CN103904013B - 一种真空吸附装置及吸附测校方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的一种真空吸附装置及吸附测校方法，所述真空吸附装置的盘体上具有分散排列的真空槽，能够极大的提高硅片和真空吸附装置之间的吸附性，避免了由于硅片不平整而导致真空槽漏气，从而避免了现有技术对硅片的吸附性差的问题，同时该吸附测校方法使得在实际生产中至少3点能够吸牢，从而保证了吸附的可靠性，且根据各个传感器的值，能够自动识别硅片的翘曲程度。

Description

一种真空吸附装置及吸附测校方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域的设备，特别涉及一种应用于光刻技术中的真空吸附装置及吸附测校方法。
背景技术
吸盘是半导体光刻设备必须配置的零部件，用于吸附固定硅片，初步定位硅片的位置，保证光刻过程中硅片能随工件台的移动，按照预定的路线和速度到达正确的位置，由于硅片的表面需要涂覆光刻胶，故多采用吸附式。
硅片的吸附分为真空和静电吸附，静电吸附流程复杂，成本高，真空吸附利用真空进行接触式吸附，实现容易，成本低，是目前半导体光刻设备中常用的硅片吸附方式，但目前常用的盘体通常只能吸附一种规格的硅片，如8英寸、12英寸等硅片，但是实验所需的硅片大小则是从2英寸到12英寸或更大的尺寸，因此，为了满足同一盘体能够应对不同尺寸的硅片，中国专利CN201188417、CN102080683A公开了采用同心圆的结构来达到吸附不同尺寸硅片的目的，美国专利US3740900A和US5564682A也采用了类似的方法来应对尺寸的变化。
然而，随着硅通孔技术（through silicon via，TSV）的发展，硅片的厚度不断减薄，硅片自身存在不确定的翘曲就越发显著，上述几个专利中涉及的真空吸附装置已无法适应此种硅片的吸附：在硅片翘曲处和盘体间形成了间隙，当真空槽打开真空时漏气，无法满足正常情况下的真空阈值，而降低真空阈值则会导致硅片吸附的可靠性降低，这将会消耗较多的人力物力。
因此，能否引入一种新的吸盘，既能满足不同尺寸的硅片大小，又能够最大程度的不受硅片翘曲的影响，对翘曲硅片进行有效的吸附，有着重要的实际意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种真空吸附装置及吸附测校方法，提高翘曲硅片的吸附可靠性，减少掉片等情况的发生。
为解决上述技术问题，本发明提供一种真空吸附装置，包括：
吸盘盘体，用于承载硅片；
多个真空槽，所述真空槽分散排列在所述盘体上；
真空通道，包括与真空源连接的总管道及由所述总管道引出的多个支路，每个所述支路分别与所述真空槽连通；
多个电磁阀，每个所述电磁阀位于所述支路上并控制是否对所在支路上的真空槽提供真空；及
多个传感器，每个所述传感器位于所述总管道和每个支路上并用于获取真空值，所述真空槽具有如下排列规律：
所述盘体划分为多个同心圆和一个“米”字形坐标，所述同心圆和“米”字形坐标具有多个交点，且所述同心圆圆心和“米”字形坐标原点重合，以圆心为起点，逆时针或顺时针依次连接其余同心圆上的所述交点，得到两条螺旋线，所述真空槽位于所述螺旋线与“米”字形坐标的交点处。
可选的，对于所述的真空吸附装置，所述多个同心圆的直径为等差数列。
可选的，对于所述的真空吸附装置，最小同心圆的直径小于等于2英寸。
可选的，对于所述的真空吸附装置，所述同心圆的数量大于等于11个。
可选的，对于所述的真空吸附装置，同一个同心圆上的螺旋线上的两个交点与圆心在同一条直线上。
可选的，对于所述的真空吸附装置，所述真空吸附装置还包括一控制器，所述控制器用于控制所述传感器和电磁阀。
本发明提供一种采用如上所述的真空吸附装置的吸附测校方法，包括以下步骤：
标定各所述真空槽的相对真空阈值；
提供硅片置于所述吸盘盘体上；
向各真空槽提供真空以吸附所述硅片，获取所述总管道和各真空槽的真空值；
计算各真空槽的相对真空值，并获取N个最大相对真空值；
关闭除对应所述N个最大相对真空值外的其他电磁阀，再次获取与所述N个最大相对真空值对应的真空槽的相对真空值；
判断再次获取的N个相对真空值是否均大于各自标定的相对真空阈值，若所述再次获取的N个相对真空值均大于各自标定的相对真空阈值，则硅片吸附成功。
可选的，对于所述的吸附测校方法，所述N大于等于3。
可选的，对于所述的吸附测校方法，所述标定各所述真空槽的相对真空阈值包括以下步骤：
提供标准硅片置于所述吸盘盘体上；
向各所述真空槽提供真空以吸附标准硅片，获取所述总管道和各真空槽的真空值；
计算所述各真空槽和总管道的真空值的比值作为各真空槽的相对真空阈值。
可选的，对于所述的吸附测校方法，所述标准硅片的直径与所述吸盘盘体相等。
可选的，对于所述的吸附测校方法，仅向被所述标准硅片和/或所述硅片覆盖的真空槽提供真空。
可选的，对于所述的吸附测校方法，所述相对真空值为各真空槽的真空值与总管道的真空值的百分比。
可选的，对于所述的吸附测校方法，所述获取N个最大相对真空值的方法具体为：建立一直角坐标系，将各个真空槽划于所述直角坐标系的四象限内，并以此将各真空槽进行分组，分别对各象限内真空槽的相对真空值进行排序，选取各象限内的一个或多个最大相对真空值，总数量即为N。
与现有技术相比，本发明提供的真空吸附装置及吸附测校方法中，所述真空吸附装置的盘体上具有分散排列的真空槽，能够极大的提高硅片和真空吸附装置之间的吸附性，避免了由于硅片不平整而导致真空槽漏气，从而避免了现有技术对硅片的吸附性差的问题，同时该吸附测校方法使得在实际生产中至少3点能够吸牢，在满足不同尺寸的硅片大小的同时，保证了吸附的可靠性，且根据各个传感器的值，能够自动识别硅片的翘曲状况。
附图说明
图1为本发明一实施例的真空吸附装置的主视图；
图2为本发明一实施例的真空吸附装置的结构示意图；
图3为本发明一实施例的真空吸附装置的吸附测校方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提供的真空吸附装置及吸附测校方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供一种真空吸附装置，请参考图1和图2，包括：
吸盘盘体1，用于承载硅片，所述盘体1上具有多个真空槽2，所述真空槽2分散排列在所述吸盘盘体1上；其具体分布如下：
如图1所示，所述吸盘盘体1划分为多个同心圆和一个平面直角坐标系XOY，将平面直角坐标系XOY以原点O为轴逆时针旋转45度得到新的坐标系X'OY'，新的坐标系X'OY'与平面直角坐标系XOY结合成一“米”字形坐标。所述同心圆和“米”字形坐标具有多个交点，且所述同心圆圆心和“米”字形坐标原点重合。以圆心为起点，逆时针或顺时针依次连接其余相邻同心圆上的所述交点，得到两条螺旋线，本实施例采用逆时针连线，得到实螺旋线C1和虚螺旋线C2。所述真空槽位于所述实螺旋线C1和虚螺旋线C2与“米”字形坐标轴的交点处。优选的，同一个同心圆上的螺旋线上的两个交点与圆心在同一条直线上，使得真空槽的分布更均匀。
在本实施例中，以12英寸的吸盘盘体为例，优选的，所述多个同心圆的直径为等差数列，这样设定能够使得真空槽分布较均匀，以便能够具有较好的吸附性，本实施例采取相邻所述同心圆的直径相差1英寸，第一个圆的直径为2英寸，则共计11个同心圆，23个真空槽。为了便于分辨各个真空槽，将圆心处的真空槽称为真空槽A1，实螺旋线C1上的其余真空槽分别为真空槽A2~A12，虚螺旋线C2上的其余真空槽分别为真空槽A13~A23。在其他实施例中，所述第一个圆的直径可以小于2英寸，直径相差也可不为1，则相应的同心圆的数量也适应性的调整。
请参考图2，所述真空吸附装置还包括：真空通道3，所述真空通道3与所述吸盘盘体连接，其包括总管道及由总管道引出的多个支路，每个支路分别与真空槽A1~A23连通并提供真空；所述总管道接通真空源V0。
多个电磁阀E1~E23，所述电磁阀E1~E23位于所述支路上并控制是否对真空槽A1~A23提供真空；及
多个传感器D0~D23，用于获取真空值，所述传感器D0位于所述总管道上，所述传感器D1~D23位于每个支路上。
所述真空吸附装置还可以包括控制器C0，所述控制器C0连接位于支路上的传感器D1~D23和电磁阀E1~E23，则可根据实际程序设定，结合传感器D1~D23的值，自行控制电磁阀E1~E23的开关。
本发明提供的真空吸附装置，其吸盘盘体可以承载翘曲硅片，其原理在于：采用孔状的真空槽，且以上述规律连接的螺旋线排列，能够有效的适应较大翘曲的硅片，而将由于硅片的不平整所导致的传统结构的真空槽漏气的情况减小到最低。
针对上述真空吸附装置，本发明提供一种吸附测校方法，请参考图3所示的流程图，包括：
对所述真空槽A1~A23进行相对真空阈值标定，具体为：在真空吸附装置上放置一个12英寸的标准硅片，优选的，标准硅片的直径与吸盘盘体相等。打开电磁阀E1~E23使得标准硅片吸附在吸盘盘体上，同时记录传感器D0~D23的值，则将传感器D1~D23的值分别与传感器D0的值相除，得到23个值作为相对真空阈值，记为Test1~Test23；其中，所述总管道上的传感器D0的值T0为系统真空值，如果真空源V0是不变的，那么T0在后续操作中可直接使用，无需再次获取。
提供硅片置于所述吸盘盘体上，为了展现本发明的优点，采用翘曲硅片，打开与被硅片覆盖的真空槽相对应的电磁阀，以12英寸硅片为例，则将电磁阀E1~E23全部开启，读取总管道和各个支路上的传感器D0~D23的值T0~T23，则各个真空槽A1~A23的相对真空值Rel1~Rel23为支路上传感器的值与总管道上的传感器的值的百分比：
Reli = Ti T 0 × 100 % , 其中，i=1，2，3...23，
由于硅片存在翘曲，故每个相对真空值必然不同，则在相对真空值中选取N个最大相对真空值，其中，Ｎ大于等于3。优选地，利用所述直角坐标系XOY进行分组，对于原点O处的真空槽，可以划于在任一个象限中，本实施例将其划于第一象限中，对于在坐标轴上的真空槽，可以按照逆时针（或顺时针）方向划于象限中，例如将X轴上方Y轴上的真空槽划于第二象限中。在其他实施例中，也可以靠近所述圆心建立一直角坐标系，使得各个真空槽分布在所述直角坐标系的四象限内。以此将各真空槽进行分组，分别对各象限内真空槽的相对真空值进行排序，选取各象限内的一个或多个最大相对真空值，总数量即为N。本实施例中在各象限各选一个最大相对真空值Max1，Max2，Max3，Max4；之后，关闭除对应所述4个最大相对真空值外的其他电磁阀，再次获取与所述4个最大相对真空值对应的真空槽的相对真空值Rel1'，Rel2'、Rel3′和Rel4'，将4个相对真空值Rel1'，Rel2'、Rel3'和Rel4'与相对应的真空槽的相对真空阈值Test1，Text2、Test3和Test4进行比较，若Rel1'>Test1，Rel2'>Test2、Rel3′>Test3且Rel4'>Test4，则表示吸附成功，否则，则表示吸附失败。其中，Test后的标号1，2，3，4为相对应的4个真空槽的标号。需要说明的是，对于2英寸的硅片，若仅有3个真空槽被覆盖，则不需挑选，直接检测是否满足相对真空值大于相对真空阈值。
此外，本发明的真空吸附装置可以有效的判断硅片的翘曲状态，其可根据各个传感器的值，直接进行判断，并可将结果反馈给相关系统，以供相关人员使用，这也能够尽早发现硅片的异常，避免后续可能出现的问题。
本方法中所述硅片的直径也可以小于12英寸，则电磁阀就根据实际硅片大小仅对硅片覆盖的真空槽进行开关。由于1英寸的硅片不常见，上述设计能够满足2英寸的硅片有3个真空槽进行吸附，能够保证每片硅片都至少有3点被吸牢，从而大大的提高吸附的可靠性，降低掉片或硅片移位的几率，同时这也将降低真空吸附装置的制造难度。
上述内容以12英寸为例对本发明进行了详细的阐述，显然的，也可用于大于12英寸的硅片中，如还未实现量产的18英寸硅片等。
本发明提供的真空吸附装置及吸附测校方法中，所述真空吸附装置的吸盘盘体上具有分散排列的真空槽，能够极大的提高硅片和真空吸附装置之间的吸附性，避免了由于硅片不平整而导致真空槽漏气，从而避免了现有技术对硅片的吸附性差的问题，同时该吸附测校方法使得在实际生产中至少3点能够吸牢，从而保证了吸附的可靠性，且根据各个传感器的值，能够自动识别硅片的翘曲程度。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种真空吸附装置，其特征在于，包括：
吸盘盘体，用于承载硅片；
多个真空槽，所述真空槽分散排列在所述盘体上；
真空通道，包括与真空源连接的总管道及由所述总管道引出的多个支路，每个所述支路分别与所述真空槽连通；
多个电磁阀，每个所述电磁阀位于所述支路上并控制是否对所在支路上的真空槽提供真空；及
多个传感器，每个所述传感器位于所述总管道和每个支路上并用于获取真空值，所述真空槽具有如下排列规律：
所述盘体划分为多个同心圆和一个“米”字形坐标，所述同心圆和“米”字形坐标具有多个交点，且所述同心圆圆心和“米”字形坐标原点重合，以圆心为起点，逆时针或顺时针依次连接其余同心圆上的所述交点，得到两条螺旋线，所述真空槽位于所述螺旋线与“米”字形坐标的交点处。
2.如权利要求1所述的真空吸附装置，其特征在于，所述多个同心圆的直径为等差数列。
3.如权利要求2所述的真空吸附装置，其特征在于，最小同心圆的直径小于等于2英寸。
4.如权利要求2所述的真空吸附装置，其特征在于，所述同心圆的数量大于等于11个。
5.如权利要求1所述的真空吸附装置，其特征在于，同一个同心圆上的螺旋线上的两个交点与圆心在同一条直线上。
6.如权利要求1所述的真空吸附装置，其特征在于，所述真空吸附装置还包括一控制器，所述控制器用于控制所述传感器和电磁阀。
7.采用如权利要求1～6任意一项所述的真空吸附装置的吸附测校方法，其特征在于，包括以下步骤：
标定各所述真空槽的相对真空阈值；
提供硅片置于所述吸盘盘体上；
向各真空槽提供真空以吸附所述硅片，获取所述总管道和各真空槽的真空值；
计算各真空槽的相对真空值，并获取N个最大相对真空值；
关闭除对应所述N个最大相对真空值外的其他电磁阀，再次获取与所述N个最大相对真空值对应的真空槽的相对真空值；
判断再次获取的N个相对真空值是否均大于各自标定的相对真空阈值，若所述再次获取的N个相对真空值均大于各自标定的相对真空阈值，则硅片吸附成功。
8.如权利要求7所述的吸附测校方法，其特征在于，所述N大于等于3。
9.如权利要求7所述的吸附测校方法，其特征在于，所述标定各所述真空槽的相对真空阈值包括以下步骤：
提供标准硅片置于所述吸盘盘体上；
向各所述真空槽提供真空以吸附标准硅片，获取所述总管道和各真空槽的真空值；
计算所述各真空槽和总管道的真空值的比值作为各真空槽的相对真空阈值。
10.如权利要求9所述的吸附测校方法，其特征在于，所述标准硅片的直径与所述吸盘盘体相等。
11.如权利要求9所述的吸附测校方法，其特征在于，仅向被所述标准硅片和/或所述硅片覆盖的真空槽提供真空。
12.如权利要求7所述的吸附测校方法，其特征在于，所述相对真空值为各真空槽的真空值与总管道的真空值的百分比。
13.如权利要求7所述的吸附测校方法，其特征在于，所述获取N个最大相对真空值的方法具体为：建立一直角坐标系，将各个真空槽划于所述直角坐标系的四象限内，并以此将各真空槽进行分组，分别对各象限内真空槽的相对真空值进行排序，选取各象限内的最大相对真空值，总数量即为N。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106814545B (zh) * 2015-11-30 2018-08-24 上海微电子装备（集团）股份有限公司 气压测量装置及方法、调焦调平装置及光刻机设备
JP6788678B2 (ja) 2016-02-08 2020-11-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板をロードする方法
JP6829118B2 (ja) * 2017-03-16 2021-02-10 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
SG11202004896TA (en) * 2017-09-28 2020-06-29 Shinkawa Kk Suction stage
CN110119069A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种基底吸附装置、光刻设备及吸附方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270596A (zh) * 2010-06-02 2011-12-07 上海微电子装备有限公司 吸盘及其承片台
CN102637623A (zh) * 2012-04-18 2012-08-15 吴晓 Led芯片载体定位吸附装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20012014A1 (it) * 2001-09-27 2003-03-27 Lpe Spa Utensile per maneggiare fette e stazione per crescita epitassiale
DE102009037939A1 (de) * 2009-08-19 2011-06-30 ERS electronic GmbH, 82110 Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Durchbiegung eines scheibenförmigen Werkstücks

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270596A (zh) * 2010-06-02 2011-12-07 上海微电子装备有限公司 吸盘及其承片台
CN102637623A (zh) * 2012-04-18 2012-08-15 吴晓 Led芯片载体定位吸附装置

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