TWI451521B - 基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理設備及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法,更具體地說,係關於利用等離子在基板上蒸鍍薄膜的基板處理裝置及基板處理方法。
太陽能電池(Solar Cell)是利用半導體的特性將光能轉化成電能的裝置。這樣的太陽能電池根據其種類可分為單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、薄膜太陽能電池(thin-film solar cells)等。
薄膜系太陽能電池是在玻璃或者塑膠材質的透明基板上蒸鍍p膜、i膜、n膜而製造,晶矽系太陽能電池是在矽基板上蒸鍍防反射膜而製造,這些膜可通過利用等離子的化學氣相蒸鍍(PECVD)工序而蒸鍍在基板上。
本發明的實施例是提供一種在多個單元之間有效地移送基板的基板處理裝置。
另外,本發明的實施例是提供一種能夠有效地進行維護的基板處理裝置。
另外,本發明的實施例是提供一種基板在各單元內部被移送及搬運並進行工藝的基板處理裝置。
本發明的目的並不限定於此,未提及的其他目的通過下面的記載可使技術人員更加明確理解。
根據本發明的一側面,提供一種基板處理裝置,其包括:載入/卸載單元;工藝單元,進行基板處理工藝;樣品載入單元,配置在上述載入/卸載單元和上述工藝單元之 間;搬運部件,在上述工藝單元和上述樣品載入單元之間移送基板;上述搬運部件設於上述工藝單元和上述樣品載入單元內,而且,依次配置上述載入/卸載單元、上述樣品載入單元以及上述工藝單元。
此外,上述搬運部件可以包括:第一移送單元,分別在上述樣品載入單元和上述工藝單元內以相同高度設置;第二移送單元,分別在上述樣品載入單元和上述工藝單元內以相同高度設置,並且位於比上述第一移送單元低的位置。
此外,上述第一移送單元包括:第一移送模組,設於上述樣品載入單元的第一處理空間內;載入模組,設於上述工藝單元內,以與上述第一移送模組相同的高度設置;上述第二移送單元包括:第二移送模組,設於上述樣品載入單元的第二處理空間內;卸載模組,設於上述工藝單元內,以與上述第二移送模組相同的高度設置;上述第一處理空間和上述第二處理空間在上述樣品載入單元內被劃分為上下部分。
此外,上述載入模組可包括:第一移送部件,以與上述第一移送模組相同的高度設置;第一驅動部件,向上述第一移送部件提供驅動力;上述卸載模組可包括:第二移送部件,以與上述第二移送模組相同的高度設置;第二驅動部件,向上述第二移送部件提供驅動力。
此外,上述第一移送部件包括:驅動軸,貫通上述工藝單元的處理室的一側壁;搬運輥,設於上述驅動軸的一端,並支撐載入到上述處理室內部的上述基板的下側;從動帶輪,設於上述驅動軸的另一端;以及密封機構,設置 成與上述處理室的上述一側壁的外側面緊密結合,可使上述驅動軸插入並旋轉,或者沿軸向移動;上述第一驅動部件包括:動力傳遞軸;驅動器,設於上述動力傳遞軸的一端,提供旋轉力;驅動帶輪,設於上述動力傳遞軸的另一端;上述從動帶輪和上述驅動帶輪與上述動力傳遞軸連接,可將由上述第一驅動部件產生的驅動力傳遞給上述第一移送部件。
此外,上述第二移送部件包括:驅動軸,貫通上述工藝單元的處理室的一側面;搬運輥,設於上述驅動軸的一端,並支撐向上述處理室外部卸載的上述基板的下側;以及從動帶輪,設於上述驅動軸的另一端;上述第二驅動部件包括:驅動軸;驅動器,設於上述驅動軸的一端,提供旋轉力;以及驅動帶輪,設於上述驅動軸的另一端;上述從動帶輪和上述驅動帶輪與上述驅動軸連接,可將由上述第二驅動部件產生的驅動力傳遞給上述第二移送部件。
此外,上述密封機構在其內側面上設有磁性體,在上述磁性體和上述驅動軸的外側面之間提供有磁性流體,上述磁性流體通過由上述磁性體產生的磁力產生磁感應,從而密封上述磁性體與上述驅動軸之間的空間。
此外,上述第一移送部件還包括:驅動板,配置在上述從動帶輪與上述密封機構之間;軸承部件,設於上述驅動板上,可旋轉地支撐上述驅動軸;以及驅動部,使上述驅動板向水平方向移動。
此外,上述第一驅動部件還包括:旋轉軸,與上述驅動器結合;連接軸,用於連接上述旋轉軸與上述動力傳遞軸;支持板,上述連接軸可旋轉地插入;以及驅動部,使 上述驅動板向水平方向移動。
此外,上述樣品載入單元還包括分隔壁,分隔上述第一處理空間和上述第二處理空間。
此外,上述樣品載入單元還包括:第一加熱器,在上述樣品載入單元的內部配置在上述第一移送模組的上側;第二加熱器,配置在上述第一移送模組和上述第二移送模組之間。
此外,上述工藝單元包括:第一工藝單元,對上述基板上實施第一工藝;第二工藝單元,與上述第一工藝單元鄰接地配置,對上述基板上實施第二工藝;可依次配置上述第一工藝單元和上述第二工藝單元。
此外,上述載入/卸載單元可包括:托盤搬運部,搬運載入/卸載了上述基板的托盤;基板載入傳送部,成一列地排列要供給上述托盤的上述基板;基板卸載傳送部,成一列地排列要從上述托盤卸載的上述基板;第一基板搬運機械手,拾取在上述基板載入傳送部待機中的上述基板,並搬運到位於上述托盤搬運部上的上述托盤上;以及第二基板搬運機械手,從位於上述托盤搬運部的上述托盤上拾取上述基板,並搬運到上述基板卸載傳送部。
此外,上述基板載入傳送部和上述基板卸載傳送部相對稱地配置在上述托盤搬運部的兩側。
此外,上述載入/卸載單元還包括儲運盒載入傳送部,其包括上層傳送帶和下層傳送帶,在上述上層傳送帶上可放置收納有要向上述基板載入傳送部搬出的上述基板的儲運盒,在上述下層傳送帶上可放置已經將上述基板搬出到上述基板載入傳送部的上述儲運盒。
此外,上述第一基板搬運機械手可包括:一對移送導軌,設置在上述托盤搬運部上部的兩側;移動框架,設置成可沿著移送導軌向一方向移動;以及吸盤單元,設置在上述移動框架上。
此外,上述吸盤單元可包括:伯努利吸盤,以非接觸狀態固持基板的上面;支撐框架,設有上述伯努利吸盤;以及升降驅動部,使支撐框架上下移動。
此外,上述載入/卸載裝置還包括:儲運盒載入傳送部;基板搬出部;設於上述基板載入傳送部之間,將上述基板從上述儲運盒載入傳送部傳送給上述基板載入傳送部;上述基板搬出部可包括:底板;末端執行器(End-effector)設置在上述底板上,向上述基板的傳送方向前進或後退;以及基板移位元模組,設置在上述底板上,將通過上述末端執行器移送的上述基板傳送到上述基板載入傳送部的傳送帶。
此外,在上述末端執行器的一端可設有吸附上述基板的真空吸附部。
此外,上述托盤搬運部可包括:上層搬運輥部,與上述托盤的搬運方向平行地隔著間距配置,用於搬運被搬入上述樣品載入單元的托盤;下層搬運輥部,與上述托盤的搬運方向平行地隔著間距配置,且配置在上述上層搬運輥的下部,用於搬運從上述樣品載入單元搬出的托盤;開放驅動部,用於向水平方向移動上述上層搬運輥部;以及托盤升降部,使放置在上述下層搬運輥部上的托盤上升到上側。
此外,上述基板處理裝置還包括:起吊單元,設於上 述載入/卸載單元、上述樣品載入單元或上述工藝單元的上側;框架部,用於支撐上述起吊單元;以及驅動部,安裝在上述框架部上,用於驅動上述起吊單元;而且,上述起吊單元可用於上述載入/卸載單元、上述樣品載入單元或上述工藝單元維護。
此外,上述框架部可包括:第一框架部,在上述載入/卸載單元的上側配置;第二框架部,在上述樣品載入單元的上側配置;第三框架部,在上述工藝單元的上側配置;第四框架部,與上述第二框架部鄰接地配置;以及掛置部,設於上述第一框架部或上述第二框架部中的一個上,用於掛置開閉上述工藝單元的工藝單元蓋、或者開閉上述樣品載入單元的樣品載入單元蓋中的任一個。
此外,在上述第四框架部的內側還可配置有掛置單元,用於掛置上述工藝單元蓋、上述樣品載入單元蓋、或者從上述工藝單元脫離的支援單元。
此外,上述掛置單元可包括:主體部;孔,從上述主體部的上面向下側形成;以及移動單元,與上述主體部的下面結合。
此外,上述主體部可包括:上面框架,在下側接觸上述支援單元進行支撐;側面框架,從上述上面框架的邊緣向下側垂直延伸;以及下面框架,與上述上面框架平行地設在上述側面框架的下側末端。
根據本發明的另一側面,提供一種基板處理方法,要進行工藝處理的基板,通過從樣品載入單元向工藝單元移送的第一移送路徑,被移送到上述工藝單元;在上述工藝單元內已進行工藝處理的上述基板,通過從上述工藝單元 向上述樣品載入單元移送的第二移送路徑,被移送到上述樣品載入單元;上述第一移送路徑和上述第二移送路徑都設在上述樣品載入單元和上述工藝單元的內部。
此外,上述工藝單元包括:第一工藝單元,對上述基板進行第一工藝處理;第二工藝單元,對已完成上述第一工藝的上述基板實施第二工藝處理;在上述第一移送路徑中,將要進行工藝處理的上述基板依次經由上述樣品載入單元和上述第一工藝單元而移送到上述第二工藝單元,在上述第二移送路徑中,已完成工藝處理的上述基板依次經由上述第二工藝單元和上述第一工藝單元而移送到上述樣品載入單元。
此外,上述第一移送路徑通過分別在上述樣品載入單元和上述工藝單元內以相同高度設置的第一移送單元進行,上述第二移送路徑通過第二移送單元進行,上述第二移送單元分別在上述樣品載入單元和上述工藝單元內以相同高度設置、且位於比上述第一移送單元低的位置。
本發明的實施例可使基板在多個單元之間有效地移送,從而提高工藝效率。
另外,本發明的實施例可有效地執行基板處理裝置的維護(maintenance)。
另外,本發明的實施例由於基板的移送和傳送都在各單元內部進行,從而可縮短工藝所需時間。
下面,參照圖式詳細說明本發明的實施例有關的基板處理裝置。對本發明進行說明時,有關已知結構或功能的詳細說明可能混淆本發明的旨意的情況下,省略其詳細說 明。
圖1是本發明的一實施例有關的基板處理裝置的佈置圖。
基板處理裝置1包括:載入/卸載單元10;樣品載入單元20;以及工藝單元30。載入/卸載單元10將基板S載入在托盤T上,或者將基板S從托盤T卸載。樣品載入單元20在處於大氣壓狀態的載入/卸載裝置10與在真空狀態的工藝單元30之間搬運托盤T。在工藝單元30中,以真空狀態下進行對基板蒸鍍P型或N型半導體層、防反射膜、電極等薄膜的工藝。載入/卸載單元10、樣品載入單元20以及工藝單元30依次一列配置。下面,將載入/卸載單元10、樣品載入單元20以及工藝單元30的排列方向稱為第一方向I,從上側觀察時,與第一方向I垂直的方向稱為第二方向Ⅱ,均與第一方向I和第二方向Ⅱ垂直的方向稱為第三方向Ⅲ。第一移送模組21和載入模組1000可以以第一移送單元表示,第二移送模組23和卸載模組1100可以以第二移送單元表示。此外,第一移送單元和第二移送單元可以以搬運部件表示。另外,在圖1中的基板處理裝置1上裝載有基板S的托盤T,依次以搬運單元610、第一移送模組21、載入模組1000、卸載模組1100、第二移送模組23以及搬運單元620的順序移送。
圖2是圖1的載入/卸載單元的平面佈置圖。
參照圖1和圖2,載入/卸載單元10包括:儲運盒載入傳送部100a;第一儲運盒升降機200a;基板搬入部300a;基板載入傳送部400a;第一基板搬運機械手500a;托盤搬運部600;儲運盒卸載傳送部100b;第二儲運盒升降機 200b;基板搬出部300b;基板卸載傳送部400b;以及第二基板搬運機械手500b。
圖3是用於說明圖2的儲運盒載入傳送部的示意圖。
參照圖2及圖3,儲運盒載入傳送部100a具有上層傳送帶110和下層傳送帶120。在上層傳送帶110上放置裝載有基板S的儲運盒C。在下層傳送帶120上放置有空的儲運盒C。儲運盒C根據情況可以以基板收納部件表示。上層傳送帶110將裝載有待進行工藝處理的基板S的儲運盒C供給第一儲運盒升降機200a。下層傳送帶120從第一儲運盒升降機200a接收空的儲運盒C。儲運盒卸載傳送部100b將空的儲運盒C供給至第二儲運盒升降機200b,並且在第二儲運盒升降機200b中接收工藝後的基板S的裝載作業已完成的儲運盒C。儲運盒卸載傳送部100b具有與儲運盒載入傳送部100a相同的結構。
第一儲運盒升降機200a與基板搬入部300a聯動,當在基板搬入部300a,從儲運盒C中搬出基板S時,升降儲運盒C。第二儲運盒升降機200b與基板搬出部300b聯動,當在基板搬出部300b,將基板S搬入儲運盒C中時,升降儲運盒C。第二儲運盒升降機200b具有與第一儲運盒升降機200a相同的結構。
基板搬入部300a與基板搬出部300b具有相同的結構。但是,基板搬入部300a將基板S從儲運盒C中取出提供給基板載入傳送部400a。而且,基板搬出部300b執行與基板搬入部300a相反的動作,即,從基板卸載傳送部400a提取基板S並提供給儲運盒C。
圖4a是用於說明圖2的基板搬入部的示意圖。圖4b 是按步驟說明在基板搬入部中基板搬移過程的示意圖。
參照圖2和圖4a,基板搬入部300a包括:底板302;末端執行器(End-effector)310以及基板移位元模組320。
末端執行器310設置在底板302上。末端執行器310通過液壓缸單元318,向第一方向I的兩側移動。在末端執行器310的一端上設有可真空吸附基板S的真空吸附部312。當末端執行器310向第一方向I的一側(以下,前進方向)移動時,真空吸附部312位於第一儲運盒升降機200a中提供的儲運盒C的內部(參照圖4b的i)。第一儲運盒升降機200a與末端執行器310的前進方向的動作聯動,下降規定間距,以使基板S安放在末端執行器310的真空吸附部312上。通過第一儲運盒升降機200a的下降,裝載在儲運盒C中的一張基板S被末端執行器310的真空吸附部312真空吸附。在真空吸附基板S的狀態下,末端執行器310向第一方向I的另一側(以下,後退方向)移動(參照圖4b的ii)。當末端執行器310向後退方向移動時,被末端執行器310真空吸附的基板S放置在基板移位元模組320的第一安放部322上。
基板移位元模組320設置在底板302上。基板移位元模組320具有第一安放部322和第二安放部324。第一安放部322和第二安放部324相互對稱且一體地設置。基板移位元模組320向第三方向Ⅲ升降。基板移位元模組320將第一安放部322上的基板S放置在位於第二安放部324內側空間中的基板支撐柱330上。基板移位元模組320將由基板支撐柱330支撐的基板S移送至基板載入傳送部400a的傳送帶410上。基板移位元模組320的移動可通過液壓 缸單元、電機驅動單元等通常的直線驅動單元來實現。
再參照圖4b,通過末端執行器310的前進方向移動及第一儲運盒升降機200a的升降動作,裝載在儲運盒C中的基板S被真空吸附部312真空吸附(參照圖4b的i)。通過末端執行器310的後退方向移動,基板S位於基板移位元模組320的第一安放部322的上部(參照圖4b的ii)。此時,基板移位元模組320在比放置於末端執行器310上的基板S及基板支撐柱330的基板S支撐高度低的位置待機。通過基板移位元模組320的上升,放置在末端執行器310上的基板S轉移到基板移位元模組320的第一安放部322。基板移位元模組320的上升位置高於放置在末端執行器310上的基板S,且高於放置在基板支撐柱330上的基板S的高度。與此同時,在基板支撐柱330處於待機中的基板S被安放在第二安放部324上。當基板移位元模組320向後退方向移動移位間距時,放置在第一安放部322上的基板S向基板支撐柱330的上部移動,放置在第二安放部324上的基板S向基板載入傳送部400a的上部移動(參照圖4b的iii)。隨著基板移位元模組320的下降,第一安放部322上的基板S被安放在基板支撐柱330上。第二安放部324上的基板S被安放在基板載入傳送部400a的傳送帶410上。當基板S被放置在基板載入傳送部400a時,為了放置下一個基板S,傳送帶410向後退方向移位(參照圖4b的iv)。另外,基板移位元模組320移位元到最初待機的位置(最初位置)。為了從儲運盒C中搬出另一基板S,末端執行器310進行如上上述的動作並從儲運盒C中取出基板S,以使基板位於第一安放部322的上部。當在基板搬出部300a 反復進行上述一系列過程,則10張基板成一列地擺放在基板載入傳送部400a的傳送帶410上。
再參照圖2,第一基板搬運機械手500a是將放置在基板載入傳送部400a的傳送帶410上的10張基板(工藝處理前的基板)一次性地卸載並載入在托盤T上的搬運裝置。第二基板搬運機械手500b是從托盤T中將經過工藝處理的基板S以列為單位一次性地固持(卸載)並載入(搬運)到基板卸載傳送部400b的傳送帶上的搬運裝置。第一基板搬運機械手500a和第二基板搬運機械手500b具有相同的結構。下面,說明第一基板搬運機械手500a。
圖5是用於說明第一基板搬運機械手的結構的示意圖。
參照圖2及圖5,第一基板搬運機械手500a包括:移送導軌510;移動框架520;以及吸盤單元。移送導軌510設置在托盤搬運部600的上部的兩側。移動框架520沿著移送導軌510在第二方向Ⅱ可移動地設置。吸盤單元設置在移動框架520上。吸盤單元包括:伯努利吸盤550;支撐框架540;以及升降驅動部530。伯努利吸盤550根據伯努利原理,以非接觸狀態固持基板的上面。伯努利吸盤550可提供10個。在支撐框架540上安裝有伯努利吸盤550。升降驅動部530以使支撐框架540在第三方向Ⅲ升降。
圖6a至6e是按步驟表示從下層的搬運單元向上層的搬運單元移動托盤的示意圖。
托盤搬運部600向樣品載入腔20移送托盤T,或者從樣品載入腔20接收托盤T。參照圖2及圖6a,托盤搬運部600包括:搬運單元610、620;開放驅動部630;以及托盤升降部640。搬運單元610、620在與托盤T的搬運方向平 行的第一方向I兩側配置。開放驅動部630向第二方向Ⅱ移動上層的搬運單元610。托盤升降部640使放置在下層搬運單元620上的托盤上升到上層。下層搬運單元620移送從樣品載入腔20搬出的托盤。上層搬運單元610移送搬入到樣品載入腔20內的托盤。上層搬運單元610具有滾軸11a(參照圖1)和旋轉軸11b(參照圖1)。下層搬運單元620具有滾軸13a(參照圖1)和旋轉軸13b(參照圖1)。搬運單元610、620通過滾軸驅動單元(未圖示)而驅動。
參照圖6a至圖6e,說明托盤從下層的搬運單元移動到上層的搬運單元的過程。
當位於上層搬運單元610的托盤T上的基板S交換作業結束之後(參照圖6a),上層搬運單元610將托盤移送到樣品載入腔20內(參照圖1),而上層的搬運單元610處於空置狀態(參照圖6b)。然後,上層搬運單元610通過開放驅動部630分別向第二方向Ⅱ的兩側移動,從而給在下層搬運單元620上處於待機中的托盤提供上升移動的空間(參照圖6c)。托盤升降部640使在下層搬運單元620中待機的托盤T上升移動(參照圖6d)。當托盤T上升移動之後,上層搬運單元610通過開放驅動部630回到原位,而隨著托盤升降部640的下降,由托盤升降部640支撐的托盤被放置在上層搬運單元610上(參照圖6e)。
再參照圖2,說明在具有如上上述結構的載入/卸載單元上載入/卸載基板的過程。
第二基板搬運機械手500b拾取在托盤搬運部600的上層搬運單元610上待機的、在托盤T的第一行上排成一列的10張基板S,並移送到基板卸載傳送部400b。與此同時, 第一基板搬運機械手500a與第二基板搬運機械手500b的基板S卸載動作聯動,拾取在基板載入傳送部400a上排列的10張基板S(第二基板搬運機械手500b從托盤拾取基板S的時刻),並移送到由於第二基板搬運機械手500b的基板S卸載作業而空出的托盤T的第一行中。當然,第一基板搬運機械手500a和第二基板搬運機械手500b可以同時進行載入和卸載基板S。與此不同,第一基板搬運機械手500a和第二基板搬運機械手500b可以分別進行載入和卸載基板S。
再參照圖1,樣品載入單元20配置在載入/卸載單元10與工藝單元30之間。樣品載入單元20在內部具有分隔壁26。分隔壁26與第三方向Ⅲ垂直地設置。分隔壁26將樣品載入單元20分隔成第一處理空間20a和第二處理空間20b。在第一處理空間20a與載入/卸載單元10之間以及第二處理空間20b與載入/卸載單元10之間,設有裝載有基板S的托盤T的移動路徑(未圖示)。移動路徑通過閘門閥25a、25b來開閉。此外,在第一處理空間20a與工藝單元30之間以及第二處理空間20b與工藝單元30之間,設有裝載有基板S的托盤T的移動路徑(未圖示)。移動路徑通過閘門閥25a、25b來開閉。
第一移送模組21設於樣品載入單元20的第一處理空間20a內。第一移送模組21具有滾軸21a、旋轉軸21b以及用於轉動旋轉軸21b使驅動板向水平方向移動的驅動部(未圖示)。第一移送模組21通過載入/卸載單元10的搬運單元610移送接收裝載有基板S的托盤T,並傳送給工藝單元30的載入模組1000。
第二移送模組23設於樣品載入單元20的第二處理空間20b內。第二移送模組23具有滾軸23a、旋轉軸23b以及用於轉動旋轉軸23b使驅動板向水平方向移動的驅動部(未圖示)。第二移送模組23通過工藝單元30內的卸載模組1100移送接收裝載有基板S的托盤T,並傳送給載入/卸載單元10的搬運單元620。在第一處理空間20a內的第一移送模組21的上下設有加熱器24a、24b。當裝載有基板S的托盤T從載入/卸載單元10的搬運單元610傳送到樣品載入單元20的第一移送模組21上時,在閘門閥25a、35a關閉的狀態下,第一處理空間20a的內部轉換成與工藝單元30內的工藝溫度及工藝壓力相同的狀態。之後,閘門閥35a被打開,則第一處理空間20a內的第一移送模組21將托盤T傳送到工藝單元30的載入模組1000上。另外,當裝載有工藝處理後的基板S的托盤T從工藝單元30移送到樣品載入單元20的第二處理空間20b內時,在閘門閥25b、35b關閉的狀態下,第二處理空間20b的內部轉換成與載入/卸載單元10內的溫度(常溫)及壓力(大氣壓)相同的狀態。之後,閘門閥25b被打開,則第二處理空間20b內的第二移送模組23將托盤T傳送到載入/卸載單元10內的搬運單元620上。
圖7a是圖1的工藝單元的側剖視圖。圖7b是圖1的工藝單元的平剖視圖。圖7c是圖1的載入模組和卸載模組的佈置圖。
參照圖7a至圖7c所示,工藝單元30包括:處理室800;支援單元900;載入模組1000;卸載模組1100;噴射頭1200;以及排氣單元1300。處理是800具有內部空的長方 體形狀。處理室800包括上部壁810、下部壁820、以及側壁830a、830b、830c、830d。上部壁810及下部壁820以上下方向隔著間距的矩形形狀提供。側壁830a、830b、830c、830d從上部壁810的邊緣周邊向下部壁820的邊緣周邊延伸。第一側壁830a和第二側壁830b向第二方向Ⅱ平行地隔著間距配置。第三側壁830c和第四側壁830d向第一方向I平行地隔著間距配置。
支援單元900設於處理室800的內側。支援單元900用於支撐裝載有基板S的托盤T。噴射頭1200設於處理室800的上部壁810上。噴射頭1200與支援單元900相對地設置。噴射頭1200向基板上噴射工藝氣體。載入模組1000和卸載模組1100設置在處理室800的第一及第二側壁830a、830b上。載入模組1000將裝載有基板的托盤向處理室800內載入。卸載模組1100從處理室800卸載裝載有基板的托盤。排氣單元1300設於處理室800的下部壁820上。排氣單元1300將處理室800內部的未反應氣體及反應副產物向外部排出。支援單元900包括支持板910、驅動軸920以及驅動部件930。支持板910用於支撐裝載有基板S的托盤T。驅動軸920與支持板910的下面結合。驅動部件930使驅動軸920在第三方向Ⅲ上升及下降。被載入在載入模組1000上的托盤T,通過由於驅動部件930而驅動軸920的上升,被支持板910支撐,並移動到載入模組1000上部的工藝位置。裝載有在工藝位置薄膜蒸鍍工藝後的基板S的托盤T,通過驅動軸920的下降,從工藝位置移動到卸載模組1100上的卸載位置。此時,載入模組1000移動到不妨礙托盤T的位置。
在支持板910上設有將基板加熱至工藝溫度的加熱器(未圖示)。噴射頭1200與施加高頻電流的高頻電源1400連接。從噴射頭1200噴射的工藝氣體激勵成等離子。通過等離子在基板S上蒸鍍薄膜。
載入模組1000載入從樣品載入單元20的第一處理空間20a傳送的並裝載有基板S的托盤T。載入模組1000包括第一移送部件1020a、1020b和第一驅動部件1040。第一移送部件1020a、1020b沿著第一方向I在處理室800的兩側壁830a、830b上設有多個。第一移送部件1020a、1020b支撐托盤T下面的兩側邊緣,並向第一方向I移送托盤T。第一驅動部件1040給第一移送部件1020a、1020b提供驅動力。
第一移送部件1020a沿著第一方向I在處理室800的一側壁830a上設有多個。第一移送部件1020b沿著第一方向I在處理室800的另一側壁830b上設有多個,並且與第一移送部件1020a相對。第一移送部件1020a、1020b設置在與樣品載入單元20的第一處理空間20a內設有的第一移送模組21相對應高度的第一高度上。
參照圖7b,各自的第一移動部件1020a具有搬運輥1021a、驅動軸1022a、從動帶輪1023a以及密封機構1024a。搬運輥1021a位於處理室800的內側,其旋轉中心軸朝向第二方向Ⅱ的設置。從動帶輪1023a位於處理室800的外側,其旋轉中心軸與搬運輥1021a的旋轉中心軸成一直線地設置。驅動軸1022a與搬運輥1021a及從動帶輪1023a的旋轉中心成一直線,並貫穿插入在處理室800的側壁830a上。驅動軸1022a的一端與搬運輥1021a結合,驅動軸1022a 的另一端與從動帶輪1023a結合。密封機構1024a具有法蘭形狀,以插入在驅動軸1022a內的狀態下,與處理室800側壁830a的外側面緊密結合。在密封機構1024a的內側面上設有磁性體,在磁性體與驅動軸1022a的外側面之間提供有磁性流體。磁性流體通過由磁性體產生的磁力而產生磁感應,從而密封磁性體和驅動軸1022a之間的空間。由於驅動軸1022a是通過密封機構1024a內側的磁性流體而密封,所以不僅能夠旋轉,還可以沿軸向直線移動。
在密封機構1024a與從動帶輪1023a之間配置有驅動板1030a。驅動軸1022a通過設於驅動板1030a上的軸承1025a可旋轉地支撐。驅動板1030a通過液壓缸機構1036a向第二方向Ⅱ直線移動。此時,搬運輥1021a、驅動軸1022a以及從動帶輪1023a與驅動板1030a一同向第二方向Ⅱ直線移動。由此,當托盤T從工藝位置向卸載模組1100傳送時,載入模組1000的第一移送部件1020a可後退到不妨礙托盤T的位置。
在相鄰的從動帶輪1023a之間設有定位銷1032a。定位銷1032a以使其旋轉中心軸與第二方向Ⅱ平行地配置。定位銷1032a的一端與驅動板1030a結合。在從動帶輪1023a及定位銷1032a上纏繞有帶子1034a,該帶子1034a在從動帶輪1023a之間傳遞旋轉力。而且,在第一移送部件1020a中,配置在最前端的第一移送部件1020a的驅動軸1022a上結合有傳遞帶輪1026a,該傳遞帶輪1026a通過第一驅動部件1040的驅動帶輪1045a和帶子而連接並傳受旋轉驅動力。
各自的第一移送部件1020b分別與各自的第一移送部 件1020a相對地設置在處理室800的另一側壁830b上。第一移送部件1020b的結構與第一移送部件1020a相同。但未說明的圖式元件符號1021b是搬運輥、1022b是驅動軸、1023b是從動帶輪、1024b是密封機構、1025b是軸承、1026b是傳遞帶輪、1030b是驅動板、1032b是定位銷、1034b是帶子、1036b是液壓缸機構。
第一驅動部件1040給第一移送部件1020a、1020b提供用於搬運裝載有基板S的托盤T的旋轉驅動力。第一驅動部件1040具有第一驅動電機1041,該第一驅動電機1041配置在處理室800的下部壁820前方的中心下麵。在第一驅動電機1041的沿第二方向Ⅱ的兩側面上分別結合有驅動軸1042a、1042b。如圖8所示,驅動軸1042a具有第一軸部1042a-1和第二軸部1042a-2。第一軸部1042a-1具有圓筒狀。第二軸部1042a-2具有從第一軸部1042a-1的一端中心沿長度方向延伸的、截面為多邊形狀。第二軸部1042a-2插入在與驅動軸1042a成一直線的連接軸1043a的截面為多邊形狀的孔1043a-1內。在連接軸1043a的另一端上連接有沿著連接軸1043a的長度方向成一直線的動力傳遞軸1044a。在動力傳遞軸1044a另一端上結合有驅動帶輪1045a。驅動帶輪1045a通過帶子1046a與從動帶輪1026a連接。
連接軸1043a通過設於支持板1047a上的軸承可旋轉地支撐。支持板1047a通過密封機構1048a可以向第二方向Ⅱ直線移動。如圖9所示,當支持板1047a通過密封機構1048a向第二方向Ⅱ直線移動時,連接軸1043a、動力傳遞軸1044a以及驅動帶輪1045a與支持板1047a一同向第二 方向Ⅱ直線移動。在此,未說明的圖式元件符號1043b是連接軸、1044b是動力傳遞軸、1045b是驅動帶輪、1046b是帶子、1047b是支持板、1048b是密封機構。
第一驅動電機1041的旋轉力通過軸部件1042a、1043a、1044a傳遞給驅動帶輪1045a,並通過軸部件1042b、1043b、1044b傳遞給驅動帶輪1045b。驅動帶輪1045a、1045b的旋轉力通過帶子1046a、1046b分別傳遞給第一及第二移送部件1020a、1020b的傳遞帶輪1026a、1026b。傳遞帶輪1026a的旋轉力通過1034a傳遞給從動帶輪1023a。隨著從動帶輪1023a的旋轉搬運輥1021a旋轉。隨著搬運輥1021a的旋轉由搬運輥1021a支撐著的托盤T向第一方向I移送,從而裝載有基板S的托盤T向處理室800內載入。
被載入到處理室800內的托盤T,通過支持板910的上升移動到工藝位置。在工藝位置基板S上的蒸鍍薄膜工藝結束之後,托盤T下降到卸載位置,即卸載模組1100的位置。此時,搬運輥1021a、1021b為了不妨礙下降的托盤T,以托盤T為中心沿著第二方向Ⅱ向遠離方向移動。當通過液壓缸機構1036a、1036b驅動板1030a、1030b以處理室800為中心沿著第二方向Ⅱ向遠離方向移動時,通過驅動板1030a、1030b的軸承1025a、1025b被支撐的驅動軸1022a、1022b移動,隨著該移動,與驅動軸1022a、1022b端部結合的搬運輥1021a、1021b移動,從而不妨礙托盤T。由於隨著驅動軸1022a、1022b的移動傳遞帶輪1026a、1026b也移動,所以通過帶子1046a、1046b與傳遞帶輪1026a、1026b連接的驅動帶輪1045a、1045b也應該向第二方向Ⅱ 移動。驅動帶輪1045a、1045b也可以通過參照圖9如上述的相同過程向第二方向Ⅱ移動。
圖10是表示卸載單元的結構的示意圖。圖11是表示圖10的移送部件的結構的示意圖。
參照圖7c、圖10及圖11所示,卸載模組1100包括第二移送部件1120a、1120b和第二驅動部件1140。第二移送部件1120a、1120b在處理室800的兩側壁830a、830b上沿著第一方向I設有多個。第二移送部件1120a、1120b配置在載入模組1000的第一移送部件1020a、1020b的下面。第二移送部件1120a、1120b支撐托盤T下面的兩側邊緣。第二移送部件1120a、1120b將托盤T向第一方向I移送。第二移送部件1120a、1120b從處理室800將裝載有基板S的托盤T卸載到樣品載入單元20的第二處理空間20b。第二驅動部件1140給第二移送部件1120a、1120b提供驅動力。
第二移送部件1120a在載入模組1000的第一移送部件1020a的下面沿著第一方向I設有多個。第二移送部件1120b在處理室800的另一側壁830b上以與第二移送部件1120a相對地沿著第一方向I設有多個。第二移送部件1120a、1120b以與設於樣品載入單元20的第二處理空間20b內的第二移送模組23(參照圖1)高度相對應的第二高度設置。
各自的第二移送部件1120a包括搬運輥1121a、驅動軸1122a以及從動帶輪1123a。搬運輥1121a位於處理室800的內側,並且其旋轉中心軸朝向第二方向Ⅱ的設置。從動帶輪1123a以位於處理室800的外側,並且其旋轉中心軸與搬運輥1121a的旋轉中心軸成一直線地設置。驅動軸 1122a與搬運輥1121a及從動帶輪1123a的旋轉中心成一直線。驅動軸1122a通過在處理室800的側壁830a上設有的軸承1124a可旋轉地支撐。驅動軸1122a的一端與搬運輥1121a結合。驅動軸1122a的另一端與從動帶輪1123a結合。
定位銷1125a設於相鄰的從動帶輪1123a之間。定位銷1125a以使其旋轉中心軸與第二方向Ⅱ平行地配置。定位銷1125a的一端與處理室800的側壁結合。在從動帶輪1123a及定位銷1125a上纏繞有帶子1126a,該帶子1126a在從動帶輪1123a之間傳遞旋轉力。在第二移送部件1120a中,配置在最後的第二移送部件1120a的驅動軸上結合有傳遞帶輪1127a,該傳遞帶輪1127a通過驅動部件1140的驅動帶輪1143a和帶子而連接並傳受旋轉驅動力。
各自的第二移送部件1120b分別與各自的第二移送部件1120a相對地設置在處理室800的另一側壁830b上。第二移送部件1120b的結構與第二移送部件1120a相同,故省略對它們的詳細說明。但未說明的圖式元件符號1121b是搬運輥、1122b是驅動軸、1123b是從動帶輪、1124b是軸承、1125b是定位銷、1126b是帶子、1127b是傳遞帶輪。
第二驅動部件1140向第二移送部件1120a、1120b提供用於搬運裝載有基板S的托盤T的旋轉驅動力。第二驅動部件1140具有第二驅動電機1141,該第二驅動電機1141配置在處理室800的下部壁820後方的中心下面。在第二驅動電機1141的沿第二方向Ⅱ的兩側面上分別結合有驅動軸1142a、1142b。在驅動軸1142a、1142b的末端上分別結合有驅動帶輪1143a、1143b。驅動帶輪1143a、1143b通過帶子1144a、1144b與傳遞帶輪1127a、1127b連接。第二驅 動電機1141的旋轉力通過驅動軸1142a、1142b傳遞給驅動帶輪1143a、1143b,驅動帶輪1143a、1143b的旋轉力通過帶子1144a、1144b分別傳遞給第二移送部件1120a、1120b的傳遞帶輪1127a、1127b。傳遞帶輪1127a、1127b的旋轉力通過帶子1126a、1126b傳遞給從動帶輪1123a、1123b,並隨著從動帶輪1123a、1123b的旋轉搬運輥1121a、1121b旋轉。通過搬運輥1121a、1121b的旋轉由搬運輥1121a、1121b支撐著的托盤T向第一方向I移送,從而裝載有基板S的托盤T從處理室800卸載到樣品載入單元20的第二處理空間20b。
圖12是圖7a的噴射頭的剖視圖。圖13是圖7a的導流板的俯視圖。
參照圖12至圖13,噴射頭1200包括電極1220、導流板1240以及噴射板1260。
向噴射頭1200供給的氣體可以是原料氣和反應氣體的混合氣體。原料氣是包含有在基板S上形成薄膜的主要成分的氣體,反應氣體是用於形成等離子的氣體。舉一個例子,當在基板上蒸鍍矽氧化膜的情況,作為原料氣可使用SiH4 ,作為反應氣體可使用O2 。根據另一例,當在基板上蒸鍍氮化矽膜的情況,作為原料氣可使用SiH4 ,作為反應氣體可使用NH3 、N2 。再根據另一例,作為在基板上蒸鍍非晶矽膜的原料氣可使用SiH4 ,作為反應氣體可使用H2
電極1220可以由大致四邊形形狀的板提供。在電極1220的中心貫通形成有氣體流入的氣體流入孔1222。在電極1220上連接有施加高頻電流的高頻電源(圖2的圖式元件符號1400),該高頻電流是用於生成等離子。電極1220 的下面與導流板1240的上面緊密結合,在導流板1240的上面形成有多個氣體通道,該氣體通道導引通過電極1220的氣體流入孔1222供給的氣體的流向。
在導流板1240的上面中心處形成有與電極1220的氣體流入孔1222連通的氣體供給槽1241,並且以氣體供給槽1241為中心形成具有四邊形配置結構的“I”字狀的第一通道1242a、1242b、1242c、1242d。在“I”字狀第一通道1242a、1242b、1242c、1242d的水準部末端上形成有用於氣體通過的孔1245。在第一通道1242a、1242b、1242c、1242d中,以第二方向Ⅱ為基準,在氣體供給槽1241的上面形成的第一通道1242a、1242b通過“T”字狀的第一連接通道1243a與氣體供給槽1241連接。第一連接通道1243a的水準部1243a-1的兩端與第一通道1242a、1242b的垂直部的中心連接,第一連接通道1243a的垂直部1243a-2的下端與氣體供給槽1241連接。在第一通道1242a、1242b、1242c、1242d中,以第三方向Ⅲ為基準,在氣體供給槽1241的下面形成的第一通道1242c、1242d通過倒掛的“T”字狀的第二連接通道1243b與氣體供給槽1241連接。第二連接通道1243b的水準部1243b-1的兩端與第一通道1242c、1242d的垂直部的中心連接,第二連接通道1243b的垂直部1243b-2的上端與氣體供給槽1241連接。
以第一方向I為基準,在第一通道1242a、1242d外側和第一通道1242b、1242c外側的導流板1240的兩側邊緣上,沿著第二方向Ⅱ較長地形成第二通道1244a-2、1244b-2。在第二通道1244a-2、1244b-2的兩端上形成有用於氣體通過的孔1246。第二通道1244a-2、1244b-2通過沿 著第一方向I較長地形成的第二通道1244a-1、1244b-1與氣體供給槽1241連接。第二通道1244a-1、1244b-1的一端與第二通道1244a-2、1244b-2的中心連接,第二通道1244a-1、1244b-1的另一端與氣體供給槽1241連接。
噴射板1260配置在導流板1240的下面,在噴射板1260上形成有多個噴射孔1262。經過導流板1240的孔1245、1246的氣體通過噴射板1260的噴射孔1262噴射在托盤T上的基板S上。
圖14a是圖7a的處理室的下部壁的俯視圖,圖14b是沿圖14a的B-B′線的剖視圖。
參照圖14a及圖14b,排氣單元1300包括排氣孔1310、排氣板1320以及排氣部件1330。排氣孔1310包括第一槽部1312、第二槽部1314以及多個孔1316a、1316b。第一槽部1312在處理室800下部壁820的上面沿四邊邊緣形成。第二槽部1314沿著第一槽部1312在底面上形成為階梯式。多個孔1316a、1316b在第二槽部1314上貫通形成,並且以下部壁820的中心形成的孔821為中心左右對稱,孔821用於插入支撐單元900的驅動軸920。在第一槽部1312插入內空的四邊形形狀的排氣板1320。在排氣板1320的四個拐角處形成多個孔1322,以使氣體沿拐角處成兩列排出。排氣部件1330包括泵1332、主排氣管1334以及多個支管1336a、1336b。主排氣管1334與泵1332連接。支管1336a、1336b從主排氣管1334分支。支管1336a、1336b以主排氣管1334為中心對稱地分支。支管1336a、1336b的端部與在處理室800的下部壁820對稱地形成的多個孔1316a、1316b連接。
圖15是本發明的另一實施例有關的基板處理裝置的佈置圖。
參照圖15,基板處理裝置1500包括載入/卸載單元10、樣品載入單元20、第一工藝單元30a以及第二工藝單元30b。
在圖15的基板處理裝置1500中的載入/卸載單元10及樣品載入單元20與圖1的載入/卸載單元10及樣品載入單元20具有相同的結構。此外,在圖15的第一工藝單元30a和第二工藝單元30b分別與圖1的第一工藝單元30具有相同的結構。第一移送模組21、第一載入模組1000a以及第二載入模組1000b以第一移送單元表示,第二移送模組23、第一卸載模組1100a以及第二卸載模組1100b以第二移送單元表示。此外,第一移送單元和第二移送單元以搬運部件表示。在圖15的基板處理裝置1500中裝載有基板S的托盤T依次以搬運單元610、第一移送模組21、第一載入模組1000a、第二載入模組1000b、第二卸載模組1100b、第二卸載模組1100a、第二移送模組23及搬運單元620的順序移送。另外,在第一工藝單元30a和第二工藝單元30b上進行的工藝可以不同。作為一例,可以在第一工藝單元30a上進行蒸鍍工藝,在第二工藝單元30b上進行其他種類的蒸鍍工藝。更具體地說,在蒸鍍太陽能電池基板的防反射膜的情況,可在第一工藝單元30a上進行蒸鍍氮化矽膜的工藝,在第二工藝單元30b上進行蒸鍍氧化矽膜的工藝。此外,蒸鍍異質結太陽能電池的薄膜層時,可在第一工藝單元30a上進行蒸鍍內嵌(intrinsic)矽的工藝,在第二工藝單元30b上進行蒸鍍P型或N型矽的工藝。與 此相反,可以在第一工藝單元30a和第二工藝單元30b上進行相同種類的蒸鍍工藝。此時,在裝載有基板S的托盤T中,先行的托盤T經過第一工藝單元30a向第二工藝單元30b移送,後行的托盤T移送到第一工藝單元30b。當在第一工藝單元30a和第二工藝單元30b進行的工藝全部結束後,第一工藝單元30a內的托盤T通過第一卸載模組1100a向樣品載入單元20移送。然後,第二工藝單元30b內的托盤T通過第二卸載模組1100b向第一卸載模組1100a移送,之後通過第一卸載模組1100a向樣品載入單元20移送。
圖16a是圖15的基板處理裝置的另一實施例有關的佈置圖,圖16b是圖16a的基板處理裝置的平面佈置圖,圖16c是表示圖16a的掛置單元的立體圖,圖16d是表示圖16a的掛置單元的另一實施例的立體圖,圖17a是圖16a的基板處理裝置的另一實施例有關的佈置圖,圖17b是圖17a的基板處理裝置的平面佈置圖。
參照圖式,基板處理裝置1600、1700包括:載入/卸載單元10;樣品載入單元20;工藝單元30;起吊單元1610;框架部1650以及掛置單元1660。基板處理裝置1600的載入/卸載單元10、樣品載入單元20以及工藝單元30與圖15的基板處理裝置1500的載入/卸載單元10、樣品載入單元20以及工藝單元30具有相同的結構。只是更加具體表示了分別設於樣品載入單元20和工藝單元30上部的樣品載入單元蓋1624和工藝單元蓋1634。
下面,參照圖式,說明起吊單元1610、框架部1650以及掛置單元1660。
起吊單元1610設於載入/卸載單元10、樣品載入單元 20以及工藝單元30的上側。起吊單元1610為了有效地進行維護(maintenance)載入/卸載單元10、樣品載入單元20以及工藝單元30而提供。框架部1650支撐起吊單元1610。框架部1650包括第一框架部1620、第二框架部1630、第三框架部1640以及第四框架部1690。第一框架部1620配置在載入/卸載單元10的上側。第二框架部1630配置在樣品載入單元20的上側。第三框架部1640配置在工藝單元30的上側。第四框架部1690向第一方向I與第三框架部1640鄰接地配置。第一框架部1620包括第一側面框架部1621和第一上面框架部1623。第二框架部1630包括第二側面框架部1631和第二上面框架部1633。第三框架部1640包括第三側面框架部1641和第三上面框架部1643。第四框架部1690包括第四側面框架部1691和第四上面框架部1693。
參照圖16,第一側面框架部1621由四個1621a、1621b提供。與第二方向Ⅱ平行配置的第一側面框架部1621a之間的間距比工藝單元蓋1634在第二方向Ⅱ的長度更長。與第一方向I平行配置的第一側面框架部1621a、1621b之間的間距比工藝單元蓋1634在第一方向I的長度更長。第二側面框架部1631由四個1631a、1631b提供。第二側面框架部1631之間的間距可以與第一側面框架部1621之間的間距相同地提供。第三側面框架部1641由四個1641a、1641b提供。第三側面框架部1641之間的間距可以與第一側面框架部1621之間的間距相同地提供。第四側面框架部1691由四個1691a、1691b提供。第四側面框架部1691之間的間距可以與第一側面框架部1621之間的間距相同地提供。
相鄰配置的第一側面框架部1621b和第二側面框架部1631a可以設置成一個。此外,相鄰配置的第二側面框架部1631b和第三側面框架部1641a可以設置成一個。此外,相鄰配置的第三側面框架部1641b和第四側面框架部1691a可以設置成一個。
第一上面框架部1623、第二上面框架部1633、第三上面框架部1643以及第四上面框架部1693沿第一方向I連接。起吊單元1610沿第一上面框架部1623、第二上面框架部1633、第三上面框架部1643以及第四上面框架部1693向第一方向I移動。
參照圖16a和圖16b,掛置部1625可設於第二側面框架部1631上。如圖16a所示,掛置部1625支撐工藝單元蓋1634。與此不同,掛置部1625也可以支撐樣品載入單元蓋1624。掛置部1625從第二側面框架部1631向內側突出地設置。作為一例,掛置部1625可以以矩形板狀提供。於此不同,掛置部1625可以以圓板狀提供。與第二方向Ⅱ平行配置的掛置部1625a之間間距比工藝單元蓋1634在第二方向Ⅱ上的長度較短。與第一方向I平行配置的掛置部1625b之間間距比工藝單元蓋1634在第一方向I上的長度較短。工藝單元蓋1634的四個頂點被掛置部1625a、1625b支撐。
另外,參照圖16a至圖16d,掛置單元1660、1680配置在第四框架部1690的內側。掛置單元1660、1680包括主體部、孔以及移動單元。作為一例,參照圖16c,掛置單元1660的主體部包括上面框架1661、側面框架1663以及下面框架1665。從上側觀察時,上面框架1661以在內側形 成中空的矩形板提供。作為一例,在圖16c中表示在上面框架1661上形成矩形中空的情況。側面框架1663從上面框架1661的邊緣向下側垂直延伸。作為一例,側面框架1663可以從上面框架1661的各頂點向下側垂直延伸的杆(bar)狀提供。此外,還可以在側面框架1663之間設有向第一方向I隔開間距配置的輔助框架1669。作為一例,輔助框架1669也可以以杆(bar)狀提供。下面框架1665在側面框架1663的下側末端與上面框架1661平行地設置。下面框架1665以與上面框架1661相同的、在其內側形成中空的矩形板提供。這樣的,由各框架1661、1663、1665構成的掛置單元1660,可以以上下面開放的長方體形狀提供。另外,可以將連接分別設在上面框架1661和下面框架1665上的中空的虛線以孔表示。移送單元1667可設於下麵框架1665的下側邊緣。作為一例,移送單元1667可以是輪子。
作為另一例,參照圖16d,掛置單元1680的主體部1664可以由長方體的箱狀提供。而且,孔1662從主體部1664的上面向下麵貫通地設置。移動單元1667與圖16c的移動單元1667相同的提供。
具有如上上述結構的掛置單元1660、1680上掛置從工藝單元30脫離的支援單元900。此時,支援單元900的驅動軸920插入在上述的孔內。而且,支援單元900的支持板910的下面與掛置單元的主體部的上面接觸。於此不同,在掛置單元1660、1680上也可以掛置樣品載入單元蓋1624或工藝單元蓋1634。
參照圖16a至圖16b,說明利用起吊單元和掛置單元維護基板處理裝置的過程。
作業者將起吊單元1610位於第二上面框架部1633上。作業者將與工藝單元蓋1634的上部結合的連接部件1634a、1634b和起吊單元1610用鏈條1611連接。連接部件1634a、1634b可以是吊環螺釘。作業者將工藝單元蓋1634從工藝單元30分離後,移動到第二框架部1630的掛置部1625。作業者將工藝單元蓋1634放置在掛置部1625後,將起吊單元1610移動到第三上面框架部1643上。作業者將與支持板910上部結合的連接部件1670a、1670b和起吊單元1610用鏈條1611連接。連接部件1670a、1670b可以是吊環螺釘。作業者將支持板910從工藝單元30分離後,掛置在掛置單元1660上。作業者檢查工藝單元30內部和支持板910。
於此不同,當作業者需要檢查樣品載入單元20內部時,作業者將起吊單元1610位於第二上面框架部1633上。作業者將與樣品載入單元蓋1624的上部結合的連接部件1624a、1624b和起吊單元1610用鏈條1611連接。作業者將樣品載入單元蓋1624從樣品載入單元20分離後,向第三框架部1640方向移動。此時,樣品載入單元蓋1624在掛置部1625的下面與樣品載入單元20的上面之間移動。作業者使移動到第三框架部1640下面的樣品載入單元蓋1624上升後,再將樣品載入單元蓋1624向樣品載入單元20方向移動,從而掛置在掛置部1625上。然後,作業者檢查樣品載入單元20的內部和樣品載入單元蓋1624。
於此不同,作業者可以不必將樣品載入單元蓋1624或工藝單元蓋1634掛置在掛置部1725上,而掛置在掛置單元1660上後,檢查基板處理裝置1600。
另外,如圖17a和圖17b所示,掛置部1725可設於第三側面框架部1641上。在這種情況下,說明作業者檢查構成基板處理裝置1700的單元的過程如下。
作業者將起吊單元1610位於第二上面框架部1633上。作業者在樣品載入單元蓋1624的上部連接連接部件1624a、1624b。連接部件1624a、1624b可以是吊環螺釘。作業者將連接部件1624a、1624b和起吊單元1610用鏈條1611連接。作業者將樣品載入單元蓋1624從樣品載入單元20分離後,移動到第三框架部1640的掛置部1725。作業者將樣品載入單元蓋1624放置在掛置部1725之後,檢查樣品載入單元20的內部。
於此不同,當作業者需要檢查工藝單元30的內部時,作業者將起吊單元1610位於第三上面框架部1643上。作業者將與工藝單元蓋1634上部結合的連接部件1634a、1634b和起吊單元1610用鏈條1611連接。作業者將工藝單元蓋1634從工藝單元30分離後,向第二框架部1630方向移動。此時,工藝單元蓋1634在掛置部1725的下面與工藝單元30的上面之間移動。作業者將使移動到第二框架部1630下面的工藝單元蓋1634上升後,再將工藝單元蓋1634向工藝單元30方向移動,從而掛置在掛置部1725上。然後,作業者檢查工藝單元30的內部和工藝單元蓋1634。
於此不同,作業者可以不必將樣品載入單元蓋1624或工藝單元蓋1634掛置在掛置部1725上,而掛置在掛置單元1660上後,檢查基板處理裝置1700。
圖18a至圖18b是圖16a的基板處理裝置的又另一實施例有關的佈置圖。參照圖18a至圖18b,說明作業者檢查 構成基板處理裝置1800的單元的過程如下。
首先,作業者將起吊單元1610位於第一上面框架部1623上。作業者利用托盤升降部640將托盤T從第一位置P1上升到第二位置P2。作業者在托盤T上連接連接部件Ta、Tb。連接部件Ta、Tb可以是吊環螺釘。作業者將連接部件Ta、Tb和起吊單元1610用鏈條1611連接。作業者向第一方向I移動起吊單元1610,從而將托盤T向基板處理裝置1800的外部搬出。之後,作業者檢查托盤T或載入/卸載單元10。此時,如圖16a所示,當掛置部1625設於第二框架部1630上時,作業者可以將托盤T掛置在掛置部1625上。於此不同,如圖17a所示,當掛置部1725設於第三框架部1640上時,作業者可以將托盤T掛置在掛置部1725上。
在上述說明中,舉例說明了本發明的技術思想,對於本發明所屬技術領域的普通技術人員來說,在不超出本發明的本質特性的範圍內,可以進行多種變更和變形。
因此,本發明記載的實施例並不是為了限定本發明的技術思想,而僅僅是為了說明本發明。所以,這些實施例並不限定本發明的技術思想的範疇。應當理解為,本發明的保護範圍應以權利要求書的記載為准,與其同等範圍內的全部技術思想都屬於本發明的權利保護範圍。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧載入/卸載單元
11a‧‧‧滾軸
11b‧‧‧旋轉軸
13a‧‧‧旋轉軸
13b‧‧‧旋轉軸
20‧‧‧樣品載入單元
20a‧‧‧第一處理空間
20b‧‧‧第二處理空間
21‧‧‧第一移送模組
23‧‧‧第二移送模組
24a、24b‧‧‧加熱器
25a、25b‧‧‧閘門閥
26‧‧‧分隔壁
30‧‧‧工藝單元
30a‧‧‧第一工藝單元
30b‧‧‧第二工藝單元
35a、35b‧‧‧閘門閥
110‧‧‧上層傳送帶
120‧‧‧下層傳送帶
200a‧‧‧第一儲運盒升降機
200b‧‧‧第二儲運盒升降機
300a、300b‧‧‧基板搬入部
302‧‧‧底板
310‧‧‧末端執行器
318‧‧‧液壓缸單元
320‧‧‧基板移位元模組
322‧‧‧第一安放部
324‧‧‧第二安放部
330‧‧‧基板支撐柱
400a、400b‧‧‧基板載入傳送部
500a‧‧‧第一基板搬運機械手
500b‧‧‧第二基板搬運機械手
510‧‧‧移送導軌
520‧‧‧移動框架
530‧‧‧升降驅動部
540‧‧‧支撐框架
550‧‧‧伯努利吸盤
600‧‧‧托盤搬運部
610、620‧‧‧搬運單元
630‧‧‧開放驅動部
640‧‧‧托盤升降部
800‧‧‧處理室
600‧‧‧托盤搬運部
800‧‧‧處理室
900‧‧‧支援單元
910‧‧‧支持板
920‧‧‧驅動軸
930‧‧‧驅動部件
1000‧‧‧載入模組
1100‧‧‧卸載模組
1020a、1020b‧‧‧第一移送部件
1021a、1021b‧‧‧搬運輥
1022a、1022b‧‧‧驅動軸
1023a、1023b‧‧‧動帶輪
1024a、1024b‧‧‧密封機構
1025a、1025b‧‧‧軸承
1026a、1026b‧‧‧傳遞帶輪
1030a、1030b‧‧‧驅動板
1032a、1032b‧‧‧定位銷
1034a、1034b‧‧‧帶子
1036a、1036b‧‧‧液壓缸機構
1040‧‧‧第一驅動部件
1041‧‧‧第一驅動電機
1042a、1042b‧‧‧驅動軸
1042a-1‧‧‧第一軸部
1042a-2‧‧‧第二軸部
1043a、1043b‧‧‧連接軸
1043a-1‧‧‧孔
1044a、1044b‧‧‧動力傳遞軸
1045a、1045b‧‧‧驅動帶輪
1046a、1046b‧‧‧帶子
1047a、1047b‧‧‧支持板
1048a、1048b‧‧‧密封機構
1121a、1121b‧‧‧搬運輥
1122a、1122b‧‧‧驅動軸
1123a、1123b‧‧‧動帶輪
1124a、1124b‧‧‧軸承
1125a、1125b‧‧‧定位銷
1126a、1126b‧‧‧帶子
1127a、1127b‧‧‧傳遞帶輪
1140‧‧‧第二驅動部件
1141‧‧‧第二驅動電機
1142a、1142b‧‧‧驅動軸
1143a、1143b‧‧‧驅動帶輪
1144a、1144b‧‧‧帶子
1200‧‧‧噴射頭
1220‧‧‧電極
1222‧‧‧氣體流入孔
1240‧‧‧導流板
1260‧‧‧噴射板
1262‧‧‧噴射孔
1300‧‧‧排氣單元
1310‧‧‧排氣孔
1312‧‧‧第一槽部
1314‧‧‧第二槽部
1316a、1316b‧‧‧孔
1320‧‧‧排氣板
1322‧‧‧孔
1330‧‧‧排氣部件
1332‧‧‧泵
1334‧‧‧主排氣管
1336a、1336b‧‧‧支管
1500、1600‧‧‧基板處理裝置
1610‧‧‧起吊單元
1611‧‧‧鏈條
1620‧‧‧第一框架部
1621‧‧‧第一側面框架部
1623‧‧‧第一上面框架部
1624‧‧‧樣品載入單元蓋
1624a、1624b‧‧‧連接部件
1634‧‧‧工藝單元蓋
1634a、1634b‧‧‧連接部件
1621a、1621b‧‧‧框架部
1630、1631、1631a、1631b、1633‧‧‧框架部
1640、1641、1641a、1641b‧‧‧框架部
1643‧‧‧第三上面框架部
1650‧‧‧框架部
1660‧‧‧掛置單元
1661‧‧‧上面框架
1662‧‧‧孔
1663‧‧‧側面框架
1664‧‧‧主體部
1665‧‧‧下面框架
1667‧‧‧移送單元
1669‧‧‧輔助框架
1670a、1670b‧‧‧連接部件
1680‧‧‧掛置單元
1700、1800‧‧‧基板處理裝置
1725‧‧‧掛置部
C‧‧‧(基板的)儲運盒
S‧‧‧基板
T‧‧‧托盤
圖1是本發明一實施例有關的基板處理裝置的佈置圖。
圖2是圖1的載入/卸載單元的平面佈置圖。
圖3是用於說明圖2的儲運盒載入傳送部的示意圖。
圖4a是用於說明圖2的基板搬入部的示意圖。
圖4b是按步驟說明在基板搬入部中基板搬移過程的示意圖。
圖5是用於說明第一基板搬運機械手的結構的示意圖。
圖6a至6e是按步驟表示從下層的搬運單元向上層的搬運單元移動托盤的示意圖。
圖7a是圖1的工藝單元的側剖視圖。
圖7b是圖1的工藝單元的平剖視圖。
圖7c是圖1的載入模組和卸載模組的佈置圖。
圖8是表示圖7a的驅動軸的立體圖。
圖9是用於說明圖7a的第一驅動部件的動作過程的示意圖。
圖10是表示卸載單元的結構的示意圖。
圖11是表示圖10的移送部件的結構的示意圖。
圖12是圖7a的噴射頭的剖視圖。
圖13是圖7a的導流板的俯視圖。
圖14a是圖7a的處理室的下部壁的俯視圖。
圖14b是沿圖14a的B-B′線的剖視圖。
圖15是本發明的另一實施例有關的基板處理裝置的佈置圖。
圖16a是圖15的基板處理裝置的另一實施例有關的佈置圖。
圖16b是圖16a的基板處理裝置的平面佈置圖。
圖16c是表示圖16a的掛置單元的立體圖。
圖16d是表示圖16a的掛置單元的另一實施例的立體圖。
圖17a是圖16a的基板處理裝置的另一實施例有關的 佈置圖。
圖17b是圖17a的基板處理裝置的平面佈置圖。
圖18a至圖18b是圖16a的基板處理裝置的又另一實施例有關的佈置圖。
本發明的載入/卸載裝置的變形例的俯視圖。
1、1500、1600、1700、1800‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧載入/卸載單元
11a‧‧‧滾軸
11b‧‧‧旋轉軸
13a‧‧‧滾軸
13b‧‧‧旋轉軸
20‧‧‧樣品載入單元
20a‧‧‧第一處理空間
20b‧‧‧第二處理空間
21‧‧‧第一移送模組
23‧‧‧第二移送模組
24a、24b‧‧‧加熱器
25a、25b‧‧‧閘門閥
30‧‧‧工藝單元
35a、35b‧‧‧閘門閥
110‧‧‧上層傳送帶
120‧‧‧下層傳送帶
600‧‧‧托盤搬運部
610、620‧‧‧搬運單元
900‧‧‧支援單元
1000‧‧‧載入模組
1100‧‧‧卸載模組
1200‧‧‧噴射頭
C‧‧‧(基板的)儲運盒
S‧‧‧基板
T‧‧‧托盤

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置,其特徵在於包括:載入/卸載單元;工藝單元,進行基板處理工藝;樣品載入單元,配置在上述載入/卸載單元和上述工藝單元之間;搬運部件,在上述工藝單元和上述樣品載入單元之間移送基板;起吊單元,設於上述載入/卸載單元、上述樣品載入單元或上述工藝單元的上側;框架部,用於支撐上述起吊單元;以及驅動部,安裝在上述框架部上,用於驅動上述起吊單元;其中,上述起吊單元用於上述載入/卸載單元、上述樣品載入單元或上述工藝單元的維護;其中,上述搬運部件設於上述工藝單元和上述樣品載入單元內,而且,依次配置上述載入/卸載單元、上述樣品載入單元以及上述工藝單元;其中,上述搬運部件包括第一移送單元,分別在上述樣品載入單元和上述工藝單元內以相同高度設置,以及第二移送單元,分別在上述樣品載入單元和上述工藝單元內以相同高度設置,並且位於比上述第一移送單元低的位置;其中,上述第一移送單元包括第一移送模組,設於上述樣品載入單元的第一處理空間內,以及載入模組,設於上述工藝單元內,以與上述第一移送模組相同的高度設置;且上述第二移送單元包括第二移送模組,設於上述樣品載入單元的第二處理空間內,以及卸載模組,設於上述工藝 單元內,以與上述第二移送模組相同的高度設置;其中,上述載入模組包括第一移送部件,以與上述第一移送模組相同的高度設置,以及第一驅動部件,向上述第一移送部件提供驅動力;且上述卸載模組包括第二移送部件,以與上述第二移送模組相同的高度設置,以及第二驅動部件,向上述第二移送部件提供驅動力;其中,上述第一移送部件包括:驅動軸,貫通上述工藝單元的處理室的一側壁;搬運輥,設於上述驅動軸的一端,並支撐載入到上述處理室內部的上述基板的下側;從動帶輪,設於上述驅動軸的另一端;以及密封機構,設置成與上述處理室的上述一側壁的外側面緊密結合,可使上述驅動軸插入並旋轉,或者沿軸向移動;上述密封機構在其內側面上設有磁性體,在上述磁性體和上述驅動軸的外側面之間設有磁性流體,上述磁性流體通過由上述磁性體產生的磁力產生磁感應,從而密封上述磁性體與上述驅動軸之間的空間;其中,上述第一驅動部件包括:動力傳遞軸;驅動器,設於上述動力傳遞軸的一端,提供旋轉力;驅動帶輪,設於上述動力傳遞軸的另一端;上述從動帶輪和上述驅動帶輪與上述動力傳遞軸連接,將由上述第一驅動部件產生的驅動力傳遞給上述第一移送部件;其中,上述第二移送部件包括: 驅動軸,貫通上述工藝單元的處理室的一側面;搬運輥,設於上述驅動軸的一端,並支撐向上述處理室外部卸載的上述基板的下側;以及從動帶輪,設於上述驅動軸的另一端;其中,上述第二驅動部件包括:驅動軸;驅動器,設於上述驅動軸的一端,提供旋轉力;以及驅動帶輪,設於上述驅動軸的另一端;上述從動帶輪和上述驅動帶輪與上述驅動軸連接,將由上述第二驅動部件產生的驅動力傳遞給上述第二移送部件。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述第一處理空間和上述第二處理空間在上述樣品載入單元內被劃分為上下部分。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述第一移送部件還包括:驅動板,配置在上述從動帶輪與上述密封機構之間;軸承部件,設於上述驅動板上,可旋轉地支撐上述驅動軸;以及驅動部,使上述驅動板向水平方向移動。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置,其中上述第一驅動部件還包括:旋轉軸,與上述驅動器結合;連接軸,用於連接上述旋轉軸與上述動力傳遞軸;支持板,上述連接軸可旋轉地插入;以及驅動部,使上述驅動板向水平方向移動。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中上述樣品載入單元還包括:分隔壁,分隔上述第一處理空間和上述第二處理空間。
  6. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其中上述樣品載入單元還包括:第一加熱器,在上述樣品載入單元的內部配置在上述第一移送模組的上側;第二加熱器,配置在上述第一移送模組和上述第二移送模組之間。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述工藝單元包括:第一工藝單元,對上述基板上實施第一工藝;第二工藝單元,與上述第一工藝單元鄰接地配置,對上述基板實施第二工藝;依次配置上述第一工藝單元和上述第二工藝單元。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述載入/卸載單元包括:托盤搬運部,搬運載入/卸載了上述基板的托盤;基板載入傳送部,成一列地排列要供給上述托盤的上述基板;基板卸載傳送部,成一列地排列要從上述托盤卸載的上述基板;第一基板搬運機械手,拾取在上述基板載入傳送部待機中的上述基板,並搬運到位於上述托盤搬運部上的上述托盤上;以及第二基板搬運機械手,從位於上述托盤搬運部的上述托盤 上拾取上述基板,並搬運到上述基板卸載傳送部。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置,其中上述基板載入傳送部和上述基板卸載傳送部相對稱地配置在上述托盤搬運部的兩側。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置,其中上述載入/卸載單元還包括:儲運盒載入傳送部,其包括上層傳送帶和下層傳送帶,在上述上層傳送帶上放置收納有要向上述基板載入傳送部搬出的上述基板的儲運盒,在上述下層傳送帶上放置已經將上述基板搬出到上述基板載入傳送部的上述儲運盒。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置,其中上述第一基板搬運機械手包括:一對移送導軌,設置在上述托盤搬運部上部的兩側;移動框架,設置成可沿著移送導軌向一方向移動;以及吸盤單元,設置在上述移動框架上。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置,其中上述吸盤單元包括:伯努利吸盤,以非接觸狀態固持基板的上面;支撐框架,設有上述伯努利吸盤;以及升降驅動部,使上述支撐框架上下移動。
  13. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置,其中上述載入/卸載單元還包括:上述儲運盒載入傳送部;基板搬出部;設於上述基板載入傳送部之間,將上述基板從上述儲運盒載入傳送部傳送給上述基板載入傳送部; 上述基板搬出部包括:底板;末端執行器,設置在上述底板上,並向上述基板的傳送方向前進或後退;以及基板移位元模組,設置在上述底板上,將通過上述末端執行器移送的上述基板傳送給上述基板載入傳送部的傳送帶。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置,其中在上述末端執行器的一端設有吸附上述基板的真空吸附部。
  15. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置,其中上述托盤搬運部包括:上層搬運輥部,與上述托盤的搬運方向平行地隔著間距配置,用於搬運被搬入上述樣品載入單元的托盤;下層搬運輥部,與上述托盤的搬運方向平行地隔著間距配置,且配置在上述上層搬運輥部的下部,用於搬運從上述樣品載入單元搬出的托盤;開放驅動部,用於向水平方向移動上述上層搬運輥部;以及托盤升降部,使放置在上述下層搬運輥部上的托盤上升到上側。
  16. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中上述框架部包括:第一框架部,在上述載入/卸載單元的上側配置;第二框架部,在上述樣品載入單元的上側配置;第三框架部,在上述工藝單元的上側配置;第四框架部,與上述第二框架部鄰接地配置;以及 掛置部,設於上述第一框架部或上述第二框架部中的一個上,用於掛置開閉上述工藝單元的工藝單元蓋、或者開閉上述樣品載入單元的樣品載入單元蓋中的任一個。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置,其中在上述第四框架部的內側還配置有掛置單元,用於掛置上述工藝單元蓋、上述樣品載入單元蓋、或者從上述工藝單元脫離的支援單元。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置,其中上述掛置單元包括:主體部;孔,從上述主體部的上面向下側形成;以及移動單元,與上述主體部的下面結合。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板處理裝置,其中上述主體部包括:上面框架,在下側接觸上述支援單元進行支撐;側面框架,從上述上面框架的邊緣向下側垂直延伸;以及下面框架,與上述上面框架平行地設在上述側面框架的下側末端上。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103459664B (zh) * 2011-03-25 2015-10-07 Lg电子株式会社 等离子体增强式化学气相沉积设备及其控制方法
US20140154832A1 (en) * 2011-07-26 2014-06-05 Shogo Okita Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN102969258B (zh) * 2011-08-31 2016-01-20 细美事有限公司 基板处理设备及基板传送方法
TWI512139B (zh) * 2011-09-16 2015-12-11 Kern Energy Entpr Co Ltd 薄膜製程設備及其製作流程
TWI495757B (zh) * 2011-09-16 2015-08-11 Kern Energy Entpr Co Ltd 薄膜製程設備及其製作流程
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
CN103219261A (zh) * 2012-01-21 2013-07-24 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及基板处理方法
KR101419515B1 (ko) * 2012-09-24 2014-07-15 피에스케이 주식회사 배플 및 배플의 표면처리장치, 그리고 기판 처리 장치 및 표면 처리 방법
WO2014084228A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 株式会社ニコン 吸引装置、搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101507557B1 (ko) * 2013-04-25 2015-04-07 주식회사 엔씨디 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
KR102043632B1 (ko) * 2013-05-16 2019-11-13 (주)테크윙 반도체소자 테스트용 핸들러의 트레이 적재장치
CN104752636B (zh) * 2013-12-30 2017-08-15 Sfa工程股份有限公司 用于附着玻璃与掩模的设备及方法、以及用于装载基板的系统及方法
TWI732285B (zh) 2015-01-23 2021-07-01 美商應用材料股份有限公司 半導體處理設備
CN106148944B (zh) * 2015-04-17 2018-07-31 中国科学院沈阳自动化研究所 一种大型钛合金零件激光修复装备
CN104891219A (zh) * 2015-04-30 2015-09-09 新奥光伏能源有限公司 一种布片设备
DE102016104863B4 (de) * 2016-03-16 2023-11-02 Lisa Dräxlmaier GmbH Vorrichtung zum Bedampfen eines Bauteils
CN105752687A (zh) * 2016-04-26 2016-07-13 东旭(昆山)显示材料有限公司 传送装置和加工系统
JP6598988B2 (ja) * 2016-04-26 2019-10-30 東芝三菱電機産業システム株式会社 成膜装置
CA3024115C (en) 2016-05-20 2023-08-29 Outotec (Finland) Oy System for treating water
CN107658366A (zh) * 2016-07-26 2018-02-02 福建钧石能源有限公司 一种异质结电池的镀膜方法及pvd载板和镀膜装置
KR102173658B1 (ko) * 2016-11-30 2020-11-03 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템
CN106743658B (zh) * 2017-03-11 2019-04-12 南京晟德自动化设备有限公司 显示屏的翻转机
CN109423626B (zh) * 2017-08-30 2021-07-09 胜高股份有限公司 成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法
US10901328B2 (en) * 2018-09-28 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Method for fast loading substrates in a flat panel tool
CN112840447A (zh) 2018-10-04 2021-05-25 应用材料公司 运输系统
CN112575316B (zh) * 2020-02-10 2023-04-11 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种pecvd镀膜机
US11521870B2 (en) 2020-07-08 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Annealing chamber
JP7465855B2 (ja) * 2021-09-27 2024-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 加熱処理装置、搬入搬出治具、および有機膜の形成方法
CN114005768A (zh) * 2021-10-29 2022-02-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备、托盘及片盒
CN114460811B (zh) * 2022-01-25 2024-09-06 浙江光特科技有限公司 一种用于晶圆光刻胶烘干处理的设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200504476A (en) * 2003-06-06 2005-02-01 Semitool Inc Integrated tool with interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces and automated calibration systems
TWI279624B (en) * 2004-09-21 2007-04-21 Mirae Corp System for producing upper plates of flat fluorescent lamps
TW200951239A (en) * 2008-06-09 2009-12-16 Applied Materials Inc Coating system and method for coating a substrate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI232509B (en) * 2001-07-25 2005-05-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
CN1996553A (zh) * 2001-08-31 2007-07-11 阿赛斯特技术公司 用于半导体材料处理系统的一体化机架
CN1293621C (zh) * 2002-05-23 2007-01-03 安内华株式会社 基板处理装置及处理方法
JP4581602B2 (ja) 2004-09-29 2010-11-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
KR101177561B1 (ko) * 2004-12-06 2012-08-28 주식회사 케이씨텍 기판 이송 장치용 샤프트
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US20060251499A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Lunday Andrew P Linear substrate delivery system with intermediate carousel
US7771151B2 (en) * 2005-05-16 2010-08-10 Muratec Automation Co., Ltd. Interface between conveyor and semiconductor process tool load port
KR20080100057A (ko) 2007-05-11 2008-11-14 주성엔지니어링(주) 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법과 그 제조장치 및시스템
WO2010064493A1 (ja) 2008-12-03 2010-06-10 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置、磁気抵抗素子の製造装置、磁性薄膜の成膜方法及び成膜制御プログラム
KR101106153B1 (ko) 2009-06-10 2012-01-20 주식회사 에스에프에이 박막 태양전지 제조용 플라즈마 처리장치
KR101071344B1 (ko) 2009-07-22 2011-10-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200504476A (en) * 2003-06-06 2005-02-01 Semitool Inc Integrated tool with interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces and automated calibration systems
TWI279624B (en) * 2004-09-21 2007-04-21 Mirae Corp System for producing upper plates of flat fluorescent lamps
TW200951239A (en) * 2008-06-09 2009-12-16 Applied Materials Inc Coating system and method for coating a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN102286728A (zh) 2011-12-21
CN102286728B (zh) 2014-01-15
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US20110312189A1 (en) 2011-12-22
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