CN103219261A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及基板处理装置，更详细说是涉及一种在基板的表面执行蒸镀工序等工序处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明旨在达到如上所述的本发明的目的而提出，本发明中公开有基板处理装置，其特征在于，包括：真空交换腔室，具备第一传送部和第二传送部，第一传送部接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板的托盘，第二传送部排出搭载有完成工序处理的基板的托盘；工序腔室，具备导入传送部、排出传送部以及托盘支撑部，导入传送部从上述第一传送部接收托盘，排出传送部向上述第二传送部传送托盘，托盘支撑部安置由上述导入传送部导入的托盘，以进行工序处理，并进行垂直移动，以将完成工序处理的托盘传送到上述排出传送部。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置，更详细说是涉及一种在基板的表面执行蒸镀工序等工序处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
半导体、LCD面板用的玻璃基板、太阳能电池等对基板执行蒸镀、蚀刻等工序处理工序进行制造。其中，蒸镀工序指的是使用化学气相沉积(PECVD)方法等，在基板的表面形成薄膜的工序。
另外，蒸镀工序等执行工序处理的基板处理系统由基板装载模块、装载锁定模块、工序腔室、卸载锁定模块及基板卸载模块构成，根据模块的配置有各模块依次进行配置的串列式(inline type)，以及以输送模块为中心配置装载锁定/卸载锁定模块和多个工序腔室的串簇式(cluster type)。
此外，制造太阳能电池的基板处理系统一般以串列式进行配置。即，在基板交换部中搭载多个太阳能电池用的基板的托盘(tray)依次通过装载锁定模块-＞工序腔室-＞卸载锁定模块，完成工序处理的托盘为了从托盘卸载基板，再传送到设置于装载锁定模块的前端的基板交换部。
但是，在现有技术的太阳能电池制造用的串列式基板处理系统中，由于在基板交换部中依次设置装载锁定模块、工序模块及卸载锁定模块，所以不仅存在系统整体占用的面积变大，并且存在制造费用及设置费用随之显著地增加的问题。
另外，在为了工序而在工序模块中导入或排出托盘的过程中，由于需要单独地具备传送部和门阀等装置，存在有系统整体的制造费用及设置费用显著地增加，并且由于在工序模块内部空间需要设置各种装置，因此工序处理的效率性降低的问题。
因此，在基板处理系统中，要求开发出能够减少用于设置的面积及费用，并且提高工序处理和传送过程的准确性的各种方案。
发明内容
本发明的目的在于，考虑到上述那样的必要性及问题性，提供一种通过显著地减小用于设置基板处理系统的空间，能够减少整体上的制造费用的串列式的基板处理系统及基板处理方法。
本发明的另一目的在于提供一种通过更加简化基板处理系统，而能够减少制造费用的同时，显著地减小设置空间并提高工序处理的效率的串列式的基板处理系统及基板处理方法。
为了达到上述目的，本发明中的基板处理装置，其特征在于，包括：真空交换腔室，具备接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板的托盘的第一传送部，以及排出搭载有完成工序处理的基板的托盘的第二传送部；工序腔室，具备从上述第一传送部接收托盘的导入传送部，向上述第二传送部传送托盘的排出传送部，以及安置由上述导入传送部导入的托盘以进行工序处理，并进行垂直移动以将完成工序处理的托盘传送到上述排出传送部的托盘支撑部。
上述真空交换腔室包括：装载锁定部，配置有上述第一传送部；卸载锁定部，配置有上述第二传送部；第一门及第二门，分别形成于上述装载锁定部和上述卸载锁定部，通过上述门阀进行开闭。
上述工序腔室包括：导入门，与上述第一门连通并导入托盘；排出门，与上述第二门连通并排出托盘；上述门阀由开闭上述导入门的第一阀，以及开闭上述排出门的第二阀构成。
上述工序腔室包括：工序门，与上述第一门及第二门连通，并导入或排出托盘；上述门阀同时开闭上述第一门、上述第二门及上述工序门。
上述工序门的高度实质上对应于上述第一门的上端部和上述第二门的下端部之间的高度。
上述工序腔室包括：导入门，与上述第一门连通并导入托盘；排出门，与上述第二门连通并排出托盘；上述门阀同时开闭上述第一门、上述第二门及上述工序门。
上述装载锁定部及上述卸载锁定部相互隔开地形成。
上述装载锁定部包括加热部，用于加热搭载于托盘的基板。
上述卸载锁定部包括冷却部，用于冷却搭载于托盘的基板。
上述导入传送部向水平方向进行移动，以使在由上述托盘支撑部的托盘下降时，其移动不受到干涉。
另外，本发明中的基板处理方法，其特征在于，包括：通过门阀开放工序腔室的工序门的步骤；托盘从真空交换腔室的第一传送部传送到工序腔室的导入传送部的步骤；封闭上述工序门的步骤；托盘支撑部上升并在上表面安置托盘的步骤；搭载于托盘的基板被进行工序处理的步骤；在完成工序处理后，上述托盘支撑部下降并将托盘传送给上述排出传送部的步骤；通过上述门阀再次开放工序门的步骤；从上述排出传送部向上述第二传送部传送托盘的步骤。
在上述工序门开放的步骤和上述工序门再次开放的步骤中，上述真空交换腔室的第一门及第二门与上述工序门同时开放。
在从上述第一传送部向上述导入传送部传送托盘的步骤中，完成工序处理的另一托盘从上述排出传送部传送到上述第二传送部。
根据本发明中的基板处理系统及基板处理方法，将真空交换腔室由向工序腔室传送托盘的装载锁定部及向基板交换部传送托盘的卸载锁定部构成，为了与装载锁定部及卸载锁定部的托盘交换，将工序腔室构成为升降托盘，从而减少构成基板处理系统的模块的个数，具有能够减少制造费用的同时，显著地减小设置空间并提高工序处理速度的优点。
并且，根据本发明中的基板处理系统及基板处理方法，单一地具备有用于开闭工序腔室的工序门和门阀，而能够与真空交换腔室交换托盘，因此具有简化工序腔室的构成的优点。
并且，由于托盘支撑部在工序腔室内部可进行上下移动，因此具有能够调整进行工序处理的高度的优点。
附图说明
图1是表示根据本发明的一实施例的基板处理装置的侧剖面图。
图2是表示根据本发明的另一实施例的基板处理装置的侧剖面图。
图3a至图3c是表示图2的基板处理装置的基板处理过程的侧剖面图。
图4是表示图2的基板处理装置的工序腔室的正剖面图。
图5a及图5b是表示本发明的基板处理装置的真空交换腔室的侧剖面图。
附图标记的说明
100：基板交换部 200：真空交换腔室
300：工序腔室
具体实施方式
以下，参照附图对根据本发明的基板处理装置及基板处理方法进行详细的说明。
图1是表示根据本发明的一实施例的基板处理装置的侧剖面图，图2是表示根据本发明的另一实施例的基板处理装置的侧剖面图，图3a至图3c是表示图2的基板处理装置的基板处理过程的侧剖面图，图4是表示图2的基板处理装置的正剖面图，图5a及图5b是表示本发明的基板处理装置的真空交换腔室的侧剖面图。
根据本发明中的基板处理装置是各腔室或模块依次进行配置的串列(inline)式，如图所示，构成为包括真空交换腔室200及工序腔室300。
上述真空交换腔室200构成为，从后述的基板交换部100接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板10的托盘20，并将搭载有完成工序处理的基板10的托盘20排出到基板交换部100，其可以由各种构成实现。
根据本发明的优选实施例的基板处理装置构成为，包括：真空交换腔室200，具备第一传送部210和第二传送部220，第一传送部210接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板10的托盘20，第二传送部220排出搭载有完成工序处理的基板10的托盘20；工序腔室300，具备从上述第一传送部210接收托盘20的导入传送部330，向上述第二传送部220传送托盘20的排出传送部340，以及安置由上述导入传送部330导入的托盘20以进行工序处理，并进行垂直移动以将完成工序处理的托盘20传送到上述排出传送部340的托盘支撑部350。
上述真空交换腔室200由从基板交换部100接收托盘20并传送给工序腔室300，从工序腔室300接收托盘20并传送给基板交换部100的装载锁定部201和卸载锁定部202构成。上述真空交换腔室200可以由各种构成实现，例如由密闭的一个腔室等一个结构物或是另外地构成的两个腔室等相互分离的结构物构成。
另外，在上述真空交换腔室200由一个腔室构成的情况下，装载锁定部201和卸载锁定部202由隔壁(未图示附图标记)上下分离而隔开地形成，其中，包括：第一门215及第二门216，分别形成于上述装载锁定部201和上述卸载锁定部202，并通过配置于上述真空交换腔室200和上述工序腔室300之间的门阀进行开闭。
以下，上述门阀定义为，配置于真空交换腔室200和工序腔室300之间的各种形态的单一的阀或多个阀的统称并进行使用。
其中，上述真空交换腔室200的内部的空间密闭，为了与基板交换部100及工序腔室300的托盘20交换，与真空泵(未图示)连接，使之可进行大气压及真空压状态的压力变换。
并且，在上述真空交换腔室200的前后方形成有门215、216、217、218，上述门215、216、217、218由用于密闭真空交换腔室200的内部的阀241、242、243、244进行开闭。
上述门215、216、217、218由一种开口构成，以使真空交换腔室200与基板交换部100和工序腔室300连通，图1中图示出在装载锁定部201和卸载锁定部202的前后方分别形成有第一门215及第三门217和第二门216及第四门218的例。
上述阀可以配置为分别开闭一个门，也可以配置为同时开闭两个以上的门，图1中图示出在装载锁定部201和卸载锁定部202的前后方分别配置有第一阀241及第三阀243和第二阀242及第四阀244的例。
另外，上述真空交换腔室200构成为，在向执行工序处理的工序腔室200传送托盘20之前执行预热等的前处理工序，或是执行从工序腔室200接收托盘20并进行冷却等的后处理工序。
例如，进一步设置有：加热部(未图示)，在上述装载锁定工序时，对搭载于托盘20的基板10进行加热；冷却部(未图示)，在卸载锁定工序时，对搭载于托盘20的基板10进行冷却。
其中，上述真空交换腔室200在内部空间的上下部执行加热及冷却等相互不同的工序，为了防止相互构成影响，由隔壁(未图示附图标记)等相互进行隔开。
另外，上述真空交换腔室200中设置的加热部或冷却部构成为，向托盘20由面接触直接传递热或是隔开间隔而由辐射等传递热，加热部由鞘加热器(sheath heater)、卤素加热器等根据加热温度、加热环境等构成各种形式。
并且，上述真空交换腔室200以各种形态构成用于支撑托盘20的结构，并且，由多个滚轮及用于驱动滚轮的驱动装置等用于传送托盘20的结构或各种形态构成。
上述真空交换腔室200构成为，包括：第一传送部210，接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板10的托盘20；第二传送部220，排出搭载有完成工序处理的基板的托盘。
其中，用于驱动上述滚轮的驱动装置由各种构成实现。
另外，上述基板交换部100构成为，与真空交换腔室200连接，而将要执行工序处理的一个以上的基板10装载于托盘20，并向真空交换腔室200传送托盘20，从真空交换腔室200接收托盘20，从而卸载完成工序处理的一个以上的基板10，其可以由各种构成实现。
上述基板交换部100根据基板10的传送方式可以有各种构成实现，在基板10搭载于托盘20并传送的情况下，构成为包括：基板搭载装置(未图示)，其从搭载有多个基板10的盒(cassette)(未图示)提取出基板10，并为了在托盘20上装载一个以上的基板10而进行设置。
其中，托盘20是用于搭载一个以上，优选为搭载多个基板10并一次性地进行传送的构成，其根据设计及外观可以由各种构成实现，只要是不影响基板10的蒸镀工序等工序处理的材质，其可以由任何材质及结构实现。
例如，上述托盘20由石墨(graphite)、石英等非金属，铝、铝合金等金属中的至少任意一个制造，其形状可以具有矩形等各种形状。
另外，上述基板10可以为半导体基板、LCD板用玻璃基板、太阳能电池用基板等，其形状可以为矩形、圆形等各种形状。
另一方面，上述托盘20在后述的各模块中由各种方法进行传送。例如，如图1所示，上述托盘20在各模块100、200、300之间，由设置于各模块100、200、300的滚轮、传送带等传送部130、140、210、220、330、340进行传送。
上述工序腔室300是用于执行蒸镀工序等工序处理的模块，根据工序处理而可以由各种构成实现，如图1所示，构成为从真空交换腔室200接收搭载有基板10的托盘20，对托盘20中搭载的基板10执行工序处理，在完成工序处理后，将托盘20向下侧方向移动并传送到真空交换腔室200，其可以由各种构成实现。
上述工序腔室300为了从上述真空交换腔室200导入托盘20，具备有：导入传送部330，配置于与上述第一传送部210对应的位置并接收托盘20；排出传送部340，配置于与上述第二传送部220对应的位置并传送托盘20。
并且，上述工序腔室300具备有：托盘支撑部350，为了工序处理而进行上升，以使在上表面安置托盘20，在完成工序处理后进行下降，以将托盘20传送到上述第三传送部320。
上述工序腔室310是用于形成执行蒸镀工序等工序处理的处理空间的构成，其可以由各种构成实现，构成为包括：腔室主体312，其上侧开放；上部盖(lid)311，与腔室主体312可拆装地进行结合。
上述腔室主体312具有上侧开放的饭碗形态，形成有基板10可进行出入的门。图1的一实施例中图示出在长方形的腔室主体312中，在腔室主体312的一侧沿着上下形成有一对导入门315和排出门316的例，上述门315、316分别由第一阀241和第二阀242进行开闭。
上述第一阀241和第二阀242单独地开闭上述门315、316，但也可以相互同步并同时进行开闭动作。
上述上部盖311是夹装密封部件(sealing ring)(未图示)并结合于腔室主体312的上侧，用于形成密闭的处理空间的构成，具有平板(plate)或下侧开放的饭碗形态。
上述工序腔室310根据工序处理而可以由各种构成实现，设置有用于气体喷射的喷射头部370，用于工序腔室310的压力调节及排气的排气管，用于调节托盘20上的基板10的温度的温度控制部等用于工序处理的各种构成。
并且，考虑到根据用于上述托盘支撑部350的驱动的部件的安装而对处理工序构成的影响，设置有用于导向从喷射头部370喷射的气体的导向部件(未图示)，以托盘支撑部350为基准，用于防止向下侧流入等离子、处理气体等的折流板(baffle)等各种构成。
例如，上述工序腔室310如图所示，为了工序处理而喷射气体的喷射头部370设置于工序腔室310的上侧。
上述喷射头部370是为了执行工序处理而设置于处理空间的上侧，从气体供给部(未图示)供给到气体并用于向处理空间供给的构成，根据工序及气体供给方式，可以由各种构成实现。
上述托盘支撑部350是为了顺畅地执行蒸镀工序而用于支撑托盘20的构成，根据设计条件及工序条件，可以由各种构成实现。
上述托盘支撑部350只要是能够支撑托盘20的构成，其可以由任何构成实现，根据处理工序而设置有加热或冷却基板10等用于温度调节的加热器等温度调节部，用于后述的电源接入的电极等各种构成。
并且，上述托盘支撑部350由面接触进行支撑，以在上表面安置托盘20执行工序处理，或是从导入传送部330隔开，或是传送给排出传送部340，但是并非必须要限定于此，其可以与托盘20的底面保持间隔地支撑托盘20。
并且，上述托盘支撑部350可以为一个或多个。
上述工序腔室300构成为，为了执行工序处理而向工序腔室300接入电源，在此情况下，根据其电源接入方式而可以由各种构成实现，作为一例，在喷射头部370接入一个以上的RF电源，一个以上的LF电源等而构成上部电源，通过将托盘支撑部350进行接地而构成下部电源。
另外，上述工序腔室300为了清洗而执行清洗工序，以对由于执行反复的工序处理而在工序腔室310的内壁中沉积的沉积物进行去除等，清洗工序通过将由RPG发生器((Remote Plasma Generator，遥远等离子发生器)(未图示)发生的遥远等离子通过喷射头部370喷射到处理空间来执行。
另外，为了上下移动上述托盘支撑部350而具备有升降驱动部351，上述升降驱动部351是在支撑托盘20的状态下向上下进行移动的构成，其可以由作为线性移动装置的螺旋起重机(screwjack)、油压气缸等各种构成实现。
其中，上述升降驱动部351构成为，在托盘20由导入传送部330导入到工序腔室300内时，使托盘20位于用于工序处理的高度，在排出托盘20时，将托盘20传送给排出传送部340。
上述升降驱动部351只要在工序腔室300中不妨碍托盘支撑部350的传送，且对工序处理过程不构成影响，其配置及结合关系可以选择性地实现。
另外，图2中表示根据本发明的又一实施例的基板处理装置，用于将工序腔室300与真空交换腔室200连通的开口作为工序门317单一地构成，用于开闭上述工序门317的阀也作为门阀245单独地构成。
由此，上述门阀245向一侧一同开闭用于连通装载锁定部201的第一门215和用于连通卸载锁定部202的第二门216的同时，向另一侧开闭用于连通工序腔室300的工序门317。
优选地，上述工序门317的高度实质上对应于上述第一门215的上端部和上述第二门216的下端部之间的距离。
与图1的实施例不同，在根据本发明的又一实施例的概念而分别单一地形成工序门317和门阀245的情况下，具有简化整体上的装备，并更加提高工序腔室300的空间效率性的优点。
应当留意的是，根据本发明的概念的单一地具备工序门317和门阀245，并通过上述工序门317同时出入托盘20的构成，与在上述工序腔室300中配置两层导入传送部330和排出传送部340，并使托盘20与由托盘支撑部350进行升降的构成进行结合，从而由简单的结构作为使托盘同时出入的连通路，能够提高工序处理的效率性。
另外，工序腔室300如图1所示具备有两个门315、316，用于开闭该门315、316的阀如图2所示由单一的阀245构成，从而通过上述阀245一同开闭真空交换腔室200的两个门215、216和工序腔室300的两个门315、316。
以下，基于图3a至图3c对在工序腔室300内工序处理基板10的过程进行更加详细的说明。
本发明中的基板处理方法包括：通过门阀245开放工序腔室300的工序门317的步骤；托盘20从真空交换腔室200的第一传送部210传送到工序腔室300的导入传送部330的步骤；封闭上述工序门317的步骤；托盘支撑部350上升并在上表面安置托盘20的步骤；搭载于托盘20的基板10被工序处理的步骤；在完成工序处理后，上述托盘支撑部350下降并将托盘20传送给上述排出传送部340的步骤；通过上述门阀245再次开放工序门317的步骤；托盘20从上述排出传送部340传送到上述第二传送部220的步骤。
如图3a所示，首先，在托盘20从基板交换部100导入到第一传送部210并待机时，在工序腔室300内部完成工序处理的另一托盘21传送到排出传送部340并待机。
此外，由单一的门阀245同时开放第一门215及第二门216和工序门317，如图3b所示，托盘20从装载锁定部201的第一传送部210传送到导入传送部330。
与此同时，另一托盘21从排出传送部340传送到卸载锁定部202的第二传送部220。
图3c中表示工序腔室300内的托盘20被进行工序处理的状态，当托盘20安置于导入传送部330时，托盘支撑部350为了工序处理而上升，并在上表面安置托盘20。
在上述托盘20安置在托盘支撑部350的过程中，上述第三传送部320为使离子的分布和流动均匀而优选地隔开所定间隔，按照上述概念，托盘支撑部350将托盘20从导入传送部330隔开。
在基板10的工序处理过程中，配置于真空交换腔室200的另一托盘21传送到基板交换部100，同时，又一托盘22导入到真空交换腔室200。
此时，门阀245封闭并维持工序腔室300的真空，并且第三阀243及第四阀244开放，使基板交换部100和真空交换腔室200相互进行连通。
上述基板交换部100和真空交换腔室200为了相互连通而分别具备有门，上述门的个数和配置根据选择而多样地实现。
并且，用于开闭上述基板交换部100和真空交换腔室200之间的连通的阀，如图所示由两个构成，也可以与上述工序腔室300的情况相同地由一个构成。
另外，当完成对托盘20的基板10的工序处理时，排出的过程与图3a中的说明相同，故在此将省略。
但是，存在有搭载完成工序处理的基板10的托盘20在由托盘支撑部350下降的过程中，由导入传送部330发生干涉的可能性。
图4中图示出能够消除该导入传送部330的干涉的工序腔室300的例，为了消除在托盘支撑部350由上述升降驱动部351下降的过程中，由导入传送部330妨碍至排出传送部340的移动的忧虑，导入传送部330在托盘支撑部350的下降过程中，向水平方向移动，优选地向前后方移动，从而开放托盘支撑部350的移动路径。
作为水平移动上述导入传送部330的构成，可以使用各种线形移动手段。
另外，在上述基板处理装置中搭载基板10的托盘20在反复的基板处理过程中沉积有副产物，从而需要进行去除该副产物等维修或替换。
因此，上述基板处理装置为了托盘20的维修或替换，需要构成为能够向外部取出托盘20，作为一例，上述卸载锁定部202的底面部构成为可以从卸载锁定部202的主体拆卸，特别是，真空交换腔室200如图5a及图5b所示构成为，在其下部空间进一步包括用于升降卸载锁定部202的底面部227的底面升降部228，以使为了托盘20的维修或交替而向外部取出托盘20。
其中，上述卸载锁定部202的底面部227在真空交换腔室200的下侧，以夹装有密封部件(sealing ring)的状态能够拆卸的进行结合。
此外，为了位于由上述底面升降部228下降的底面部227上的托盘20的传送，如图5b所示，在基板交换模块100或工序模块300的下侧，设置有卸载锁定部202的底面部227在由底面升降部228下降后，能够接收托盘20的移动路径(未图示)。
上述移动路径只要是滚轮、传送带等能够传送托盘20的构成，其可以由任何构成实现。
并且，在上述移动路径中进一步设置有用于清洗托盘20的上表面及底面中至少某一个的清洗模块(未图示)。
上述清洗模块只要是能够清洗托盘20的构成，如刷子等由与托盘20的上表面或底面进行摩擦而去除沉积物等，其可以由任何构成实现，由支撑工序腔室300的框架(未图示附图标记)等得到支撑并设置。
另外，在本发明的实施例中，各构成的大小及设计为了说明的便利而简单地或夸张地进行图示，其可以由本领域的技术人员进行各种变更及实施。
以上仅是对由本发明能够实现的优选实施例的一部分进行的说明，众所周知，本发明的范围不应当限定于以上的实施例进行解释，与以上说明的本发明的技术思想及其根源上一致的技术思想应当全部包含于本发明的范围。
Claims (13)
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
真空交换腔室，具备接收搭载有要执行工序处理的一个以上的基板的托盘的第一传送部，以及排出搭载有完成工序处理的基板的托盘的第二传送部；
工序腔室，具备从所述第一传送部接收托盘的导入传送部，向所述第二传送部传送托盘的排出传送部，以及将由所述导入传送部导入的托盘上升到进行工序处理的位置，使完成工序处理的托盘下降并传送到所述排出传送部的托盘支撑部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述真空交换腔室包括：
装载锁定部，配置有所述第一传送部；
卸载锁定部，配置有所述第二传送部；
第一门及第二门，分别形成于所述装载锁定部和所述卸载锁定部，通过配置于所述真空交换腔室和所述工序腔室之间的门阀进行开闭。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工序腔室包括：导入门，与所述第一门连通并导入托盘；排出门，与所述第二门连通并排出托盘；
所述门阀由开闭所述导入门的第一阀，以及开闭所述排出门的第二阀构成。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工序腔室包括：
工序门，与所述第一门及第二门连通，并导入或排出托盘；
所述门阀同时开闭所述第一门、所述第二门及所述工序门。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述工序门的高度实质上对应于所述第一门的上端部和所述第二门的下端部之间的高度。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工序腔室包括：
导入门，与所述第一门连通并导入托盘；排出门，与所述第二门连通并排出托盘；
所述门阀同时开闭所述第一门、所述第二门及所述工序门。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述装载锁定部及所述卸载锁定部相互隔开地形成。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述装载锁定部包括加热部，用于加热搭载于托盘的基板。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述卸载锁定部包括冷却部，用于冷却搭载于托盘的基板。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述导入传送部向水平方向进行移动，以使在由所述托盘支撑部的托盘下降时，其移动不受到干涉。
11.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
通过门阀开放工序腔室的工序门的步骤；
从真空交换腔室的第一传送部向工序腔室的导入传送部传送托盘的步骤；
封闭所述工序门的步骤；
托盘支撑部上升并在上表面安置托盘的步骤；
搭载于托盘的基板被进行工序处理的步骤；
在完成工序处理后，所述托盘支撑部下降并将托盘传送给所述排出传送部的步骤；
通过所述门阀再次开放工序门的步骤；
从所述排出传送部向所述第二传送部传送托盘的步骤。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，在所述工序门开放的步骤和所述工序门再次开放的步骤中，所述真空交换腔室的第一门及第二门与所述工序门同时开放。
13.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，在从所述第一传送部向所述导入传送部传送托盘的步骤中，完成工序处理的另一托盘从所述排出传送部传送到所述第二传送部。
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