量よりも小さい25℃での比熱容量を有する熱適合材料の熱適合層を含む。
[00201] ある実施形態では、熱適合材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも高い。
[00202] ある実施形態では、熱抵抗層は、熱適合層と、テーブルの上面及び本体の上面の双方と、の間にある。
[00203] ある実施形態では、熱抵抗材料の25℃での比熱容量は、テーブル材料の比熱容量よりも大きい。
[00204] ある実施形態では、熱抵抗材料は接着剤である。
[00205] ある実施形態では、支持装置がさらに、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダを含み、本体がオブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であり、抽出本体が、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、抽出本体が、オブジェクトホルダから実質的に分離するようにオブジェクトホルダから離間し、抽出本体が突起を含み、突起が、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
[00206] ある実施形態では、抽出本体はオブジェクトホルダから分離するようにオブジェクトホルダから切り離されている。
[00207] ある実施形態において、突起は、使用時に液体の層によって液体が突起の半径方向外側から突起の半径方向内側に流れるのを防ぐように構成されている。
[00208] ある実施形態において、抽出本体は、真空又は気体を含む中間ギャップによってオブジェクトホルダから離間している。
[00209] ある実施形態において、オブジェクトホルダ及び抽出本体の少なくとも一部はテーブルのオブジェクトホルダ凹部内に位置決めされ、抽出本体は界面においてテーブルに接続されている。
[00210] ある実施形態において、界面は抽出本体の底面及び/又は半径方向の面である。
[00211] ある実施形態において、抽出本体は、真空クランプ、ボルト、のり、及び/又は運動学的な板ばね結合によってテーブルに接続されている。
[00212] ある実施形態において、支持装置はさらにオブジェクトホルダを含み、本体はオブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であり、抽出本体は、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、抽出本体は、複数の外周方向に離間した接合部によってオブジェクトホルダに接続されて接合部間ではオブジェクトホルダから離間するようになっている。
[00213] ある実施形態において、接合部の少なくとも1つは、オブジェクトホルダの上面から部分的にのみ抽出本体の底面へと延出して、少なくとも1つの接合部の直下で抽出本体がオブジェクトホルダから離間するようになっている。
[00214] ある実施形態において、接合部の少なくとも1つは、接合部への及び/又は接合部間での熱エネルギの供給及び/又は接合部からの及び/又は接合部間での熱エネルギの除去を行うように構成された接合部調節システムを含む。
[00215] ある実施形態において、接合部は、合計すると、オブジェクトホルダと抽出本体との間の外周部の多くても10%に沿って延出する。
[00216] ある実施形態において、オブジェクトホルダ及び抽出本体の少なくとも一部は、テーブルのオブジェクトホルダ凹部内に位置決めされている。
[00217] ある実施形態において、抽出本体は突起を含み、この突起は、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
[00218] ある実施形態において、突起は、使用時に液体の層によって液体が突起の半径方向外側から突起の半径方向内側に流れるのを防ぐように構成されている。
[00219] ある実施形態において、突起の上面は抽出本体の上面よりも低い。
[00220] ある実施形態において、支持装置は、使用時に抽出本体の一部が、オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの周縁部の下に延出するように構成されている。
[00221] ある実施形態において、抽出本体は、本体及びこの本体の上面に位置決めされたカバーリングを含み、カバーリングの上に部材がある。
[00222] ある実施形態において、カバーリングは記本体の半径方向の範囲を超えて半径方向外側に延出している。
[00223] ある実施形態において、カバーリングは実質的に、支持装置のテーブルの上面における基準マーカまで延出している。
[00224] ある実施形態において、抽出本体は、抽出本体への熱エネルギの供給及び/又は抽出本体からの熱エネルギの除去を行うように構成された抽出本体調節システムを含む。
[00225] ある実施形態において、抽出本体調節システムは、別々に制御可能である複数の調節ユニットを含み、複数の調節ユニットの各々が、抽出本体の各調節領域への熱エネルギの供給及び/又は抽出本体の各調節領域からの熱エネルギの除去を行うように構成されている。
[00226] ある実施形態において、抽出本体調節システムは、抽出本体の温度を制御するように構成された流体移送チャネルのネットワークを含む。
[00227] ある実施形態において、抽出本体調節システムは、高くても30℃、又は高くても22℃の沸点を有するような圧力で二酸化炭素を含有する冷却チャネルを含む。
[00228] ある実施形態において、抽出本体調節システムはヒートパイプを含む。
[00229] ある実施形態において、特許請求の範囲のいずれかの支持装置は、抽出開口の半径方向内側にあり、オブジェクトホルダの上面から液体を抽出するように構成された液体抽出部を含む。
[00230] ある実施形態において、抽出本体は液体抽出部の少なくとも一部を含む。
[00231] ある実施形態において、液体抽出部は、この液体抽出部への熱エネルギの供給及び/又は液体抽出部からの熱エネルギの除去を行うように構成された液体抽出部調節システムを含む。
[00232] ある実施形態において、抽出本体は、抽出本体への熱エネルギの供給及び/又は抽出本体からの熱エネルギの除去を行うように構成された抽出本体調節システムを含み、液体抽出部調節システム及び抽出本体調節システムは別々に制御可能である。
[00233] ある実施形態において、液体抽出部調節システムは、液体抽出部の温度を制御するように構成された流体移送チャネルのネットワークを含む。
[00234] ある実施形態において、抽出本体とオブジェクトホルダとの間の空間は、外周部で連続しており、抽出本体の上面から抽出本体の底面まで連続している。
[00235] ある実施形態において、オブジェクトホルダは基板ホルダである。
[00236] ある実施形態においては、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを前記基板上に投影することを含み、支持装置が、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
[00237] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[00238] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線(UV)放射(例えば、436nm、405nm、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
[00239] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク)の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。2つ以上のコンピュータプログラムを、1つ以上の異なるメモリ及び/又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
[00240] 1つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも1つのコンポーネント内にある1つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。1つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも1つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する1つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び/又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、1つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
[00241] 本発明の1つ以上の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び/又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び/又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び/又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
[00242] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、1つ以上の構造、1つ以上の液体開口を含む1つ以上の流体開口、1つ以上の気体開口、又は2相流のための1つ以上の開口の組み合わせを備えてよい。開口は各々、液浸空間への入口(若しくは流体ハンドリング構造からの出口)、又は液浸空間からの出口(若しくは流体ハンドリング構造への入口)であり得る。実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ以上の要素をさらに含むことができる。
[00243] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置のための支持装置であって、
    オブジェクトを支持するオブジェクトホルダと、
    前記オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、前記支持装置の上面から流体を抽出する抽出開口を有し、前記オブジェクトホルダから実質的に分離するように前記オブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を備え、
    前記抽出本体は、前記オブジェクトホルダを取り囲みかつ前記抽出開口の半径方向内側に配置される突起を有し、
    前記抽出本体は、使用時に、前記突起の上面上に液体の層が保持されるとともに、前記オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの下面と液体の層が接触するように構成されている、支持装置。
  2. 前記支持装置は、使用時に、前記液体の層の毛管圧が、前記突起の半径方向外側と前記突起の半径方向内側との間の圧力差よりも大きいことによって、前記流体が前記突起の半径方向外側から前記突起の半径方向内側に流れるのを防ぐように構成されている、及び/又は、
    前記抽出本体は、真空又は気体を備える中間ギャップによって前記オブジェクトホルダから離間している、及び/又は、
    前記支持装置は、使用時に、前記抽出本体の一部が、前記オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの周縁部の下に延出するように構成されている、
    請求項1に記載の支持装置。
  3. リソグラフィ装置のための支持装置であって、
    オブジェクトホルダと、
    前記オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、前記支持装置の上面から流体を抽出する抽出開口を有し、複数の外周方向に離間した接合部によって前記オブジェクトホルダに接続されて前記接合部間では前記オブジェクトホルダから離間するようになっており少なくとも1つの前記接合部が前記抽出開口よりも半径方向内側に配置された、抽出本体と、
    を備える、支持装置。
  4. 前記接合部の少なくとも1つは、前記オブジェクトホルダの上面から部分的にのみ前記抽出本体の底面へと延出して、前記少なくとも1つの接合部の直下で前記抽出本体が前記オブジェクトホルダから離間するようになっている、及び/又は、
    前記接合部の少なくとも1つは、前記接合部への及び/又は前記接合部間での熱エネルギの供給、及び/又は、前記接合部からの及び/又は前記接合部間での熱エネルギの除去、を行う接合部調節システムを有する、及び/又は、
    前記接合部は、合計すると、前記オブジェクトホルダと前記抽出本体との間の外周部の多くても10%に沿って延出し、前記接合部は、前記外周部の全周に沿って実質的に均等に分散している、
    請求項3に記載の支持装置。
  5. 前記抽出本体は、本体及び前記本体の上面に位置決めされたカバーリングを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の支持装置。
  6. 前記抽出本体は、前記抽出本体への熱エネルギの供給及び/又は前記抽出本体からの熱エネルギの除去を行う抽出本体調節システムを有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の支持装置。
  7. 前記抽出本体調節システムは、別々に制御可能である複数の調節ユニットを有し、
    前記複数の調節ユニットの各々は、前記抽出本体の各調節領域への熱エネルギの供給及び/又は前記抽出本体の各調節領域からの熱エネルギの除去を行う、請求項6に記載の支持装置。
  8. 前記抽出開口の半径方向内側にあり、前記オブジェクトホルダの上面から液体を抽出する液体抽出部を備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の支持装置。
  9. 前記抽出本体は、前記液体抽出部の少なくとも一部を有する、及び/又は、
    前記液体抽出部は、前記液体抽出部への熱エネルギの供給及び/又は前記液体抽出部からの熱エネルギの除去を行う液体抽出部調節システムを有する、
    請求項8に記載の支持装置。
  10. 前記抽出本体は、前記抽出本体への熱エネルギの供給及び/又は前記抽出本体からの熱エネルギの除去を行う抽出本体調節システムを有し、前記液体抽出部調節システム及び前記抽出本体調節システムが別々に制御可能である、請求項9に記載の支持装置。
  11. 熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルであって、前記テーブルの凹部内に前記抽出本体が位置決めされ、前記抽出本体と前記テーブルとの間にギャップがある、テーブルと、
    前記抽出本体の上面から前記テーブルの上面まで前記ギャップにまたがる部材であって、前記テーブル材料の前記熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、
    を備える、請求項1から10のいずれか一項に記載の支持装置。
  12. 前記部材のうち、前記抽出本体の前記上面上よりも前記テーブルの前記上面上にある部分の方が大きい、及び/又は、
    前記部材は、前記抽出本体の前記上面に沿って内側に延出するよりも前記テーブルの前記上面に沿って外側に長く延出する、及び/又は、
    前記部材は、前記テーブルの前記上面の実質的に全体にわたって延出する、請求項11に記載の支持装置。
  13. 前記部材は、熱適合材料の熱適合層を有し、前記熱適合材料の25℃での比熱容量が前記テーブル材料の25℃での比熱容量よりも小さい、及び/又は、
    前記熱適合材料の熱伝導率は、前記テーブル材料の前記熱伝導率よりも高い、及び/又は、
    前記熱抵抗層は、前記熱適合層と、前記テーブルの前記上面及び前記抽出本体の前記上面の双方と、の間にある、及び/又は、
    前記熱抵抗材料の25℃での比熱容量は、前記テーブル材料の比熱容量よりも大きい、請求項11又は12に記載の支持装置。
  14. 請求項1から13のいずれか一項に記載の前記支持装置を備える、リソグラフィ装置。
  15. リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、
    支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを前記基板上に投影することを含み、
    前記支持装置は、
    オブジェクトを支持するオブジェクトホルダと、
    前記オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、前記支持装置の上面から流体を抽出する抽出開口を有し、前記オブジェクトホルダから実質的に分離するように前記オブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を備え、
    前記抽出本体は、前記オブジェクトホルダを取り囲む環状部を形成しかつ前記抽出開口の半径方向内側に配置される突起を有し、
    前記抽出本体は、使用時に、前記突起の上面上に液体の層が保持されるとともに、前記オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの下面と液体の層が接触するように構成されている、方法。



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