JP4340652B2 - 浸漬露光前の基板のプレウェッティング - Google Patents
浸漬露光前の基板のプレウェッティング Download PDFInfo
- Publication number
- JP4340652B2 JP4340652B2 JP2005352933A JP2005352933A JP4340652B2 JP 4340652 B2 JP4340652 B2 JP 4340652B2 JP 2005352933 A JP2005352933 A JP 2005352933A JP 2005352933 A JP2005352933 A JP 2005352933A JP 4340652 B2 JP4340652 B2 JP 4340652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- prewetting
- immersion
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
放射ビームPB(例えばUV放射又はDUV放射)を調整するように構成された照明系(照明器)ILと、
パターン形成装置(例えばマスク)MAを支持するように構築された支持構造(例えばマスク・テーブル)MTであって、パターン形成装置をある種のパラメータに従って正確に配置するように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造MTと、
基板(例えばレジストでコーティングされたウェーハ)Wを保持するように構築された基板テーブル(例えばウェーハ・テーブル)WTであって、基板をある種のパラメータに従って正確に配置するように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブルWTと、
パターン形成装置MAによって放射ビームPBに付与されたパターンを、基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを含む)標的部分Cの表面に投影するように構成された投影系(例えば屈折投影レンズ系)PLと
を備えている。
BD ビーム送達系
IL 照明系(照明器)
AM 可調整構成要素
IN インテグレータ
CO コンデンサ
PB 投影ビーム
MA パターン形成装置(マスク又はレクチル)
M1 マスク位置調整用マーク
M2 マスク位置調整用マーク
IF 位置センサ
MT 支持構造(マスク・テーブル)
PM 第1の位置決め装置
PL 投影系(レンズ)
W 基板(ウェーハ)
P1 基板位置調整用マーク
P2 基板位置調整用マーク
IH 浸漬フード
WT 基板テーブル(ウェーハ・テーブル)
PW 第2の位置決め装置
C 標的部分
IN 入口
OUT 出口
RES レジスト
LIQ 浸液
PLIQ プレウェッティング液
10 リザーバ
12 シール部材
14 第1の出口
15 入口
16 ガス・シール
20 レジスト層の表面
22 浸液とレジスト層の界面
24 気泡
30 測定ステーション
32 露光ステーション
34 測定センサ
36A 給液構造
36B 給液構造
37 入口
38 液源
39 出口
40 ポンプ
41 入口
42 液源
43 出口
44 ポンプ
Claims (47)
- リソグラフィ装置内で、基板の放射感受性材料層上、又は基板テーブル上、或いはその両方にプレウェッティング(prewetting)液を適用するステップと、
前記放射感受性材料層及び/又は前記基板テーブルの表面の空隙を満たすだけのプレウェッティング液を残して、プレウェッティング液を吸い上げるステップと、
前記予め濡らされた(prewet)基板及び/又は基板テーブル上に、パターン形成された放射ビームを投影する際に使用する浸液を供給するステップと、
前記浸液を通して前記基板及び/又は前記基板テーブル上へパターン形成された放射ビームを投影するステップと
を含むデバイス製造方法。 - 前記プレウェッティング液が前記浸液と実質的に同じ化学組成を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液が水を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液がトップコートを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記トップコートがAQUATARを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記浸液が水を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップが、前記放射感受性材料の表面の隆起部分間に捕捉される気泡を減らし、且つ/又は前記基板テーブルの表面の隆起部分間に捕捉される気泡を減らす、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップが、前記放射感受性材料の表面の空隙を前記プレウェッティング液で満たし、且つ/又は前記基板テーブルの表面の空隙を満たす、請求項1に記載の方法。
- 前記放射感受性材料の実質的に全ての化学物質又は粒子或いはその両方が、前記プレウェッティング液中に浸出される、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップによって、前記放射感受性材料の表面が前記浸液と適合する、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップによって、前記放射感受性材料の表面が前記浸液をはじきにくくなる、請求項1に記載の方法。
- 前記パターン形成された放射ビームにとって、前記プレウェッティング液が少なくとも部分的に透明である、請求項1に記載の方法。
- 前記浸液を供給する前に、前記予め濡らされた基板から前記プレウェッティング液の少なくとも一部を除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップが、第1の給液系を用いて前記プレウェッティング液を供給するステップを含み、前記浸液を供給するステップが、第2の給液系を用いて前記浸液を供給することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップが、前記リソグラフィ装置内の第1の位置で前記プレウェッティング液を供給するステップを含み、前記浸液を供給するステップが、前記第1の位置から変位した前記リソグラフィ装置内の第2の位置で前記浸液を供給するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の位置が、前記リソグラフィ装置内の測定ステーションの位置であり、前記第2の位置が、前記リソグラフィ装置内の露光ステーションの位置である、請求項15に記載の方法。
- 所望のパターンに従って放射ビームにパターンを形成するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた表面を有する基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン形成されたビームを前記基板の標的部分に投影するように構成された投影系と、
放射感受性材料の前記層の上にプレウェッティング液を供給して前記基板を予め濡らすように構成され、前記放射感受性材料の層の表面の空隙を満たすだけのプレウェッティング液を残して、前記プレウェッティング液を吸い上げるように構成され、かつ前記予め濡らされた基板と前記投影系の少なくとも一部との間の空間に浸液を供給するように構成された給液系と
を備えたリソグラフィ投影装置。 - 前記プレウェッティング液が前記浸液と実質的に同じ化学組成を有する、請求項17に記載の装置。
- 前記プレウェッティング液が水を含む、請求項17に記載の装置。
- 前記プレウェッティング液がトップコートを含む、請求項17に記載の装置。
- 前記トップコートがAQUATARを含む、請求項20に記載の装置。
- 前記浸液が水を含む、請求項17に記載の装置。
- 前記パターン形成されたビームにとって、前記プレウェッティング液が少なくとも部分的に透明である、請求項17に記載の装置。
- 前記給液系が、前記浸液と実質的に同じ前記装置内の位置で前記プレウェッティング液を供給するように構成された、請求項17に記載の装置。
- 前記給液系が、前記装置内の第1の位置で前記プレウェッティング液を供給するように構成された第1の給液構造と、前記第1の位置から変位した前記装置内の第2の位置で前記浸液を供給するように構成された第2の給液構造とを備えた、請求項17に記載の装置。
- 前記第1の位置が前記装置内の測定ステーションの位置である、請求項25に記載の装置。
- 前記第2の位置が前記装置内の露光ステーションの位置である、請求項25に記載の装置。
- 前記給液系が、前記基板の表面に液体を供給するように適合された液体リザーバに接続された入口と、前記基板の前記表面から液体を除去するように適合されたポンプに接続された出口とを備えた、請求項17に記載の装置。
- 前記給液系が、前記予め濡らされた基板に浸液を供給する前に前記予め濡らされた基板からプレウェッティング液を除去するように構成された出口を備えた、請求項17に記載の装置。
- 所望のパターンに従って放射ビームにパターンを形成するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた表面を有する基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン形成されたビームを前記基板の標的部分に投影するように構成された投影系と、
前記基板テーブルの上にプレウェッティング液を供給して前記基板テーブルを予め濡らすように構成され、前記基板テーブルの表面の空隙を満たすだけのプレウェッティング液を残して、前記プレウェッティング液を吸い上げるように構成され、かつ前記予め濡らされた基板テーブルと前記投影系の少なくとも一部との間の空間に浸液を供給するように構成された給液系と
を備えたリソグラフィ投影装置。 - 前記プレウェッティング液が前記浸液と実質的に同じ化学組成を有する、請求項30に記載の装置。
- 前記給液系が、前記浸液と実質的に同じ前記装置内の位置で前記プレウェッティング液を供給するように構成された、請求項30に記載の装置。
- 前記給液系が、前記装置内の第1の位置で前記プレウェッティング液を供給するように構成された第1の給液構造と、前記第1の位置から変位した前記装置内の第2の位置で前記浸液を供給するように構成された第2の給液構造とを備えた、請求項30に記載の装置。
- 前記第1の位置が前記装置内の測定ステーションの位置である、請求項33に記載の装置。
- 前記第2の位置が前記装置内の露光ステーションの位置である、請求項33に記載の装置。
- 前記給液系が、前記予め濡らされた基板に浸液を供給する前に前記予め濡らされた基板からプレウェッティング液を除去するように構成された出口を備えた、請求項30に記載の装置。
- リソグラフィ装置内で、基板の放射感受性材料層上、又は基板テーブル上、或いはその両方にプレウェッティング液を適用するステップと、
前記放射感受性材料層及び/又は前記基板テーブルの表面の空隙を満たすだけのプレウェッティング液を残して、前記プレウェッティング液を吸い上げるステップと、
パターン形成された放射ビームでの露光のために前記基板及び/又は基板テーブルが前記リソグラフィ装置の投影系の下にあるときに、前記基板及び/又は基板テーブル上の前記プレウェッティング液上に浸液を供給するステップと、
前記浸液を通して前記基板及び/又は前記基板テーブル上へパターン形成された放射ビームを投影するステップと
を含むデバイス製造方法。 - 前記プレウェッティング液を適用するステップが、第1の給液系を用いて前記プレウェッティング液を供給するステップを含み、前記浸液を供給するステップが、第2の給液系を用いて前記浸液を供給することを含む、請求項37に記載の方法。
- 前記プレウェッティング液を適用するステップが、前記リソグラフィ装置内の第1の位置で前記プレウェッティング液を供給するステップを含み、前記浸液を供給するステップが、前記第1の位置から変位した前記リソグラフィ装置内の第2の位置で前記浸液を供給するステップを含む、請求項37に記載の方法。
- 前記浸液を供給する前に、前記予め濡らされた基板から前記プレウェッティング液の少なくとも一部を除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 所望のパターンに従って放射ビームにパターンを形成するように構成されたパターン形成装置を保持するように構成された支持構造と、
放射感受性材料の層で少なくとも部分的に覆われた表面を有する基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン形成されたビームを前記基板の標的部分に投影するように構成された投影系と、
前記基板の放射感受性材料の前記層の上にプレウェッティング液を供給して前記基板を予め濡らすように構成され、前記放射感受性材料の層の表面の空隙を満たすだけのプレウェッティング液を残して、前記プレウェッティング液を吸い上げるように構成され、かつ前記基板が前記投影系の下にあるときに前記基板上の前記プレウェッティング液上に浸液を供給するように構成された給液系と
を備えたリソグラフィ投影装置。 - 前記給液系が、前記浸液と実質的に同じ前記装置内の位置で前記プレウェッティング液を供給するように構成された、請求項41に記載の装置。
- 前記給液系が、前記装置内の第1の位置で前記プレウェッティング液を供給するように構成された第1の給液構造と、前記第1の位置から変位した前記装置内の第2の位置で前記浸液を供給するように構成された第2の給液構造とを備えた、請求項41に記載の装置。
- 前記給液系が、前記予め濡らされた基板に浸液を供給する前に前記予め濡らされた基板からプレウェッティング液を除去するように構成された出口を備えた、請求項41に記載の装置。
- 浸漬リソグラフィ装置内で、放射感受性材料の層を少なくとも部分的に有する基板に浸液を適用し、パターン形成された放射ビームで前記基板を露光する前に、前記基板を準備する方法であって、
放射感受性材料の前記層の表面の少なくとも一部を、前記パターン形成された放射ビームに対して非感受性の液体化学物質で覆うステップを含み、前記液体化学物質が、少なくとも前記装置内での前記浸液の適用まで、前記浸漬リソグラフィ装置内で液体の形態を保つ方法。 - 前記液体化学物質は、前記放射感受性材料が前記浸液をはじくほどには前記装置内に適用された前記浸液をはじかない、請求項45に記載の方法。
- 前記液体化学物質が前記浸液と実質的に同じ化学組成を有する、請求項45に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/005,219 US7196770B2 (en) | 2004-12-07 | 2004-12-07 | Prewetting of substrate before immersion exposure |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009039514A Division JP4340719B2 (ja) | 2004-12-07 | 2009-02-23 | 浸漬露光前の基板のプレウェッティング |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006165570A JP2006165570A (ja) | 2006-06-22 |
JP4340652B2 true JP4340652B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=36574598
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005352933A Expired - Fee Related JP4340652B2 (ja) | 2004-12-07 | 2005-12-07 | 浸漬露光前の基板のプレウェッティング |
JP2009039514A Expired - Fee Related JP4340719B2 (ja) | 2004-12-07 | 2009-02-23 | 浸漬露光前の基板のプレウェッティング |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009039514A Expired - Fee Related JP4340719B2 (ja) | 2004-12-07 | 2009-02-23 | 浸漬露光前の基板のプレウェッティング |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7196770B2 (ja) |
JP (2) | JP4340652B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7384878B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-06-10 | International Business Machines Corporation | Method for applying a layer to a hydrophobic surface |
CN101044594B (zh) * | 2004-10-26 | 2010-05-12 | 株式会社尼康 | 衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法 |
US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7812926B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-10-12 | Nikon Corporation | Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice |
FR2890742B1 (fr) * | 2005-09-12 | 2007-11-30 | Production Et De Rech S Appliq | Equipement et procede de surveillance d'un dispositif lithographique a immersion. |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
JP4982554B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2012-07-25 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 担持体にスケールを保持するための方法ならびに担持体とスケールを備えた組立体 |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
JP4758977B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2011-08-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法 |
KR100843709B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2008-07-04 | 삼성전자주식회사 | 액체 실링 유니트 및 이를 갖는 이멀젼 포토리소그래피장치 |
JP2009117832A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィの基板を準備する方法、基板、デバイス製造方法、密封コーティングアプリケータ及び密封コーティング測定装置 |
NL1036579A1 (nl) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods. |
US7919663B2 (en) | 2008-07-31 | 2011-04-05 | Chevron U.S.A. Inc. | Process for producing a low volatility gasoline blending component and a middle distillate |
JP6456238B2 (ja) | 2015-05-14 | 2019-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20240192607A1 (en) * | 2019-09-13 | 2024-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling system and lithographic apparatus |
Family Cites Families (109)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE206607C (ja) | ||||
DE242880C (ja) | ||||
DE221563C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) * | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
EP0023231B1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-11 | Tabarelli, Werner, Dr. | Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) * | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
WO1998009278A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
JPH11233406A (ja) | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Toshiba Corp | 基板処理方法及びその装置 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) * | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP2000340490A (ja) | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
WO2002091078A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
EP1446703A2 (en) * | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
TWI232357B (en) * | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4595320B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
EP1571696A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4608876B2 (ja) | 2002-12-10 | 2011-01-12 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1571700A4 (en) | 2002-12-10 | 2007-09-12 | Nikon Corp | OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1571698A4 (en) * | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
USRE48515E1 (en) | 2002-12-19 | 2021-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
KR101409565B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
SG10201604762UA (en) | 2003-04-10 | 2016-08-30 | Nikon Corp | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
WO2004090577A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
ATE542167T1 (de) | 2003-04-17 | 2012-02-15 | Nikon Corp | Lithographisches immersionsgerät |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) * | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
DE10324477A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US7684008B2 (en) * | 2003-06-11 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6860944B2 (en) * | 2003-06-16 | 2005-03-01 | Blue29 Llc | Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191381A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4018647B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005286068A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP4510494B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4759311B2 (ja) | 2004-05-17 | 2011-08-31 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP4271109B2 (ja) | 2004-09-10 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7656502B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-12-07 US US11/005,219 patent/US7196770B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005352933A patent/JP4340652B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-23 US US11/709,834 patent/US7643127B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-23 JP JP2009039514A patent/JP4340719B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060121209A1 (en) | 2006-06-08 |
JP2009117873A (ja) | 2009-05-28 |
JP4340719B2 (ja) | 2009-10-07 |
US20070159613A1 (en) | 2007-07-12 |
JP2006165570A (ja) | 2006-06-22 |
US7196770B2 (en) | 2007-03-27 |
US7643127B2 (en) | 2010-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4340652B2 (ja) | 浸漬露光前の基板のプレウェッティング | |
JP6055501B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5085585B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
TWI442694B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
TWI426961B (zh) | 微影裝置及清潔微影裝置之方法 | |
JP4383993B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
TWI410745B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
JP5744793B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI408512B (zh) | 浸潤式微影裝置、乾燥器件、浸潤式度量裝置及器件製造方法 | |
JP5161273B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4347282B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI394011B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
TWI461855B (zh) | 具有塗層薄膜黏附其上之部份的微影裝置 | |
TWI424279B (zh) | 流體處理器件、浸潤微影裝置及器件製造方法 | |
TWI396056B (zh) | 浸潤式微影裝置及器件製造方法 | |
TWI485534B (zh) | 微影裝置及其控制方法及器件製造方法 | |
JP5226759B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI420250B (zh) | 微影裝置和方法 | |
NL1036333A1 (nl) | Immersion lithography. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4340652 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |