JPH11147065A - 基板処理方法および処理装置 - Google Patents
基板処理方法および処理装置Info
- Publication number
- JPH11147065A JPH11147065A JP33125597A JP33125597A JPH11147065A JP H11147065 A JPH11147065 A JP H11147065A JP 33125597 A JP33125597 A JP 33125597A JP 33125597 A JP33125597 A JP 33125597A JP H11147065 A JPH11147065 A JP H11147065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing liquid
- processing
- discharged
- discharge nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一の処理条件で処理を施すべき複数枚の基
板を一定の時間間隔で1枚ずつ処理する場合に、1枚目
の基板の表面へ吐出される処理液と2枚目以降の基板の
表面へ吐出される処理液との間で熱履歴に差を生じるこ
とを無くし、すべての基板の処理結果を均一にできる処
理方法を提供する。 【解決手段】 1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する
時点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時
間だけ前に、吐出ノズル40から処理液を吐出させて廃
棄する。
板を一定の時間間隔で1枚ずつ処理する場合に、1枚目
の基板の表面へ吐出される処理液と2枚目以降の基板の
表面へ吐出される処理液との間で熱履歴に差を生じるこ
とを無くし、すべての基板の処理結果を均一にできる処
理方法を提供する。 【解決手段】 1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する
時点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時
間だけ前に、吐出ノズル40から処理液を吐出させて廃
棄する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、スピンコータ
(回転式塗布装置)やスピンデベロッパ(回転式現像装
置)あるいは静止状態の基板に対して塗布液を塗布する
塗布装置などを使用し、半導体ウエハ、液晶表示装置用
あるいはフォトマスク用のガラス基板、光ディスク用基
板などの基板を水平姿勢に保持し塗布液や現像液などの
処理液を基板の表面へ供給して基板の処理を行う基板処
理方法、ならびに、スピンコータやスピンデベロッパな
どの基板処理装置に関する。
(回転式塗布装置)やスピンデベロッパ(回転式現像装
置)あるいは静止状態の基板に対して塗布液を塗布する
塗布装置などを使用し、半導体ウエハ、液晶表示装置用
あるいはフォトマスク用のガラス基板、光ディスク用基
板などの基板を水平姿勢に保持し塗布液や現像液などの
処理液を基板の表面へ供給して基板の処理を行う基板処
理方法、ならびに、スピンコータやスピンデベロッパな
どの基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体装置の製造工程において
基板(半導体ウエハ)の表面にフォトレジスト等の塗布
液を塗布する場合には、図2に要部の概略縦断面図を示
すような構成のスピンコータが使用される。このスピン
コータは、基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック
42を有し、スピンチャック42は、回転支軸44によ
り鉛直軸回りに回転自在に支持されており、回転支軸4
4に連結されたスピンモータ46によって鉛直軸回りに
回転させられる。スピンチャック42に保持された基板
Wの周囲には、それを取り囲むように上面が開口したカ
ップ48が配設されており、基板W上から周囲へ飛散す
る塗布液をカップ48内に集めるようにしている。この
カップ48は、図示しない昇降駆動機構によって昇降可
能に保持されており、基板Wの搬入および搬出の際には
下方へ移動し、塗布処理の際には上方へ移動するように
なっている。カップ48の内部には、基板Wの下方に整
流板50が固設されている。また、カップ48の内底部
には排液口52が形設され、その排液口52にドレン配
管54が連通接続されている。さらに、カップ48の内
部の底部付近に排気口56が開口しており、その排気口
56に排気ホース58が連通接続されている。
基板(半導体ウエハ)の表面にフォトレジスト等の塗布
液を塗布する場合には、図2に要部の概略縦断面図を示
すような構成のスピンコータが使用される。このスピン
コータは、基板Wを水平姿勢に保持するスピンチャック
42を有し、スピンチャック42は、回転支軸44によ
り鉛直軸回りに回転自在に支持されており、回転支軸4
4に連結されたスピンモータ46によって鉛直軸回りに
回転させられる。スピンチャック42に保持された基板
Wの周囲には、それを取り囲むように上面が開口したカ
ップ48が配設されており、基板W上から周囲へ飛散す
る塗布液をカップ48内に集めるようにしている。この
カップ48は、図示しない昇降駆動機構によって昇降可
能に保持されており、基板Wの搬入および搬出の際には
下方へ移動し、塗布処理の際には上方へ移動するように
なっている。カップ48の内部には、基板Wの下方に整
流板50が固設されている。また、カップ48の内底部
には排液口52が形設され、その排液口52にドレン配
管54が連通接続されている。さらに、カップ48の内
部の底部付近に排気口56が開口しており、その排気口
56に排気ホース58が連通接続されている。
【0003】カップ48の側方近傍には、塗布液供給ユ
ニット60が配設されている。塗布液供給ユニット60
は、先端部に吐出ノズル40を有するノズルアーム64
を支持部材66で片持ち式に支持して構成されている。
支持部材66は、図示しない昇降・回転駆動機構によっ
て昇降可能に保持されるとともに鉛直軸回りに回動可能
に保持されている。また、カップ48から少し離れた側
方には、上面に開口70を有する待機ポット68が配設
されている。そして、昇降・回転駆動機構によって支持
部材66を昇降および回動させることにより、吐出ノズ
ル40が、スピンチャック42に保持された基板Wの上
方の塗布液吐出位置(実線で示した位置)と待機ポット
68内部に差し込まれた待機位置(二点鎖線で示した位
置)との間で移動させられるようになっている。
ニット60が配設されている。塗布液供給ユニット60
は、先端部に吐出ノズル40を有するノズルアーム64
を支持部材66で片持ち式に支持して構成されている。
支持部材66は、図示しない昇降・回転駆動機構によっ
て昇降可能に保持されるとともに鉛直軸回りに回動可能
に保持されている。また、カップ48から少し離れた側
方には、上面に開口70を有する待機ポット68が配設
されている。そして、昇降・回転駆動機構によって支持
部材66を昇降および回動させることにより、吐出ノズ
ル40が、スピンチャック42に保持された基板Wの上
方の塗布液吐出位置(実線で示した位置)と待機ポット
68内部に差し込まれた待機位置(二点鎖線で示した位
置)との間で移動させられるようになっている。
【0004】吐出ノズル40は、図3にノズルアーム6
4の一部の内部構造を縦断面図で示すように、塗布液供
給チューブ38に連通接続されており、塗布液供給チュ
ーブ38は、図示していないが貯留タンク内に収容され
た塗布液を送り出すベローズポンプに流路接続されてい
る。また、塗布液供給チューブ38は、温調チューブ7
4の内部に挿通されており、塗布液供給チューブ38の
外周面と温調チューブ74の内周面との間に、塗布液の
温度を一定に保つための恒温水の流路76が形成されて
いる。さらに、温調チューブ74は、金属パイプ78の
内部に挿通されており、温調チューブ74の外周面と金
属パイプ78の内周面との間に、恒温水の戻り流路80
が形成されている。そして、温調チューブ74によって
形成される恒温水流路76は、図示しない恒温水供給源
に流路接続されており、恒温水は、恒温水供給源から温
調チューブ74内へ供給され、恒温水流路76を通って
先端の吐出ノズル40の方向へ流れる間に塗布液供給チ
ューブ38内の塗布液を、その温度が一定に保たれるよ
うに保温した後、吐出ノズル40の直前で反転して恒温
水流路76から戻り流路80へ入り、戻り流路80内を
通って回収されるようになっている。
4の一部の内部構造を縦断面図で示すように、塗布液供
給チューブ38に連通接続されており、塗布液供給チュ
ーブ38は、図示していないが貯留タンク内に収容され
た塗布液を送り出すベローズポンプに流路接続されてい
る。また、塗布液供給チューブ38は、温調チューブ7
4の内部に挿通されており、塗布液供給チューブ38の
外周面と温調チューブ74の内周面との間に、塗布液の
温度を一定に保つための恒温水の流路76が形成されて
いる。さらに、温調チューブ74は、金属パイプ78の
内部に挿通されており、温調チューブ74の外周面と金
属パイプ78の内周面との間に、恒温水の戻り流路80
が形成されている。そして、温調チューブ74によって
形成される恒温水流路76は、図示しない恒温水供給源
に流路接続されており、恒温水は、恒温水供給源から温
調チューブ74内へ供給され、恒温水流路76を通って
先端の吐出ノズル40の方向へ流れる間に塗布液供給チ
ューブ38内の塗布液を、その温度が一定に保たれるよ
うに保温した後、吐出ノズル40の直前で反転して恒温
水流路76から戻り流路80へ入り、戻り流路80内を
通って回収されるようになっている。
【0005】上記したようなスピンコータを使用して基
板の表面に塗布液を塗布する場合には、カップ48を下
降させた状態で、図示しない基板搬送ロボットにより搬
送された基板Wをスピンチャック42上に載置して吸着
保持させ、その後に、カップ48を上昇させ、吐出ノズ
ル40を待機ポット68内の待機位置から基板Wの上方
の塗布液吐出位置へ移動させる。そして、スピンモータ
46によってスピンチャック42を回転させ、スピンチ
ャック42に保持されて回転している基板Wの表面へ吐
出ノズル40から塗布液を吐出して、基板Wの表面に塗
布液を塗布する。この際、一般には、最初は基板Wを低
速、例えば900rpm程度の回転数で回転させ、この
間に基板Wの表面の回転中心位置へ所定温度に温度調節
された塗布液を吐出し、塗布液が基板Wの全面に拡がっ
た後に塗布液の吐出を停止し、続いて基板Wを高速、例
えば3,000rpm程度の回転数で回転させ、これに
より、基板Wの表面上から余分な塗布液を飛散させて、
基板Wの表面を覆う塗布液の被膜を所定の厚みにし、そ
の後に基板の回転を停止させる。以上の操作により、基
板Wの表面に所望の厚みの塗布膜(レジスト被膜)が形
成される。
板の表面に塗布液を塗布する場合には、カップ48を下
降させた状態で、図示しない基板搬送ロボットにより搬
送された基板Wをスピンチャック42上に載置して吸着
保持させ、その後に、カップ48を上昇させ、吐出ノズ
ル40を待機ポット68内の待機位置から基板Wの上方
の塗布液吐出位置へ移動させる。そして、スピンモータ
46によってスピンチャック42を回転させ、スピンチ
ャック42に保持されて回転している基板Wの表面へ吐
出ノズル40から塗布液を吐出して、基板Wの表面に塗
布液を塗布する。この際、一般には、最初は基板Wを低
速、例えば900rpm程度の回転数で回転させ、この
間に基板Wの表面の回転中心位置へ所定温度に温度調節
された塗布液を吐出し、塗布液が基板Wの全面に拡がっ
た後に塗布液の吐出を停止し、続いて基板Wを高速、例
えば3,000rpm程度の回転数で回転させ、これに
より、基板Wの表面上から余分な塗布液を飛散させて、
基板Wの表面を覆う塗布液の被膜を所定の厚みにし、そ
の後に基板の回転を停止させる。以上の操作により、基
板Wの表面に所望の厚みの塗布膜(レジスト被膜)が形
成される。
【0006】また、塗布液供給ユニット60の吐出ノズ
ル40から基板Wの表面へ塗布液を吐出する場合、塗布
液、例えばフォトレジストは揮発性を有するため、待機
ポット68内に吐出ノズル40が長時間置かれると、吐
出ノズル40内部に溜っている塗布液が固化したり特性
変化を起こしたりする。このような塗布液をそのまま吐
出ノズル40から基板Wの表面へ吐出して使用すると、
基板Wの表面に形成される塗布膜の品質不良を生じる原
因となる。そこで、待機ポット68内に吐出ノズル40
を所定時間以上置いた場合には、例えば特公平7−60
786号公報等に開示されているように、基板への塗布
処理を行う前に、吐出ノズル40を待機ポット68内に
挿入した状態で吐出ノズル40から少量の塗布液を吐出
させて廃棄する操作(以下、「プリディスペンス」とい
う)が行われている。
ル40から基板Wの表面へ塗布液を吐出する場合、塗布
液、例えばフォトレジストは揮発性を有するため、待機
ポット68内に吐出ノズル40が長時間置かれると、吐
出ノズル40内部に溜っている塗布液が固化したり特性
変化を起こしたりする。このような塗布液をそのまま吐
出ノズル40から基板Wの表面へ吐出して使用すると、
基板Wの表面に形成される塗布膜の品質不良を生じる原
因となる。そこで、待機ポット68内に吐出ノズル40
を所定時間以上置いた場合には、例えば特公平7−60
786号公報等に開示されているように、基板への塗布
処理を行う前に、吐出ノズル40を待機ポット68内に
挿入した状態で吐出ノズル40から少量の塗布液を吐出
させて廃棄する操作(以下、「プリディスペンス」とい
う)が行われている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うに塗布液は、ノズルアーム64の塗布液供給チューブ
38内を通って吐出ノズル40へ供給される間に、恒温
水により所定の温度に調節され、吐出ノズル40からは
所定温度に調節された塗布液が吐出される。この場合、
吐出ノズル40自体は、装置構成上の問題から温度調節
機能を有していないため、吐出ノズル40を通って基板
W上へ吐出される塗布液は、一旦は所定温度に調節され
た後吐出ノズル40の内部に貯留されて待機位置で待機
している間に周囲の雰囲気温度の影響を受けて所定温度
から外れた塗布液(以下、「貯留塗布液」という)と、
ノズルアーム64の塗布液チューブ38内を通過する間
に所定温度に調節されたそのままの塗布液(以下、「温
調塗布液」という)とが混合した塗布液である。
うに塗布液は、ノズルアーム64の塗布液供給チューブ
38内を通って吐出ノズル40へ供給される間に、恒温
水により所定の温度に調節され、吐出ノズル40からは
所定温度に調節された塗布液が吐出される。この場合、
吐出ノズル40自体は、装置構成上の問題から温度調節
機能を有していないため、吐出ノズル40を通って基板
W上へ吐出される塗布液は、一旦は所定温度に調節され
た後吐出ノズル40の内部に貯留されて待機位置で待機
している間に周囲の雰囲気温度の影響を受けて所定温度
から外れた塗布液(以下、「貯留塗布液」という)と、
ノズルアーム64の塗布液チューブ38内を通過する間
に所定温度に調節されたそのままの塗布液(以下、「温
調塗布液」という)とが混合した塗布液である。
【0008】ここで、上記したスピンコータを用いた基
板への塗布処理操作では、同様の処理を施すべき同一ロ
ットの複数枚の基板を一定の時間間隔で順次枚葉処理し
ていく。このように一定の時間間隔で基板を1枚ずつ塗
布処理するため、吐出ノズル40から1枚目の基板の表
面へ塗布液を吐出した時点から2枚目の基板の表面へ塗
布液を吐出する時点までの時間と、2枚目の基板の表面
へ塗布液を吐出した時点から3枚目の基板の表面へ塗布
液を吐出する時点までの時間とは等しく、2枚目の基板
の表面へ塗布液を吐出した時点から3枚目の基板の表面
へ塗布液を吐出する時点までの時間と、3枚目の基板の
表面へ塗布液を吐出した時点から4枚目の基板の表面へ
塗布液を吐出する時点までの時間とは等しいというよう
に、n枚目の基板の表面へ塗布液を吐出した時点から
(n+1)枚目の基板の表面へ塗布液を吐出する時点ま
での時間はすべて等しくなる。したがって、2枚目以降
の基板の表面へ吐出ノズル40から吐出される塗布液の
うちの貯留塗布液は、吐出ノズル40の周囲の雰囲気温
度が変わらない限り温度変化の状態(熱履歴)が常に等
しくなり、一方、温調塗布液は、所定温度に調節されて
いるので、2枚目以降の基板の表面へ吐出ノズル40か
ら吐出される塗布液の熱履歴は常に等しくなる。このた
め、n枚目(n≠1)の基板の塗布処理と(n+1)枚
目の基板の塗布処理とを比較した場合、膜厚均一性や平
均膜厚といった処理結果に差を生じないこになる。
板への塗布処理操作では、同様の処理を施すべき同一ロ
ットの複数枚の基板を一定の時間間隔で順次枚葉処理し
ていく。このように一定の時間間隔で基板を1枚ずつ塗
布処理するため、吐出ノズル40から1枚目の基板の表
面へ塗布液を吐出した時点から2枚目の基板の表面へ塗
布液を吐出する時点までの時間と、2枚目の基板の表面
へ塗布液を吐出した時点から3枚目の基板の表面へ塗布
液を吐出する時点までの時間とは等しく、2枚目の基板
の表面へ塗布液を吐出した時点から3枚目の基板の表面
へ塗布液を吐出する時点までの時間と、3枚目の基板の
表面へ塗布液を吐出した時点から4枚目の基板の表面へ
塗布液を吐出する時点までの時間とは等しいというよう
に、n枚目の基板の表面へ塗布液を吐出した時点から
(n+1)枚目の基板の表面へ塗布液を吐出する時点ま
での時間はすべて等しくなる。したがって、2枚目以降
の基板の表面へ吐出ノズル40から吐出される塗布液の
うちの貯留塗布液は、吐出ノズル40の周囲の雰囲気温
度が変わらない限り温度変化の状態(熱履歴)が常に等
しくなり、一方、温調塗布液は、所定温度に調節されて
いるので、2枚目以降の基板の表面へ吐出ノズル40か
ら吐出される塗布液の熱履歴は常に等しくなる。このた
め、n枚目(n≠1)の基板の塗布処理と(n+1)枚
目の基板の塗布処理とを比較した場合、膜厚均一性や平
均膜厚といった処理結果に差を生じないこになる。
【0009】一方、1枚目の基板の表面へ吐出ノズル4
0から吐出される塗布液のうちの貯留塗布液の熱履歴
は、2枚目以降の基板の表面へ吐出ノズル40から吐出
される塗布液のうちの貯留塗布液の熱履歴とは異なる。
すなわち、ロットの1枚目の基板を塗布処理する以前
に、長時間にわたって塗布処理操作が行われていなかっ
たような場合には特に、当該貯留塗布液は、調節された
所定温度から徐々に外れて周囲の雰囲気温度(室温)に
近付いていくため、2枚目以降の基板の表面へ吐出ノズ
ル40から吐出される塗布液のうちの貯留塗布液とは異
なる熱履歴を持つことになり、したがって、1枚目の基
板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴は、2枚目以降の
基板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴と相違すること
になる。このため、1枚目の基板の塗布処理と2枚目以
降の基板の塗布処理とを比較すると、膜厚均一性や平均
膜厚といった処理結果に差を生じることになる。
0から吐出される塗布液のうちの貯留塗布液の熱履歴
は、2枚目以降の基板の表面へ吐出ノズル40から吐出
される塗布液のうちの貯留塗布液の熱履歴とは異なる。
すなわち、ロットの1枚目の基板を塗布処理する以前
に、長時間にわたって塗布処理操作が行われていなかっ
たような場合には特に、当該貯留塗布液は、調節された
所定温度から徐々に外れて周囲の雰囲気温度(室温)に
近付いていくため、2枚目以降の基板の表面へ吐出ノズ
ル40から吐出される塗布液のうちの貯留塗布液とは異
なる熱履歴を持つことになり、したがって、1枚目の基
板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴は、2枚目以降の
基板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴と相違すること
になる。このため、1枚目の基板の塗布処理と2枚目以
降の基板の塗布処理とを比較すると、膜厚均一性や平均
膜厚といった処理結果に差を生じることになる。
【0010】しかも、近年、パターンの微細化等に伴っ
てレジスト材料の価格が高騰していることから半導体装
置の製造コストの低減を図るために、また、いわゆるエ
コロジーの立場から、フォトレジストの使用量を少なく
する試みが活発化しており、このため、塗布液のうちの
温調塗布液量に対する貯留塗布液量の比が従来に比べて
大きくなっている。この結果、1枚目の基板の表面へ吐
出される塗布液の熱履歴と2枚目以降の基板の表面へ吐
出される塗布液の熱履歴との差がより顕著になってきて
いる。
てレジスト材料の価格が高騰していることから半導体装
置の製造コストの低減を図るために、また、いわゆるエ
コロジーの立場から、フォトレジストの使用量を少なく
する試みが活発化しており、このため、塗布液のうちの
温調塗布液量に対する貯留塗布液量の比が従来に比べて
大きくなっている。この結果、1枚目の基板の表面へ吐
出される塗布液の熱履歴と2枚目以降の基板の表面へ吐
出される塗布液の熱履歴との差がより顕著になってきて
いる。
【0011】そこで、処理しようとする基板のロットが
変わるごとに、1枚目の基板を処理する前に上述したプ
リディスペンスを行うことが考えられる。このようにす
れば、1枚目の基板の表面へ吐出ノズル40から吐出さ
れる塗布液の熱履歴と2枚目以降の基板の表面へ吐出さ
れる塗布液の熱履歴との差を小さくすることができる。
しかしながら、プリディスペンスを行ったからといっ
て、1枚目の基板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴と
2枚目以降の基板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴と
が常に等しくなるとは言えず、このため、1枚目の基板
と2枚目以降の基板との間ではやはり、膜厚均一性や平
均膜厚といった処理結果に差を生じることになる。
変わるごとに、1枚目の基板を処理する前に上述したプ
リディスペンスを行うことが考えられる。このようにす
れば、1枚目の基板の表面へ吐出ノズル40から吐出さ
れる塗布液の熱履歴と2枚目以降の基板の表面へ吐出さ
れる塗布液の熱履歴との差を小さくすることができる。
しかしながら、プリディスペンスを行ったからといっ
て、1枚目の基板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴と
2枚目以降の基板の表面へ吐出される塗布液の熱履歴と
が常に等しくなるとは言えず、このため、1枚目の基板
と2枚目以降の基板との間ではやはり、膜厚均一性や平
均膜厚といった処理結果に差を生じることになる。
【0012】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、同一の処理条件で処理を施すべき複
数枚の基板を一定の時間間隔で1枚ずつ処理する場合
に、1枚目の基板の表面へ吐出される処理液と2枚目以
降の基板の表面へ吐出される処理液との間でそれぞれの
熱履歴に差を生じることを無くして、1枚目の基板の処
理結果と2枚目以降の基板の処理結果とに差を生じさせ
ないようにすることができる基板処理方法を提供するこ
と、ならびに、その処理方法を好適に実施することがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。
されたものであり、同一の処理条件で処理を施すべき複
数枚の基板を一定の時間間隔で1枚ずつ処理する場合
に、1枚目の基板の表面へ吐出される処理液と2枚目以
降の基板の表面へ吐出される処理液との間でそれぞれの
熱履歴に差を生じることを無くして、1枚目の基板の処
理結果と2枚目以降の基板の処理結果とに差を生じさせ
ないようにすることができる基板処理方法を提供するこ
と、ならびに、その処理方法を好適に実施することがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板を1枚ずつ水平姿勢に保持し処理液吐出ノズルから
基板の表面へ処理液を吐出して基板に対し所定の処理を
施し、この工程を一定の時間間隔で繰り返す基板処理方
法において、1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時
点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時間
だけ前に、前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させ
て廃棄することを特徴とする。
基板を1枚ずつ水平姿勢に保持し処理液吐出ノズルから
基板の表面へ処理液を吐出して基板に対し所定の処理を
施し、この工程を一定の時間間隔で繰り返す基板処理方
法において、1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時
点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時間
だけ前に、前記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させ
て廃棄することを特徴とする。
【0014】請求項2に係る発明は、請求項1記載の処
理方法において、1枚目の基板の表面へ処理液を吐出す
る前に処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄される処理
液の量を、処理液吐出ノズルから基板の表面へ吐出され
る処理液の量と同等にすることを特徴とする。
理方法において、1枚目の基板の表面へ処理液を吐出す
る前に処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄される処理
液の量を、処理液吐出ノズルから基板の表面へ吐出され
る処理液の量と同等にすることを特徴とする。
【0015】請求項3に係る発明は、基板を水平姿勢に
保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保
持された基板の表面へ処理液を吐出する処理液吐出ノズ
ルと、この処理液吐出ノズルへ処理液を供給する処理液
供給手段と、この処理液供給手段によって前記処理液吐
出ノズルへ供給される処理液の温度を所定温度に調節す
る処理液温調手段と、前記処理液吐出ノズルを、前記基
板保持手段によって保持された基板の上方の処理液吐出
位置と基板の上方から外れた待機位置との間で移動させ
るノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、複
数枚の基板を1枚ずつ一定の時間間隔で連続して処理す
る場合において1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する
時点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時
間だけ前に、前記待機位置に停止した前記処理液吐出ノ
ズルへ処理液を供給して処理液吐出ノズルから処理液を
吐出させて廃棄するように、前記処理液供給手段を制御
する制御手段を設けたことを特徴とする。
保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保
持された基板の表面へ処理液を吐出する処理液吐出ノズ
ルと、この処理液吐出ノズルへ処理液を供給する処理液
供給手段と、この処理液供給手段によって前記処理液吐
出ノズルへ供給される処理液の温度を所定温度に調節す
る処理液温調手段と、前記処理液吐出ノズルを、前記基
板保持手段によって保持された基板の上方の処理液吐出
位置と基板の上方から外れた待機位置との間で移動させ
るノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、複
数枚の基板を1枚ずつ一定の時間間隔で連続して処理す
る場合において1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する
時点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時
間だけ前に、前記待機位置に停止した前記処理液吐出ノ
ズルへ処理液を供給して処理液吐出ノズルから処理液を
吐出させて廃棄するように、前記処理液供給手段を制御
する制御手段を設けたことを特徴とする。
【0016】請求項4に係る発明は、請求項3記載の処
理装置において、1枚目の基板の表面へ処理液を吐出す
る前に処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄される処理
液の量が、処理液吐出ノズルから基板の表面へ吐出され
る処理液の量と同等になるように、制御手段により処理
液供給手段を制御することを特徴とする。
理装置において、1枚目の基板の表面へ処理液を吐出す
る前に処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄される処理
液の量が、処理液吐出ノズルから基板の表面へ吐出され
る処理液の量と同等になるように、制御手段により処理
液供給手段を制御することを特徴とする。
【0017】請求項1に係る発明の基板処理方法では、
基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時間、すな
わち、処理液吐出ノズルからn枚目の基板の表面へ処理
液を吐出した時点から(n+1)枚目の基板の表面へ処
理液を吐出する時点までの時間だけ、1枚目の基板の表
面へ処理液を吐出する時点より前に、処理液吐出ノズル
から処理液を吐出させるので、その処理液吐出時点から
1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時点までにおけ
る処理液吐出ノズル内部の貯留処理液の熱履歴と、n枚
目の基板の表面への処理液吐出時点から(n+1)枚目
の基板の表面への処理液吐出時点までにおける処理液吐
出ノズル内部の貯留処理液の熱履歴とが等しくなる。し
たがって、1枚目の基板の表面へ吐出される処理液と2
枚目以降の基板の表面へ吐出される処理液との間で、そ
れぞれの熱履歴に差を生じない。
基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する時間、すな
わち、処理液吐出ノズルからn枚目の基板の表面へ処理
液を吐出した時点から(n+1)枚目の基板の表面へ処
理液を吐出する時点までの時間だけ、1枚目の基板の表
面へ処理液を吐出する時点より前に、処理液吐出ノズル
から処理液を吐出させるので、その処理液吐出時点から
1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時点までにおけ
る処理液吐出ノズル内部の貯留処理液の熱履歴と、n枚
目の基板の表面への処理液吐出時点から(n+1)枚目
の基板の表面への処理液吐出時点までにおける処理液吐
出ノズル内部の貯留処理液の熱履歴とが等しくなる。し
たがって、1枚目の基板の表面へ吐出される処理液と2
枚目以降の基板の表面へ吐出される処理液との間で、そ
れぞれの熱履歴に差を生じない。
【0018】請求項2に係る発明の処理方法では、1枚
目の基板の表面へ処理液を吐出する前に、処理液吐出ノ
ズルから基板の表面へ吐出される処理液の量と同等の処
理液が処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄されるの
で、1枚目の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と
2枚目以降の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と
の差がより完全に無くなる。
目の基板の表面へ処理液を吐出する前に、処理液吐出ノ
ズルから基板の表面へ吐出される処理液の量と同等の処
理液が処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄されるの
で、1枚目の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と
2枚目以降の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と
の差がより完全に無くなる。
【0019】請求項3に係る発明の基板処理装置を使用
して基板の処理を行うときは、処理液吐出ノズルへ処理
液を供給する処理液供給手段が制御手段によって制御さ
れることにより、基板の表面への処理液の吐出間隔に相
当する時間、すなわち、処理液吐出ノズルからn枚目の
基板の表面へ処理液を吐出した時点から(n+1)枚目
の基板の表面へ処理液を吐出する時点までの時間だけ、
1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時点より前に、
処理液吐出ノズルから処理液が吐出される。このため、
その処理液吐出時点から1枚目の基板の表面へ処理液を
吐出する時点までにおける処理液吐出ノズル内部の貯留
処理液の熱履歴と、n枚目の基板の表面への処理液吐出
時点から(n+1)枚目の基板の表面への処理液吐出時
点までにおける処理液吐出ノズル内部の貯留処理液の熱
履歴とが等しくなる。したがって、1枚目の基板の表面
へ吐出される処理液と2枚目以降の基板の表面へ吐出さ
れる処理液との間で、それぞれの熱履歴に差を生じな
い。
して基板の処理を行うときは、処理液吐出ノズルへ処理
液を供給する処理液供給手段が制御手段によって制御さ
れることにより、基板の表面への処理液の吐出間隔に相
当する時間、すなわち、処理液吐出ノズルからn枚目の
基板の表面へ処理液を吐出した時点から(n+1)枚目
の基板の表面へ処理液を吐出する時点までの時間だけ、
1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時点より前に、
処理液吐出ノズルから処理液が吐出される。このため、
その処理液吐出時点から1枚目の基板の表面へ処理液を
吐出する時点までにおける処理液吐出ノズル内部の貯留
処理液の熱履歴と、n枚目の基板の表面への処理液吐出
時点から(n+1)枚目の基板の表面への処理液吐出時
点までにおける処理液吐出ノズル内部の貯留処理液の熱
履歴とが等しくなる。したがって、1枚目の基板の表面
へ吐出される処理液と2枚目以降の基板の表面へ吐出さ
れる処理液との間で、それぞれの熱履歴に差を生じな
い。
【0020】請求項4に係る発明の処理装置では、制御
手段により処理液供給手段が制御されて、1枚目の基板
の表面へ処理液を吐出する前に、処理液吐出ノズルから
基板の表面へ吐出される処理液の量と同等の処理液が処
理液吐出ノズルから吐出されて廃棄されるので、1枚目
の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と2枚目以降
の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴との差がより
完全に無くなる。
手段により処理液供給手段が制御されて、1枚目の基板
の表面へ処理液を吐出する前に、処理液吐出ノズルから
基板の表面へ吐出される処理液の量と同等の処理液が処
理液吐出ノズルから吐出されて廃棄されるので、1枚目
の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と2枚目以降
の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴との差がより
完全に無くなる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1を参照しながら説明する。
について図1を参照しながら説明する。
【0022】図1は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される基板処理装置、この例ではスピン
コータを備えた塗布処理部Zを含む基板処理装置の構成
の1例を示す図である。基板処理装置は、図2に示した
ような上記構成のスピンコータを備えた塗布処理部Zの
ほか、複数枚の基板を収納可能であるカセットが複数個
載置され、処理しようとする基板をカセットから1枚ず
つ取り出して供給するとともにすべての処理を終えた基
板を受け取ってカセットに収納するカセットステージ
S、ホットプレートを備え基板を加熱処理する加熱処理
部H、クールプレートを備え加熱処理によって温度上昇
した基板を冷却処理する冷却処理部C、スピンデベロッ
パを備え露光処理後の基板を現像処理する現像処理部
D、ならびに、基板搬送ロボットを備えカセットステー
ジSおよび各基板処理部間で基板の搬送を行う基板搬送
部Tから構成されている。図1に示す本実施の形態にお
ける塗布処理部Zに備えられたスピンコータにおいて、
図2に示した従来のスピンコータと同一の構成部分につ
いては、同一の符号を付すこととし、その説明を省略す
る。そして、塗布処理部を始め、カセットステージS、
加熱処理部H、冷却処理部C、現像処理部Dおよび搬送
部Tにおける処理を統括制御するために、メインコント
ローラ10が設けられている。また、各基板処理部にお
ける基板処理時間、基板が各基板処理部間を搬送される
ときのそれぞれの処理部間搬送所要時間、基板の処理プ
ログラムなどの入力や設定は、キーボード12およびデ
ィスプレイ14を用いて行われ、入力されたデータや設
定された処理プログラムなどはメモリ16に記憶される
ように構成されている。塗布処理における塗布液の吐出
操作に関して言えば、基板の表面への塗布液の吐出量の
設定や基板の表面への塗布液の吐出間隔などの処理条件
が、キーボード12やディスプレイ14を用いて入力設
定され、メモリ16に記憶される。
施するのに使用される基板処理装置、この例ではスピン
コータを備えた塗布処理部Zを含む基板処理装置の構成
の1例を示す図である。基板処理装置は、図2に示した
ような上記構成のスピンコータを備えた塗布処理部Zの
ほか、複数枚の基板を収納可能であるカセットが複数個
載置され、処理しようとする基板をカセットから1枚ず
つ取り出して供給するとともにすべての処理を終えた基
板を受け取ってカセットに収納するカセットステージ
S、ホットプレートを備え基板を加熱処理する加熱処理
部H、クールプレートを備え加熱処理によって温度上昇
した基板を冷却処理する冷却処理部C、スピンデベロッ
パを備え露光処理後の基板を現像処理する現像処理部
D、ならびに、基板搬送ロボットを備えカセットステー
ジSおよび各基板処理部間で基板の搬送を行う基板搬送
部Tから構成されている。図1に示す本実施の形態にお
ける塗布処理部Zに備えられたスピンコータにおいて、
図2に示した従来のスピンコータと同一の構成部分につ
いては、同一の符号を付すこととし、その説明を省略す
る。そして、塗布処理部を始め、カセットステージS、
加熱処理部H、冷却処理部C、現像処理部Dおよび搬送
部Tにおける処理を統括制御するために、メインコント
ローラ10が設けられている。また、各基板処理部にお
ける基板処理時間、基板が各基板処理部間を搬送される
ときのそれぞれの処理部間搬送所要時間、基板の処理プ
ログラムなどの入力や設定は、キーボード12およびデ
ィスプレイ14を用いて行われ、入力されたデータや設
定された処理プログラムなどはメモリ16に記憶される
ように構成されている。塗布処理における塗布液の吐出
操作に関して言えば、基板の表面への塗布液の吐出量の
設定や基板の表面への塗布液の吐出間隔などの処理条件
が、キーボード12やディスプレイ14を用いて入力設
定され、メモリ16に記憶される。
【0023】図2に示したような構成のスピンコータに
よる処理動作を制御する塗布処理制御部18は、処理タ
イミング制御手段20、基板搬出入制御手段22、ノズ
ル移動制御手段24、スピンモータ制御手段26および
ポンプ制御手段28などを備えている。これらの各制御
手段20〜28は、それぞれCPUおよびメモリを備え
て回路構成されている。このほか、塗布処理制御部18
は、プリディスペンスタイミング演算手段30を備えて
いる。なお、プリディスペンスタイミング演算手段30
を塗布処理制御部18ではなくメインコントローラ10
に設けるようにしてもよい。
よる処理動作を制御する塗布処理制御部18は、処理タ
イミング制御手段20、基板搬出入制御手段22、ノズ
ル移動制御手段24、スピンモータ制御手段26および
ポンプ制御手段28などを備えている。これらの各制御
手段20〜28は、それぞれCPUおよびメモリを備え
て回路構成されている。このほか、塗布処理制御部18
は、プリディスペンスタイミング演算手段30を備えて
いる。なお、プリディスペンスタイミング演算手段30
を塗布処理制御部18ではなくメインコントローラ10
に設けるようにしてもよい。
【0024】塗布処理制御部18の各制御手段20〜2
8は、メインコントローラ10からスピンコータでの処
理の指示を受けて、それぞれの駆動部の制御を行う。す
なわち、メインコントローラからスピンコータでの処理
が指示されると、処理タイミング制御手段20は、メイ
ンコントローラ10から供給される処理条件(レシピ)
を保持し、それぞれの処理条件に従って処理のタイミン
グを各制御手段22〜28へ指示する。まず、基板搬出
入制御手段22は、処理タイミング制御手段20から指
示されるタイミングに従って、基板搬送部Tの基板搬送
ロボット(図示せず)の動作と連係し、カップ48の昇
降駆動機構(図示せず)やスピンチャック42の吸着動
作などを制御して、基板Wの搬入、スピンチャック42
上への載置および搬出を行わせる。次に、ノズル移動制
御手段24は、処理タイミング制御手段20から指示さ
れる処理タイミングに従って、支持部材66の昇降・回
転駆動機構(図示せず)を制御することにより、吐出ノ
ズル40を、待機ポット68内の待機位置からスピンチ
ャック42上の基板Wの上方の塗布液吐出位置へ移動さ
せ、また、塗布液吐出位置から待機位置へ移動させる。
また、スピンモータ制御手段26は、処理タイミング制
御手段20から指示されるタイミングに従って、スピン
モータ46の駆動を制御することにより、スピンチャッ
ク42によって保持された基板Wを低速回転させ、高速
回転させ、また回転停止させる。さらに、ポンプ制御手
段28は、処理タイミング制御手段20から指示される
タイミングに従って、ベローズポンプ32の駆動、非駆
動および駆動量を制御することにより、貯留タンク34
内に収容された塗布液36を、塗布液供給チューブ38
を通って吐出ノズル40へ供給し、吐出ノズル40から
基板Wの表面へ所定のタイミングで所定量の塗布液を吐
出させる。以上のようなスピンコータによる処理動作
は、従来の装置と同様にして行われる。
8は、メインコントローラ10からスピンコータでの処
理の指示を受けて、それぞれの駆動部の制御を行う。す
なわち、メインコントローラからスピンコータでの処理
が指示されると、処理タイミング制御手段20は、メイ
ンコントローラ10から供給される処理条件(レシピ)
を保持し、それぞれの処理条件に従って処理のタイミン
グを各制御手段22〜28へ指示する。まず、基板搬出
入制御手段22は、処理タイミング制御手段20から指
示されるタイミングに従って、基板搬送部Tの基板搬送
ロボット(図示せず)の動作と連係し、カップ48の昇
降駆動機構(図示せず)やスピンチャック42の吸着動
作などを制御して、基板Wの搬入、スピンチャック42
上への載置および搬出を行わせる。次に、ノズル移動制
御手段24は、処理タイミング制御手段20から指示さ
れる処理タイミングに従って、支持部材66の昇降・回
転駆動機構(図示せず)を制御することにより、吐出ノ
ズル40を、待機ポット68内の待機位置からスピンチ
ャック42上の基板Wの上方の塗布液吐出位置へ移動さ
せ、また、塗布液吐出位置から待機位置へ移動させる。
また、スピンモータ制御手段26は、処理タイミング制
御手段20から指示されるタイミングに従って、スピン
モータ46の駆動を制御することにより、スピンチャッ
ク42によって保持された基板Wを低速回転させ、高速
回転させ、また回転停止させる。さらに、ポンプ制御手
段28は、処理タイミング制御手段20から指示される
タイミングに従って、ベローズポンプ32の駆動、非駆
動および駆動量を制御することにより、貯留タンク34
内に収容された塗布液36を、塗布液供給チューブ38
を通って吐出ノズル40へ供給し、吐出ノズル40から
基板Wの表面へ所定のタイミングで所定量の塗布液を吐
出させる。以上のようなスピンコータによる処理動作
は、従来の装置と同様にして行われる。
【0025】この発明に係る処理方法では、同一の処理
を施すべき同一ロットの複数枚の基板を一定の時間間隔
で1枚ずつ塗布処理する場合に、1枚目の基板Wの表面
へ塗布液を吐出する時点より基板Wの表面への塗布液の
吐出間隔に相当する時間だけ前に、待機ポット68内の
待機位置にある吐出ノズル40から塗布液を吐出させて
廃棄するプリディスペンスを行うようにする。このため
に、プリディスペンスタイミング演算手段30が塗布処
理制御部18に設けられている。そして、この演算手段
30において、キーボード12により入力設定されメイ
ンコントローラ10から送られてくる塗布液の吐出間隔
に関するデータに基づいてプリディスペンスのタイミン
グが演算され、その演算結果がメモリ16に記憶され
る。
を施すべき同一ロットの複数枚の基板を一定の時間間隔
で1枚ずつ塗布処理する場合に、1枚目の基板Wの表面
へ塗布液を吐出する時点より基板Wの表面への塗布液の
吐出間隔に相当する時間だけ前に、待機ポット68内の
待機位置にある吐出ノズル40から塗布液を吐出させて
廃棄するプリディスペンスを行うようにする。このため
に、プリディスペンスタイミング演算手段30が塗布処
理制御部18に設けられている。そして、この演算手段
30において、キーボード12により入力設定されメイ
ンコントローラ10から送られてくる塗布液の吐出間隔
に関するデータに基づいてプリディスペンスのタイミン
グが演算され、その演算結果がメモリ16に記憶され
る。
【0026】図1に示した基板処理装置において、同一
の処理を施すべき同一ロットの複数枚の基板の処理が開
始されると、1枚目の基板が塗布処理部のスピンコータ
へ搬入されてくる以前に、例えば1枚目の基板がまだ冷
却処理部Cで冷却処理されている時に、あるいは、1枚
目の基板が基板搬送部Tの基板搬送ロボットにより塗布
処理部に向かって搬送されている時に、塗布処理制御部
18がメインコントローラ10からの指示を受け、処理
タイミング制御手段20から指示されるタイミングに従
ってポンプ制御手段28によりベローズポンプ32の駆
動、非駆動および駆動量が制御されて、待機位置にある
吐出ノズル40へ塗布液が供給され、演算されたプリデ
ィスペンスのタイミングで吐出ノズル40から待機ポッ
ト68内へ塗布液が吐出されて廃棄される。この際にポ
ンプ制御手段28が制御するベローズポンプ32の駆動
量は、吐出ノズル40から吐出させる塗布液の量が、基
板の表面への吐出量と等しくなるようにすることが好ま
しい。そして、1枚目の基板が塗布処理部のスピンコー
タへ搬入されてくると、上述したようなスピンコータに
よる処理動作が行われるが、プリディスペンスを行った
時点から基板の表面への塗布液の吐出間隔に相当する時
間だけ経過した時点で、1枚目の基板Wの表面へ吐出ノ
ズル40から塗布液が吐出されることになる。
の処理を施すべき同一ロットの複数枚の基板の処理が開
始されると、1枚目の基板が塗布処理部のスピンコータ
へ搬入されてくる以前に、例えば1枚目の基板がまだ冷
却処理部Cで冷却処理されている時に、あるいは、1枚
目の基板が基板搬送部Tの基板搬送ロボットにより塗布
処理部に向かって搬送されている時に、塗布処理制御部
18がメインコントローラ10からの指示を受け、処理
タイミング制御手段20から指示されるタイミングに従
ってポンプ制御手段28によりベローズポンプ32の駆
動、非駆動および駆動量が制御されて、待機位置にある
吐出ノズル40へ塗布液が供給され、演算されたプリデ
ィスペンスのタイミングで吐出ノズル40から待機ポッ
ト68内へ塗布液が吐出されて廃棄される。この際にポ
ンプ制御手段28が制御するベローズポンプ32の駆動
量は、吐出ノズル40から吐出させる塗布液の量が、基
板の表面への吐出量と等しくなるようにすることが好ま
しい。そして、1枚目の基板が塗布処理部のスピンコー
タへ搬入されてくると、上述したようなスピンコータに
よる処理動作が行われるが、プリディスペンスを行った
時点から基板の表面への塗布液の吐出間隔に相当する時
間だけ経過した時点で、1枚目の基板Wの表面へ吐出ノ
ズル40から塗布液が吐出されることになる。
【0027】なお、上記実施形態では、スピンコータに
よる塗布液の塗布処理について説明したが、この発明
は、それ以外の基板処理、例えばスピンデベロッパによ
る現像処理などにも適用可能である。また、この発明
は、静止状態の基板に対して塗布液を塗布するような塗
布処理にも適用可能である。
よる塗布液の塗布処理について説明したが、この発明
は、それ以外の基板処理、例えばスピンデベロッパによ
る現像処理などにも適用可能である。また、この発明
は、静止状態の基板に対して塗布液を塗布するような塗
布処理にも適用可能である。
【0028】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理方法によ
ると、同一の処理条件で処理を施すべき複数枚の基板を
一定の時間間隔で1枚ずつ処理する場合に、1枚目の基
板の表面へ吐出される処理液と2枚目以降の基板の表面
へ吐出される処理液との間でそれぞれの熱履歴に差を生
じることが無くなるので、1枚目の基板の処理結果と2
枚目以降の基板の処理結果とに差を生じないで、同一の
処理条件で処理を施すべき複数枚の基板の処理結果を均
一にすることができる。
ると、同一の処理条件で処理を施すべき複数枚の基板を
一定の時間間隔で1枚ずつ処理する場合に、1枚目の基
板の表面へ吐出される処理液と2枚目以降の基板の表面
へ吐出される処理液との間でそれぞれの熱履歴に差を生
じることが無くなるので、1枚目の基板の処理結果と2
枚目以降の基板の処理結果とに差を生じないで、同一の
処理条件で処理を施すべき複数枚の基板の処理結果を均
一にすることができる。
【0029】請求項2に係る発明の処理方法では、1枚
目の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と2枚目以
降の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴との差がよ
り完全に無くなるので、同一の処理条件で処理を施すべ
き複数枚の基板の処理結果がより均一になる。
目の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴と2枚目以
降の基板の表面へ吐出される処理液の熱履歴との差がよ
り完全に無くなるので、同一の処理条件で処理を施すべ
き複数枚の基板の処理結果がより均一になる。
【0030】請求項3に係る発明の基板処理装置を使用
すると、請求項1に係る発明の処理方法を好適に実施す
ることができ、請求項1に係る発明の上記効果が確実に
奏される。
すると、請求項1に係る発明の処理方法を好適に実施す
ることができ、請求項1に係る発明の上記効果が確実に
奏される。
【0031】請求項4に係る発明の処理装置を使用する
と、請求項2に係る発明の処理方法を好適に実施するこ
とができ、請求項2に係る発明の上記効果が確実に奏さ
れる。
と、請求項2に係る発明の処理方法を好適に実施するこ
とができ、請求項2に係る発明の上記効果が確実に奏さ
れる。
【図1】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される基板処理装置(スピンコータ)を備えた塗布処
理部を含む基板処理装置の構成の1例を示す図である。
用される基板処理装置(スピンコータ)を備えた塗布処
理部を含む基板処理装置の構成の1例を示す図である。
【図2】スピンコータの要部の構成を示す概略縦断面図
である。
である。
【図3】図2に示したスピンコータの、吐出ノズルが先
端に取着されたノズルアームの内部構造を示す一部縦断
面図である。
端に取着されたノズルアームの内部構造を示す一部縦断
面図である。
10 メインコントローラ 12 キーボード 14 ディスプレイ 16 メモリ 18 塗布処理制御部 20 処理タイミング制御手段 22 基板搬出入制御手段 24 ノズル移動制御手段 26 スピンモータ制御手段 28 ポンプ制御手段 30 プリディスペンスタイミング演算手段 32 ベローズポンプ 34 貯留タンク 36 塗布液 38 塗布液供給チューブ 40 吐出ノズル 42 スピンチャック 46 スピンモータ 48 カップ 60 塗布液供給ユニット 64 ノズルアーム 68 待機ポット 76 恒温水の流路 W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 569C
Claims (4)
- 【請求項1】 基板を1枚ずつ水平姿勢に保持し処理液
吐出ノズルから基板の表面へ処理液を吐出して基板に対
し所定の処理を施し、この工程を一定の時間間隔で繰り
返す基板処理方法において、 1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する時点より基板の
表面への処理液の吐出間隔に相当する時間だけ前に、前
記処理液吐出ノズルから処理液を吐出させて廃棄するこ
とを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項2】 1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する
前に処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄される処理液
の量が、処理液吐出ノズルから基板の表面へ吐出される
処理液の量と同等にされる請求項1記載の基板処理方
法。 - 【請求項3】 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段
と、 この基板保持手段によって保持された基板の表面へ処理
液を吐出する処理液吐出ノズルと、 この処理液吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給手
段と、 この処理液供給手段によって前記処理液吐出ノズルへ供
給される処理液の温度を所定温度に調節する処理液温調
手段と、 前記処理液吐出ノズルを、前記基板保持手段によって保
持された基板の上方の処理液吐出位置と基板の上方から
外れた待機位置との間で移動させるノズル移動手段と、
を備えた基板処理装置において、 複数枚の基板を1枚ずつ一定の時間間隔で連続して処理
する場合において1枚目の基板の表面へ処理液を吐出す
る時点より基板の表面への処理液の吐出間隔に相当する
時間だけ前に、前記待機位置に停止した前記処理液吐出
ノズルへ処理液を供給して処理液吐出ノズルから処理液
を吐出させて廃棄するように、前記処理液供給手段を制
御する制御手段を設けたことを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項4】 1枚目の基板の表面へ処理液を吐出する
前に処理液吐出ノズルから吐出されて廃棄される処理液
の量が、処理液吐出ノズルから基板の表面へ吐出される
処理液の量と同等になるように、制御手段により処理液
供給手段が制御される請求項3記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33125597A JPH11147065A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 基板処理方法および処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33125597A JPH11147065A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 基板処理方法および処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11147065A true JPH11147065A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18241649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33125597A Pending JPH11147065A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 基板処理方法および処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11147065A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205478A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | レジスト吐出方法およびレジスト吐出装置 |
JP2011151326A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム |
JPWO2013035642A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-03-23 | Hoya株式会社 | インプリントモールドの製造方法及びレジスト現像装置 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP33125597A patent/JPH11147065A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205478A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | レジスト吐出方法およびレジスト吐出装置 |
JP2011151326A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム |
TWI495963B (zh) * | 2010-01-25 | 2015-08-11 | Tokyo Electron Ltd | Imaging processing methods, programs, computer memory media and imaging processing system |
JPWO2013035642A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2015-03-23 | Hoya株式会社 | インプリントモールドの製造方法及びレジスト現像装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3516195B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
US6656281B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US6527860B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US9052610B2 (en) | Coating and developing system and coating and developing method | |
JP3605545B2 (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
JP2006269920A (ja) | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 | |
US6851872B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JPH10321493A (ja) | レジスト膜形成方法及び基板処理装置 | |
US11065639B2 (en) | Coating treatment method, computer storage medium and coating treatment apparatus | |
JP2003289093A (ja) | 基板処理装置 | |
US6706321B2 (en) | Developing treatment method and developing treatment unit | |
JP2003257848A (ja) | 基板加熱方法、基板加熱装置及び塗布、現像装置 | |
JP3519669B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JPH11260718A (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
JP3616732B2 (ja) | 基板の処理方法及び処理装置 | |
JPH0536597A (ja) | 処理方法 | |
JP2002075854A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP2001057335A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2001284206A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JPH11147065A (ja) | 基板処理方法および処理装置 | |
JP2000195773A (ja) | 現像処理方法および現像処理装置 | |
JP3909574B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
JP2001210581A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3527459B2 (ja) | 塗布膜形成方法および塗布処理装置 | |
JP2001044100A (ja) | 基板の現像処理方法 |