JPWO2006077859A1 - 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2006077859A1
JPWO2006077859A1 JP2006553916A JP2006553916A JPWO2006077859A1 JP WO2006077859 A1 JPWO2006077859 A1 JP WO2006077859A1 JP 2006553916 A JP2006553916 A JP 2006553916A JP 2006553916 A JP2006553916 A JP 2006553916A JP WO2006077859 A1 JPWO2006077859 A1 JP WO2006077859A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
back surface
exposed
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006553916A
Other languages
English (en)
Inventor
剛之 水谷
剛之 水谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JPWO2006077859A1 publication Critical patent/JPWO2006077859A1/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

液体除去装置（１）は、基板ホルダ（ＰＨ）から搬出された基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）側に所定空間を形成し、所定空間の気体を排気することによって被露光基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）に付着した液体（ＬＱ）を除去する。

Description

本発明は、被露光基板に付着した液体を除去する液体除去装置、その液体除去装置を備える露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００５年０１月１８日に出願された特願２００５−１００９３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
半導体デバイス、液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクステージと、基板を保持する基板ホルダを有し、基板を保持した基板ホルダを移動可能な基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献１に開示されているような、投影光学系と基板との間の露光光の光路空間を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
基板ホルダに保持された基板を液体を介して露光した場合、液体が基板の裏面側に入り込んで、基板の裏面に付着する可能性がある。基板の裏面に液体が付着した状態を放置しておくと、例えば基板ホルダから基板を搬出する搬送系に液体が付着したり、搬送系の搬送経路上に液体が飛散したりするなど、被害が拡大する虞がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体を介して露光された基板に付着した液体を良好に除去できる液体除去装置を提供することを目的とする。また、その液体除去装置を備えた露光装置を提供することを目的とする。更に、その露光装置を使ってデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）が照射され、かつ基板ホルダ（ＰＨ）から搬出された被露光基板（Ｐ）に付着した液体（ＬＱ）を除去する液体除去装置において、基板ホルダ（ＰＨ）から搬出された被露光基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）側に所定空間（８）を形成し、所定空間（８）の気体を吸引口（５）から排気することによって被露光基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）に付着した液体（ＬＱ）を除去する液体除去装置（１）が提供される。
本発明の第１の態様によれば、基板ホルダから搬出された被露光基板の裏面に付着した液体を良好に除去することができる。
本発明の第２の態様に従えば、基板ホルダ（ＰＨ）と、上記態様の液体除去装置（１）とを備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第２の態様によれば、露光後の被露光基板に付着した液体を良好に除去することができる。
本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第３の態様によれば、付着した液体が除去された被露光基板から所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
本発明によれば、液体を介して露光された基板に付着した液体を良好に除去できる。
液体除去装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 液体除去装置の第１実施形態を示す側断面図である。 液体除去装置の第１実施形態を示す平面図である。 第１実施形態に係る液体除去装置の要部を拡大した側断面図である。 第１実施形態に係る液体除去装置の動作を説明するための図である。 第１実施形態に係る液体除去装置の動作を説明するための図である。 第１実施形態に係る液体除去装置の動作を説明するための図である。 基板を搬送する搬送系を示す斜視図である。 基板を搬送する搬送系を示す側面図である。 液体除去装置の第２実施形態を示す側断面図である。 液体除去装置の第２実施形態を示す平面図である。 第２実施形態に係る液体除去装置の要部を拡大した側断面図である。 液体除去装置の第３実施形態を示す平面図である。 液体除去装置の第３実施形態を示す要部を拡大した斜視図である。 液体除去装置の第３実施形態を示す断面図である。 液体除去装置の第４実施形態を示す平面図である。 図１０のＢ−Ｂ線断面矢視図である。 液体除去装置の第４実施形態に係る別の例を示す平面図である。 露光装置本体を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
符号の説明
１…液体除去装置、２…基材、３…上面、４…凸部、５…吸引口、８…所定空間、８Ａ〜８Ｈ…分割空間、９…周縁流路、９’…流路、１０…保持機構、１３…ガイド部材、１４…ガイド部材、１５…ガイド部材、５００…大気空間、Ｅｂ…周縁領域、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置本体、ＥＸ−ＳＹＳ…露光装置、Ｇ１…ギャップ、Ｇ２…ギャップ、Ｈ…搬送システム、Ｈ２…第２搬送系、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、Ｐｂ…裏面、ＰＨ…基板ホルダ
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお以下の説明においては、図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。また、ＸＹ平面は水平面と平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に沿った軸とする。
図１は露光装置ＥＸ−ＳＹＳを備えたデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す概略構成図である。図１において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸ−ＳＹＳと、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとを備えている。露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの接続部を形成するインターフェース部ＩＦと、基板Ｐの露光を行う露光装置本体ＥＸと、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
露光装置本体ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、基板Ｐを保持した基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。露光装置本体ＥＸは、クリーン度が管理された第１チャンバ装置ＣＨ１内部に設けられている。露光装置本体ＥＸは、基板Ｐの裏面Ｐｂを基板ホルダＰＨで保持した状態で、基板Ｐの表面Ｐａに露光光ＥＬを照射する。なお、ここでいう「基板」は、半導体ウエハ等の基材の表面にフォトレジスト等の感光材を塗布したものを含み、「マスク」は、基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
本実施形態の露光装置本体ＥＸは、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光する液浸露光装置であり、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たす液浸機構１００を備えている。液浸機構１００は、投影光学系ＰＬの像面近傍に設けられ、液体ＬＱを供給する供給口３２及び液体ＬＱを回収する回収口４２を有するノズル部材７０と、供給管３３、及びノズル部材７０に設けられた供給口３２を介して投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱを供給する液体供給部３１と、ノズル部材７０に設けられた回収口４２、及び回収管４３を介して投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収する液体回収部４１とを備えている。ノズル部材７０の内部には、供給口３２と供給管３３とを接続する供給流路、及び回収口４２と回収管４３とを接続する回収流路が設けられている。また、本実施形態の露光装置本体ＥＸは、液体ＬＱにより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。制御装置ＣＯＮＴは、液浸機構１００の液体供給部３１を使って液体ＬＱを所定量供給するとともに、液体回収部４１を使って液体ＬＱを所定量回収することで、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たす。露光装置本体ＥＸにおいては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによってマスクＭのパターンが基板Ｐに転写される。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路空間を満たす液体ＬＱとして純水を用いる。
また、露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、インターフェース部ＩＦと露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する搬送システムＨと、搬送システムＨの基板搬送経路上に設けられ、液浸露光処理された後の基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去する液体除去装置１とを備えている。
コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳは、露光処理される前の基板Ｐの基材に対して感光材を塗布する塗布装置（不図示）と、露光装置本体ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐを現像処理する現像装置（不図示）とを備えている。塗布装置及び現像装置は、第１チャンバ装置ＣＨ１とは別の第２チャンバ装置ＣＨ２内部に設けられている。露光装置本体ＥＸを収容する第１チャンバ装置ＣＨ１と、塗布装置及び現像装置を収容する第２チャンバ装置ＣＨ２とは、インターフェース部ＩＦを介して接続されている。以下の説明においては、第２チャンバ装置ＣＨ２内部に収容されている塗布装置及び現像装置を合わせて「コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ」と適宜称する。
搬送システムＨは、露光処理される前の基板Ｐを基板ステージＰＳＴ上の基板ホルダＰＨに搬入（ロード）する第１搬送系Ｈ１と、基板ホルダＰＨと液体除去装置１との間で基板Ｐを搬送する第２搬送系Ｈ２と、液体除去装置１とインターフェース部ＩＦとの間で基板Ｐを搬送する第３搬送系Ｈ３とを備えている。第２搬送系Ｈ２は、露光処理された後の基板Ｐを基板ホルダＰＨから搬出（アンロード）し、液体除去装置１まで搬送する。
第１、第２、第３搬送系Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は、第１チャンバ装置ＣＨ１内部に設けられている。コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄの塗布装置で感光材の塗布処理を施された基板Ｐは、インターフェース部ＩＦを介して第３搬送系Ｈ３に渡される。第３搬送系Ｈ３は、露光処理される前の基板Ｐを第１搬送系Ｈ１に渡す。なお、第３搬送系Ｈ３は、基板Ｐを液体除去装置１を介して第１搬送系Ｈ１に渡してもよいし、液体除去装置１を介さずに不図示の別の搬送系や中継装置を介して第１搬送系Ｈ１に渡してもよいし、第１搬送系Ｈ１に直接渡してもよい。第１搬送系Ｈ１は、露光処理される前の基板Ｐを露光装置本体ＥＸの基板ホルダＰＨにロードする。露光装置本体ＥＸで露光処理された後の基板Ｐは、第２搬送系Ｈ２により基板ホルダＰＨからアンロードされる。第２搬送系Ｈ２はアンロードした基板Ｐを液体除去装置１に搬送する。液体除去装置１は、基板ホルダＰＨからアンロードされた基板Ｐに付着した液体ＬＱの除去処理を行う。第３搬送系Ｈ３は、基板Ｐを液体除去装置１から受け取り、インターフェース部ＩＦまで搬送する。インターフェース部ＩＦまで搬送された基板Ｐは、コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄの現像装置に搬送される。現像装置は、渡された基板Ｐに対して現像処理を施す。
＜液体除去装置の第１実施形態＞
次に、液体除去装置１の第１実施形態について説明する。露光装置本体ＥＸにおいて、基板ホルダＰＨに保持した基板Ｐを液体ＬＱを介して露光処理した後、制御装置ＣＯＮＴは液浸機構１００の液体回収部４１を使って基板Ｐの表面Ｐａ上の液体ＬＱを除去する。しかしながら、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に回り込んだ液体ＬＱが基板Ｐの裏面Ｐｂに付着したまま基板ホルダＰＨから搬出される可能性がある。そのため、制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬが照射された基板Ｐを第２搬送系Ｈ２を使って基板ホルダＰＨから搬出した後に、基板Ｐに付着した液体ＬＱを液体除去装置１を使って除去する。液体除去装置１は、基板ホルダＰＨから搬出された基板Ｐを保持する保持機構１０を備えており、基板Ｐを保持した状態で、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去する。
図２Ａは液体除去装置１の第１実施形態を示す側断面図であり、図２Ｂは上方から見た平面図である。また、図３は保持機構１０で基板Ｐを保持した状態の液体除去装置１の要部を拡大した側断面図である。
図２Ａ、図２Ｂ及び図３において、液体除去装置１は、基材２と、基材２の上面３に設けられた複数の凸部４と、基材２の上面３に設けられた吸引口５と、吸引口５に流路６を介して接続された排気装置７とを備えている。排気装置７は真空ポンプ等の真空系を含む。基材２は平面視においてほぼ円形状に形成されている。上面３は、ＸＹ平面（水平面）とほぼ平行に設けられている。
凸部４は基板Ｐの裏面Ｐｂを支持するものであって、保持機構１０の一部を構成する。凸部４はピン状に形成されており、凸部４の上面で基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する。凸部４は基材２の上面３に複数一様に設けられている。基材２の上面３は基板Ｐに応じた大きさ及び形状を有している。凸部４の上面で基板Ｐの裏面Ｐｂを支持した際、基材２の上面３は基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する。
保持機構１０は、凸部４で基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することにより、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成する。所定空間８は、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間の空間を含む。基材２の上面３に設けられた凸部４は、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することにより、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間にギャップＧ１を形成する。ギャップＧ１は、凸部４の高さに応じた大きさを有し、１０μｍ〜１ｍｍ程度に設定される。本実施形態においては、ギャップＧ１（凸部４の高さ）は約５０μｍに設定されている。
図３に示すように、ギャップＧ１は、基板Ｐの裏面Ｐｂの全域においてほぼ一様に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂと基材２の上面３の周縁領域との間にも形成される。そして、所定空間８と所定空間８の外側の外部空間（大気空間）５００との間において、気体が流通（出入り）可能となっている。すなわち、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂと基材２の上面３との間の隙間（ギャップＧ１）を介して、所定空間８と所定空間８の外側の大気空間５００とが流通されており、所定空間８は大気開放された状態となっている。ここで、以下の説明においては、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂと基材２の上面３との間の隙間を適宜、「周縁流路９」と称する。
図２Ｂに示すように、吸引口５は、基材２の上面３のほぼ中央部に１つ形成されている。そして、液体除去装置１の保持機構１０は、基材２の上面３の中央部と基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部とを対向させるように基板Ｐを保持する。換言すれば、保持機構１０は、吸引口５と基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部とが対向するように基板Ｐを保持する。すなわち、吸引口５は、基材２の上面３のうち保持機構１０に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部と対向する領域に設けられている。また、所定空間８は、凸部４を含む保持機構１０で保持された基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間の空間を含み、基材２の上面３に設けられた吸引口５は、所定空間８に接続されている。
排気装置７は、真空ポンプ等の真空系を含み、流路６及び吸引口５を介して所定空間８の気体（及び液体）を吸引可能である。流路６は、吸引口５に接続するように基材２の内部に形成された内部流路６Ａと、内部流路６Ａと排気装置７とを接続する管部材の流路とを含む。排気装置７が吸引口５を介して所定空間８の気体を吸引することにより、所定空間８の気体は外部に排気される。なお本実施形態では、排気装置７は吸引口５を介して１分間当たり１リットル〜１００リットル程度の気体を所定空間８から外部に排気する。
本実施形態において、基材２及び凸部４は、例えばセラミックスによって形成されている。基材２の上面３に対して例えばブラスト加工を施すことにより、基材２上に１０μｍ〜１ｍｍ程度の高さを有する凸部４を形成することができる。なお、基材２や凸部４はステンレス鋼などの金属によって形成されてもよい。また、基材２の上面３や凸部４の表面には、例えばフッ素系材料、アクリル系材料などの撥液性材料がコーティングされており、基材２の上面３及び凸部４の表面は液体ＬＱに対して撥液性である。その撥液性材料としては、例えばポリ四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等が挙げられる。また、基材２や凸部４自体を、上述の撥液性材料で形成してもよい。
次に、液体除去装置１による液体除去動作について、図３及び図４Ａ−４Ｃの模式図を参照しながら説明する。
図４Ａに示すように、制御装置ＣＯＮＴは、液浸露光処理された後の基板Ｐを、第２搬送系Ｈ２を使って基板ホルダＰＨから搬出し、液体除去装置１まで搬送する。
図４Ａに示すように、液体除去装置１は、基材２に設けられた昇降可能なピン部材１１を備えている。制御装置ＣＯＮＴは、第２搬送系Ｈ２を使って基板Ｐを液体除去装置１に搬入する際、ピン部材１１の上端部を、凸部４の上面よりも上昇させる。この状態で、制御装置ＣＯＮＴは、第２搬送系Ｈ２からピン部材１１上に基板Ｐを渡す。これにより、図４Ｂに示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂがピン部材１１に支持される。制御装置ＣＯＮＴは、第２搬送系Ｈ２を液体除去装置１より退避させた後、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持したピン部材１１を下降する。これにより、図４Ｃに示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂが液体除去装置１の凸部４に支持される。
液体除去装置１は、凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐを保持することにより、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成する。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成した後、真空系を含む排気装置７を駆動して、流路６及び吸引口５を介して所定空間８の気体を吸引する。制御装置ＣＯＮＴは、排気装置７を駆動することにより、所定空間８に接続された吸引口５から排気を行う。
吸引口５から排気を行うことによって、液体除去装置１は、所定空間８において吸引口５に向かう気体の流れを生成することができる。すなわち、排気装置７が駆動されると、吸引口５の周囲の気体（すなわち所定空間８の気体）が吸引口５に吸引される。これにより、図３に示すように、大気空間５００の気体が周縁流路９を介して所定空間８に流入し、所定空間８には吸引口５に向かう気体の流れが生成される（図３中、矢印ｙ１参照）。ここで、吸引口５に向かう気体は、基板Ｐの裏面Ｐｂ及び基材２の上面３に沿うように流れる。すなわち、所定空間８には、基板Ｐの裏面Ｐｂ及び基材２の上面３にガイドされつつ吸引口５に向かう気体の流れが生成される。この場合、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３とのギャップＧ１は約５０μｍと非常に小さいため、吸引口５に向かう極めて高速な気体の流れが生成される。
吸引口５に向かう気体の流れによって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱは、吸引口５まで移動する（図３中、矢印ｙ２参照）。そして、吸引口５まで移動した液体ＬＱは、吸引口５を介して排気装置７に回収される。また、基板Ｐの裏面Ｐｂより落下した液体ＬＱが基材２の上面３に付着する可能性があるが、基材２の上面３に付着した液体ＬＱも、吸引口５に向かう気体の流れによって、吸引口５まで移動して回収される。以上により、液体除去装置１は、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去することができる。
液体除去装置１による基板Ｐの液体除去処理が完了した後、制御装置ＣＯＮＴは、ピン部材１１を上昇し、液体除去装置１の保持機構１０による基板Ｐの保持を解除する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱが除去された基板Ｐを第３搬送系Ｈ３によってインターフェース部ＩＦまで搬送する。インターフェース部ＩＦまで搬送された基板Ｐは、コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄの現像装置に搬送され、現像処理を施される。
液体除去装置１によって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去することにより、搬送システムＨの搬送経路上に液体ＬＱが飛散するなどの不都合の発生が防止される。搬送システムＨの搬送経路上に液体ＬＱが飛散すると、第１チャンバ装置ＣＨ１内部の環境（湿度、クリーン度等）が変動し、露光精度や各種計測精度が劣化する可能性があるが、液体除去装置１で基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去することで、上述の不都合の発生を防止することができる。また、基板Ｐの裏面Ｐｂに液体ＬＱが付着した状態を放置しておくと、その基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する搬送系に液体ＬＱが付着してしまう可能性がある。液体ＬＱが付着した搬送系で基板ホルダＰＨにロードされる前（すなわち露光処理される前）の基板Ｐや、現像装置に搬送される前（すなわち現像処理される前）の基板Ｐを保持すると、搬送系がそれら基板Ｐに液体ＬＱを付着させてしまい、露光処理や現像処理を良好に行うことができない可能性がある。しかしながら、本実施形態のように、液体除去装置１で基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去することで、上述の不都合の発生を防止することができる。
なお本実施形態においては、液体ＬＱが付着している可能性のある基板Ｐは第２搬送系Ｈ２で搬送され、第１搬送系Ｈ１は、液体ＬＱが付着している可能性のある基板Ｐを搬送することはない。すなわち、第１搬送系Ｈ１に液体ＬＱが付着することが防止されているため、第１搬送系Ｈ１によって露光処理される前（基板ホルダＰＨにロードされる前）の基板Ｐの裏面Ｐｂに液体ＬＱが付着したり、第１搬送系Ｈ１の搬送経路上に液体ＬＱが飛散したりすることが防止されている。また、第３搬送系Ｈ３は、露光処理される前（基板ホルダＰＨにロードされる前）の基板Ｐを搬送するとともに、液体除去装置１で液体除去処理を施された基板Ｐを搬送するので、第３搬送系Ｈ３に液体ＬＱが付着することも防止されている。したがって、第３搬送系Ｈ３によって搬送される基板Ｐの裏面Ｐｂに液体ＬＱが付着したり、第３搬送系Ｈ３の搬送経路上に液体ＬＱが飛散したりすることが防止されている。
図５Ａは基板Ｐを保持する第２搬送系Ｈ２を示す斜視図であり、図５Ｂは側面図である。図５Ａ及び５Ｂに示すように、第２搬送系Ｈ２は、２本のフォーク部を有する搬送アーム１５０を備えている。搬送アーム１５０の上面１５１には４つの凸部１５２が島状に設けられている。そして、第２搬送系Ｈ２は、凸部１５２の上面１５３で基板Ｐの裏面Ｐｂの略中央の領域を保持する。すなわち、凸部１５２の上面１５３が基板Ｐの裏面Ｐｂを保持する保持面である。基板ホルダＰＨに基板Ｐを保持した状態で基板Ｐ上に液体ＬＱを供給して液浸露光処理を行った際、供給された液体ＬＱは、基板Ｐの表面Ｐａと基板ステージＰＳＴの上面９７との間のギャップＧｅ（図１３参照）を介して、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に浸入する可能性がある。その場合、液体ＬＱは基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに付着する可能性が高く、第２搬送系Ｈ２の凸部１５２の保持面（上面）１５３は基板Ｐの裏面Ｐｂの略中央の領域を保持するので、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂには接触しない。これにより、第２搬送系Ｈ２に液体ＬＱが付着することが防止されている。なお、第１、第３搬送系Ｈ１、Ｈ３も、基板Ｐの裏面Ｐｂの略中央の領域を保持してもよい。
また、図１及び図４Ａに示すように、第２搬送系Ｈ２の搬送経路には、露光処理された後の基板Ｐから落下した液体ＬＱを処理するための液体処理機構１６０が設けられている。液体処理機構１６０は、第２搬送系Ｈ２の搬送経路の下に配置された樋部材１６１と、樋部材１６１を介して回収された液体ＬＱを樋部材１６１より排出する液体吸引装置１６２とを備えている。樋部材１６１は、基板ホルダＰＨと液体除去装置１との間、すなわち第２搬送系Ｈ２の搬送経路の下に設けられている。樋部材１６１は第１チャンバ装置ＣＨ１内部に設けられ、液体吸引装置１６２は第１チャンバ装置ＣＨ１外部に設けられている。樋部材１６１と液体吸引装置１６２とは管路１６３を介して接続されており、管路１６３には、この管路１６３の流路を開閉するバルブ１６３Ｂが設けられている。
液体ＬＱが付着している基板Ｐを第２搬送系Ｈ２で搬送している最中、基板Ｐから液体ＬＱが落下する可能性があるが、液体処理機構１６０は、その落下した液体ＬＱを樋部材１６１で回収することができる。液体処理機構１６０は、落下した液体ＬＱを樋部材１６１で回収することで、搬送経路の周囲に液体ＬＱが飛散する等の不都合を防止することができる。液体吸引装置１６２は、第１チャンバ装置ＣＨ１内部に設けられた樋部材１６１上の液体ＬＱを吸引し、樋部材１６１上に落下した液体ＬＱを第１チャンバ装置ＣＨ１外部に排出しているので、第１チャンバ装置ＣＨ１内部の樋部材１６１に液体ＬＱが留まらない。したがって、液体処理機構１６０は、第１チャンバ装置ＣＨ１内部の環境（湿度、クリーン度等）が変動する等の不都合を防止することができる。
なお、基板Ｐからの液体ＬＱの落下の可能性が小さい場合には、液体処理機構１６０を設けなくてもよい。
以上説明したように、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成し、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に設けられた吸引口５から所定空間８の気体を排気するといった簡易な構成で、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去することができる。
また、本実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に１０μｍ〜１ｍｍ程度の微小な所定空間８（ギャップＧ１）を形成し、その微小な所定空間８に設けられた吸引口５から排気を行っている。したがって、基板Ｐの裏面Ｐｂ側において流速の大きい気体の流れが生成され、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを吸引口５まで移動して、吸引口５から回収することができる。また、所定空間８（ギャップＧ１）は微小なので、吸引口５からの単位時間当たりの排気量が少なくても、換言すれば、排気装置７の吸引パワーが小さくても、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間の所定空間８に生成される気体の流速を十分に高めることができる。したがって、液体除去装置１は、流速が高められた気体の流れによって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを短時間のうちに吸引口５まで円滑に移動し、回収することができる。
また、所定空間８は周縁流路９を介して大気開放されているので、吸引口５から所定空間８の排気を行った場合でも、周縁流路９を介して所定空間８の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。
また、吸引口５が基材２の上面３のうち基板Ｐの裏面Ｐｂのほぼ中心と対向するので、周縁流路９の全域からほぼ同じ流速を有する気体を大気空間５００から所定空間８に流入させることができ、基板Ｐの裏面Ｐｂ全体に液体ＬＱが付着している場合であっても、その液体ＬＱを短時間のうちに回収することができる。また、本実施形態において、吸引口５は基板Ｐの裏面Ｐｂのほぼ中心と対向するように１つだけ設けられているので、吸引口５に向かう気体の流れにむら（流速の分布など）が生じることなく、基板Ｐの周縁領域から基板Ｐの中心に向かう流速の大きい気流を形成できるので、吸引口５から排気を効率良く液体除去に寄与させることができる。したがって、基板Ｐの裏面Ｐｂにおける液体ＬＱの付着位置によらず、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを良好に除去することができる。
また、複数のピン状の凸部４で基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することにより、基板Ｐの撓み変形を防止しつつ、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成しているので、気体は凸部４どうしの間の空間を流れることができ、周縁流路９から吸引口５に向かう気体の流れを円滑に生成することができる。また、複数のピン状の凸部４で基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することで、基板Ｐの裏面Ｐｂと凸部４を含む保持機構１０との接触面積を小さくすることができる。これにより、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着していた液体ＬＱとピン状の凸部４とが接触しても、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着していた液体ＬＱを良好に除去することができる。
＜液体除去装置の第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図６Ａ、図６Ｂ及び図７を参照しながら説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分には同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図６Ａは液体除去装置１の第２実施形態を示す側断面図であり、図６Ｂは上方から見た平面図である。また、図７は保持機構１０で基板Ｐを保持した状態の液体除去装置１の要部を拡大した側断面図である。
図６Ａ、６Ｂ及び図７において、液体除去装置１は、基材２の上面３に、複数のピン状の凸部４を囲むように設けられた周壁部１２を備えている。周壁部１２は、基板Ｐの形状に応じて平面視略円環状に形成されている。周壁部１２の上面は、保持機構１０に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに対向するように設けられている。また、周壁部１２は凸部４よりも低くなるように設けられている。すなわち、図７に示すように、凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した際、基板Ｐの裏面Ｐｂと周壁部１２の上面との間に所定のギャップＧ１’が形成される。そして、保持機構１０に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂ側には、基材２の上面３と周壁部１２と基板Ｐの裏面Ｐｂとで囲まれた所定空間８が形成される。ギャップＧ１’は、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間に形成されるギャップＧ１よりも小さい。本実施形態においては、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂと周壁部１２の上面との間のギャップＧ１’によって周縁流路９が形成されている。そして、ギャップＧ１’を介して、所定空間８と大気空間５００とが流通されて、所定空間８が大気開放されている。また、基材２の上面３には、上述の第１実施形態同様、吸引口５が設けられている。
このように、基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する上面を有する周壁部１２を設けることで、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂ近傍において生成される気体の流れの速度をより高めることができる。基板ホルダＰＨに基板Ｐを保持した状態で基板Ｐ上に液体ＬＱを供給して液浸露光処理を行った際、液体ＬＱは基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに付着する可能性が高い。そのため、周壁部１２を設けて、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂ近傍（すなわちギャップＧ１’近傍）において生成される気体の流れの速度を高めることで、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域に付着した液体ＬＱを吸引口５までより円滑に移動することができる。
＜液体除去装置の第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図８、図９Ａ及び図９Ｂを参照しながら説明する。図８は第３実施形態に係る液体除去装置１を上方から見た平面図である。また図９Ａは液体除去装置１の要部を拡大した斜視図、図９Ｂは保持機構１０で基板Ｐを保持した状態の液体除去装置１の要部を拡大した側断面図（図８のＡ−Ａ線断面矢視図に相当）である。
図８、９Ａ及び９Ｂにおいて、液体除去装置１は、所定空間８における気体の流れをガイドする第１ガイド部材１３を備えている。第１ガイド部材１３は、吸引口５（５Ａ〜５Ｈ）に向かう気体の流れをガイドするものであって、基材２の上面３に設けられている。また、基材２の上面３のうち、第１ガイド部材１３が設けられている以外の領域には、上述の実施形態同様、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持するピン状の凸部４が複数設けられている。なお図面を見やすくするため、図８には凸部４を図示していない。凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した際、第１ガイド部材１３は基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する。
図８に示すように、複数の第１ガイド部材１３が、基材２の上面３のほぼ中央部に対して平面視放射状に形成されている。保持機構１０は、基材２の上面３の中央部と基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部とが対向するように基板Ｐを保持する。所定空間８は、第１ガイド部材１３によって複数の分割空間に分割される。本実施形態においては、所定空間８は互いに隣り合う８つの分割空間８Ａ〜８Ｈに分割されている。上述のように、本実施形態の第１ガイド部材１３は放射状に形成されており、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれは、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂから中央部に向かって漸次窄まるように扇状に形成されている。また、複数の第１ガイド部材１３が等角度間隔で放射状に配置されているので、各分割空間８Ａ〜８Ｈの大きさ及び形状は互いにほぼ同じである。
また、吸引口５は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに１つずつ接続されている。本実施形態においては、８つの分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに対応するように、８つの吸引口５Ａ〜５Ｈが基材２の上面３の中央付近に設けられている。また、各吸引口５Ａ〜５Ｈの大きさ及び形状は互いにほぼ同じである。上述の第１、第２実施形態同様、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれは排気装置７に接続されている。本実施形態においては、放射状に形成された複数の第１ガイド部材１３は、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れをガイドする。
上述の第１実施形態同様に、基材２の上面３に設けられた凸部４は、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することにより、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間にギャップＧ１を形成する。ギャップＧ１は、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂと基材２の上面３の周縁領域との間にも形成され、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれと分割空間８Ａ〜８Ｈの外側の大気空間５００との間において、気体が流通（出入り）可能となっている。すなわち、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂ近傍に、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれと分割空間８Ａ〜８Ｈの外側の大気空間５００とを流通する周縁流路９が設けられる。周縁流路９は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに対応するように１つずつ設けられる。一方、吸引口５Ａ〜５Ｈは、保持機構１０に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部近傍の領域と対向するように設けられている。換言すれば、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれは、扇状に設けられた各分割空間８Ａ〜８Ｈの頂点近傍に設けられている。そして、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれと、分割空間８Ａ〜８Ｈに対応して設けられた吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれとの位置関係は、互いにほぼ同じである。
分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれには、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流れをガイドする第２ガイド部材１４が設けられている。第２ガイド部材１４は、第１ガイド部材１３同様、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れをガイドするものであって、複数の分割空間８Ａ〜８Ｈに対応するように、基材２の上面３に複数設けられている。本実施形態においては、第２ガイド部材１４は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに１つずつ設けられている。第２ガイド部材１４のそれぞれは、基材２の上面３の中央部から放射状に設けられている。換言すれば、第２ガイド部材１４のそれぞれは、保持機構１０で保持された基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部から周縁領域Ｅｂに向かって延びるように設けられている。第２ガイド部材１４は、扇状に設けられた分割空間８Ａ〜８ＨのそれぞれのθＺ方向のほぼ中央部に設けられており、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれは、第２ガイド部材１４の平面視における長手方向の延長線上に配置されている。分割空間８Ａ〜８Ｈ（吸引口５Ａ〜５Ｈ）のそれぞれと、分割空間８Ａ〜８Ｈ（吸引口５Ａ〜５Ｈ）に対応して設けられた第２ガイド部材１４のそれぞれとの位置関係は、互いにほぼ同じである。凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した際、第２ガイド部材１４は基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する。
第１、第２ガイド部材１３、１４は凸部４よりも低くなるように設けられている。すなわち、図９Ｂに示すように、凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した際、第１、第２ガイド部材１３、１４の上面と基板Ｐの裏面Ｐｂとの間に所定のギャップＧ２が形成される。ギャップＧ２は、第１、第２ガイド部材１３、１４の高さに応じた大きさを有し、ギャップＧ１よりも小さく設定される。本実施形態においては、ギャップＧ２は２μｍ〜５μｍ程度に設定される。
次に、第３実施形態の液体除去装置１による液体除去動作について説明する。保持機構１０が基板Ｐを保持した状態で、排気装置７が駆動されると、図８中、矢印ｙ１で示すように、大気空間５００の気体が周縁流路９を介して分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに流入し、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれには吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れが生成される。吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体は、基板Ｐの裏面Ｐｂ及び基材２の上面３にガイドされつつ流れるとともに、第１、第２ガイド部材１３、１４にガイドされつつ流れる。吸引口５Ａ〜５Ｈから排気を行うことによって生成された吸引口５Ａ〜５Ｈに向かう気体の流れによって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱは、吸引口５Ａ〜５Ｈまで移動する。そして、吸引口５Ａ〜５Ｈまで移動した液体ＬＱは、吸引口５Ａ〜５Ｈを介して排気装置７に回収される。以上により、液体除去装置１は、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去することができる。
以上説明したように、ガイド部材１３、１４を設けたことにより、大気空間５００から周縁流路９を介して所定空間８（分割空間８Ａ〜８Ｈ）に流入し、吸引口５（５Ａ〜５Ｈ）に向かう気体の流れをガイドすることができる。したがって、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに乱れの少ない流速の大きい気体の流れを生成することができ、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱをより良好に除去することができる。
また、所定空間８を第１ガイド部材１３によって複数の分割空間８Ａ〜８Ｈに分割し、複数の分割空間８Ａ〜８Ｈに対応するように複数の吸引口５Ａ〜５Ｈを設けることで、各分割空間８Ａ〜８Ｈ毎に、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れにむら（流速の分布など）を生じさせることなく、基板Ｐの裏面に付着した液体ＬＱを移動させるために十分に大きな速度を有する気体の流れを簡単に得ることができる。
また、第１、第２ガイド部材１３、１４の上面と保持機構１０に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂとの間にはギャップＧ２が形成されており、基板Ｐの裏面Ｐｂは第１、第２ガイド部材１３、１４と接触していない。これにより、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１、第２ガイド部材１３、１４とが接触することに起因する基板Ｐの汚染を防止することができる。ここで、ギャップＧ２は２μｍ〜５μｍ程度といった僅かな大きさであるため、ギャップＧ２における気体の流れの抵抗は大きくなる。したがって、第１、第２ガイド部材１３、１４に沿った吸引口５Ａ〜５Ｈに向かう気体の流れを円滑に生成することができる。
本実施形態においては、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれは第１ガイド部材１３によって平面視において扇状に形成されており、吸引口５は基材２の上面３に基板Ｐの裏面Ｐｂのほぼ中央部と対向するように設けられている。これにより、大気空間５００に接続する周縁流路９から、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに流入した気体の流速を高めつつ吸引口５Ａ〜５Ｈまで流すことができる。
また、扇状に設けられた分割空間８Ａ〜８ＨのそれぞれのθＺ方向のほぼ中央部に第２ガイド部材１４を設け、第２ガイド部材１４の平面視における長手方向の延長線上に吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれを配置したことにより、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れをより良好に生成することができ、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱをより確実に吸引口５Ａ〜５Ｈに移動することができる。なお、第２ガイド部材１４を分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに複数設けてもよいし、第２ガイド部材１４が無くても所望の気体の流れを得ることができるのであれば、第２ガイド部材１４は省略してもよい。
本実施形態においては、８個の分割空間８Ａ〜８Ｈが形成されるように、８個の第１ガイド部材１３が配置されているが、その数は必要に応じて適宜決めることができる。
また、本実施形態においては、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流速が略同じになるように、分割空間８Ａ〜８Ｈの大きさ及び形状、吸引口５Ａ〜５Ｈの大きさ及び形状、及び吸引口５Ａ〜５Ｈからの単位時間当たりの排気量などが設定されている。すなわち、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流速が略同じになるように、各分割空間８Ａ〜８Ｈの大きさ及び形状が互いにほぼ同じに設定され、各吸引口５Ａ〜５Ｈの大きさ及び形状が互いにほぼ同じに設定され、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれと分割空間８Ａ〜８Ｈに対応して設けられた吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれとの位置関係が互いにほぼ同じに設定され、吸引口５Ａ〜５Ｈからの単位時間当たりの排気量が互いにほぼ同じに設定されている。これにより、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける液体ＬＱの除去能力をほぼ等しくすることができる。一方、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流速が互いに異なるようにしてもよい。例えば、各吸引口５Ａ〜５Ｈからの単位時間当たりの排気量が互いに異なるようにしてもよい。この場合、例えば各吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに、互いに独立した排気装置７を接続し、各排気装置７による単位時間当たりの排気量を互いに異なるように設定することで、各吸引口５Ａ〜５Ｈからの単位時間当たりの排気量を互いに異ならせることができる。
なお本実施形態においては、周壁部１２は設けられておらず、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂと基材２の上面３の周縁領域との間には１０μｍ〜１ｍｍ程度のギャップＧ１が設けられているが、上述の第２実施形態同様、周壁部１２を設けて、基板Ｐの裏面Ｐｂと周壁部１２の上面との間に所定のギャップＧ１’が形成されてもよい。この場合、周壁部１２は、第１、第２ガイド部材１３、１４を囲むように、第１、第２ガイド部材１３、１４の外側に設けられる。
なお、本実施形態においては、第１、第２ガイド部材１３、１４はほぼ同じ高さであるが、第１、第２ガイド部材１３、１４の高さは互いに異なっていてもよい。例えば、第２ガイド部材１４の上面の高さを第１ガイド部材１３よりも低く形成し、基板Ｐの裏面Ｐｂを保持機構１０で保持した際、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１ガイド部材１３の上面との間に所定のギャップＧ２が形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂと第２ガイド部材１４の上面との間にギャップＧ２よりも大きいギャップが形成されるようにしてもよい。
なお、本実施形態においては、複数のピン状の凸部４を含む保持機構１０で保持された基板Ｐの裏面Ｐｂと第１、第２ガイド部材１３、１４の上面とは離れているが、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１、第２ガイド部材１３、１４の少なくとも一方とが接触してもよい。基板Ｐの裏面Ｐｂと第１、第２ガイド部材１３、１４の上面の少なくとも一方とが接触した場合であっても、吸引口５（５Ａ〜５Ｈ）から排気を行うことによって、吸引口５（５Ａ〜５Ｈ）に向かう気体の流れを生成することができる。基板Ｐの裏面Ｐｂと第１、第２ガイド部材１３、１４の上面とを接触させた場合、基板Ｐの裏面Ｐｂを第１、第２ガイド部材１３、１４の上面で支持することができるため、凸部４を省略することも可能となる。
また、本実施形態においては、複数の第１ガイド部材１３が、基材２の上面３の中央付近で接続されるように形成されているが、第２ガイド部材１４と同様に、基材２の上面３の中央付近で接続しないように形成することもできる。この場合、複数の吸引口５Ａ〜５Ｈの替わりに、基材２の上面３の中央付近に一つの吸引口５を設けるだけでもよい。
また、第１〜第３実施形態の液体除去装置においては、保持機構１０に保持された基板Ｐの周縁に形成される周縁流路９から気体を流入させることによって、所定空間８に吸引口５（５Ａ〜５Ｈ）に向かう気体の流れを生成するようにしているが、基材２の上面３に大気空間５００と連通した大気開放口を配置して、その大気開放口から吸引口５に向かう気体の流れによって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去するようにしてもよい。
＜液体除去装置の第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０は第４実施形態に係る液体除去装置１を上方から見た平面図、図１１は図１０のＢ−Ｂ線断面矢視図である。
図１０及び図１１において、液体除去装置１は、所定空間８における気体の流れをガイドするガイド部材１５を備えている。ガイド部材１５は、吸引口５に向かう気体の流れをガイドするものであって、基材２の上面３に設けられている。また、基材２の上面３のうち、ガイド部材１５が設けられている以外の領域には、上述の実施形態同様、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持するピン状の凸部４が複数設けられている。なお図面を見やすくするため、図１０には凸部４を図示していない。凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した際、ガイド部材１５は基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する。
図１０に示すように、複数のガイド部材１５は環状に形成されており、基材２の上面３において平面視同心状に配置されている。本実施形態においては、複数のガイド部材１５のそれぞれは、ほぼ円環状に形成されている。複数のガイド部材１５のそれぞれの中心部は、基材２の上面３の中央部とほぼ一致する。保持機構１０は、基材２の上面３の中央部と基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部とが対向するように基板Ｐを保持する。換言すれば、保持機構１０は、円環状に形成され、互いに同心状に配置されるガイド部材１５の中心部と、基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部とが対向するように基板Ｐを保持する。そして、所定空間８は、ガイド部材１５によって複数（８つ）の分割空間８Ａ〜８Ｈに分割される。複数の円環状のガイド部材１５が同心状に配置されているため、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれは環状に設けられ、これら環状の分割空間８Ａ〜８Ｈが略同心状に形成される。
分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれの内側には吸引口５が設けられている。吸引口５は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに複数設けられている。本実施形態においては、吸引口５は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに１つずつ設けられている。本実施形態においては、８つの分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに対応するように、８つの吸引口５Ａ〜５Ｈが基材２の上面３に設けられている。各吸引口５Ａ〜５Ｈの大きさ及び形状は互いにほぼ同じである。上述の第１〜第３実施形態同様、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれは排気装置７に接続されている。
本実施形態の基材２には、所定空間８と所定空間８の外側の大気空間５００とを流通する流路９’が形成されている。流路９’は、基材２の内部に形成された内部流路であって、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに対応するように複数設けられている。流路９’の一端は所定空間８の各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれと接続されている。一方、流路９’の他端は大気空間５００と接続されている。
分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれには、上記流路９’の一端である大気開放口１６が接続されている。大気開放口１６は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに対応するように複数設けられている。本実施形態においては、大気開放口１６は、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに１つずつ設けられている。本実施形態においては、８つの分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに対応して、８つの大気開放口１６Ａ〜１６Ｈが基材２の上面３に設けられている。大気開放口１６Ａ〜１６Ｈのそれぞれは、吸引口５Ａ〜５Ｈに対して所定の位置関係で設けられている。本実施形態においては、吸引口５Ａ〜５Ｈは、環状の分割空間８Ａ〜８Ｈの−Ｘ側に設けられ、大気開放口１６Ａ〜１６Ｈは、＋Ｘ側に設けられている。すなわち、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれと大気開放口１６Ａ〜１６Ｈのそれぞれとは、基材２の上面３の中央部に関してほぼ対称な位置に設けられている。
図１１に示すように、基材２の上面３に設けられた凸部４は、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することにより、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間にギャップＧ１を形成する。
ガイド部材１５は凸部４よりも低くなるように設けられている。すなわち、図１１に示すように、凸部４を含む保持機構１０で基板Ｐの裏面Ｐｂを保持した際、ガイド部材１５の上面と基板Ｐの裏面Ｐｂとの間に所定のギャップＧ２が形成される。ギャップＧ２は、ガイド部材１５の高さに応じた大きさを有し、ギャップＧ１よりも小さく設定される。本実施形態においても、ギャップＧ２は２μｍ〜５μｍ程度に設定される。
また、図１１に示すように、本実施形態においては、基材２の上面３と凸部４との接続部４Ｓ、及び基材２の上面３のガイド部材１５との接続部１５Ｓは、断面視円弧状に形成されている。
次に、液体除去装置１による液体除去動作について説明する。保持機構１０が基板Ｐを保持した状態で、排気装置７が駆動されると、図１０中、矢印ｙ１で示すように、大気空間５００の気体が流路９’及び大気開放口１６Ａ〜１６Ｈを介して分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれに流入し、分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれには吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れが生成される。吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体は、基板Ｐの裏面Ｐｂ及び基材２の上面３にガイドされつつ流れるとともに、ガイド部材１５にガイドされつつ流れる。吸引口５Ａ〜５Ｈから排気を行うことによって生成された吸引口５Ａ〜５Ｈに向かう気体の流れによって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱは、吸引口５Ａ〜５Ｈまで移動する。そして、吸引口５Ａ〜５Ｈまで移動した液体ＬＱは、吸引口５Ａ〜５Ｈを介して排気装置７に回収される。以上により、液体除去装置１は、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱを除去することができる。
以上説明したように、円環状のガイド部材１５を設けたことにより、大気空間５００から大気開放口１６（流路９’）を介して所定空間８（分割空間８Ａ〜８Ｈ）に流入し、吸引口５（５Ａ〜５Ｈ）に向かう気体の流れをガイドすることができる。したがって、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着した液体ＬＱをより良好に除去することができる。
また、所定空間８をガイド部材１５によって複数の分割空間８Ａ〜８Ｈに分割し、複数の分割空間８Ａ〜８Ｈに対応するように複数の吸引口５Ａ〜５Ｈ及び大気開放口１６Ａ〜１６Ｈを設けることで、各分割空間８Ａ〜８Ｈ毎に、吸引口５Ａ〜５Ｈのそれぞれに向かう気体の流れにむら（流速の分布など）を生じさせることなく、液体ＬＱを移動させるために十分な流速を有する気体の流れを簡単に得ることができる。
また、図１１に示すように、本実施形態においては、基材２の上面３と凸部４との接続部４Ｓ、及び基材２の上面３のガイド部材１５との接続部１５Ｓは、断面視円弧状に形成されているため、基材２の上面３や、凸部４やガイド部材１５の側面などに液体ＬＱが付着している場合であっても、吸引口５Ａ〜５Ｈに向かう気体の流れによって、その液体ＬＱを基材２の上面３などに留まらせること無く、吸引口５Ａ〜５Ｈまで円滑に移動することができる。
また、本実施形態においても、ガイド部材１５の上面と保持機構１０に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂとの間にはギャップＧ２が形成されており、基板Ｐの裏面Ｐｂはガイド部材１５と接触していない。これにより、基板Ｐの裏面Ｐｂとガイド部材１５とが接触することに起因する基板Ｐの汚染を防止することができる。ここで、ギャップＧ２は、２μｍ〜５μｍ程度といった僅かな大きさであるため、ギャップＧ２における気体の流れの抵抗は大きくなる。したがって、ガイド部材１５に沿った吸引口５Ａ〜５Ｈに向かう気体の流れを円滑に生成することができる。
なお、本実施形態においては、凸部４を含む保持機構１０で保持された基板Ｐの裏面Ｐｂとガイド部材１５の上面とは離れているが、基板Ｐの裏面Ｐｂと複数のガイド部材１５の少なくとも一つとが接触してもよい。また、基板Ｐの裏面Ｐｂとガイド部材１５の上面とを接触させた場合、凸部４を省略することも可能となる。
なお、制御装置ＣＯＮＴは、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流速が略同じになるように、吸引口５Ａ〜５Ｈからの単位時間当たりの排気量を設定することができる。これにより、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける液体ＬＱの除去能力をほぼ等しくすることができる。図１０に示すように、本実施形態においては、同心状に配置された複数の分割空間８Ａ〜８Ｈのうち、分割空間８Ａの径（大きさ）が最も大きく、内側に向かうにつれて、すなわち分割空間８Ｂ〜８Ｈになるにつれて径（大きさ）が漸次小さくなる。したがって、分割空間８Ａの大気開放口１６Ａから吸引口５Ａに向かう気体の流れの抵抗（圧損）が最も大きくなる。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、分割空間８Ａ〜８Ｈの圧損に応じて、分割空間８Ａ〜８Ｈにおける気体の流速がそれぞれほぼ同じになるように、分割空間８Ａ〜８Ｈに接続された排気（吸引）装置の排気能力（吸引力）が互いに異なるように調整する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、径の最も大きい分割空間８Ａに設けられた吸引口５Ａに接続された排気装置の吸引力を最も大きくし、径が小さくなるにつれて、分割空間８Ｂ〜８Ｇのそれぞれに接続された排気装置の吸引力を除々に小さくし、径の最も小さい分割空間８Ｈに接続された排気装置の吸引力を最も小さくする。
また、図１２に示すように、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流速が略同じになるように、各分割空間８Ａ〜８Ｈの内側に設けられる吸引口５Ａ〜５Ｈ及び大気開放口１６Ａ〜１６Ｈのそれぞれの数及び配置を設定してもよい。具体的には、分割空間８Ａ〜８Ｈの径（大きさ）に応じて、その分割空間８Ａ〜８Ｈに設けられる吸引口５Ａ〜５Ｈ及び大気開放口１６Ａ〜１６Ｈの数及び配置を設定する。すなわち、径の最も大きい分割空間８Ａに設けられる吸引口５Ａ及び大気開放口１６Ａの数を多くし、内側の分割空間８Ｂ〜８Ｈに向かうにつれて、吸引口５Ｂ〜５Ｈ及び大気開放口１６Ｂ〜１６Ｈの数を少なくする。図１２に示す例では、分割空間８Ａに設けられる吸引口５Ａ及び大気開放口１６Ａは８つずつであり、吸引口５Ａと大気開放口１６ＡとはθＺ方向において互いに交互に配置されている。同様に、分割空間８Ｂに設けられる吸引口５Ｂ及び大気開放口１６Ｂは８つずつであり、吸引口５Ｂと大気開放口１６Ｂとは互いに交互に配置されている。そして、分割空間８Ｃには吸引口５Ｃ及び大気開放口１６Ｃが４つずつ互いに交互に配置され、分割空間８Ｄには吸引口５Ｄ及び大気開放口１６Ｄが２つずつ互いに交互に配置され、分割空間８Ｅには吸引口５Ｅ及び大気開放口１６Ｅが２つずつ互いに交互に配置されている。また、分割空間８Ｆ、８Ｇ、８Ｈには、吸引口５Ｆ、５Ｇ、５Ｈ及び大気開放口１６Ｆ、１６Ｇ、１６Ｈが１つずつ配置されている。また、この場合においても、各吸引口５Ａ〜５Ｈからの単位時間当たりの排気量を互いに異ならせてもよい。これにより、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける気体の流速を略同じにすることができ、各分割空間８Ａ〜８Ｈのそれぞれにおける液体ＬＱの除去能力をほぼ等しくすることができる。なお、基材２の上面３と凸部４との接続部４Ｓ、及び基材２の上面３とガイド部材１５との接続部１５Ｓは、断面視直線状（平坦）であってもよい。
なお、第４実施形態において、分割空間８Ａ〜８Ｈの気体の流速は、適宜設定することができる。例えば、液体ＬＱが付着しやすい基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域と対向する分割空間８Ａの気体の流速が最も大きくなるように、吸引口５Ａから単位時間あたりの排気量、及び／又は吸引口５Ａ、大気開放口１６Ａの位置、数を設定してもよい。
なお、上述の第３、第４実施形態において、ガイド部材と基材２とを一体に設けてもよいし、ガイド部材と基材２とを別体とし分離可能としてもよい。また、露光処理された後の基板Ｐを液体除去装置１の基材２上にロードする前に、ガイド部材を基板Ｐの裏面Ｐｂに取り付け、その状態でガイド部材と基板Ｐとを基材２に一緒にロードするようにしてもよい。
なお、上述の第１〜第４実施形態においては、基材２の上面３や凸部４の表面は液体ＬＱに対して撥液性であるが、撥液性でなくても、吸引口５から排気を行うことによって吸引口５に向かうように流速の大きい気体の流れを生成することによって、液体ＬＱを吸引口５まで移動することができる。
なお、上述の第１〜第４実施形態においては、吸引口５は基材２の上面３に設けられているが、吸引口を有する基材２とは別の部材を所定空間８に配置し、その部材に設けられた吸引口から所定空間８の気体を排気するようにしてもよい。
なお、上述の第１〜第４実施形態においては、基板Ｐを保持する保持機構１０は、基材２に設けられた凸部４を含み、凸部４で基板Ｐの裏面Ｐｂを支持することによって、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成しているが、基材２とは別に設けられた保持機構を使って基板Ｐを保持し、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に所定空間８を形成するようにしてもよい。例えば、基板Ｐの側面を保持可能な保持機構で基板Ｐを保持し、その保持機構で保持された基板Ｐの裏面Ｐｂと対向するように基材２の上面３を配置し、基板Ｐの裏面Ｐｂと基材２の上面３との間に所定空間８を形成するようにしてもよい。
なお、上述の第１〜第４実施形態においては、所定空間８は基板Ｐの裏面Ｐｂのほぼ全域に対応して設けられているが、基板ホルダＰＨに基板Ｐを保持した状態で液浸露光を行った場合、液体ＬＱは基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに付着する可能性が高い。したがって、液体ＬＱを除去するための所定空間８を、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに対応する領域のみに形成し、その所定空間８内に吸引口５を設け、その吸引口５から排気を行ってもよい。こうすることにより、基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに付着した液体ＬＱを除去することができる。
＜露光装置本体ＥＸ＞
次に、図１及び図１３を参照しながら、上述の液体除去装置１に搬送される前に基板Ｐに対して液浸露光を行う露光装置本体ＥＸの一実施形態について説明する。図１３は露光装置本体ＥＸの要部を示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置本体ＥＸとして、マスクＭと基板Ｐとをそれぞれの走査方向（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）に適用した場合を例にして説明する。
図１において、照明光学系ＩＬは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
上述のように、本実施形態においては、光路空間Ｋ１を満たす液体ＬＱとして純水が用いられている。純水は、ＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより、マスクＭを保持した状態で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微少回転可能である。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡９１が設けられている。また、移動鏡９１に対向する位置にはレーザ干渉計９２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＺ方向の回転角（場合によってはθＸ、θＹ方向の回転角も含む）はレーザ干渉計９２によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計９２の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計９２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを介して、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１は、鏡筒ＰＫより露出している。
図１及び図１３において、基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有している。基板ホルダＰＨは、例えば真空吸着機構を用いて基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴ上には凹部９６が設けられており、基板Ｐを保持するための基板ホルダＰＨは凹部９６に配置されている。そして、基板ステージＰＳＴの凹部９６の周囲に形成された上面９７は、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面Ｐａとほぼ同じ高さ（面一）になる平坦面となっている。
基板ホルダＰＨは、基材８０と、基材８０上に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する複数の凸部８１と、基材８０上に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂに対向し、凸部８１を囲むように設けられた周壁部８２とを備えている。周壁部８２は、基板Ｐの形状に応じて略円環状に形成されており、周壁部８２の上面が基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂに対向するように設けられている。また、周壁部８２の内側の基材８０上には不図示の吸引口が複数一様に形成されている。複数の吸引口のそれぞれは真空系に接続されている。制御装置ＣＯＮＴは、真空系を駆動し、基板Ｐと周壁部８２と基材８０とで囲まれた空間８３内部のガス（空気）を吸引（排気）してこの空間８３を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面Ｐｂを凸部８１で吸着する。基板Ｐの裏面Ｐｂを凸部８１で吸着した際、基板Ｐの裏面Ｐｂと周壁部８２の上面とは密着する。
基板ステージＰＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを介して、基板Ｐを基板ホルダＰＨを介して保持した状態で、ベース部材ＢＰ上でＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。更に基板ステージＰＳＴは、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向にも移動可能である。したがって、基板ステージＰＳＴに支持された基板Ｐの上面は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージＰＳＴの側面には移動鏡９３が設けられている。また、移動鏡９３に対向する位置にはレーザ干渉計９４が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計９４によりリアルタイムで計測される。また、露光装置本体ＥＸは、基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの上面の面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系を備えている。レーザ干渉計９４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角（θＸ、θＹ）を制御して基板Ｐの上面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計９４の計測結果に基づいて、基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向における位置制御を行う。
液浸機構１００の液体供給部３１は、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整機構、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部３１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、液体供給部３１のタンク、加圧ポンプ、温度調整機構、フィルタユニット等は、その全てを露光装置ＥＸ−ＳＹＳが備えている必要はなく、露光装置ＥＸ−ＳＹＳが設置される工場等の設備を代用してもよい。
液体回収部４１は、例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。液体回収部４１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、液体回収部４１の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置ＥＸ−ＳＹＳが備えている必要はなく、露光装置ＥＸ−ＳＹＳが設置される工場等の設備を代用してもよい。
液体ＬＱを供給する供給口３２及び液体ＬＱを回収する回収口４２はノズル部材７０の下面に形成されている。ノズル部材７０は、第１光学素子ＬＳ１の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口３２は、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ）を囲むように複数設けられている。また、回収口４２は、第１光学素子ＬＳ１に対して供給口３２よりも外側に離れて設けられており、第１光学素子ＬＳ１及び供給口３２を囲むように設けられている。
液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する際、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給部３１及び液体回収部４１のそれぞれを駆動する。制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで液体供給部３１から液体ＬＱが送出されると、その液体供給部３１から送出された液体ＬＱは、供給管３３を流れた後、ノズル部材７０の供給流路を介して、供給口３２より投影光学系ＰＬの像面側に供給される。また、制御装置ＣＯＮＴのもとで液体回収部４１が駆動されると、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱは回収口４２を介してノズル部材７０の回収流路に流入し、回収管４３を流れた後、液体回収部４１に回収される。
制御装置ＣＯＮＴは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影している間、液浸機構１００を使って投影光学系ＰＬと基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たす。投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射することによって、基板Ｐが露光される。
例えば、基板Ｐの表面Ｐａの周縁領域Ｅａを液浸露光する場合、液体ＬＱの液浸領域ＬＲが、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面Ｐａと基板ステージＰＳＴの上面９７との間に形成されたギャップＧｅ上に配置される場合がある。すると、ギャップＧｅに液体ＬＱが浸入し、さらに基板Ｐの裏面Ｐｂ側に浸入する可能性がある。上述のように、基板ホルダＰＨで基板Ｐを保持した際、基板Ｐの裏面Ｐｂと基板ホルダＰＨの周壁部８２の上面とは密着するため、ギャップＧｅに浸入し、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に回り込んだ液体ＬＱは、主に基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域Ｅｂ（周壁部８２よりも外側の領域）に付着する可能性が高い。また、基板Ｐの裏面Ｐｂと基板ホルダＰＨの周壁部８２の上面との間を介して空間８３に液体ＬＱが浸入し、液体ＬＱは基板Ｐの裏面Ｐｂの中央部にも付着する可能性がある。制御装置ＣＯＮＴは、液浸露光処理が施された基板Ｐを第２搬送系Ｈ２を使って基板ホルダＰＨからアンロードした後、上述の第１〜第４実施形態で説明した液体除去装置１まで搬送し、液体除去装置１で、基板Ｐの裏面Ｐｂに付着している液体ＬＱの除去処理を行う。
なお、上述の実施形態においては、露光装置ＥＸ−ＳＹＳに液体除去装置１が搭載されているが、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳに液体除去装置１を配置するようにしてもよい。あるいはインターフェース部ＩＦに液体除去装置１を配置してもよい。
また、上述の実施形態において、液浸露光処理された基板Ｐの裏面Ｐｂの液体の付着状態を検査する検査装置を露光装置ＥＸ−ＳＹＳに配置して、基板Ｐの裏面Ｐｂに許容できない液体ＬＱが付着している場合のみ、上述の液体除去装置１に露光後の基板Ｐを搬送するようにしてもよい。
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ約１．４４であり、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子（レンズ）ＬＳ１が取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされているが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たしてもよい。
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
露光装置ＥＸ−ＳＹＳとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
また、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。
更に、特開平１１−１３５４００号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
露光装置ＥＸ−ＳＹＳの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いる露光装置にも本発明を適用することができる。
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸ−ＳＹＳによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

Claims (26)

  1. 液体を介して露光光が照射され、かつ基板ホルダから搬出された被露光基板を被露光基板に付着した液体を除去する液体除去装置において、
    前記基板ホルダから搬出された前記被露光基板の裏面側に所定空間を形成し、前記所定空間の気体を吸引口から排気することによって前記被露光基板の裏面に付着した液体を除去する液体除去装置。
  2. 前記吸引口から排気を行うことによって前記所定空間において前記吸引口に向かう気体の流れを生成し、該気体の流れによって前記被露光基板の裏面に付着した液体を前記吸引口まで移動して、前記吸引口を介して液体を回収する請求項１記載の液体除去装置。
  3. 前記所定空間と該所定空間の外側の外部空間とは気体が流れるように接続されている請求項１又は２記載の液体除去装置。
  4. 前記被露光基板の裏面側に前記所定空間が形成されるように前記被露光基板を保持する保持機構を有する請求項１〜３のいずれか一項記載の液体除去装置。
  5. 前記被露光基板の裏面に対向する所定面を有する所定部材を備え、
    前記所定空間は前記被露光基板の裏面と前記所定面との間の空間を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の液体除去装置。
  6. 前記吸引口は前記所定面に設けられている請求項５記載の液体除去装置。
  7. 前記被露光基板の裏面の周縁領域と前記所定部材の前記所定面との間の隙間を介して、前記所定空間と該所定空間の外側の外部空間とが接続されている請求項５又は６記載の液体除去装置。
  8. 前記吸引口は、前記所定面における、前記保持機構に保持された前記被露光基板の裏面の中央部と対向する領域に設けられている請求項６記載の液体除去装置。
  9. 前記所定部材に、前記所定空間と該所定空間の外側の外部空間との間で気体が流れるように流路が形成される請求項５又は６記載の液体除去装置。
  10. 前記所定部材は、前記所定面に設けられ、前記被露光基板の裏面を支持して前記被露光基板の裏面と前記所定面との間に第１のギャップを形成する凸部を有する請求項５〜９のいずれか一項記載の液体除去装置。
  11. 前記第１のギャップは１０μｍ〜１ｍｍである請求項１０記載の液体除去装置。
  12. 前記所定空間における気体の流れをガイドするガイド部材を有する請求項５〜１１のいずれか一項記載の液体除去装置。
  13. 前記ガイド部材は前記吸引口に向かう気体の流れをガイドする請求項１２記載の液体除去装置。
  14. 前記ガイド部材は前記被露光基板の裏面と対向する前記所定面に設けられている請求項１２又は１３記載の液体除去装置。
  15. 前記ガイド部材の上面と前記被露光基板の裏面との間に第２のギャップが形成される請求項１４記載の液体除去装置。
  16. 前記第２のギャップは２〜５μｍである請求項１５記載の液体除去装置。
  17. 前記所定空間は前記ガイド部材によって複数の分割空間に分割され、前記吸引口は前記分割空間に応じた複数の吸引口を有する請求項１２〜１６のいずれか一項記載の液体除去装置。
  18. 前記分割空間のそれぞれと該分割空間の外側の外部空間とは、気体が流れるように接続されている請求項１７記載の液体除去装置。
  19. 前記分割空間のそれぞれは前記被露光基板の裏面の周縁領域から中央部に向かって漸次窄まる形状を有し、かつ互いに隣り合う請求項１７又は１８記載の液体除去装置。
  20. 前記周縁領域近傍において、前記分割空間のそれぞれと該分割空間の外側の外部空間とが気体が流れるように接続されており、前記中央部近傍に前記吸引口が設けられている請求項１９記載の液体除去装置。
  21. 前記分割空間のそれぞれは環状に形成され、かつ前記分割空間が略同心状に配置される請求項１７又は１８記載の液体除去装置。
  22. 前記分割空間において、前記吸引口と、該分割空間の外側の外部空間と流通する流路とが所定の位置関係で設けられている請求項２１記載の液体除去装置。
  23. 前記所定空間の気体を排気することによって、前記被露光基板の裏面に沿って気体が流れるように前記所定空間を形成する請求項１〜２２のいずれか一項記載の液体除去装置。
  24. 前記基板ホルダと、
    請求項１〜２３のいずれか一項記載の液体除去装置とを備えた露光装置。
  25. 前記基板ホルダと前記液体除去装置との間で前記被露光基板を搬送する搬送系を備え、
    前記搬送系は前記被露光基板の裏面の略中央部を保持する請求項２４記載の露光装置。
  26. 請求項２４又は２５のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
JP2006553916A 2005-01-18 2006-01-18 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法 Withdrawn JPWO2006077859A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005010093 2005-01-18
JP2005010093 2005-01-18
PCT/JP2006/300605 WO2006077859A1 (ja) 2005-01-18 2006-01-18 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2006077859A1 true JPWO2006077859A1 (ja) 2008-06-19

Family

ID=36692248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006553916A Withdrawn JPWO2006077859A1 (ja) 2005-01-18 2006-01-18 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080165330A1 (ja)
EP (1) EP1843386A1 (ja)
JP (1) JPWO2006077859A1 (ja)
KR (1) KR20070095270A (ja)
TW (1) TW200629008A (ja)
WO (1) WO2006077859A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019505841A (ja) * 2016-02-08 2019-02-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板をロードする方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2768016B1 (en) * 2005-12-08 2017-10-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
KR20080026499A (ko) * 2006-09-20 2008-03-25 캐논 가부시끼가이샤 기판보유장치
JP4922322B2 (ja) * 2008-02-14 2012-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． コーティング
GB2469112A (en) * 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
WO2010094802A1 (en) 2009-02-22 2010-08-26 Mapper Lithography Ip B.V. Preparation unit for lithogrpahy machine
KR20120108229A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 삼성디스플레이 주식회사 레이저 가공용 워크 테이블
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101743498B1 (ko) * 2012-12-20 2017-06-05 캐논 아네르바 가부시키가이샤 자기저항 효과 소자의 제조 방법
WO2015043890A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Asml Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3137945B1 (en) 2014-04-30 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN107077078B (zh) * 2014-10-23 2019-04-09 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台、加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法
SG11201806511XA (en) 2016-03-22 2018-08-30 Ev Group E Thallner Gmbh Device and method for bonding substrates
SG11202002228UA (en) 2017-10-12 2020-04-29 Asml Netherlands Bv Substrate holder for use in a lithographic apparatus
US11081383B2 (en) * 2017-11-24 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate table with vacuum channels grid

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
EP0890136B9 (en) * 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
CN101382738B (zh) * 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
KR101085372B1 (ko) * 2002-12-10 2011-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2004102646A1 (ja) * 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101940892B1 (ko) * 2003-06-13 2019-01-21 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005036623A1 (ja) * 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR101771334B1 (ko) * 2004-12-15 2017-08-24 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019505841A (ja) * 2016-02-08 2019-02-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板をロードする方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1843386A1 (en) 2007-10-10
KR20070095270A (ko) 2007-09-28
US20080165330A1 (en) 2008-07-10
WO2006077859A1 (ja) 2006-07-27
TW200629008A (en) 2006-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2006077859A1 (ja) 液体除去装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5440553B2 (ja) 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4968076B2 (ja) 基板保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4844186B2 (ja) プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5146519B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5029611B2 (ja) クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014027316A (ja) 露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006165502A (ja) 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
JP2006024915A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2007083592A1 (ja) 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2012137797A1 (ja) 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体
JP5278034B2 (ja) 基板保持装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法
JP4752320B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置、基板保持方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2010040702A (ja) ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4807086B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JPWO2006041091A1 (ja) 露光装置のメンテナンス方法、露光装置、デバイス製造方法、液浸露光装置のメンテナンス用の液体回収部材
JP5343962B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2007007723A1 (ja) 液浸露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法
JP2014093456A (ja) 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
JP2012104584A (ja) メンテナンス方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081211

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20100108