JP6420900B2 - リソグラフィ装置用の支持テーブル、基板をロードする方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置用の支持テーブル、基板をロードする方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１４年１０月２３日出願の欧州特許第１４１９００７９．５号の利益を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置用の支持テーブル、基板をロードする方法、リソグラフィ装置、及び、リソグラフィ装置を使用してデバイスを製造するための方法に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行或いは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0004] 液浸リソグラフィ装置において、液浸流体は流体ハンドリングシステム又は装置によって取り扱われる。実施形態において、流体ハンドリングシステム又は装置は液浸流体を供給することができるため、流体供給システム又は装置を備えるか又は流体供給システム又は装置からなり得る。実施形態において、流体ハンドリングシステム又は装置は、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めることができる。実施形態において、流体ハンドリングシステム又は装置は、液浸流体にバリアを提供することができるため、流体閉じ込め構造などのバリア部材を備えるか又はバリア部材からなり得る。実施形態において、流体ハンドリングシステム又は装置は、例えば液浸流体のフロー及び／又は位置を制御する際に役立てるために、ガスのフローを作るか又は使用することができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができるため、流体ハンドリングシステム又は装置はシール部材と呼ばれることがあり、こうしたシール部材は流体閉じ込め構造であり得る。実施形態において、液浸流体として液浸液が使用される。その場合、流体ハンドリングシステム又は装置は液体ハンドリングシステム又は装置であり得る。以下の説明では、流体に関して定義された特徴への言及は、液体に関して定義された特徴を含むものと理解してよい。
[0005] リソグラフィプロセス中、支持テーブルによって基板を支持することができる。支持テーブルへ、及び／又は支持テーブルから基板を転移させるために、基板ハンドラを提供することができる。支持テーブルに基板をクランプするために真空クランプシステムを使用することができる。一構成において、基板は基板ハンドラから支持ピン上に転移させることができる。支持ピンは、基板が支持ピンから支持テーブル上に転移されるまでゆっくりと降下するように構成される。基板は、支持ピンから、例えば支持テーブルのベース面から突出しているバール上へと転移させることができる。支持ピンは、Ｅピンと呼ばれることがある。基板が支持ピン上へと下降している間、基板の下の領域から外へガスをポンピングすることができる。このガスのポンピングによって、基板の下に部分的な真空を作ることができる。基板が支持テーブルに近づくにつれて、不均一な圧力プロファイルが構築されることがある。不均一な圧力プロファイルによって、基板に内部応力が与えられることがある。基板と支持テーブルとが接触状態になると、部分シールが作成され、基板の下の圧力は急速に低下する。圧力の急速な低下の結果、基板は迅速かつしっかりと支持テーブルにクランプされることになる。クランプされると、基板のその後の動きは制約される。クランプ以前に基板内に存在していた内部応力はクランプ後にも維持され、その後、基板の変形を生じさせる可能性がある。
[0006] 内部応力を伴う基板のクランプは、オーバーレイエラーにつながる可能性がある。内部応力は典型的には、初期に平坦な基板に対して約１ｎｍのオーバーレイエラーを与える可能性がある。内部応力は、初期に平坦でない基板に対しては、さらに多くのオーバーレイエラーを与える傾向がある。
[0007] 初期に平坦な基板の場合、内部応力がクランプ後に基板の変形を生じさせる傾向がある。初期に平坦でない基板の場合、内部応力がクランプ後に変形を増加させる傾向がある。初期に平坦でない基板の場合、初期の非平坦性及び不均一な圧力誘起による応力の両方が、クランプ後により大きな全体変形を累積的に与える傾向があるため、オーバーレイエラーが大きくなる傾向がある。
[0008] 従って、例えば、基板が支持テーブル上にロードされた後に変形する程度を低減させることによって、前述の問題のうちの１つ以上又は１つ以上の他の問題を緩和することが望ましい。
[0009] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の支持テーブルが提供され、支持テーブルは基板を支持するように構成され、支持テーブルは、ベース面であって、基板が支持テーブルによって支持されているときに基板の底面に面するベース面と、ベース面の上の１つ以上のガスクッション部材であって、ガスクッション部材の各々は凹部を備え、凹部は、基板が支持テーブルによって支持されている支持テーブル上の位置への基板の下降が凹部内に圧力の局所的上昇を生じさせるように、成形及び構成され、圧力の局所的上昇は、基板の下降中に局所的なガスクッション効果を提供する、１つ以上のガスクッション部材と、を備える。
[0010] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の支持テーブルが提供され、支持テーブルは基板を支持するように構成され、支持テーブルは、ベース面と、ベース面の上に突出した複数のバールであって、複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、複数のバールは、基板が支持テーブルによって支持されているときに、基板が複数のバールのそれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、ベース面の上に突出した複数の突起であって、複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、それぞれの遠位端は、基板が複数のバールのそれぞれの遠位端によって支持されているときに、突起のそれぞれの遠位端が基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起と、１つ以上のガスクッション部材であって、各ガスクッション部材は複数の突起のうちの１つに形成されたガス供給チャネルを備え、ガス供給チャネルは、支持テーブル及び突起を介して突起の遠位端にある開口までガスのフローを供給できるように構成される、１つ以上のガスクッション部材と、を備える。
[0011] 一態様によれば、リソグラフィ装置内の支持テーブル上に基板をローディングする方法が提供され、支持テーブルは基板を支持するように構成され、方法は支持テーブルを提供することを含み、支持テーブルは、ベース面と、ベース面の上に突出した複数のバールであって、複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、複数のバールは、基板が支持テーブルによって支持されているときに、基板が複数のバールのそれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、ベース面の上に突出した複数の突起であって、複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、それぞれの遠位端は、基板が支持テーブルによって支持されているときに、遠位端が基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起と、複数の突起のうちの１つ以上に形成された１つ以上のガスクッション部材であって、各ガスクッション部材は、基板が基板テーブル上へと下降しているときに基板に面するように構成された開口、及び、基板テーブルを介して開口につながるガス供給チャネルを備える、１つ以上のガスクッション部材と、を備え、方法は、基板が支持テーブル上へと下降している間に、ガス供給チャネルを介して開口へとガスのフローを提供することをさらに含む。
[0012] 一態様によれば、パターニングデバイスから基板へパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含む、デバイス製造方法が提供され、リソグラフィ装置は基板を支持するように構成された支持テーブルを備え、支持テーブルは、１つ以上のガスクッション部材を備え、ガスクッション部材の各々は凹部を備え、凹部は、基板が支持テーブルによって支持されている支持テーブル上の位置への基板の下降が凹部内に圧力の局所的上昇を生じさせるように、成形及び構成され、圧力の局所的上昇は、基板の下降中に局所的なガスクッション効果を提供する。
[0013] 態様によれば、パターニングデバイスから基板へパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含む、デバイス製造方法が提供され、リソグラフィ装置は基板を支持するように構成された支持テーブルを備え、支持テーブルは、ベース面と、ベース面の上に突出した複数のバールであって、複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、複数のバールは、基板が支持テーブルによって支持されているときに、基板が複数のバールのそれぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、ベース面の上に突出した複数の突起であって、複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、それぞれの遠位端は、基板が複数のバールのそれぞれの遠位端によって支持されているときに、突起のそれぞれの遠位端が基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起と、１つ以上のガスクッション部材であって、各ガスクッション部材は複数の突起のうちの１つに形成されたガス供給チャネルを備え、ガス供給チャネルは、支持テーブル及び突起を介して突起の遠位端にある開口までガスのフローを供給できるように構成される、１つ以上のガスクッション部材と、を備える。
[0014] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0015]本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。 [0016]リソグラフィ装置内で使用するための液体供給システムを示す図である。 [0017]実施形態に従ったさらなる液体供給システムを示す側断面図である。 [0018]複数のガスクッション部材を備える支持テーブル１００を示す概略上面図である。 [0019]基板がガスクッション部材に向かって下降している間の単一のガスクッション部材を示す、概略側断面図である。 [0020]基板がガスクッション部材に向かって下降している間の複数の例示的ガスクッション部材を示す、概略側断面図である。 [0021]ガスクッション部材を示す概略上面図である。 [0022]ガスチャネルを備えるガスクッション部材を示す概略側断面図である。 [0023]図８に示されるタイプのガスクッション部材を示す概略上面図である。 [0024]代替ガスチャネルを備えるガスクッション部材を示す概略上面図である。 [0025]基板を支持する複数のバールと、バールより下の突起内に形成された複数のガスクッション部材とを備える、支持テーブルの一部を示す概略側断面図である。 [0026]バール内に形成されたガスクッション部材を伴う複数のバールを備える支持テーブルの一部を示す、概略側面図である。 [0027]基板を支持する複数のバールと、バールより下の突起内へと支持テーブルを介してガスのフローが供給できるようにガス供給チャネルが形成された複数のガスクッション部材とを備える、支持テーブルの一部を示す、概略側断面図である。 [0028]基板のローディング中の、ガスクッション部材内での経時的なシミュレートされた圧力の変動を示すグラフである。
[0029] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイス支持体又はマスクステージ（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、を含む。この装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板支持体」を含む。さらに、この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
[0030] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0031] 支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造はパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0032] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0033] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0034] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0035] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。或いは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
[0036] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に１つ以上のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。
[0037] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
[0038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0039] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
[0040] 放射ビームＢは、マスク支持構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。マスクを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、支持テーブル１００を、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してマスクを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板支持体」の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスク及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、マスク上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0041] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供するための構成は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは、バスタイプ構成、いわゆる局所的液浸システム、及びオールウェット液浸システムである。バスタイプ構成では、実質的に基板Ｗの全体と任意選択で基板テーブルＷＴの一部とが、液体のバスに沈められる。
[0042] 提案された構成は、投影システムの最終要素と基板、基板テーブル、又はその両方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を、液体供給システムに提供することである。こうした構成が図２に示されている。図２に示され以下で説明される構成は、上記で説明され図１に示されたリソグラフィ装置に適用可能である。
[0043] 図２は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造ＩＨを備える、局所的な液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示す。（以下の本文内での基板Ｗの表面への言及は、別段に明記されていない限り、追加又は代替として、基板テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）実施形態において、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面との間にシールが形成され、ガスシール１６（こうしたガスシールを伴うシステムは、欧州特許出願公開第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの、非接触シールとすることができる。
[0044] 液体閉じ込め構造ＩＨは少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を収容する。空間１１は少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終要素の下に位置決めされ、これを取り囲む、液体閉じ込め構造ＩＨによって形成される。液体は、開口１３によって、投影システムＰＳの下の空間１１内及び液体閉じ込め構造ＩＨ内へと運ばれる。液体は開口１３によって除去することができる。液体が開口１３によって空間１１内に運ばれるか又は空間１１から除去されるかは、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの移動方向に依存し得る。
[0045] 使用中、液体閉じ込め構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって、液体を空間１１内に収容することができる。ガスシール１６内のガスは、圧力下でガス注入口１５を介して、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスは、排出口１４に関連付けられたチャネルを介して抽出される。ガス注入口１５への過圧、排出口１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内部への高速ガスフローが存在するように構成される。液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間の液体に対するガスの力が、液体を空間１１内に収容する。こうしたシステムが、米国特許出願公開第ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。実施形態において、液体閉じ込め構造ＩＨはガスシールを有さない。
[0046] 局所域液体供給システムにおいて、基板Ｗは、投影システムＰＳ及び液体供給システムの下で移動される。例えば、基板Ｗのエッジが結像されるべきである場合、或いは、基板テーブル上（又は、測定テーブル上）のセンサが結像されるべきであるか、又は、例えば基板スワップを実施できるようにするために、ダミー基板又はいわゆる閉鎖板を液体供給システムの下に位置決めできるように、基板テーブルＷＴが移動されるべきである場合、基板Ｗのエッジ（又は他のオブジェクト）が空間１１の下を通過することになる。液体は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップ内に漏入することができる。この液体は、静水圧又は生体力学上の圧力により、或いはガスナイフ又は他のガスフロー生成デバイスの力で、押し込むことができる。
[0047] 図３は、実施形態に従ったさらなる液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。図３に示され以下で説明される構成は、上記で説明され図１に示されたリソグラフィ装置に適用可能である。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する、液体閉じ込め構造ＩＨが提供される。（以下の本文内での基板Ｗの表面への言及は、別段に明記されていない限り、追加又は代替として、基板テーブルＷＴの表面も指すことに留意されたい。）
[0048] 液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。空間１１は少なくとも部分的に、投影システムＰＳの最終要素の下に位置決めされ、これを取り囲む、液体閉じ込め構造ＩＨによって形成される。実施形態において、液体閉じ込め構造ＩＨは本体部材５３及び多孔質部材８３を備える。多孔質部材８３はプレート状であり、複数のホール（すなわち、開口又は細孔）を有する。実施形態において、多孔質部材８３は、多数の小さなホール８４がメッシュ状に形成されたメッシュプレートである。こうしたシステムは、米国特許出願公開第ＵＳ２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0049] 本体部材５３は、液体を空間１１に供給することが可能な供給ポート７２と、液体を空間１１から回収することが可能な回収ポート７３とを備える。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から送られた液体は、対応する通路７４を介して各々の供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路に面する本体部材５３の規定の位置で、光路の近くに配設される。回収ポート７３は、空間１１から液体を回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は真空システムを備え、回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、通路７９を通じ、回収ポート７３を介して回収された液体ＬＱを回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３内に配設される。
[0050] 実施形態において、投影システムＰＳと、一方の側の液体閉じ込め構造ＩＨ及び他方の側の基板Ｗとの間に液体を伴う空間１１を形成するために、液体は供給ポート７２から空間１１へと供給され、液体閉じ込め構造ＩＨの回収チャンバ８１内の圧力は、多孔質部材８３のホール８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するように、負圧に調整される。供給ポート７２を使用する液体供給動作及び多孔質部材８３を使用する液体回収動作を実行することで、投影システムＰＳと、一方の側の液体閉じ込め構造ＩＨ及び他方の側の基板Ｗとの間に液体を伴う空間１１を形成する。
[0051] 説明の導入部で述べたように、真空クランププロセス中に基板Ｗ内に生成される内部応力は、オーバーレイエラーにつながる可能性がある。オーバーレイエラーは、図４〜図１４を参照しながら以下で説明するような実施形態において、基板Ｗを支持するための支持テーブル１００上に１つ以上のガスクッション部材を提供することによって低減される。図１を参照しながら上述した基板テーブルＷＴは、こうした支持テーブル１００の例である。以下で説明する実施形態のいずれも、図１〜図３のいずれかを参照しながら上述したタイプのリソグラフィ装置内、並びに他のリソグラフィ装置内で、実装可能である。説明する実施形態は、液浸リソグラフィ装置及び非液浸リソグラフィ装置内で実装可能である。実施形態において、ガスクッション部材の各々は、局所的ガスクッション効果を提供するように構成される。局所的ガスクッション効果は、基板Ｗがガスクッション部材に向かって下降している間に、基板Ｗの下側の局所領域に対して上向きに局所的な力を印加することを含む。実施形態において、局所的な力のサイズは、基板Ｗがガスクッション部材に近づくにつれて増加することになる。局所的な力は、結果として基板Ｗの局所的な減速を生じさせる。基板Ｗが平坦でない場合、基板Ｗの下部領域の方がガスクッション部材に近い傾向があるため、基板Ｗの下部領域は基板の上部領域よりも減速される傾向がある。その結果、基板Ｗのクランプ以前に、基板Ｗの上部領域は少なくとも部分的に基板Ｗの下部領域に追い付く傾向がある。従って望ましくは、基板Ｗの下の異なる位置で異なるガスクッション力を印加できるようにするために、複数のガスクッション部材が提供される。従って、クランプ以前に基板Ｗの平坦性が向上し、それによってオーバーレイが改善されることが可能である。
[0052] 代替又は追加として、ガスクッション部材によって印加される力は、支持テーブル１００上での基板Ｗのクランプを遅延させるように作用する場合がある。クランプの遅延は、クランプ以前に基板Ｗ内の内部応力を緩和するためにより多くの時間を提供することができる。こうした内部応力は、例えば、基板Ｗが支持テーブル１００に向かって下降している間、基板Ｗの下に構築され得る不均一な圧力プロファイルによって生じる可能性がある。従って、クランプ後の内部応力の存在に起因する基板Ｗの変形が低減され、それによってオーバーレイを改善することができる。代替又は追加として、内部応力の管理を改善することによって、オーバーレイエラーが許容量を超えることなく、クランプ力を増加させることができる場合がある。従って、クランププロセスの効率を改善することができる。
[0053] 特定の非限定的な例を、図４から図１３を参照しながら以下で説明する。
[0054] リソグラフィ装置用の支持テーブル１００が提供される。支持テーブル１００は基板Ｗを支持するように構成される。支持テーブル１００はベース面１０１を備える。ベース面１０１は、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているときに、基板Ｗの底面１０３に面するように構成される。実施形態において、ベース面１０１はほぼ平面である。ベース面１０１は、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているときに、基板Ｗに対してほぼ平行であり得る。
[0055] ベース面１０１の上に１つ以上のガスクッション部材１０２が提供される。図４に示される特定の例では、複数のガスクッション部材１０２が提供される。この特定の例では、ガスクッション部材１０２の数は限定的でない。ガスクッション部材１０２は、ベース面１０１にわたってほぼ均一に分散させることができる。図４に示された特定の例では、単一のガスクッション部材１０２が中央位置に配置され、２セットのガスクッション部材１０２がより周辺の位置に配置されている。第１のセットのガスクッション部材１０２は、単一のガスクッション部材１０２から第１の半径の円軌道に沿って分散される。この特定の例では、第１のセットのガスクッション部材１０２は、５個のガスクッション部材１０２を備える。第２のセットのガスクッション部材１０２は、単一のガスクッション部材１０２から第２の半径の円軌道に沿って分散される。第２の半径は第１の半径より大きい。この特定の例では、第２のセットのガスクッション部材１０２は、１０個のガスクッション部材１０２を備える。従って、この特定の例では、合計で１６個のガスクッション部材１０２が提供される。他の実施形態では、より多いか又は少ない数のガスクッション部材１０２が提供可能である。追加又は代替として、ガスクッション部材１０２は異なった形で分散可能である。
[0056] 実施形態において、ガスクッション部材１０２の各々は凹部１０８を備える。凹部１０８は、基板Ｗが基板ＷＴによって支持されている支持テーブル１００上の位置への基板Ｗの降下によって、凹部１０８内に圧力の局所的上昇を生じさせるように、成形及び構成される。凹部１０８内での圧力の局所的上昇は、下降する基板Ｗによって発生する凹部１０８内でのガスの圧縮に起因して生じる。圧力の局所的上昇は、基板Ｗの下降中に局所的なガスクッション効果を提供する。ガスクッション効果は、基板Ｗの局所領域に対する局所的な力の印加を含む。ガスクッション効果のサイズ及び形状は、典型的には、ガスクッション部材１０２のジオメトリ、凹部１０８のジオメトリ、基板Ｗの位置、基板Ｗの移動速度、基板Ｗの下のガスの名目圧力、及び基板Ｗの先行移動の詳細のうちの１つ以上を含む、様々な要因に依存することになる。重要な要因は、例えば、基板Ｗが下降するときに凹部１０８からガスが漏出するために、ガスクッション部材１０２の遠位端と基板Ｗとの間でどれだけの空間が利用可能であるかとなる。この空間が大きいほど、ガスはより速く凹部１０８から漏出可能であり、これによってガスが圧縮される程度が制限される傾向がある。ガスが圧縮される程度を制限することで、凹部１０８内での圧力上昇を制限することになる。逆に、空間が小さいほど、ガスが凹部１０８から漏出可能な速度は遅くなり、そのためにガスの圧縮が大きくなり、凹部１０８内の圧力上昇も大きくなる傾向がある。
[0057] 例示的なガスクッション部材１０２の動作の原理は、図５に概略的に示されている。図５において、矢印１０４は、下にあるガスクッション部材１０２に向かった基板Ｗの下降を示す。この実施形態において、ガスクッション部材１０２は、側壁１１１及びベース１１２によって規定された内部面を有する、凹部１０８を備える。側壁１１１は、例えば円筒形であるか、又は他の形状を取ることができる。凹部１０８は、凹部１０８内のガスが圧縮されるように基板Ｗが降下する間、ガスフローを（例えば、１つ以上の横方向のフローを制限することによって）制約するように作用する。前述のように、圧縮は、ある程度のガスが凹部１０８から漏出できること（矢印１０６によって示される）によって、制限することができる。ガスが漏出可能な速度は、凹部１０８の遠位リム１１０と降下する基板Ｗとの間のギャップのサイズに依存することになる。ギャップが小さいほど、フロー１０６に対して大きなフロー抵抗が与えられることになり、これによって漏出可能なガスの量が低減されることになる。降下する基板Ｗが遠位リム１１０に近づくにつれて、フロー１０６が利用可能なギャップは小さくなり、フロー抵抗は大きくなる。このタイプの実施形態において、フロー抵抗はおよそ（１／ギャップサイズ）３で変動することが予測される。従って、凹部１０８内の圧力は、基板Ｗの下部位置でより高くなる傾向がある。従ってガスクッション部材１０２は、基板Ｗが支持テーブル１００及びガスクッション部材１０２に近づくにつれて強くなる、局所的なガスクッション効果を提供する。
[0058] 基板Ｗのローディング中のガスクッション部材１０２の経時的な圧力の変動は、凹部１０８の形状及び寸法に大きく依存することになる。非限定的な例として、図１４は、重力下で降下する基板Ｗの下に位置決めされた単一の直径２０ｍｍのガスクッション部材１０２内で、圧力がどのように変動するかを予測したシミュレーション結果を示す。この例におけるガスクッション部材１０２は、一方の端部が閉じており、他方の端部が開いている、中空の円筒壁から形成される。壁の厚みは０．５ｍｍである。円筒の高さは、基板Ｗが支持テーブル１００と接触したときに基板Ｗを支持することになるバールの高さより３ミクロン低い。図１４では、基板Ｗはｔ＝０から下に移動し始める。基板Ｗは、圧力がその最大値３０００Ｐａに達した時点で、支持テーブル１００に接触する。これに対して、基板Ｗ上の重力圧は１８Ｐａである。重力圧は、基板中央で支持されている場合はおよそ１０ミクロンの、又は典型的な支持ピン（Ｅピン）上で支持されている場合はおよそ３ミクロンの、基板Ｗの変形を生じさせる可能性がある。図を見ればわかるように、下降時間の大部分では、基板Ｗの下でガスの大幅な制約がないことに起因して、圧力はほぼ一定に維持される。基板Ｗがガスクッション部材１０２に近づくと、真空クランププロセスに関連付けられたポンピングが、圧力を下げるという点で効果を発揮し始めるため、圧力が下がり始める。しかしながら、続いて、ガスクッション部材１０２内のガスの圧縮が始まり、圧力は最大の３０００Ｐａに向かって急速に上昇する。その後、基板Ｗが支持テーブル１００のバールのところで止まると、圧縮は停止する。その後、真空クランププロセスに関連付けられたポンピングが引き継ぎ、圧力を急速に低下させる。圧力が大気圧より低くなると、基板Ｗは支持テーブル１００にクランプされることになる。
[0059] 図６は、図５に示されたタイプの複数のガスクッション部材１０２Ａ〜Ｃが、平坦でない降下基板Ｗ上に作用する、実施形態を示す（図示された非平坦性は、例示の目的で、実際に遭遇する可能性の高い非平坦性に比べて誇張及び簡略化されている）。非平坦性は、様々な要因によって生じ得る。例えば、底面１０３全体にわたって均一に支持されていない基板Ｗに対して作用する重力が、非平坦性を引き起こす場合がある。支持ピン（Ｅピン）によって支持されている基板Ｗに対して作用する重力が、非平坦性を引き起こす場合がある。図示された例では、図６に示された時点で、基板Ｗは、非平坦性に起因して中央領域の方が周辺領域よりも低い。結果として、基板Ｗは、ガスクッション部材１０２Ｂ及び１０２Ａよりも中央のガスクッション部材１０２Ｃに近くなる。従って、ガスクッション部材１０２Ｃによって適用されるガスクッション効果は、ガスクッション部材１０２Ｂによって適用されるガスクッション効果より強い。ガスクッション部材１０２Ｂによって提供されるガスクッション効果も、ガスクッション部材１０２Ａによって提供されるガスクッション効果より強い。従って、基板Ｗの中央領域は、基板Ｗの側部領域よりも大幅に降下される傾向がある。従って基板Ｗの側部領域は中央寄りの領域に追い付き、それによって基板Ｗを平坦化し、オーバーレイエラーを低減させることになる。
[0060] 実施形態において、ガスクッション部材１０２のうちの１つ以上は突起１０９内に形成される。支持テーブル１００は複数の突起１０９を備えることができる。実施形態において、突起１０９の各々は単一のガスクッション部材１０２を備える（例えば、突起１０９の各々は、単一の凹部１０８を備える）。他の実施形態において、突起１０９の１つ以上は各々、２つ以上のガスクッション部材１０２を備えることができる（例えば、突起１０９のうちの１つ以上の各々は、複数の凹部１０８を備える）。ガスクッション部材１０２を突起１０９内に提供することで、凹部１０８を規定する遠位リム１１０を基板Ｗの近くにすることが可能になる。遠位リム１１０を基板Ｗの近くにすることで、凹部１０８からのガスの漏出に関するフロー抵抗が増加する。凹部１０８からのガスの漏出に関するフロー抵抗が増加することで、ガスの圧縮が増加し、それによって凹部１０８内の圧力が高くなる傾向がある。各突起１０９は、支持テーブル１００のベース面１０１の上に突出する。突起１０９は、支持テーブル１００のベース面１０１の上に突出する唯一のフィーチャではない場合がある。各突起１０９は遠位端を有する。突起１０９の遠位端は、突起１０９が突出するベース面１０１の部分から最も離れた突起の部分である。ベース面１０１がほぼ水平なケースでは、各突起１０９の遠位端は突起１０９の最も高い部分となる。実施形態において、突起１０９は、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているときに、各突起１０９の遠位端が基板Ｗから間隔を置いて配置されるように構成される。従って、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているときには、突起１０９のいかなる部分も基板Ｗと接触していない。このタイプの例示的実施形態が、例えば図１１に示されている。実施形態において、１つ以上の突起１０９の各々は、突起１０９の遠位端に１つ以上のガスクッション部材１０２を備えることができる。実施形態において、ガスクッション部材１０２の凹部１０８は、突起１０９の遠位端が開いている。凹部１０８内への２つ以上の開口が存在するケースでは、最も大きい開口は基板Ｗに面するように構成可能である。
[0061] 実施形態において、凹部１０８の内部面は、複数の部分からなると見なすことが可能であり、内部面の各部分は、ガスクッション部材１０２に直接隣接しているベース面１０１部分と同じ高さであるか又はそれより上である。図５の例において、凹部１０８の内部面はすべて、ベース面１０１より上である。他の実施形態において、凹部１０８のベースはベース面１０１の一部によって形成されるか、又はベース面１０１の一部と同じ高さとすることができる。こうした実施形態では、ガスクッション部材１０２は、閉ループで形成された壁を用いてベース面１０１の一部を封入することによって形成可能である。このタイプのガスクッション部材１０２の例が、例えば図６に示されている。
[0062] バール１１６から分離された突起１０９を提供することで、支持テーブル１００と基板Ｗとの間の熱的結合の向上を助けることも可能であり、それによってオーバーレイが改善される。
[0063] 実施形態において、支持テーブル１００は複数のバール１１６をさらに含む。こうした実施形態の例が、例えば図１１に示されている。複数のバール１１６の各々は、支持テーブル１００のベース面１０１の上に突出している。複数のバール１１６の各々は、それぞれの遠位端１１７を有する。複数のバール１１６は、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているときに、基板Ｗが複数のバール１１６のそれぞれの遠位端１１７によって支持されるように配置される。実施形態において、基板Ｗと突起１０９のうちの少なくとも１つの遠位端との間の分離１１８は、バール１１６のうちの１つ以上の高さ１２０の１０％未満（基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているとき）であり、任意選択で８％未満、任意選択で６％未満、任意選択で４％未満、任意選択で２％未満、任意選択で１％未満、任意選択で０．１％未満である。突起１０９の遠位端を基板Ｗの近くになるように配置することで、凹部１０８からのガスの漏出に関するフロー抵抗が比較的高くなることが保証され、これによって凹部１０８内のガスの圧縮を容易にする。
[0064] 実施形態において、バール１１６の１つ以上を、突起１０９内に形成される凹部１０８の１つ以上の内部に提供することができる。他の実施形態において、すべてのバール１１６を、突起１０９内に形成されるすべての凹部１０８の外側に提供することができる。
[0065] 実施形態において、支持テーブル１００は複数のバール１１６を備え、ガスクッション部材１０２のうちの少なくとも１つは１つ以上のバール１１６内に形成される。こうした実施形態の例が、図１２に示されている。こうした実施形態において、バール１１６より低い突起１０９が存在する場合、又は存在しない場合がある。バール１１６より低い突起１０９が提供される場合、突起１０９は、ガスクッション部材１０２のうちの１つ以上を備える場合、又は備えない場合もある。
[0066] ガスクッション部材１０２がバール１１６内に形成された凹部１０８を備える実施形態において、基板Ｗがバール１１６に近づくにつれて、凹部１０８内のガスクッション圧力は、バール１１６より低い突起１０９内に形成された凹部１０８内の圧力に比べて、より高い値に上昇する傾向がある。しかしながら、バール１１６内の凹部１０８内の圧力は、典型的には、突起１０９内の凹部１０８内の圧力よりも小さいエリアにわたって作用することになる。これは、バール１１６が典型的には、バール１１６として効果的に機能するために（例えば、バールと基板Ｗとの間に汚染物質粒子が存在し、それによって非平坦性を生じさせる可能性が許容できるほど低い、基板Ｗと接している十分に小さな総表面積を提供するために）、より小さいことが必要なためである。
[0067] 実施形態において、凹部１０８は、垂直に（例えば、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているときに、基板Ｗの平面に対して垂直な方向に）見たときに、閉ループを形成する側壁１１１によって規定される。こうした構成の例が、図７に概略的に示されている。閉ループでの側壁１１１は、凹部１０８内でのガスの効果的な制約を提供し、それによってガスの圧縮を容易にする。
[0068] 実施形態において、凹部１０８は基板Ｗに面する単一の開口を有する。単一の開口は、例えば遠位リム１１０によって囲むことができる。こうした実施形態において、凹部１０８はめくら凹部と称することができる。他の実施形態において、１つ以上の追加の開口１１５を提供することができる。実施形態において、追加の開口１１５のうちの１つ以上につながるガスチャネル１１４が提供される。１つ以上の追加の開口１１５は、遠位リム１１０より下の凹部１０８の一部内へと開いていることが可能である。１つ以上の追加の開口１１５及びガスチャネル１１４は、ガスを凹部１０８からより迅速に漏出させることができる。ガスをより迅速に漏出できることで、望ましい方法でガスクッション効果を変更することができる。代替又は追加として、ガスをより迅速に漏出できることで、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持された後のクランプ力の確立を容易にすることができる。
[0069] 追加の開口１１５及び追加の開口１１５につながるガスチャネル１１４を備える実施形態の例が、図８及び図９に概略的に示されている。ガスフローチャネル１１４についての様々な他の形状及び構成が提供可能である。図１０は、スリットの形のガスチャネル１１４が提供される特定の一例の上面図を示す。スリットは、ベース面１０１からガスクッション部材１０２の遠位リム１１０へと延在するため、凹部１０８の側壁１１１が閉ループを形成するのを防ぐ。図示された特定の例では、スリットは垂直に配向されているが、これは必須ではない。
[0070] 図１３は、ガス供給システム１２４が提供される代替実施形態を示す。ガス供給システム１２４は、複数のガスクッション部材１０２を介してガスフローを送るように構成される。ガスクッション部材１０２は、支持テーブル１００内の突起１０９内に形成される。このタイプの実施形態では、ベース面１０１を有する支持テーブル１００が提供される。複数のバール１１６が提供される。バール１１６は、ベース面１０１の上に突出する。複数のバール１１６の各々がそれぞれの遠位端１１７を有する。複数のバール１１６は、基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているとき、基板Ｗは複数のバール１１６の遠位端１１７によって支持されるように配置される。複数の突起１０９はベース面１０１の上に突出する。複数の突起１０９の各々はそれぞれの遠位端１０５を有する。それぞれの遠位端１０５は、基板Ｗが複数のバール１１６のそれぞれの遠位端１１７によって支持されているとき、突起１０２のそれぞれの遠位端１０５が基板Ｗから間隔を置いて配置されるように構成される。ガス供給チャネル１２２が、複数の突起１０９のうちの１つ以上に形成される。図示された特定の実施形態において、ガス供給チャネル１２２があらゆる突起１０９内に形成されるが、これは必須ではない。ガス供給チャネル１２２の各々は、ガスのフローが支持テーブル１００及び突起１０９を介して、突起１０９の遠位端内の開口へと供給できるように構成される。従って、このタイプの実施形態では、基板Ｗの下にガスクッション効果を提供するために、突起１０９の遠位端１０５にガスを積極的に供給することができる。実施形態において、基板Ｗと突起１０９のうちの少なくとも１つの遠位端１０５との間の分離１１８は、バール１１６のうちの１つ以上の高さ１２０の１０％未満（基板Ｗが支持テーブル１００によって支持されているとき）であり、任意選択で８％未満、任意選択で６％未満、任意選択で４％未満、任意選択で２％未満、任意選択で１％未満、任意選択で０．１％未満である。突起１０９の遠位端１０５を基板Ｗの近くになるように配置することで、凹部１０８からのガスの漏出に関するフロー抵抗が比較的高くなることが保証され、これによってガスクッション部材１０２と基板Ｗとの間での高圧の維持を容易にする。
[0071] 図１３に示されたタイプの実施形態において、突起１０９のうちの少なくとも１つに形成されたガス供給チャネル１２２の一部が、ベース面１０１に対して垂直な方向に見た場合に閉ループを形成する側壁によって規定される。
[0072] 実施形態において、図１３に示されたタイプの実施形態の支持テーブル１００を使用する、基板Ｗを支持テーブル１００上にロードする方法が提供される。方法は、こうした支持テーブル１００を提供すること、及び、基板Ｗが支持テーブル１００上へと下降している間に、ガス供給チャネル１２２を介して突起１０９内の開口へとガスのフローを提供することを含む。
[0073] 実施形態において、実施形態に従って基板Ｗを支持テーブル１００上にロードすること、及び、パターニングデバイスＭＡから基板Ｗへとパターンを転写するために、支持テーブル１００を備えるリソグラフィ装置を使用することを含む、デバイス製造方法が提供される。
[0074] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、従って本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0075] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
[0076] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。
[0077] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。従って、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (12)

  1. リソグラフィ装置用の支持テーブルであって、前記支持テーブルは基板を支持するように構成され、
    前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板の底面に面するベース面と、
    前記ベース面より高い複数のガスクッション部材であって、前記ガスクッション部材の各々は、前記ベース面に垂直な方向に見たときに閉ループを形成する壁によって規定された凹部を備え、前記凹部は、前記基板が前記支持テーブルによって支持される前記支持テーブル上の位置への前記基板の下降が前記凹部内に圧力の局所的上昇を生じさせるように形成されて構成され、前記基板の前記下降中に前記圧力の局所的上昇が局所的なガスクッション効果を提供する、複数のガスクッション部材と、を備える支持テーブル。
  2. 前記ベース面から上方に突出した複数の突起であって、前記複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、前記それぞれの遠位端は、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記遠位端が前記基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起をさらに備え、
    前記ガスクッション部材のうちの少なくとも１つは前記突起のうちの１以上に形成される、請求項１に記載の支持テーブル。
  3. 前記支持テーブルは、
    前記ベース面から上方に突出した複数のバールであって、前記複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、前記複数のバールは、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールをさらに備え、
    前記基板と前記突起のうちの少なくとも１つの遠位端との間の分離は、前記基板が支持テーブルによって支持されているとき、前記バールのうちの１つ以上の高さの１０％未満である前記ガスクッション部材を含む、請求項２に記載の支持テーブル。
  4. 前記支持テーブルは、
    前記ベース面から上方に突出した複数のバールであって、前記複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、前記複数のバールは、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールを備え、
    前記ガスクッション部材のうちの少なくとも１つは前記複数のバールのうちの１以上の前記遠位端内に形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の支持テーブル。
  5. 前記凹部のうちの少なくとも１つは、
    前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板に最も近い前記凹部の開口を規定する遠位リムと、
    前記遠位リムより下方の前記凹部の一部内へと開いているように構成されたガスチャネルであって、前記ガスチャネルは、前記基板が前記支持テーブル上へと下降している間、前記凹部の内部又は外部へのガスフローを可能にするように構成され、それによって前記凹部によって提供される前記局所的なガスクッション効果の調整を提供する、ガスチャネルと、を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の支持テーブル。
  6. リソグラフィ装置用の支持テーブルであって、前記支持テーブルは基板を支持するように構成され、
    ベース面と、
    前記ベース面より上方に突出した複数のバールであって、前記複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、前記複数のバールは、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、
    前記ベース面より上方に突出した複数の突起であって、前記複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、前記それぞれの遠位端は、前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されているときに前記突起の前記それぞれの遠位端が前記基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起と、
    複数のガスクッション部材であって、各ガスクッション部材は前記複数の突起のうちの１つに形成されたガス供給チャネルを備え、前記ガス供給チャネルは、前記支持テーブル及び前記突起を介して前記突起の前記遠位端にある開口までガスのフローを供給できるように構成される、複数のガスクッション部材と、を備え、
    前記突起のうちの少なくとも１つに形成される前記ガス供給チャネルの一部は、前記ベース面に垂直な方向に見た場合に閉ループを形成する壁によって規定される、支持テーブル。
  7. 前記基板と前記突起のうちの少なくとも１つの遠位端との間の分離は、前記基板が支持テーブルによって支持されているときに前記バールのうちの１以上の高さの１０％未満である、前記ガスクッション部材を備える、請求項６に記載の支持テーブル。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の支持テーブルを備える、リソグラフィ装置。
  9. リソグラフィ装置内の支持テーブル上に基板をロードする方法であって、前記支持テーブルは基板を支持するように構成され、前記方法は、
    前記支持テーブルを提供することを含み、前記支持テーブルは、
    ベース面と、
    前記ベース面より上方に突出した複数のバールであって、前記複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、前記複数のバールは、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、
    前記ベース面より上方に突出した複数の突起であって、前記複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、前記それぞれの遠位端は、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記遠位端が前記基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起と、
    前記複数の突起のうちの１つ以上の前記遠位端に形成された複数のガスクッション部材であって、各ガスクッション部材は、前記基板が前記支持テーブル上へと下降しているときに、前記基板に面するように構成された開口、及び、前記支持テーブルを介して前記開口につながるガス供給チャネルを備える、複数のガスクッション部材と、を備え、
    前記方法は、前記基板が前記支持テーブル上へと下降している間に、前記ガス供給チャネルを介して前記開口にガスフローを提供することをさらに含む、方法。
  10. 請求項９に記載の方法を使用して、リソグラフィ装置内の支持テーブル上に基板をロードすることと、
    パターニングデバイスから前記基板へとパターンを転写するために前記リソグラフィ装置を使用すること、を含むデバイス製造方法。
  11. パターニングデバイスから基板へとパターンを転写するために、リソグラフィ装置を使用することを含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ装置は、基板を支持するように構成された支持テーブルを備え、前記支持テーブルは、
    複数のガスクッション部材であって、前記ガスクッション部材の各々は、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに前記基板の底面に面するベース面に垂直な方向に見たときに閉ループを形成する壁によって規定された凹部を備え、前記凹部は、前記基板が前記支持テーブルによって支持される前記支持テーブル上の位置への前記基板の下降が前記凹部内に圧力の局所的上昇を生じさせるように形成されて構成され、前記圧力の局所的上昇は、前記基板の前記下降中に局所的なガスクッション効果を提供する、複数のガスクッション部材を備える、デバイス製造方法。
  12. パターニングデバイスから基板へとパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ装置は、基板を支持するように構成された支持テーブルを備え、前記支持テーブルは、
    ベース面と、
    前記ベース面より上方に突出した複数のバールであって、前記複数のバールの各々はそれぞれの遠位端を有し、前記複数のバールは、前記基板が前記支持テーブルによって支持されているときに、前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されるように配置される、複数のバールと、
    前記ベース面より上方に突出した複数の突起であって、前記複数の突起の各々はそれぞれの遠位端を有し、前記それぞれの遠位端は、前記基板が前記複数のバールの前記それぞれの遠位端によって支持されているときに前記突起の前記それぞれの遠位端が前記基板から間隔を置いて配置されるように構成される、複数の突起と、
    複数のガスクッション部材であって、各ガスクッション部材は、前記複数の突起のうちの１つに形成されたガス供給チャネルを備え、前記ガス供給チャネルは、前記支持テーブル及び前記突起を介して前記突起の前記遠位端にある開口までガスのフローを供給できるように構成される、複数のガスクッション部材と、を備え、
    前記突起のうちの少なくとも１つに形成される前記ガス供給チャネルの一部は、前記ベース面に垂直な方向に見た場合に閉ループを形成する壁によって規定される、デバイス製造方法。
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