JPH11330212A - 基板冷却装置および基板冷却方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板を均一に冷却できる基板冷却装置を提供す
る。 【解決手段】クーリングプレート１２の基板冷却面１２
Ａの中央部には、この基板冷却面１２Ａから突出した吸
着部５１が設けられており、この吸着部５１の周囲が間
隙部５２とされている。間隙部５２には、基板冷却面１
２Ａと基板Ｓとの間隙δを一定に保持するためのプロキ
シミティボール１３が配設されている。これにより、基
板Ｓの中央部は吸着部５１に吸着された状態で冷却さ
れ、基板Ｓの周縁部については、プロキシミティ方式で
の冷却が行われる。 【効果】基板Ｓの熱反りを防止できるから、基板Ｓを均
一にかつ効率的に冷却できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板およびプラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）用ガラス基板などの各種被処理基板に
対して、冷却処理を行うための基板冷却装置および基板
冷却方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の製造工程では、フォトリ
ソグラフィ工程により、ガラス基板の表面に種々の薄膜
が繰り返しパターン形成される。フォトリソグラフィ工
程では、基板のレジスト膜を露光機によって露光し、こ
の露光後のレジスト膜を現像することによって、所要の
パターンのレジスト膜が基板上に形成される。

【０００３】露光機における露光精度を高めるために
は、露光処理前の基板温度を厳密に管理して、基板の熱
伸縮による露光位置や露光焦点のずれを最小化しなけれ
ばならない。そのため、露光機に搬入される前の基板
は、クーリングプレートと呼ばれる基板冷却体を有する
基板冷却装置に搬入され、たとえば、２３℃（常温）に
冷却される。

【０００４】基板冷却装置には、従来から、クーリング
プレートの表面に基板を真空吸着させることにより、熱
伝導によって基板からの熱を奪う吸着式のものが広く用
いられてきた。しかし、取り扱われる基板が大型化し、
かつ、基板表面に形成される素子構造が微細化してきた
今日では、基板を吸着式のクーリングプレートから剥離
するときに生じる剥離帯電による静電破壊の問題が顕著
になってきている。また、この剥離帯電によって発生す
る静電気が基板搬送用のロボットに流れ込み、基板の搬
送が停止してしまうなどの周辺機器への悪影響もあっ
た。そのため、いわゆるプロキシミティ式の基板冷却装
置が好まれるようになってきている。

【０００５】プロキシミティ式の基板冷却装置では、ク
ーリングプレートの表面に複数のプロキシミティボール
が突設されており、このプロキシミティボール上に処理
対象の基板が載置される。そして、基板とクーリングプ
レートとの間の間隙（０．１ｍｍないし５ｍｍ）におけ
る熱対流やその間の空気を介しての熱伝導により、基板
から熱が奪われ、基板の冷却処理が達成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このプロキシミティ式
の基板熱処理装置における問題は、基板のクーリングプ
レート対向面とその反対の面との間の温度差のために、
基板に熱反りが生じることである。

【０００７】すなわち、たとえば、基板加熱処理装置に
よって加熱された後の基板をクーリングプレート上に載
置して基板を冷却する場合には、図６に示すように、ク
ーリングプレート１の基板冷却面１Ａに対向した状態で
プロキシミティボール３によって支持されている基板Ｓ
の下面の冷却は、その上面の冷却よりもすみやかに進行
する。そのため、基板Ｓの下面の熱収縮量がその上面の
熱収縮量よりも多くなり、基板Ｓの中央部Ｍがクーリン
グプレート１の基板冷却面１Ａから浮き上がることにな
る。

【０００８】このような基板の熱反りのために、基板の
全部分に対して均一な冷却処理を施すことができなくな
るから、冷却処理後の基板の各部における温度分布が均
一にならないという問題がある。すなわち、たとえば、
図７に示すように、基板の中央部と周縁部とにおいて、
比較的大きな温度差ΔＴ１が生じていた。

【０００９】また、基板の一部が、基板冷却面から浮き
上がることにより、基板の冷却効率が悪く、基板に対す
る冷却処理に時間がかかるという問題もあった。

【００１０】さらに、基板加熱処理装置によって加熱さ
れた後の基板は、クーリングプレート１まで搬送される
までの間に、基板Ｓの中央部よりもその周辺部のほうが
自然放熱量が大きいため中央部に熱が篭り、クーリング
プレート１に載置されるときには、基板Ｓの中央部の温
度が周辺部に比べて必ず高くなっており、このことがさ
らに基板の温度分布の不均一の要因となっている。

【００１１】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、基板に対して均一に冷却処理を施すこと
ができる基板冷却装置および基板冷却方法を提供するこ
とである。

【００１２】また、この発明の他の目的は、基板に対す
る冷却処理を効率的に行える基板冷却装置および基板冷
却方法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を近
接させて冷却するための基板冷却面に突出して設けら
れ、少なくとも基板の中央部を含む部分を吸着しつつ冷
却する吸着部と、上記基板冷却面のうちの上記吸着部の
周囲に設けられ、上記基板と基板冷却面との間に所定の
間隙を保った状態で基板を冷却する間隙部とを含むこと
を特徴とする基板冷却装置である。

【００１４】上記の構成によれば、基板の中央部を吸着
部に吸着した状態で冷却処理が行われるので、冷却処理
中に基板の熱反りが生じることがない。これにより、基
板の全域を基板冷却面に近接させた状態で基板を冷却で
きるので、基板の各部を均一に冷却でき、そのうえ、冷
却効率が向上され、基板冷却処理に要する時間を短縮で
きる。

【００１５】また、温度が高く、冷却の困難な基板中央
部の冷却を、吸着部によって確実に行うことができるか
ら、基板の温度均一性のさらなる向上が図られる。

【００１６】一方、吸着部の周囲には間隙部が設けられ
ているので、基板と吸着部との接触面積が過大になるこ
とがなく、そのため、基板を基板冷却面から離隔させる
際に、基板上の素子構造等の静電破壊や周辺機器への悪
影響を生じさせるほどの帯電が生じることがない。

【００１７】請求項２記載の発明は、上記間隙部は、上
記間隙を規制する間隙部材を備えていることを特徴とす
る請求項１記載の基板冷却装置である。

【００１８】この構成によれば、間隙部材によって、基
板と基板冷却面との間隙を間隙部の各部において均一に
できるから、さらに、基板の温度均一性を向上できる。

【００１９】請求項３記載の発明は、上記間隙部におい
て、上記基板と基板冷却面との間の雰囲気を換気する換
気手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または
２に記載の基板冷却装置である。

【００２０】この構成によれば、基板と基板冷却面との
間隙の空間を換気することができるから、この空間に熱
雰囲気が滞留することがない。これにより、基板の周辺
部の冷却速度を向上できる。

【００２１】請求項４記載の発明は、上記吸着部は、そ
の中心位置が、上記冷却される基板の中心位置にほぼ一
致するように設けられており、上記吸着部の外形は、上
記冷却される基板の外形に対してほぼ相似した形状とな
っていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
に記載の基板冷却装置である。すなわち、吸着部の外周
と基板の外周までの距離がいずれの方向においてもほぼ
等しくされている。

【００２２】この構成によれば、基板の中央部および周
辺部において、基板の中央から臨む全方向に関してほぼ
均一な冷却処理を行うことができる。これにより、基板
の温度均一性をさらに向上することができる。

【００２３】請求項５記載の発明は、基板冷却面に基板
を近接させて基板を冷却する基板冷却方法において、基
板の中央部を吸着し、この基板の周辺部において該基板
と上記基板冷却面との間に間隙を設けた状態で、該基板
を冷却することを特徴とする基板冷却方法である。

【００２４】この方法により、請求項１の発明と同様な
効果を達成できる。

【００２５】なお、この方法においても、請求項２ない
し３に記載された特徴を組み合わせて、さらに効果的な
基板冷却処理を行うようにしてもよいことは言うまでも
ない。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。

【００２７】図１は、この発明の一実施形態の基板冷却
装置の構成を説明するための図解的な断面図である。こ
の基板冷却装置は、クリーンルーム内に設置されて用い
られ、たとえば、液晶表示装置の製造工程において、液
晶表示装置用ガラス基板Ｓ（以下単に「基板Ｓ」とい
う。）を所定の冷却目標温度（たとえば、２３℃（室
温））に冷却するための装置である。

【００２８】このような基板冷却装置は、たとえば、フ
ォトリソグラフィ工程において適宜用いられる。すなわ
ち、フォトリソグラフィ工程には、基板Ｓの表面にレジ
ストを塗布し、このレジストにベーク処理を施して乾燥
させることによりレジスト膜を形成するレジスト膜形成
工程、レジスト膜が形成された基板Ｓを露光機に搬入
し、レジスト膜を露光して潜像を形成する露光工程、露
光されたレジスト膜に現像液を供給して潜像を現像する
現像工程が含まれる。これらの工程のなかで、たとえ
ば、レジスト塗布処理の前および露光処理の前などに、
基板Ｓの冷却処理が行われる。図１の装置は、いずれの
冷却処理にも適用可能であるが、たとえば、レジスト塗
布後にレジストを乾燥させるプリベーク処理などのよう
な加熱処理が施された後の基板Ｓを冷却する場合に、と
くに有利に用いることができる。

【００２９】具体的構成について説明すると、この基板
冷却装置は、隔壁１０で区画されたほぼ直方体形状の処
理室１１内に、処理対象の基板Ｓよりも若干大きめのク
ーリングプレート１２（基板冷却体）を有している。こ
のクーリングプレート１２は、ほぼ水平な基板冷却面１
２Ａを有し、この基板冷却面１２Ａには、基板Ｓの中央
部を吸着して冷却する吸着部５１と、この吸着部５１に
おいて、基板冷却面１２Ａとの間に一定の間隙（０．１
〜５ｍｍ）を設けて基板Ｓの下面を支持する間隙部５２
とが設けられている。

【００３０】クーリングプレート１２の内部には、冷却
水経路１４が形成されており、この冷却水経路１４に、
温調水ユニット１５からの温度調整された冷却水（たと
えば２３℃）が供給され、冷却水経路１４を出た冷却水
は再び温調水ユニット１５に帰還されるようになってい
る。

【００３１】クーリングプレート１２を上下方向に貫通
するように複数本のリフトピン１６が配置されており、
このリフトピン１６と、このリフトピン１６を昇降する
エアシリンダなどを含む昇降駆動機構１７とによって、
基板Ｓを基板冷却面１２Ａに対して近接／離隔させる近
接／離隔機構が構成されている。リフトピン１６は、そ
の上端に基板Ｓを支持することができ、昇降駆動機構１
７による昇降によって、基板Ｓを、図外の基板搬送ロボ
ットとの間での基板受け渡しのための基板受け渡し高さ
（二点鎖線の位置）に支持できる他、クーリングプレー
ト１２の基板冷却面１２Ａよりも下方にその上端を埋没
させることにより、基板Ｓを基板冷却面１２Ａ上に載置
することができる（実線の位置）。

【００３２】基板搬送ロボットが対向可能な前面隔壁１
０Ａには、基板受け渡し高さに対応する位置に、基板通
過口１９が形成されており、この基板通過口１９を開閉
するためのシャッタ機構２０が設けられている。このシ
ャッタ機構２０は、基板通過口１９を閉塞することがで
きるシャッタ板２１と、このシャッタ板２１を、基板通
過口１９を閉塞した閉成位置と、基板通過口１９を開放
した開成位置との間で移動させるシャッタ駆動機構２２
とを有している。シャッタ板２１を開成位置として基板
通過口１９を開放した状態では、基板搬送ロボットの基
板保持ハンドは、処理室１１内に入り込んで、リフトピ
ン１６との間で基板Ｓの授受を行うことができる。

【００３３】前面隔壁１０Ａに対向する後面隔壁１０Ｂ
は、大略的にホーン形状に形成されており、そのほぼ中
央部には、排気口３０が形成されている。この排気口３
０には、排気ダクト３１の一端が接続されている。そし
て、この排気ダクト３１の途中部に介装された排気弁３
３を開閉することにより、必要に応じて、処理室１１内
の雰囲気の排気を行えるようになっている。

【００３４】上記温調ユニット１５、昇降駆動機構１
７、シャッタ駆動機構２２および排気弁３３の開閉など
は、マイクロコンピュータなどを備えた制御装置３５に
よって制御される。

【００３５】図２は、クーリングプレート１２による基
板Ｓの保持構造を示す拡大断面図であり、図３は、クー
リングプレート１２の平面図である。クーリングプレー
ト１２は、基板Ｓとほぼ相似形で、かつ、この基板Ｓよ
りも大きな長方形の基板冷却面１２Ａを備えている。こ
の基板冷却面１２Ａの中央付近には、平面視において基
板Ｓとほぼ相似の長方形に構成された上記の吸着部５１
が設けられており、その周辺の基板冷却面１２Ａ上の領
域が間隙部５２となっている。吸着部５１は、その中心
位置が、基板Ｓの中心位置とほぼ一致するように設けら
れている。

【００３６】間隙部５２には、ほぼ球状のプロキシミテ
ィボール５３（間隙部材）が、たとえば格子状に複数個
配列されている。これにより、間隙部５２においては、
基板Ｓは、基板冷却面１２Ａとの間に一定の間隙δを保
持した状態で、支持されている。

【００３７】一方、吸着部５１は、間隙部５２における
基板冷却面１２Ａよりも、上記間隙δにほぼ等しい高さ
だけ突出し、間隙部５２における基板冷却面１２Ａとほ
ぼ平行な基板吸着面５５を有している。この基板吸着面
５５には、複数の吸着口５６が、たとえば格子状に配列
されて、開口している。

【００３８】吸着口５６は、クーリングプレート１２の
内部に形成された吸着路５７を介して配管５８に接続さ
れている。この配管５８は、真空源６１に接続されてい
る吸着配管６２と、吸着解除用ガスとしての窒素ガスを
供給する窒素ガス供給源に接続された吸着解除配管６３
との両方に接続されている。吸着配管６２には、吸着用
バルブ６５が介装されており、吸着解除配管６３には、
吸着解除バルブ６６が介装されていて、これらは、制御
装置３５によって開閉制御されるようになっている。

【００３９】一方、間隙部５２の基板冷却面１２Ａに
は、プロキシミティボール５３を避けた位置に、複数の
排気口７０が、たとえば格子状に配列されて形成されて
いる。クーリングプレート１２の内部には、これらの複
数の排気口７０と連通した排気通路７１が形成されてお
り、この排気通路７１は、排気管７２を介して適当な排
気設備（図示せず）に接続されている。上記排気口７
０、排気通路７１および排気管７２などが、換気手段を
構成している。

【００４０】この基板冷却装置の動作について概説すれ
ば次のとおりである。

【００４１】たとえば、図示しない加熱処理装置による
加熱処理を受けた後の基板は、基板搬送ロボットによっ
て、処理室１１内に搬入される。このとき、制御装置３
５は、シャッタ駆動機構２２を制御してシャッタ板２１
を開成させるとともに、昇降駆動機構１７を制御して、
リフトピン１６を上昇させておく。基板搬送ロボット
は、この上昇位置にあるリフトピン１６に、未処理の基
板Ｓを置くことになる。

【００４２】その後、制御装置３５は、吸着用バルブ６
５を開成する。このとき、吸着解除バルブ６６は閉成状
態に保持されている。

【００４３】そして、制御装置３５は、昇降駆動機構１
７を制御してリフトピン１６を下降させ、基板Ｓを基板
冷却面１２Ａに近接させていき、基板冷却面１２Ａの上
に載置する。これにより、基板Ｓの中央部は基板吸着面
５５に密接して支持され、基板Ｓの周辺部はプロキシミ
ティボール５３によって、基板冷却面１２Ａから一定の
間隙δを保持した状態で支持される。さらに、吸着部５
１においては、吸着路５７などを介して、基板吸着面５
５と基板Ｓとの間の空隙が減圧される。これにより、基
板Ｓの中央部は、基板吸着面５５に吸着される。

【００４４】この状態で、予め定めた所定時間（たとえ
ば、４５秒）に渡って基板Ｓが冷却される。すなわち、
基板Ｓの中央部においては、基板吸着面５５と基板Ｓと
の間の熱伝導により、基板Ｓの熱が奪われる。また、基
板Ｓの周辺部においては、基板冷却面１２Ａと基板Ｓの
下面との間の熱対流やその間の空気を介しての熱伝導と
によって、基板Ｓの熱が奪われる。

【００４５】この冷却処理の際、基板Ｓの下面の冷却
は、基板Ｓの上面の冷却よりもすみやかに進行するの
で、基板Ｓの上下面における熱収縮量の相違により、基
板Ｓは、その中央部が浮き上がるように変形しようとす
る。ところが、基板Ｓの中央部のクーリングプレート１
２から離反する方向への変位は、吸着部５１による基板
Ｓの下面の吸着によって規制される。そのため、上記の
ような変形が生じることがなく、冷却処理中に、いわゆ
る基板の熱反りが生じるおそれはない。

【００４６】一方、基板Ｓの周辺部を冷却する間隙部５
２においては、排気路７１および排気管７２を介する排
気が常時行われているので、基板Ｓと基板冷却面１２Ａ
との間の空間の換気が行われることになる。そのため、
この空間に熱雰囲気が滞留することを効果的に防止でき
るので、基板Ｓの冷却を効率的に行える。

【００４７】上記所定時間の冷却処理の後には、制御装
置３５は、吸着用バルブ６５を閉成し、代わって、吸着
解除バルブ６３を開成する。これにより、吸着路５７な
どを介して、吸着口５６に窒素ガスが供給され、吸着部
５１における基板Ｓの吸着が解除される。

【００４８】その後、制御装置３５は、昇降駆動機構１
７を制御してリフトピン１６を上昇させ、基板Ｓを基板
受け渡し高さに導く。そして、シャッタ板２１が開成さ
れ、基板通過口１９を介して、基板搬送ロボットに冷却
処理後の基板Ｓが受け渡される。

【００４９】この実施形態の基板冷却装置によって冷却
された基板の温度分布を、図４の曲線Ｌ１に示す。この
図４において、曲線Ｌ０は、従来の装置による基板冷却
処理を受けた基板の温度分布を示している。この図４か
ら、この実施形態により、基板Ｓの温度分布の均一性が
格段に向上されていることが理解される。すなわち、従
来技術により処理された基板の中央部と周縁部との温度
差ΔＴ１（図６参照）に比較して、この実施形態により
処理された基板Ｓの中央部と周縁部との温度差ΔＴ２
は、格段に小さい。

【００５０】以上のようにこの実施形態によれば、基板
Ｓの中央部を吸着部５１によって吸着しているので、基
板Ｓの熱反りを防止できる。これにより、基板Ｓの全域
を均一に加熱することができるので、冷却処理後の基板
Ｓの温度分布の均一性を向上できる。しかも、冷却処理
中、基板の全域を基板冷却面１２Ａに確実に近接させて
おくことができるので、冷却効率が良く、冷却処理時間
を短縮することができる。

【００５１】また、基板Ｓの中央部を吸着部５１に吸着
させていることにより、熱が籠もりやすく温度の高い基
板Ｓの中央部の冷却を確実に行うことができ、このこと
が、基板Ｓの温度均一性を向上する他の要因となってい
る。

【００５２】また、基板Ｓの中央部の比較的小さい面積
部分を吸着するようにしているため、基板Ｓとの接触面
積が大きくなることがなく、基板Ｓを剥離する際の剥離
帯電に起因する静電破壊や周辺機器への悪影響の問題が
生じることがない。

【００５３】この発明の一実施形態について説明した
が、この発明は上記の実施形態に限定されるものではな
い。たとえば、上述の実施形態では、水冷式のクーリン
グプレート１２について説明したが、他にも、電子冷熱
素子（ペルチエ素子など）によって吸熱を行う方式のク
ーリングプレートを用いることもできる。

【００５４】また、上記の実施形態では、間隙部５２の
基板冷却面１２Ａに排気口７０を設けて、この間隙部５
２において基板Ｓの下方の空間の換気を行うようにして
いるが、この換気は必ずしも行われる必要はない。

【００５５】また、上述の実施形態では、液晶表示装置
用ガラス基板に対するフォトリソグラフィ工程における
冷却処理に本発明が適用された例について説明したが、
この発明は、半導体ウエハなどの他の種類の基板に対す
る処理にも適用でき、また、フォトリソグラフィ工程以
外の工程における基板冷却処理に対しても適用すること
ができる。

【００５６】たとえば、円形の半導体ウエハＷに本発明
が適用される場合には、図５に示すように、円形のクー
リングプレート８０の中央部に、半導体ウエハＷの外形
とほぼ相似形である円形の吸着部８１をウエハＷとほぼ
同心に配置するとともに、その周辺部に間隙部８２を配
置することが好ましい。８３は、半導体ウエハＷの下面
を支持するほぼ球状のプロキシミティボールである。

【００５７】処理される基板の中央部に対応して設けら
れる吸着部は、その基板の外形と相似形であることが好
ましいが、必ずしもその基板の外形と相似形である必要
はなく、角型の基板の吸着部が円形であってもよいし、
円形の基板の吸着部が角型であってもよい。ただし、処
理対象の基板の外形と相似形の吸着部を備えることによ
って、基板の中央から臨むあらゆる方向に関する基板冷
却処理を均一に行えるから、基板の温度均一性をさらに
向上できる。

【００５８】また、上記の実施形態では、間隙部５２に
プロキシミティボール５３を配設して基板Ｓと基板冷却
面１２との間隙を規定しているが、たとえば、リフトピ
ン１６を基板冷却面１２から若干突出した状態に保持し
ておくことにより、このリフトピン１６を間隙部材とし
て機能させることもできる。

【００５９】さらに、吸着部５１において基板Ｓの中央
部が基板冷却面１２Ａよりも高い位置で支持されている
ので、基板Ｓの撓みが少ない場合には、プロキシミティ
ボール５３は設けられなくてもよい。ただし、プロキシ
ミティボール５３を設ければ、間隙部５３における基板
Ｓと基板冷却面１２Ａとの間隙を各部で一定にできるか
ら、基板Ｓの温度分布の均一性をさらに高めることがで
きる。

【００６０】なお、本明細書でいう基板の近接とは、基
板冷却面に対して基板を直接接触させて近接させるこ
と、および基板冷却面に対して基板を所定の間隙をもっ
て近接させることの両方を含む。

【００６１】上記の他、特許請求の範囲に記載された技
術的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態の基板熱処理装置である
基板冷却装置の構成を説明するための図解的な断面図で
ある。

【図２】上記基板冷却装置のクーリングプレートによる
基板の保持構造を示す拡大断面図である。

【図３】上記クーリングプレートの平面図である。

【図４】冷却処理後の基板の温度分布を示すグラフであ
る。

【図５】半導体ウエハを冷却する装置にこの発明が適用
された例を示すクーリングプレートの平面図である。

【図６】従来技術の問題点を説明するための図である。

【図７】従来技術による基板冷却処理を受けた基板の温
度分布を示すグラフである。

【符号の説明】

１２ クーリングプレート １２Ａ 基板冷却面 ５１ 吸着部 ５２ 間隙部 ５３ プロキシミティボール ５５ 基板吸着面 ５６ 吸着口 ７０ 排気口 ８０ クーリングプレート ８１ 吸着部 ８２ 間隙部 ８３ プロキシミティボール

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を近接させて冷却するための基板冷却
   面に突出して設けられ、少なくとも基板の中央部を含む
   部分を吸着しつつ冷却する吸着部と、 上記基板冷却面のうちの上記吸着部の周囲に設けられ、
   上記基板と基板冷却面との間に所定の間隙を保った状態
   で基板を冷却する間隙部とを含むことを特徴とする基板
   冷却装置。
2. 【請求項２】上記間隙部は、上記間隙を規制する間隙部
   材を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板冷
   却装置。
3. 【請求項３】上記間隙部において、上記基板と基板冷却
   面との間の雰囲気を換気する換気手段をさらに備えたこ
   とを特徴とする請求項１または２に記載の基板冷却装
   置。
4. 【請求項４】上記吸着部は、その中心位置が、上記冷却
   される基板の中心位置にほぼ一致するように設けられて
   おり、 上記吸着部の外形は、上記冷却される基板の外形に対し
   てほぼ相似した形状となっていることを特徴とする請求
   項１ないし４のいずれかに記載の基板冷却装置。
5. 【請求項５】基板冷却面に基板を近接させて基板を冷却
   する基板冷却方法において、 基板の中央部を吸着し、この基板の周辺部において該基
   板と上記基板冷却面との間に間隙を設けた状態で、該基
   板を冷却することを特徴とする基板冷却方法。