JP2000200824A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2000200824A JP2000200824A JP11001771A JP177199A JP2000200824A JP 2000200824 A JP2000200824 A JP 2000200824A JP 11001771 A JP11001771 A JP 11001771A JP 177199 A JP177199 A JP 177199A JP 2000200824 A JP2000200824 A JP 2000200824A
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- chuck
- pressure
- pressure sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ吸着および開放を行うとき、無駄な配
管抵抗をなくし、正確に吸着圧力を検知し、無駄なチャ
ック上のウエハ吸着又は開放待ち時間をなくす。 【解決手段】 ウエハステージ設けたチャック上にウエ
ハを吸着させる半導体製造装置において、ウエハの吸着
制御を行う電磁弁をウエハステージ内部またはウエハス
テージ上面に設けた。
管抵抗をなくし、正確に吸着圧力を検知し、無駄なチャ
ック上のウエハ吸着又は開放待ち時間をなくす。 【解決手段】 ウエハステージ設けたチャック上にウエ
ハを吸着させる半導体製造装置において、ウエハの吸着
制御を行う電磁弁をウエハステージ内部またはウエハス
テージ上面に設けた。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ウエハバキューム
に特徴を有する半導体製造装置に関する。特に、かかる
特徴を有する半導体露光装置に関する。
に特徴を有する半導体製造装置に関する。特に、かかる
特徴を有する半導体露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハの吸着および開放を行う際
に使用する電磁弁と、ウエハ吸着および開放時の圧力検
知に用いる圧力センサは、ウエハステージの外部に設け
られていた。
に使用する電磁弁と、ウエハ吸着および開放時の圧力検
知に用いる圧力センサは、ウエハステージの外部に設け
られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
吸着および開放を行う際に使用する電磁弁と、ウエハ吸
着および開放時の圧力検知に用いる圧力センサが、ウエ
ハステージの外部に設置されていると、ウエハをウエハ
ステージ上から回収する際にウエハ吸着電磁弁を大気開
放してもウエハが吸着しているチャックからウエハ吸着
電磁弁までの配管の長さが長い為、配管抵抗が大きくな
りウエハが開放され得る吸着圧に至るまでの時間が長く
なり、また、チャック上のウエハから圧力センサまでの
配管距離が長いために正確なウエハ吸着圧力の値が検知
できずにいた。
吸着および開放を行う際に使用する電磁弁と、ウエハ吸
着および開放時の圧力検知に用いる圧力センサが、ウエ
ハステージの外部に設置されていると、ウエハをウエハ
ステージ上から回収する際にウエハ吸着電磁弁を大気開
放してもウエハが吸着しているチャックからウエハ吸着
電磁弁までの配管の長さが長い為、配管抵抗が大きくな
りウエハが開放され得る吸着圧に至るまでの時間が長く
なり、また、チャック上のウエハから圧力センサまでの
配管距離が長いために正確なウエハ吸着圧力の値が検知
できずにいた。
【０００４】本発明の目的は、ウエハ吸着および開放を
行うとき、無駄な配管抵抗をなくし、正確に吸着圧力を
検知し、無駄なチャック上のウエハ吸着又は開放待ち時
間をなくすことにある。
行うとき、無駄な配管抵抗をなくし、正確に吸着圧力を
検知し、無駄なチャック上のウエハ吸着又は開放待ち時
間をなくすことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明は、ウエハステージ設けたチャック上にウエ
ハを吸着させる半導体製造装置において、ウエハの吸着
制御を行う電磁弁をウエハステージ内部またはウエハス
テージ上面に設けたことを特徴とする。
め、本発明は、ウエハステージ設けたチャック上にウエ
ハを吸着させる半導体製造装置において、ウエハの吸着
制御を行う電磁弁をウエハステージ内部またはウエハス
テージ上面に設けたことを特徴とする。
【０００６】また、本発明の半導体製造装置は、ウエハ
をチャック上に吸着させる吸着圧力を検知する圧力セン
サを有し、該圧力センサの示す圧力値をチャック上にウ
エハが吸着しているかどうかを判断する手段の１つとす
ることができる。ここで、該圧力センサは該ウエハステ
ージの近傍および／または該ウエハステージ内部に１つ
以上設けられていることが好ましい。更に、該電磁弁
は、ウエハ吸着真空破壊時のみ作動されるようにでき
る。
をチャック上に吸着させる吸着圧力を検知する圧力セン
サを有し、該圧力センサの示す圧力値をチャック上にウ
エハが吸着しているかどうかを判断する手段の１つとす
ることができる。ここで、該圧力センサは該ウエハステ
ージの近傍および／または該ウエハステージ内部に１つ
以上設けられていることが好ましい。更に、該電磁弁
は、ウエハ吸着真空破壊時のみ作動されるようにでき
る。
【０００７】
【作用】このように、本発明の半導体製造装置では、ウ
エハステージのウエハ吸着および開放する際に使用する
電磁弁および圧力センサをウエハステージ上および／ま
たはウエハステージ内部に設けることにより、チャック
から電磁弁までの配管距離およびチャックから圧力セン
サまでの配管距離を短くし、ウエハステージ上からウエ
ハを回収する際に、電磁弁を用いてウエハ吸着の真空破
壊を行うことにより迅速にウエハをウエハステージ上か
ら回収することが可能になる。また、ウエハ吸着の電磁
弁は、ウエハ吸着真空破壊時のみＯＮにすることによ
り、ウエハステージの加熱を防止することができる。
エハステージのウエハ吸着および開放する際に使用する
電磁弁および圧力センサをウエハステージ上および／ま
たはウエハステージ内部に設けることにより、チャック
から電磁弁までの配管距離およびチャックから圧力セン
サまでの配管距離を短くし、ウエハステージ上からウエ
ハを回収する際に、電磁弁を用いてウエハ吸着の真空破
壊を行うことにより迅速にウエハをウエハステージ上か
ら回収することが可能になる。また、ウエハ吸着の電磁
弁は、ウエハ吸着真空破壊時のみＯＮにすることによ
り、ウエハステージの加熱を防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例を説明する。 ［実施例１］図１は本発明の１実施例である半導体製造
装置のウエハステージを示す。
例を説明する。 ［実施例１］図１は本発明の１実施例である半導体製造
装置のウエハステージを示す。
【０００９】図１に示すように、本実施例の半導体製造
装置は、ウエハステージ１上に、チャック２を有し、チ
ャック２はウエハを吸着するための吸気孔３を有してい
る。ウエハステージ１内部にはウエハ吸気孔３に通じる
電磁弁４、およびウエハ吸着の吸着圧力を検知するため
の圧力センサ５が設けられている。これらは配管系６で
結ばれている。また、ウエハステージ１上にはバーミラ
ー７が設けられている。
装置は、ウエハステージ１上に、チャック２を有し、チ
ャック２はウエハを吸着するための吸気孔３を有してい
る。ウエハステージ１内部にはウエハ吸気孔３に通じる
電磁弁４、およびウエハ吸着の吸着圧力を検知するため
の圧力センサ５が設けられている。これらは配管系６で
結ばれている。また、ウエハステージ１上にはバーミラ
ー７が設けられている。
【００１０】この事によりチャック２上のウエハ吸着圧
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、配管抵抗が小さくなる。その結果、該圧力セ
ンサ５が吸着圧を正確に読み取れるようになり、チャッ
ク２上のウエハ吸着の状態を正確かつ迅速に知ることが
可能になる。
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、配管抵抗が小さくなる。その結果、該圧力セ
ンサ５が吸着圧を正確に読み取れるようになり、チャッ
ク２上のウエハ吸着の状態を正確かつ迅速に知ることが
可能になる。
【００１１】また、電磁弁４と実際の吸着部分との配管
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
【００１２】［実施例２］図２は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置のウエハステージを示す。図２に示
すように、本実施例の半導体製造装置は、ウエハステー
ジ１上に、チャック２を有し、チャック２はウエハを吸
着するための吸気孔３を有している。ウエハステージ１
上にはウエハ吸気孔３に通じる電磁弁４、およびウエハ
吸着の吸着圧力を検知するための圧力センサ５が設けら
れている。これらは配管系６で結ばれている。また、ウ
エハステージ１上にはバーミラー７が設けられている。
ある半導体製造装置のウエハステージを示す。図２に示
すように、本実施例の半導体製造装置は、ウエハステー
ジ１上に、チャック２を有し、チャック２はウエハを吸
着するための吸気孔３を有している。ウエハステージ１
上にはウエハ吸気孔３に通じる電磁弁４、およびウエハ
吸着の吸着圧力を検知するための圧力センサ５が設けら
れている。これらは配管系６で結ばれている。また、ウ
エハステージ１上にはバーミラー７が設けられている。
【００１３】この事によりチャック２上のウエハ吸着圧
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、その事により配管抵抗が小さくなる。その結
果、該圧力センサ５が正確に吸着圧を読み取れるように
なり、正確に、しかも迅速にチャック２上のウエハ吸着
の状態を知ることが可能になる。
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、その事により配管抵抗が小さくなる。その結
果、該圧力センサ５が正確に吸着圧を読み取れるように
なり、正確に、しかも迅速にチャック２上のウエハ吸着
の状態を知ることが可能になる。
【００１４】また、電磁弁４と実際の吸着部分との配管
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
【００１５】［実施例３］図３は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置のウエハステージを示す。図３に示
すように、本実施例の半導体製造装置は、ウエハステー
ジ１上に、チャック２を有し、チャック２はウエハを吸
着するための吸気孔３を有している。ウエハステージ１
上にはウエハ吸気孔３に通じる電磁弁４、およびウエハ
ステージ内部にはウエハ吸着の吸着圧力を検知するため
の圧力センサ５が設けられている。これらは配管系６で
結ばれている。また、ウエハステージ１上にはバーミラ
ー７が設けられている。
ある半導体製造装置のウエハステージを示す。図３に示
すように、本実施例の半導体製造装置は、ウエハステー
ジ１上に、チャック２を有し、チャック２はウエハを吸
着するための吸気孔３を有している。ウエハステージ１
上にはウエハ吸気孔３に通じる電磁弁４、およびウエハ
ステージ内部にはウエハ吸着の吸着圧力を検知するため
の圧力センサ５が設けられている。これらは配管系６で
結ばれている。また、ウエハステージ１上にはバーミラ
ー７が設けられている。
【００１６】この事によりチャック２上のウエハ吸着圧
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、配管抵抗が小さくなる。その結果、該圧力セ
ンサ５が吸着圧を正確に読み取れるようになり、チャッ
ク２上のウエハ吸着の状態を正確かつ迅速に知ることが
可能になる。
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、配管抵抗が小さくなる。その結果、該圧力セ
ンサ５が吸着圧を正確に読み取れるようになり、チャッ
ク２上のウエハ吸着の状態を正確かつ迅速に知ることが
可能になる。
【００１７】また、電磁弁４と実際の吸着部分との配管
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
【００１８】［実施例４］図４は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置のウエハステージを示す。図４に示
すように、本実施例の半導体製造装置は、ウエハステー
ジ１上に、チャック２を有し、チャック２はウエハを吸
着するための吸気孔３を有している。ウエハステージ１
内部にはウエハ吸気孔３に通じる電磁弁４、およびウエ
ハステージ１上にウエハ吸着の吸着圧力を検知するため
の圧力センサ５が設けられている。これらは配管系６で
結ばれている。また、ウエハステージ１上にはバーミラ
ー７が設けられている。
ある半導体製造装置のウエハステージを示す。図４に示
すように、本実施例の半導体製造装置は、ウエハステー
ジ１上に、チャック２を有し、チャック２はウエハを吸
着するための吸気孔３を有している。ウエハステージ１
内部にはウエハ吸気孔３に通じる電磁弁４、およびウエ
ハステージ１上にウエハ吸着の吸着圧力を検知するため
の圧力センサ５が設けられている。これらは配管系６で
結ばれている。また、ウエハステージ１上にはバーミラ
ー７が設けられている。
【００１９】この事によりチャック２上のウエハ吸着圧
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、配管抵抗が小さくなる。その結果、該圧力セ
ンサ５が吸着圧を正確に読み取れるようになり、チャッ
ク２上のウエハ吸着の状態を正確かつ迅速に知ることが
可能になる。
力を監視する圧力センサ５と実際の吸着部分との距離が
短くなり、配管抵抗が小さくなる。その結果、該圧力セ
ンサ５が吸着圧を正確に読み取れるようになり、チャッ
ク２上のウエハ吸着の状態を正確かつ迅速に知ることが
可能になる。
【００２０】また、電磁弁４と実際の吸着部分との配管
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
距離が短くなり配管抵抗が小さくなる。その結果、ウエ
ハをチャック２上から開放するとき迅速に開放可能圧力
に達し、チャック２上からウエハを開放するまでにかか
る時間を短縮することが可能になる。
【００２１】［デバイス生産方法の実施例］次に上記説
明した半導体製造装置を利用した半導体デバイスの生産
方法の実施例を説明する。図５は微小デバイス（ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体チップ等）の製造のフローを示す。ス
テップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行
なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターン
を形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工
程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製さ
れた半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等
の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。
明した半導体製造装置を利用した半導体デバイスの生産
方法の実施例を説明する。図５は微小デバイス（ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体チップ等）の製造のフローを示す。ス
テップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行
なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターン
を形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工
程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製さ
れた半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等
の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２２】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体製造装置によ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した半導体製造装置によ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００２３】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハステージ上から、ウエハを回収又は、吸着する際
に、ウエハの開放、及び、吸着を配管抵抗が小さい状態
で行う事が可能になるため、電磁弁駆動に対する配管系
の応答が速くなる。
ウエハステージ上から、ウエハを回収又は、吸着する際
に、ウエハの開放、及び、吸着を配管抵抗が小さい状態
で行う事が可能になるため、電磁弁駆動に対する配管系
の応答が速くなる。
【００２５】また、圧力センサに関しても配管距離が短
くなる為に、迅速かつ正確にチャック上のウエハ吸着圧
力を読み取ることが可能となる。
くなる為に、迅速かつ正確にチャック上のウエハ吸着圧
力を読み取ることが可能となる。
【００２６】従って、真空破壊及び、吸着にかかる時間
を短くすることが可能となり、半導体製造装置としての
スループットの向上が可能となる。
を短くすることが可能となり、半導体製造装置としての
スループットの向上が可能となる。
【図１】 本発明の実施例１に係るウエハステージを説
明する図である。
明する図である。
【図２】 本発明の実施例２に係るウエハステージを説
明する図である。
明する図である。
【図３】 本発明の実施例３に係るウエハステージを説
明する図である。
明する図である。
【図４】 本発明の実施例４に係るウエハステージを説
明する図である。
明する図である。
【図５】 微小デバイスの製造のフローを示す。
【図６】 ウエハプロセスの詳細なフローを示す。
１：ウエハステージ、２：チャック、３：吸気孔、４：
電磁弁、５：圧力センサ、６：配管系、７：バーミラ
ー。
電磁弁、５：圧力センサ、６：配管系、７：バーミラ
ー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA06 AA09 AA24 BB02 BB03 BD01 BD02 CA01 CA10 EA03 GA05 HA07 JA01 JA05 5F004 BB20 BC08 CA09 5F031 CA02 HA13 JA10 JA21 MA27 5F045 BB08 EG02 EM04 5F046 CC08 CC10 DA27 DB14 DC11 DC12 DD06
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハステージに設けたチャック上にウ
エハを吸着させる半導体製造装置において、ウエハの吸
着制御を行う電磁弁をウエハステージ内部またはウエハ
ステージ上面に設けたことを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２】 ウエハをチャック上に吸着させる吸着圧
力を検知する圧力センサを有し、該圧力センサの示す圧
力値をチャック上にウエハが吸着しているかどうかを判
断する手段の１つとすることを特徴とする請求項１に記
載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 該圧力センサは該ウエハステージの近傍
および／または該ウエハステージ内部に１つ以上設けら
れていることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項４】 該電磁弁は、ウエハ吸着真空破壊時のみ
作動されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の半
導体製造装置を用いてデバイスを製造することを特徴と
するデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001771A JP2000200824A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001771A JP2000200824A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200824A true JP2000200824A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11510848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11001771A Pending JP2000200824A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200824A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387524B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지 시스템과 이를 이용하는 반도체장치 제조 설비 및 그에 따른 웨이퍼 위치 상태 감지방법 |
| JP2006237606A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
| JP2006319093A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP11001771A patent/JP2000200824A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100387524B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지 시스템과 이를 이용하는 반도체장치 제조 설비 및 그에 따른 웨이퍼 위치 상태 감지방법 |
| JP2006237606A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
| JP4602265B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-12-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置、物体クランプの制御装置、及び、物体クランプの操作方法 |
| JP2006319093A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
| JP4666473B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
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