KR970048917A - 포토 마스크 제작방법 - Google Patents

포토 마스크 제작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970048917A
KR970048917A KR1019950050469A KR19950050469A KR970048917A KR 970048917 A KR970048917 A KR 970048917A KR 1019950050469 A KR1019950050469 A KR 1019950050469A KR 19950050469 A KR19950050469 A KR 19950050469A KR 970048917 A KR970048917 A KR 970048917A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hot plate
wafer
vacuum suction
semiconductor device
improving
Prior art date
Application number
KR1019950050469A
Other languages
English (en)
Inventor
김동석
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950050469A priority Critical patent/KR970048917A/ko
Publication of KR970048917A publication Critical patent/KR970048917A/ko

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 포토 마스크 제작방법에 관한 것으로, 특히 미세패턴을 위한 마스크 형성 공정에 있어 포토레지스트 도포 및 현상장비에 부착된 핫 플레이트(Hot Plat)의 상부면에 진공 흡착공을 설치하여 핫 플래이트상에 위치하는 웨이퍼와의 흡착력을 향상시킴으로써 포토레지스트의 도포가 균일하게 이루어지고 현상후 패턴의 크리티컬디멘젼을 균일하도록 하여 반도체 소자의 제조에 있어 제조 수율 및 신뢰성 향상시킬 수 있다.

Description

포토 마스크 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 핫 플레이트(Hot Plat) 단면도,
제2도는 제1도의 핫 플레이트 평면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 포토 마스크 제조공정중 베이킹 공정에 사용되며 상부에 얹혀지는 웨이퍼로 열을 전달하는 핫 플레이트의 구조에 있어서, 상기 핫 플레이트의 상부면에 다수개의 진공흡착공을 설치하여 흡착에 의해 상기 웨이퍼와의 접착력을 향상시킴으로써 상기 핫 플레이트로부터 웨이퍼로의 균일한 열전달이 이뤄지도록하여 양호한 품질의 마스크를 형성할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 흡착하는 학 플레이트의 진공 흡착력은 15~35HG인 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제작방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 핫 플레이트의 상부면에 다수개의 진공흡입공이 형성되고 핫 플래이트의 하부로는 상기 진공흡입공과 연결돈 진공흡입구가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050469A 1995-12-15 1995-12-15 포토 마스크 제작방법 KR970048917A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050469A KR970048917A (ko) 1995-12-15 1995-12-15 포토 마스크 제작방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050469A KR970048917A (ko) 1995-12-15 1995-12-15 포토 마스크 제작방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970048917A true KR970048917A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66595018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950050469A KR970048917A (ko) 1995-12-15 1995-12-15 포토 마스크 제작방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970048917A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100750630B1 (ko) * 2005-05-12 2007-08-20 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판 열처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100750630B1 (ko) * 2005-05-12 2007-08-20 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판 열처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900700924A (ko) 레티클 마스크 제조 방법
KR970048917A (ko) 포토 마스크 제작방법
JP2002305199A5 (ko)
CN114967316A (zh) 一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法
JPH05218183A (ja) 半導体ウエハ用真空チャックステージ
JP2003021909A (ja) 露光装置
JPS63216335A (ja) 密着露光方法
JPS5732653A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS57102051A (en) Manufacture of semiconductor device
KR950015552A (ko) 다층배선을 갖는 고집적회로의 포토레지스트 체크 패턴
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
JPS6473718A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit device
KR100291825B1 (ko) 콘택홀형성방법
KR20030041028A (ko) 스크린프린트법을 이용한 바이오마이크로시스템용미세유체 흐름관 제작 방법
KR970013064A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
JPS6412547A (en) Formation of multilayer interconnection
JPS55110060A (en) Manufacture of semiconductor device
KR960026539A (ko) 반도체 소자 제조방법
JPS56130947A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5732639A (en) Production of semiconductor device
KR950021101A (ko) 반도체 장치의 콘택 제조방법
KR910001900A (ko) 반도체 장치의 폴리머층의 프로파일 조절방법
JPS5724558A (en) Semicondctor device
JPH11125811A (ja) 液晶表示素子の製造方法および液晶表示素子製造装置
KR930006839A (ko) 반도체 제조공정의 미세패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination