WO2014084228A1 - 吸引装置、搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

吸引装置、搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

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WO2014084228A1
WO2014084228A1 PCT/JP2013/081851 JP2013081851W WO2014084228A1 WO 2014084228 A1 WO2014084228 A1 WO 2014084228A1 JP 2013081851 W JP2013081851 W JP 2013081851W WO 2014084228 A1 WO2014084228 A1 WO 2014084228A1
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suction
wafer
transport system
support
gas
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PCT/JP2013/081851
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一ノ瀬 剛
泰輔 井部
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株式会社ニコン
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Definitions

  • the present invention relates to a suction device, a carrying-in method, a transfer system, an exposure apparatus, and a device manufacturing method, and more particularly, a suction device that applies a suction force to a plate-like object in a non-contact manner, and moves the plate-like object.
  • the present invention relates to a carrying-in method for carrying on a body, a carrying system suitable for carrying out the carrying-in method, an exposure apparatus provided with the carrying system, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
  • steppers step-and-repeat projection exposure apparatuses
  • step-and- A scanning projection exposure apparatus a so-called scanning stepper (also called a scanner) or the like is used.
  • a substrate such as a wafer or a glass plate used in this type of exposure apparatus is gradually becoming larger (for example, every 10 years in the case of a wafer).
  • 300 mm wafers with a diameter of 300 mm are the mainstream, but now the era of 450 mm wafers with a diameter of 450 mm is approaching.
  • the number of dies (chips) that can be taken from one wafer is more than twice that of the current 300 mm wafer, contributing to cost reduction.
  • the 450 mm wafer has much lower strength and rigidity than the 300 mm wafer. Therefore, for example, even if one wafer transfer is taken up, if the same means method as that of the current 300 mm wafer is adopted as it is, it is considered that the wafer may be distorted and the exposure accuracy may be adversely affected. Therefore, as a wafer transfer method, the wafer is sucked from above with a transfer member equipped with a Bernoulli chuck, etc., and the flatness (flatness) is maintained, and the wafer is carried into a wafer holder (holding device). However, a loading method that can be employed has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • the wafer is suctioned from above by non-contact using a Bernoulli chuck or the like, and the support portion (for example, upper and lower parts on the wafer stage) is It is conceivable to support with a moving pin).
  • the support portion for example, upper and lower parts on the wafer stage
  • the inventors when a wafer is loaded onto a wafer stage by performing non-contact suction from above and supporting from below, an unacceptable level even for a 300 mm wafer. It has been found that distortion may occur. As a result of investigating the cause of the distortion of the wafer, the inventors have come to the conclusion that the over-constraint caused by restraining the center of the wafer from above and below is the main factor.
  • a suction device that applies a suction force to a plate-like object in a non-contact manner, and is provided on the base member and the base member. And a plurality of suction members that generate a force for sucking the object, wherein the plurality of suction members are provided with a first suction device that generates the gas flow in different states. Is done.
  • the suction force with respect to the object generated by each of the plurality of suction members can be varied depending on, for example, the position of each suction member on the base member. For this reason, for example, when the object is supported by the support unit from below and the non-contact suction of the object from above by the suction device is performed, the suction member disposed at the portion facing the support unit of the base member is generated. It is possible to make the suction force weaker than the suction force generated by the suction member disposed in the portion not facing the support portion of the base member.
  • a suction device that applies a suction force to a plate-like object in a non-contact manner, provided on the base member and the base member, respectively, around the object.
  • a second suction device for deforming the object is provided.
  • a carrying-in method for carrying a plate-like object into a holding member having an object placement surface provided on an upper surface, wherein the object is in the predetermined carrying-in position By transporting the member above the object placement surface of the member, supporting the one surface of the object by suction without contact from above with a suction member, and a support portion that is movable up and down provided on the holding member And supporting a part of the central region of the other surface opposite to the one surface of the object supported by the suction member from below, and corresponding to the central region including a support point by the support portion
  • the suction member and the support portion are Said thing Loading method comprising, the method comprising driven downward toward the mounting surface is provided.
  • a conveyance system for conveying a plate-like object, the holding member having an upper surface provided with an object placement surface, and provided above the holding member at a predetermined loading position.
  • a plurality of areas of the surface including at least the outer peripheral area of the surface of the object can be sucked in a non-contact manner from above, a suction member that can move up and down, and a holding member that can move up and down,
  • a support part capable of supporting a part of the central region on the other surface opposite to the one surface of the object from below, a state in which the object is sucked by the suction member and is supported by the support part
  • a transport system including a driving device that lowers the suction member and the support portion so that the other surface of the object is directed toward the object placement surface of the holding member.
  • an exposure apparatus for forming a pattern on an object, the suction apparatus according to any one of the first and second aspects, and the holding member sucked by the suction apparatus.
  • a first exposure apparatus comprising: a pattern generation apparatus that exposes the object carried thereon with an energy beam to form the pattern.
  • an exposure apparatus for forming a pattern on an object, wherein the transport system and the object carried onto the holding member by the transport system are exposed with an energy beam.
  • a second exposure apparatus comprising a pattern generation apparatus that forms the pattern is provided.
  • a device manufacturing method including exposing an object using the exposure apparatus and developing the exposed object.
  • FIG. 2 is a diagram (front view) of the wafer stage of FIG. 1 viewed from the ⁇ Y direction.
  • 3A is a bottom view showing the carry-in unit (chuck unit) of FIG. 1
  • FIG. 3B is a diagram showing the components related to the loading of the wafer.
  • the carry-in unit is placed on the wafer stage.
  • It is a figure shown with the up-and-down moving pin and its drive device.
  • FIGS. 5A to 5D are views (No. 1 to No.
  • FIGS. 6A to 6C are views (Nos. 5 to 7) for explaining the wafer loading procedure. It is a figure for demonstrating another example of arrangement
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exposure apparatus 100 according to an embodiment.
  • the exposure apparatus 100 is a step-and-scan projection exposure apparatus, a so-called scanner.
  • a projection optical system PL is provided, and in the following, the direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction, and the reticle is in a plane perpendicular to the Z-axis direction.
  • a direction in which R and the wafer W are relatively scanned is a Y-axis direction
  • a direction orthogonal to the Z-axis and the Y-axis is an X-axis direction
  • rotation (tilt) directions around the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis are ⁇ x. , ⁇ y, and ⁇ z directions will be described.
  • the exposure apparatus 100 includes a wafer transfer system together with an illumination system 10, a reticle stage RST that holds a reticle (mask) R, a projection optical system PL, a wafer stage WST that holds a wafer W, a carry-out unit (not shown), and a vertical movement pin that will be described later.
  • the carrying-in unit 121 which comprises 120 (refer FIG. 4), these control systems, etc. are provided.
  • the illumination system 10 includes a light source, an illuminance uniformizing optical system including an optical integrator, a reticle blind, and the like (both not shown) as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2003/0025890. And an illumination optical system.
  • the illumination system 10 illuminates a slit-shaped illumination area IAR on the reticle R set (limited) with a reticle blind (also called a masking system) with illumination light (exposure light) IL with substantially uniform illuminance.
  • the illumination light IL ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used.
  • reticle stage RST On reticle stage RST, reticle R having a circuit pattern or the like formed on its pattern surface (lower surface in FIG. 1) is fixed, for example, by vacuum suction.
  • the reticle stage RST can be finely driven in the XY plane by a reticle stage drive system 11 (not shown in FIG. 1, see FIG. 4) including, for example, a linear motor or a planar motor, and also in the scanning direction (paper surface in FIG. 1). It can be driven at a predetermined scanning speed (in the Y-axis direction which is the inner left-right direction).
  • Position information (including rotation information in the ⁇ z direction) of the reticle stage RST in the XY plane is, for example, a movable mirror 15 (fixed to the reticle stage RST by a reticle laser interferometer (hereinafter referred to as “reticle interferometer”) 13.
  • reticle interferometer a reticle laser interferometer
  • 0 is provided via a Y moving mirror (or a retroreflector) having a reflecting surface orthogonal to the Y-axis direction and an X moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the X-axis direction). It is always detected with a resolution of about 25 nm.
  • the measurement value of reticle interferometer 13 is sent to main controller 20 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 4).
  • Main controller 20 drives reticle stage RST via reticle stage drive system 11 (see FIG. 4) based on position information of reticle stage RST.
  • position information in the XY plane of reticle stage RST may be detected using an encoder instead of the reticle interferometer described above.
  • Projection optical system PL is arranged below reticle stage RST in FIG.
  • Projection optical system PL is mounted on main frame BD supported horizontally by a support member (not shown).
  • a refractive optical system including a plurality of optical elements (lens elements) arranged along an optical axis AX parallel to the Z axis is used.
  • the projection optical system PL is, for example, both-side telecentric and has a predetermined projection magnification (for example, 1/4 times, 1/5 times, or 1/8 times).
  • the reticle R in which the first surface (object surface) of the projection optical system PL and the pattern surface are substantially coincided with each other is arranged.
  • a reduced image of the circuit pattern of the reticle R in the illumination area IAR passes through the projection optical system PL on the second surface ( It is formed in an area (hereinafter also referred to as an exposure area) IA that is conjugated to the illumination area IAR on the wafer W, which is disposed on the image plane side and has a resist (sensitive agent) coated on the surface thereof.
  • the reticle R is moved in the scanning direction (Y-axis) with respect to the illumination area IAR (illumination light IL) by synchronous driving of the reticle stage RST and the wafer stage WST (more precisely, a fine movement stage WFS which holds the wafer W, which will be described later). And moving the wafer W relative to the exposure area IA (illumination light IL) in the scanning direction (Y-axis direction) to scan one shot area (partition area) on the wafer W. Exposure is performed, and the pattern of the reticle R is transferred to the shot area.
  • the pattern of the reticle R is generated on the wafer W by the illumination system 10 and the projection optical system PL, and the sensitive layer (resist layer) on the wafer W is exposed on the wafer W by the illumination light IL.
  • a pattern is formed.
  • Wafer stage WST is levitated and supported on base board 12 via an air bearing described later, as shown in FIG.
  • the base board 12 is supported on the floor F substantially horizontally (parallel to the XY plane) by a vibration isolation mechanism (not shown).
  • the base board 12 is made of a member having a flat outer shape.
  • the base board 12 houses a coil unit including a plurality of coils 17 arranged in a matrix with the XY two-dimensional direction as the row direction and the column direction.
  • wafer stage WST has coarse movement stage WCS and fine movement stage WFS supported in a non-contact state with coarse movement stage WCS and movable relative to coarse movement stage WCS. is doing.
  • wafer stage WST (coarse motion stage WCS) is driven by a coarse motion stage drive system 51 (see FIG. 4) with a predetermined stroke in the X-axis and Y-axis directions and finely driven in the ⁇ z direction.
  • fine movement stage WFS is driven in directions of six degrees of freedom (X-axis, Y-axis, Z-axis, ⁇ x, ⁇ y, and ⁇ z directions) with respect to coarse movement stage WCS by fine movement stage drive system 52 (see FIG. 4). Is done.
  • the coarse movement stage WCS includes a rectangular plate-like coarse movement slider portion 91 having a length in the X-axis direction that is slightly longer than the length in the Y-axis direction in plan view (as viewed from the + Z direction).
  • the pair of side wall portions 92a and 92b in the shape of a rectangular plate fixed to the upper surface of one end and the other end in the longitudinal direction of the coarse slider 91 in a state parallel to the YZ plane and having the longitudinal direction in the Y-axis direction.
  • a pair of stator parts 93a and 93b fixed inward to the center part in the Y-axis direction on the upper surface of each of the side wall parts 92a and 92b.
  • coarse movement stage WCS has a rectangular parallelepiped shape with a low height in which the X-axis direction central portion of the upper surface and both side surfaces in Y-axis direction are open. That is, the coarse movement stage WCS is formed with a space portion penetrating in the Y-axis direction.
  • the side wall portions 92a and 92b may have substantially the same length in the Y-axis direction as the stator portions 93a and 93b. That is, the side wall portions 92a and 92b may be provided only in the central portion in the Y-axis direction of the upper surface of one end portion and the other end portion of the coarse movement slider portion 91.
  • the bottom surface of coarse movement stage WCS that is, the bottom surface of coarse movement slider portion 91 is arranged in a matrix with the XY two-dimensional direction as the row direction and the column direction corresponding to the coil units disposed inside base board 12.
  • a magnet unit comprising a plurality of permanent magnets 18 is provided.
  • the magnet unit together with the coil unit of the base board 12, is a coarse stage drive system 51 (see FIG. 5) composed of a planar motor of an electromagnetic force (Lorentz force) drive system disclosed in, for example, US Pat. No. 5,196,745. 4).
  • the magnitude and direction of the current supplied to each coil 17 (see FIG. 1) constituting the coil unit is controlled by the main controller 20.
  • a plurality of air bearings 94 are fixed to the bottom surface of the coarse slider 91 around the magnet unit.
  • the coarse movement stage WCS is levitated and supported above the base board 12 by a plurality of air bearings 94 through a predetermined gap (clearance, gap), for example, a gap of about several ⁇ m, and the coarse movement stage drive system 51 Driven in the axial direction, the Y-axis direction, and the ⁇ z direction.
  • the coarse stage drive system 51 is not limited to an electromagnetic force (Lorentz force) driving type planar motor, and a variable magnetoresistive driving type planar motor can also be used, for example.
  • the coarse movement stage drive system 51 may be configured by a magnetic levitation type planar motor so that the coarse movement stage WCS can be driven in the direction of six degrees of freedom by the planar motor. In this case, it is not necessary to provide an air bearing on the bottom surface of the coarse slider 91.
  • Each of the pair of stator portions 93a and 93b is formed of, for example, a member having a rectangular plate shape, and coil units CUa and CUb each including a plurality of coils are accommodated inside each of the pair of stator portions 93a and 93b.
  • the main controller 20 controls the magnitude and direction of the current supplied to the coils constituting the coil units CUa and CUb.
  • fine movement stage WFS includes, for example, a main body portion 81 made of a columnar member having a low octagonal height in a plan view, and one end portion and the other end portion of main body portion 81 in the X-axis direction.
  • a pair of fixed mover portions 82a and 82b and a wafer table WTB made of a plate member having a rectangular shape in plan view fixed integrally to the upper surface of the main body portion 81 are provided.
  • the main body 81 is preferably formed of a material having the same or similar thermal expansion coefficient as the wafer table WTB, and the material preferably has a low thermal expansion coefficient.
  • the main body 81 is inserted into a through-hole (not shown) formed in the wafer table WTB (and a wafer holder (not shown)), and a plurality ( For example, three vertical movement pins 140 (see FIG. 3B) are provided.
  • An exhaust port 41 for vacuum exhaust is formed on the upper surface of each of the three vertical movement pins 140. Further, the lower end surfaces of the three vertical movement pins 140 are fixed to the upper surface of the base member 141.
  • the three vertical movement pins 140 are arranged at the positions of the apexes of a regular triangle in plan view of the upper surface of the base member 141, respectively.
  • the exhaust port 41 provided in each of the three vertical movement pins 140 is connected to a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe line formed in the vertical movement pins 140 (and the base member 141) and a vacuum exhaust pipe (not shown). Connected).
  • the pedestal member 141 is connected to the driving device 142 via a shaft 143 fixed to the center portion of the lower surface. That is, the three vertical movement pins 140 are driven in the vertical direction by the driving device 142 integrally with the base member 141.
  • the pedestal member 141, the three vertical movement pins 140, and the shaft 143 constitute a wafer support portion 150 that can support a part of the central region of the lower surface of the wafer from below.
  • the displacement in the Z-axis direction from the reference position of the three vertical movement pins 140 (wafer support portion 150) is, for example, a displacement sensor 145 such as an encoder system provided in the driving device 142 (FIG. 3B). (Not shown, see FIG. 4).
  • Main controller 20 drives three vertical movement pins 140 (wafer support portion 150) in the vertical direction via drive device 142 based on the measurement value of displacement sensor 145.
  • each of the pair of mover portions 82a and 82b has a casing having a rectangular frame shape in the YZ section fixed to one end surface and the other end surface of the main body portion 81 in the X-axis direction.
  • these casings are referred to as casings 82a and 82b using the same reference numerals as the movable elements 82a and 82b.
  • the housing 82a has a hollow portion whose YZ cross section is elongated in the Y-axis direction, both of which have a Y-axis direction dimension (length) and a Z-axis direction dimension (height) that are somewhat longer than the stator part 93a.
  • the end portion on the ⁇ X side of the stator portion 93a of the coarse movement stage WCS is inserted into the hollow portion of the casing 82a in a non-contact manner.
  • Magnet units MUa 1 and MUa 2 are provided inside the upper wall portion 82a 1 and the bottom wall portion 82a 2 of the housing 82a.
  • the mover portion 82b is configured in the same manner as the mover portion 82a although it is symmetrical to the mover portion 82a.
  • the + X side end of the stator portion 93b of the coarse movement stage WCS is inserted in a non-contact manner into the hollow portion of the housing (movable portion) 82b.
  • Magnet units MUb 1 and MUb 2 configured similarly to the magnet units MUa 1 and MUa 2 are provided inside the upper wall portion 82b 1 and the bottom wall portion 82b 2 of the housing 82b.
  • the coil units CUa and CUb described above are accommodated in the stator portions 93a and 93b so as to face the magnet units MUa 1 , MUa 2 and MUb 1 , MUb 2 , respectively.
  • the configurations of the magnet units MUa 1 , MUa 2 and MUb 1 , MUb 2 , and the coil units CUa, CUb are described in, for example, US Patent Application Publication No. 2010/0073652 and US Patent Application Publication No. 2010/0073653. It is disclosed in detail.
  • Coil unit CUb which stator part 93b has, and coarse movement stage WFS is made like fine movement stage WFS like the above-mentioned US patent application publication 2010/0073652 specification and US patent application publication 2010/0073653 specification.
  • a fine movement stage drive system 52 (see FIG. 4) is provided that floats and supports the WCS in a non-contact state and drives in a direction of six degrees of freedom without contact.
  • the fine movement stage WFS is integrated with the coarse movement stage WCS by the planar motor in each of the Z axis, ⁇ x, and ⁇ y directions. Therefore, the fine movement stage drive system 52 may be configured to be able to drive the fine movement stage WFS in each of the X-axis, Y-axis, and ⁇ z directions, that is, in three-degree-of-freedom directions in the XY plane.
  • each of the pair of side wall portions 92a and 92b of the coarse movement stage WCS is provided with a pair of electromagnets facing the octagonal oblique side of the fine movement stage WFS, and the fine movement stage WFS is opposed to each electromagnet.
  • a magnetic body member may be provided.
  • a pair of Y-axis linear motors may be configured by the mover portions 82a and 82b and the stator portions 93a and 93b. .
  • wafer W is fixed by vacuum suction or the like via a wafer holder such as a pin chuck (not shown).
  • a wafer holder such as a pin chuck (not shown).
  • a movable mirror 27 (movable mirrors 27X and 27Y in FIG. 2) that reflects a laser beam from a wafer laser interferometer (hereinafter referred to as “wafer interferometer”) 31 (see FIG. 1) is shown.
  • the position of the wafer table WTB in the XY plane is always detected with a resolution of about 0.25 nm to 1 nm, for example, by the wafer interferometer 31 fixed in a suspended state on the main frame BD. .
  • FIG. 1 wafer laser interferometer
  • the movable mirror 27Y having a reflecting surface orthogonal to the Y-axis direction that is the scanning direction is orthogonal to the X-axis direction that is the non-scanning direction.
  • a moving mirror 27X having a reflecting surface is provided, and the wafer interferometer 31 is provided with one axis in the scanning direction and two axes in the non-scanning direction. In FIG. A total of 31 is shown.
  • the position information (or speed information) of wafer table WTB is sent to main controller 20.
  • Main controller 20 controls movement of wafer table WTB in the XY plane via coarse movement stage drive system 51 and fine movement stage drive system 52 based on the position information (or speed information).
  • the position information of wafer table WTB in the XY plane may be detected using an encoder system in which, for example, a scale (diffraction grating) or a head is mounted on wafer table WTB, instead of wafer interferometer 31.
  • wafer stage WST is a coarse / fine movement stage including coarse movement stage WCS and fine movement stage WFS.
  • the present invention is not limited to this, and the wafer stage WST is movable by a single stage movable in six degrees of freedom.
  • a stage may be configured.
  • the loading unit 121 is for holding a wafer before exposure on the wafer table WTB before loading it on the wafer table WTB and loading it on the wafer table WTB.
  • a carry-out unit (not shown) is for unloading the exposed wafer from the wafer table WTB.
  • the carry-in unit 121 includes a chuck unit drive system 144 attached to the main frame BD via a vibration isolator 42, a chuck unit 153, and the like.
  • the vibration isolator 42 suppresses or prevents vibration generated when the chuck unit 153 is driven by the chuck unit drive system 144 from being transmitted to the main frame BD, that is, vibrationally separates the chuck unit 153 from the main frame BD. Is for. Therefore, the chuck unit driving system 144 and the chuck unit 153 may be provided in another member physically separated from the main frame BD.
  • the chuck unit 153 includes a plate member 44 having a predetermined thickness, for example, a circular shape in plan view, and a plurality of chuck members 124 fixed to the lower surface of the plate member 44 in a predetermined arrangement. It has.
  • the plate member 44 may also serve as a cool plate for adjusting the temperature of the wafer to a predetermined temperature when a pipe or the like is provided in the plate member and a liquid whose temperature is adjusted to a predetermined temperature flows in the pipe. good.
  • FIG. 3A which is a plan view of the chuck unit 153 viewed from the ⁇ Z direction
  • seven chuck members are arranged in the central region including the center point on the lower surface of the plate member 44.
  • the eleven chuck members 124 are arranged in a state of surrounding the seven chuck members 124 on the outer peripheral portion.
  • the six chuck members 124 surrounding the chuck member 124 located at the center point of the lower surface of the plate member 44 are provided at positions substantially opposite to the vertical movement pins 140 when the wafer stage WST is positioned at the loading position.
  • Each chuck member 124 includes a so-called Bernoulli chuck.
  • the Bernoulli chuck is a chuck that uses the Bernoulli effect to locally increase the flow velocity of a fluid (for example, air) to be ejected and suck (hold non-contact) an object.
  • the Bernoulli effect means that the pressure of the fluid decreases as the flow velocity increases.
  • the weight of the object to be sucked (held and fixed) and the flow rate of the fluid ejected from the chuck (flow velocity) , Pressure) determines the suction state (holding / floating state).
  • the size of the gap between the chuck and the object to be held is determined according to the flow rate (flow velocity) of the fluid ejected from the chuck.
  • the chuck member 124 generates a gas flow (gas flow) around the wafer W (see FIG. 3B) by jetting gas from its gas flow hole (for example, a nozzle or a jet port). And used to suck the wafer W.
  • the degree of the suction force (that is, the flow velocity of the ejected gas) can be adjusted as appropriate, and the movement in the Z-axis direction, ⁇ x and ⁇ y directions is limited by sucking and holding the wafer W by the chuck member 124. can do.
  • the plurality of chuck members 124 are controlled by the main controller 20 through the first adjustment device 125a or the second adjustment device 125b (see FIG. 4), and the flow velocity of the gas ejected from each of them. Thereby, the suction force (adsorption force) of each chuck member 124 is set to an arbitrary value. In the present embodiment, the suction force of each chuck member 124 is controlled for each group via the first adjustment device 125a or the second adjustment device 125b (see FIG. 4).
  • the first adjustment device 125 a includes first fluid supply devices (not shown) connected to seven chuck members 124 disposed in the central region of the lower surface of the plate member 44, and the suction force of the seven chuck members 124.
  • the second adjustment device 125b has a second fluid supply device (not shown) connected to 11 chuck members 124 arranged in a region excluding the central region on the lower surface of the plate member 44 (that is, the outer peripheral portion). Then, the suction force of the eleven chuck members 124 is adjusted. That is, in the present embodiment, a gas supply device 50 that includes the first adjustment device 125a and the second adjustment device 125b and supplies fluid (gas, for example, air) to a plurality of (here, 18) chuck members 124 is configured. ing.
  • the chuck member 124 whose suction force is adjusted by the first adjustment device 125a and the chuck member 124 whose suction force is adjusted by the second adjustment device 125b are shown in different colors.
  • the chucking force of each chuck member can be adjusted by spraying the fluid (gas) at different flow rates in different states in the plurality of chuck members. It is not a thing.
  • the pressure of the fluid (gas) may be changed, or the flow rate may be changed.
  • the plurality of chuck members 124 may be configured so that the respective suction forces can be individually adjusted without being grouped.
  • the chuck unit 153 has a first position for sucking a wafer W loaded from a predetermined stroke (a transfer arm 149 (see FIG. 5A) described later) by a chuck unit drive system 144 (see FIG. 3B), It can be driven in the Z-axis direction between the suctioned wafer W and the second position where the wafer W is placed on the wafer table WTB.
  • the chuck unit drive system 144 is controlled by the main controller 20 (see FIG. 4).
  • an off-axis alignment detection system 99 is provided on the ⁇ Y side of the projection optical system PL.
  • the alignment detection system 99 irradiates the target mark with a broadband detection light beam that does not expose the resist on the wafer W, and the target mark image formed on the light receiving surface by the reflected light from the target mark is not shown.
  • An image processing type FIA (Field Image Alignment) type alignment sensor is used that takes an image of the index of the image using an image pickup device (CCD) or the like and outputs the image pickup signals.
  • CCD image pickup device
  • a pair of reticle alignment marks on the reticle R and a pair of first reference marks on a reference mark plate (not shown) on the wafer table WTB corresponding to the reticle R are disposed above the reticle R.
  • a pair of reticle alignment detection systems 14 (see FIG. 4) of a TTR (Through-The-Reticle) system using an exposure wavelength for simultaneously observing an image via the projection optical system PL is arranged.
  • the detection signals of the pair of reticle alignment detection systems 14 are supplied to the main controller 20.
  • the exposure apparatus 100 includes an irradiation system and a light receiving system arranged so as to sandwich the alignment detection system 99, and is similar to that disclosed in, for example, US Pat. No. 5,448,332.
  • a multipoint focal position detection system 54 (see FIG. 4) having a configuration is provided.
  • FIG. 4 is a block diagram showing the input / output relationship of the main controller 20 that centrally configures the control system of the exposure apparatus 100 and performs overall control of each component.
  • the main controller 20 includes a workstation (or a microcomputer) and the like, and comprehensively controls each part of the exposure apparatus 100.
  • reticle loading is performed by the reticle loader under the control of the main controller 20.
  • main controller 20 causes a pair of reticle alignment detection systems 14 (see FIG. 4), a reference mark plate (not shown) on wafer stage WST, alignment detection system 99 (see FIGS. 1 and 4), and the like.
  • preparatory work such as baseline measurement of the alignment detection system 99 is performed according to a predetermined procedure. After these preparatory operations, the wafer is loaded.
  • the transfer arm 149 holding the wafer W which is under the control of the main controller 20, moves below the chuck unit 153. That is, the wafer W is transported below the chuck unit 153 by the transport arm 149.
  • the transfer arm 149 holding the wafer W is raised by a predetermined amount. At this time, a high-pressure air flow is ejected from all the chuck members 124 of the chuck unit 153 through the respective gas flow holes.
  • main controller 20 separates transfer arm 149 from wafer W after separating transfer arm 149 and wafer W from each other.
  • the wafer W is sucked in a non-contact manner to the chuck unit 153 at a predetermined height position (standby position) at the loading position.
  • the wafer W is held in the chuck unit 153 with the movement in the Z-axis direction, ⁇ x and ⁇ y directions being restricted by suction by the chuck unit 153, but the wafer W is held in the state.
  • Another member may be prepared, and the chuck unit 153 may apply only a suction force (a force that cannot be held by suction) to the wafer W.
  • main controller 20 drives wafer stage WST to below wafer W held by chuck unit 153 via coarse movement stage drive system 51 (see FIG. 4).
  • FIG. 5B shows wafer table WTB in a state after movement of wafer stage WST.
  • main controller 20 causes three vertical movement pins 140 (wafer support portion 150) on wafer stage WST (see FIG. 3 (B)) to be driven. Drive upward via 142.
  • the main controller 20 stops raising the wafer support unit 150.
  • the Z position of the wafer W sucked by the chuck unit 153 in the standby position can be accurately known to some extent.
  • the main controller 20 drives the wafer support 150 from the reference position by a predetermined amount based on the measurement result of the displacement sensor 145, so that the wafer W in which the three vertical movement pins 140 are sucked by the chuck unit 153. Can be brought into contact with the lower surface of the plate.
  • the present invention is not limited to this, and the three vertical movement pins 140 are in contact with the lower surface of the wafer W sucked by the chuck unit 153 at the upper limit movement position of the wafer support portion 150 (three vertical movement pins 140). Alternatively, it may be set in advance.
  • main controller 20 operates a vacuum pump (not shown) and starts vacuum suction on the lower surface of wafer W by three vertical movement pins 140. Note that the suction (holding) of the wafer W by the chuck member 124 is continued even in this state. The movement of the wafer W in the 6-degree-of-freedom direction is limited by the suction by the chuck member 124 and the frictional force due to the support from the lower side of the vertical movement pins 140.
  • the main controller 20 passes through the first adjusting device 125a (see FIG. 4).
  • the outflow of the high-pressure air flow from the seven chuck members 124 in the central region is stopped, and the suction of the wafer W by the seven chuck members 124 is released.
  • FIG. 5C this is because when the wafer W is attracted and held (supported) by the three vertical movement pins 140 from below and the suction by the chuck unit 153 from above is performed. W may be partially over-constrained.
  • the chuck unit 153 for loading the wafer W onto the wafer table WTB and the wafer support portion 150 are moved downward.
  • the synchronous driving there is a possibility that the wafer W may be distorted when the synchronization between the two is shifted. Therefore, in order to avoid the occurrence of such a situation, the suction of the wafer W by the seven chuck members 124 is released.
  • the main control device 20 includes the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (wafer support portion 150) via the chuck unit drive system 144 and the drive device 142. And drive downwards in synchronization.
  • the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (wafer) are maintained while maintaining the suction (holding) state by the chuck unit 153 (chuck member 124) with respect to the wafer W and the support state by the three vertical movement pins 140.
  • the supporting part 150) is driven downward synchronously.
  • wafer mounting surface 48 is actually a virtual flat surface (region) formed by the upper end surfaces of a large number of pins provided in the pin chuck provided on wafer table WTB.
  • the upper surface of the wafer table WTB is the wafer mounting surface 48.
  • main controller 20 causes the outer peripheral portion to pass through second adjustment device 125b. After stopping the outflow of the high-pressure air flow from the eleven chuck members 124 and releasing the suction of the wafers W by all the chuck members 124, the suction of the wafers W by the wafer holder (not shown) on the wafer table WTB is started. To do. Next, main controller 20 raises chuck unit 153 to the aforementioned standby position via chuck unit drive system 144 as shown in FIG. Thereby, loading (carrying in) of wafer W onto wafer table WTB is completed.
  • the adsorption (suction) of the wafer W by the wafer holder may be started before the lower surface of the wafer W comes into contact with the upper surface (wafer mounting surface 48) of the wafer table WTB.
  • the suction of the wafer W by all or a part of the chuck members 124 may be released before the lower surface of the wafer W contacts the upper surface of the wafer table WTB (wafer mounting surface 48).
  • the main controller 20 After the above-described loading of the wafer W, the main controller 20 performs alignment measurement (wafer alignment) such as EGA (Enhanced Global Alignment) using the alignment detection system 99.
  • alignment measurement wafer alignment
  • EGA Enhanced Global Alignment
  • a step-and-scan exposure operation is performed as follows.
  • the wafer stage WST wafer table
  • the reticle stage RST is moved so that the XY position of the reticle R becomes the scanning start position.
  • main controller 20 performs reticle stage drive system 11 and coarse movement stage drive system.
  • Scanning exposure is performed by moving the reticle R and the wafer W synchronously via the step 51 and the fine movement stage drive system 52.
  • main controller 20 finely drives fine movement stage WFS in each of the Z-axis, ⁇ x, and ⁇ y directions based on the measurement result of multipoint focal position detection system 54 to illuminate illumination light IL on wafer W.
  • Focus leveling control is performed so that the irradiation area (exposure area) portion of the projection optical system PL is matched with the depth of focus of the image plane of the projection optical system PL.
  • the wafer table WTB is stepped by one shot area, and scanning exposure is performed for the next shot area. In this way, stepping and scanning exposure are sequentially repeated, and the pattern of the reticle R is superimposed and transferred onto a predetermined number of shot areas on the wafer W.
  • the main controller 20 loads the wafer W onto the wafer table WTB via the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140.
  • the main controller 20 loads the wafer W onto the wafer table WTB via the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140.
  • the wafer W is prevented from being over-constrained by receiving forces from both side surfaces of the chuck unit 153 and the vertical movement pins 140 in the vertical direction. Thereafter, the chuck unit 153 and the vertical movement pin 140 are driven downward synchronously while maintaining the suction state of the wafer W by the chuck unit 153 (chuck member 124) and the support state by the three vertical movement pins 140.
  • the entire back surface of the wafer W comes into contact with the wafer mounting surface 48 almost simultaneously or in order from the center to the outer periphery of the back surface, so that the wafer W is not distorted (the flatness is high). It becomes possible to load on WTB.
  • the wafer W loaded with a high flatness on the wafer table WTB is exposed by the stepping and scanning method. Exposure without defocus can be performed for each of the plurality of shot areas, and the pattern of the reticle R can be transferred to the plurality of shot areas.
  • the suction force of a plurality of (for example, 18) chuck members 124 is a central region on the lower surface of the plate member 44 via the first adjustment device 125a or the second adjustment device 125b (see FIG. 4). It is assumed that the seven first groups arranged in the group and eleven second groups arranged in the outer peripheral portion are controlled for each group.
  • the present invention is not limited to this, and a configuration in which the suction force of a plurality of (for example, 18) chuck members 124 can be set individually and arbitrarily may be employed.
  • the suction force of the plurality of chuck members 124 with respect to the wafer W is set to an optimum value corresponding to the position of each chuck member 124 (a value that does not cause distortion due to excessive restraint on the wafer W, and the wafer W In order to achieve a desired level of flatness), the suction force of each of the plurality of chuck members 124 (that is, the flow velocity of the fluid ejected from the chuck members 124, etc.) You may obtain
  • the present invention is not limited to this.
  • the chuck member 124 disposed on the outer peripheral portion of the lower surface of the plate member 44 whose suction force is adjusted by the second adjusting device 125b may be provided.
  • the first adjustment device 125a is unnecessary.
  • Such a configuration is preferable when it is clear that a desired level of flatness of the wafer W can be ensured only by the chuck member 124 disposed on the outer peripheral portion of the lower surface of the plate member 44.
  • the wafer W may be able to ensure a desired level of flatness by the chuck member 124 and the three vertical movement pins 140.
  • the wafer W can be set to a desired level of flatness by adjusting the driving speeds of the chuck unit drive system 144 and the drive unit 142 while monitoring the flatness of the wafer.
  • the suction force of the seven chuck members 124 arranged in the central region of the lower surface of the plate member 44 is not limited to this, and the suction force of the seven chuck members 124 may be weakened (decreased), or the seven chuck members 124 may be reduced. Among them, the suction force of some of the chuck members 124 may be weakened (or made zero).
  • the first adjustment device 125a may be configured to be able to adjust the suction force of the plurality (seven) of chuck members 124 individually or for each predetermined group.
  • the second adjusting device 125b may be configured to be able to adjust the suction force of a plurality (11) of chuck members 124 individually or for each predetermined group.
  • the wafer to be next exposed is exposed while the wafer W on the wafer stage WST is being exposed. You may stand by in the state where the chuck unit 153 sucked at a standby position of a predetermined height above the loading position. In this case, the temperature of the wafer W can be adjusted to a predetermined temperature even during standby.
  • the wafer W when the wafer W is loaded onto the wafer table WTB, the wafer W is sucked by the chuck unit 153 (chuck member 124) and supported by the three vertical movement pins 140.
  • the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (wafer support portion 150) are driven downward synchronously (see FIGS. 6A and 6B).
  • the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (wafer support portion 150) are driven out of synchronization, and the latter is driven downward before the former, the central portion 3 on the lower surface of the wafer W is moved.
  • the driving force in the ⁇ Z direction by the driving device 142 acts on the area attracted by the vertical movement pins 140 and the center portion of the wafer W is deformed (flexed) into a downwardly convex shape.
  • the suction force of the seven chuck members arranged in the central region is set to a predetermined value without making it zero, and the suction force is set as an upward force opposite to the driving force in the ⁇ Z direction.
  • giving to W can also be considered, as described above, the wafer W is in an over-constrained state as described above.
  • the vertical movement pin 240 according to the first modification of the configuration may be provided on the upper surface of the base member 141.
  • the vertical movement pin 240 is attached to the shaft member 70 fixed to the upper surface of the pedestal member 141, and is slidably attached to the shaft member 70 in the vertical direction, and is opposed to the pedestal member 141. And a suspension member 60 in which a recess 65 having a predetermined depth is formed.
  • the suspension member 60 includes a support part 62, a slide part 64, and a stopper part 66.
  • the support portion 62 is formed of a stepped bar member whose lower end portion is somewhat thicker than the other portions.
  • the slide portion 64 is formed of a cylindrical (columnar) member having the same cross section that overlaps the lower end portion of the support portion 62 in plan view.
  • the slide part 64 has a recess having a predetermined depth, for example, a circular cross section, at the lower end surface.
  • the lower end surface of the support portion 62 is fixed to the upper surface of the slide portion 64, and the slide portion 64 and the support portion 62 are integrated. The integration of both is performed, for example, by bolting or bonding.
  • the support portion 62 and the slide portion 64 are opened to the outer peripheral surface of the slide portion 64 from the exhaust port 41 formed in the upper end surface of the support portion 62 through the inside of the support portion 62 and further through the inside of the slide portion 64.
  • An exhaust line 68 is provided.
  • the other end of the vacuum pipe having one end connected to a vacuum pump (not shown) is connected to the opening of the exhaust pipe 68 opposite to the exhaust port 41.
  • the stopper portion 66 has an outer peripheral surface that is substantially flush with the outer peripheral surface of the slide portion 64, and is formed of an annular member having an inner peripheral surface that protrudes somewhat inward from the inner peripheral surface of the slide portion 64.
  • a step portion 67 is formed on the inner peripheral side.
  • the stopper portion 66 is fixed to the lower end surface of the slide portion 64, and the stopper portion 66 and the slide portion 64 are integrated. The integration of both is performed, for example, by bolting or bonding.
  • the suspension member 60 forms the support part 62, the slide part 64, and the stopper part 66 by another member, these may be integrated, but at least 2 part may be integrally molded.
  • the shaft member 70 is formed of a stepped columnar member in which a part of the lower end is smaller in diameter than the other part.
  • the outer diameter of the large diameter portion of the shaft member 70 is slightly smaller than the inner diameter of the concave portion of the slide portion 64, for example, by several ⁇ m to several tens ⁇ m.
  • the outer diameter of the small diameter portion of the shaft member 70 is about several mm smaller than the inner diameter of the stopper portion 66.
  • the dimension of the shaft member 70 in the height direction is such that the upper end surface of the shaft member 70 is substantially in contact with the bottom surface of the concave portion of the slide portion 64 in a state where the suspension member 60 is in contact with the base member 141.
  • a circular space 72 having a predetermined depth is formed at the center.
  • a plurality of through holes (not shown) communicating from the space 72 to the outer peripheral surface are formed in the shaft member 70 in a radial arrangement at different height positions of the shaft member.
  • a gas supply device for example, a compressor
  • a gas supply pipe (not shown) and a gas supply tube.
  • the amount of gas (for example, compressed air) supplied into the space 72 by a gas supply device (not shown) is controlled by the main controller 20.
  • the compressed air flows between the outer peripheral surface of the shaft member 70 and the slide portion 64 via a plurality of unillustrated through holes formed in the side wall of the shaft member 70. It is ejected between the inner peripheral surface. That is, an air static pressure bearing (air bearing) 76 is formed between the shaft member 70 and the slide portion 64.
  • the outer peripheral surface of the shaft member 70 (the inner peripheral surface of the slide portion 64) is referred to as a guide surface 76 using the same reference numerals as the air bearing 76.
  • a step 74 is formed at the boundary between the large diameter portion and the small diameter portion of the shaft member 70.
  • the stepped portion 67 of the stopper portion 66 is disposed opposite to the stepped portion 74.
  • a predetermined gap (gap) exists between the facing surfaces of the stepped portion 74 and the stepped portion 67.
  • the suspension member 60 can be driven along the guide surface 76 with respect to the shaft member 70 with a stroke corresponding to the dimension of the gap.
  • the vertical stroke of the suspension member 60 is limited by the stopper portion 66.
  • the movement of the suspension member 60 in the horizontal plane is restricted (restrained) by the shaft member 70.
  • the stopper portion 66 is not necessarily required to be annular because it only needs to be able to limit the vertical stroke of the suspension member 60.
  • the wafer table WTB of the wafer W is processed in the same procedure as in the above embodiment. Loading up is done.
  • the wafer W is lowered together with the chuck unit 153 and the vertical movement pins 240 while maintaining a predetermined gap with respect to the chuck unit 153 (chuck member 124).
  • the vertical movement pin 240 may start to be driven downward before the chuck unit 153.
  • the position of the suspension member 60 is maintained, and the shaft member 70 moves downward along the guide surface 76 with respect to the slide portion 64 within a predetermined stroke range. Driven.
  • the suspension member 60 is also driven downward by the drive device 142 together with the shaft member 70. Therefore, if the downward movement of the chuck unit 153 synchronized with the three vertical movement pins 240 is started before the step portion 74 of the shaft member 70 hits the step portion 67 of the stopper portion 66, the above-described operation is performed. It is possible to suppress the occurrence of deformation (deflection) of the downward convex shape at the center of the wafer W due to the action of the driving force in the ⁇ Z direction by the driving device 142.
  • the responsiveness of the chuck unit 153 is superior to the responsiveness of the vertical movement pin 240, and when the chuck unit 153 starts to move downward during synchronous driving, the chuck unit 153 (chuck member 124) is not Immediately after the wafer W sucked by the contact is supported from below by the three vertical movement pins 240, before the downward movement of the chuck unit 153 is started, the shaft member 70 and the stepped portion 74 are stopper portions. It is located at the movement lower limit position corresponding to the stepped portion 67 of 66. As a result, it is possible to suppress the upward convex deformation (bending) of the central portion of the wafer W.
  • the chuck unit 153 described above and the vertical movement are provided. Deformation of the downward convex shape (or upward convex shape) at the center of the wafer W due to the difference in responsiveness with the pins 240 can be suppressed. However, the weight of the suspension member 60 acts as a downward force on the wafer W. Therefore, instead of the vertical movement pins 140 or 240, the vertical movement pins 340 according to the second modification may be used.
  • the vertical movement pin 340 according to the second modification is basically configured in the same manner as the vertical movement pin 240 described above, except for the following points. That is, as shown in FIG. 9, the vertical movement pin 340 is different from the vertical movement pin 240 in that the air chamber 71 and the exhaust hole 75 are formed inside, and other configurations and functions thereof are the first Since they are the same as those in the modification, the description thereof is omitted.
  • the air chamber 71 is formed inside the vertical movement pin 340 (more precisely, between the slide portion 64 and the shaft member 70).
  • the air chamber 71 communicates with the space 72 through a vent passage 77 formed below. Therefore, a part of the compressed air supplied into the space 72 via a gas supply device (not shown) flows into the air chamber 71 through the air passage 77. That is, the air chamber 71 has a higher pressure (positive pressure) than the space in which the vertical movement pins 340 are disposed, and an upward force is applied to the suspension member 60.
  • the weight of the suspension member 60 is controlled by controlling the gas supply device so that the upward force of the compressed air flowing into the air chamber 71 is balanced with the downward force of the suspension member 60 in the vertical direction. However, it is possible to prevent the wafer W from acting as a downward force.
  • the exhaust hole 75 includes an opening formed in the vicinity of the upper end portion of the side surface of the slide portion 64 (the side surface on the ⁇ X side in FIG. 9), and communicates with the air chamber 71 via the air passage 73. That is, part of the compressed air that has flowed into the air chamber 71 is always discharged from the exhaust hole 75.
  • the three vertical movement pins 240 described above.
  • the suspension member 60 since the upward force equal to its own weight is applied to the suspension member 60 by making the inside of the air chamber 71 a positive pressure, the suspension member 60 is attached to the lower surface of the wafer W. It is possible to prevent the wafer W from being deformed by the weight of the suspension member 60 when the suspension is suspended. That is, the wafer W is placed on the wafer table WTB while the flatness of the wafer W is higher.
  • the exhaust hole 75 communicating with the air chamber 71 is formed, when the wafer W sucked and held by the wafer table WTB is pushed up from below by the vertical movement pins 340 and separated from the wafer table WTB, the air Since the vertical movement pins 340 serve as dampers due to the viscous resistance, the wafer W can be prevented from vibrating (bounce).
  • a vertical movement pin 440 instead of the vertical movement pin 140, a vertical movement pin 440 according to the following third modification may be used.
  • the vertical movement pin 440 includes a housing 86 fixed to the upper surface of the pedestal member 141, and a shaft member 84 partially accommodated in the housing 86.
  • the housing 86 is formed of a bottomed cylindrical member having a lower end surface opened and a space 85 formed therein.
  • a through-hole 87 having a circular cross section having a diameter smaller than the inner diameter of the housing 86 is formed in the upper and lower directions on the upper wall (bottom) of the housing 86.
  • Grooves (not shown) extending in the Z-axis direction are formed at equal intervals in the circumferential direction in a plan view on the inner peripheral surface portion of the through hole 87 on the upper wall of the housing 86.
  • this groove is referred to as a groove 87 using the same reference numeral as that of the through hole 87.
  • the shaft member 84 is formed of a columnar member having a diameter slightly smaller than the diameter of the through hole 87 formed in the upper wall portion of the housing 86, and a flange portion 88 projecting outward is provided at the lower end portion.
  • the collar portion 88 has an outer diameter larger than the inner diameter of the through hole 87.
  • the shaft member 84 is inserted into the through hole 87 of the housing 86 from below, and is allowed to move only in the Z-axis direction with respect to the housing 86 within a predetermined stroke range.
  • the shaft member 84 is provided with (or connected to) a flange or a nut (not shown) on the outer periphery of the upper end portion to prevent the shaft member 84 from falling into the housing 86.
  • the shaft member 84 is replaced with a not-illustrated collar or nut provided on the outer periphery of the upper end portion, and the length in the long axis (Z-axis) direction is increased with respect to the housing 86, thereby The upper surface of the shaft member 84 may be positioned above the upper surface of the housing 86 when 84 is positioned at the lowermost end of the stroke.
  • the shaft member 84 is formed with a through hole 83 having a circular cross section, for example, extending in the Z-axis direction at the center.
  • the through-hole 83 is connected to one end ( ⁇ Z end) of a vacuum pump (not shown) via a pipe (not shown).
  • the wafer table WTB of the wafer W is processed in the same procedure as in the above embodiment. Loading up is done.
  • the shaft member 84 of the vertical movement pin 440 is located at the lowermost position within the stroke range (or the position where the bottom surface is in contact with the top surface of the base member 141).
  • the wafer W is lowered together with the chuck unit 153 and the vertical movement pins 440 while maintaining a predetermined gap with respect to the chuck unit 153 (chuck member 124).
  • the vertical movement pin 440 may start to be driven downward before the chuck unit 153 due to the difference in drive response between the chuck unit 153 and the vertical movement pin 440.
  • the housing 86 is driven downward within a predetermined stroke range while the position of the shaft member 84 is maintained.
  • an air flow is generated in the groove 87, and the housing 86 is driven with little friction between the shaft member 84 and the housing 86 (that is, between the shaft member 84 and the housing 86).
  • a hydrodynamic bearing is configured).
  • the shaft member 84 is also driven downward by the driving device 142 together with the housing 86. Therefore, if the downward movement of the chuck unit 153 synchronized with the three vertical movement pins 440 is started before the upper surface of the collar portion 88 hits the upper wall of the housing 86, the driving device 142 described above is started. It is possible to suppress the occurrence of deformation (deflection) of the downward convex shape at the center of the wafer W due to the action of the driving force in the ⁇ Z direction.
  • the three vertical movement pins 240 described above.
  • the configuration of the vertical movement pin 440 is simplified, so that the entire apparatus can be reduced in weight.
  • the layout becomes easy and the assembly workability is improved.
  • the dynamic pressure bearing is configured by providing a plurality of grooves on the inner peripheral surface of the through hole 87 in the upper wall of the housing 86.
  • the hydrodynamic bearing may be configured by forming axial grooves on the outer peripheral surface of the shaft member 84 at equal intervals.
  • the shaft member 84 and the housing 86 may be a plain bearing using members having a small friction coefficient.
  • the shape of the chuck unit 153 is a circular shape in plan view.
  • the shape is not limited to this, and the wafer W is sucked from above without contact.
  • a rectangle or the like may be used.
  • each of the three vertical movement pins 140 (240, 340, 440) is integrally moved up and down.
  • the present invention is not limited to this. You may make it.
  • the center support member 150 is configured such that three vertical movement pins can be moved up and down independently of each other, and based on the result of monitoring the flatness of the wafer, the three vertical movement pins are individually moved up and down. By doing so, the flatness of the wafer W may fall within a desired range.
  • the number of vertical movement pins is limited to three, and may be less or more.
  • the exposure apparatus is a scanning exposure apparatus such as a step-and-scan method
  • the present invention is not limited to this, and the above-described embodiment is applied to a stationary exposure apparatus such as a stepper. You may do it.
  • the above-described embodiment can also be applied to a step-and-stitch reduction projection exposure apparatus, a proximity exposure apparatus, or a mirror projection aligner that synthesizes a shot area and a shot area. Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,590,634, US Pat. No. 5,969,441, US Pat. No. 6,208,407, etc.
  • the projection optical system in the exposure apparatus of the above embodiment may be not only a reduction system but also any of the same magnification and enlargement systems
  • the projection optical system PL may be any of a reflection system and a catadioptric system as well as a refraction system.
  • the projected image may be either an inverted image or an erect image.
  • the illumination area and the exposure area described above are rectangular in shape, but the shape is not limited to this, and may be, for example, an arc, a trapezoid, or a parallelogram.
  • the light source of the exposure apparatus is not limited to the ArF excimer laser, but is a KrF excimer laser (output wavelength 248 nm), F 2 laser (output wavelength 157 nm), Ar 2 laser (output wavelength 126 nm), Kr 2. It is also possible to use a pulse laser light source such as a laser (output wavelength 146 nm), an ultrahigh pressure mercury lamp that emits a bright line such as g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), or the like. A harmonic generator of a YAG laser or the like can also be used. In addition, as disclosed in, for example, US Pat. No.
  • a single wavelength laser beam in an infrared region or a visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser is used as vacuum ultraviolet light.
  • a harmonic that is amplified by a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and ytterbium) and wavelength-converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.
  • the illumination light IL of the exposure apparatus is not limited to light having a wavelength of 100 nm or more, and light having a wavelength of less than 100 nm may be used.
  • the above embodiment can be applied to an EUV exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light in a soft X-ray region (for example, a wavelength region of 5 to 15 nm).
  • EUV Extreme Ultraviolet
  • the above embodiment can be applied to an exposure apparatus that uses charged particle beams such as an electron beam or an ion beam.
  • two reticle patterns are synthesized on a wafer via a projection optical system, and 1 on the wafer by one scan exposure.
  • the above-described embodiment and the like can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of two shot areas almost simultaneously.
  • the object to be patterned (the object to be exposed to which the energy beam is irradiated) in the above-described embodiment is not limited to the wafer, and other objects such as a glass plate, a ceramic substrate, a film member, or mask blanks. It can be an object.
  • the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing, but for example, an exposure apparatus for liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, an organic EL, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD, etc.), micromachines, DNA chips and the like can also be widely applied to exposure apparatuses. Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. The above-described embodiment and the like can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
  • An electronic device such as a semiconductor element includes a step of designing a function and performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and an exposure apparatus (pattern forming apparatus) such as the above embodiment
  • a lithography step for transferring the mask (reticle) pattern to the wafer by the exposure method, a development step for developing the exposed wafer, and an etching step for removing the exposed member other than the portion where the resist remains by etching, It is manufactured through a resist removal step for removing a resist that has become unnecessary after etching, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process), an inspection step, and the like.
  • the above-described exposure method is executed using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and a device pattern is formed on the wafer. Therefore, a highly integrated device can be manufactured with high productivity. .

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Abstract

 搬送システムは、載置されたウエハ(W)を上方からチャックユニット(153)によって保持するとともに、下方から上下動ピン(140)によって吸着保持する。その後、ウエハの下面がウエハテーブル(WTB)に接触するまでチャックユニット(153)及び上下動ピン(140)を下降させる。その際、チャックユニット(153)と上下動ピン(140)とによるウエハ(W)の拘束によって、ウエハ(W)に局所的に過拘束が発生し、歪みが生じないように、チャックユニット(153)による保持力及びチャック部材(124)の配置を最適となるよう調整する。

Description

吸引装置、搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
 本発明は、吸引装置、搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、特に、板状の物体に対して非接触で吸引力を作用させる吸引装置、前記板状の物体を移動体上に搬入する搬入方法、該搬入方法の実施に好適な搬送システム及び該搬送システムを備える露光装置、並びに該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
 従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。
 この種の露光装置で用いられる、露光対象となるウエハ又はガラスプレート等の基板は、次第に(例えばウエハの場合、10年おきに)大型化している。現在は、直径300mmの300ミリウエハが主流となっているが、今や直径450mmの450ミリウエハ時代の到来が間近に迫っている。450ミリウエハに移行すると、1枚のウエハから採れるダイ(チップ)の数が現行の300ミリウエハの2倍以上となり、コスト削減に貢献する。
 しかしながら、ウエハのサイズに比例してその厚みが大きくなるわけではないので、450ミリウエハは、300ミリウエハに比較して、強度及び剛性が格段に弱い。従って、例えばウエハの搬送1つを取り上げても、現在の300ミリウエハと同様の手段方法をそのまま採用したのでは、ウエハに歪みが生じ露光精度に悪影響を与えるおそれがあると考えられた。そこで、ウエハの搬送方法としては、ベルヌーイ・チャック等を備えた搬送部材によりウエハを上方から非接触で吸引して、平坦度(平面度)を保ち、ウエハホルダ(保持装置)に搬入する、450ミリウエハであっても採用可能な搬入方法等が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
 しかしながら、ウエハのウエハステージ(ウエハホルダ)上への搬入方法として、上述の搬送部材による上方からの非接触吸引を採用する場合、計測結果に基づく補正が困難な、許容できないレベルのウエハの水平面内の位置ずれ(回転ずれ)が生じるおそれがあった。
米国特許出願公開第2010/0297562号明細書
 上述のウエハの搬送部材による上方からの非接触吸引による不都合を解消する方法として、ウエハを、ベルヌーイ・チャック等により上方から非接触で吸引しつつ、下方からも支持部(例えばウエハステージ上の上下動ピン)で支持することが考えられる。しかるに、発明者らの研究により、ウエハの上方からの非接触吸引と下方からの支持とを行って、ウエハステージ上へのウエハのロードを行う場合に、300ミリウエハであっても許容できないレベルの歪みが生ずることがあることが判明した。発明者らは、このウエハの歪みの原因について究明した結果、ウエハ中央付近が上下から拘束されることによる過拘束が主要因であるとの結論を得た。
 本発明の第1の態様によれば、板状の物体に対して非接触で吸引力を作用させる吸引装置であって、ベース部材と、前記ベース部材に設けられて、それぞれ前記物体周辺に気体の流れを発生させて該物体を吸引する力を生じさせる複数の吸引部材と、を備え、前記複数の吸引部材は、互いに異なる状態で前記気体の流れを発生させる第1の吸引装置が、提供される。
 これによれば、複数の吸引部材それぞれの発生する物体に対する吸引力を、例えば各吸引部材のベース部材上の位置によって異ならせることができる。このため、例えば下方からの支持部による物体の支持と、この吸引装置による物体の上方からの非接触吸引とを行う場合、ベース部材の支持部に対向する部分に配置された吸引部材の発生する吸引力を、ベース部材の支持部に対向しない部分に配置された吸引部材の発生する吸引力より弱くすることが可能になる。
 本発明の第2の態様によれば、板状の物体に対して非接触で吸引力を作用させる吸引装置であって、ベース部材と、前記ベース部材に設けられて、それぞれ前記物体周辺にそれぞれ気体の流れを発生させる複数の気体流通孔と、前記物体を変形させる調整装置と、を備え、前記複数の気体流通孔を介した前記気体の流れにより前記物体を保持しつつ、前記調整装置により前記物体を変形させる第2の吸引装置が、提供される。
 これによれば、複数の気体流通孔を介した気体の流れにより物体を保持しつつ、調整装置により物体を、例えば、所望のレベルの平坦度が確保できるように変形させることが可能になる。
 本発明の第3の態様によれば、板状の物体を、上面に物体載置面が設けられた保持部材に搬入する搬入方法であって、前記物体を、所定の搬入位置にある前記保持部材の前記物体載置面の上方に搬送することと、吸引部材により前記物体の一面を上方から非接触で吸引して支持することと、前記保持部材に設けられた上下動可能な支持部により、前記吸引部材により支持された前記物体の前記一面とは反対側の他面の中央部領域の一部を下方から支持するとともに、前記支持部による支持点を含む前記中央部領域に対応する前記物体の前記一面の領域に対する前記吸引部材による吸引力を弱めることと、前記物体に対する前記吸引部材による吸引状態と前記支持部による支持状態を維持した状態で、前記吸引部材と前記支持部とを、前記物体載置面に向けて下方に駆動することと、を含む搬入方法が、提供される。
 これによれば、物体を、平坦度を高く維持した状態で、保持部材上に搬入することが可能になる。
 本発明の第4の態様によれば、板状の物体を搬送する搬送システムであって、上面に物体載置面が設けられた保持部材と、所定の搬入位置において前記保持部材の上方に設けられ、前記物体の一面のうち、外周部の領域を少なくとも含む領域の複数箇所を上方から非接触で吸引可能で、上下動可能な吸引部材と、前記保持部材に設けられ、上下動可能で、前記物体の前記一面とは反対側の他面の前記中央部領域の一部を下方から支持可能な支持部と、前記物体に対する前記吸引部材による吸引状態と前記支持部による支持状態を維持した状態で、前記吸引部材と前記支持部とを、前記物体の前記他面が前記保持部材の前記物体載置面に向かうように下降させる駆動装置と、を備える搬送システムが、提供される。
 これによれば、物体を、平坦度を高く維持した状態で、保持部材上に搬送(搬入)することが可能になる。
 本発明の第5の態様によれば、物体上にパターンを形成する露光装置であって、上記第1及び第2の態様に係る吸引装置のいずれかと、該吸引装置に吸引され、前記保持部材上に搬入された前記物体をエネルギビームで露光して、前記パターンを形成するパターン生成装置と、を備える第1の露光装置が、提供される。
 本発明の第6の態様によれば、物体上にパターンを形成する露光装置であって、上記搬送システムと、該搬送システムにより前記保持部材上に搬入された前記物体をエネルギビームで露光して、前記パターンを形成するパターン生成装置と、を備える第2の露光装置が、提供される。
 本発明の第7の態様によれば、上記露光装置を用いて物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図1のウエハステージを-Y方向から見た図(正面図)である。 図3(A)は、図1の搬入ユニット(チャックユニット)を示す底面図、図3(B)は、ウエハのロードに関連する構成各部を示す図であって、搬入ユニットを、ウエハステージ上の上下動ピン及びその駆動装置とともに示す図である。 一実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。 図5(A)~図5(D)は、ウエハの搬入手順を説明するための図(その1~その4)である。 図6(A)~図6(C)は、ウエハの搬入手順を説明するための図(その5~その7)である。 チャックユニットに設けられるチャック部材の配置の他の一例を説明するための図である。 第1の変形例に係る上下動ピンの構成を示す図である。 第2の変形例に係る上下動ピンの構成を示す図である。 第3の変形例に係る上下動ピンの構成を示す図である。
 以下、一実施形態について、図1~図7に基づいて、説明する。
 図1には、一実施形態に係る露光装置100の構成が概略的に示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、この投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルRとウエハWとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
 露光装置100は、照明系10、レチクル(マスク)Rを保持するレチクルステージRST、投影光学系PL、ウエハWを保持するウエハステージWST、不図示の搬出ユニット及び後述する上下動ピンとともにウエハ搬送システム120(図4参照)を構成する搬入ユニット121、並びにこれらの制御系等を備えている。
 照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系と、を含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステムとも呼ばれる)で設定(制限)されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
 レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ又は平面モータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図4参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
 レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、例えばレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)13によって、レチクルステージRSTに固定された移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計13の計測値は、主制御装置20(図1では不図示、図4参照)に送られる。主制御装置20は、レチクルステージRSTの位置情報に基づいて、レチクルステージ駆動系11(図4参照)を介してレチクルステージRSTを駆動する。なお、本実施形態では、上述したレチクル干渉計に代えてエンコーダを用いてレチクルステージRSTのXY平面内の位置情報が検出されても良い。
 投影光学系PLは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影光学系PLは、不図示の支持部材によって水平に支持されたメインフレームBDに搭載されている。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWST(より正しくは、ウエハWを保持する後述する微動ステージWFS)との同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
 ウエハステージWSTは、図1に示されるように、ベース盤12上に後述するエアベアリングを介して浮上支持されている。ここで、ベース盤12は、床F上に防振機構(図示省略)によってほぼ水平に(XY平面に平行に)支持されている。ベース盤12は、平板状の外形を有する部材から成る。また、ベース盤12の内部には、XY二次元方向を行方向、列方向としてマトリックス状に配置された複数のコイル17を含む、コイルユニットが収容されている。
 ウエハステージWSTは、図1及び図2からわかるように、粗動ステージWCSと、粗動ステージWCSに非接触状態で支持され、粗動ステージWCSに対して相対移動可能な微動ステージWFSとを有している。ここで、ウエハステージWST(粗動ステージWCS)は、粗動ステージ駆動系51(図4参照)により、X軸及びY軸方向に所定ストロークで駆動されるとともにθz方向に微小駆動される。また、微動ステージWFSは、微動ステージ駆動系52(図4参照)によって粗動ステージWCSに対して6自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy及びθzの各方向)に駆動される。
 粗動ステージWCSは、図2に示されるように、平面視で(+Z方向から見て)X軸方向の長さがY軸方向の長さより幾分長い長方形板状の粗動スライダ部91と、粗動スライダ部91の長手方向の一端部と他端部の上面にYZ平面に平行な状態でそれぞれ固定され、かつY軸方向を長手方向とする長方形板状の一対の側壁部92a,92bと、側壁部92a,92bそれぞれの上面のY軸方向の中央部に内側に向けて固定された一対の固定子部93a、93bと、を備えている。粗動ステージWCSは、全体として、上面のX軸方向中央部及びY軸方向の両側面が開口した高さの低い直方体形状を有している。すなわち、粗動ステージWCSには、その内部にY軸方向に貫通した空間部が形成されている。なお、側壁部92a,92bは、固定子部93a、93bとY軸方向の長さをほぼ同じにしても良い。すなわち、側壁部92a,92bは、粗動スライダ部91の長手方向の一端部と他端部の上面のY軸方向の中央部のみに設けても良い。
 粗動ステージWCSの底面、すなわち粗動スライダ部91の底面には、ベース盤12の内部に配置されたコイルユニットに対応して、XY二次元方向を行方向、列方向としてマトリックス状に配置された複数の永久磁石18から成る磁石ユニットが設けられている。磁石ユニットは、ベース盤12のコイルユニットと共に、例えば米国特許第5,196,745号明細書などに開示される電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータから成る粗動ステージ駆動系51(図4参照)を構成している。コイルユニットを構成する各コイル17(図1参照)に供給される電流の大きさ及び方向は、主制御装置20によって制御される。
 粗動スライダ部91の底面には、上記磁石ユニットの周囲に複数のエアベアリング94が固定されている。粗動ステージWCSは、複数のエアベアリング94によって、ベース盤12の上方に所定の隙間(クリアランス、ギャップ)、例えば数μm程度の隙間を介して浮上支持され、粗動ステージ駆動系51によって、X軸方向、Y軸方向及びθz方向に駆動される。
 なお、粗動ステージ駆動系51としては、電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータに限らず、例えば可変磁気抵抗駆動方式の平面モータを用いることもできる。この他、粗動ステージ駆動系51を、磁気浮上型の平面モータによって構成し、該平面モータによって粗動ステージWCSを6自由度方向に駆動できるようにしても良い。この場合、粗動スライダ部91の底面にエアベアリングを設けなくても良くなる。
 一対の固定子部93a、93bのそれぞれは、例えば外形が矩形板状の部材から成り、それぞれの内部には、複数のコイルから成るコイルユニットCUa、CUbが収容されている。コイルユニットCUa、CUbを構成する各コイルに供給される電流の大きさ及び方向は、主制御装置20によって制御される。
 微動ステージWFSは、図2に示されるように、例えば平面視で八角形の高さの低い柱状部材から成る本体部81と、本体部81のX軸方向の一端部と他端部とにそれぞれ固定された一対の可動子部82a、82bと、本体部81の上面に一体的に固定された平面視矩形の板状部材から成るウエハテーブルWTBと、を備えている。
 本体部81は、ウエハテーブルWTBと熱膨張率が同じ又は同程度の素材で形成されることが望ましく、その素材は低熱膨張率であることが望ましい。ここで、図2では、図示は省略されているが、本体部81には、ウエハテーブルWTB(及び不図示のウエハホルダ)に形成された不図示の貫通孔に挿入され、上下動可能な複数(例えば3本)の上下動ピン140(図3(B)参照)が設けられている。3本の上下動ピン140それぞれの上面には、真空排気用の排気口41が形成されている。また、3本の上下動ピン140は、それぞれの下端面が台座部材141の上面に固定されている。3本の上下動ピン140は、それぞれ台座部材141の上面の平面視でほぼ正三角形の頂点の位置に配置されている。3本の上下動ピン140それぞれに設けられた排気口41は、上下動ピン140(及び台座部材141)の内部に形成された排気管路及び不図示の真空排気管を介して真空ポンプ(不図示)に接続されている。台座部材141は、下面の中央部に固定された軸143を介して駆動装置142に接続されている。すなわち、3本の上下動ピン140は、台座部材141と一体で駆動装置142によって上下方向に駆動される。本実施形態では、台座部材141と3本の上下動ピン140と軸143とによって、ウエハ下面の中央部領域の一部を下方から支持可能なウエハ支持部150が構成されている。ここで、3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)の基準位置からのZ軸方向の変位は、例えば駆動装置142に設けられたエンコーダシステム等の変位センサ145(図3(B)では不図示、図4参照)によって検出されている。主制御装置20は、変位センサ145の計測値に基づいて、駆動装置142を介して3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)を上下方向に駆動する。
 図2に戻り、一対の可動子部82a、82bは、本体部81のX軸方向の一端面と他端面にそれぞれ固定されたYZ断面が矩形枠状の筐体を有する。以下では、便宜上、これらの筐体を可動子部82a、82bと同一の符号を用いて、筐体82a、82bと表記する。
 筐体82aは、Y軸方向寸法(長さ)及びZ軸方向寸法(高さ)が、共に固定子部93aよりも幾分長いY軸方向に細長いYZ断面が矩形の中空部を有する。筐体82aの中空部内に粗動ステージWCSの固定子部93aの-X側の端部が非接触で挿入されている。筐体82aの上壁部82a及び底壁部82aの内部には、磁石ユニットMUa、MUaが、設けられている。
 可動子部82bは、可動子部82aと左右対称ではあるが同様に構成されている。筐体(可動子部)82bの中空部内に粗動ステージWCSの固定子部93bの+X側の端部が非接触で挿入されている。筐体82bの上壁部82b及び底壁部82bの内部には、磁石ユニットMUa、MUaと同様に構成された磁石ユニットMUb、MUbが、設けられている。
 上述のコイルユニットCUa、CUbは、磁石ユニットMUa、MUa及びMUb、MUbにそれぞれ対向するように固定子部93a及び93bの内部にそれぞれ収容されている。
 磁石ユニットMUa、MUa及びMUb、MUb、並びにコイルユニットCUa、CUbの構成は、例えば米国特許出願公開第2010/0073652号明細書及び米国特許出願公開第2010/0073653号明細書等に詳細に開示されている。
 本実施形態では、前述した可動子部82aが有する一対の磁石ユニットMUa、MUa及び固定子部93aが有するコイルユニットCUaと、可動子部82bが有する一対の磁石ユニットMUb、MUb及び固定子部93bが有するコイルユニットCUbと、を含んで、上記米国特許出願公開第2010/0073652号明細書及び米国特許出願公開第2010/0073653号明細書と同様に、微動ステージWFSを粗動ステージWCSに対して非接触状態で浮上支持するとともに、非接触で6自由度方向へ駆動する微動ステージ駆動系52(図4参照)が構成されている。
 なお、粗動ステージ駆動系51(図4参照)として、磁気浮上型の平面モータを用いる場合、該平面モータによって粗動ステージWCSと一体で微動ステージWFSを、Z軸、θx及びθyの各方向に微小駆動可能となるので、微動ステージ駆動系52は、X軸、Y軸及びθzの各方向、すなわちXY平面内の3自由度方向に微動ステージWFSを駆動可能な構成にしても良い。この他、例えば粗動ステージWCSの一対の側壁部92a,92bのそれぞれに、各一対の電磁石を、微動ステージWFSの八角形の斜辺部に対向して設け、各電磁石に対向して微動ステージWFSに磁性体部材を設けても良い。このようにすると、電磁石の磁力により、微動ステージWFSをXY平面内で駆動できるので、可動子部82a,82bと、固定子部93a,93bとによって一対のY軸リニアモータを構成しても良い。
 ウエハテーブルWTBの上面の中央には、不図示のピンチャックなどのウエハホルダを介してウエハWが真空吸着等によって固定されている。また、ウエハテーブルWTB上にはウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)31(図1参照)からのレーザビームを反射する移動鏡27(図2では、移動鏡27X、27Yとして図示されている)が固定され、メインフレームBDに吊り下げ状態で固定されたウエハ干渉計31により、ウエハテーブルWTBのXY平面内での位置が例えば0.25nm~1nm程度の分解能で常時検出されている。ここで、実際には、図2に示されるように、ウエハテーブルWTB上には走査方向であるY軸方向に直交する反射面を有する移動鏡27Yと非走査方向であるX軸方向に直交する反射面を有する移動鏡27Xとが設けられ、ウエハ干渉計31は走査方向に1軸、非走査方向には2軸設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡27、ウエハ干渉計31として示されている。ウエハテーブルWTBの位置情報(又は速度情報)は、主制御装置20に送られる。主制御装置20は、その位置情報(又は速度情報)に基づいて粗動ステージ駆動系51及び微動ステージ駆動系52を介してウエハテーブルWTBのXY平面内の移動を制御する。なお、ウエハテーブルWTBのXY平面内の位置情報は、ウエハ干渉計31に代えて、例えばスケール(回折格子)又はヘッドがウエハテーブルWTBに搭載されるエンコーダシステムを用いて検出されても良い。また、本実施形態では、ウエハステージWSTが、粗動ステージWCSと微動ステージWFSとを備える粗微動ステージであるものとしたが、これに限らず、6自由度方向に可動な単一ステージによってウエハステージを構成しても良い。
 搬入ユニット121は、露光前のウエハを、ウエハテーブルWTB上にロードするのに先立ってローディングポジションの上方で保持し、ウエハテーブルWTB上にロードするためのものである。また、不図示の搬出ユニットは、露光後のウエハを、ウエハテーブルWTBからアンロードするためのものである。
 搬入ユニット121は、図1に示されるように、防振装置42を介してメインフレームBDに取り付けられたチャックユニット駆動系144、及びチャックユニット153等を備えている。防振装置42は、チャックユニット駆動系144によるチャックユニット153の駆動時に生じる振動が、メインフレームBDに伝達されるのを抑制ないしは防止する、すなわちチャックユニット153をメインフレームBDから振動的に分離するためのものである。従って、メインフレームBDとは物理的に分離された別の部材にチャックユニット駆動系144、及びチャックユニット153を設けても良い。
 チャックユニット153は、図3(B)に示されるように、例えば平面視円形の所定厚さの板部材44と、該板部材44の下面に所定の配置で固定された複数のチャック部材124とを備えている。ここで、板部材44は、その内部に配管等が設けられ、その配管内に所定温度に温調された液体が流れることでウエハを所定温度に温調するためのクールプレートを兼ねていても良い。
 本実施形態では、-Z方向から見たチャックユニット153の平面図である図3(A)に示されるように、板部材44下面には、その中心点を含む中央部領域に7つのチャック部材124が配置されるとともに、外周部にこれら7つのチャック部材124を取り囲む状態で11個のチャック部材124が配置されている。板部材44下面の中心点に位置するチャック部材124を取り囲む6個のチャック部材124は、ウエハステージWSTがローディングポジションに位置した際に、上下動ピン140にほぼ対向する位置に設けられている。
 各チャック部材124は、いわゆるベルヌーイ・チャックから成る。ベルヌーイ・チャックは、周知の如く、ベルヌーイ効果を利用し、噴き出される流体(例えば空気)の流速を局所的に大きくし、対象物を吸引(非接触で保持)するチャックである。ここで、ベルヌーイ効果とは、流体の圧力は流速が増すにつれ減少するというもので、ベルヌーイ・チャックでは、吸引(保持、固定)対象物の重さ、及びチャックから噴き出される流体の流量(流速、圧力)で吸引状態(保持/浮遊状態)が決まる。すなわち、対象物の大きさが既知の場合、チャックから噴き出される流体の流量(流速)に応じて、吸引の際のチャックと保持対象物との隙間の寸法が定まる。本実施形態では、チャック部材124は、その気体流通孔(例えばノズルあるいは噴き出し口)などから気体を噴出してウエハW(図3(B)参照)の周辺に気体の流れ(気体流)を発生させてウエハWを吸引するのに用いられる。吸引の力(すなわち噴出される気体の流速等)の度合いは適宜調整可能で、ウエハWを、チャック部材124によって吸引して吸着保持することで、Z軸方向,θx及びθy方向の移動を制限することができる。
 また、複数のチャック部材124は、主制御装置20により、第1調整装置125a又は第2調整装置125b(図4参照)を介して、それぞれから噴き出される気体の流速等が制御される。これにより、各チャック部材124の吸引力(吸着力)が任意の値に設定される。本実施形態では、各チャック部材124は、第1調整装置125a又は第2調整装置125b(図4参照)を介して吸引力が、グループ毎に制御される。第1調整装置125aは、板部材44下面の中央部領域に配置された7つのチャック部材124に接続された不図示の第1の流体供給装置を有し、それら7つのチャック部材124の吸引力を調整する(チャック部材124から噴出される流体(気体、例えば空気)の流速を調整する)。また、第2調整装置125bは、板部材44下面の中央部領域を除く領域(すなわち外周部)に配置された11個のチャック部材124に接続された不図示の第2の流体供給装置を有し、それら11個のチャック部材124の吸引力を調整する。すなわち、本実施形態では、第1調整装置125a及び第2調整装置125bを含み、複数(ここでは18個)のチャック部材124に流体(気体、例えば空気)を供給する気体供給装置50が構成されている。
 図3(A)には、第1調整装置125aによって吸引力が調整されるチャック部材124と、第2調整装置125bによって吸引力が調整されるチャック部材124とが、色分けして示されている。なお、本実施形態では、複数のチャック部材において、互いに異なる状態として、異なる流速で流体(気体)の噴き付けを行うことで、各チャック部材の吸引力を調整できるようにしているが、それに限るものではない。例えば、流体(気体)の圧力を変えても良いし、流量を変えるようにしても良い。また、複数のチャック部材124は、グループ化せずにそれぞれの吸引力を個別に調整できるように構成しても良い。
 チャックユニット153は、チャックユニット駆動系144(図3(B)参照)によって、所定ストローク(後述する搬送アーム149(図5(A)参照)から搬入されたウエハWを吸引する第1位置と、吸引したウエハWをウエハテーブルWTBに載置する第2位置との間)で、Z軸方向に駆動可能となっている。チャックユニット駆動系144は、主制御装置20(図4参照)により制御される。
 図1に戻り、投影光学系PLの-Y側には、オフアクシスのアライメント検出系99が設けられている。アライメント検出系99としては、例えば、ウエハW上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子(CCD)等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系のアライメントセンサが用いられている。このアライメント検出系99の撮像結果は、主制御装置20に送られる。
 図1では不図示であるが、レチクルRの上方に、レチクルR上の一対のレチクルアライメントマークと、これに対応するウエハテーブルWTB上の不図示の基準マーク板上の一対の第1基準マークの投影光学系PLを介した像とを同時に観察するための露光波長を用いたTTR(Through The Reticle)方式の一対のレチクルアライメント検出系14(図4参照)が配置されている。この一対のレチクルアライメント検出系14の検出信号は、主制御装置20に供給されるようになっている。
 この他、露光装置100では、アライメント検出系99を挟むようにして配置された、照射系と、受光系とから成り、例えば米国特許第5,448,332号明細書などに開示されるものと同様の構成の多点焦点位置検出系54(図4参照)が設けられている。
 図4には、露光装置100の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置20の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置20は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)等を含み、露光装置100の構成各部を統括制御する。
 上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置100では、まず、主制御装置20の管理の下、レチクルローダによってレチクルロードが行われる。次に、主制御装置20により、一対のレチクルアライメント検出系14(図4参照)、ウエハステージWST上の基準マーク板(不図示)、及びアライメント検出系99(図1及び図4参照)等を用いてアライメント検出系99のベースライン計測等の準備作業が所定の手順に従って行われる。これらの準備作業の後、ウエハのロードが行われる。
 ここで、ウエハWのロードの手順について、図5(A)~図6(C)に基づいて説明する。前提として、主制御装置20によりチャックユニット駆動系144が駆動され、チャックユニット153は、ストローク範囲内の所定高さの位置(待機位置)に移動され、この位置で待機しているものとする。
 この状態で、まず、図5(A)に示されるように、チャックユニット153の下方に、主制御装置20の制御下にある、ウエハWを保持した搬送アーム149が移動する。すなわちウエハWが、搬送アーム149によってチャックユニット153の下方に搬送される。次いで、図5(A)中に白抜き矢印で示されるように、ウエハWを保持した搬送アーム149が所定量上昇する。このとき、チャックユニット153の全てのチャック部材124からそれぞれの気体流通孔を介して高圧の空気流が噴き出されている。
 そして、搬送アーム149が所定量上昇されると、図5(B)に示されるように、チャックユニット153の全てのチャック部材124によってウエハWの上面が非接触にて吸引される。次いで、主制御装置20は、搬送アーム149とウエハWとを離間させた後、搬送アーム149をウエハW下方から退避させる。これにより、ウエハWは、ローディングポジションにて所定の高さ位置(待機位置)にあるチャックユニット153に非接触で吸引された状態となる。このとき、ウエハWは、チャックユニット153による吸引により、Z軸方向,θx及びθy方向の移動が制限されて、チャックユニット153に保持された状態となっているが、ウエハWを保持するための別の部材を用意して、チャックユニット153はウエハWに吸引力のみ(吸引による保持まではできないような力)を与えるようにしても良い。
 この状態で、主制御装置20は、粗動ステージ駆動系51(図4参照)を介してウエハステージWSTを、チャックユニット153に保持されたウエハWの下方まで駆動する。図5(B)には、このウエハステージWSTの移動後の状態におけるウエハテーブルWTBが示されている。
 次に、主制御装置20は、図5(C)に示されるように、ウエハステージWST(図3(B)参照)上の3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)を、駆動装置142を介して上方に駆動する。そして、3本の上下動ピン140がチャックユニット153に吸引されたウエハWの下面に当接すると、主制御装置20は、ウエハ支持部150の上昇を停止する。ここで、待機位置にあるチャックユニット153に吸引されたウエハWのZ位置は、ある程度正確にわかる。従って、主制御装置20は、変位センサ145の計測結果に基づいて、ウエハ支持部150を基準位置から所定量駆動することで、3本の上下動ピン140をチャックユニット153に吸引されたウエハWの下面に当接させることができる。しかし、これに限らず、ウエハ支持部150(3本の上下動ピン140)の上限移動位置で、3本の上下動ピン140がチャックユニット153に吸引されたウエハWの下面に当接するように、予め、設定しておいても良い。
 その後、主制御装置20は、不図示のバキュームポンプを作動し、3本の上下動ピン140によるウエハW下面に対する真空吸着を開始する。なお、チャック部材124によるウエハWの吸引(保持)は、この状態でも続行されている。チャック部材124による吸引と、上下動ピン140の下方からの支持による摩擦力によりウエハWは、6自由度方向の移動が制限されている。
 ウエハWが3本の上下動ピン140に支持(吸着保持)されると、図5(D)に示されるように、主制御装置20は、第1調整装置125a(図4参照)を介して、中央部領域の7つのチャック部材124からの高圧空気流の流出を停止して、7つのチャック部材124によるウエハWの吸引を解除する。これは、図5(C)に示されるように、ウエハWに対する下方からの3本の上下動ピン140による吸着保持(支持)と、上方からのチャックユニット153による吸引とが行われると、ウエハWは部分的に過拘束となる可能性がある。この過拘束の状態で、次に説明するように、ウエハWのウエハテーブルWTB上へのロードのための、チャックユニット153とウエハ支持部150(3本の上下動ピン140)との下方への同期駆動が行われると、両者の同期がずれた場合に、ウエハWに歪みが発生するおそれがある。そのため、かかる事態の発生を回避するため、7つのチャック部材124によるウエハWの吸引を解除することとしたものである。
 次に、主制御装置20は、図6(A)に示されるように、チャックユニット駆動系144及び駆動装置142を介して、チャックユニット153と3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)とを同期して下方に駆動する。これにより、ウエハWに対するチャックユニット153(チャック部材124)による吸引(保持)状態と3本の上下動ピン140による支持状態とを維持して、チャックユニット153と3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)とが同期して下方に駆動される。このチャックユニット153と3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)との駆動は、ウエハWの下面(裏面)がウエハテーブルWTBの平面状のウエハ載置面48に当接するまで行われる(図6(B)参照)。ここで、ウエハ載置面48は、実際には、ウエハテーブルWTB上に設けられたピンチャックが備える多数のピンの上端面によって形成される仮想的な平坦な面(領域)であるが、図3(B)等では、ウエハテーブルWTBの上面がそのウエハ載置面48であるものとしている。
 そして、図6(B)に示されるように、ウエハWの下面がウエハテーブルWTB上面(ウエハ載置面48)に当接すると、主制御装置20は、第2調整装置125bを介して外周部の11個のチャック部材124からの高圧空気流の流出を停止して、全てのチャック部材124によるウエハWの吸引を解除した後、ウエハテーブルWTB上の不図示のウエハホルダによるウエハWの吸着を開始する。次いで、主制御装置20は、図6(C)に示されるように、チャックユニット駆動系144を介してチャックユニット153を、前述の待機位置まで上昇させる。これにより、ウエハWのウエハテーブルWTB上へのロード(搬入)が終了する。また、ウエハWの下面がウエハテーブルWTB上面(ウエハ載置面48)に当接する前に、前記ウエハホルダによるウエハWの吸着(吸引)を開始しても良い。その場合は、ウエハWの下面がウエハテーブルWTB上面(ウエハ載置面48)に当接する前に、全ての或いは一部のチャック部材124によるウエハWの吸引を解除しておいても良い。
 上述のウエハWのロード後、主制御装置20により、アライメント検出系99を用いてEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)等のアライメント計測(ウエハアライメント)が実行される。
 アライメント計測の終了後、以下のようにしてステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われる。露光動作にあたって、まず、ウエハWのXY位置が、ウエハW上の最初のショット領域(ファースト・ショット)の露光のための走査開始位置(加速開始位置)となるように、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)が移動される。同時に、レチクルRのXY位置が、走査開始位置となるように、レチクルステージRSTが移動される。そして、主制御装置20が、レチクル干渉計13によって計測されたレチクルRの位置情報、ウエハ干渉計31によって計測されたウエハWの位置情報に基づき、レチクルステージ駆動系11、及び粗動ステージ駆動系51及び微動ステージ駆動系52を介してレチクルRとウエハWとを同期移動させることにより、走査露光が行われる。走査露光中、主制御装置20により、多点焦点位置検出系54の計測結果に基づいて、微動ステージWFSを、Z軸、θx及びθyの各方向に微小駆動して、ウエハWの照明光ILの照射領域(露光領域)部分を投影光学系PLの像面の焦点深度の範囲内に合致させるフォーカス・レベリング制御が行われる。
 このようにして、1つのショット領域に対するレチクルパターンの転写が終了すると、ウエハテーブルWTBが1ショット領域分ステッピングされ、次のショット領域に対する走査露光が行われる。このようにして、ステッピングと走査露光とが順次繰り返され、ウエハW上に所定数のショット領域にレチクルRのパターンが重ね合わせて転写される。
 以上説明したように、本実施形態に係る露光装置100によると、主制御装置20は、チャックユニット153及び3本の上下動ピン140を介してウエハWをウエハテーブルWTB上にロードする際に、最初、チャックユニット153の全てのチャック部材124によりウエハWの上面に同時に吸引力を作用させることでウエハWの平坦度を確保し、その平坦度を維持した状態で、3本の上下動ピン140によって下方からそのウエハWが支持(吸着保持)される段階で、ウエハW上面の中央部領域を吸引する7つのチャック部材124による吸引力を零にする。これにより、ウエハWは、チャックユニット153と上下動ピン140との上下方向両側面から力を受ける過拘束が防止される。その後、ウエハWに対するチャックユニット153(チャック部材124)による吸引状態と3本の上下動ピン140による支持状態とを維持して、チャックユニット153と上下動ピン140とが同期して下方に駆動されることで、ウエハWの裏面の全面がほぼ同時に又は裏面の中央部から外周部の順にウエハ載置面48に接触し、ウエハWを、歪みがない状態(平坦度が高い状態)でウエハテーブルWTB上にロードすることが可能になる。
 また、本実施形態に係る露光装置100によると、ウエハテーブルWTB上に平坦度が高い状態でロードされたウエハWに対して、ステッピング・アンド・スキャン方式で露光が行われるので、ウエハW上の複数のショット領域のそれぞれに対するデフォーカスのない露光が可能となり、複数のショット領域に対してレチクルRのパターンを良好に転写することができる。
 なお、上記実施形態では、複数(例えば18個)のチャック部材124の吸引力が、第1調整装置125a又は第2調整装置125b(図4参照)を介して、板部材44下面の中央部領域に配置された7つの第1グループと外周部に配置された11個の第2グループとで、グループ毎に制御されるものとした。しかし、これに限らず、複数(例えば18個)のチャック部材124の吸引力を個別にかつ任意に設定可能な構成を採用しても良い。この場合、ウエハWに対する複数のチャック部材124の吸引力を、それぞれのチャック部材124の位置に応じた最適な値(ウエハWに対して過拘束による歪みが生じない値であって、かつウエハWの所望のレベルの平坦度を確保できる値)となるように、事前に流体解析又は試験等により複数のチャック部材124それぞれの吸引力(すなわち、チャック部材124から噴出される流体の流速等)及び配置の設計値を、求めておいても良い。
 また、上記実施形態では、チャックユニット153の板部材44の下面のほぼ全面にチャック部材124が配置された場合について説明したが、これに限らず、例えば図7に示されるように、上記実施形態において、第2調整装置125bによって吸引力が調整される板部材44の下面の外周部に配置されるチャック部材124のみを設けても良い。勿論、この場合には、第1調整装置125aは、不要である。かかる構成は、板部材44の下面の外周部に配置されたチャック部材124のみによって、ウエハWの所望のレベルの平坦度を確保できることが明らかな場合には、好適である。図7に示される構成の場合、チャックユニット153と上下動ピン140とが同期して下方に駆動される限り、ウエハWの裏面の周辺部が中央部より先にウエハ載置面48に接触する可能性は殆どない。あるいは、チャック部材124と3本の上下動ピン140とによって、ウエハWが所望のレベルの平坦度を確保できるようにしても良い。この場合、例えば、ウエハの平坦度をモニタしながら、チャックユニット駆動系144および駆動装置142の駆動速度を調整することで、ウエハWを所望のレベルの平坦度にすることが可能である。
 また、上記実施形態では、3本の上下動ピン140によって、ウエハWが下方から支持された段階で、板部材44の下面の中央部領域に配置された7つのチャック部材124の吸引力を、第1調整装置125aを介して全て零にするものとしたが、これに限らず、7つのチャック部材124の吸引力を弱める(小さくする)ようにしても良いし、あるいは、7つのチャック部材124のうちの一部のチャック部材124の吸引力を弱める(又は零にする)ようにしても良い。
 なお、上記実施形態において、第1調整装置125aは、複数(7つ)のチャック部材124の吸引力を個別にあるいは、予め定めたグループ毎に調整可能に構成されていても良い。同様に、第2調整装置125bは、複数(11個)のチャック部材124の吸引力を個別にあるいは、予め定めたグループ毎に調整可能に構成されていても良い。
 なお、上記実施形態に係る露光装置100において、チャックユニット153の板部材44がクールプレートを兼ねる場合、ウエハステージWST上のウエハWに対する露光が行われている間に、次の露光対象のウエハをローディング位置上方の所定高さの待機位置でチャックユニット153が吸引した状態で待機していても良い。この場合、待機中もそのウエハWは、所定温度に温調されることができる。
 ところで、上記実施形態係る露光装置100では、ウエハテーブルWTB上へのウエハWのロードに際し、ウエハWに対するチャックユニット153(チャック部材124)による吸引状態と3本の上下動ピン140による支持状態とを維持して、チャックユニット153と3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)とが同期して下方に駆動される(図6(A)及び図6(B)参照)。このとき、チャックユニット153と3本の上下動ピン140(ウエハ支持部150)との駆動に際しての同期がずれ、後者が前者より先に下方に駆動されると、ウエハWの下面の中央部3本の上下動ピン140で吸着された領域に、駆動装置142による-Z方向の駆動力が作用して、ウエハWの中央部が下凸形状に変形(撓む)おそれがある。この場合、中央部領域に配置された7つのチャック部材の吸引力を零にしないで所定の値に設定し、その吸引力を、上記-Z方向の駆動力に対向する上向きの力として、ウエハWに与えることも考えられるが、このようにすると、ウエハWが過拘束の状態になることは、前述したとおりである。
《上下動ピンの第1の変形例》
 そこで、上述のウエハWの中央部の下凸形状の変形を抑制するため、例えば、前述した3本の上下動ピン140のそれぞれに代えて、例えば、図8に断面図にて示されるような構成の、第1の変形例に係る上下動ピン240を、台座部材141の上面に設けても良い。
 上下動ピン240は、図8に示されるように、台座部材141の上面に固定された軸部材70と、該軸部材70に対して上下方向にスライド可能に取り付けられ、台座部材141に対する対向面に所定深さの凹部65が形成された吊下げ部材60と、を備えている。
 吊下げ部材60は、図8に示されるように、支持部62、スライド部64及びストッパ部66を備えている。
 支持部62は、下端部が他の部分に比べ幾分太い段付き棒状部材から成る。スライド部64は、支持部62の下端部と平面視で重なる同形状の断面を有する筒状(柱状)の部材から成る。スライド部64は、下端面に所定深さの例えば断面円形の凹部が形成されている。スライド部64の上面に支持部62の下端面が固定されて、スライド部64と支持部62とが一体化されている。両者の一体化は、例えばボルト止め、あるいは接着などにより行われる。
 支持部62及びスライド部64には、支持部62の上端面に形成された排気口41から支持部62の内部を通り、さらにスライド部64の内部を通って、スライド部64の外周面に開口する排気管路68が、設けられている。排気管路68の排気口41とは反対側の開口に、不図示のバキュームポンプにその一端が接続された真空配管の他端が接続されている。
 ストッパ部66は、スライド部64の外周面とほぼ面一の外周面を有し、スライド部64の内周面より幾分内側に突出した内周面を有する環状の部材から成り、その上面の内周側には、段部67が形成されている。ストッパ部66は、スライド部64の下端面に固定されて、ストッパ部66とスライド部64とが一体化されている。両者の一体化は、例えばボルト止め、あるいは接着などにより行われる。なお、吊下げ部材60は、支持部62、スライド部64、ストッパ部66を、別部材にて形成し、これらを一体化しても良いが、少なくとも2つの部分を一体成形しても良い。
 軸部材70は、下端部の一部が他の部分より小径な段付きの円柱状部材から成る。軸部材70の大径部の外径は、スライド部64の凹部の内径より僅かに、例えば数μm~数十μm程度小さい。また、軸部材70の小径部の外径は、ストッパ部66の内径より数mm程度小さい。軸部材70の高さ方向の寸法は、吊下げ部材60が、台座部材141に当接した状態で、その上端面が、スライド部64の凹部の底面にほぼ接触する寸法となっている。
 軸部材70の底面(下面)には、中央部に所定深さの断面円形の空間72が形成されている。軸部材70には、空間72から外周面に連通する不図示の貫通孔が、軸部材の異なる高さ位置に、放射状の配置で複数形成されている。空間72には、不図示の気体供給管路、及び気体供給管を介して、不図示の気体供給装置(例えばコンプレッサ)が接続されている。
 不図示の気体供給装置による空間72内への気体(例えば圧縮空気)の供給量等は、主制御装置20によって制御される。ここで、空間72内に圧縮空気が供給されると、その圧縮空気は、軸部材70の側壁に形成された不図示の複数の貫通孔を介して軸部材70の外周面とスライド部64の内周面との間に噴出される。すなわち、軸部材70とスライド部64との間に空気静圧軸受(エアベアリング)76が形成されている。なお、以下では、軸部材70の外周面(スライド部64の内周面)を、エアベアリング76と同一の符号を用いて、ガイド面76と称する。
 軸部材70の大径部と小径部との境目の部分には、図8に示されるように、段部74が形成されている。この段部74に、ストッパ部66の段部67が対向して配置されている。段部74と段部67との対向面相互間には、所定の隙間(ギャップ)が存在する。この隙間の寸法に応じたストロークで、吊下げ部材60は、軸部材70に対してガイド面76に沿って、駆動可能である。吊下げ部材60の上下方向のストロークは、ストッパ部66によって制限されている。一方、吊下げ部材60の水平面内の移動は軸部材70によって制限(拘束)されている。なお、ストッパ部66は、吊下げ部材60の上下方向のストロークを制限できれば良いので、必ずしも環状である必要はない。
 上述した構成の上下動ピン240が3本、台座部材141の上面に設けられたウエハ支持部を有するウエハステージWSTを備える露光装置では、上記実施形態と同様の手順で、ウエハWのウエハテーブルWTB上へのロードが行われる。
 この際に、図5(C)及び図5(D)に対応する、チャックユニット153(チャック部材124)により非接触で吸引されたウエハWを3本の上下動ピン240により下方から支持した直後の状態では、上下動ピン240の吊下げ部材60は、図8に示されるように、ストローク範囲内の最下端位置(移動下限位置)に位置している。
 次いで、ウエハWは、チャックユニット153(チャック部材124)に対して所定ギャップを維持したまま、チャックユニット153及び上下動ピン240とともに下降される。このとき、チャックユニット153と上下動ピン240との駆動応答性の差から、上下動ピン240が、チャックユニット153より先に下方に駆動を開始されることがある。この場合、駆動の開始直後は、吊下げ部材60の位置が維持されたままの状態で、軸部材70は、ガイド面76に沿ってスライド部64に対して下方に所定のストロークの範囲内で駆動される。そして、軸部材70の段部74が、ストッパ部66の段部67に当たると、吊下げ部材60も軸部材70とともに、駆動装置142によって下方に駆動されることとなる。従って、軸部材70の段部74が、ストッパ部66の段部67に当たるまでの間に、3本の上下動ピン240に同期したチャックユニット153の下方への移動が開始されれば、前述した駆動装置142による-Z方向の駆動力の作用による、ウエハWの中央部の下凸形状の変形(撓み)の発生を抑制することができる。
 一方、チャックユニット153の応答性が、上下動ピン240の応答性より優れ、同期駆動に際してチャックユニット153が先に、下方に移動を開始する場合には、チャックユニット153(チャック部材124)により非接触で吸引されたウエハWを3本の上下動ピン240により下方から支持した直後に、チャックユニット153の下方への移動が開始されるに先立って、軸部材70を、段部74がストッパ部66の段部67に当たる移動下限位置に位置させる。これにより、ウエハWの中央部の上凸形状の変形(撓み)の発生を抑制することが可能になる。
 ところで、上述の第1の変形例に係る上下動ピン240が3本、台座部材141の上面に設けられたウエハ支持部を有するウエハステージWSTを備える露光装置では、上述したチャックユニット153と上下動ピン240との応答性の差に起因するウエハWの中央部の下凸形状(又は上凸形状)の変形を抑制できる。しかし、吊下げ部材60の自重は、ウエハWに対して、下向きの力として作用する。そこで、上下動ピン140又は240に代えて、次の第2の変形例に係る上下動ピン340を、用いても良い。
《上下動ピンの第2の変形例》
 第2の変形例に係る上下動ピン340は、図9に示されるように、基本的には、前述の上下動ピン240と同様に構成されているが、以下の点が相違する。すなわち、図9に示されるように、上下動ピン340は、内部に気室71及び排気孔75が形成されている点が上下動ピン240と異なり、他の構成及びその機能は、第1の変形例におけるそれらと同じであるため、説明を省略する。
 図9に示されるように、気室71は、上下動ピン340内部(より正確には、スライド部64と軸部材70との間)に形成されている。気室71は、下方に形成された通気路77を介して空間72と連通している。そのため、不図示の気体供給装置を介して空間72内に供給された圧縮空気の一部は、通気路77を通って気室71内に流入する。すなわち、気室71は、上下動ピン340が配置された空間に比べて高い圧力(陽圧)となっており、吊下げ部材60に対して上向きの力が加えられている。ここで、気室71に流入された圧縮空気による上向きの力が、吊下げ部材60の自重による鉛直方向下向きの力と釣り合うように、気体供給装置を制御することで、吊下げ部材60の自重が、ウエハWに対して、下向きの力として作用するのを防止することができる。
 排気孔75は、スライド部64の側面(図9では、-X側の側面)の上端部近傍に形成された開口から成り、通気路73を介して気室71と連通されている。すなわち、気室71内に流入された圧縮空気の一部は、常に排気孔75から排出されている。
 以上説明したように、上述した構成の上下動ピン340が3本、台座部材141の上面に設けられたウエハ支持部を有するウエハステージWSTを備える露光装置では、上述した3本の上下動ピン240を備える露光装置と同等の効果を得られる他、吊下げ部材60には、気室71内を陽圧にすることで自重と等しい上向きの力が加えられるので、吊下げ部材60がウエハW下面に吊下げられた際に、吊下げ部材60の自重によりウエハWに変形が生じることを防ぐことができる。すなわち、よりウエハWの平坦度が高い状態で、ウエハWはウエハテーブルWTB上に載置される。
 また、気室71に連通する排気孔75が形成されているので、ウエハテーブルWTBに吸着保持されたウエハWを、上下動ピン340によって下方から押し上げて、ウエハテーブルWTBから引き離す際等に、空気の粘性抵抗によって上下動ピン340がダンパの役割を果たすので、ウエハWが振動する(跳ねる)ことを防ぐことができる。
 この他、上下動ピン140に代えて、次の第3の変形例に係る上下動ピン440を、用いても良い。
《上下動ピンの第3の変形例》
 図10に示されるように、上下動ピン440は、台座部材141の上面に固定された筐体86と、筐体86内に一部が収容された軸部材84とを備えている。
 筐体86は、下端面が開口し内部に空間85が形成された有底の円筒状部材から成る。また、筐体86の上壁(底部)には、筐体86の内径よりも小さい直径の断面円形の貫通孔87が上下方向に形成されている。筐体86の上壁の貫通孔87の内周面部には、平面視で円周方向に等間隔で、Z軸方向に延びる不図示の溝が形成されている。以下では、便宜上、この溝を貫通孔87と同一の符号を用いて、溝87と表記する。
 軸部材84は、筐体86の上壁部に形成された貫通孔87の直径より僅かに直径の小さい円柱状の部材から成り、下端部に外側に張り出した鍔部88が設けられている。鍔部88は、貫通孔87の内径よりも大きい外径を有する。軸部材84は、筐体86の貫通孔87内に下方から挿入され、所定のストロークの範囲内で筐体86に対してZ軸方向にのみ移動が許容されている。軸部材84は、上端部の外周に不図示の鍔部又はナット等が設けられ(又は接続され)筐体86内への落下が防止されている。なお、軸部材84は、上端部の外周に設けられた不図示の鍔部又はナット等に替え、長軸(Z軸)方向の長さを筐体86に対して長くすることで、軸部材84がストローク最下端に位置した際に、軸部材84の上面が筐体86の上面よりも上方に位置するようにしても良い。
 また、軸部材84には、中央部にZ軸方向に延びる例えば断面円形の貫通孔83が形成されている。貫通孔83は、一端(-Z端)に、不図示の配管を介して不図示のバキュームポンプが接続されている。
 上述した構成の上下動ピン440が3本、台座部材141の上面に設けられたウエハ支持部を有するウエハステージWSTを備える露光装置では、上記実施形態と同様の手順で、ウエハWのウエハテーブルWTB上へのロードが行われる。
 この際に、図5(C)及び図5(D)に対応する、チャックユニット153(チャック部材124)により非接触で吸引されたウエハWを3本の上下動ピン440により下方から支持した直後の状態では、上下動ピン440の軸部材84は、ストローク範囲内の最下端の位置(又はその底面が台座部材141の上面に接した位置)に位置している。
 次いで、ウエハWは、チャックユニット153(チャック部材124)に対して所定ギャップを維持したまま、チャックユニット153及び上下動ピン440とともに下降される。このとき、チャックユニット153と上下動ピン440との駆動応答性の差から、上下動ピン440が、チャックユニット153より先に下方に駆動を開始されることがある。この場合、駆動の開始直後は、軸部材84の位置が維持されたままの状態で、筐体86が下方に所定ストロークの範囲内で駆動される。この際、溝87に空気の流れが生じ、軸部材84と筐体86との間では、摩擦が殆どない状態で筐体86が駆動される(すなわち、軸部材84と筐体86との間に、動圧軸受が構成されている)。そして、鍔部88の上面が、筐体86の上壁に当たると、軸部材84も筐体86とともに、駆動装置142によって下方に駆動されることとなる。従って、鍔部88の上面が、筐体86の上壁に当たるまでの間に、3本の上下動ピン440に同期したチャックユニット153の下方への移動が開始されれば、前述した駆動装置142による-Z方向の駆動力の作用による、ウエハWの中央部の下凸形状の変形(撓み)の発生を抑制することができる。
 以上説明したように、上述した構成の上下動ピン440が3本、台座部材141の上面に設けられたウエハ支持部を有するウエハステージWSTを備える露光装置では、上述した3本の上下動ピン240を備える露光装置と同等の効果を得られる他、上下動ピン440の構成が簡素化されるので、装置全体として軽量化することができる。また、気体供給装置及び配管部材の一部を除くことができるのでレイアウトが容易になると同時に、組立作業性が向上する。
 なお、第3の変形例に係る上下動ピン440では、筐体86の上壁の貫通孔87の内周面に複数の溝を設けることで動圧軸受を構成していたが、これに限らず、例えば軸部材84の外周面に等間隔で軸方向の溝を形成することで動圧軸受を構成しても良い。また、軸部材84と筐体86とは、摩擦係数の小さい部材同士を用いて、すべり軸受としても良い。
 また、上記実施形態及び各変形例(以下、上記実施形態等と称する)では、チャックユニット153の形状は平面視円形としたが、これに限らず、ウエハWを上方から非接触で吸引することができれば良いので、例えば矩形等でも良い。
 また、上記実施形態等では、3本の上下動ピン140(240,340,440)それぞれは、一体的に上下動されることとしたが、これに限らず、それぞれが独立して上下動されるようにしても良い。例えば、センター支持部材150を、3本の上下動ピンが互いに独立に上下動できるように構成し、ウエハの平坦度をモニタした結果に基づいて、それら3本の上下動ピンを個別に上下動させることでウエハWの平坦度が所望の範囲内に収まるようにしても良い。なお、上下動ピンの数は3本に限らす、それ以下またはそれ以上としても良い。
 また、上記実施形態等では、一例として液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第99/49504号、欧州特許出願公開第1,420,298号明細書、国際公開第2004/055803号、米国特許第6,952,253号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。また、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される、液浸露光装置などにも、上記実施形態等を適用することができる。
 また、上記実施形態等では、露光装置が、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも上記実施形態は適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態等は適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材(例えば、基準マーク、及び/又はセンサなど)を含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態等は適用が可能である。
 また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
 また、上記実施形態等に係る露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ(出力波長248nm)、F2レーザ(出力波長157nm)、Ar2レーザ(出力波長126nm)、Kr2レーザ(出力波長146nm)などのパルスレーザ光源、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
 また、上記実施形態等では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟X線領域(例えば5~15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を用いるEUV露光装置に上記実施形態を適用することができる。その他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記実施形態を適用できる。
 さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態等を適用することができる。
 また、上記実施形態等でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)は、ウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
 露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態等を適用できる。
 半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、上記実施形態等の露光装置(パターン形成装置)及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態等の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
 なお、これまでの説明で引用した露光装置などに関する全ての公報、国際公開、米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。

Claims (43)

  1.  板状の物体に対して非接触で吸引力を作用させる吸引装置であって、
     ベース部材と、
     前記ベース部材に設けられて、それぞれ前記物体周辺に気体の流れを発生させて該物体を吸引する力を生じさせる複数の吸引部材と、を備え、
     前記複数の吸引部材は、互いに異なる状態で前記気体の流れを発生させる吸引装置。
  2.  前記互いに異なる状態は、前記複数の吸引部材が発生する前記物体を吸引する力の大きさが異なる状態である請求項1に記載の吸引装置。
  3.  前記互いに異なる状態は、前記複数の吸引部材が発生させる前記気体の流れの速度が互いに異なる状態である請求項1に記載の吸引装置。
  4.  前記複数の吸引部材に気体を供給する気体供給装置と、
     前記気体供給装置を制御する制御装置と、をさらに備え、
     前記制御装置は、前記複数の吸引部材に供給される気体の状態をそれぞれ制御可能である請求項1~3のいずれか一項に記載の吸引装置。
  5.  前記複数の吸引部材に気体を供給する気体供給装置をさらに備え、
     前記気体供給装置は、前記複数の吸引部材をグループ化して、該グループ毎に気体を制御可能である請求項1~3のいずれか一項に記載の吸引装置。
  6.  前記気体供給装置を制御する制御装置をさらに備え、
     前記複数の吸引部材は、前記ベース部材の外周側に配置される複数の吸引部材を含む第1のグループと、前記ベース部材の中央側に配置される吸引部材を含む第2のグループとでグループ化されている請求項5に記載の吸引装置。
  7.  前記制御装置は、前記第2のグループに含まれる前記吸引部材が発生する吸引力を、前記第1のグループに含まれる前記吸引部材が発生する吸引力よりも弱くする請求項6に記載の吸引装置。
  8.  板状の物体に対して非接触で吸引力を作用させる吸引装置であって、
     ベース部材と、
     前記ベース部材に設けられて、それぞれ前記物体周辺にそれぞれ気体の流れを発生させる複数の気体流通孔と、
     前記物体を変形させる調整装置と、を備え、
     前記複数の気体流通孔を介した前記気体の流れにより前記物体を保持しつつ、前記調整装置により前記物体を変形させる吸引装置。
  9.  前記調整装置は、前記複数の気体流通孔を介して噴出される気体を供給する気体供給装置と、前記気体供給装置を制御する制御装置と、を含み、
     前記制御装置は、前記複数の気体流通孔を介して噴出される気体の状態をそれぞれ制御可能である請求項8に記載の吸引装置。
  10.  前記制御装置は、前記複数の気体流通孔を介した気体の流れにより生じる前記物体に対する吸引力が、それぞれの気体流通孔の前記ベース部材上での位置に応じた最適な値となるように設定する請求項8に記載の吸引装置。
  11.  前記調整装置は、前記複数の気体流通孔を介して噴出される気体を供給する気体供給装置を含み、
     前記複数の気体流通孔はグループ化され、前記気体供給装置は、前記グループ毎に前記気体流通孔を介して噴出される気体を制御可能である請求項8に記載の吸引装置。
  12.  前記複数の気体流通孔は、前記ベース部材の外周側に配置される複数の気体流通孔を含む第1のグループと、前記ベース部材の中央側に配置される気体流通孔を含む第2のグループとでグループ化されている請求項11に記載の吸引装置。
  13.  前記調整装置は、前記気体供給装置を制御する制御装置をさらに含み、
     前記制御装置は、前記第2のグループに含まれる前記気体流通孔を介した気体の流れにより生じる前記物体に対する吸引力を、前記第1のグループに含まれる前記気体流通孔を介した気体の流れにより生じる前記物体に対する吸引力よりも弱くする請求項12に記載の吸引装置。
  14.  板状の物体を、上面に物体載置面が設けられた保持部材に搬入する搬入方法であって、
     前記物体を、所定の搬入位置にある前記保持部材の前記物体載置面の上方に搬送することと、
     吸引部材により前記物体の一面を上方から非接触で吸引することと、
     前記保持部材に設けられた上下動可能な支持部により、前記吸引部材により吸引された前記物体の前記一面とは反対側の他面の中央部領域の一部を下方から支持するとともに、前記支持部による支持点を含む前記中央部領域に対応する前記物体の前記一面の領域に対する前記吸引部材による吸引力を弱めることと、
     前記物体に対する前記吸引部材による吸引状態と前記支持部による支持状態を維持した状態で、前記吸引部材と前記支持部とを、前記物体載置面に向けて下方に駆動することと、を含む搬入方法。
  15.  前記吸引部材による吸引力を弱めることは、前記物体上面の前記中央部領域内の少なくとも一部で吸引力を零にすることを含む請求項14に記載の搬入方法。
  16.  前記吸引部材と前記支持部とは、前記物体の前記他面が前記物体載置面に当接するまで下方に駆動される請求項14又は15に記載の搬入方法。
  17.  前記吸引部材及び前記支持部材の駆動速度が調整されることにより、前記物体が所望のレベルの平坦度となるように変形される請求項16に記載の搬入方法。
  18.  板状の物体を搬送する搬送システムであって、
     上面に物体載置面が設けられた保持部材と、
     所定の搬入位置において前記保持部材の上方に設けられ、前記物体の一面のうち、外周部の領域を少なくとも含む領域の複数箇所を上方から非接触で吸引可能で、上下動可能な吸引部材と、
     前記保持部材に設けられ、上下動可能で、前記物体の前記一面とは反対側の他面の前記中央部領域の一部を下方から支持可能な支持部と、
     前記物体に対する前記吸引部材による吸引状態と前記支持部による支持状態を維持した状態で、前記吸引部材と前記支持部とを、前記物体の前記他面が前記保持部材の前記物体載置面に向かうように下降させる駆動装置と、を備える搬送システム。
  19.  前記物体は、前記保持部材が前記搬入位置に位置したとき、前記吸引部材によって前記物体載置面に平行になるように吸引されている請求項18に記載の搬送システム。
  20.  前記吸引部材は、前記中央部領域を含む前記物体の一面の全域の複数箇所を、上方から非接触で吸引可能である請求項18又は19に記載の搬送システム。
  21.  前記吸引部材は、前記物体の一面の前記中央部領域の複数箇所では、前記物体に対する吸引力を個別に又は予め定められた複数箇所毎に変更可能である請求項20に記載の搬送システム。
  22.  前記吸引部材は、さらに前記物体の一面の前記外周部の領域の複数箇所で、前記物体に対する吸引力を個別に又は予め定められた複数箇所毎に変更可能である請求項21に記載の搬送システム。
  23.  前記吸引部材は、前記物体が前記支持部により下方から支持されると、前記物体の一面の前記中央部領域の前記複数箇所で、前記外周部の領域の前記複数箇所より前記吸引力が小さく設定される請求項20~22のいずれか一項に記載の搬送システム。
  24.  前記吸引力が小さく設定されることは、前記吸引力が零に設定されることを含む請求項23に記載の搬送システム。
  25.  前記吸引部材は、前記物体の前記一面の複数箇所を個別に非接触で吸引する複数のチャック部材を有する請求項18~24のいずれか一項に記載の搬送システム。
  26.  前記複数のチャック部材は、前記中央部領域よりも外周側に位置するように設けられている請求項25に記載の搬送システム。
  27.  前記チャック部材は、ベルヌーイ効果を利用して前記物体を非接触で吸引するベルヌーイ・チャックである請求項26に記載の搬送システム。
  28.  前記駆動装置は、前記吸引部材と前記支持部とを、前記物体の前記他面が前記物体載置面に当接するまで下方に駆動する請求項18~27のいずれか一項に記載の搬送システム。
  29.  前記駆動装置は、前記吸引部材及び前記支持部材の駆動速度を調整することにより、前記物体を所望のレベルの平坦度になるように変形させる請求項28に記載の搬送システム。
  30.  前記支持部は、前記物体の前記他面を吸引可能である請求項18~29のいずれか一項に記載の搬送システム。
  31.  前記支持部は、上下動可能なベース部材と、該ベース部材の上に、前記所定面内における移動が制限され、前記所定面に直交する上下方向の所定範囲の移動が許容された状態で搭載された複数本の支持ピンとを含み、該複数本の支持ピンは、前記物体の前記他面を吸引可能である請求項30に記載の搬送システム。
  32.  前記複数本の支持ピンは、それぞれ前記ベース部材の上面に設けられた凸部に対して前記上下方向にスライド可能に取り付けられ、前記ベース部材に対する対向面に所定深さの凹部が形成された部材から成り、
     前記複数本の支持ピンそれぞれの前記凹部と前記凸部との間に気体軸受が設けられている請求項31に記載の搬送システム。
  33.  前記支持部は、前記複数本の支持ピンそれぞれの自重を支持する自重支持装置をさらに含む請求項32に記載の搬送システム。
  34.  前記自重支持装置は、前記複数本の支持ピンそれぞれと対応する前記凸部との間に設けられた陽圧の空気室を含む請求項33に記載の搬送システム。
  35.  前記自重支持装置は、前記空気室と前記支持ピンの外部とを連通する排気通路をさらに含む請求項34に記載の搬送システム。
  36.  前記気体軸受は、静圧軸受である請求項32~35のいずれか一項に記載の搬送システム。
  37.  前記複数本の支持ピンは互いに独立に前記ベース部材に対して上下動可能であり、
     前記複数本の支持ピンは、前記物体を平坦度が所望の範囲に収まるように変形させるため、個別に上下動される請求項32~36のいずれか一項に記載の搬送システム。
  38.  前記支持ピンの数は、3本である請求項31~37のいずれか一項に記載の搬送システム。
  39.  前記吸引部材により吸引されるのに先だって、前記保持部材の上方の前記吸引部材の下方に、前記物体を搬送する搬送部材をさらに備える請求項18~38のいずれか一項に記載の搬送システム。
  40.  物体上にパターンを形成する露光装置であって、
     請求項1~13のいずれか一項に記載の吸引装置と、
     前記吸引装置に吸引され、前記保持部材上に搬入された前記物体をエネルギビームで露光して、前記パターンを形成するパターン生成装置と、を備える露光装置。
  41.  物体上にパターンを形成する露光装置であって、
     請求項18~39のいずれか一項に記載の搬送システムと、
     前記搬送システムにより前記保持部材上に搬入された前記物体をエネルギビームで露光して、前記パターンを形成するパターン生成装置と、を備える露光装置。
  42.  前記パターン生成装置は、前記エネルギビームを前記物体に向けて射出する光学系を含み、
     前記光学系を保持するフレームをさらに備え、
     前記吸引部材は、前記フレームとは振動的に分離されている請求項40又は41に記載の露光装置。
  43.  請求項40~42に記載の露光装置を用いて物体を露光することと、
     露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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