CN101043018B - 基板支撑结构及其制造方法、热处理装置及基板吸附方法 - Google Patents

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Abstract

一种热处理装置，在热处理板的上表面上设置有支撑片。在支撑片的上表面上形成有抵接支撑基板的凸部以及与基板的周缘部相抵接的凸缘部。因为该支撑片通过蚀刻处理而形成，所以凸部的周围成为凹部，不会如激光加工那样使凸部的周围成为开口。利用具有这些热处理板和支撑片的基板支撑结构，而能够适当地支撑基板。

Description

基板支撑结构及其制造方法、热处理装置及基板吸附方法
技术领域
本发明涉及对半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等(以下简称为“基板”)进行支撑的基板支撑结构、基板支撑结构中使用的第一片状物、基板支撑结构的制造方法、对基板进行热处理的热处理装置、吸附基板的基板吸附方法。
背景技术
近年来，随着对在基板上形成的图案的线宽尺寸和线宽均匀性的要求越来越严格，对光刻的烘干热处理、特别是曝光后的烘干(PEB：Post ExposureBake)中的温度均匀性的要求也越来越高。
因此，提出有吸附基板来进行热处理的热处理装置(例如，在日本国特开平10-284360号公报中公开)。该热处理装置具有在热处理板的上表面上用树脂涂敷金属所形成的凸部，构成由该凸部对基板进行抵接支撑的基板支撑结构。此外，在热处理板的上表面上形成有与基板的周缘部相抵接的环状的密封部。并且，排出气体的排出孔贯通热处理板的上下表面而形成。当基板放置在基板支撑结构上时，在基板与热处理板之间形成封闭的空间。通过从排出孔排出该空间的气体而吸附基板。此时，即使基板发生翘曲的情况下也能够进行矫正，因此能够对基板进行均匀的加热。
但是，在具有这样结构的现有例中，存在下述问题。
即，由于与基板相抵接的凸部和热处理板一样也是金属，所以热量主要通过凸部传递到由上述的基板支撑结构所支撑的基板上。由此，存在这样的问题：在基板面内，凸部的接触部分和非接触部分的受热过程有很大不同。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于：第一，提供能够良好地支撑基板的基板支撑结构、使用该基板支撑结构的热处理装置、基板支撑结构中使用的第一片状物、基板支撑结构的制造方法；第二，提供能够良好地对基板进行热处理的热处理装置；第三，提供能够良好地吸附基板的热处理装置和基板吸附方法。
为了实现第一目的，本发明采用了如下结构。
即，本发明是对基板进行的支撑的基板支撑结构，包括：
板主体，其对基板进行支撑；
第一片状物，其由树脂制成，设置在所述板主体的上表面上，并且，在第一片状物的表面上形成有抵接并支撑基板的凸部，
所述第一片状物的凸部是通过蚀刻处理而形成的。
根据本发明，通过具有由蚀刻处理形成的凸部，从而凸部的周围不会成为开口。由于基板支撑结构是将这种第一片状物设置在板主体上而构成的，所以能够良好地支撑基板。此外，能够降低在基板面内与凸部接触的接触部位和与凸部不接触的非接触部位之间热量传递速度的差，能够抑制基板面内的受热过程的不均匀。
在此，凸部是指在俯视状态下呈点状隆起的部位以及在俯视状态下呈线状(直线状或者曲线状)相连而隆起的部位。
在上述的发明中，优选所述第一片状物的背面是平坦的。能够将第一片状物适当地设置在板主体上而构成基板支撑结构。
在上述的发明中，优选所述第一片状物具有与基板的周缘部相抵接的环状的凸缘部，所述凸缘部通过蚀刻处理而形成。能够通过凸缘部来封闭在基板与第一片状物之间形成的空间的侧方。
在上述的发明中，优选所述第一片状物具有用于吸引在基板与上述第一片状物之间形成的空间内的气体的第一开口部。能够对放置在基板支撑结构上的基板适当地进行吸附。
此外，本发明是对基板进行热处理的热处理装置，所述装置包括：
技术方案1记载的基板支撑结构；
对基板进行加热的加热装置。
根据本发明能够对基板适当地进行热处理。
此外，本发明是第一片状物，其用于基板支撑结构，该基板支撑结构是在支撑基板的板主体的上面上设置树脂制的第一片状物而成的，抵接并支撑基板的凸部通过蚀刻处理而形成在所述第一片状物的表面上。
根据本发明能够适当地实现基板支撑结构。
此外，本发明是支撑基板的基板支撑结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在树脂制的第一片状物的一个面上，通过蚀刻处理而形成用于抵接并支撑基板的凸部；
将形成有所述凸部的第一片状物以所述凸部为上侧的方式配置在板主体的上表面上。
根据本发明能够适当地制造基板支撑结构。
此外，为了实现本发明的第二个目的而采用下面的结构。
即，本发明是对基板进行热处理的热处理装置，所述热处理装置包括：
热处理板；
第二片状物，其放置在所述热处理板上，在其表面上形成有与基板的周缘部相抵接的环状的密封部、和在所述密封部的内侧抵接并支撑基板的凸部；
第一排出孔，其用于将在基板与所述第二片状物之间形成的空间中的气体排出。
根据本发明，通过将第二片状物放置在热处理板上，即使第二片状物发生伸缩也不会妨碍其伸缩。因此，能够防止在第二片状物上产生褶皱等。
在上述发明中，优选在所述第二片状物上，在所述密封部的外侧形成有第三开口部，所述热处理装置具有在所述第三开口部内配置的插入部件，在所述第三开口部和所述插入部件之间设置有允许所述第二片状物伸缩的间隙。因为在第三开口部和插入部件之间设置有允许第二片状物伸缩的间隙，所以第二片状物的伸缩不会受到插入部件的妨碍。
在上述发明中，优选还具有上浮限制部件，其以与所述第二片状物间隔开的方式设置在所述密封部的外侧的上方，限制所述第二片状物从所述热处理板上浮。由于具备上浮限制部件，所以能够适当地限制第二片状物从热处理板上浮。
在上述发明中，优选还具有：导向部件，其对基板在水平方向上进行定位；对位部件，其与所述导向部件相抵接，而使所述导向部件对位，所述导向部件配置在所述第三开口部内，而兼作所述插入部件，并且，所述对位部件兼作所述上浮限制部件。由于导向部件兼作插入部件，而对位部件兼作上浮限制部件，所以能够进一步简化结构。
在上述发明中，优选还具有导向部件，其对基板在水平方向上进行定位，所述导向部件配置在所述第三开口部内，而兼作所述插入部件。由于导向部件兼作插入部件，所以能够简化结构。
在上述发明中，优选具有压紧部件，该压紧部件位于所述第二片状物上，并放置在所述密封部的外侧，允许所述第二片状物进行伸缩。由于具备允许第二片状物伸缩的压紧部件，所以不会妨碍第二片状物的伸缩。
在上述发明中，优选具有上浮限制部件，该上浮限制部件以与所述第二片状物间隔开的方式设置在所述密封部的外侧的上方，限制所述第二片状物从所述热处理板上浮。由于具备上浮限制部件，所以能够适当地限制第二片状物从热处理板上浮。
在上述发明中，优选还具有：导向部件，其对基板在水平方向上进行定位；对位部件，其与所述导向部件相抵接，而使所述导向部件对位，所述导向部件位于所述第二片状物上且放置在所述密封部的外侧，兼作所述压紧部件，并且，所述对位部件兼作所述上浮限制部件。由于导向部件兼作压紧部件，而对位部件兼作上浮限制部件，所以能够进一步简化结构。
在上述发明中，优选还具有导向部件，该导向部件对基板在水平方向上进行定位；所述导向部件位于所述第二片状物上，并放置在所述密封部的外侧，兼作所述压紧部件。由于导向部件兼作压紧部件，所以能够简化结构。
在上述发明中，优选具有上浮限制部件，该上浮限制部件以与所述第二片状物间隔开的方式设置在所述密封部外侧的上方，限制所述第二片状物从所述热处理板上浮。由于具有上浮限制部件，所以能够适当地限制第二片状物的上浮。
此外，为了实现第三个目的，本发明采用以下结构。
即，本发明是对基板进行热处理的热处理装置，所述热处理装置包括：
热处理板；
第二片状物，其由树脂制成，设置在所述热处理板的上表面上，并形成有抵接并支撑基板的凸部；封闭装置，其对在基板与所述第二片状物之间形成的空间的侧方进行封闭；第二排出孔，其用于排出所述空间内的气体；吸引孔，其形成在所述热处理板上，用于吸引所述第二片状物。
根据本发明，由于在热处理板上形成有用于吸引第二片状物的吸引孔，所以能够使第二片状物紧贴在热处理板上。由此，能够抑制第二片状物相对热处理板的移动，并吸附基板。
在上述发明中，优选还具有槽部，该槽部形成在所述热处理板的上表面上，与所述吸引孔相连通。因为能在槽部吸附第二片状物，所以能够将第二片状物适当地紧贴在热处理板上。
在上述发明中，优选还具有槽部，该槽部形成在所述热处理板的上表面上，并与所述第二排出孔相连通，所述第二排出孔兼作所述吸引孔。由于第二排出孔兼作吸引孔，所以不需要设置专门用于吸引第二片状物的吸引孔，而能够简化结构。
在上述发明中，优选所述槽部从底部到所述热处理板的上表面的高度高于所述凸部的高度。在吸附基板W时，能够使槽部的压力低于在基板和所述第二片状物之间形成的空间内的压力。利用这种压力差，能够使朝向热处理板侧的力作用在第二片状物上，使第二片状物紧贴在热处理板上。
在上述发明中，优选所述槽部经所述热处理板的周缘侧和中央而形成。能够整体地吸引第二片状物。
在上述发明中，优选所述第二排出孔具有在所述热处理板上形成的板孔和形成在所述第二片状物上并与所述板孔相连通的片孔，所述片孔设置在所述热处理板的周缘侧。即使外部气体从在基板与所述第二片状物之间形成的空间的侧方流入，也能将流入的外部气体从周缘侧的第二排出孔排出，由此能够抑制外部气体进入到热处理板的中央部。
此外，本发明是一种基板吸附方法，将形成有凸部的由树脂制成的第二片状物设置在热处理板的上表面上，吸附被凸部抵接并支撑的基板，其特征在于，
将在基板与所述第二片状物之间形成的空间作为第一空间，将所述第二片状物与所述热处理板之间形成的空间作为第二空间，将所述第一空间和所述第二空间的气体分别排出，并将所述第二空间的压力保持为所述第一空间的压力以下。
根据本发明，利用排出气体时第一、第二空间的压力的关系，即使在第二片状物上产生朝向热处理板侧的力，也不会产生朝向基板侧的力。在抑制第二片状物相对热处理板移动的同时，能够吸附基板。
在上述发明中，优选在排出气体时，所述第二空间内产生的气流的流动阻力，比所述第一空间内的小。能够使第二空间的压力比第一空间低。由此，能够使第二片状物紧贴在热处理板上。
另外，本说明书公开了如下所述热处理装置的发明。
(1)在上述热处理装置中，所述槽部呈直线。
利用上述发明，能够抑制槽部的长度。由此，能够抑制因槽部产生颗粒、和槽部给热处理品质带来的影响。此外，由于呈直线，所以能够容易地加工形成槽部。
(2)在上述热处理装置中，所述槽部对应于所述吸引孔而独立地形成。
利用上述发明，即使每个吸引孔吸引的定时或吸引压力出现偏差，通过槽部和吸引孔而排出的气流也不会相互干涉。
(3)在上述热处理装置中，还具有供给孔，该供给孔形成在所述热处理板上，用于将气体供给到所述空间中，所述供给孔形成在偏离所述槽部的位置上。
利用上述发明，由于从供给孔供给的气体通过空间而流入到槽部，所以在供给气体时，槽部的压力相比空间的压力不会上升。因此，第二片状物不会从热处理板上浮。
(4)在上述热处理装置中，所述热处理板是多孔部件，所述吸引孔是所述热处理板所具有的气孔。
根据本发明，不需要加工形成贯通热处理板的吸引孔。
附图说明
图1是表示第一实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，
图2是热处理板的俯视图，
图3A～图3E分别是说明蚀刻处理的方法的示意图，
图4是表示热处理装置的处理顺序的流程图，
图5是变形例的支撑片11的俯视图，
图6是变形例的支撑片11的俯视图，
图7是表示第二实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，
图8A是热处理板的俯视图，
图8B是支撑片的一部分的俯视图，
图9是表示热处理装置的处理顺序的流程图，
图10是示意性地表示支撑片伸缩的状态的图，
图11是示意性地表示支撑片要上浮的状态的图，
图12是表示第三实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，
图13是第四实施例的热处理板的俯视图，
图14是表示第五实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，
图15是表示第六实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，
图16是热处理板的俯视图，
图17是表示热处理装置的处理顺序的流程图，
图18是示意性地表示吸附基板时在微小空间与槽部中产生的气流的图，
图19是表示在将微小空间的压力变更为处理压力时微小空间以及槽部的压力变化的状态的示意图。
图20是第七实施例的热处理装置的热处理板的俯视图，
图21是第八实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，
图22是第九实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图。
具体实施方式
下面，基于附图来详细地说明本发明的优选的实施例。
第一实施例
下面，参照附图说明本发明的第一实施例。
图1是表示第一实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，图2是热处理板的俯视图。
热处理板1在俯视状态下呈比基板W直径稍大的圆形，其上表面平坦。热处理板1的材料例如可以是热传导效率高的铜或铝等金属。在该热处理板1上附设有云母加热元件等发热体3。在传热部5中埋设有多根未图示的热导管，该传热部5处于发热体3与热处理板1的上表面之间。此外，在未图示的多根热导管之间形成有未图示的冷却槽，使冷却用的流体流通。热处理板1相当于本发明中的板主体。此外，发热体3相当于本发明中的加热装置。
在该热处理板1的上表面上配置有支撑片11，这些热处理板1和支撑片11构成基板支撑结构T。在本实施例中，支撑片11不是固定或粘接在热处理板1上，而仅仅是直接放置在热处理板1上。这是由于支撑片11和热处理板1的热膨胀有差别。
在支撑片11的上表面上形成有：凸部13，其抵接并支撑基板W；凸缘部15，其与基板W的周缘部相抵接。此外，在支撑片11上形成有贯通支撑片11的上下表面的第一开口部A1和第二开口部A2。此外，支撑片11的下表面是平坦的。
凸部13存在有多个，并分别有规则地配置。各凸部13呈圆柱形状而从周围开始隆起，其直径从与基板W相接触的上端开始向下端侧稍稍变大。其倾斜角度例如为30度左右。各凸部13的上端的直径例如为0.5mm。各凸部13的高度例如从支撑片11的凹部起为75μm，而从支撑片11的背面起为125μm。另外，这些尺寸仅仅是举例，而并不限定于该值。即，各凸部13的上端的直径可以在0.1mm～1mm的范围内或者超过该范围来进行适当地设计变更。此外，从支撑片11的凹部起的各凸部13的高度可以在65μm～85μm的范围内或者超过该范围进行适当地设计变更。并且，支撑片11的厚度本身也可以进行适当地选择变更。另外，在本实施例中，考虑通过如后所述那样从支撑片11的两面进行蚀刻处理来形成开口部，并选择支撑片11厚度(125μm)的50％以上的值作为凸部13的高度。
凸缘部15在俯视状态下呈直径比基板W的外径稍小的环状。凸缘部15的高度与各凸部13的高度相同。由此，凸缘部15与基板W相抵接，将在基板W与支撑片11之间形成的空间(下面记载为“微小空间ms”)的侧方封闭。
为了吸引微小空间ms的气体而设置有第一开口部A1。第一开口部A1存在有多个(6个)，并分别形成在凸缘部15的内侧。此外，为了插入升降销33而设置有第二开口部A2。第二开口部A2也存在有多个(3个)，在俯视状态下分别形成在位于正三角形的各顶点的位置上，该正三角形以热处理板1的中心为重心。
在热处理板1上，经热处理板1的上下表面而形成有与各第一开口部A1相连通的排出孔21和与各第二开口部A2相对向的贯通孔31。在热处理板1的下表面侧，在各排出孔21上共同地连通并连接着排出配管23的一端侧，而在排出配管23的另一端侧上连通并连接着真空吸引源25。真空吸引源25例如是在无尘室中设置的真空室。在排出配管23上设置有调整压力(负压)的开闭阀27和计测压力的压力计29。排出配管23和真空吸引源25作为排出装置而发挥作用。此外，在各贯通孔31内容纳有升降销33，各升降销33的下端侧与省略图示的升降机构相连接。并且，通过使升降销33升降，而在与未图示的搬送装置之间进行基板W的交接。
控制部41统一地对上述的发热体3的输出、开闭阀27的开闭、升降机构的驱动进行操作。这些操作基于预先储存的程序进行。进一步，开闭阀27的开闭操作基于压力计29的检测结果而进行。控制部41通过执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、成为运算处理的作业区域的RAM(Random-Access Memory：随机存储器)、存储各种信息的固定磁盘等存储介质等来实现。
在此，针对支撑片11的材质、制法进行说明。支撑片11由树脂制成。可以根据处理内容而适当地选择树脂的种类。在像本实施例这样的热处理装置的情况下，优选具有耐热性的树脂。优选还具有耐药性的树脂。具体来说，可以是聚酰亚胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚砜(PES)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺(PEI)、或者耐热性橡胶材料。进而，支撑片11也可以是被多孔化的多孔部件。
此外，支撑片11通过蚀刻处理而生成。使用图3A～图3E来说明该蚀刻处理。首先，在表面预先被清洗过的支撑片11的表面和背面上进行抗蚀液涂布处理，形成均匀的抗蚀液感光膜51(图3A)。接着，使用在玻璃干板等上制成的蚀刻图案53进行曝光，并转印到在支撑片11的两面所涂布的抗蚀液感光膜51上(图3B)。接着，从支撑片11除去未曝光部的隔膜，使支撑片11露出(图3C)。接着，对相应于未曝光部而露出来的支撑片11进行蚀刻处理，从而对露出部进行腐蚀(图3D)。最后，从进行完蚀刻处理的支撑片11上除去抗蚀液感光膜(图3E)。在此，没有被腐蚀的部位成为凸部13或者凸缘部15。此外，只有单面(表面)被腐蚀了的部位成为支撑片11的凹部(壁厚度较薄的部位)，双面被腐蚀了的部位成为第一、第二开口部A1、A2。
这样生成的支撑片11，将其平坦的背面朝下而配置在热处理板1上。此时，可以将支撑片11固定安装在热处理板1上，也可以仅放置在热处理板1上。支撑片11相当于本发明中的第一片状物。
接着，参照图4对上述结构的热处理装置进行简单地说明。图4是表示热处理装置的处理顺序的流程图。另外，发热体3的温度控制等视为按照程序已经进行，在下面的说明中省略。
<步骤S01>搬入基板W
控制部41操作升降机构而使升降销33上升，从未图示的搬送装置接受基板W。接着，使升降销33下降，将基板W放置在支撑片11上。此时，基板W的下表面与凸部13和凸缘部15相抵接。由此，在基板W和支撑片11之间形成被封闭的微小空间ms。
<步骤S02>吸附基板W
控制部41对开闭阀27进行打开操作，通过第一开口部A1和排出孔21排出微小空间ms内的气体(空气或氮气)。微小空间ms内的压力被调整为负压，从而基板W被吸附在热处理板1侧。
<步骤S03>对基板W进行热处理
对于被吸附支撑的基板W，仅在预先确定的时间内保持该状态，来对基板W实施给定的热处理。
<步骤S04>搬出基板W
当给定时间的热处理结束时，控制部41关闭开闭阀27，使微小空间ms的压力恢复到大气压力。接着，使升降销33上升，而向上举起基板W，交接到未图示的搬送装置上。
这样，根据本实施例，因为通过蚀刻处理而生成支撑片11，所以在凸部13的周围(除凸部13以外的部分)能够不是开口而为凹部。即，若通过由激光加工进行的冲压或者剪断，则如果在支撑片11上不形成开口就不能形成凸部，从而导致除凸部以外的部分必然成为开口，但是，若通过蚀刻处理，则不会形成这样的开口。
利用这种支撑片11，能够抑制在整个基板W面内的受热过程的不均匀。例如，若利用凸部的周围(除凸部以外的部分)成为开口的支撑片11，则在放置在热处理板1上时，从开口露出热处理板1，因此，在基板W面内，与凸部相接触的接触部位和与凸部不相接触的非接触部位之间会形成很大的受热过程的不均匀。此外，在热处理板1的上表面的温度因位置的不同而变得不均匀时，会显著地受到影响，基板W的温度容易因位置的不同而变得不均匀。但是，因为支撑片11的凸部的周围不是开口，所以不会引起上述问题。
此外，因为通过蚀刻处理而生成支撑片11，所以凸部13的配置位置和个数能够不受制约而以自由的图案形成。并且，能够容易地对凸部13的大小进行细微化。此外，由于凸部13以一定的倾斜角度形成，所以凸部13不容易折弯，也不容易损伤。通过将形成有这样的凸部13的支撑片11设置在热处理板1上，而能够构成基板支撑结构T，该基板支撑结构T用支撑片11覆盖热处理板1，并降低凸部13的接触面积对基板W的面积的比例。
作为支撑片11，由于在第一开口部A1、第二开口部A2以外没有形成开口，所以支撑片11整体具有一定的强度。因此，容易操作支撑片11，能够容易地制造基板支撑结构T。
此外，因为支撑片11的背面平坦，所以能够将支撑片11设置在热处理板1上而不损害形成有凸部13的支撑片11的表面形状。因此，支撑片11和热处理板1能够构成适当的基板支撑结构T。
此外，通过具有通过蚀刻处理而形成的凸缘部15，而能够适当地封闭微小空间ms的侧方。其结果是，能够适当地吸附基板W。
此外，热处理装置通过具有发热体3，而能够适当地进行热处理而对基板W进行加热。
本发明不仅限于上述实施方式，能够如下进行变形实施。
(1)在上述的第一实施例中说明的基板支撑结构T仅是一个例子，可以任意地变更通过蚀刻处理而形成的凸部13的图案，即，能够任意变更凸部13的大小、形状、位置、个数等。
在图5和图6中表示关于凸部13的图案的变形例。图5是变形例的支撑片11的俯视图。如图所示，形成有4个环状的凸部14。各凸部14的直径各不相同，以互为同心圆的方式配置。在凸部14的各处形成有发挥通气孔功能的槽部18。由此，即使在凸部14与基板W相抵接时，各凸部14的内周侧和外周侧相连通。因此，即使在任意的位置排出微小空间ms的气体，也能够将微小空间ms内的压力适当地变为负压。
此外，图6是变形例的支撑片11的俯视图。如图所示，在支撑片11上形成有：呈同心圆状配置的直径不同的4个凸部14；经最中心侧的凸部14和凸缘部15而呈放射状延伸的6根凸部14。其结果是，凸部14和凸缘部15不会分离开而在各处连接。另外，在该情况下，也可以变更成在各凸部14上形成有槽部。
(2)在上述的第一实施例中，通过蚀刻处理形成第一开口部A1和第二开口部A2，但是也可以通过蚀刻处理以外的方法形成第一、第二开口部A1、A2。
(3)在上述的第一实施例中，不将支撑片11固定或者粘接在热处理板11上，而只是将支撑片11直接放置在热处理板1上，但是并不仅限于此。即，也可以将支撑片11固定或者粘接在热处理板1上。此外，也可以使支撑片11和热处理板11之间隔着水平方向滑动性良好的物质而放置。此外，也可以在热处理板11上配置用来限制支撑片11与热处理板11相对进行位移的部件之后设置支撑片11。
(4)在上述的第一实施例中，凸部13从其上部到下部直径逐渐变大，但是也不特别限于这种形状，也可以是从上部到下部直径相同的形状。
(5)在上述的第一实施例中，发热体3附设在热处理板1上，但是并不仅限于此。例如，也可以在基板W的上方设置加热部，而从上方对基板W进行加热。
(6)在上述的第一实施例中，在支撑片11上形成有凸缘部15，但是也可以将其省略。此外，还可以是将用于使微小空间ms内变为负压的第一开口部A1、排出孔21、以及排出配管23省略之后的结构。
(7)在上述的第一实施例中，热处理板1是金属，但是也可以适当地变更为陶瓷等。
(8)在上述的第一实施例中对热处理装置进行了说明，该热处理装置具有发热体3而进行对基板W加热的热处理，但是也可以变更为具有冷却板而进行对基板W冷却的热处理。此外，在本实施例中说明的基板支撑结构T也可以应用在进行清洗处理和涂布处理等其他处理的装置上。此外，在以能够旋转的方式支撑基板W时，可以通过具有对热处理板1进行旋转驱动的马达等来应用本实施例的基板支撑结构T。
第二实施例
下面，参照附图来说明本发明的第二实施例。
图7是表示第二实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图，图8A是热处理板的俯视图，图8B是支撑片的一部分的俯视图。
热处理板101在俯视状态下呈比基板W直径稍大的圆形。作为热处理板101的材料，例如可以是热传导效率高的铜或铝等金属。在该热处理板101上附设有云母加热元件等发热体103。在传热部105上埋设有多根未图示的热导管，该传热部105处于发热体103与热处理板101的上表面之间。此外，在未图示的多根热导之间形成有未图示的冷却槽，使冷却用的流体流通。
在该热处理板101的上表面上设置有树脂制成的支撑片111。在支撑片111上形成有凸部113和密封部115。在密封部115的外侧设置有第三开口部A3和第四开口部A4。这种支撑片111设置在热处理板101的上表面，并且不会出现皱褶或弯曲而根据温度进行变形。更详细地说，在热处理时，支撑片111在比较宽的温度区域(例如从室温到处理温度(约200度)的范围)内进行升温或降温。此时，由于支撑片111具有与热处理板101不同的热膨胀率，所以支撑片11相对于热处理板101在水平方向(面内方向)发生位移(伸缩)。在没有产生支撑片111自身的皱褶或弯曲等且允许该支撑片111相对热处理板101而相对自由位移(伸缩)的状态下，将该支撑片111放置在热处理板101上。具体来说，支撑片111可以直接放置在热处理板101上而不必固定或者粘接在热处理板101上，也可以与热处理板101之间隔着在水平方向滑动性良好的物质来放置支撑片111。另外，支撑片111相当于本发明中的第二片状物。
凸部113存在有多个(在图8A中为37个)，并有规则地配置。各凸部113呈圆柱形状，并且其直径从上端开始向下端侧稍稍增大。各凸部113的高度例如从支撑片111的凹部开始为75μm，从支撑片111的背面开始为125μm。用该凸部113的上端抵接并支撑基板W。
密封部115在俯视状态下呈直径比基板W的外径稍小的环状，包围住凸部113的周围。密封部115的高度与凸部113的高度相同。通过该密封部115与基板W相抵接，而将在基板W与支撑片111之间形成的空间(下面记载为“微小空间ms”)的侧方封闭。第二实施例的支撑片111从密封部115到支撑片111的外周缘以相同的高度且一体地形成。因此，在图8B中，从密封部115到支撑片111的外周缘为止的范围统一用斜线表示。其中，密封部115是与基板W的周缘部相抵接的部位，在图8A、图8B中，相当于由内周圆115a和外周圆115b之间围成的范围。在本说明书中，将支撑片111中的在俯视状态下的外周圆115b外周侧的范围称为“密封部115的外侧”。
第三开口部A3存在有多个(6个)，以分别与密封部115的外周圆115b相接触的方式而等间隔地形成。第四开口部A4也存在有多个(6个)，处于各第三开口部A3之间，相比第三开口部A3而设置在支撑片111的周缘侧上。
针对上述的支撑片111的制法、材料来进行说明。在本实施例中，支撑片111通过对具有耐热性的树脂进行蚀刻处理来制作。作为树脂，优选还具有耐药性。具体来说，可以举出聚酰亚胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚砜(PES)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺(PEI)、或者耐热性橡胶材料。但是，支撑片111的制作方法并不仅限于此。例如，可以分别通过热熔接将凸部113和密封部115设置在树脂制的薄膜或者薄片等上。此外，也可以将支撑片111一体成形。
在热处理板101上，除了支撑片111以外，还具有导块121、螺栓123、挡圈125和导向用环127。导块121是对基板W进行水平方向定位的部件，构成为在上部形成有倾斜面的大致圆柱形状。作为导块121，优选不会给基板W带来损伤的聚醚醚酮材料。这样的导块121存在有多个(6个)，分别配置在支撑片111的第三开口部A3内。因此，导块121直接放置在热处理板101上。另外，导块121没有被固定或者粘接在热处理板101上。此外，对导块121和第三开口部A3的大小和位置等进行适当设计，使得在配置导块121时，在第三开口部A3(第三开口部A3的边缘)和导块121之间形成有足够大的间隙，此间隙大到能允许支撑片111伸缩的程度。导块121相当于本发明中的导向部件(特别是兼作插入部件的导向部件)。
导向用环127是在俯视状态下呈圆环状的板状物，该板状物具有将各导块121围起来那样的中空部。在导向用环127的内周缘，以与导块121的倾斜面的一部分相抵接的方式形成有大致半圆形的切口。并且，在导向用环127上，在与第四开口部A4对应的位置上形成有6个贯通孔。在各贯通孔内插有螺栓123。此外，为了防止导向用环127从螺栓123脱落，而在各螺栓123上设置有挡圈125。各螺栓123的下端侧插到第四开口部A4中，并拧紧固定在热处理板101上。另外，在螺栓123和第四开口部A4之间，也形成有与导块121和第三开口部A3之间的间隙相等或者大于该间隙的间隙。
导块121和螺栓123分别处于给定的位置时，导向用环127与导块121相抵接，并且，从挡圈125上浮少许。由此，导向用环127使导块121对位。此外，在此时，在导向用环127的下表面和支撑片111的上表面之间形成很小的间隔。在本实施例中，密封部115外侧的支撑片111的厚度为125μm，相对于此，将导向用环127的下表面的高度设在从热处理板101的上表面开始往上300μm的位置，而使两者的间隔为175μm。导向用环127相当于本发明中的对位部件。
此外，在本实施例中，具有贯通热处理板101和支撑片111的第一排出孔131和贯通孔141。
为了排出微小空间ms的气体而设置有第一排出孔131。第一排出孔131存在有多个(6个)，在热处理板101的下表面侧，在各第一排出孔131上共同地连通并连接着排出配管133的一端侧。在排出配管133的另一端侧上连通并连接着真空吸引源135。该真空吸引源135例如是在无尘室内设置的真空室。在排出配管133上设置有调整压力(负压)的开闭阀137、和计测压力的压力计139。排出配管133和真空吸引源135发挥排出装置的作用。
为了插入升降销143而设置有贯通孔141。贯通孔141存在有3个，在俯视状态下，分别形成在位于正三角形的各顶点的位置上，该正三角形以热处理板101的中心为重心。插入到各贯通孔141中的升降销143以其下端侧与省略图示的升降机构相连接。利用升降机构使升降销143升降，从而在与未图示的搬送装置之间交接基板W。
控制部151统一地对上述的发热体103的输出、开闭阀137的开闭、升降机构等进行操作。这些操作根据预先存储的程序而进行。并且，开闭阀137的开闭操作根据压力计139的检测结果来进行。控制部151通过执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、成为运算处理的作业区域的RAM、存储各种信息的固定磁盘等存储介质等来实现。
接着，针对第二实施例的热处理装置的动作进行说明。图9是表示对基板W进行热处理的处理顺序的流程图。
<步骤S 11>对热处理板进行升温
控制部151使发热体103加热，将热处理板101控制为给定的处理温度。此时，支撑片111相对热处理板101进行相对位移(伸缩)。图10是示意性地表示支撑片111伸缩的状态的图。如图所示，示出用实线表示的支撑片111变形(延伸)至用点划线表示的位置的状态。但是，即使在支撑片111延伸的情况下，由于在第三开口部A3(第三开口部A3的边缘)和导块121之间形成有给定的间隙，所以导块121不会与支撑片111相干涉。由此，即使支撑片111伸缩，在支撑片111上也不会产生皱褶或者弯曲。
<步骤S12>搬入基板W
通过由控制部151对升降机构进行操作，升降销143从未图示的搬送装置接受基板W，将基板W放置在支撑片111上。此时，基板W通过导块121来定位。基板W由凸部113抵接并支撑，通过密封部115将在基板W和支撑片111之间形成的微小空间ms的侧方封闭。
<步骤S13>吸附基板W
控制部151参照压力计139的计测结果来操作开闭阀137，排出微小空间ms的气体。微小空间ms的压力被调整为负压，基板W被吸附在热处理板101侧。
<步骤S14>对基板W进行热处理
当吸附基板W时，通过仅在预先确定好的时间内保持该状态，来对基板W进行给定的热处理。
<步骤S15>搬出基板W
当给定时间的热处理结束时，控制部151关闭开闭阀137，使微小空间ms的压力变为大气压。由此，解除对基板W的吸附。接着，控制部151控制升降销143，将基板W向上方举起并搬出。
此时，存在支撑片111要与基板W一起从热处理板101上浮的情况。图11是示意性地表示支撑片要上浮的状态的图。但是，由于在密封部115外侧的支撑片111的上方，隔着很小间隔而配置有导向用环127，因此支撑片111的上浮被适当地限制。
<步骤S16>对热处理板进行降温
在对作为处理对象的整个基板W进行热处理之后，控制部151使发热体103的加热结束。由此，热处理板101的温度下降至室温。
这样，根据第二实施例的热处理装置，由于在第三开口部A3和导块121之间形成有给定的间隙，所以不会妨碍支撑片111的伸缩。因此，能够防止在支撑片111上产生皱褶或者弯曲等。
此外，导向用环127位于密封部115外侧的支撑片111的上方，且配置在从支撑片111稍稍隔开的位置，所以能够适当地限制支撑片111的上浮。
此外，通过将导块121插入到第三开口部A3中，由此能够使支撑片111对位，并且能够防止支撑片111整体相对热处理板101较大地移动。
第三实施例
下面，参照附图来说明本发明的第三实施例。
图12是表示第三实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图。另外，对于与第二实施例相同的结构，标上相同的附图标记，而省略其详细的说明。
该第三实施例的热处理装置的特征在于：将导块121放置在支撑片111上。即，在第三实施例的支撑片111上形成有凸部113、密封部115和第四开口部A4，而未形成有在第二实施例说明过的第三开口部A3。
导块121分别直接放置在支撑片111上的给定位置上。优选支撑片111的重量轻到允许支撑片111伸缩的程度。导块121相当于本发明中的导向部件(特别是兼作压紧部件的导向部件)。在利用这样构成的热处理装置进行给定的热处理时，支撑片111在放置了导块121的状态下进行伸缩，导块121根据伸缩而在水平方向上移动。
这样，由于即使利用第三实施例的热处理装置，也允许支撑片111在水平方向的伸缩，所以在支撑片111相对热处理板101伸缩时，能够防止在支撑片111上产生皱褶或者弯曲。
并且，由于导块121将支撑片111压紧在热处理板101上，所以能够防止外部气体进入到支撑片111和热处理板101之间。由此，能够将下述问题防于未然，即：进入到支撑片111和热处理板101之间的气体发生膨胀收缩，而在支撑片111上产生皱褶或者弯曲。
第四实施例
下面，参照附图来说明本发明的第四实施例。
图13是第四实施例的热处理板的俯视图。另外，对与第二实施例相同结构标上相同的附图标记，并省略详细的说明。
该第四实施例的热处理装置的特征在于：具有俯视呈环状的压紧部件122。即，在第四实施例的支撑片111上形成有凸部113和密封部115，而未形成有在第二实施例中说明的第三、第四开口部A3、A4。
压紧部件122的内径形成得比基板W的外径大，不具有如在第二实施例中说明的导块121那样对基板W进行在水平方向上定位的作用。并且，压紧部件122被放置在支撑片111上，允许支撑片111的伸缩的同时，将支撑片111压紧在热处理板101上。优选压紧部件122的重量轻到允许支撑片111伸缩的程度。在利用这样构成的热处理装置进行给定的热处理时，支撑片111在放置了压紧部件122的状态下进行伸缩。
如上所述，由于即使利用第四实施例的热处理装置，也允许支撑片111的伸缩，所以在支撑片111相对热处理板101进行伸缩时，能够防止在支撑片111上产生皱褶或者弯曲。
并且，因为压紧部件122为环状，所以能够在整个周围防止外部气体进入到支撑片111和热处理板101之间。由此，能够将下述问题防于未然，即：进入到支撑片111和热处理板101之间的气体发生膨胀收缩，在支撑片111上产生皱褶或者弯曲。
第五实施例
下面，参照附图来说明本发明的第五实施例。
图14是表示第五实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图。另外，对与第二实施例相同结构标上相同的附图标记，而省略详细的说明。
该第五实施例的热处理装置的特征在于：具有上浮限制部件129。即，在第五实施例的支撑片111上形成有凸部113和密封部115，而未形成有在第二实施例中说明的第三、第四开口部A3、A4。
上浮限制部件129在正视状态下呈L型。该上浮限制部件129的一端设置在热处理板101的侧部上，折弯成L字的另一端侧以覆盖密封部115外侧的支撑片111上方的方式来配置。
这样，由于即使利用第五实施例的热处理装置，也不会妨碍支撑片111的伸缩，所以能够防止在支撑片111上产生皱褶或者弯曲。此外，通过具有上浮限制部件129，而能够适当地限制支撑片111的上浮。
本发明不仅限于上述的实施方式，能够如下述变形实施。
(1)在第五实施例中，具有上浮限制部件129，但是不仅限于此。即，也可以省略上浮限制部件129来构成热处理板101。因此，由于排除了妨碍支撑片111伸缩的部件，能够获得防止在支撑片111上产生皱褶或者弯曲的效果。
(2)在第二实施例中，在热处理板101的上表面上放置导块121，但是也可以在热处理板101上固定导块121。
(3)在第二、三实施例中，例示了导块121的形状，但是也能够适当地变更导块121形状的设计。
(4)在第二实施例中，是导块121兼作插入部件的结构，但是不仅限于此。也可以变更为其他的部件兼作插入部件。或者，也可以变更为设置仅具有插入部件的功能的部件(例如，螺栓等连结部件)，该部件专门使支撑片111对位和防止支撑片111整体的移动。
同样，在第三实施例中，是导块121兼作压紧部件的结构，但是不仅限于此，也可以用除导块121以外的部件来适当地构成压紧部件。
(5)在第二、三实施例中，是导向用环127兼作上浮限制部件的结构，但是并不仅限于此。可以利用其他的部件来兼作上浮限制部件，也可以设置仅具有上浮限制部件的功能的部件，该部件专门限制支撑片111的上浮。
(6)在上述的第二实施例至第五实施例中，凸部113，从上部到下部，直径逐渐扩大，但是不限于这种形状。此外，能够适当地变更凸部113配置的设计。并且，虽然凸部113是通过点接触对基板W进行支撑的部件，但是也可以变更为形成呈垄状隆起的凸部而通过线接触对基板W进行支撑。
第六实施例
下面，参照附图来说明本发明的第六实施例。
图15是表示实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图。图16是热处理板的俯视图。
热处理板201在俯视状态下呈比基板W直径稍大的圆形。作为热处理板201的材料，例如可以是热传导效率高的铜或铝等金属。在该热处理板201上设置有云母加热元件等发热体203。在传热部205上埋设有未图示的多根热导管，该传热部205处于发热体203和热处理板201的上表面之间。此外，在未图示的多根热导管之间形成有未图示的冷却槽，使冷却用的流体流通。
在该热处理板201的上表面上设置有支撑片211，该支撑片211上形成有抵接并支撑基板W的凸部213。支撑片211未被固定在热处理板201上，而是放置在给定的位置上。在支撑片211上还形成有沿着基板W的周缘部进行抵接的密封部215。支撑片211相当于本发明中的第二片状物。
凸部213存在有多个(图中为43个)，并有规则地配置。各凸部213呈圆柱状，其直径从与基板W接触的上端开始向下端侧逐渐增大。各凸部213的高度例如为75μm。
密封部215在俯视状态下呈具有比基板W的外径稍小的内径的环状。其高度与各凸部213的高度相同。由此，密封部215将在基板W和支撑片211之间形成的空间(下面记载为“微小空间ms”)的侧方封闭。密封部215相当于本发明中的封闭装置。微小空间ms相当于本发明中的“在基板和第二片状物之间形成的空间”或者“第一空间”。
这种支撑片211通过对具有耐热性的树脂进行蚀刻处理而制成。作为树脂，优选还具有耐药性的树脂。具体来说，聚酰亚胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚砜(PES)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺(PEI)、或者耐热性橡胶材料。但是，支撑片211的制作方法并不仅限于此，也可以通过热熔接将凸部213和密封部215分别设置在树脂制成的薄膜或者薄片等上。此外，也可以将支撑片211一体成形。
本实施例的热处理装置具有第二排出孔221、供给孔241和贯通孔251，第二排出孔221、供给孔241和贯通孔251贯通这些热处理板201和支撑片211。下面，依次进行说明。
为了排出微小空间ms的气体而设置有第二排出孔221。第二排出孔221存在有6个，在俯视状态下分别配置在热处理板201的周缘侧。各第二排出孔221被分为板孔221p和片孔221s，板孔221p形成在热处理板201上，片孔221s形成在支撑片211上，并与板孔221p相连通。
在热处理板201的上表面上设置有与各第二排出孔221相连通的槽部225。槽部225从热处理板201的周缘侧向中央呈直线地延伸。此外，各槽部225设置在每一个第二排出孔221处，并且相互独立地形成。各槽部225从底部到热处理板201的上表面的高度(即，槽部225的深度)高于后述的凸部213的高度。槽部225的尺寸例如深度为0.5mm，宽度为1mm。由于槽部225的上方被支撑片211覆盖，因此板孔221p还发挥吸引支撑片211用的吸引孔的作用。此外，包含板孔221p的第二排出孔221兼作吸引孔。槽部225相当于本发明中的槽部或者第二空间。
在热处理板201的下表面侧，在各第二排出孔221上共同地连通并连接有排出配管231的一端侧，在排出配管231的另一端侧连通并连接有真空吸引源233。该真空吸引源233例如是在无尘室内设置的真空室。在排出配管231上设置有调整压力(负压)的开闭阀235和计测压力的压力计237。排出配管231和真空吸引源233发挥排出装置的功能。
为了向微小空间ms内供给气体而设置有供给孔241。供给孔241存在有两个，分别形成在偏离槽部225的位置。在热处理板201的下表面侧，在各供给孔241上共同地连通并连接有供给配管243的一端侧，供给配管243的另一端侧上连通并连接有氮气供给源245。该氮气供给源245例如是在无尘室内设置的真空室。在供给配管243上设置有开闭阀247和压力计249。另外，也可以取代氮气供给源245而为净化空气供给源。供给配管243和氮气供给源245发挥供给装置的功能。
为了插入升降销253而设置有贯通孔251。贯通孔251存在有3个，在俯视状态下分别形成在位于正三角形的各顶点的位置上，该正三角形以热处理板201的中心为重心。插入到各贯通孔251中的升降销253的下端侧与省略图示的升降机构相连接。并且，通过使升降销253升降，而在和未图示的搬送装置之间交接基板W。
控制部261统一地对上述的发热体203的输出、开闭阀235以及开闭阀247的开闭、升降机构等进行操作。这些操作基于预先储存的程序来进行。并且，开闭阀235以及开闭阀247的开闭操作分别基于压力计237和压力计249的检测结果来进行。控制部261通过执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、成为运算处理的作业区域的RAM、存储各种信息的固定磁盘等存储介质等来实现。
接着，针对第六实施例的热处理装置的动作进行说明。图17是表示热处理装置的处理顺序的流程图。另外，发热体203的温度控制等视为按照程序已经进行，在下面的说明中省略。
<步骤S21>搬入基板W
通过控制部261对升降机构进行操作，升降销253从未图示的搬送装置接受基板W。并且，将基板W放置在支撑片211上。基板W被凸部213和密封部215抵接并支撑。在基板W和支撑片211之间形成密封的微小空间ms。
<步骤S22>吸附基板W
控制部261参照压力计237的计测结果使开闭阀235打开，将微小空间ms的压力控制在给定的处理压力Pms(负压)。由此，微小空间ms的气体从第二排出孔221排出，槽部225的气体也从板孔221p排出。
图18是示意性地表示吸附基板W时在微小空间ms与槽部225产生的气流的图。从气体被排出开始到达到处理压力Pms的期间，在微小空间ms和槽部225分别产生朝向第二排出孔221(板孔221p)的气流(在图中用点划线表示)。当比较各个气体流路时，槽部225的深度与微小空间ms的高度相比足够大，从而槽部225的气体流路与微小空间ms的气体流路相比，流路截面积大。因此，对在槽部225内产生的气流的流动阻力比在微小空间ms内的小。
因此，在吸附基板W时，微小空间ms与槽部225的压力如图19所示那样降低。图19是表示在将微小空间ms的压力变更为处理压力Pms时的微小空间ms与槽部225的压力变化的状态的示意图。在图19中，时刻t1是开始排出气体的时刻，时刻t2是微小空间ms的压力稳定在处理压力Pms的时刻。另外，在时刻t1以前，微小空间ms和槽部225都处于大气压。如图所示，在时刻t1以后，槽部225的压力比微小空间ms的压力更早地下降。并且，在从时刻t1到时刻t2的期间，槽部225的压力总是被保持在与微小空间ms的压力相同、或者比其低的值。
因此，如图18所示，在吸附基板W时(时刻t1～时刻t2)，利用槽部225与微小空间ms的过渡上的压力差，对支撑片211作用仅朝向热处理板201侧的力Fs。换言之，朝向基板W侧的力不会作用在支撑片211上。此外，相应于微小空间ms的压力而朝向支撑片211侧的力Fw作用在基板W上，从而吸附基板W。
<步骤S23>对基板W进行热处理
当吸附基板W时，通过仅在预先确定的时间内保持该状态，来对基板W实施给定的热处理。
<步骤S24>解除基板W的吸附
当给定时间的热处理结束时，控制部261关闭开闭阀235，并打开开闭阀247。氮气通过供给孔241而被供给到微小空间ms中。此时，因为氮气从微小空间ms流入到槽部225中，所以槽部225的压力不会高于微小空间ms的压力。由此，解除基板W的吸附。
<步骤S25>搬出基板W
当基板W的吸附被解除时，通过控制部261对图示省略的升降机构进行操作，从而升降销253将基板W向上方举起。并且，将基板W交接给未图示的搬送机构。
这样，根据第六实施例的热处理装置，在热处理板201的上表面上形成有与第二排出孔221相连通的槽部225，由此，在从第二排出孔221排出微小空间ms中的气体时，槽部225的气体通过板孔221p而排出。由此，在槽部225吸引支撑片211，能够使支撑片211紧贴在热处理板201上。即，能够抑制支撑片211从热处理板201上浮或在支撑片211上产生皱褶等相对热处理板201移动的情况，并能够吸附基板W。
此外，通过使槽部225的深度比凸部213的高度大，从而在吸附基板W时，能够使槽部225的压力比微小空间ms的压力低。利用这种压力差，能够使朝向热处理板201侧的力Fs作用在支撑片211上。因此，能够可靠地防止支撑片211从热处理板201上浮等相对热处理板201移动的情况。
此外，使槽部225与第二排出孔221连通，从而第二排出孔221兼有吸引孔的功能，因此，不需要另外在热处理板201上形成吸引孔。此外，因为经热处理板201的中央至周缘侧而形成槽部225，所以能够对支撑片211整体均匀地进行吸引。并且，由于槽部225是直线的，所以其距离较短。
此外，由于第二排出孔221设置在热处理板201的周缘侧，因此即使从基板W与密封部215的抵接部位等微小空间ms的侧方流入了外部气体，也能够立即通过第二排出孔221排出外部气体。由此，能够阻止外部气体侵入到微小空间ms的中央，并且使其影响降低。
第七实施例
下面，参照附图来说明本发明的第七实施例。
图20是第七实施例的热处理装置的热处理板的俯视图。另外，第七实施例的概略结构与第六实施例相同，因此省略图示。此外，在如图20所示的俯视图中，对于与第六实施例相同的结构标有相同的附图标记，而省略其详细的说明。
该第七实施例的热处理装置，在槽部226的位置上下了很多工夫。即，槽部226呈环状(圆形)形成在热处理板201的周缘侧上。由此，槽部226是为一个，所有的第二排出孔221共同地与该槽部226相连通。槽部226相当于本发明中的槽部或者第二空间。
在吸附基板W时，槽部226内的气体通过构成各第二排出孔221的任意一个第一板孔221p而排出。支撑片211在槽部226被吸附，成为支撑片211的整周被朝外方向拉伸的状态。
这样，根据第七实施例的热处理装置，通过具有在热处理板201的外周侧呈环状形成的槽部226，从而能够抑制支撑片211发生挠曲或者在支撑片211上产生皱褶。
第八实施例
下面，参照附图来说明本发明的第八实施例。
图21是表示第八实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图。另外，对于与第六实施例相同的结构标有相同的附图标记，而省略其详细的说明。
该第八实施例的热处理装置，具有专门用于吸引支撑片211的吸引孔271。吸引孔271存在有多个。在热处理板201的上表面上形成的槽部227与各吸引孔271相连通。但是，槽部227不与第二排出孔221相连通。槽部227相当于本发明中的槽部或者第二空间。
在热处理板201的下表面侧，在各吸引孔271上共同地连通并连接有吸引配管273的一端侧，在吸引配管273的另一端侧连通并连接有真空吸引源275。在吸引配管273上设置有调整压力(负压)的开闭阀277和计测压力的压力计279。吸引配管273和真空吸引源275发挥吸引装置的作用。
在吸附基板W时，控制部261首先参照压力计279的计测结果使开闭阀277打开，将槽部227控制在给定的吸引压力Pd(负压)。在此，吸引压力Pd优选低于微小空间ms在吸附基板W时被控制的处理压力Pms。槽部227的气体从吸引孔271排出，从而支撑片211在槽部227被吸附。由此，支撑片211紧贴在热处理板201上。
接着，在保持对支撑片211的吸引的状态下，控制部261参照压力计237的计测结果使开闭阀235打开，将微小空间ms控制在给定的吸引压力Pms。微小空间ms的气体从第二排出孔221排出，从而基板W被吸引。
这样，根据第八实施例的热处理装置，因为具有专门用于吸引支撑片211的吸引孔271，所以能够在排出微小空间ms的气体之前吸引支撑片211。由此，在吸附基板W时，能够抑制支撑片211相对热处理板201移动的情况。
第九实施例
下面，参照附图来说明本发明的第九实施例。
图22是表示第九实施例的热处理装置的概略结构的纵向剖视图。另外，对于与第六实施例相同的结构标有相同的附图标记，而省略其详细的说明。
该第九实施例的热处理装置具有专门用于吸引支撑片211的吸引孔272。此外，在热处理板201的上表面上未形成有在第六实施例中说明的槽部。各吸引孔272在热处理板201的下表面侧与排出配管231连通并连接。
在吸附基板W时，通过由控制部261操作开闭阀235，从而微小空间ms的气体从第二排出孔221通过排出配管231而排出，同时，吸引孔272内的气体也通过排出配管231而排出。支撑片211在形成于热处理板201的上表面上的吸引孔272的开口被吸引。
这样，根据第九实施例的热处理装置，通过省略相当于槽部的结构，而能够排除由槽部引起的颗粒的影响和槽部给热处理品质带来的影响。此外，能够简化热处理板201的结构。
本发明并不限于上述实施方式，能够如下所述地进行变形实施。
(1)在上述的第六实施例至第八实施例中，例示了槽部225、226、227的形状，但是并不限于此，而能够适当地进行变更。例如，也可以将槽部形成为在俯视状态下呈螺旋状的形状，还可以形成多个环状的槽部。
(2)在上述的第六实施例至第九实施例中，是第二排出孔221兼作吸引支撑片211的吸引孔的结构，或者是具有和第二排出孔221不同的吸引孔271、272的结构，但是不仅限于此。例如，也可以为这种结构：采用多孔部件作为热处理板201的材料，从而通过热处理板201自身含有的气孔来吸引支撑片211。此时，热处理板201自身所含有的气孔相当于本发明中的吸引孔。
(3)在上述的第八实施例中，在吸附基板W时，先吸引支撑片211，然后排出微小空间ms的气体，但是不仅限于此。例如在将槽部227内的吸引压力Pd控制得低于微小空间ms的处理压力Pms时，也可以在吸引支撑片211的同时，开始排出微小空间ms的气体。
(4)在上述的第六实施例至第九实施例中，第二排出孔221配置在热处理板201的周缘侧，但是不仅限于此。例如，如果至少片孔221s配置在周缘侧，就能够适当地变更与片孔221s相连通的板孔221p的路径。此时，即使外部气体从微小空间ms的侧方流入，也能够立即从第二排出孔221排出。此外，也可以变更为将片孔221s配置在热处理板201的中央等。
并且，在上述的第八实施例、第九实施例中，第二排出孔221不需要兼作吸引孔的功能。因此，只要能够排出微小空间ms的气体即可，也可以代替从贯通热处理板201的上表面的第二排出孔221排出的结构，而从贯通密封部215等的贯通孔排出。同样地，对于供给孔241，只要能够向微小空间ms供给气体即可，也可以代替供给孔241，而从贯通密封部215等的供给孔供给气体。
(5)在上述的第六实施例至第九实施例中，凸部213，从上部向下部，其直径逐渐增大，但是不仅限于这个形状。此外，凸部213的配置也可以适当地进行设计变更。并且，凸部213以点接触来支撑基板W，但是也可以变更为：形成呈垄状隆起的凸部，而以线接触来支撑基板W。
(6)在上述的第六实施例至第九实施例中，在支撑片211上形成有密封部215，但是不仅限于此，也可以设置独立于支撑片211的密封部。此外，独立的密封部也可以配置在支撑片211上，也可以配置在热处理板201上。
(7)在上述的第一实施例至第九实施例中，基板W为圆形，但是并不仅限于此，也可以将矩形等形状的基板作为处理对象。此时，与基板的形状匹配，将凸缘部15、密封部115或者密封部215的形状从圆环形状适当地变更。
(8)在上述的第一实施例至第九实施例中，以在传热部5、105、205埋设有热导管的结构为例进行了说明，但是即使是没有使用热导管的热处理装置也能适用。

Claims (27)

1.一种基板支撑结构，其对基板进行支撑，其特征在于，包括：
板主体，其对基板进行支撑；
第一片状物，其由树脂制成，设置在所述板主体的上表面上，并且，在第一片状物的表面上形成有抵接并支撑基板的凸部，
所述第一片状物的凸部是通过蚀刻处理而形成的。
2.如权利要求1所述的基板支撑结构，其特征在于，所述第一片状物的背面平坦。
3.如权利要求1所述的基板支撑结构，其特征在于，所述第一片状物具有与基板的周缘部相抵接的环状的凸缘部，所述凸缘部是通过蚀刻处理而形成的。
4.如权利要求1所述的基板支撑结构，其特征在于，所述第一片状物具有第一开口部，该第一开口部用于对在基板和所述第一片状物之间形成的空间中的气体进行吸引。
5.一种热处理装置，其对基板进行热处理，其特征在于，包括：
权利要求1所述的基板支撑结构；
对基板进行加热的加热装置。
6.一种第一片状物，其用于基板支撑结构，该基板支撑结构是在对基板进行支撑的板主体的上表面上设置树脂制的第一片状物而构成的，其特征在于，
在所述第一片状物的表面上通过蚀刻处理而形成抵接并支撑基板的凸部。
7.一种基板支撑结构的制造方法，该基板支撑结构对基板进行支撑，其特征在于，包括以下步骤：
在树脂制的第一片状物的一个面上，通过蚀刻处理而形成用于抵接并支撑基板的凸部；
将形成有所述凸部的第一片状物以所述凸部为上侧的方式配置在板主体的上表面上。
8.一种热处理装置，其对基板进行热处理，其特征在于，包括：
热处理板，其具有发热体和传热部；
第二片状物，其由树脂制成，放置在所述热处理板上，在其表面上形成有与基板的周缘部相抵接的环状的密封部和在所述密封部的内侧抵接并支撑基板的凸部；
第一排出孔，其用于将在基板与所述第二片状物之间形成的空间中的气体排出；
所述密封部与基板相抵接，从而将形成在基板和所述第二片状物之间的空间的侧方封闭。
9.如权利要求8所述的热处理装置，其特征在于，
在所述第二片状物上，在所述密封部的外侧形成有第三开口部，
所述热处理装置具有在所述第三开口部内配置的插入部件，
在所述第三开口部与所述插入部件之间设置有允许所述第二片状物伸缩的间隙。
10.如权利要求9所述的热处理装置，其特征在于，还具有上浮限制部件，该上浮限制部件以与所述第二片状物间隔开的方式设置在所述密封部外侧的上方，限制所述第二片状物从所述热处理板上浮。
11.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于，还具有：
导向部件，其对基板在水平方向上进行定位；
对位部件，其与所述导向部件相抵接，而使所述导向部件对位，
所述导向部件配置在所述第三开口部内而兼作所述插入部件，并且，所述对位部件兼作所述上浮限制部件。
12.如权利要求9所述的热处理装置，其特征在于，
还具有导向部件，该导向部件对基板在水平方向上进行定位，
所述导向部件配置在所述第三开口部内而兼作所述插入部件。
13.如权利要求8所述的热处理装置，其特征在于，具有压紧部件，该压紧部件位于所述第二片状物上并放置在所述密封部的外侧，允许所述第二片状物进行伸缩。
14.如权利要求13所述的热处理装置，其特征在于，具有上浮限制部件，该上浮限制部件以与所述第二片状物间隔开的方式设置在所述密封部外侧的上方，限制所述第二片状物从所述热处理板上浮。
15.如权利要求14所述的热处理装置，其特征在于，还具有：
导向部件，其对基板在水平方向上进行定位；
对位部件，其与所述导向部件相抵接，而使所述导向部件对位，
所述导向部件位于所述第二片状物上并放置在所述密封部的外侧，兼作所述压紧部件，并且，所述对位部件兼作所述上浮限制部件。
16.如权利要求13所述的热处理装置，其特征在于，
还具有导向部件，该导向部件对基板在水平方向上进行定位，
所述导向部件位于所述第二片状物上并放置在所述密封部的外侧，兼作所述压紧部件。
17.如权利要求8所述的热处理装置，其特征在于，具有上浮限制部件，该上浮限制部件以与所述第二片状物间隔开的方式设置在所述密封部外侧的上方，限制所述第二片状物从所述热处理板上浮。
18.一种热处理装置，其对基板进行热处理，其特征在于，包括：
热处理板；
第二片状物，其由树脂制成，设置在所述热处理板的上表面上，并形成有抵接并支撑基板的凸部；
封闭装置，其将在基板与所述第二片状物之间形成的空间的侧方封闭；
第二排出孔，其用于将所述空间内的气体排出；
吸引孔，其形成在所述热处理板上，用于对所述第二片状物进行吸引。
19.如权利要求18所述的热处理装置，其特征在于，
还具有槽部，该槽部形成在所述热处理板的上表面上，与所述吸引孔相连通。
20.如权利要求19所述的热处理装置，其特征在于，所述槽部从底部到所述热处理板的上表面的高度比所述凸部的高度高。
21.如权利要求19所述的热处理装置，其特征在于，所述槽部经所述热处理板的周缘侧和中央而形成。
22.如权利要求18所述的热处理装置，其特征在于，
还具有槽部，该槽部形成在所述热处理板的上表面上，与所述第二排出孔相连通，
所述第二排出孔兼作所述吸引孔。
23.如权利要求22所述的热处理装置，其特征在于，所述槽部从底部到所述热处理板的上表面的高度比所述凸部的高度高。
24.如权利要求22所述的热处理装置，其特征在于，所述槽部经所述热处理板的周缘侧和中央而形成。
25.如权利要求18所述的热处理装置，其特征在于，所述第二排出孔具有在所述热处理板上形成的板孔、和形成在所述第二片状物上并与所述板孔相连通的片孔，所述片孔设置在所述热处理板的周缘侧上。
26.一种基板吸附方法，将形成有凸部的由树脂制成的第二片状物设置在热处理板的上表面上，对被凸部抵接并支撑的基板进行吸附，其特征在于，
将在基板与所述第二片状物之间形成的空间作为第一空间，将在所述第二片状物与所述热处理板之间形成的空间作为第二空间，将所述第一空间和所述第二空间内的气体分别排出，并将所述第二空间的压力保持为所述第一空间的压力以下。
27.如权利要求26所述的基板吸附方法，其特征在于，在排气时，所述第二空间内产生的气流的流动阻力，比所述第一空间内的小。
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CN (1) CN101043018B (zh)
TW (2) TWI360858B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
US8879233B2 (en) 2009-05-15 2014-11-04 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with polymer protrusions
US9025305B2 (en) 2010-05-28 2015-05-05 Entegris, Inc. High surface resistivity electrostatic chuck
US9543187B2 (en) 2008-05-19 2017-01-10 Entegris, Inc. Electrostatic chuck

Families Citing this family (248)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8690135B2 (en) * 2006-12-18 2014-04-08 Camtek Ltd. Chuck and a method for supporting an object
US8083963B2 (en) * 2007-02-08 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Removal of process residues on the backside of a substrate
JP4991495B2 (ja) * 2007-11-26 2012-08-01 東京エレクトロン株式会社 検査用保持部材及び検査用保持部材の製造方法
US8198567B2 (en) * 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
JP5324251B2 (ja) * 2008-05-16 2013-10-23 キヤノンアネルバ株式会社 基板保持装置
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP5305012B2 (ja) * 2009-02-22 2013-10-02 ウシオ電機株式会社 ワークステージ及びそのワークステージを備えた露光装置
US8785821B2 (en) * 2009-07-06 2014-07-22 Sokudo Co., Ltd. Substrate processing apparatus with heater element held by vacuum
US9159595B2 (en) * 2010-02-09 2015-10-13 Suss Microtec Lithography Gmbh Thin wafer carrier
CN103124679B (zh) * 2010-07-30 2014-08-06 西得乐独资股份公司 容器处理机
JP5454803B2 (ja) * 2010-08-11 2014-03-26 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
CN102452800B (zh) * 2010-10-29 2014-04-23 洛阳兰迪玻璃机器股份有限公司 真空玻璃中间支撑物的设置方法
CN102079071B (zh) * 2010-12-16 2012-12-12 常州铭赛机器人科技有限公司 精确载物定位机构
KR101104824B1 (ko) * 2011-01-19 2012-01-16 김오수 캐리어 헤드 및 캐리어 헤드 유닛
US20120196242A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater and rapid temperature change
TWI443199B (zh) 2011-03-03 2014-07-01 Univ Nat Pingtung Sci & Tech 具氣氛控制之局部電阻熱處理裝置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10242890B2 (en) * 2011-08-08 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate support with heater
DE102011055061A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
US8690136B2 (en) * 2011-11-29 2014-04-08 Intermolecular, Inc. Internal rinsing in touchless interstitial processing
JP5918003B2 (ja) * 2012-04-27 2016-05-18 Ｔｏｗａ株式会社 個片化装置用真空吸着シート及びそれを用いた固定治具の製造方法
US9214373B2 (en) * 2012-08-08 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chuck exhaust openings
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
TWI461122B (zh) * 2013-01-07 2014-11-11 Ecocera Optronics Co Ltd 電路板及其製造方法
JP5521066B1 (ja) * 2013-01-25 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
JP5575934B2 (ja) * 2013-01-25 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
EP2956960B1 (en) * 2013-02-13 2023-03-29 Entegris, Inc. Vacuum chuck with polymeric embossments
CN104858806B (zh) * 2014-02-26 2022-03-01 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 真空夹具
JP6247566B2 (ja) * 2014-02-28 2017-12-13 東洋炭素株式会社 加熱処理容器、加熱処理容器集合体、及び、半導体素子製造装置
WO2015170208A1 (en) * 2014-05-03 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film-like member support apparatus
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6373803B2 (ja) * 2015-06-23 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10186448B2 (en) * 2015-12-11 2019-01-22 Lam Research Corporation Wafer support pedestal with wafer anti-slip and anti-rotation features
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
KR101960854B1 (ko) * 2016-02-05 2019-03-21 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 정렬 장치 및 웨이퍼 이송 장치
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11854842B2 (en) * 2016-03-18 2023-12-26 Acm Research (Shanghai), Inc. Substrate heat treatment apparatus
JP6596371B2 (ja) * 2016-03-18 2019-10-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置および基板処理装置
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6510461B2 (ja) * 2016-05-25 2019-05-08 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置
JP6650345B2 (ja) * 2016-05-26 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
CN107546169A (zh) * 2016-06-27 2018-01-05 上海新昇半导体科技有限公司 基板的抓取装置及其抓取方法
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
KR101958636B1 (ko) * 2016-10-31 2019-03-18 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101911766B1 (ko) * 2016-12-08 2018-10-26 한양대학교 산학협력단 반도체 기판용 진공 척 및 이를 이용한 검사 대상물의 검사 방법
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
CN107995994A (zh) * 2016-12-29 2018-05-04 深圳市柔宇科技有限公司 干蚀刻设备
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP2018120978A (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111418051B (zh) 2017-11-10 2024-01-12 应用材料公司 用于双面处理的图案化夹盘
US11081383B2 (en) * 2017-11-24 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate table with vacuum channels grid
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019164640A1 (en) * 2018-02-20 2019-08-29 Applied Materials, Inc. Patterned vacuum chuck for double-sided processing
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP2019186240A (ja) * 2018-04-02 2019-10-24 シャープ株式会社 基板支持台
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI722451B (zh) * 2018-06-08 2021-03-21 美商應用材料股份有限公司 支撐組件與使用其之腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR200496677Y1 (ko) * 2018-06-19 2023-04-05 주식회사 디엠에스 기판 이송용 팔레트 및 이를 이용한 기판처리장치
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
JP2020021922A (ja) * 2018-07-24 2020-02-06 住友電気工業株式会社 基板加熱ユニットおよび表面板
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
EP3618103A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-04 IMEC vzw A patterning method
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN109273397B (zh) * 2018-09-25 2019-06-21 天通银厦新材料有限公司 一种用于led蓝宝石衬底的固定装置
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
CN109483866B (zh) * 2018-11-14 2021-05-25 张家港康得新光电材料有限公司 一种吸附平台及薄膜贴附系统
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN113169110A (zh) 2018-12-14 2021-07-23 应用材料公司 处置和处理易碎基板上的双面装置
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
JP7249814B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
CN110125866B (zh) * 2019-05-30 2021-03-23 安徽元隽氢能源研究所有限公司 一种装配mea的工装及使用该工装的装配方法
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115352877A (zh) * 2022-08-31 2022-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种屏幕固定装置及其控制方法、设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1591816A (zh) * 2003-09-05 2005-03-09 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2809834B2 (ja) * 1990-07-27 1998-10-15 東京エレクトロン株式会社 レジスト処理装置
JPH06123924A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Nikon Corp 基板ホルダ
JP3015647B2 (ja) * 1993-12-14 2000-03-06 グンゼ株式会社 抵抗膜式透明タッチパネル
US5588827A (en) * 1993-12-17 1996-12-31 Brooks Automation Inc. Passive gas substrate thermal conditioning apparatus and method
JP2817698B2 (ja) * 1996-03-12 1998-10-30 日本電気株式会社 半導体基板の冷却装置
JPH1041252A (ja) * 1996-07-19 1998-02-13 Nippon Steel Corp 薄膜形成装置及び基板保持機構
EP0827187A3 (en) * 1996-08-26 2004-01-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling a workpiece using an electrostatic chuck
JPH10284360A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JP3333135B2 (ja) * 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP3805134B2 (ja) * 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
US6416318B1 (en) * 1999-06-16 2002-07-09 Silicon Valley Group, Inc. Process chamber assembly with reflective hot plate and pivoting lid
EP1120829A4 (en) * 1999-08-10 2009-05-27 Ibiden Co Ltd CERAMIC PLATE FOR DEVICE FOR PRODUCING SEMICONDUCTORS
US6884972B2 (en) * 1999-12-09 2005-04-26 Ibiden Co., Ltd. Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus
JP2001257144A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Tokyo Electron Ltd 基板の加熱処理装置
JP3581303B2 (ja) * 2000-07-31 2004-10-27 東京エレクトロン株式会社 判別方法及び処理装置
JP4546626B2 (ja) * 2000-08-29 2010-09-15 株式会社ディスコ 半導体素子のピックアップ方法
JP3904826B2 (ja) * 2000-11-22 2007-04-11 京セラ株式会社 ウェハ加熱装置
EP1341216A1 (en) * 2000-12-05 2003-09-03 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor manufacturing and inspecting devices, and method of manufacturing the ceramic substrate
JP4333065B2 (ja) * 2001-11-14 2009-09-16 レーザーテック株式会社 基板保持装置
US6646233B2 (en) * 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
JP2005538564A (ja) * 2002-09-10 2005-12-15 エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド 加熱蓋体を備えた熱処理ステーション
JP3929879B2 (ja) 2002-11-21 2007-06-13 京セラ株式会社 ウェハ支持部材
US7329947B2 (en) * 2003-11-07 2008-02-12 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Heat treatment jig for semiconductor substrate
JP4666903B2 (ja) 2003-11-26 2011-04-06 京セラ株式会社 ウェハ支持部材
JP4349952B2 (ja) 2004-03-24 2009-10-21 京セラ株式会社 ウェハ支持部材とその製造方法
JP2006013045A (ja) 2004-06-24 2006-01-12 Kyocera Corp ウェハ支持部材
JP2006216822A (ja) * 2005-02-04 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP4666473B2 (ja) * 2005-05-12 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JP4666496B2 (ja) * 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
TWI478017B (zh) * 2010-03-30 2015-03-21 Fih Hong Kong Ltd 觸控裝置及其觸控方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1591816A (zh) * 2003-09-05 2005-03-09 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-172463A 2004.06.17

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9543187B2 (en) 2008-05-19 2017-01-10 Entegris, Inc. Electrostatic chuck
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
US8879233B2 (en) 2009-05-15 2014-11-04 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with polymer protrusions
US9025305B2 (en) 2010-05-28 2015-05-05 Entegris, Inc. High surface resistivity electrostatic chuck

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