TWI360858B - Substrate support structure, heat treatment appara - Google Patents

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TWI360858B
TWI360858B TW096108433A TW96108433A TWI360858B TW I360858 B TWI360858 B TW I360858B TW 096108433 A TW096108433 A TW 096108433A TW 96108433 A TW96108433 A TW 96108433A TW I360858 B TWI360858 B TW I360858B
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treatment plate
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Fukumoto Yasuhiro
Tsuji Masao
Miyauchi Hiroshi
Taniguchi Hideyuki
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Dainippon Screen Mfg
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1360858 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ^本發明係關於基板支撐構造、基板支撐構造所使用之第 .L、基板支撐構造之製造方法、對基板進行熱處理 *之熱處理裝置、以及吸附基板之基板吸附方法，其中，該 基板支撐構造支撐半導體基板、液晶顯示 板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等（以下，僅稱 板」）。 鲁【先前技術】 近年，形成於基板上之圖案之線寬尺寸或線寬均一性^ 期望值變得嚴格’伴隨此光微影之烘烤熱處理、尤苴曝夫 後之烘烤（PEB:Post Exp咖re Bake)時之 要求亦提高。 ^ 因此’提出有口及附基板而進行熱處理之熱處理裝置㈠ 如，揭示於曰本專利特開平1〇— 28436〇號公報）。該埶屬 理裝置係具備利用樹脂而將金屬塗佈於熱處理板之以 = 且構成藉由該凸起部而抵接支編 之基板支#構造。又，將與絲之周 部設置於熱處理板之上表面。進而 ^衣，泰 ίΠ 而形成。若將基板载置於基板支 二!Γ與熱處理板之間形成有封閉之空間。自 體排出’藉此吸附基板。此時，即使 對基板進行加熱。 仃場正，故可以均勾之溫度 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96_〇6/96108433 5 Ϊ360858 、然而，於具有此種構成之習知例之情況時，存在如下問 題。 即，抵接於基板之凸起部與熱處理板同為金屬，故熱主 要是經由凸起部而傳遞至由上述基板支撐構造所支撐'之 基板。由此，存在如下不良情況，即，於基板面内之與凸 起部接觸之部分與非接觸之部分的熱歷程大為不同。、 【發明内容】 本發明係鑒·於上述情況而完成者，其目的在於提供：（ι ) 了較佳地支樓基板之基板支撐構造、使用其之熱處理裝 置基板支撐構造所使用之第一片狀物、及基板支撐構造 之製造方法；（Π )可較佳地對基板進行熱處理之熱處理裝 置；（Π)可較佳地吸附基板之熱處理裝置與基板吸附方 法。 本發明為了達成（I)之目的，而採用如下構成。 即，本發明係一種支撐基板之基板支撐構造，上述構造 包括以下要素： 支撐基板之板本體； 第一片狀物，其係設置於上述板本體之上表面之樹脂製 者’且於其表面形成有抵接支撐基板之凸起部； 上述第一片狀物之凸起部係藉由蝕刻處理而形成者。 根據本發明，具備藉由蝕刻處理而形成之凸起部，藉此 不使凸起部之周圍形成開口。基板支撐構造係將此種上述 第一片狀物設置於板本體上而構成，故可較佳地支撐基 板。又，可減小基板面内之與凸起部接觸之接觸部位、與 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 6 1360858 未與凸起部接觸之非接觸部位間之熱 此可抑制熱歷程於整個基板面内之不均一性。 此處’所謂凸起部係指包括於俯視觀察下為點狀隆起之 部位、及於㈣觀察下為線狀連接（直㈣或曲線狀）並隆 起之鄯仿。 於如上所述之發明中，上述第一片狀物較佳為其背面平 坦。可將第-片狀物適#地設置於板本體上而構成基板支 撐構造。 於如上所述之發明中，上述第—片狀物係具備與基板之 周緣部抵接之環狀邊緣部，且較佳的是上述邊緣部係藉由 餘刻處理而形成者4藉由邊緣部來封閉形成於基板與第 一片狀物間之空間之侧面。 於如上所述之發明中，較佳的是上述第一片狀物具備第 1開口，該第1開口部用以吸引形成於基板與上述第一 片狀物間之空間内之氣體。可適當地吸附載置於基板支撐 構造上之基板。 又，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裴置，上述裝 置包括以下要素： 申請專利範圍第1項中所揭示之基板支撐構造；及 加熱基板之加熱手段。 根據本發明，可適當地對基板進行熱處理。 又’本發明係用於如下基板支撐構造之第一片狀物該 基板支樓構造係將樹脂製之第一片狀物配設於支撑基板 之板本體之上表面而成者，上述第一片狀物包括以下要 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 7 1360858 素： * 藉由蝕刻處理而形成凸起部，該凸起部於上述第一片狀 ，物之表面上抵接支撐基板。 - .根據本發明’可適當地實現基板支撐構造。 • 又，本發明係支撐基板之基板支撐構造之製造方法，上 述方法包括以下要素： 於樹脂製之第一片狀物之一面上，藉由蝕刻處理而形成 抵接支撐基板用之凸起部； • 將形成有上述凸起部之第一片狀物，以上述凸起部為上 側而配置於板本體之上表面。 … 根據本發明，可適當地製造基板支撐構造。 又本發明為了達成（π)之目的，而採用如下構成。 即，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述妒 置包括以下要素： ~ 熱處理板； • 第二片狀物，其載置於上述熱處理板上，於其表面上形 成有與基板之周緣部抵接之環狀密封部、及於上述密封部 之内侧抵接支撐基板之凸起部； 第1排出孔，其用以排出形成於基板與上述第二片狀物 間之空間之氣體。 根據本發明，將第二片狀物載置於熱處理板上，由此即 使第二>{狀物伸縮，其伸縮亦不會受到妨礙。由此，可防 止於第二片狀物產生褶皺等。 於如上所述之發明中，較佳的是，上述第二片狀物上， 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 8 丄湖858 於上述密封部之外側形成有第3開口部’且上述裝置且備 配置於上述第3開口部内之插入構件，於上述第3開：邻 與上述插入構件之間，設置有容許上述第二片狀物伸縮: 間隙。因於第3開口部與插入構件之間設置有容許第二片 狀物伸縮之間隙，故不會因插入構件而妨礙第二 伸縮。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備隆起限制構 丨件其以與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封 1部之外側之上方，限制上述第二片狀物自上述熱處理板隆 起。由於具備隆起限制構件，故可適當的限制第二片狀物 自熱處理板隆起。 、，於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水 平方向之定位的導向構件、及與上述導向構件抵接並使上 述導向構件位置對準之位置對準構件，且上述導向構件配 置於上述第3開口部内並兼作上述插入構件，且上述位置 對準構件兼作上述隆起限㈣件。導向構件兼作插入構 件’且位置對準構件兼作隆起限制構件，以此可使構造進 一步簡化。 。於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水 平方向之定位的導向構件，且上述導向構件配置於上述第 3開口部内並兼作上述插人構件。導向構件兼作插入構 件，以此可簡化構造。 於如上所述之發明中，較佳的是具備按壓構件，該按歷 構件係在上述第二片狀物上載置於上述密封部之外側，且 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 9 , 1360858 ::上述第二片狀物之伸縮。由於具備容許 伸縮之按麼構件，故不會妨礙第二片狀物之伸：物之 於如上所述之發明中，較佳 … :與上述第二片狀物隔開之方式::二起: 二側：上方’並限制上述第二片狀物自上述熱處理 :熱:=起限制構件’故可適當地限制第二片狀物 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水 千方向之定位的導向構件、及與上述導向構件抵接並使上 述導向構件位置對準之位置對準構件，且上述導向構件係 在上述第二片狀物上配置於上述密封部之外側，並兼作上 述按壓構件，並且上述位置對準構件兼作上述隆起限制構 件。導向構件兼作按壓構件，且位置對準構件兼作隆起限 制構件’以此可使構造進一步簡化。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水 _平方向之定位的導向構件，且上述導向構件係在上述第二 片狀物上配置於上述密封部之外側’並兼作上述按壓構 件。導向構件兼作按壓構件，以此可使構造簡化。 於如上所述之發明中’較佳的是具備隆起限制構件，其 . 以與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之 外側之上方’並限制上述第二片狀物自上述熱處理板隆
«I 起。藉由具備隆起限制構件，而可適當地限制第二片狀物 之隆起。 又，本發明為了達成（瓜）之目的，而採用如下構成。 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 10 !36〇858 即，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述裝 •置包括以下要素： % 熱處理板； - 第二片狀物，其設置於上述熱處理板之上表面上，形成 . 有抵接支撐基板之凸起部； 封閉手段，其封閉形成於基板與上述第二片狀物間之空 間之侧面； 第2排出孔’其用以排出上述空間之氣體； 鲁 吸引孔，其形成於上述熱處理板上，用以吸引上述第二 片狀物。 根據本發明，由於用以吸引第二片狀物之吸引孔形成於 熱處理板上，故可使第二片狀物密著於熱處理板上。由 此，該吸引孔可一面抑制第二片狀物相對於熱處理板而移 動，一面吸附基板。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備槽部，該槽部 鲁形成於上述熱處理板之上表面，與上述吸引孔連通。於槽 部可吸引第二片狀物，故可使第二片狀物適當地密著於熱 處理板上。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備槽部，該槽部 形成於上述熱處理板之上表面，與上述第2排出孔連通， 且上述第2排出孔兼作上述吸引孔。由於第2排出孔兼作 吸引孔，故無須特意設置用以吸引第， 故可使構造簡化。 ^札 於如上所述之發明中，較佳的是，自上述槽部之底部至 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·06/961〇8433 11 1360858 上述熱處理板之上表面為止之高度高於上述凸起部之高 .度。當吸附基板W時，可使槽部之壓力低於形成於基板$ ,上述第二片狀物間之空間之壓力。藉由如上之壓力差，可 .使力朝向熱處理板側之方向而作用於第二片狀物，由此可 使第二片狀物密著於熱處理板上。 於如上所述之發明中，較佳的是，上述槽部橫跨上述熱 處理板之周緣側與中央而形成。可吸引整個第二片狀物。 於如上所述之發明中，較佳的是，上述第2排出孔具有 _形成於上述熱處理板上之板孔、及形成於上述第二片狀物 並與上述板孔連通之片孔，且上述片孔設置於上述熱處理 板之周緣側。即使為自形成於基板與上述第二片狀物間之 空間之側面流入外部氣體之情況，由於自周緣側之第2排 出孔將所流入之外部氣體排出，故亦可抑制外部氣體進入 熱處理板之中央部。 又’本發明係將形成有凸起部之第二片狀物設置於熱處 鲁理板之上表面，並吸附由上述凸起部抵接支撐之基板之基 板吸附方法，上述方法包括以下要素： 將形成於基板與上述第二片狀物之間之空間作為第1 空間’且將形成於上述第二片狀物與上述熱處理板之間之 •空間作為第2空間，一面將上述第2空間之壓力保持於上 ，述第1空間之壓力以下，一面分別將上述第1空間及上述 第2空間内之氣體排出。 根據本I明，藉由排出氣體時之第1、第2空間之壓力 之關係’即使'於第二片狀物上產生朝向熱處理板側之力， M2XP/發明說明書(補件)/9W)6/961〇8433 12 1360858 亦不會產生朝向基板侧之力。可一面抑制第二片狀物相對 •於熱處理板而移動，一面吸附基板。 於如上所述之發明中，較佳的是，當排出氣體時，上述 第2空間内所產生之氣體之流動的流動阻力，小於上述第 γ空間内所產生之氣體之流動的流動阻力。將第2空間之 壓力°又為低於第1空間之壓力。由此’可使第二片狀物密 著於熱處理板上。 再者，本5兒明書亦揭示有與如下之熱處理裝置相關之發 ，明。 (1) 於申請專利範圍第19項之裝置中，上述槽部係直線 狀。 (2) 於申請專利範圍第22狀裝置中，上述槽部係直線 狀。 根據該等發明，可控制槽部之長度。藉此，可抑制因槽 部而產生微粒、及槽部對熱處理品質之影響。又，由於槽 部為直線狀，故可易於加工形成槽部。 (3) 於申請專利範圍第19項之裝置中，上述槽部係對應 於上述母個吸彡丨孔而單獨地形成。 (4) 於申請專利範圍第22項之裝置中， 上述槽部係對應於上述每個吸引孔而單獨地形成。 根據5亥等發明，gp借^ ym — _, m Η ": ㈠吏母個吸引孔進行吸引之時機或吸引 差異，亦不會使通過槽部及吸引孔而排出之氣流 (5)於申請專利範圍第19項之裝置中， 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-06/96108433 1360858 進而具備供給孔 體供給至上述空間 位置上。 ’其形成於上述熱處理板上 ’且上述供給孔形成於偏離 ，用以將氣 上述槽部之 (6)於申請專利範圍第22項之裝置中 進而具備供給孔 體供給至上述空間 之位置上。 ’其形成於上述熱處理板上， ’且上述供給孔，形成於偏離 用以將氣 上述槽部 二等自供給孔所供給之氣體，將經由空間而 :不供給氣體時，較空間之麼力而槽部之虔力 並不上升。因此’第二片狀物不會自熱處理板隆起。 (7)於申請專利範圍第18項之裝置中， 丄理板係多孔質構件’且上述吸引孔係上述熱處 理板所具有之氣孔。 根據本發明，無須加工形成貫通熱處理板之吸引孔。 【實施方式】 以下，根據圖式對本發明之較佳實施例進行詳細說明。 [第1實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例丨進行說明。 圖1係表示實施m之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖，圖2係熱處理板之俯視圖。 熱處理板1，於俯視觀察下，呈直徑稍微大於基板界之 直徑之圓形，且其上表面為平坦。作為熱處理板丨之材 質，例示有熱導率高之鋼或鋁等金屬。於該熱處理板1 上，附設有雲母加熱器等發熱體3。於抵接於發熱體3與 312χρ/發明說明書(補件)/96-06/96108433 14 1360858 …' 處理板1之上表面間的孰值 示之孰焚v W之㈣”，、傳導部5，埋設有數根未圖 之冷:、二並圖不之數根熱管之間，形成有未圖示 發；：=冷卻用之流體。熱處理板1相當於本 —又，發熱體3相當於本發明之加熱手段。 於该熱處理板1之上表面配置有支樓片n，，亥等孰處 支撐片U構成基板支樓構造τ。於本實施例；， =二並不固定、固著於熱處理板1上而是僅為直接 在差異:’、因在於’支樓片11與熱處理板1之熱膨脹存 π支IV1之上表面，形成有抵接支揮基板w之凸起 二、及與基板w之周緣部抵接之邊緣部15。又於支 上’形成有貫通支撐片11之上下表面之第！門口 部A1與第2開口部A2。又’支撐片11之下表面為平;旦 ιΛ起圓多數個，且分別被規則地配置。各凸起部 上端至且自關隆起，其直徑自與基板w接觸之 •么:^ 稱稍變大。其傾斜角度，例如為3〇度左右。 < ^ 之上端之直徑，例如為0.5mm。各凸起部13 有Γ支撐片11之凹部有7一，距切片u 於上述=;，::= 谷凸起。卩13之上端之直徑， 至1 mm之範圍或者超過該範 、.1 mm 又，自支…心=二=:5更： 過該範圍而進行適當地設計變 文' 進步而s ，支樓片 之厍度本身亦可進行適當地 312XP/發明說明書(補件)/96_〇6/96丨〇8433 1360858 選擇變更。再者，於本實施例中，如下所述，可考慮自支 '撐片11之雙面進行蝕刻處理以此形成開口部，且選擇支 ，撐片11厚度（125 yro)之50%以上之值來作為凸起部13 之高度。 邊緣部15，於俯視觀察下，呈直徑略小於基板w之外 徑之環狀。將邊緣部15之高度，與各凸起部13之高度相 同。藉此使邊緣部15抵接於基板w，並將形成於基板w 與支撐片11間之空間（以下，記為「微小空間ms」）之側 •面封閉。 第1開口部A1係被設置為用以吸引微小空間ms之氣 體。第1開π部A1具有多數個（6個），且分別形成於邊 緣部15之内侧。又，第2開口部A2係被設置為用以插入 升降銷33。第2 口部A2亦具有多數個（3個），且於俯 視觀察下分別形成於如下位置上，該位置抵接於以熱處理 板1之中心為重心之正三角形之各頂點。
於熱處理板1上，與各第1開口部A1連通之排出孔21 及與各第2開口部A2對向之貫通孔31貫通熱處理板μ 上下表面之方式而形成。於熱處理板1之下表面側，各指 出孔21排出配管23之-端側共通，並與該排出孔21之 該端侧連通連接，且另一端側與真空吸引源Μ連通道 接該真工吸引源25，例如係設置於無塵室之真空設備 t出配s 23设置有調整麗力（負壓）之開關閥、及須 29。排出配管23與真空吸引源25刻 為排出手&而發揮作用。又’於各貫通孔31收容有利 312XP/發明說明書(補件)/96*06/96108433 1360858 =^且各升降銷33之下端侧與省略圖示之升降機構連 、，-。。繼而，使升降銷33升降，以此於未圖示之搬送手段 之間進行輪送基板W。 又 ^制部41係綜合性地操作上述發熱體3之輸出、開關 之開關、及升降機構之驅動。該等操作係根據預先 it理程式而進行。進而’開關間27之開關操作係 9之檢測結果而進行。控制部41係藉由執行 各種處理之中央處理器（cpu)、成為運算處理之作章區域 之RAM(Rand〇m Access Memory)、或記憶各種資訊之 磁碟等記憶媒體等而實現。 此處’對支撐片11之材質、製法進行說明。支撐片u 係樹脂製。樹脂之種類，可根據處理内容而進行適當地選 擇。當於如本實施例般之熱處理裝置時，較佳的是具有耐 熱性。更佳的是具有财藥性。具體而言可例示如下者：聚 醯亞胺、聚四氟乙婦（PTFE)、聚氯三a乙缔（PCTFE) 關酮（PEEK)、聚苯硫騎（pps)、聚偏氟乙_)、聚 趟石風（PES)、聚颯（PSF)、聚_亞胺（pEI)、或耐熱性橡 膠材料H而言’支#片u亦可為多孔化之多孔質 構件。 支茅片11係藉由I虫刻處理而形成。使用圖至圖 3E對該餘刻處理進行說明。首先，對已預先將表面洗淨 之支撐片11之表面及背面，進行塗佈抗蝕劑之處理，形 成均-之抗蝕劑感光膜51(圖3A)。其次，使用於玻璃乾 板等所作成之蝕刻圖案53進行曝光，並轉印於支撐片】】 312χρ/發明說明書(補件)/96·〇6/96〗08433 ij6〇858 之雙面上所塗佈之抗蝕劑感光膜51(圖3B)。其次，自支 撐=11除去未曝光部之被膜，使支撐片u露出（圖3c)。 其次，根據未曝光部而對露出之支撐片n進行蝕刻處 理，腐蝕露出部（圖3D)。最後，自進行過蝕刻處理之支 撐片U除去抗蝕劑感光膜（圖3E)。此處，未被腐蝕之部 為凸起部13或邊緣部15。又，僅單面（表面）被腐 °ίΜ立將成為支撐片u之凹部（壁厚較薄之部位），而 雙面被腐蝕之部位將成為第1、第2開口部Α1、Α2β ::如上之方式而生成之支樓片u，以其平坦之背面 =方而配設於熱處理板！上。此時’可將支標片n固 2地安I於熱處理板丨上，亦可僅載置於熱處理板ι上。 支撐片11相當於本發明之第一片狀物。 :次’參照圖4對以上述之方式而構成之熱處理裝置之 〜Γ丁:：說明。圖4係表示熱處理裝置之處理步驟之 而^二 熱體3之溫度控料係6根據處理程式 而進仃，於以下之說明中省略其說明。 <步驟SOI >搬入基板w 控制部41操作料機構而使料们3 =送手段接受基板w。繼而，使升降鎖33下= 二邱η載置於支撐片11上。此時，基板W之下表面盘凸 起°"3及邊緣部15抵接。藉此，於基板w鱼支樓片、u 之間形成封閉之微小空間ms。 ，、叉撐片11
<步驟S02 >吸附基板W 控制部41操作開關間27以通過第！開口部Μ及排出 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-06/96108433 1360858 孔21而使微小空間ms内之氣體（空氣或氮氣）排出。微小 .空間ms内之壓力被調整為負壓，使基板w吸附於熱處理 •板1側。 〈步驟S03>對基板W進行熱處理 使基板W被吸附支撐之狀態保持預先規定之時間，藉此 對基板W實施既定之熱處理。 a 〈步驟S04>搬出基板w 當既定時間之熱處理結束後’控制部4H吏開關閥27關 •閉，以使微小空間ms之壓力恢復至大氣壓。繼而，使升 降銷33上升，以使基板Wl%上方抬升並傳遞至未圖示之 搬送手段。 如上所述，根據本實施例，藉由蝕刻處理而生成支撐片 U’故凸起部13之周圍（凸起# 13以外之部分）並未形成 開口，可成為凹部。即，若根據利用雷射加工之穿孔或截 斷，則若不於支稽片u形成開口，而無法形成凸起部， f故凸起部以外之部分必然形成開口，但若根據敍刻處理則 無須形成如上所述之開口。 若藉由此種支撐片u，則可抑制熱歷程於整個基板评 面内之不均一性。例如，若根據凸起部之周圍（凸起部以 外之部分）形成開口之支揮片’則當载置於熱處理板卫上 時，使熱處理板1自開口露出，故於基板w面内，於與凸 =部接觸之接觸部位及未與凸起部接觸之非接觸部位之 曰，熱歷程之不均一性變大。又，於熱處理板1之上表面 之溫度於不同之位置而產生不均一性之情況時，基板W之 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 19 1360858 溫度將較大地受到此影響而易於不同之位置而產生不均 •一性。然而，支撐片1 1係凸起部之周圍並未開口，因此’ *不會導致產生上述之不良情況。 又，藉由蝕刻處理而生成支撐片丨丨，故凸起部13之配 置位置及個數亦無限制而可以任意之圖案形成。進而，可 易於使凸起部13之大小小型化。又，凸起部丨3係以固定 之傾斜角度而形成，故凸起部13不易於彎折，又不易於 損害。將形成有此種凸起部13之支撐片u設置於熱處理 >板1上，藉此可構成如下基板支撐構造τ，即一面以支撐 片11覆蓋熱處理板1，一面使凸起部13之接觸面積相對 於基板W之面積的比例降低。 即使支撐片11，亦不於第j開口部A1、第2開口部 以外形成開口，故支撐片u整體具有固定之強度。因此， 易於處理支撐片11，且可易於製造基板支撐構造τ。 又由於支樓片π之背面為平坦，故不會損害形成有 .凸起部13之支撐片之表面形狀，而可將支撐片Η設 置於熱處理板1上。由此，支撐片U與熱處理板卜可 構成適當之基板支撐構造τ。 又，具備以蝕刻處理而形成之邊緣部丨5，以此可適當 地將微小空間ms之側面封閉。其結果，可適當地吸附基 板W。 又，熱處理裝置具備發熱體3，以此可適當地進行對基 板W進行加熱之熱處理。 本^月並非限疋於上述實施形態，亦可以如下所述之方 3ηχρ/發明說明書(補件)/96·〇6/961〇8433 20 1360858 式而實施變形。 .⑴於上述實施例！中所說明之 •例’可任意地變更藉由餘刻處理而形成之凸二：― 案’即凸起部13之大小或形狀、位置成:凸^ 圖5與圖6表示凸起邻η個數專。 形例之支掉片u之俯視圖U如之圖圖=變形例 巧凸起部U。各凸起部“之直二成= 成同心圓之方式配置。於令 彼此 為通氣孔而發揮作用之们8。葬^ 4之各處形成有作 板W抵接，各凸起部14:二即使凸起部“與基 即使於任意之位置而將微小周側亦連通。因此， 4Μ社他 傲J工間ms内之氣體排出，亦可 適虽地使Μ小空間ms内之壓力為負壓。 於二圖/;系變形例之支撐片U之俯視圖。如圖6所示， ^4形成有配置成同心圓狀之直徑不同之“固 凸起4 14、及遍及最线中心側之凸起部14 之放射狀延伸的6個凸起部14。其結果，凸起部二 =15並不分離’而於各處連結。再者，該情況亦可變 更為於各凸起部14上形成槽部。 ⑺於如上所述之實施例1中，藉由_處理而形成第 開口部Α1與第2開口冑Α2，但亦可藉由餘刻處理以外 之方法而形成該等第i、第2開口部A1、Α2。 (3)於如上所述之實施例1十，不將支撐片u固定、固 著於熱處理板！上而是僅直接載置，但並非限定於此。 即，亦可將支撐片n固定、固著於熱處理板丨上。又， 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 21 〔 1360858 •亦可以如下方式載置，即，於支樓片11與熱處理板1之 間，隔有向水平方向良好滑動之物質。又，亦可將限制支 撐片U自熱處理板1相對移位之構件配置於熱 .上’以此設置支撐片u。 ' (4)於如上所述之實施例1中，凸起部13自其上部至下 部直徑漸趨變大，但並非特別限定於該形狀，亦可為自上 至下部為相同直徑。 # ⑸於如上所述之實施例1中’將發熱體3附設於熱處 理板1上，但並非限定於此。例如，亦可設為如下構成， 即’將加熱部設置於基板w上方以自上方對基板w進行加 熱。 (6)於如上所述之實施例丨中，於支撐片u上形成有邊 、’彖。P 15 ’但亦可省略此。χ，此時，亦可省略用以使微 小空間ms内為負壓之開口 A1、排出孔21、及排出配管 23以下之構成。 • (7)於如上所述之實施例1中，熱處理板1為金屬，但 亦可適當地變更為陶兗等。 (8)於如上所述之實施例丨中，說明了具備發熱體3， 且進行對基板W進行加熱之熱處理之熱處理裝置，但亦可 變更為如冷卻板般進行使基板w冷卻之熱處理。又，亦可 將本實施例中所說明之基板支#構造τ剌於進行洗淨 處理或塗佈處理等其他處理之裝置中。又，於可旋轉支撐 土板W之清況下，具備旋轉驅動熱處理板1之馬達等，藉 此可應用本實拖例之基板支撐構造Τ。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-〇6/96丨〇8433 22 1360858 [第2實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例2進行說明。 圖7係實施例2之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖， 圖8A係熱處理板之俯視圖，圖8B係支撐片之一部分之俯 視圖。 熱處理板101，於俯視觀察下呈直徑略微大於基板界之 直役之圓形。作為熱處理板1 〇 1之材質，可例示熱導率高 之銅或銘荨金屬。於该熱處理板上附設有雲母加熱器 等發熱體103 ^於抵接於發熱體與熱處理板1〇1之上 表面之間的熱傳導部105,埋設有數根未圖示之熱管。又， 於未圖示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽，且流 通有冷卻用之流體。 於該熱處理板101之上表面上，設置有樹脂製之支撐片
Hi。於支撐片ill上形成有凸起部113與密封部ιΐ5。 又’於較密封部115之外側，設置有第3開口部A3应第 4開口部A4。此種支撐片⑴被設置於可根據溫度而並非 伴隨著褶皺或f曲等進行變形之熱處理板1G1之上表面 ίΐ更誶細而言，支撐片丨丨丨於進行熱處理時，於較大之 /皿度範圍（例如，自常、、ra 5 _ 圊自至，皿至處理溫度(約200度)為止之範 Γ同t/溫°此時’支撐片111具有與熱處理板⑻ == 脹率，故相對於熱處理板m,支撑片iu沿 义十方向（面内方向）移位（伸縮） ill相對於埶處理柘lfn、目由今許忒支撐片 伴隨著支撐片對性移位(伸縮)，而並不 片111本身之褶皴或彎曲等狀態下，載置於熱 3麵發明說明書(補件)/9祕觸_ 23 板1〇1上。具體而έ，可直接將支撐片111載置於熱 處理板101上而並非固定、固著於熱處理板101上，亦可 2如下方式載置，即，於與熱處理板m之間，隔有向水 :方向良好地進行滑動之物質。再者，支撐片1U相當於 本發明之第二片狀物。 凸起部113為多數個（於圖8A中為37個），並規則地配 站尚各凸起邛113呈圓柱形狀’其直徑自上端至下端側稍 :大。各凸起部113之高纟，例如，距支樓片⑴之凹 :有75 ，距支撑片⑴之背面有m㈣。以該凸起 # 113之上端來抵接支撐基板W。 密封部U5,於俯視觀察下’呈直徑略微小於基板R 卜徑之環狀’並包圍凸起部113之周圍。密封部ιΐ5之高 $與各凸起部113之高度相同。該密封部115與基板w抵 接，藉此，封閉形成於基板W與支撐片丨丨丨之間之空間（以 下’記為「微小空間ms」）的側面。實施例2之支樓片⑴ =自欲封部115至支撐片lu之外周緣為止，以相同之高 二而形成為一體。因此，圖8B中統一以斜線來明示自 :封。P 115至支撐片i i i之外周緣為止之範圍。然而，密 中。(Μ 15係與基板W周緣部抵接之部位於圖8a、圖㈣ 从’相當於藉由内周圓115a與外周圓U5b之間而包圍之 =圍。於本說明書中，將支撐片⑴巾，於俯視觀察下外 周圓115b之外周側之範圍稱為「密封部115之外側」。 第3開口部…為多數個（6個），並分別以與密封部出 之外周圓U5b連接之方式等間隔地形成。第4開口部A4 312撕發明說明書(補件)/96.06/96108433 24 1360858 自第IS個(6個)’並設置於各第3開口部A3之間’即 自第3開口部Μ至支樓片1】1之周緣側。 中對妾上^樓片/y之製法、材質進行說明。於本實施例 而制此#片u1係藉由對具有耐熱性之樹脂進行蝕刻處理 _ 作為樹脂’更佳的是具有耐藥性。具體而言可例 二二醯亞胺1四氟乙烯(觸、聚氯三氟乙烯 TF )、聚㈣酮（ρΕΕκ)、聚苯硫时⑻、聚偏氣乙稀 )、聚醚颯（PES)、聚砜（PSF)、聚醚醯亞胺（ρΕί)、 ί耐熱性橡膠材料。但是，支樓片⑴之製作方法並非限 :於此。例如’亦可於樹脂製之薄膜或片材等上分別藉由 …熔接而設置凸起部113與密封部115。X，亦可將支撐 片111形成為一體。 於熱處理板101上，除了支樓片U1外，亦具備導軌 121、螺检123、固定環125、及導執用環m。導執121 係進行基板W之水平方向之定位者，並呈上部形成有傾斜 φ面之大致圓柱形狀。作為導軌12卜較佳的是，不會損傷 基板w之两峰材料（peak material)。此種導軌12丨為多 數個(6個），並分別配置於支撐片lu之第3開口部A3 内。由此，使導軌121直接配置於熱處理板101上。再者， 導執121並未固定、固著於熱處理板1〇1上。又，當配置 導執121時，以於第3開口部A3(第3開口部A3之緣）與 導軌121之間，形成有可容許支撐片111伸縮之充分大之 間隙的方式，設計導執121及第3開口部A3之大小及位 置等。導執121相當於本發明之導向構件（尤其係兼作插 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 25 1360858 入構件之導向構件）。 導軌用環m，於俯視觀察下係呈具有 121之申空部之圓璟妝的拓d 圍各V軌 I之狀的板狀物。於導軌 緣，以與各導軌121之傾斜面之—邻八扣拉 之内周 有大致丰〇P刀抵接之方式而形成 有大致+圓形之缺口。進而於導 口部A4對應之位置上形成有 於與第4開 夂言u ^ b個貝通孔。螺栓123插通 各貝通孔。又，為了防止導執用環m 於么碟矛、松脫洛’ 歹、谷螺栓123安裝有固定環125。 it ^ 4 π λ , 谷螺栓U3之下端側插 ^ 4開口部A4,且固定熱處理板 123與第4開口部A4之 再者螺栓
Ba 力仏成有與導軌121盘第3 開口部A3之間之間隙相同或大於其之間隙。1 上導= 與螺栓123分別處於咖 逡；钕九121 ’並且自固定環125稍微地隆起。藉 ’導執用環127使導執121位置對準。又，此時 為如下者，即於導轨用理197 + * ' 矣品…/ 之下表面與支樓片⑴之上 ^成有微小間隔。於本實_巾，㈣部⑴ 外側之支撐片111的厚度Α 旱度為125 ，相對於此，將導執 之下表面之高度設為自熱處理板101之上表面至 用产者之間隔為175 "。導軌 衣127相备於本發明之位置對準構件。 又於本實施例中，具備貫通熱處理板1〇1與支 之第1排出孔131與貫通孔141。 /、 第^排出孔131被設置為用以使微小空間㈣之氣體排 出。第1排出孔m為多數個（6個），於熱處理板1〇1之 312ΧΡ/·說明書(補件)/96-D6/96108433 z〇 c ^ 1360858 下表面側，排出配螯彳_ 131 之一&側共通於各第1排出孔 並紅連接。排出配管133之另一 135連通連接。哕吉处Ώ ,広/、，、工次力/原 ^ °~、二吸引源135，例如係設置於無塵室 之真空設備。於排出西？營了 罢古 _ m R 有調整壓力（負壓)之開 關閥137、及測量壓力之壓力計139。排出配管⑶與真 空吸引源135係作為排出手段而發揮作用。 ' 貝通孔141被设置為用以插通升降銷。貫通孔 為3個，並於俯視觀察下係分別形成於與以熱處理板⑻ :中心為重心之正三角形之各頂點的所在位置上。插通各 貝通孔141之升降銷143之下端側與省略圖示之升降機構 連結◊藉由升降機構而使升降銷143升降，以此於未圖示 之搬送手段之間傳遞基板W。 Θ '' 控制部151综合性地操作上述之發熱體1〇3之輸出、開 關閥137之開關、及升降機構等。該等操作係根據預先所 記憶之處理程式而進行。進而，開關閥137之開關操作係 鲁根據壓力计139之檢測結果而進行。控制部i 5丨係藉由執 行各種處理之十央處理器（CPU)、成為運算處理之^業區 域之RAM(Random Access Memory)、或記憶有各種資訊之 固定磁碟等記憶媒體等而實現。 其次，對實施例2之熱處理裝置之動作進行說明。圖 係表示對基板W進行熱處理之處理步驟之流程圖。 <步驟S11 >使熱處理板升溫 控制部151使發熱體103進行加熱，且將熱處理板1〇1 控制於既定之處理溫度。此時，支撐片ln相對於熱處理 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 27
丄JUUOJO 板101而進行相對移位（伸 μ Π 1 ^ 呷难）圖10係不意性表示支撐 片⑴伸縮之情況。如圖J 衣丁叉存 以實绩辦主- 口1U所不表不有如下情況，即， 實：所表不之支撐片⑴變形(伸縮)至以虛線所表示 之位置為止。然而，即使 ’、 開口部^ 吏上述支撐片1Π伸縮，因於第3 第3開口部A3之邊緣）與 既定之問1¾、，从措虹，。 61〈間形成有 即俊…亦不會干擾支撐片1U。由此， ^使支撐伸縮於支撐片⑴亦不會產生褶皴及彎 •〈步驟S12>搬入基板w 利用控制部151來操作升降機構，藉此，升降鎖143自 未圖示之搬送手段而接受基板W，並將基板W载置於支撐 片111上。此時，基板w係藉由導軌121而進行定位。基 板W由凸起部113抵接支撐，且藉由密封部115來封閉形 成於基板W與支撐片U1間之微小空間㈣之側面。 <步驟S13>吸附基板w φ 控制部151係一面參照壓力計139之測量結果一面操作 開關閥137 ’且將微小空間ms之氣體排出。微小空間μ 之壓力被調整為負壓，使基板w吸附於熱處理板1〇1側。 〈步驟S14>對基板w進行熱處理 • 當吸附基板W時，使該狀態保持預先設定之時間，以此 對基板W進行既定之熱處理。 <步驟S15 >搬出基板w 當既定時間之熱處理結束後’控制部151使開關閥i37 關閉，且使微小空間ms之壓力為大氣壓。藉此，解除對 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 28 1360858 基板W之吸附。繼而，控制部151控制升降銷143，使基 板W向上方抬升並搬出。 ^有4支撑片111與基板W—併自熱處理板ιοί隆 起。圖11係示意性表示支撐片ηι隆起之情況之圖。然 而’_於密封部115之外側之支撐片111的上方，隔開微小 間隔而配置導轨用環127，故支撐片ill之隆起被適當地 限制》 <步驟816>使熱處理板降溫 對作為處理對象之所有基板w進行過熱處理之後控制 4 151結束發熱體1〇3之加熱。藉此，使熱處理板I"之 溫度降至室溫。 如上所述，根據實施例2之熱處理裝置，第3開口部 A3與導軌121之間形成有既定之間隙，故不會妨礙支樓 片111之伸縮。由此，可防止於支撐片ln上產生褶皺或 彎曲等。 又’導轨用環12 7係配置於密封部115之外侧之支撐片 111的上方’即自支撐片1U稍微隔開之位置上，故可較 佳地控制支撐片111之隆起。 又’使導軌121插入至第3開口部A3中，藉此，可使 支樓片111位置對準’且可防止支撑片Hi整體相對於熱 處理板101而大幅移動》 [第3實施例] 以下，參照圊式對本發明之實施例3進行說明。 圖12係表示實施例3之熱處理裝置之概略構成之縱剖 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 29 1360858 面圖，再者，對於與實施例2相同之構成，附以相同元件 •符號並省略其詳細說明。 .該實施例3之熱處理裝置之特徵在於，將導軌121載置 .於支撐片111上。即，於實施例3之支撐片lu上形成有 •凸起部Π3、密封部115、及第4開口部A4，且並未形成 有實施例2中所說明之第3開口部A3。 導執121分別被直接載置於支撐片ln上之既定位置。 較佳的是，導軌121之重量為容許支撐片1U伸縮之程度 之較輕重1。導執1 21相當於本發明之導向構件（尤其係 兼作插入構件之導向構件）。藉由以上述方式構成之熱處 理裝置而進行既定之熱處理時，支撐片lu於載置有導軌 121之狀態下伸縮，且導執121根據該伸縮而於水平方向 移動。 如上所述，即使藉由實施例3之熱處理裝置，亦容許支 撐片ill於水平方向伸縮，故可防止支撐片U1相對於熱 籲處理板1 01而伸縮時支撐片n丨產生褶皺或彎曲。 進而，導轨121將支撐片111按壓至熱處理板上， .故可防止外部氣體進入支撐片lu與熱處理板101之間。 藉此，可預防如下不良情況，即，進入支撐片lu與熱處 理板1 01之間之氣體膨脹收縮，使支撐片1 1丨產生褶皺及 彎曲等。 [第4實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例4進行說明。 圖13係實施例4之熱處理板之俯視圖。再者，對於與 31發明說明書(補件)/96-06/96108433 30
VOJO =施例2相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說 下理裝置之特徵在於，具備於俯視觀察 I二*122。即，於實施例4之支標片川 化成有凸起部113與密封邱Μ , 未US ’其内徑形成為大於基板⑻之外徑，而並 2如貫施例2中所說明之導執121般進行基板W之水 片立的功能。繼而’將按壓構件122載置於支樓 ，谷許支撐片111伸縮，並且 至熱處理板1〇1。敕祛的3仏广 了又枒乃Hi按壓 支^ η 按壓構件122之重量為容許 伸縮之程度之較輕重量。當藉由以上述方式構 置有;理裝置而進行既定之熱處理時，支撐片⑴於載 置有按壓構件122之狀態下伸縮。 =所述，即使藉由實施例4之熱處理裝置，因容許支 二片111伸縮，故當支撐片U1相對於熱處理板⑻而伸 、’、，亦可防止支撐片111產生褶皺及彎曲。 ，匕按壓構件122為環狀，故可於全周防止外部氣體 土撐片m與熱處理板101之間。藉此，可預防如下 體二二兄’即，進人支樓片111與熱處理板101之間之氣 脹收縮’導致支撐片⑴產生褶皺及彎曲等。 [第5實施例] 以下，參照圖式對本發明之實施例5進行說明。 圖14係表示實施例5之熱處理裝置之概略構成之縱剖 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 31 1360858 .面圖。再者，對於與實施例2相 號並省略其詳細說明。 構成附以相以件符 =施例5之熱處理裝置之特徵在於，具備隆起限制構 m，於實施例5之支標片⑴上，形成有凸起部 13與…"5而並未形成有實施例2中所說 d、弟 4 開口部 A3、A4。 構=觀察下’隆起限制構件親L型。該隆起限制 構，129 < —端被設置於熱處理板1G1之側部，而彎折成 子狀之另一端侧以覆蓋密封部115之外側之支撐片^ 之上方的方式而配置。 如上所述’即使藉由實_ 5之熱處理裝置，亦絲毫不 會妨礙支撐片111伸縮，故可防止支撐片ln產生褶皺或 :曲等…因具備隆起限制構件129，故可較佳地限制 支撐片111之隆起。 本發明並非限定於上述實施形態，亦可以如下所述之方 式而實施變形。 (1)於實施例5中，具備隆起限制構件129，但並非限 定於此。~ ’亦可省略隆起限㈣们^構成熱處理板 101。藉此，亦不會妨礙支撐片lu之伸縮，故可獲得如 下效果’即，可防止支撐片U1產生褶皺及彎曲等。 (2) 於實施例2中’將導執121載置於熱處理板1〇1之 上表面，但亦可將導軌121固定於熱處理板上。 (3) 於實施例2、3中，例示有導轨121之形狀，但導轨 121之形狀可適當地進行設計變更。 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 ⑷於實施例2中，導執1214兼作插入構 :限定於此。亦可變更為其他構件兼作插入構件 其僅具有者(例如’螺栓等固定構件)， 置對準、及防止支標片⑴整題之移:二以片111之位 件：的：於實施例3中’導執121為兼作按虔構 :::成成按r構:限定於此’藉由導…外者亦可適 件3冓於成貫'Γ!Λ、3中，導執用環127為兼作隆起限制構 構件其他構件亦可兼作隆起限制 能，即專:二支=之其:起具有隆起限制構件之功 自盆上邻W上所述之實施例2至實施例5中，凸起部113 又二部直徑變大，但並非特另"艮定於該形狀。 對於凸起部113之配置亦可進行適當地設計變更。進 凸起部113係以點接觸之方式支撐基板w，但亦可變 f第6^^狀隆起之6起部’以線接觸之方式支樓基板W。 L乐b貫施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例6進行說明。 圖15係表示實施例之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 Θ圖16係熱處理板之俯視圖。 二處理板201，於俯視觀察下呈直徑略微大於基板w之 之圓形作為熱處理板201之材質，可例示熱導率高 ’·5或紹等金屬。於該熱處理板201上附設有雲母加熱器
312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-06/96108433 33 C 丄划858 .^發熱體203。於抵接於發熱體2〇3與熱處理板 ‘ 專導部2°5,埋設有未圖示之數根熱管。又， 通之間，形成有—卩槽，並流 撐熱處理板201之上表面設置有支2ιι，該支 牙 形成有抵接支撐基板W之凸起部213。支 熱處理請上而是載置於既定之位置二於 密二” f:進而形成有沿著基板W之周緣部而抵接之 。支撐片211相當於本發明之第二片狀物❶ 凸起部213為多數個（於圖中為43個），並規則地配置。 山凸起部213呈圓柱形狀，且其直徑自與基板⑺接觸之上 端至下端侧稍稍變大。各凸起部213之高度例如為75 “m。 "密封部215,於俯視觀察下呈内徑略微小於基板w之外 輕之環狀。其高度與各凸起部213之高度相同。藉此，密 封部21 5將形成於基板w與支揮片211間之空間（以下， 记為「微小空間ms」）之側面封閉。密封部215相當於本 發明之封閉手段。微小空間㈣相當於本發明之「形成於 基板與第二片狀物之間之空間」或「第丨空間」。 此種支撐片211係藉由對具有耐熱性之樹脂進行银刻 處理而作成。作為樹脂，更佳的是具有耐藥性。具體而言 可例不聚醯亞胺、聚四氟乙烯（PTFE)、聚氣三氟乙烯 (PCTFE)、聚醚醚酮（pEEK)、聚苯硫醚（pps)、聚偏氟乙烯 (PVDF)、聚醚砜（pes)、聚颯（pSF)、聚醚醯亞胺（pEI)、 或耐熱性橡膠材料。但是’支撐片211之製作方法並非限 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96丨08433 1360858 定於此，亦可於樹脂製之薄膜或片材等上，分別藉由熱熔 接而。又置凸起部213與密封部215。又，亦可使支撐片211 成形為一體。 本實施例之熱處理裝置，具備貫通該等熱處理板2〇1與 支撐片211之第2排出孔221、供給孔241、及貫通孔251。 以下’依序進行說明。 第/排出孔221被設置為用以將微小空間㈣之氣體排 出。第2排出孔221為6個，且於俯視觀察下分別被配置 於熱處理板201之周緣侧。各第2排出孔221被劃分為形 成於熱處理板201上之板孔221p、及形成於支撐片211 上之與板孔221p連通之片孔221s。 於熱處理板201之上表面設置有與各第2排出孔221連 通之槽部225。槽部225自熱處理板2〇1之周緣侧直線延 伸至中央。又，各槽部225設置於每個第2排出孔221上， 且以彼此獨立之方式形成。自各槽部225之底部至熱處理 板201之上表面為止之高度（即，槽部225之深度）係高於 如下所述之凸起部213之高度。槽部225之尺寸，例如， 深度為0.5 mm，寬度為1 mm。槽部225之上方由支撐片 211覆蓋，故板孔221p亦可作為用以吸引支撐片211之 吸引孔而發揮作用。又，含有板孔221p之第2排出孔221 兼作吸引孔。槽部225相當於本發明之槽部或第2空間。 於熱處理板201之下表面侧，排出配管231之一端側共 通於各第2排出孔221且連通連接，排出配管之另一端側 與真空吸引源233連通連接。該真空吸引源233，例如係 312XP/發明說明書(補件)/96·06/96108433 35 1360858 設置於無塵室之真空設備。於排出配管231上設置有調整 •壓力（負壓）之開關閥235、及測量壓力之壓力計237。= ‘出配管231與真空吸引源233作為排出手段而發揮作用。 供給孔241被設置為用以將氣體供給至微小空間略。 供給孔241為2個，並分別形成於偏離槽部225之位置 上。於熱處理板201之下表面側，供給配管243之一端側 共通於各供給孔241且連通連接，而另一端側與氮氣供給 ，245連通連接。該氮氣供給源245，例如係設置於無塵 =之真空設備。於供給配管243上配設有開關閥247、及 壓力計249。再者，亦可設置潔淨空氣供給源來代替氮氣 供給源245。供給配管243與氮氣供給源245將作為供給 手段而發揮作用。 貫通孔251被設置為用以插入升降銷253。貫通孔 為3個，於俯視觀察下係分別形成於如下位置，即與以熱 處理板201 <中心為重心之正三角形的各頂點之所在位 #置。插通各貫通孔251之升降銷253之下端側與省略圖示 的升降機構連結◊而且，藉由使升降銷253升降而於未 圖示之搬送手段之間傳遞基板W。 控制部261，綜合性地操作上述發熱體2〇3之輸出、開 .關閥235及開關閥247之開關、及升降機構等。該等操作 係根據預先記憶之處理程式而進行。進"關閥235、與 開關閥247之開關操作係分別根據壓力計237與壓力計 249之檢測結果而進行。控制部261係藉由執行各種處理 之中央處理器（CPU)、成為運算處理之作業區域之 312XP/發明說明書(補件)/96_〇6/961〇8433 丄曙58 .M(Random Access Memory)、或記憶有各種資訊之固定 磁碟等記憶媒體等而實現。 其-人，對實施例6之熱處理裝置之動作進行說明。圖 ‘ 17係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。再者，發熱 、體2 0 3之溫度控制等係已根據處理程式而進行者，於以下 之說明中省略其說明。 <步驟821>搬入基板w 控制部261操作升降機構，藉此升降銷253自未圖示之 搬送手段接受基板w。而且，將基板评載置於支撐片211 上。基板w被凸起部213與密封部215抵接支樓。於基板 w與支撐片211之間形成有氣密之微小空間ms。 〈步驟S22>吸附基板w 控制部261 -面參照壓力計237之測量結果—面使開關 閥235打開，且將微小空間ms之壓力控制於既定之處理 堅力Pms(負壓）。藉此，使微小空間ms之氣體，自第2 瞻排出孔221排出，且亦使槽部225之氣體自板孔22ip排 出0 t 立圖18係示意性表示於吸附基板w時之微小空間μ與槽 225内所產生之氣流之圖。於自開始排出氣體至達到處 理壓力Pms為止之期間，於微小空間ms及槽部m分別 產生有朝向第2排出孔221(板孔221p)之氣流（圖中，以 虛線表示）。若對各自氣流之流路進行比較，則槽部225 之深度充分大於微小空間ms之高度，且槽部挪曰之流路 剖面積大於微小空間ms之流路剖面積。由此，槽部2託 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 37 r 1360858 内所產生之氣流之流動阻力較微小空間ms内為小。 β由此，g吸附基板W時，微小空間ms與槽部225内之 、壓力以圖19所示之方式下降。圖19係表示將微小空間 .贴之壓力變更為處理壓力pms時之微小空間ms及槽部 225之壓力變化情況的示意圖。於圖19中，時刻u係開 始排出氣體之時刻，時刻t2係使微小空間ms之壓力穩定 於處理壓力PfflS之時刻。再者，時刻tl之前，微小空間 及槽部225均處於大氣壓下。如圖19所示，時刻u 以後，槽部225較微小空間ms先使壓力下降。而且，自 時刻tl至時刻t2為止之期間，槽部225之壓力常常被保 持於與微小空間ms之壓力相同或較低值。 ” 因此，如圖18所示，當吸附基板w時（時刻u〜時刻 t2) ’因槽部225與微小空間ms之過渡性壓力差，而使力 k僅朝向熱處理板2〇1側來作用於支撐片211。換言之， 不會使力朝向基板W側來作用於支撐片211。又，基板w 籲根據微小空間ms之壓力，而使朝向支撐片211側之力h 作用，而基板W被吸附。 〈步驟S23>對基板w進行熱處理 當吸附基板W時，使該狀態僅保持預先設定之時間，以 此對基板W進行既定之熱處理。 <步驟S24>解除對基板w之吸附 當既定之熱處理結束後，控制部261使開關閥235關 閉，並且使開關閥247打開。氮氣將利用供給孔241而被 供給至微小空間ms内。此時，氮氣自微小空間贴流入槽 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 38 1360858 部225,故槽部225之壓力不會高於微小空間ms之壓力。 藉此，解除對基板W之吸附。 、〈步驟S25>搬出基板w . 當基板w之吸附被解除後，控制部261操作省略圖示之 -升降機構’藉此升降銷253將基板W抬升至上方。而且， 將基板W傳遞至未圖示之搬送手段上。 如上所述，根據實施例6之熱處理裝置，於熱處理板 201之上表面，形成與第2排出孔221連通之槽部2託， 藉此當自第2排出孔221將微小空間㈣之氣體排出時， 槽部225之氣體將通過板孔221p而被排出。藉此，可於 槽部225吸引支撐片211，且使支撐片211密著於熱處理 板201上。即，可一面抑制支撐片211自熱處理板2〇1隆 起、或者支撐片211產生褶皺等相對於熱處理板2〇1移 動，一面吸附基板W。 又’將槽部225之深度設為大於凸起部213之高度，藉 籲此，當吸附基板W時，可使槽部225之壓力低於微小空間 ms之壓力。藉由此種壓力差，可使力Fs朝向熱處理板2〇1 侧作用於支撐片211。由此，可確實地防止支撐片211自 熱處理板201隆起等相對於熱處理板2〇1而移動之情況。 又，因設為如下構成：使槽部225與第2排出孔221連 通，且第2排出孔221兼有吸引孔之功能，故無須於熱處 理板201上另外形成吸引孔。又，因槽部225橫跨熱處理 板201之中央與周緣側而形成，故可均一地吸引整個支樓 片211。進而由於槽部225為直線狀，故其距離較短亦可。 312xp/發明說明書(補件)/96-06/96108433 39 1360858 又’第2排出孔221設置於熱處理板2〇1之周緣側，故 即使為自基板W與密封部215之抵接部位等微小空間㈣ 之側面流入外部氣體之情況，亦可立即藉 m而將外部氣體排出。因此，可阻止外部氣第體;曼= 小空間ms之中央’從而降低其影響。 [第7實施例] 以下，參照圖式對本發明之實施例7進行說明。 圖20係實施例7之熱處理裝置之熱處理板之俯視圖。 再者’由於實施例7之概略構成與實施例6之概略構成相 同，故省略圖示。X ’於圖20所示之俯視圖中，對於盥 實施例6相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說 該實施例7之熱處理裝置，對槽部226之位置進行設 ^即’槽部226於熱處理板201之周緣側形成為環狀（圓 ^)。因此，槽部226為-個’並且所有第2排出孔221 •二通於該㈣226並與其連通。槽部㈣㈣ 槽部或第2空間。 當吸附基板W時，槽部226内之氣體將通過構成各第 ^出孔221之任一個第1板孔221p而被排出。支撲 2U，於槽部226被吸引，而成Μ” 2ιι 方向延展之狀態。 n 之熱處理裝置，於熱處理板 狀之槽部226，藉此，可抑 2U上產生褶皺之情況。 如上所述’根據實施例7 201之外周侧’具備形成為環 制支撐片211彎曲或於支撐片 312沿/發明說明書(補件)/96-06/96108433 40 1360858 [第8實施例] .以下，參照圖式對本發明之實施例8進行說明。 •圖21係表示實施例8之熱處理裝置之概略構成之縱剖 -面圖。再者，對於與實施例6相同之構成附以相同元件符 . 號並省略其詳細說明。 該貝施例8之熱處理裝置，具備專門用以吸引支撐片 211之吸引孔m。吸引孔271 ^多數個。形成於熱處理 板201之上表面之槽部227係與各吸引孔271連通。然 看而，㈣227並不與第2排出孔221連通。槽部227相當 於本發明之槽部或第2空間。 於熱處理板201之下表面側，吸引配管273之一端側共 通於各吸引孔271並連通連接，而另一端侧與真空吸引源 275連通連接。於吸引配管273,設置有調整壓力（負壓） 之開關閥277、及測量壓力之壓力計279。吸引配管273 與真空吸引源275 ’作為吸引手段而發揮作用。 • 當吸附基板W時，控制部261首先一面參照壓力計279 之測量結果，一面使開關閥277打開，且將槽部227之壓 力控制於既定之吸引壓力Pd(負壓）。此處，較佳的是， 於吸附基板w時控制吸引壓力Pd，使其小於微小空間ms 之處理壓力Pms。槽部227之氣體自吸引孔271排出，且 支#片211被吸引於槽部227。藉此，使支撐片211密著 於熱處理板201上。 其次，於保持支撐片211被吸引之狀態下，控制部 一面參照廢力計237之測量結果，一面使開關閥235打 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 41 !360858 開’且將微小空間略之壓力控制於既定之處理壓力Ms。 微小空間ms之氣體自第2排出孔221被排出，且基板w 被吸附。 如上所述，根據實施例8之熱處理裝置，因具備專門用 以吸引支撐片2U之吸引孔271 ’故可於將微小空間㈣ 内之氣體排出之前’吸引支撐片2U。由此，當吸附基板 w時’可抑制支撐# 211相對於熱處理板2〇ι而移動。
[第9實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例9進行說明。 圖22係表示實施例9之熱處理裝置之概略構成之縱剖 面圖。再者’對於與實施例6相同之構成附 號，並省略其詳細說明。 件符 該實施例9之熱處理裝置，具備專門用以吸引支撐片 211之吸引孔272。X，於熱處理板2〇1之上表面並未形 成有實施例6中所說明之槽部。各吸引孔m係於熱處理 鲁板201之下表面侧，與排出配管231連通連接。 當吸附基板W時，藉由控制部261來操作開關間咖， 而使微小空間ms内之氣體通過排出配管231自第2排出 孔如排出’並且使吸引孔272内之氣體亦通過排出配管 ' 31排出。支撐片211被吸引於熱處理板2〇1之上 .所形成之吸引孔272之開口。 、如上所述，根據實施例9之熱處理裝置，藉由省略相當 ，槽部之構成，可排除因槽部而產生之微粒之影響、或二 部對熱處理品質之影響。又’可使熱處理板2〇1 “造； 3l2XP/_ 說明書(補件)/96·_6108433 42 1360858 本發月並非限定於上述實施形態，亦可根據如下所述之 * 方式而實施變形。 (1)於如上所述之實施例6至實施例8中，例示了槽部 ' 225、226、227之形狀，但並非限定於此，亦可適當‘進 行變更。例如，可於俯視觀察下使槽部形成為螺旋狀，亦 可形成多數個環狀槽部。 ⑺於如上所述之實施例6至實施例9中，第2排出孔 221為如下構成，即兼作吸引支撐片211之吸引孔，或具 ，與第2排出孔221不同之吸引孔271、272，但並非限 疋於此例如亦可设為如下構成：使熱處理板2 〇 1之材質 為多孔質構件，以此利用熱處理板201本身所含有之氣孔 來吸引支撐片211。此時，熱處理板2〇1本身所含有之氣 孔’相當於本發明之吸引孔。 (3 )於如上所述之實施例8中，當吸附基板说時，首先 鲁吸引支撐片211，之後，將微小空間ms之氣體排出，但 並非限定於此。例如，當將槽部227内之吸引壓力pd控 制為低於微小空間ms之處理壓力Pms時，亦可於吸引支 掠片211之同時，開始將微小空間ms之氣體排出。 (4)於如上所述之實施例6至實施例g中，第2排出孔 221配置於熱處理板2〇1之周緣側，但並非限定於此。例 如，若至少將片孔2 21 s配置於周緣側，則可對與片孔2 21 s 連通之板孔221p之路徑進行適當地變更。於此情況下， 即使自微小空間ms之側面流入外部氣體，亦可立即自第 312χρ/發明說明書(補件)/96-06/9610843 3 43 1360858 配H孔221將外部氣體排I又，亦可變更為將片孔221S 配置於熱處理板201之中央等。 巧肝片孔221s 孔進22而/並於如上所述之實施例8、實施例9中，第2排出 略之1=兼有吸引孔之功能。因此，若能將微小空間 孔將則可變更為自貫通密料叫等之排出 之上表Γ"1體排出之構成，而代替自貫通至熱處理板2。1 表面之第2排出孔221排出外部 可變更為自貫通密封部215等之供給孔供給氣 體’而代替供給孔241。 立（5)於上述實施例6至實施例9中，凸起部213自其上 部至其下部直徑漸趨變大，但並非特別限定於該形狀。 又，對於凸起部213之配置，亦可進行適當地設計變更。 進而，凸起部213以點接觸之方式支撐基板w，但亦可變 更為々下者，即开）成脊狀隆起之凸起部，以線接觸之方 支撐基板W。 (6) 於如上所述之實施例6至實施例9中於支撐片2 ^ I成有进封部215，但並非限定於此，亦可設置與支掠片 211不同之密封部。又，不同之密封部可配置於支撐片 上’亦可配置於熱處理板2〇 1上。 (7) 於如上所述之實施例1至實施例9中，基板w為圓 形’但並非限定於此，亦可將矩形狀等之基板設為處理對 象。此時，按照基板之形狀，而使邊緣部丨5、密封部丨i 5 或密封部215之形狀自圓環形狀進行適當之變更。 3 UXP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 44 1360858 (8)於如上所述之實施例1至實施例9中，以將熱管埋 _設於熱傳導部5、1〇5、205之構成為例進行了說明，但亦 *可應用未使用有熱管之熱處理裝置。 只要不偏離本發明之思想或本質，亦可以其他具體形態 •來實施本發明，因此，作為表示本發明之範圍者，應參照 附加之申請專利範圍而並非以上之說明。 【圖式簡單說明】 圖示有幾個被認為是當前較佳之形態用以說明本發 籲明，但欲使人們明白的是，本發明並非限定於如圖示般之 構成及手段。 圖1係表示實施例1之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 圖2係熱處理板之俯視圖。 圖3A至3E係分別說明钮刻處理之方法之示意圖。 圖4係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。 φ 圖5係變形例之支撐片11之俯視圖。 圖6係變形例之支撐片u之俯視圖。 圖7係表示實施例2之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 .圖8A係熱處理板之俯視圖。 圖8B係支撐片之一部分之俯視圖。 圖9係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。 圖10係示意性表示支撐片進行伸縮之情況之圖。 圖11係示意性表示支撐片隆起之情況之圖。 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 45 1360858 圖12係表示實施例3之熱處理裝置之概略構成之縱剖 面圖。 圖13係實施例4之熱處理板之俯視圖。 圖14係表示實施例5之熱處理裝置之概略構成之縱剖 面圖。 圖15係表示實施例6之熱處理裝置之概略構成之縱剖 面圖。 圖16係熱處理板之俯視圖。 圖17係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。 圖丨8係示意性表示於吸附基板時之微小空間與槽部所 產生之氣流之圖。 圖19係表示將微小空間之壓力變更為處理壓力時之微 小空間及槽部之壓力變化之情況的示意圖。 圖20係實施例7之熱處理裝置之熱處理板之俯視圖。 圖21係表示實施例8之熱處理裝置之概略構成之縱剖 面圖。 圖22係表示實施例9之熱處理裝置之概略構成之縱剖 面圖。 【主要元件符號說明】 1 、 101 、 201 熱處理板 3 、 103 、 203 發熱體 5 ' 105 > 205 熱傳導部 11 、 111 、 211 支撐片 13 、 14 、 113 、 213 凸起部 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-06/96108433 46 1360858 15 邊緣部 * 18 槽 产21 排出孔 . 23 ' 133 、 231 排出配管 . 25 ' 135、233、275 真空吸引源 27 > 137、235、247、277 開關閥 29 ' 139、237、249、279 壓力計 31、 141 、 251 貫通孔 • 33、 143 、 253 升降銷 41、 151 、 261 控制部 51 抗蝕劑感光膜 53 蝕刻圖案 115、 .215 密封部 115a 内周圓 115b 外周圓 Φ 121 導執 122 按壓構件 123 螺栓 125 固定環 127 導執用環 129 隆起限制構件 131 第1排出孔 221 第2排出孔 221s 片孔 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433 47 1360858 221p
板孔 225 、226 、 227 槽部 241 供給孔 243 供給配管 245 氮氣供給源 271 ' 272 吸引孔 273 吸引配管 A1 第1開口部 A2 第2開口部 A3 第3開口部 A4 第4開口部 Fw、 Fs 力 ms 微小空間 T 基板支撐構造 W 基板 48 312XP/發明說明書(補件)/96-06/96108433

Claims (1)

1360858 阳5 3 0 2〇Π 十、申請專利範圍： 替換本 1. 一種基板支撐構造，係用以支撐基板，上述構造包括 以下要素： 支撐基板之板本體； 樹脂製之片狀物，其設置於上述板本體之上表面，且於 其表面开》成有抵接支撐基板之凸起部；以及 * 上述片狀物之凸起部係藉由钮刻處理而形成者。 2. 如申請專利範圍第1項之基板支撐構造，其中，上述 籲片狀物之背面為平坦。 3. 如申請專利範圍第丨項之基板支撐構造，其中，上述 片狀物具備與基板之周緣部抵接之環狀邊緣部，上述邊緣 部係藉由餘刻處理而形成者。 4·如申請專利範圍第丨項之基板支撐構造，其中，上述 片狀物具備開口部，該開口部係用以吸引形成於基板與上 述片狀物之間之空間的氣體。 φ 5· 一種熱處理裝置，係對基板進行熱處理，上述裝置句 括以下要素： & 申請專利範圍第1項之基板支撐構造；以及 對基板進行加熱之加熱手段。 6· —種基板支撐構造所使用之片狀物，該基板支撐構造 係於支撐基板之板本體之上表面配設樹脂製之片狀物而 成者’上述片狀物包括以下要素： 藉由蝕刻處理而形成凸起部，該凸起部係於上述片狀物 之表面上抵接支撐基板。 96108433 49 1360858 7. —種基板支撐構造之製造方法，該基板支撐構造係用 以支撐基板，上述方法包括以下要素： 藉由银刻處理而於樹脂製之片狀物之一面上形成抵接 支撐基板用之凸起部；以及 將形成有上述凸起部之片狀物，以使上述凸起部為上側 之方式而配置於板本體之上表面。
96108433 50
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