JP2000340490A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】処理液による基板処理の前工程において基板の
熱履歴を容易に管理できるできる基板処理方法および基
板処理装置を提供する。 【解決手段】化学増幅型レジストが塗布された基板Ｗの
現像処理に先立って行なわれるプリウェット処理におい
て、プリウェット処理に使われる常温純水の供給の終わ
りにおいて温調純水が基板Ｗに供給され基板温度が制御
される。制御部９５により純水供給系８から温調純水供
給系９に切り換えられ、温調純水がノズルアーム５３内
を流通し純水供給ノズル５１から基板Ｗ上に供給され
る。この基板温度が所望値に制御された基板が次工程に
移行されるので、現像後のパターンの線幅のバラツキを
抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの各種の基板に処理液を塗
布する処理方法および基板処理装置に係り、特に、基板
の現像処理に先立って基板表面を処理液で処理する技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の基板処理方法を半導体ウェハの製
造工程を例に採って説明する。フォトレジストが塗布さ
れた半導体ウェハ（以下、単に「基板」という）は、露
光工程に送られて回路パターンが露光される。露光され
た基板は現像工程に送られる。現像工程では、基板の現
像処理を行なう前にプリウェット処理と呼ばれる、基板
上に塗布されたレジスト膜表面の親水化処理が行なわれ
る。このプリウェット処理は、フォトレジストが塗布さ
れた基板表面に例えば純水を供給することにより行なわ
れる。基板表面を親水性にすることにより、後の現像処
理において、基板表面と現像液とのなじみを良くして、
現像液の弾きを防止するとともに、現像液中の微小な気
泡が基板表面に付着して現像欠陥が発生するのを防止し
ている。

【０００３】一般的な現像装置には、基板を水平姿勢に
保持して回転させるスピンチャックの傍らに、純水を供
給する純水供給ノズルと、現像液を供給する現像液供給
ノズルとが備えられている。スピンチャック上に基板が
移載されるとスピンチャックが回転する。回転している
基板の表面に純水供給ノズルから純水が供給されるとと
もに、スピンチャックの回転に伴って基板上の余剰の純
水が振り切られる。このプリウェット処理に続いて、現
像液供給ノズルから基板表面に現像液が供給されて現像
処理が行なわれる。現像処理後、純水供給ノズルから基
板表面に純水が供給されて洗浄処理を行なった後、基板
を高速回転させて乾燥させる。

【０００４】ところで、最近ではエキシマレーザを光源
とするステッパと呼ばれる露光装置の普及により、フォ
トレジストとして化学増幅型レジストが多く用いられる
ようになっている。周知のように、化学増幅型レジスト
は、露光で発生した酸により、続く熱処理（ＰＥＢ）に
おいて触媒反応が誘起され、現像液に対して不溶化（ネ
ガ型）または可溶化（ポジ型）が促進されるレジストで
ある。このような化学増幅型レジストを用いた場合、露
光時に発生する定在波やハレーションを低減させたり、
あるいは大気中の塩基成分による影響を回避するため
に、レジスト表面にＴＡＲＣ（top anti-reflecting co
at）と呼ばれる反射防止膜が形成される。この反射防止
膜は現像処理に先立って除去される。一般的な現像装置
では、上述したプリウェット処理と同様にして、スピン
チャック上に基板を搭載した後に、基板上に純水を供給
することによって反射防止膜を溶解除去している。反射
防止膜を除去した後は、上述したと同様に現像・洗浄・
乾燥処理がその順に行なわれる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように化学増
幅型レジストは、露光後の熱処理によって触媒反応が進
むので、現像後のパターンの線幅の均一性を向上するた
めに、露光後の基板の熱履歴を厳密に管理することが要
請されている。特に、常温付近でも反応が進む化学増幅
型レジストの場合、大気中に放置する時間が基板ごとに
異なると、基板間での線幅のバラツキの要因になるの
で、大気中での放置時間を一定にするなどの配慮がなさ
れている。

【０００６】しかしながら、従来、基板の熱履歴は厳密
に管理しているにもかかわらず、現像後のパターンの線
幅の均一性は必ずしも充分なものではない。

【０００７】本発明者らが、上記の課題を解決するため
に鋭意研究した結果、基板の現像処理に先立って行なわ
れる、基板上に塗布されたレジスト膜表面を親水性にす
るためのプリウェット処理や、レジスト膜表面の反射防
止膜を除去するための処理に、現像後のパターンの線幅
の均一性をばらつかせる要因があることが明らかになっ
た。

【０００８】具体的には、上述したプリウェット処理や
反射膜除去処理に用いられる純水は常温であるが、通常
設備による供給では水温に約±１℃のバラツキがある。
特に、季節による気候変化の影響を受けてしまい±１０
℃の水温バラツキが生じる場合もある。このような純水
温度のバラツキが基板温度に影響を与え、温度の不均一
性が現像後のパターンの線幅にバラツキを生じさせてい
ることが判った。すなわち、現像処理を行う前に基板温
度を所望の一定温度にして処理を行えることが重要であ
る。

【０００９】一方、基板の熱履歴を厳密に管理する要求
は上記の現像処理に先立って行なわれる場合に限られた
ものではなく、レジスト塗布に先立つ洗浄処理において
も品質のバラツキを抑えるために必要な場合がある。

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理液を用いた処理工程において基板
の熱履歴を容易に管理できる基板処理方法および基板処
理装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すわな
ち、請求項１に係る発明は、保持された基板に処理液を
塗布して処理する工程を有する基板処理方法において、
前記処理液による処理工程は、少なくとも工程の終わり
において温調された処理液を供給することで基板温度を
調整する工程と、を有し、前記温調処理液供給工程の後
に、前記基板を次工程へ移行することを特徴とする基板
処理方法である。

【００１２】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
基板処理方法において、前記温調処理液供給工程は、レ
ジストが塗布された基板の現像処理に先立って行なわれ
ることを特徴とする。

【００１３】請求項３に係る発明は、請求項２に記載の
基板処理方法において、前記レジストは、化学増幅型レ
ジストであることを特徴とする。

【００１４】請求項４に係る発明は、水平に保持された
基板表面に処理液を供給する処理液供給手段と、前記基
板表面に前記処理液を温調して供給する温調処理液供給
手段と、前記処理液供給手段による処理液の供給と前記
温調処理液供給手段による温調された処理液の供給とを
切り換える切換手段と、を備え、前記基板の処理液によ
る処理工程の少なくとも終わりにおいて前記温調処理液
供給手段により温調された処理液を供給することを特徴
とする基板処理装置である。

【００１５】請求項５に係る発明は、請求項４に記載の
基板処理装置において、前記処理液供給手段と前記温調
処理液供給手段が合流した下流側に共通の供給ノズルを
有することを特徴とする。

【００１６】請求項６に係る発明は、請求項４又は請求
項５に記載の基板処理装置において、前記基板に対して
現像処理を施す現像液供給手段を備えていることを特徴
とする。

【００１７】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明によれば、基板表面に供給される処理液
は、少なくともその処理液が供給される工程の終わりに
おいて温調された処理液が供給されるので、この処理液
により基板は常に所望の温度に設定される。したがっ
て、仮に非温調の処理液を供給することにより、基板温
度が処理液の温度に影響され処理毎にバラツキが生じて
も、温調処理液の供給により基板の熱履歴が管理され
る。その結果、次工程に必要な状態で基板を移行するこ
とができる。また、基板の温度制御に必要な量の処理液
のみ温調するので経済的である。

【００１８】請求項２に記載の発明によれば、温調され
た処理液の供給はレジストが塗布された基板の現像処理
に先立って行なわれるので、現像工程に先立つ基板の温
度バラツキが最小限に抑えられる。その結果、現像後の
パターンの線幅の均一性が向上する。

【００１９】請求項３に記載の発明によれば、化学増幅
型レジストの塗布された基板の現像処理に先立つ工程の
終わりに温調された処理液を供給するので、基板温度を
一定に制御できる。その結果、現像後のパターンの線幅
の均一性が一層、向上する。

【００２０】請求項４に記載の発明によれば、水平に保
持された基板の表面に処理液供給手段から処理液が供給
される。この処理液による処理工程の終わりにおいて、
切換手段は温調処理液供給手段から温調された処理液を
供給するように切り換える。処理液が温調されているの
で、基板温度は温調処理液の温度の影響で常に所望の温
度に制御され、熱履歴のバラツキが最小限に抑えられ
る。また、温調処理液供給手段を有して、基板の温度制
御に必要な量の処理液のみ温調するので経済的である。

【００２１】請求項５に記載の発明によれば、処理液供
給手段と温調処理液供給手段からの供給が共通のノズル
を介して基板表面に供給される。

【００２２】請求項６に記載の発明によれば、処理装置
は現像液供給手段を備えている。そのため、例えば、処
理液による処理工程の終わりにおいて、続いて現像液供
給手段から基板表面に現像液が供給されて、基板の現像
処理が行われる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態を説明する。図１は本発明に係る基板処理方
法を用いた基板処理装置の第一の実施例の概略構成を示
した図、図２はその平面図である。本実施例では、半導
体ウェハ（以下、単に「基板」という）の表面に現像液
を液盛りして静止状態で現像する、いわゆるパドル現像
を行なう装置を例に採って説明する。

【００２４】この基板処理装置１は、現像カップ２内
に、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持手段３と、こ
の回転保持手段３の上方に、現像液を基板Ｗ上に供給す
るための現像液供給機構４と、基板のプリウェット処理
や洗浄処理用の処理液として純水を基板Ｗ上に供給する
ための純水供給機構５とを備えている。

【００２５】回転保持手段３は、基板Ｗを水平姿勢で吸
着した状態で回転可能なスピンチャック３１を備え、こ
のスピンチャック３１が電動もしくはエアによるモータ
３２の出力回転軸３３に連結されている。この構成によ
り基板Ｗは図２に示すように矢印Ａの方向に回転され
る。スピンチャック３１の周囲には、基板Ｗの回転に伴
って基板Ｗから振り切られた現像液や純水が飛散するの
を防止する飛散防止用の現像カップ２が配設されてい
る。この現像カップ２は昇降可能に構成され、その底部
には排液口２１（２２）や排気口２２（２１）が設けら
れている。そして、図２に示すように、現像カップ２の
周囲に平面視で正方形の外側カップ６が配設されてい
る。

【００２６】また、この基板処理装置１は、基板Ｗの表
面に現像液を供給する現像液供給機構４を備えている。
この現像液供給機構４は、スリット状の現像液吐出孔４
２が形成された現像液供給ノズル４１を備えている。現
像液吐出孔４２は処理対象である基板Ｗの直径と同じ長
さか、あるいは少し長く形成されている。現像液供給ノ
ズル４１は図２に示すように管状ノズルアーム４３に連
結され、このノズルアーム４３の基端が可動部材４４に
支持されている。ノズルアーム４３の基端は可動部材４
４を介して、図示しない現像液供給配管に連通接続され
ており、この現像液供給配管を流通してきた現像液がノ
ズルアーム４３を介して現像液供給ノズル４１に送られ
るようになっている。

【００２７】可動部材４４は外側カップ６の側辺に沿っ
て配設されたガイドレール４５に摺動自在に嵌め付けら
れている。この可動部材４４が、図示しない駆動機構に
よって水平往復駆動されることにより、現像液供給ノズ
ル４１が基板Ｗの上方を通過するようになっている。ま
た、可動部材４４には現像液供給ノズル４１を昇降させ
る図示しない昇降機構が備えられている。現像液供給ノ
ズル４１の移動開始端および終端には現像液供給ノズル
４１を収容する待機ポッド４６ａ、４６ｂが設けられて
いる。上述した現像液供給機構４は、本発明装置におけ
る現像液供給手段に相当する。

【００２８】さらに、この基板処理装置１は、外側カッ
プ６の傍らに基板Ｗの表面に純水を供給する純水供給機
構５を備えている。純水供給機構５は、図１に示すよう
に先端側に純水吐出孔５２が形成された純水供給ノズル
５１を備えている。純水供給ノズル５１は管状ノズルア
ーム５３に連結され、このノズルアーム５３の基端が昇
降回転機構５４に支持されている。ノズルアーム５３の
基端側において、ノズルアーム５３は昇降回転機構５４
の継手部５４１を貫いて延出され、ノズルアーム５３の
末端は後述する純水供給配管７に連通接続されており、
この純水供給配管７を流通してきた純水がノズルアーム
５３を介して純水供給ノズル５１に送られるようになっ
ている。

【００２９】純水供給配管７は、ノズルアーム５３に接
続する近傍の部位から、ぞれぞれ純水供給系８と温調純
水供給系９とに分岐している。純水供給系８は、分岐し
た配管８１が開閉弁８２を介して末端は図示しない純水
供給源Ｂに接続される。純水供給源Ｂは、例えば本装置
１が設置される工場設備内の任意の純水供給源が利用で
き、この場合、常温の純水が供給源から導かれ、開閉弁
８２の開閉動作によって配管８１に導かれる。そして純
水はノズルアーム５３を通して基板Ｗに供給される。

【００３０】温調純水供給系９は、分岐した配管９１が
開閉弁９２、温調手段９３、圧力調整機構９４を介して
図示しないタンクによる純水供給源Ｃに接続されてい
る。温調手段９３は配管９１の外壁に沿って管路に設け
られたヒータ９３１と、ヒータ９３１の下流側に配管９
１内を流通する純水の温度を検出する温度測定部９３２
からなり、ヒータ９３１はニクロム線を用いて構成され
る。また、温度測定部９３２は任意の温度センサーが用
いることができ、その検知部を配管９１内に配置するこ
とで構成される。

【００３１】次に、制御部９５に関して説明する。上記
のヒータ９３１と温度測定部９３２及び開閉弁８２、９
２には制御部９５が接続されており、温度測定部９３２
からの検知信号が入力され、ヒータ９３１、開閉弁８
２、９２にそれぞれ信号が出力される。即ち、温度測定
部９３２から純水の検出温度が入力されて制御部９５に
よってヒータ９３１へフィードバック制御されている。
そして、開閉弁８２、９２は後述する処理フローのタイ
ミングに対応して切り換え制御される。

【００３２】以上の構成でノズルアーム５３は昇降回転
機構５４によって回転中心Ｐ２周りで水平揺動および昇
降可能に構成されている。よって、ノズルアーム５３を
上昇させ現像カップ２と干渉しない位置で揺動すること
で純水供給ノズル５１を基板Ｗの回転中心Ｐ１上に位置
させ、その後、下降させる。純水は純水供給源Ｃから圧
力調整機構９４によって純水の圧力が調整され、ヒータ
９３１によって温度調整が行われる。そして、温度調整
が行われた純水は開閉弁９２の開閉動作によってノズル
アーム５１に導かれれ純水供給ノズル５１を通して基板
Ｗに供給される。その結果、ノズルアーム５３の管路を
通る純水を所望の温度に加熱して基板Ｗに供給できるよ
うになっている。

【００３３】そして、上述した純水供給機構５において
主に純水供給系８を介して非温調の純水を供給する管路
は、本発明装置における処理液供給手段に相当し、同じ
く純水供給機構５において主に温調純水供給系９を介し
て温調された純水を供給する管路が、本発明装置におけ
る温調処理液供給手段に相当する。また、上述した制御
部９５と開閉弁８２、９２は、本発明装置における切換
手段を構成する。

【００３４】以下に上述の第一実施例における装置１を
使ったプリウェット処理および現像処理の一例を図３の
フローチャートを参照して説明する。まず、化学増幅型
レジストが塗布された基板Ｗは露光装置で露光され（ス
テップＳ１）、続いてレジスト内の触媒反応を進めるた
めの熱処理（ＰＥＢ）を受けた後に（ステップＳ２）、
本実施例の基板処理装置１に搬入される。処理対象とな
る基板Ｗは図示しない基板搬送ロボットによってスピン
チャック３１上に移載されプリウェット処理が開始され
る（ステップＳ３）。

【００３５】（１）プリウェット処理 スピンチャック３１が基板Ｗを吸着保持すると、純水供
給機構５のノズルアーム５３が待機位置から基板Ｗ上に
水平揺動する。純水供給ノズル５１が基板Ｗの中央の回
転中心Ｐ１に達すると、純水供給位置にまで下降する。
続いてモータ３２が始動して基板Ｗを１０００ｒｐｍで
回転させながら、開閉弁８２を開き純水供給系８により
純水供給ノズル５１から基板Ｗ上に常温の純水を供給
し、基板Ｗの全面に行き渡らせる（ステップＳ４）。こ
れを３〜５秒程度継続する。このときの純水供給量は１
リットル／分程度である。

【００３６】次に、開閉弁８２を閉じ、開閉弁９２を開
き、温調純水供給系９により温調された純水を供給する
（ステップＳ５）。供給される純水は、基板Ｗの温度が
次工程の現像工程にて供給される現像液と同程度の温度
となるように、温調手段９３において「２０〜２３℃」
の範囲に温度が設定されている。即ち、温度測定部９３
２の測定値に対して制御部９５により、ヒータ９３１が
制御されることによってこの温度に調整される。

【００３７】その結果、常温純水の温度に追随した基板
Ｗの温度が、このプリウェット処理の終わりにおいて温
調された純水により上記の所望温度にコントロールされ
る。即ち、この工程が本発明の温調処理液供給工程に相
当する。

【００３８】詳細には、常に現像処理に必要な基板Ｗ温
度に設定するため、温調された純水を供給することで基
板Ｗ温度を制御できる。この温調純水供給系９による純
水の供給量は、予め基板Ｗを所望温度に設定できる量が
実験的に求められている。そして、プリウェット処理の
間に供給される純水の総量に対して、プリウェット処理
の終わりにその温調純水を総べて供給するように制御部
９５によって開閉弁８２、９２を開閉制御することで実
施される。例えば、純水の総量が基板Ｗ１枚あたり１０
０ｍｌ必要で基板Ｗの温度を制御するのに３０ｍｌ必要
とすると、最初の常温純水供給ステップＳ4においては
７０ｍｌの純水が供給された後に温調純水を３０ｍｌ供
給する温調純水供給ステップＳ5が行なわれる。これ
は、制御部９５により純水の供給量がタイマー管理され
ており、タイマーにて所定時間に達すると開閉弁８２、
９２が作動される。

【００３９】その後、温調純水の供給を停止してノズル
アーム５３を待機位置に戻す。これと同時に基板Ｗの回
転数を３０００ｒｐｍ程度に上げて、その状態を５〜１
０秒間程度保持して基板Ｗから余剰の純水を振り切る。
以上の処理により、純水が分子レベルで基板Ｗの表面を
親水性に変える。

【００４０】（２）現像処理 プリウェット処理が終わると現像処理（ステップＳ６）
が行なわれる。待機ポッド４６ａにあった現像液供給ノ
ズル４１が上昇、水平移動、下降して現像液の吐出開始
位置に来る。現像液供給ノズル４１が現像液を吐出しな
がら基板Ｗに近接して水平移動することにより、基板Ｗ
に現像液が液盛りされる。この状態で基板Ｗを所定時間
だけ静止状態で保持することにより、レジストの現像を
行なう。現像液供給ノズル４１は現像液の供給を停止し
た後、上昇、水平移動、下降して反対側の待機ポッド４
６ｂに入る。基板Ｗがパドル現像を受けている間に、現
像液供給ノズル４１は元の待機ポット４６ａに戻る。

【００４１】所定時間の現像処理が終わると、基板Ｗを
回転させて現像液を振り切るとともに、純水供給ノズル
５３が純水供給位置に移動して基板Ｗにリンス液として
の純水を純水供給系８により供給して、基板Ｗの表面を
洗浄する（ステップＳ７）。続いて、基板Ｗを高速回転
させて純水を振り切り、基板Ｗを乾燥させる（ステップ
Ｓ８）。このようにプリウェット、現像およびリンス洗
浄の全ての処理が終了すると、基板Ｗを本装置１から搬
出するために、基板Ｗは図示しない基板搬送ロボットに
よって搬出される。

【００４２】なお、本発明は上記の実施例に限らず次の
ように変形実施することができる。図５は第二の実施例
を示す概略構成図である。第一の実施例においては、純
水供給配管７に対して１つのノズルアーム５３を配置
し、開閉弁８２、９２の開閉制御により純水の供給切換
制御を行っているが、図４に示すように純水供給系８と
温調純水供給系９のそれぞれに対応してノズルアーム５
３ａ、５３ｂを配置する構成としてもよい。こうするこ
とにより非温調純水の供給から温調純水の供給への切り
換えにおいて、切り換えに関わる時間的ロスを無くせ
る。尚、他の構成は上述第一の実施例の構成と同じ為、
同じ記号を付与し説明は省略する。

【００４３】更に、上記実施例装置ではプリウェット処
理と洗浄処理に共通の純水供給機構５を用いたが、洗浄
処理には別途、異なる純水供給機構を用いるようにして
もよい。

【００４４】更に、上記実施例では基板表面を親水性に
するプリウェット処理に純水を用いたが、純水に代えて
現像液を希釈した溶液を冷却して用いてもよい。ただ
し、この場合は上述と同じように洗浄処理用に純水を供
給するノズルを別途設ける必要がある。

【００４５】更に、上記実施例ではパドル現像を例に採
って説明したが、基板を回転させながら基板表面に現像
液を供給して現像処理する、いわゆる回転現像処理にも
適用することができる。

【００４６】更に、温調純水供給系９における温調手段
９３はヒータ９３１を用いる構成としたが、以下のよう
に構成することもできる。配管９１に２重管構造のノズ
ルアームを備え、一番内側の内管に純水を流通させる管
であり、この内管の外側に温調水を流通させる外管があ
る。外管に温調水を循環流通させることにより、内管を
介して純水を温調するように構成する。

【００４７】更に、上記実施例ではプリウェット処理時
の純水供給を例に採って説明したが、本発明は化学増幅
型レジストの表面に反射防止膜が塗布されている場合に
も適用することができる。この反射防止膜は現像処理前
に基板表面に純水を供給することによって溶解除去され
るが、このときの反射防止膜を除去するのに使われる純
水による基板の温度変動を現像工程の直前にて一定にす
ることにより、現像後のパターンの線幅のバラツキを抑
制することができる。上記の実施例装置はこのような処
理にもそのまま適用可能である。

【００４８】更に、本発明は次のような場合にも適用す
ることができる。すなわち、洗浄された基板にレジスト
を塗布する工程において、純水洗浄を行った基板を常温
近傍の温度、例えば２３℃に温調した後、レジストコー
ティング工程に移行する場合がある。このような処理に
おいて本発明を適用することで基板の温度変動をレジス
トコーティング工程の直前にて制御することが可能とな
り品質の更なる向上が達成される。上記の実施例装置は
このような処理にもそのまま適用可能である。こうする
ことで、従来、常温近傍への基板の温調としてクールプ
レート等の冷却手段を介して基板を次工程に移行しなけ
ればならなかったが、本発明の基板処理装置における洗
浄工程から直接、次工程のレジストコーティング工程に
移行できることとなる。

【００４９】以上、本発明によれば次工程において基板
の熱履歴が管理される必要性がある場合に、前工程であ
る処理液による基板処理の終期において温調処理液を基
板に供給することで基板の熱履歴を容易に管理できる。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、保持された基板に処理液を塗布して処理する
工程を有する基板処理方法において、前記処理液による
処理工程は、少なくとも工程の終わりにおいて温調され
た処理液を供給することで基板温度を調整する工程とを
有し、前記温調処理液供給工程の後に、前記基板を次工
程へ移行することで、基板は常に所望の温度に設定され
る。したがって、仮に非温調の処理液を供給することに
より、基板温度が処理液の温度に影響され処理毎にバラ
ツキが生じても、温調処理液の供給により基板の熱履歴
が管理される。その結果、次工程に必要な状態で基板を
移行することができる。また、本発明によれば、水平に
保持された基板表面に処理液を供給する処理液供給手段
と、前記基板表面に前記処理液を温調して供給する温調
処理液供給手段と、前記処理液供給手段による処理液の
供給と前記温調処理液供給手段による温調された処理液
の供給とを切り換える切換手段とを備え、前記基板の処
理液による処理工程の少なくとも終わりにおいて前記温
調処理液供給手段により温調された処理液を供給するの
で、上記の発明方法を好適に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の第一の実施例に係る基板処理装
置の概略構成図である。

【図２】図２は図１に示す実施例装置の平面図である。

【図３】図３は第一実施例における動作を示すフローチ
ャートである。

【図４】図４は第二の実施例に係る基板処理装置の概略
構成図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ３ 回転保持手段 ４ 現像液供給機構 ５ 純水供給機構 ５1 純水供給ノズル ４３、５３ ノズルアーム ８１、９１ 配管 ８２、９２ 開閉弁 ９ 温調純水供給系 ９３ 温調手段 ９３１ ヒータ ９３２ 温度測定部 ９５ 制御部 Ｗ 基板 Ｐ１、Ｐ２ 回転中心

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】保持された基板に処理液を塗布して処理す
   る工程を有する基板処理方法において、 前記処理液による処理工程は、少なくとも工程の終わり
   において温調された処理液を供給することで基板温度を
   調整する工程と、を有し、前記温調処理液供給工程の後
   に、前記基板を次工程へ移行することを特徴とする基板
   処理方法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記温調処理液供給工程は、レジストが塗布された基板
   の現像処理に先立って行なわれることを特徴とする基板
   処理方法。
3. 【請求項３】請求項２に記載の基板処理方法において、
   前記レジストは、化学増幅型レジストである基板処理方
   法。
4. 【請求項４】水平に保持された基板表面に処理液を供給
   する処理液供給手段と、 前記基板表面に前記処理液を温調して供給する温調処理
   液供給手段と、 前記処理液供給手段による処理液の供給と前記温調処理
   液供給手段による温調された処理液の供給とを切り換え
   る切換手段と、を備え、前記基板の処理液による処理工
   程の少なくとも終わりにおいて前記温調処理液供給手段
   により温調された処理液を供給することを特徴とする基
   板処理装置。
5. 【請求項５】請求項４に記載の基板処理装置において、 前記処理液供給手段と前記温調処理液供給手段が合流し
   た下流側に共通の供給ノズルを有することを特徴とする
   基板処理装置。
6. 【請求項６】請求項４又は請求項５に記載の基板処理装
   置において、 前記基板に対して現像処理を施す現像液供給手段を備え
   ていることを特徴とする基板処理装置。