TWI453861B - 熱處理裝置及基板吸附方法 - Google Patents

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Description

熱處理裝置及基板吸附方法
本發明係關於基板支撐構造、基板支撐構造所使用之第一片狀物、基板支撐構造之製造方法、對基板進行熱處理之熱處理裝置、以及吸附基板之基板吸附方法，其中，該基板支撐構造支撐半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等(以下，僅稱為「基板」)。
近年，形成於基板上之圖案之線寬尺寸或線寬均一性之期望值變得嚴格，伴隨此光微影之烘烤熱處理、尤其曝光後之烘烤(PEB：Post Exposure Bake)時之溫度均一性之要求亦提高。
因此，提出有吸附基板而進行熱處理之熱處理裝置(例如，揭示於日本專利特開平10-284360號公報)。該熱處理裝置係具備利用樹脂而將金屬塗佈於熱處理板之上表面而形成之凸起部，且構成藉由該凸起部而抵接支撐基板之基板支撐構造。又，將與基板之周緣部抵接之環狀密封部設置於熱處理板之上表面。進而，使排出氣體之排出孔貫通熱處理板之上下表面而形成。若將基板載置於基板支撐構造上，則基板與熱處理板之間形成有封閉之空間。自排出孔將該空間之氣體排出，藉此吸附基板。此時，即使為基板產生彎曲之情況亦可進行矯正，故可以均勻之溫度對基板進行加熱。
然而，於具有此種構成之習知例之情況時，存在如下問題。即，抵接於基板之凸起部與熱處理板同為金屬，故熱主要是經由凸起部而傳遞至由上述基板支撐構造所支撐之基板。由此，存在如下不良情況，即，於基板面內之與凸起部接觸之部分與非接觸之部分的熱歷程大為不同。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供：(Ⅰ)可較佳地支撐基板之基板支撐構造、使用其之熱處理裝置、基板支撐構造所使用之第一片狀物、及基板支撐構造之製造方法；(Ⅱ)可較佳地對基板進行熱處理之熱處理裝置；(Ⅲ)可較佳地吸附基板之熱處理裝置與基板吸附方法。
本發明為了達成(Ⅰ)之目的，而採用如下構成。
即，本發明係一種支撐基板之基板支撐構造，上述構造包括以下要素：支撐基板之板本體；第一片狀物，其係設置於上述板本體之上表面之樹脂製者，且於其表面形成有抵接支撐基板之凸起部；上述第一片狀物之凸起部係藉由蝕刻處理而形成者。根據本發明，具備藉由蝕刻處理而形成之凸起部，藉此不使凸起部之周圍形成開口。基板支撐構造係將此種上述第一片狀物設置於板本體上而構成，故可較佳地支撐基板。又，可減小基板面內之與凸起部接觸之接觸部位、與未與凸起部接觸之非接觸部位間之熱的傳遞速度之差，由此可抑制熱歷程於整個基板面內之不均一性。
此處，所謂凸起部係指包括於俯視觀察下為點狀隆起之部位、及於俯視觀察下為線狀連接(直線狀或曲線狀)並隆起之部位。
於如上所述之發明中，上述第一片狀物較佳為其背面平坦。可將第一片狀物適當地設置於板本體上而構成基板支撐構造。
於如上所述之發明中，上述第一片狀物係具備與基板之周緣部抵接之環狀邊緣部，且較佳的是上述邊緣部係藉由蝕刻處理而形成者。可藉由邊緣部來封閉形成於基板與第一片狀物間之空間之側面。
於如上所述之發明中，較佳的是上述第一片狀物具備第1開口部，該第1開口部用以吸引形成於基板與上述第一片狀物間之空間內之氣體。可適當地吸附載置於基板支撐構造上之基板。
又，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述裝置包括以下要素：申請專利範圍第1項中所揭示之基板支撐構造；及加熱基板之加熱手段。
根據本發明，可適當地對基板進行熱處理。
又，本發明係用於如下基板支撐構造之第一片狀物，該基板支撐構造係將樹脂製之第一片狀物配設於支撐基板之板本體之上表面而成者，上述第一片狀物包括以下要素：藉由蝕刻處理而形成凸起部，該凸起部於上述第一片狀物之表面上抵接支撐基板。
根據本發明，可適當地實現基板支撐構造。
又，本發明係支撐基板之基板支撐構造之製造方法，上述方法包括以下要素：於樹脂製之第一片狀物之一面上，藉由蝕刻處理而形成抵接支撐基板用之凸起部；將形成有上述凸起部之第一片狀物，以上述凸起部為上側而配置於板本體之上表面。
根據本發明，可適當地製造基板支撐構造。
又，本發明為了達成(Ⅱ)之目的，而採用如下構成。
即，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述裝置包括以下要素：熱處理板；第二片狀物，其載置於上述熱處理板上，於其表面上形成有與基板之周緣部抵接之環狀密封部、及於上述密封部之內側抵接支撐基板之凸起部；第1排出孔，其用以排出形成於基板與上述第二片狀物間之空間之氣體。
根據本發明，將第二片狀物載置於熱處理板上，由此即使第二片狀物伸縮，其伸縮亦不會受到妨礙。由此，可防止於第二片狀物產生褶皺等。
於如上所述之發明中，較佳的是，上述第二片狀物上，於上述密封部之外側形成有第3開口部，且上述裝置具備配置於上述第3開口部內之插入構件，於上述第3開口部與上述插入構件之間，設置有容許上述第二片狀物伸縮之間隙。因於第3開口部與插入構件之間設置有容許第二片狀物伸縮之間隙，故不會因插入構件而妨礙第二片狀物之伸縮。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備隆起限制構件，其以與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之外側之上方，限制上述第二片狀物自上述熱處理板隆起。由於具備隆起限制構件，故可適當的限制第二片狀物自熱處理板隆起。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水平方向之定位的導向構件、及與上述導向構件抵接並使上述導向構件位置對準之位置對準構件，且上述導向構件配置於上述第3開口部內並兼作上述插入構件，且上述位置對準構件兼作上述隆起限制構件。導向構件兼作插入構件，且位置對準構件兼作隆起限制構件，以此可使構造進一步簡化。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水平方向之定位的導向構件，且上述導向構件配置於上述第3開口部內並兼作上述插入構件。導向構件兼作插入構件，以此可簡化構造。
於如上所述之發明中，較佳的是具備按壓構件，該按壓構件係在上述第二片狀物上載置於上述密封部之外側，且容許上述第二片狀物之伸縮。由於具備容許第二片狀物之伸縮之按壓構件，故不會妨礙第二片狀物之伸縮。
於如上所述之發明中，較佳的是具備隆起限制構件，其以與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之外側之上方，並限制上述第二片狀物自上述熱處理板隆起。由於具備隆起限制構件，故可適當地限制第二片狀物自熱處理板隆起。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水平方向之定位的導向構件、及與上述導向構件抵接並使上述導向構件位置對準之位置對準構件，且上述導向構件係在上述第二片狀物上配置於上述密封部之外側，並兼作上述按壓構件，並且上述位置對準構件兼作上述隆起限制構件。導向構件兼作按壓構件，且位置對準構件兼作隆起限制構件，以此可使構造進一步簡化。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水平方向之定位的導向構件，且上述導向構件係在上述第二片狀物上配置於上述密封部之外側，並兼作上述按壓構件。導向構件兼作按壓構件，以此可使構造簡化。
於如上所述之發明中，較佳的是具備隆起限制構件，其以與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之外側之上方，並限制上述第二片狀物自上述熱處理板隆起。藉由具備隆起限制構件，而可適當地限制第二片狀物之隆起。
又，本發明為了達成(Ⅲ)之目的，而採用如下構成。
即，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述裝置包括以下要素：熱處理板；第二片狀物，其設置於上述熱處理板之上表面上，形成有抵接支撐基板之凸起部；封閉手段，其封閉形成於基板與上述第二片狀物間之空間之側面；第2排出孔，其用以排出上述空間之氣體；吸引孔，其形成於上述熱處理板上，用以吸引上述第二片狀物。
根據本發明，由於用以吸引第二片狀物之吸引孔形成於熱處理板上，故可使第二片狀物密著於熱處理板上。由此，該吸引孔可一面抑制第二片狀物相對於熱處理板而移動，一面吸附基板。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備槽部，該槽部形成於上述熱處理板之上表面，與上述吸引孔連通。於槽部可吸引第二片狀物，故可使第二片狀物適當地密著於熱處理板上。
於如上所述之發明中，較佳的是進而具備槽部，該槽部形成於上述熱處理板之上表面，與上述第2排出孔連通，且上述第2排出孔兼作上述吸引孔。由於第2排出孔兼作吸引孔，故無須特意設置用以吸引第二片狀物之吸引孔，故可使構造簡化。
於如上所述之發明中，較佳的是，自上述槽部之底部至上述熱處理板之上表面為止之高度高於上述凸起部之高度。當吸附基板W時，可使槽部之壓力低於形成於基板與上述第二片狀物間之空間之壓力。藉由如上之壓力差，可使力朝向熱處理板側之方向而作用於第二片狀物，由此可使第二片狀物密著於熱處理板上。
於如上所述之發明中，較佳的是，上述槽部橫跨上述熱處理板之周緣側與中央而形成。可吸引整個第二片狀物。
於如上所述之發明中，較佳的是，上述第2排出孔具有形成於上述熱處理板上之板孔、及形成於上述第二片狀物並與上述板孔連通之片孔，且上述片孔設置於上述熱處理板之周緣側。即使為自形成於基板與上述第二片狀物間之空間之側面流入外部氣體之情況，由於自周緣側之第2排出孔將所流入之外部氣體排出，故亦可抑制外部氣體進入熱處理板之中央部。
又，本發明係將形成有凸起部之第二片狀物設置於熱處理板之上表面，並吸附由上述凸起部抵接支撐之基板之基板吸附方法，上述方法包括以下要素：將形成於基板與上述第二片狀物之間之空間作為第1空間，且將形成於上述第二片狀物與上述熱處理板之間之空間作為第2空間，一面將上述第2空間之壓力保持於上述第1空間之壓力以下，一面分別將上述第1空間及上述第2空間內之氣體排出。
根據本發明，藉由排出氣體時之第1、第2空間之壓力之關係，即使於第二片狀物上產生朝向熱處理板側之力，亦不會產生朝向基板側之力。可一面抑制第二片狀物相對於熱處理板而移動，一面吸附基板。
於如上所述之發明中，較佳的是，當排出氣體時，上述第2空間內所產生之氣體之流動的流動阻力，小於上述第1空間內所產生之氣體之流動的流動阻力。將第2空間之壓力設為低於第1空間之壓力。由此，可使第二片狀物密著於熱處理板上。
再者，本說明書亦揭示有與如下之熱處理裝置相關之發明。
(1)於申請專利範圍第19項之裝置中，上述槽部係直線狀。
(2)於申請專利範圍第22項之裝置中，上述槽部係直線狀。
根據該等發明，可控制槽部之長度。藉此，可抑制因槽部而產生微粒、及槽部對熱處理品質之影響。又，由於槽部為直線狀，故可易於加工形成槽部。
(3)於申請專利範圍第19項之裝置中，上述槽部係對應於上述每個吸引孔而單獨地形成。
(4)於申請專利範圍第22項之裝置中，上述槽部係對應於上述每個吸引孔而單獨地形成。
根據該等發明，即使每個吸引孔進行吸引之時機或吸引壓力存在差異，亦不會使通過槽部及吸引孔而排出之氣流彼此干擾。
(5)於申請專利範圍第19項之裝置中，進而具備供給孔，其形成於上述熱處理板上，用以將氣體供給至上述空間，且上述供給孔形成於偏離上述槽部之位置上。
(6)於申請專利範圍第22項之裝置中，進而具備供給孔，其形成於上述熱處理板上，用以將氣體供給至上述空間，且上述供給孔，形成於偏離上述槽部之位置上。
根據該等發明，自供給孔所供給之氣體，將經由空間而流入槽部，故當供給氣體時，較空間之壓力而槽部之壓力並不上升。因此，第二片狀物不會自熱處理板隆起。
(7)於申請專利範圍第18項之裝置中，上述熱處理板係多孔質構件，且上述吸引孔係上述熱處理板所具有之氣孔。
根據本發明，無須加工形成貫通熱處理板之吸引孔。
以下，根據圖式對本發明之較佳實施例進行詳細說明。
[第1實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例1進行說明。
圖1係表示實施例1之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖，圖2係熱處理板之俯視圖。
熱處理板1，於俯視觀察下，呈直徑稍微大於基板W之直徑之圓形，且其上表面為平坦。作為熱處理板1之材質，例示有熱導率高之銅或鋁等金屬。於該熱處理板1上，附設有雲母加熱器等發熱體3。於抵接於發熱體3與熱處理板1之上表面之間的熱傳導部5，埋設有數根未圖示之熱管。又，於未圖示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽，並流通有冷卻用之流體。熱處理板1相當於本發明之板本體。又，發熱體3相當於本發明之加熱手段。
於該熱處理板1之上表面配置有支撐片11，該等熱處理板1與支撐片11構成基板支撐構造T。於本實施例中，支撐片11並不固定、固著於熱處理板1上而是僅為直接載置。其原因在於，支撐片11與熱處理板1之熱膨脹存在差異。
於支撐片11之上表面，形成有抵接支撐基板W之凸起部13、及與基板W之周緣部抵接之邊緣部15。又，於支撐片11上，形成有貫通支撐片11之上下表面之第1開口部A1與第2開口部A2。又，支撐片11之下表面為平坦。
凸起部13為多數個，且分別被規則地配置。各凸起部13呈圓柱形狀且自周圍隆起，其直徑自與基板W接觸之上端至下端側稍稍變大。其傾斜角度，例如為30度左右。各凸起部13之上端之直徑，例如為0.5 mm。各凸起部13之高度，例如距支撐片11之凹部有75 μm，距支撐片11之背面有125 μm。再者，該等各尺寸為例示，並非限定於上述之值。即，各凸起部13之上端之直徑，可於0.1 mm至1 mm之範圍或者超過該範圍而適當地進行設計變更。又，自支撐片11之凹部至各凸起部13之高度，可於65 μm至85 μm之範圍或者超過該範圍而進行適當地設計變更。進一步而言，支撐片11之厚度本身亦可進行適當地選擇變更。再者，於本實施例中，如下所述，可考慮自支撐片11之雙面進行蝕刻處理以此形成開口部，且選擇支撐片11厚度(125 μm)之50%以上之值來作為凸起部13之高度。
邊緣部15，於俯視觀察下，呈直徑略小於基板W之外徑之環狀。將邊緣部15之高度，與各凸起部13之高度相同。藉此使邊緣部15抵接於基板W，並將形成於基板W與支撐片11間之空間(以下，記為「微小空間ms」)之側面封閉。
第1開口部A1係被設置為用以吸引微小空間ms之氣體。第1開口部A1具有多數個(6個)，且分別形成於邊緣部15之內側。又，第2開口部A2係被設置為用以插入升降銷33。第2開口部A2亦具有多數個(3個)，且於俯視觀察下分別形成於如下位置上，該位置抵接於以熱處理板1之中心為重心之正三角形之各頂點。
於熱處理板1上，與各第1開口部A1連通之排出孔21、及與各第2開口部A2對向之貫通孔31貫通熱處理板1之上下表面之方式而形成。於熱處理板1之下表面側，各排出孔21排出配管23之一端側共通，並與該排出孔21之該一端側連通連接，且另一端側與真空吸引源25連通連接。該真空吸引源25，例如係設置於無塵室之真空設備。於排出配管23設置有調整壓力(負壓)之開關閥27、及測量壓力之壓力計29。排出配管23與真空吸引源25係作為排出手段而發揮作用。又，於各貫通孔31收容有升降銷33，且各升降銷33之下端側與省略圖示之升降機構連結。繼而，使升降銷33升降，以此於未圖示之搬送手段之間進行輸送基板W。
控制部41係綜合性地操作上述發熱體3之輸出、開關閥27之開關、及升降機構之驅動。該等操作係根據預先記憶之處理程式而進行。進而，開關閥27之開關操作係根據壓力計29之檢測結果而進行。控制部41係藉由執行各種處理之中央處理器(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random Access Memory)、或記憶各種資訊之固定磁碟等記憶媒體等而實現。
此處，對支撐片11之材質、製法進行說明。支撐片11係樹脂製。樹脂之種類，可根據處理內容而進行適當地選擇。當於如本實施例般之熱處理裝置時，較佳的是具有耐熱性。更佳的是具有耐藥性。具體而言可例示如下者：聚醯亞胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚碸(PES)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、或耐熱性橡膠材料。進一步而言，支撐片11亦可為多孔化之多孔質構件。
又，支撐片11係藉由蝕刻處理而形成。使用圖3A至圖3E對該蝕刻處理進行說明。首先，對已預先將表面洗淨之支撐片11之表面及背面，進行塗佈抗蝕劑之處理，形成均一之抗蝕劑感光膜51(圖3A)。其次，使用於玻璃乾板等所作成之蝕刻圖案53進行曝光，並轉印於支撐片11之雙面上所塗佈之抗蝕劑感光膜51(圖3B)。其次，自支撐片11除去未曝光部之被膜，使支撐片11露出(圖3C)。其次，根據未曝光部而對露出之支撐片11進行蝕刻處理，腐蝕露出部(圖3D)。最後，自進行過蝕刻處理之支撐片11除去抗蝕劑感光膜(圖3E)。此處，未被腐蝕之部位將成為凸起部13或邊緣部15。又，僅單面(表面)被腐蝕之部位將成為支撐片11之凹部(壁厚較薄之部位)，而雙面被腐蝕之部位將成為第1、第2開口部A1、A2。
將以如上之方式而生成之支撐片11，以其平坦之背面為下方而配設於熱處理板1上。此時，可將支撐片11固定地安裝於熱處理板1上，亦可僅載置於熱處理板1上。支撐片11相當於本發明之第一片狀物。
其次，參照圖4對以上述之方式而構成之熱處理裝置之動作進行簡單說明。圖4係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。再者，發熱體3之溫度控制等係已根據處理程式而進行，於以下之說明中省略其說明。
＜步驟S01＞搬入基板W
控制部41操作升降機構而使升降銷33上升，且自未圖示之搬送手段接受基板W。繼而，使升降銷33下降，將基板W載置於支撐片11上。此時，基板W之下表面與凸起部13及邊緣部15抵接。藉此，於基板W與支撐片11之間形成封閉之微小空間ms。
＜步驟S02＞吸附基板W
控制部41操作開關閥27以通過第1開口部A1及排出孔21而使微小空間ms內之氣體(空氣或氮氣)排出。微小空間ms內之壓力被調整為負壓，使基板W吸附於熱處理板1側。
＜步驟S03＞對基板W進行熱處理
使基板W被吸附支撐之狀態保持預先規定之時間，藉此對基板W實施既定之熱處理。
＜步驟S04＞搬出基板W
當既定時間之熱處理結束後，控制部41使開關閥27關閉，以使微小空間ms之壓力恢復至大氣壓。繼而，使升降銷33上升，以使基板W向上方抬升並傳遞至未圖示之搬送手段。
如上所述，根據本實施例，藉由蝕刻處理而生成支撐片11，故凸起部13之周圍(凸起部13以外之部分)並未形成開口，可成為凹部。即，若根據利用雷射加工之穿孔或截斷，則若不於支撐片11形成開口，而無法形成凸起部，故凸起部以外之部分必然形成開口，但若根據蝕刻處理則無須形成如上所述之開口。
若藉由此種支撐片11，則可抑制熱歷程於整個基板W面內之不均一性。例如，若根據凸起部之周圍(凸起部以外之部分)形成開口之支撐片，則當載置於熱處理板1上時，使熱處理板1自開口露出，故於基板W面內，於與凸起部接觸之接觸部位及未與凸起部接觸之非接觸部位之間，熱歷程之不均一性變大。又，於熱處理板1之上表面之溫度於不同之位置而產生不均一性之情況時，基板W之溫度將較大地受到此影響而易於不同之位置而產生不均一性。然而，支撐片11係凸起部之周圍並未開口，因此，不會導致產生上述之不良情況。
又，藉由蝕刻處理而生成支撐片11，故凸起部13之配置位置及個數亦無限制而可以任意之圖案形成。進而，可易於使凸起部13之大小小型化。又，凸起部13係以固定之傾斜角度而形成，故凸起部13不易於彎折，又不易於損害。將形成有此種凸起部13之支撐片11設置於熱處理板1上，藉此可構成如下基板支撐構造T，即一面以支撐片11覆蓋熱處理板1，一面使凸起部13之接觸面積相對於基板W之面積的比例降低。
即使支撐片11，亦不於第1開口部A1、第2開口部A2以外形成開口，故支撐片11整體具有固定之強度。因此，易於處理支撐片11，且可易於製造基板支撐構造T。
又，由於支撐片11之背面為平坦，故不會損害形成有凸起部13之支撐片11之表面形狀，而可將支撐片11設置於熱處理板1上。由此，支撐片11與熱處理板1，可構成適當之基板支撐構造T。
又，具備以蝕刻處理而形成之邊緣部15，以此可適當地將微小空間ms之側面封閉。其結果，可適當地吸附基板W。
又，熱處理裝置具備發熱體3，以此可適當地進行對基板W進行加熱之熱處理。
本發明並非限定於上述實施形態，亦可以如下所述之方式而實施變形。
(1)於上述實施例1中所說明之基板支撐構造T為一例，可任意地變更藉由蝕刻處理而形成之凸起部13之圖案，即凸起部13之大小或形狀、位置、個數等。
圖5與圖6表示凸起部13之圖案之變形例。圖5係變形例之支撐片11之俯視圖。如圖5所示，形成有4個環狀之凸起部14。各凸起部14之直徑各不相同，並以彼此成同心圓之方式配置。於該等凸起部14之各處形成有作為通氣孔而發揮作用之槽18。藉此，即使凸起部14與基板W抵接，各凸起部14之內周側與外周側亦連通。因此，即使於任意之位置而將微小空間ms內之氣體排出，亦可適當地使微小空間ms內之壓力為負壓。
又，圖6係變形例之支撐片11之俯視圖。如圖6所示，於支撐片11上形成有配置成同心圓狀之直徑不同之4個凸起部14、及遍及最靠近中心側之凸起部14與邊緣部15之放射狀延伸的6個凸起部14。其結果，凸起部14與邊緣部15並不分離，而於各處連結。再者，該情況亦可變更為於各凸起部14上形成槽部。
(2)於如上所述之實施例1中，藉由蝕刻處理而形成第1開口部A1與第2開口部A2，但亦可藉由蝕刻處理以外之方法而形成該等第1、第2開口部A1、A2。
(3)於如上所述之實施例1中，不將支撐片11固定、固著於熱處理板1上而是僅直接載置，但並非限定於此。即，亦可將支撐片11固定、固著於熱處理板1上。又，亦可以如下方式載置，即，於支撐片11與熱處理板1之間，隔有向水平方向良好滑動之物質。又，亦可將限制支撐片11自熱處理板1相對移位之構件配置於熱處理板1上，以此設置支撐片11。
(4)於如上所述之實施例1中，凸起部13自其上部至下部直徑漸趨變大，但並非特別限定於該形狀，亦可為自上部至下部為相同直徑。
(5)於如上所述之實施例1中，將發熱體3附設於熱處理板1上，但並非限定於此。例如，亦可設為如下構成，即，將加熱部設置於基板W上方以自上方對基板W進行加熱。
(6)於如上所述之實施例1中，於支撐片11上形成有邊緣部15，但亦可省略此。又，此時，亦可省略用以使微小空間ms內為負壓之開口A1、排出孔21、及排出配管23以下之構成。
(7)於如上所述之實施例1中，熱處理板1為金屬，但亦可適當地變更為陶瓷等。
(8)於如上所述之實施例1中，說明了具備發熱體3，且進行對基板W進行加熱之熱處理之熱處理裝置，但亦可變更為如冷卻板般進行使基板W冷卻之熱處理。又，亦可將本實施例中所說明之基板支撐構造T應用於進行洗淨處理或塗佈處理等其他處理之裝置中。又，於可旋轉支撐基板W之情況下，具備旋轉驅動熱處理板1之馬達等，藉此可應用本實施例之基板支撐構造T。
[第2實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例2進行說明。
圖7係實施例2之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖，圖8A係熱處理板之俯視圖，圖8B係支撐片之一部分之俯視圖。
熱處理板101，於俯視觀察下呈直徑略微大於基板W之直徑之圓形。作為熱處理板101之材質，可例示熱導率高之銅或鋁等金屬。於該熱處理板101上附設有雲母加熱器等發熱體103。於抵接於發熱體103與熱處理板101之上表面之間的熱傳導部105，埋設有數根未圖示之熱管。又，於未圖示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽，且流通有冷卻用之流體。
於該熱處理板101之上表面上，設置有樹脂製之支撐片111。於支撐片111上形成有凸起部113與密封部115。又，於較密封部115之外側，設置有第3開口部A3與第4開口部A4。此種支撐片111被設置於可根據溫度而並非伴隨著褶皺或彎曲等進行變形之熱處理板101之上表面上。更詳細而言，支撐片111於進行熱處理時，於較大之溫度範圍(例如，自室溫至處理溫度(約200度)為止之範圍)進行升降溫。此時，支撐片111具有與熱處理板101不同之熱膨脹率，故相對於熱處理板101，支撐片111沿水平方向(面內方向)移位(伸縮)。於自由容許該支撐片111相對於熱處理板101進行相對性移位(伸縮)，而並不伴隨著支撐片111本身之褶皺或彎曲等狀態下，載置於熱處理板101上。具體而言，可直接將支撐片111載置於熱處理板101上而並非固定、固著於熱處理板101上，亦可以如下方式載置，即，於與熱處理板101之間，隔有向水平方向良好地進行滑動之物質。再者，支撐片111相當於本發明之第二片狀物。
凸起部113為多數個(於圖8A中為37個)，並規則地配置。各凸起部113呈圓柱形狀，其直徑自上端至下端側稍稍變大。各凸起部113之高度，例如，距支撐片111之凹部有75 μm，距支撐片111之背面有125 μm。以該凸起部113之上端來抵接支撐基板W。
密封部115，於俯視觀察下，呈直徑略微小於基板W之外徑之環狀，並包圍凸起部113之周圍。密封部115之高度與各凸起部113之高度相同。該密封部115與基板W抵接，藉此，封閉形成於基板W與支撐片111之間之空間(以下，記為「微小空間ms」)的側面。實施例2之支撐片111係自密封部115至支撐片111之外周緣為止，以相同之高度而形成為一體。因此，圖8B中，統一以斜線來明示自密封部115至支撐片111之外周緣為止之範圍。然而，密封部115係與基板W周緣部抵接之部位，於圖8A、圖8B中，相當於藉由內周圓115a與外周圓115b之間而包圍之範圍。於本說明書中，將支撐片111中，於俯視觀察下外周圓115b之外周側之範圍稱為「密封部115之外側」。
第3開口部A3為多數個(6個)，並分別以與密封部115之外周圓115b連接之方式等間隔地形成。第4開口部A4亦為多數個(6個)，並設置於各第3開口部A3之間，即自第3開口部A3至支撐片111之周緣側。
對上述支撐片111之製法、材質進行說明。於本實施例中，支撐片111係藉由對具有耐熱性之樹脂進行蝕刻處理而製作。作為樹脂，更佳的是具有耐藥性。具體而言可例示：聚醯亞胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚碸(PES)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、或耐熱性橡膠材料。但是，支撐片111之製作方法並非限定於此。例如，亦可於樹脂製之薄膜或片材等上分別藉由熱熔接而設置凸起部113與密封部115。又，亦可將支撐片111形成為一體。
於熱處理板101上，除了支撐片111外，亦具備導軌121、螺栓123、固定環125、及導軌用環127。導軌121係進行基板W之水平方向之定位者，並呈上部形成有傾斜面之大致圓柱形狀。作為導軌121，較佳的是，不會損傷基板W之高峰材料(peak material)。此種導軌121為多數個(6個)，並分別配置於支撐片111之第3開口部A3內。由此，使導軌121直接配置於熱處理板101上。再者，導軌121並未固定、固著於熱處理板101上。又，當配置導軌121時，以於第3開口部A3(第3開口部A3之緣)與導軌121之間，形成有可容許支撐片111伸縮之充分大之間隙的方式，設計導軌121及第3開口部A3之大小及位置等。導軌121相當於本發明之導向構件(尤其係兼作插入構件之導向構件)。
導軌用環127，於俯視觀察下係呈具有如包圍各導軌121之中空部之圓環狀的板狀物。於導軌用環127之內周緣，以與各導軌121之傾斜面之一部分抵接之方式而形成有大致半圓形之缺口。進而於導軌用環127，於與第4開口部A4對應之位置上形成有6個貫通孔。螺栓123插通各貫通孔。又，為了防止導軌用環127自螺栓123脫落，於各螺栓123安裝有固定環125。各螺栓123之下端側插通第4開口部A4，且固定熱處理板101上。再者，螺栓123與第4開口部A4之間，亦形成有與導軌121與第3開口部A3之間之間隙相同或大於其之間隙。
當導軌121與螺栓123分別處於既定位置時，導軌用環127抵接於導軌121，並且自固定環125稍微地隆起。藉此，導軌用環127使導軌121位置對準。又，此時，構成為如下者，即於導軌用環127之下表面與支撐片111之上表面之間形成有微小間隔。於本實施例中，密封部115之外側之支撐片111的厚度為125 μm，相對於此，將導軌用環127之下表面之高度設為自熱處理板101之上表面至上方300 μm之位置，以使兩者之間隔為175 μm。導軌用環127相當於本發明之位置對準構件。
又，於本實施例中，具備貫通熱處理板101與支撐片111之第1排出孔131與貫通孔141。
第1排出孔131被設置為用以使微小空間ms之氣體排出。第1排出孔131為多數個(6個)，於熱處理板101之下表面側，排出配管133之一端側共通於各第1排出孔131並連通連接。排出配管133之另一端側與真空吸引源135連通連接。該真空吸引源135，例如係設置於無塵室之真空設備。於排出配管133設置有調整壓力(負壓)之開關閥137、及測量壓力之壓力計139。排出配管133與真空吸引源135係作為排出手段而發揮作用。
貫通孔141被設置為用以插通升降銷143。貫通孔141為3個，並於俯視觀察下係分別形成於與以熱處理板101之中心為重心之正三角形之各頂點的所在位置上。插通各貫通孔141之升降銷143之下端側與省略圖示之升降機構連結。藉由升降機構而使升降銷143升降，以此於未圖示之搬送手段之間傳遞基板W。
控制部151綜合性地操作上述之發熱體103之輸出、開關閥137之開關、及升降機構等。該等操作係根據預先所記憶之處理程式而進行。進而，開關閥137之開關操作係根據壓力計139之檢測結果而進行。控制部151係藉由執行各種處理之中央處理器(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random Access Memory)、或記憶有各種資訊之固定磁碟等記憶媒體等而實現。
其次，對實施例2之熱處理裝置之動作進行說明。圖9係表示對基板W進行熱處理之處理步驟之流程圖。
＜步驟S11＞使熱處理板升溫
控制部151使發熱體103進行加熱，且將熱處理板101控制於既定之處理溫度。此時，支撐片111相對於熱處理板101而進行相對移位(伸縮)。圖10係示意性表示支撐片111伸縮之情況。如圖10所示表示有如下情況，即，以實線所表示之支撐片111變形(伸縮)至以虛線所表示之位置為止。然而，即使上述支撐片111伸縮，因於第3開口部A3(第3開口部A3之邊緣)與導軌121之間形成有既定之間隙，故導軌121亦不會干擾支撐片111。由此，即使支撐片111伸縮於支撐片111亦不會產生褶皺及彎曲。
＜步驟S12＞搬入基板W
利用控制部151來操作升降機構，藉此，升降銷143自未圖示之搬送手段而接受基板W，並將基板W載置於支撐片111上。此時，基板W係藉由導軌121而進行定位。基板W由凸起部113抵接支撐，且藉由密封部115來封閉形成於基板W與支撐片111間之微小空間ms之側面。
＜步驟S13＞吸附基板W
控制部151係一面參照壓力計139之測量結果一面操作開關閥137，且將微小空間ms之氣體排出。微小空間ms之壓力被調整為負壓，使基板W吸附於熱處理板101側。
＜步驟S14＞對基板W進行熱處理
當吸附基板W時，使該狀態保持預先設定之時間，以此對基板W進行既定之熱處理。
＜步驟S15＞搬出基板W
當既定時間之熱處理結束後，控制部151使開關閥137關閉，且使微小空間ms之壓力為大氣壓。藉此，解除對基板W之吸附。繼而，控制部151控制升降銷143，使基板W向上方抬升並搬出。
此時，有時支撐片111與基板W一併自熱處理板101隆起。圖11係示意性表示支撐片111隆起之情況之圖。然而，於密封部115之外側之支撐片111的上方，隔開微小間隔而配置導軌用環127，故支撐片111之隆起被適當地限制。
＜步驟S16＞使熱處理板降溫
對作為處理對象之所有基板W進行過熱處理之後，控制部151結束發熱體103之加熱。藉此，使熱處理板101之溫度降至室溫。
如上所述，根據實施例2之熱處理裝置，第3開口部A3與導軌121之間形成有既定之間隙，故不會妨礙支撐片111之伸縮。由此，可防止於支撐片111上產生褶皺或彎曲等。
又，導軌用環127係配置於密封部115之外側之支撐片111的上方，即自支撐片111稍微隔開之位置上，故可較佳地控制支撐片111之隆起。
又，使導軌121插入至第3開口部A3中，藉此，可使支撐片111位置對準，且可防止支撐片111整體相對於熱處理板101而大幅移動。
[第3實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例3進行說明。
圖12係表示實施例3之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖，再者，對於與實施例2相同之構成，附以相同元件符號並省略其詳細說明。
該實施例3之熱處理裝置之特徵在於，將導軌121載置於支撐片111上。即，於實施例3之支撐片111上形成有凸起部113、密封部115、及第4開口部A4，且並未形成有實施例2中所說明之第3開口部A3。
導軌121分別被直接載置於支撐片111上之既定位置。較佳的是，導軌121之重量為容許支撐片111伸縮之程度之較輕重量。導軌121相當於本發明之導向構件(尤其係兼作插入構件之導向構件)。藉由以上述方式構成之熱處理裝置而進行既定之熱處理時，支撐片111於載置有導軌121之狀態下伸縮，且導軌121根據該伸縮而於水平方向移動。
如上所述，即使藉由實施例3之熱處理裝置，亦容許支撐片111於水平方向伸縮，故可防止支撐片111相對於熱處理板101而伸縮時支撐片111產生褶皺或彎曲。
進而，導軌121將支撐片111按壓至熱處理板101上，故可防止外部氣體進入支撐片111與熱處理板101之間。藉此，可預防如下不良情況，即，進入支撐片111與熱處理板101之間之氣體膨脹收縮，使支撐片111產生褶皺及彎曲等。
[第4實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例4進行說明。
圖13係實施例4之熱處理板之俯視圖。再者，對於與實施例2相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說明。
該實施例4之熱處理裝置之特徵在於，具備於俯視觀察下呈環狀之按壓構件122。即，於實施例4之支撐片111上，形成有凸起部113與密封部115而並未形成有實施例2中所說明之第3、第4開口部A3、A4。
按壓構件122，其內徑形成為大於基板W之外徑，而並未具有如實施例2中所說明之導軌121般進行基板W之水平方向之定位的功能。繼而，將按壓構件122載置於支撐片111上，容許支撐片111伸縮，並且將支撐片111按壓至熱處理板101。較佳的是，按壓構件122之重量為容許支撐片111伸縮之程度之較輕重量。當藉由以上述方式構成之熱處理裝置而進行既定之熱處理時，支撐片111於載置有按壓構件122之狀態下伸縮。
如上所述，即使藉由實施例4之熱處理裝置，因容許支撐片111伸縮，故當支撐片111相對於熱處理板101而伸縮時，亦可防止支撐片111產生褶皺及彎曲。
進而，按壓構件122為環狀，故可於全周防止外部氣體進入支撐片111與熱處理板101之間。藉此，可預防如下不良情況，即，進入支撐片111與熱處理板101之間之氣體膨脹收縮，導致支撐片111產生褶皺及彎曲等。
[第5實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例5進行說明。
圖14係表示實施例5之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。再者，對於與實施例2相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說明。
該實施例5之熱處理裝置之特徵在於，具備隆起限制構件129。即，於實施例5之支撐片111上，形成有凸起部113與密封部115而並未形成有實施例2中所說明之第3、第4開口部A3、A4。
於正面觀察下，隆起限制構件129呈L型。該隆起限制構件129之一端被設置於熱處理板101之側部，而彎折成L字狀之另一端側以覆蓋密封部115之外側之支撐片111之上方的方式而配置。
如上所述，即使藉由實施例5之熱處理裝置，亦絲毫不會妨礙支撐片111伸縮，故可防止支撐片111產生褶皺或彎曲等。又，因具備隆起限制構件129，故可較佳地限制支撐片111之隆起。
本發明並非限定於上述實施形態，亦可以如下所述之方式而實施變形。
(1)於實施例5中，具備隆起限制構件129，但並非限定於此。即，亦可省略隆起限制構件129而構成熱處理板101。藉此，亦不會妨礙支撐片111之伸縮，故可獲得如下效果，即，可防止支撐片111產生褶皺及彎曲等。
(2)於實施例2中，將導軌121載置於熱處理板101之上表面，但亦可將導軌121固定於熱處理板101上。
(3)於實施例2、3中，例示有導軌121之形狀，但導軌121之形狀可適當地進行設計變更。
(4)於實施例2中，導軌121為兼作插入構件之構成，但並非限定於此。亦可變更為其他構件兼作插入構件。或，亦可變更為設置有如下者(例如，螺栓等固定構件)，其僅具有插入構件之功能，即，專門進行支撐片111之位置對準、及防止支撐片111整體之移動。
與上述相同的，於實施例3中，導軌121為兼作按壓構件之構成，但並非限定於此，藉由導軌121以外者亦可適當地構成按壓構件。
(5)於實施例2、3中，導軌用環127為兼作隆起限制構件之構成，但並非限定於此。其他構件亦可兼作隆起限制構件，並亦可設置有如下者，其僅具有隆起限制構件之功能，即專門控制支撐片111之隆起。
(6)於自如上所述之實施例2至實施例5中，凸起部113自其上部至其下部直徑變大，但並非特別限定於該形狀。又，對於凸起部113之配置亦可進行適當地設計變更。進而，凸起部113係以點接觸之方式支撐基板W，但亦可變更為形成脊狀隆起之凸起部，以線接觸之方式支撐基板W。
[第6實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例6進行說明。
圖15係表示實施例之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖，圖16係熱處理板之俯視圖。
熱處理板201，於俯視觀察下呈直徑略微大於基板W之直徑之圓形。作為熱處理板201之材質，可例示熱導率高之銅或鋁等金屬。於該熱處理板201上附設有雲母加熱器等發熱體203。於抵接於發熱體203與熱處理板201之上表面之間的熱傳導部205，埋設有未圖示之數根熱管。又，於未圖示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽，並流通有冷卻用之流體。
於上述熱處理板201之上表面設置有支撐片211，該支撐片211形成有抵接支撐基板W之凸起部213。支撐片211並不固定於熱處理板201上而是載置於既定之位置上。於支撐片211上，進而形成有沿著基板W之周緣部而抵接之密封部215。支撐片211相當於本發明之第二片狀物。
凸起部213為多數個(於圖中為43個)，並規則地配置。各凸起部213呈圓柱形狀，且其直徑自與基板W接觸之上端至下端側稍稍變大。各凸起部213之高度例如為75 μm。
密封部215，於俯視觀察下呈內徑略微小於基板W之外徑之環狀。其高度與各凸起部213之高度相同。藉此，密封部215將形成於基板W與支撐片211間之空間(以下，記為「微小空間ms」)之側面封閉。密封部215相當於本發明之封閉手段。微小空間ms相當於本發明之「形成於基板與第二片狀物之間之空間」或「第1空間」。
此種支撐片211係藉由對具有耐熱性之樹脂進行蝕刻處理而作成。作為樹脂，更佳的是具有耐藥性。具體而言可例示聚醯亞胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚碸(PES)、聚碸(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、或耐熱性橡膠材料。但是，支撐片211之製作方法並非限定於此，亦可於樹脂製之薄膜或片材等上，分別藉由熱熔接而設置凸起部213與密封部215。又，亦可使支撐片211成形為一體。
本實施例之熱處理裝置，具備貫通該等熱處理板201與支撐片211之第2排出孔221、供給孔241、及貫通孔251。以下，依序進行說明。
第2排出孔221被設置為用以將微小空間ms之氣體排出。第2排出孔221為6個，且於俯視觀察下分別被配置於熱處理板201之周緣側。各第2排出孔221被劃分為形成於熱處理板201上之板孔221p、及形成於支撐片211上之與板孔221p連通之片孔221s。
於熱處理板201之上表面設置有與各第2排出孔221連通之槽部225。槽部225自熱處理板201之周緣側直線延伸至中央。又，各槽部225設置於每個第2排出孔221上，且以彼此獨立之方式形成。自各槽部225之底部至熱處理板201之上表面為止之高度(即，槽部225之深度)係高於如下所述之凸起部213之高度。槽部225之尺寸，例如，深度為0.5 mm，寬度為1 mm。槽部225之上方由支撐片211覆蓋，故板孔221p亦可作為用以吸引支撐片211之吸引孔而發揮作用。又，含有板孔221p之第2排出孔221兼作吸引孔。槽部225相當於本發明之槽部或第2空間。
於熱處理板201之下表面側，排出配管231之一端側共通於各第2排出孔221且連通連接，排出配管之另一端側與真空吸引源233連通連接。該真空吸引源233，例如係設置於無塵室之真空設備。於排出配管231上設置有調整壓力(負壓)之開關閥235、及測量壓力之壓力計237。排出配管231與真空吸引源233作為排出手段而發揮作用。
供給孔241被設置為用以將氣體供給至微小空間ms。供給孔241為2個，並分別形成於偏離槽部225之位置上。於熱處理板201之下表面側，供給配管243之一端側共通於各供給孔241且連通連接，而另一端側與氮氣供給源245連通連接。該氮氣供給源245，例如係設置於無塵室之真空設備。於供給配管243上配設有開關閥247、及壓力計249。再者，亦可設置潔淨空氣供給源來代替氮氣供給源245。供給配管243與氮氣供給源245將作為供給手段而發揮作用。
貫通孔251被設置為用以插入升降銷253。貫通孔251為3個，於俯視觀察下係分別形成於如下位置，即與以熱處理板201之中心為重心之正三角形的各頂點之所在位置。插通各貫通孔251之升降銷253之下端側與省略圖示的升降機構連結。而且，藉由使升降銷253升降，而於未圖示之搬送手段之間傳遞基板W。
控制部261，綜合性地操作上述發熱體203之輸出、開關閥235及開關閥247之開關、及升降機構等。該等操作係根據預先記憶之處理程式而進行。進而，開關閥235與開關閥247之開關操作係分別根據壓力計237與壓力計249之檢測結果而進行。控制部261係藉由執行各種處理之中央處理器(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random Access Memory)、或記憶有各種資訊之固定磁碟等記憶媒體等而實現。
其次，對實施例6之熱處理裝置之動作進行說明。圖17係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。再者，發熱體203之溫度控制等係已根據處理程式而進行者，於以下之說明中省略其說明。
＜步驟S21＞搬入基板W
控制部261操作升降機構，藉此升降銷253自未圖示之搬送手段接受基板W。而且，將基板W載置於支撐片211上。基板W被凸起部213與密封部215抵接支撐。於基板W與支撐片211之間形成有氣密之微小空間ms。
＜步驟S22＞吸附基板W
控制部261一面參照壓力計237之測量結果一面使開關閥235打開，且將微小空間ms之壓力控制於既定之處理壓力Pms(負壓)。藉此，使微小空間ms之氣體，自第2排出孔221排出，且亦使槽部225之氣體自板孔221p排出。
圖18係示意性表示於吸附基板W時之微小空間ms與槽部225內所產生之氣流之圖。於自開始排出氣體至達到處理壓力Pms為止之期間，於微小空間ms及槽部225分別產生有朝向第2排出孔221(板孔221p)之氣流(圖中，以虛線表示)。若對各自氣流之流路進行比較，則槽部225之深度充分大於微小空間ms之高度，且槽部225之流路剖面積大於微小空間ms之流路剖面積。由此，槽部225內所產生之氣流之流動阻力較微小空間ms內為小。
由此，當吸附基板W時，微小空間ms與槽部225內之壓力以圖19所示之方式下降。圖19係表示將微小空間ms之壓力變更為處理壓力Pms時之微小空間ms及槽部225之壓力變化情況的示意圖。於圖19中，時刻t1係開始排出氣體之時刻，時刻t2係使微小空間ms之壓力穩定於處理壓力Pms之時刻。再者，時刻t1之前，微小空間ms及槽部225均處於大氣壓下。如圖19所示，時刻t1以後，槽部225較微小空間ms先使壓力下降。而且，自時刻t1至時刻t2為止之期間，槽部225之壓力常常被保持於與微小空間ms之壓力相同或較低值。
因此，如圖18所示，當吸附基板W時(時刻t1～時刻t2)，因槽部225與微小空間ms之過渡性壓力差，而使力Fs僅朝向熱處理板201側來作用於支撐片211。換言之，不會使力朝向基板W側來作用於支撐片211。又，基板W根據微小空間ms之壓力，而使朝向支撐片211側之力Fw作用，而基板W被吸附。
＜步驟S23＞對基板W進行熱處理
當吸附基板W時，使該狀態僅保持預先設定之時間，以此對基板W進行既定之熱處理。
＜步驟S24＞解除對基板W之吸附
當既定之熱處理結束後，控制部261使開關閥235關閉，並且使開關閥247打開。氮氣將利用供給孔241而被供給至微小空間ms內。此時，氮氣自微小空間ms流入槽部225，故槽部225之壓力不會高於微小空間ms之壓力。藉此，解除對基板W之吸附。
＜步驟S25＞搬出基板W
當基板W之吸附被解除後，控制部261操作省略圖示之升降機構，藉此升降銷253將基板W抬升至上方。而且，將基板W傳遞至未圖示之搬送手段上。
如上所述，根據實施例6之熱處理裝置，於熱處理板201之上表面，形成與第2排出孔221連通之槽部225，藉此當自第2排出孔221將微小空間ms之氣體排出時，槽部225之氣體將通過板孔221p而被排出。藉此，可於槽部225吸引支撐片211，且使支撐片211密著於熱處理板201上。即，可一面抑制支撐片211自熱處理板201隆起、或者支撐片211產生褶皺等相對於熱處理板201移動，一面吸附基板W。
又，將槽部225之深度設為大於凸起部213之高度，藉此，當吸附基板W時，可使槽部225之壓力低於微小空間ms之壓力。藉由此種壓力差，可使力Fs朝向熱處理板201側作用於支撐片211。由此，可確實地防止支撐片211自熱處理板201隆起等相對於熱處理板201而移動之情況。
又，因設為如下構成：使槽部225與第2排出孔221連通，且第2排出孔221兼有吸引孔之功能，故無須於熱處理板201上另外形成吸引孔。又，因槽部225橫跨熱處理板201之中央與周緣側而形成，故可均一地吸引整個支撐片211。進而由於槽部225為直線狀，故其距離較短亦可。
又，第2排出孔221設置於熱處理板201之周緣側，故即使為自基板W與密封部215之抵接部位等微小空間ms之側面流入外部氣體之情況，亦可立即藉由第2排出孔221而將外部氣體排出。因此，可阻止外部氣體浸入至微小空間ms之中央，從而降低其影響。
[第7實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例7進行說明。
圖20係實施例7之熱處理裝置之熱處理板之俯視圖。再者，由於實施例7之概略構成與實施例6之概略構成相同，故省略圖示。又，於圖20所示之俯視圖中，對於與實施例6相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說明。
該實施例7之熱處理裝置，對槽部226之位置進行設計。即，槽部226於熱處理板201之周緣側形成為環狀(圓形)。因此，槽部226為一個，並且所有第2排出孔221共通於該槽部226並與其連通。槽部226相當於本發明之槽部或第2空間。
當吸附基板W時，槽部226內之氣體將通過構成各第2排出孔221之任一個第1板孔221p而被排出。支撐片211，於槽部226被吸引，而成為支撐片211之全周於外方向延展之狀態。
如上所述，根據實施例7之熱處理裝置，於熱處理板201之外周側，具備形成為環狀之槽部226，藉此，可抑制支撐片211彎曲或於支撐片211上產生褶皺之情況。
[第8實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例8進行說明。
圖21係表示實施例8之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。再者，對於與實施例6相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說明。
該實施例8之熱處理裝置，具備專門用以吸引支撐片211之吸引孔271。吸引孔271為多數個。形成於熱處理板201之上表面之槽部227係與各吸引孔271連通。然而，槽部227並不與第2排出孔221連通。槽部227相當於本發明之槽部或第2空間。
於熱處理板201之下表面側，吸引配管273之一端側共通於各吸引孔271並連通連接，而另一端側與真空吸引源275連通連接。於吸引配管273，設置有調整壓力(負壓)之開關閥277、及測量壓力之壓力計279。吸引配管273與真空吸引源275，作為吸引手段而發揮作用。
當吸附基板W時，控制部261首先一面參照壓力計279之測量結果，一面使開關閥277打開，且將槽部227之壓力控制於既定之吸引壓力Pd(負壓)。此處，較佳的是，於吸附基板W時控制吸引壓力Pd，使其小於微小空間ms之處理壓力Pms。槽部227之氣體自吸引孔271排出，且支撐片211被吸引於槽部227。藉此，使支撐片211密著於熱處理板201上。
其次，於保持支撐片211被吸引之狀態下，控制部261一面參照壓力計237之測量結果，一面使開關閥235打開，且將微小空間ms之壓力控制於既定之處理壓力Pms。微小空間ms之氣體自第2排出孔221被排出，且基板W被吸附。
如上所述，根據實施例8之熱處理裝置，因具備專門用以吸引支撐片211之吸引孔271，故可於將微小空間ms內之氣體排出之前，吸引支撐片211。由此，當吸附基板W時，可抑制支撐片211相對於熱處理板201而移動。
[第9實施例]
以下，參照圖式對本發明之實施例9進行說明。
圖22係表示實施例9之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。再者，對於與實施例6相同之構成附以相同元件符號，並省略其詳細說明。
該實施例9之熱處理裝置，具備專門用以吸引支撐片211之吸引孔272。又，於熱處理板201之上表面並未形成有實施例6中所說明之槽部。各吸引孔272係於熱處理板201之下表面側，與排出配管231連通連接。
當吸附基板W時，藉由控制部261來操作開關閥235，而使微小空間ms內之氣體通過排出配管231自第2排出孔221排出，並且使吸引孔272內之氣體亦通過排出配管231排出。支撐片211被吸引於熱處理板201之上表面上所形成之吸引孔272之開口。
如上所述，根據實施例9之熱處理裝置，藉由省略相當於槽部之構成，可排除因槽部而產生之微粒之影響、或槽部對熱處理品質之影響。又，可使熱處理板201之構造簡化。
本發明並非限定於上述實施形態，亦可根據如下所述之方式而實施變形。
(1)於如上所述之實施例6至實施例8中，例示了槽部225、226、227之形狀，但並非限定於此，亦可適當地進行變更。例如，可於俯視觀察下使槽部形成為螺旋狀，亦可形成多數個環狀槽部。
(2)於如上所述之實施例6至實施例9中，第2排出孔221為如下構成，即兼作吸引支撐片211之吸引孔，或具備與第2排出孔221不同之吸引孔271、272，但並非限定於此。例如亦可設為如下構成：使熱處理板201之材質為多孔質構件，以此利用熱處理板201本身所含有之氣孔來吸引支撐片211。此時，熱處理板201本身所含有之氣孔，相當於本發明之吸引孔。
(3)於如上所述之實施例8中，當吸附基板W時，首先吸引支撐片211，之後，將微小空間ms之氣體排出，但並非限定於此。例如，當將槽部227內之吸引壓力Pd控制為低於微小空間ms之處理壓力Pms時，亦可於吸引支撐片211之同時，開始將微小空間ms之氣體排出。
(4)於如上所述之實施例6至實施例9中，第2排出孔221配置於熱處理板201之周緣側，但並非限定於此。例如，若至少將片孔221s配置於周緣側，則可對與片孔221s連通之板孔221p之路徑進行適當地變更。於此情況下，即使自微小空間ms之側面流入外部氣體，亦可立即自第2排出孔221將外部氣體排出。又，亦可變更為將片孔221s配置於熱處理板201之中央等。
進而，於如上所述之實施例8、實施例9中，第2排出孔221無須兼有吸引孔之功能。因此，若能將微小空間ms之氣體排出，則可變更為自貫通密封部215等之排出孔將外部氣體排出之構成，而代替自貫通至熱處理板201之上表面之第2排出孔221排出外部氣體之構成。於此相同地，對於供給孔241而言，若可將氣體供給至微小空間ms，則亦可變更為自貫通密封部215等之供給孔供給氣體，而代替供給孔241。
(5)於上述實施例6至實施例9中，凸起部213自其上部至其下部直徑漸趨變大，但並非特別限定於該形狀。又，對於凸起部213之配置，亦可進行適當地設計變更。進而，凸起部213以點接觸之方式支撐基板W，但亦可變更為如下者，即形成脊狀隆起之凸起部，以線接觸之方式支撐基板W。
(6)於如上所述之實施例6至實施例9中，於支撐片211形成有密封部215，但並非限定於此，亦可設置與支撐片211不同之密封部。又，不同之密封部可配置於支撐片211上，亦可配置於熱處理板201上。
(7)於如上所述之實施例1至實施例9中，基板W為圓形，但並非限定於此，亦可將矩形狀等之基板設為處理對象。此時，按照基板之形狀，而使邊緣部15、密封部115或密封部215之形狀自圓環形狀進行適當之變更。
(8)於如上所述之實施例1至實施例9中，以將熱管埋設於熱傳導部5、105、205之構成為例進行了說明，但亦可應用未使用有熱管之熱處理裝置。
只要不偏離本發明之思想或本質，亦可以其他具體形態來實施本發明，因此，作為表示本發明之範圍者，應參照附加之申請專利範圍而並非以上之說明。
1、101、201．．．熱處理板
3、103、203．．．發熱體
5、105、205．．．熱傳導部
11、111、211．．．支撐片
13、14、113、213．．．凸起部
15．．．邊緣部
18．．．槽
21．．．排出孔
23、133、231．．．排出配管
25、135、233、275．．．真空吸引源
27、137、235、247、277．．．開關閥
29、139、237、249、279．．．壓力計
31、141、251．．．貫通孔
33、143、253．．．升降銷
41、151、261．．．控制部
51．．．抗蝕劑感光膜
53．．．蝕刻圖案
115、215．．．密封部
115a．．．內周圓
115b．．．外周圓
121．．．導軌
122．．．按壓構件
123．．．螺栓
125．．．固定環
127．．．導軌用環
129．．．隆起限制構件
131．．．第1排出孔
221．．．第2排出孔
221s．．．片孔
221p．．．板孔
225、226、227．．．槽部
241．．．供給孔
243．．．供給配管
245．．．氮氣供給源
271、272．．．吸引孔
273．．．吸引配管
A1．．．第1開口部
A2．．．第2開口部
A3．．．第3開口部
A4．．．第4開口部
Fw、Fs．．．力
ms．．．微小空間
T．．．基板支撐構造
W．．．基板
圖示有幾個被認為是當前較佳之形態用以說明本發明，但欲使人們明白的是，本發明並非限定於如圖示般之構成及手段。
圖1係表示實施例1之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
圖2係熱處理板之俯視圖。
圖3A至3E係分別說明蝕刻處理之方法之示意圖。
圖4係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。
圖5係變形例之支撐片11之俯視圖。
圖6係變形例之支撐片11之俯視圖。
圖7係表示實施例2之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
圖8A係熱處理板之俯視圖。
圖8B係支撐片之一部分之俯視圖。
圖9係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。
圖10係示意性表示支撐片進行伸縮之情況之圖。
圖11係示意性表示支撐片隆起之情況之圖。
圖12係表示實施例3之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
圖13係實施例4之熱處理板之俯視圖。
圖14係表示實施例5之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
圖15係表示實施例6之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
圖16係熱處理板之俯視圖。
圖17係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。
圖18係示意性表示於吸附基板時之微小空間與槽部所產生之氣流之圖。
圖19係表示將微小空間之壓力變更為處理壓力時之微小空間及槽部之壓力變化之情況的示意圖。
圖20係實施例7之熱處理裝置之熱處理板之俯視圖。
圖21係表示實施例8之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
圖22係表示實施例9之熱處理裝置之概略構成之縱剖面圖。
101．．．熱處理板
103．．．發熱體
105．．．熱傳導部
111．．．支撐片
113．．．凸起部
115．．．密封部
121．．．導軌
123．．．螺栓
125．．．固定環
127．．．導軌用環
131．．．第1排出孔
133．．．排出配管
135．．．真空吸引源
137．．．開關閥
139．．．壓力計
141．．．貫通孔
143．．．升降銷
151．．．控制部
A3．．．第3開口部
A4．．．第4開口部
ms．．．微小空間
W．．．基板

Claims (20)

  1. 一種熱處理裝置，係用以對基板進行熱處理，上述熱處理裝置包括以下要素：熱處理板；片狀物，其為載置於上述熱處理板上之樹脂製的片狀物，於其表面上形成有與基板之周緣部抵接之環狀密封部、及於上述密封部之內側抵接支撐基板之凸起部；以及排出孔，其用以排出形成於基板與上述片狀物之間之空間的氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，上述片狀物係由上述密封部於外側形成有開口部；上述裝置具備配置於上述開口部內之插入構件；於上述開口部與上述插入構件之間，設置有容許上述片狀物伸縮之間隙。
  3. 如申請專利範圍第2項之熱處理裝置，其中，進而具備隆起限制構件，該隆起限制構件以與上述片狀物隔開之方式而被設置於較上述密封部更外側之上方，限制上述片狀物自上述熱處理板隆起。
  4. 如申請專利範圍第3項之熱處理裝置，其中，進而具備：進行基板之水平方向之定位之導向構件；以及與上述導向構件抵接而進行上述導向構件之位置對準之位置對準構件； 上述導向構件係配置於上述開口部內並兼作上述插入構件，且上述位置對準構件係兼作上述隆起限制構件。
  5. 如申請專利範圍第2項之熱處理裝置，其中，進而具備進行基板之水平方向之定位的導向構件；上述導向構件係配置於上述開口部內並兼作上述插入構件。
  6. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，具備按壓構件，該按壓構件在上述片狀物上載置於較上述密封部更外側，容許上述片狀物之伸縮。
  7. 如申請專利範圍第6項之熱處理裝置，其中，具備隆起限制構件，該隆起限制構件以與上述片狀物隔開之方式而設置於較上述密封部更外側之上方，限制上述片狀物自上述熱處理板隆起。
  8. 如申請專利範圍第7項之熱處理裝置，其中，進而具備：進行基板之水平方向之定位之導向構件；以及與上述導向構件抵接並進行上述導向構件之位置對準之位置對準構件；上述導向構件係在上述片狀物上載置於較上述密封部更外側，並兼作上述按壓構件，且上述位置對準構件係兼作上述隆起限制構件。
  9. 如申請專利範圍第6項之熱處理裝置，其中，進而具備進行基板之水平方向之定位之導向構件； 上述導向構件係在上述片狀物上載置於較上述密封部更外側，並兼作上述按壓構件。
  10. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，具備隆起限制構件，該隆起限制構件以與上述片狀物隔開之方式而設置於較上述密封部更外側之上方，限制上述片狀物自上述熱處理板隆起。
  11. 一種熱處理裝置，係用以對基板進行熱處理，上述裝置包括以下要素：熱處理板；片狀物，其設置於上述熱處理板之上表面，形成有抵接支撐基板之凸起部；封閉手段，其封閉形成於基.板與上述片狀物之間之空間的側面；排出孔，其用以排出上述空間之氣體；以及吸引孔，其形成於上述熱處理板上，用以吸引上述片狀物。
  12. 如申請專利範圍第11項之熱處理裝置，其中，進而具備槽部，其形成於上述熱處理板之上表面，與上述吸引孔連通。
  13. 如申請專利範圍第12項之熱處理裝置，其中，自上述槽部之底部至上述熱處理板之上表面為止之高度，係高於上述凸起部之高度。
  14. 如申請專利範圍第12項之熱處理裝置，其中，上述槽 部係以橫跨上述熱處理板之周緣側與中央之方式而形成。
  15. 如申請專利範圍第11項之熱處理裝置，其中，進而具備槽部，該槽部形成於上述熱處理板之上表面，與上述排出孔連通；上述排出孔係兼作上述吸引孔。
  16. 如申請專利範圍第15項之熱處理裝置，其中，自上述槽部之底部至上述熱處理板之上表面為止之高度，係高於上述凸起部之高度。
  17. 如申請專利範圍第15項之熱處理裝置，其中，上述槽部係以橫跨上述熱處理板之周緣側與中央之方式而形成。
  18. 如申請專利範圍第11項之熱處理裝置，其中，上述排出孔具有：板孔，其形成於上述熱處理板上；以及片孔，其形成於上述片狀物上而與上述板孔連通；上述片孔設置於上述熱處理板之周緣側。
  19. 一種基板吸附方法，其係將形成有凸起部之片狀物設置於熱處理板之上表面，對抵接支撐於上述凸起部之基板進行吸附者，上述方法包括以下要素：將形成於基板與上述片狀物之間之空間設為第1空間，將形成於上述片狀物與上述熱處理板之間之空間設為第2空間，將上述第2空間之壓力保持在上述第1空間之壓力以下，同時分別將上述第1空間及上述第2空間之氣體排出。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板吸附方法，其中，在排 出時，相對於上述第2空間內所產生之氣流之流動阻力，係小於上述第1空間內者。
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