KR20070078592A - 웨이퍼 연마 방법 - Google Patents

웨이퍼 연마 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070078592A
KR20070078592A KR1020060009002A KR20060009002A KR20070078592A KR 20070078592 A KR20070078592 A KR 20070078592A KR 1020060009002 A KR1020060009002 A KR 1020060009002A KR 20060009002 A KR20060009002 A KR 20060009002A KR 20070078592 A KR20070078592 A KR 20070078592A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
polishing
polished
grinder
inactive
Prior art date
Application number
KR1020060009002A
Other languages
English (en)
Inventor
유황복
신화수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060009002A priority Critical patent/KR20070078592A/ko
Publication of KR20070078592A publication Critical patent/KR20070078592A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 얇은 두께로 연마된 웨이퍼가 휘어지는 것을 최소화하기 위한 것이다. 본 발명은 활성면과 비활성면을 갖는 웨이퍼가 준비되는 단계 및 그라인더를 이용하여 웨이퍼의 가장자리에서 소정의 간격으로 지지부를 남기며 웨이퍼의 비활성면을 깎아내는 단계를 포함하는 웨이퍼 연마 방법을 제공한다.
이에 의하면, 웨이퍼의 비활성면을 연마하는 과정에서 웨이퍼 둘레 부분에 남겨진 지지부가 웨이퍼를 지지하기 때문에, 웨이퍼가 쉽게 휘어지는 것을 억제되므로 후속공정에서 웨이퍼를 용이하게 취급할 수 있다.
웨이퍼, 후면 연마, 척 테이블, 그라인더, 백랩

Description

웨이퍼 연마 방법{METHOD OF WAFER BACK LAPPING}
도 1은 본 발명의 실시예에 이용되는 웨이퍼 연마 장치를 개략적으로 나타내는 측면도.
도 2 및 도 3은 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마 방법을 설명하기 위한 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 웨이퍼 연마 장치 110 : 그라인더(grinder)
120 : 척 테이블(chuck table) 150 : 웨이퍼(wafer)
155 : 지지부 160 : 보호 테이프
본 발명은 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 얇은 두께로 연마된 웨이퍼가 휘어지는 것(warpage)을 최소화 할 수 있는 웨이퍼 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 웨이퍼 상에 반도체 소자의 특성에 따른 패턴(Pattern)을 형성시키는 패브리케이션(Fabrication) 공정과 웨이퍼 상에 형성시킨 패턴의 전기적 특성을 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting) 공정 및 웨이퍼 상의 각각의 칩 (Chip)을 분리하여 조립하는 어셈블리(Assembly) 공정 등을 수행함으로써 제조된다.
이러한 반도체 소자의 제조 공정은 어셈블리 공정의 수행에 앞서 일반적으로 웨이퍼의 두께를 줄이기 위하여 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼의 비활성면을 기계적으로 연마하여 두께를 감소시키는 웨이퍼 연마 공정을 거치게 되는데, 이 때 목표로 하는 웨이퍼의 최종 두께는 반도체 소자의 종류 또는 고객의 요구에 따라 달라지게 된다.
한편, 최근에 반도체 패키지가 점점 경박단소화됨에 따라, 반도체 패키지에 내장되는 반도체 칩도 소형화 및 박형화가 지속적으로 요구되고 있다. 이에 웨이퍼 연마 공정을 통해 두께가 매우 얇은 박형의 웨이퍼(예컨데, 80㎛ 이하)가 제조되고 있다.
그러나 이처럼 두께가 얇아진 웨이퍼는 웨이퍼 휨(warpage)이 쉽게 발생된다. 이는 패턴과 실리콘 층의 열팽창계수 차이로 인하여 웨이퍼 표면 쪽으로 작용되는 수축력을 얇아진 실리콘 층이 견디지 못하기 때문에 발생되는 현상으로, 이와 같이 웨이퍼에 휨이 발생되면 웨이퍼의 정확한 픽업 및 이송이 어려움이 있으며, 이로 인하여 후속 공정을 진행함에 있어서 다양한 핸들링 상의 문제가 유발된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 휨(warpage)을 최소화 할 수 있는 웨이퍼 연마 방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼의 두께를 얇게 형성하기 위한 웨이퍼 연마 방법으로, a) 활성면과 비활성면을 갖는 웨이퍼가 준비되는 단계 및 b) 웨이퍼의 가장자리에서 소정의 간격으로 지지부를 남기며 웨이퍼의 비활성면을 연마하는 단계를 포함하는 것이 특징이다.
이 경우, 연마된 지지부의 안쪽 영역과 대응되는 활성면에는 패턴이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, b) 단계의 웨이퍼의 비활성면은 그라인더를 이용한 그라인딩 방법에 의해 연마되는 것이 바람직하다. 이 경우, 그라인더의 하부면은 웨이퍼의 비활성면보다 작은 크기로 형성되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 있어서, 웨이퍼는 직경이 8인치 또는 12 인치 중 어느 하나일 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 또한, 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성 요소들에 대해서는 상세한 설명을 생략하도록 한다.
마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예에 이용되는 웨이퍼 연마 장치를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼 연마 장치(100)는 그라인더(110) 및 척 테이블(120)을 포함하여 이루어진다. 척 테이블(120)은 상부면에 웨이퍼(150)가 안착되는 곳으로, 웨이퍼(150)는 활성면이 척 테이블(120)의 상부면과 접하도록 웨이퍼(150)에 안착되며 고정된다. 척 테이블(120)의 내부에는 도시되지 않은 진공 홀이 형성되어 있으며, 진공 홀은 웨이퍼(150) 연마 공정이 진행되는 동안 외부에 설치되는 진공 수단(도시되지 않음)에 의해 진공으로 형성되어 웨이퍼(150)가 움직이지 않도록 웨이퍼(150)를 흡착하며 고정시킨다.
그라인더(110)는 척 테이블(120)의 상부에 위치되고, 상하 및 전후좌우로 자유롭게 구동될 수 있도록 설치되며, 연마를 위한 회전 구동이 가능하도록 설치된다. 또한, 실질적으로 웨이퍼(150)의 비활성면과 접하며 비활성면을 깍아내는 그라인더(110)의 하부면은 웨이퍼(150)의 면적보다 작은 크기로 형성된다.
이상과 같은 구성을 갖는 웨이퍼 연마 장치(100)를 이용하는 본 실시예의 웨이퍼 연마 방법을 도면를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2 및 도 3는 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3를 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 연마 방법은 먼저 활성면에 패턴(도시되지 않음)이 형성된 웨이퍼(150)가 준비되는 단계가 진행된다. 도 1에 도시된 바와 같이 활성면에 패턴이 형성된 웨이퍼(150)는 활성면을 하부로 향하도록 하여 척 테이블(120)의 상부면에 안착되고, 이에 웨이퍼(150)의 비활성면은 상부를 항하게 된다. 이때, 웨이퍼(150)는 활성면에는 보호 테이프(160)가 접착된 상태로 척 테이블(120)에 안착되는데, 이는 활성면에 형성되어 있는 패턴을 보호하기 위한 것이다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시된 웨이퍼(150)는 두께(D1)는 비활성면이 연마되지 않은 웨이퍼(150)의 두께를 나타낸다. 이러한 웨이퍼(150)는 8인치 또는 12 인치의 직경을 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하나, 이보다 큰 직경의 웨이퍼(150)를 이용하는 것도 가능하다.
웨이퍼(150)의 준비가 완료되면, 도 2과 같이 웨이퍼(150)의 비활성면을 연마하는 단계가 진행된다. 그라인더(110)는 회전구동하면서 하강하여 웨이퍼(150)의 비활성면과 접하게 되고, 웨이퍼(150)의 비활성면 중 그라인더(110)와 접하는 부분은 깍여나가면서 웨이퍼(150)의 두께가 감소하게 된다.
계속해서 도 3을 참조하면, 그라인더(110)는 웨이퍼(150)의 비활성면과 접한 상태로 전후좌우 방향으로 이동하면서 웨이퍼(150)의 비활성면을 고르게 깍아내며 연마하게 되고, 이에 따라 웨이퍼(150)는 두께가 도 3의 D2와 같이 형성된다.
여기서, 그라인더(110)는 웨이퍼(150)의 비활성면 전체를 연마하지 않고, 웨이퍼(150)의 가장자리에서 소정의 간격으로 둘레 부분(155; 이하, 지지부라 한다.)을 남기며 웨이퍼(150)의 비활성면을 깎아낸다. 이에 따라 웨이퍼(150)의 둘레를 따라 형성되는 지지부(155)는 연마되지 않고 연마되기 전의 두께(D1)를 유지하게 된다. 이러한 지지부(155)는 웨이퍼(150)가 연마되어 박형의 웨이퍼(150)로 형성되더라도, 웨이퍼(150)가 쉽게 휘어지는 것을 억제한다.
지지부(155)는 그 폭이 웨이퍼(150)의 크기나 연마 후의 웨이퍼(150) 두께 등에 따라 각각 다르게 형성될 수 있으며, 웨이퍼(150)의 변형을 최소화 할 수 있는 적정한 폭으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에서는 지지부(155)가 그라인더(110)에 의해 연마되지 않기 때문에, 지지부(155)의 두께는 연마되기 전의 웨이퍼(150) 두께(D1)와 동일하다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 연마되기 전의 웨이퍼(150)가 지나치게 과도한 두께로 형성되어 있다면, 지지부(155)를 형성하는 가장자리 부분도 일정 두께를 연마하여 웨이퍼(150)의 휨을 억제할 수 있는 적정의 두께로 형성하는 것도 가능하다.
한편, 웨이퍼(150)의 비활성면이 연마되는 과정에서 웨이퍼(150)의 활성면에 패턴이 형성되어 있는 영역과 대응되는 비활성면의 영역은 모두 연마된다. 따라서, 웨이퍼(150)에 패턴을 형성하는 이전 공정에서 지지부(155)와 대응되는 활성면에는 패턴을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
이상과 같은 과정을 통해 웨이퍼(150)의 비활성면 연마 과정이 완료되면, 그라인더(110)는 상승 구동되어 웨이퍼(150)와 이격되고, 웨이퍼(150)는 척 테이블(120)로부터 분리된 후 이송되어 후속 공정에 투입된다. 이때, 박형으로 연마된 웨이퍼(150)는 그 둘레 부분이 지지부(155)로 형성되어 있기 때문에 웨이퍼(150)의 휨이 억제되므로 종래에 비하여 웨이퍼(150)를 용이하게 취급할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 상술된 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 예를 들면, 본 실시예들의 지지부는 웨이퍼의 가장자리를 따라 연결되어 형성되었지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있는 형태라면 다양하게 형성될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 후면 연마 방법에 따르면, 웨이퍼의 비활성면을 연마하는 과정에서 웨이퍼 둘레 부분을 일정 부분 남겨 지지부로 형성한다.
따라서, 지지부에 의해 웨이퍼가 쉽게 휘어지는 것이 억제되므로 후속공정에서 웨이퍼를 용이하게 취급할 수 있다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 두께를 얇게 형성하기 위한 웨이퍼 연마 방법으로,
    a) 활성면과 비활성면을 갖는 웨이퍼가 준비되는 단계; 및
    b) 상기 웨이퍼의 가장자리에서 소정의 간격으로 지지부를 남기며 상기 웨이퍼의 비활성면을 연마하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 연마된 상기 지지부의 안쪽 영역과 대응되는 상기 활성면에는 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 b) 단계의 웨이퍼의 비활성면은 그라인더를 이용한 그라인딩 방법에 의해 연마되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 그라인더의 하부면은 상기 웨이퍼의 비활성면보다 작은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 직경이 8인치 또는 12 인치 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법.
KR1020060009002A 2006-01-27 2006-01-27 웨이퍼 연마 방법 KR20070078592A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009002A KR20070078592A (ko) 2006-01-27 2006-01-27 웨이퍼 연마 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009002A KR20070078592A (ko) 2006-01-27 2006-01-27 웨이퍼 연마 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070078592A true KR20070078592A (ko) 2007-08-01

Family

ID=38599541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060009002A KR20070078592A (ko) 2006-01-27 2006-01-27 웨이퍼 연마 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070078592A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5389579A (en) Method for single sided polishing of a semiconductor wafer
TWI524404B (zh) Packaging substrate processing methods
US8029335B2 (en) Wafer processing method
US6193586B1 (en) Method and apparatus for grinding wafers using a grind chuck having high elastic modulus
US10510626B2 (en) Method for use in manufacturing a semiconductor device die
KR20030035763A (ko) 반도체 칩의 박리 방법 및 장치
CN110181355B (zh) 一种研磨装置、研磨方法及晶圆
CN106158580B (zh) 晶圆减薄方法
CN102956469A (zh) 半导体元件的制造方法
JPH11307488A (ja) 半導体装置、その製造方法、加工ガイドおよびその加工装置
TWI767022B (zh) 基板處理方法及基板處理系統
US20150262854A1 (en) Wafer etching system and wafer etching process using the same
TWI824024B (zh) 矩形基板的磨削方法
JP5197037B2 (ja) バンプが形成されたウェーハを処理するウェーハ処理方法
JP4147187B2 (ja) 透過性基板上のカラー画像センサの製造方法
JP3803214B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP1376666A2 (en) Method of machining silicon wafer
KR20070078592A (ko) 웨이퍼 연마 방법
KR20020061737A (ko) 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 웨이퍼 가공방법
KR20100068557A (ko) 트랜스퍼 아암 척
KR101971059B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
JP2003124147A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0837169A (ja) 半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法
KR20080113682A (ko) 웨이퍼용 연마 휠 및 이를 갖는 웨이퍼 이면 연마 장치
JP2007073788A (ja) ウエハのダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination