JP2002343696A

JP2002343696A - 基板の処理装置

Info

Publication number: JP2002343696A
Application number: JP2001141605A
Authority: JP
Inventors: Yuji Matsuyama; 雄二松山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-05-11
Filing date: 2001-05-11
Publication date: 2002-11-29

Abstract

(57)【要約】【課題】基板を保持する保持部材の温度変動を抑制す
る。【解決手段】スピンチャック６０の材質にアルミニウ
ム合金を用いる。スピンチャック６０の支持部６２の外
方に，スピンチャック６０を温度調節するための略筒状
の温度調節部材６４を設ける。温度調節部材６４には，
ペルチェ素子６５が内蔵される。スピンチャック６０に
は，温度センサ６８が設けられる。ペルチェ素子６５の
発熱量は，温度センサ６８の値に基づいて制御装置６７
によって制御される。したがって，スピンチャック６０
の温度が所定温度に調節され，温度変動が抑制される。
また，温度調節部材６４とスピンチャック６０との間に
は，隙間Ｄが設けられ，隙間Ｄ内には，磁性流体Ｆが充
填される。スピンチャック６０と温度調節部材６４とを
非接触な状態に維持しながら，温度調節部材６４の熱を
効率よくスピンチャック６０に伝達できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像液を供給し，ウェハの現像を行う現
像処理等が行われ，ウェハに所定の回路パターンが形成
される。

【０００３】上述のレジスト塗布処理や現像処理が行わ
れる各処理装置は，処理の際にウェハを保持するチャッ
クを有する。当該チャックの材質には，従来から加工が
容易で軽い樹脂が用いられていた。そして，当該処理装
置における処理は，ウェハが当該チャックに保持され，
ウェハに例えばレジスト液等の処理液が塗布されること
によって行われていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ウェハ
にレジスト液等が塗布されると，当該塗布されたレジス
ト液等から例えば溶剤が揮発し，その潜熱によってウェ
ハ温度とチャックの温度が低下する現象が起きる。そし
て，チャックの材質が，熱伝導性が低い樹脂であるた
め，温度の回復に時間を要し，ウェハはしばらく低温の
状態のまま処理される。このように，温度が低下したま
ま処理されると，ウェハ上に形成される線幅に影響を与
え，所定幅の線幅が形成されなくなる。

【０００５】また，かかる処理装置において複数枚のウ
ェハを連続して処理すると，チャックの温度が元の温度
に回復する前に新しいウェハの処理が開始され，上述の
潜熱によってチャックの温度が累積的に変動されるの
で，チャックの温度がさらに低下し，不安定となる。こ
のようにチャックの温度が不安定になると，保持される
各ウェハ温度に影響を与え，ウェハに形成される線幅が
ウェハ間において不均一になることが懸念される。線幅
のばらつきは，多量の不良製品を産み，歩留まりの低下
となる。

【０００６】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，チャック等の保持部材の温度の変動を抑制する
ウェハ等の基板を処理する処理装置を提供することをそ
の目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する
保持部材を有し，前記保持部材の材質には，マグネシウ
ム合金が用いられていることを特徴とする基板の処理装
置が提供される。

【０００８】このように，基板を保持する保持部材の材
質にマグネシウム合金を用いることによって，従来の樹
脂よりも熱伝導性が向上し，一次的に保持部材の温度が
変動されても，温度の高い部分から低い部分に熱が素早
く伝導し，迅速に温度が回復される。したがって，保持
部材の温度が安定し，保持部材に保持される基板の温度
を均一に維持することができる。また，マグネシウム
は，比較的軽い金属であり，保持部材自体が移動したり
回転したりする場合においても，駆動部への負担を最小
限に抑えることができる。

【０００９】請求項２の発明によれば，基板を処理する
処理装置であって，基板を保持する保持部材と，前記保
持部材の温度を調節する温度調節装置とを有することを
特徴とする基板の処理装置が提供される。

【００１０】このように，前記保持部材に，温度調節装
置を設けることによって，保持部材の温度を調節して，
保持部材の温度変動を最小限に抑えることができる。す
なわち，保持部材の温度が基板上の処理液の揮発によっ
て低下した場合においても，その分の熱を迅速に補充
し，保持部材の温度を回復させることができる。したが
って，保持部材の温度が安定し，保持部材に保持される
基板の温度を均一に保つことができる。

【００１１】前記温度調節装置を有する処理装置の前記
保持部材は，基板を保持する保持部と，前記保持部を支
持する支持部とを有し，前記支持部には，当該支持部の
一部を囲んで当該支持部の温度を調節する温度調節部材
が設けられていてもよい。このように，前記支持部に温
度調節部材を設けることによって，当該支持部を介して
前記保持部全体の温度を調節し，前記保持部材の温度を
安定させることができる。したがって，保持部材に保持
される基板の温度が安定し，同じ温度で基板を処理する
ことができる。

【００１２】前記温度調節部材と前記支持部との間に
は，隙間が設けられており，前記隙間には，磁性流体が
介在されていてもよい。基板に処理液を供給する時や当
該処理液を振り切る時に基板を回転等させる必要があ
る。本発明のように，前記隙間を設けることによって，
前記支持部と前記温度調節部材とが非接触となり，前記
保持部材を好適に回転させることができる。また，当該
隙間に磁性流体を介在することによって，前記温度調節
部材からの熱が支持部に伝導し易くなり，前記支持部の
温度調節を効率よく行うことができる。

【００１３】また，前記隙間に，少なくとも大気よりも
熱伝導性のよい気体を供給する供給部を有していてもよ
いし，前記隙間に，温度調節された気体を供給する供給
部を有していてもよい。前者のように，前記隙間に熱伝
導性のよい気体を供給することによって，前記保持部材
が好適に回転できると同時に，前記温度調節部材から支
持部に効率よく温度が伝導し，保持部材の温度を好適に
調節することができる。また，後者のように，前記隙間
に，予め温度調節された気体を供給することによって
も，前記温度調節部材からの熱を損失することなく効率
的に前記支持部に伝達することができる。

【００１４】温度調節装置を有する処理装置の前記保持
部材の材質には，マグネシウム合金が用いられていても
よい。このように熱伝導性の優れたマグネシウム合金を
用いることによって，上述したように，一次的に保持部
材の温度が変動されても，熱が素早く伝導し，迅速に温
度が回復される。したがって，保持部材の温度が安定
し，保持部材に保持される基板を所定の温度で処理する
ことができる。

【００１５】前記保持部材の基板との接触部には，導電
性を有する樹脂がコーティングされていてもよい。基板
を処理する際には，基板が帯電する。そしてこの基板が
帯電した状態を放置すると，基板に不純物が付着する原
因となる。本発明は，前記保持部材と基板との接触部に
導電性を有する樹脂をコーティングすることによって，
基板に帯電した電荷を好適に放電し，不純物の付着を抑
制することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基
板の処理装置が搭載された塗布現像処理システム１の構
成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理シ
ステム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システ
ム１の背面図である。

【００１７】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００１８】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００１９】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。

【００２０】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択してもよ
い。

【００２１】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，本実施の形態にかかる基板の処理装置として
のレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処
理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置され
ている。処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装
置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み
重ねられている。

【００２２】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うため
のエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸
発させるためのプリベーキング装置３３，３４及び現像
処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下
から順に例えば６段に重ねられている。

【００２３】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現
像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６が
下から順に例えば７段に積み重ねられている。

【００２４】インターフェイス部４の中央部には，図１
に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられてい
る。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方
向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心
とする回転方向）の回転が自在にできるように構成され
ており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション
・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周
辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセ
スして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成
されている。

【００２５】次に，上述したレジスト塗布装置１７の構
成について説明する。図４は，レジスト塗布装置１７の
構成の概略を示す縦断面の説明図である。

【００２６】レジスト塗布装置１７は，ケーシング１７
ａを有し，当該ケーシング１７ａ内にウェハＷを保持す
る保持部材としてのスピンチャック６０を有する。スピ
ンチャック６０は，ウェハＷを吸着して保持する保持部
６１と，当該保持部６１を支持する支持部６２とを有す
る。保持部６１は，上面６１ａに円形の水平面を有し，
当該上面６１ａには，例えば図示しない吸引口が設けら
れている。したがって，保持部６１は，当該吸引口から
の吸引によってウェハＷを水平に吸着保持することがで
きる。また，保持部６１の上面６１ａには，図５に示す
ように，例えばフッ素系樹脂，有機セラミック系樹脂等
の導電性を有する樹脂Ｐがコーティングされている。こ
のように上面６１ａに樹脂Ｐをコーティングすることに
よって，ウェハＷに帯電した電荷がスピンチャック６０
側に好適に放電され，ウェハＷに塵埃等が付着すること
を防止できる。また，樹脂Ｐには，樹脂Ｐを含めたスピ
ンチャック６０全体の抵抗が，例えば１０^６〜１０^９Ω
になるようなものが用いられる。このように導電性を有
するが，一定の抵抗を有する樹脂Ｐを用いることによっ
て，ウェハＷからの前記放電が緩やかに行われ，急激な
放電によるスパーク等が防止される。なお，樹脂Ｐは，
カーボン含んだポリエーテルエーテルケトン等のカーボ
ン添加樹脂，金属粉添加樹脂等であってもよい。

【００２７】支持部６２は，例えば鉛直方向に長い円柱
状の形態を有している。支持部６２の下部は，スピンチ
ャック６０を回転させる，例えばモータ等を備えた駆動
部６３に接続されており，当該駆動部６３によってスピ
ンチャック６０全体を所定の回転速度で回転させること
ができる。

【００２８】スピンチャック６０，すなわち保持部６１
及び支持部６２の材質には，例えばマグネシウム合金が
用いられている。マグネシウム合金は，比較的軽量であ
り，スピンチャック６０自体の軽量化が図られる。ま
た，マグネシウム合金には，例えばカーボンを含有した
ものを用いる。これによって，耐摩耗性及び熱伝導性の
向上が図られる。

【００２９】駆動部６３上であって，スピンチャック６
０の支持部６２の外方には，当該支持部６２の温度を調
節するための温度調節部材６４が設けられている。温度
調節部材６４は，図５に示すように支持部６２の下部を
囲むようにして，略円筒状の形状を有している。

【００３０】温度調節部材６４には，図４に示すように
熱源となる，例えばペルチェ素子６５が内蔵されてい
る。ペルチェ素子６５の電源６６は，制御装置６７によ
ってその電圧が制御されている。また，スピンチャック
６０の保持部６１には，保持部６１の温度を検出する温
度センサ６８が設けられており，当該検出データは，例
えば無線によって制御装置６７に送信される。したがっ
て，温度センサ６８の検出値に基づいて制御装置６７が
ペルチェ素子６５の電源６６を操作し，支持部６２引い
てはスピンチャック６０全体の温度を設定温度に調節す
ることができる。なお，請求項２に記載の温度調節装置
は，本実施の形態においては，温度調節部材６４，ペル
チェ素子６５，電源６６，制御装置６７及び温度センサ
６８によって構成されている。

【００３１】温度調節部材６４と支持部６２との間に
は，図６に示すように隙間Ｄが設けられており，当該隙
間Ｄ内には，例えば磁性流体Ｆが充填されている。温度
調節部材６４の内側には，膜状の磁石Ｍが被覆されてお
り，磁性流体Ｆは，当該磁石Ｍによって引き寄せられ，
隙間Ｄから漏れないようになっている。この磁性流体Ｆ
によって，温度調節部材６４からの熱を支持部６２に効
率よく伝えると共に，スピンチャック６０の回転を好適
に行うことができる。なお，温度調節部材６４の表面
に，ケーシング１７ａ内を浮遊する有機物等の不純物が
付着しないように，フッ素化合物等の防汚物質を被覆し
ておいてもよい。

【００３２】スピンチャック６０の外方には，ウェハＷ
から飛散したレジスト液等を受け止め，回収するカップ
６９が設けられている。カップ６９は，上面が開口した
略円筒形状を有し，スピンチャック６０上のウェハＷの
外方と下方を覆うように形成されている。カップ６９の
下面には，回収したレジスト液等を排液する排液管７０
とカップ６９内の雰囲気を排気する排気管７１とが設け
られている。

【００３３】ウェハＷにレジスト液を塗布する吐出ノズ
ル７２は，ホルダ７３に保持されており，ホルダ７３
は，例えばカップ６９内のウェハＷの中心まで移動でき
る図示しないアームに保持されている。したがって，吐
出ノズル７２は，ウェハＷ中心上方まで移動することが
でき，ウェハＷの中心にレジスト液を吐出することがで
きる。

【００３４】ケーシング１７ａの上面には，温度及び湿
度が調節され，清浄化された気体をカップ６９内に供給
する供給管７４が設けられており，ウェハＷの処理時に
当該気体を供給し，カップ６２内を所定の雰囲気に維持
すると同時に，カップ６２内をパージすることができ
る。

【００３５】次に，以上のように構成されているレジス
ト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム
１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。

【００３６】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウ
ェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置
３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向
上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，
クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却され
る。そして，所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送
装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送
される。

【００３７】レジスト塗布装置１７においてレジスト液
が塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によってプリ
ベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装
置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によっ
て周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送
され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理
の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクス
テンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１
３によってポストエクスポージャーベーキング装置４
４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベ
ーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送さ
れ，各装置において所定の処理が施される。その後，ウ
ェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセット
Ｃに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。

【００３８】次に，上述したレジスト塗布装置１７の作
用について詳しく説明する。制御装置６７には，設定温
度Ｔ，例えばケーシング１７ａ内の温度である常温の２
３℃が設定され，常時スピンチャック６０の温度が当該
設定温度Ｔになるように調節される。また，レジスト塗
布処理が開始される前に，ケーシング１７ａの上方の供
給管７４から，例えば２３℃に調節された清浄な気体が
供給され始め，その一方でカップ６９の排気口７１から
排気が開始される。これによって，カップ６９内が所定
温度の清浄な雰囲気に維持され，処理中発生した不純物
もパージされる。

【００３９】レジスト塗布処理が開始されると，例えば
クーリング装置３０において前工程である冷却処理が終
了したウェハＷが，主搬送装置１３によってケーシング
１７ａ内に搬入される。搬入されたウェハＷは，スピン
チャック６０に受け渡されて，スピンチャック６０上に
吸着保持される。次に，吐出ノズル７５がウェハＷの中
心上方に移動される。スピンチャック６０が駆動部６３
によって所定の回転速度で回転され，これに伴ってウェ
ハＷも回転される。このとき，スピンチャック６０と温
度調節部材６４とは接触していないため，スピンチャッ
ク６０の回転がスムーズに行われる。次いで吐出ノズル
７５からウェハＷの中心に所定量のレジスト液が吐出さ
れ，吐出されたレジスト液は，遠心力によってウェハＷ
全面に拡散される。これによってウェハＷ上に所定の膜
厚のレジスト膜が形成される。

【００４０】このとき，レジスト液に含有していた溶剤
が揮発し，その時の潜熱によってウェハＷの熱が奪わ
れ，ウェハＷの温度が低下する。また，ウェハＷの温度
低下に伴ってスピンチャック６０の温度も低下する。こ
のとき温度センサ６８において温度の低下が検出され，
当該検出値に基づいて，制御装置６７によって電源６６
の電圧が補正され，ペルチェ素子６５の発熱量が増大さ
れる。これによって，ペルチェ素子６５の熱が，温度調
節部材６４から磁性流体Ｆ及び支持部６２を介して保持
部６１に伝導し，スピンチャック６０の温度が回復され
る。また，処理中のウェハＷには，多量の電荷が帯電す
るが，当該電荷は，樹脂Ｐを介してスピンチャック６０
に徐々に逃がされ，スピンチャック６０を介して放電さ
れる。

【００４１】一方，ウェハＷ上に所定膜厚のレジスト膜
が形成されると，スピンチャック６０の回転が停止され
る。そして，主搬送装置１３によってウェハＷがケーシ
ング１７ａ外に搬出され，一連のレジスト塗布処理が終
了する。また，ウェハＷが搬出されてからも，温度調節
部材６４等によってスピンチャック６０の温度が維持さ
れ，次のウェハの塗布処理に備える。

【００４２】以上の実施の形態では，スピンチャック６
０の材質に熱伝導性の優れたマグネシウム合金を使用し
たため，ウェハＷ上の溶剤の蒸発によってスピンチャッ
ク６０に現れた温度斑が迅速に均され，スピンチャック
６０の上面６１ａの温度斑が最小限に抑えられる。ま
た，温度調節部材６４からの熱が伝わり易く，制御装置
６７に対する応答が速くなるので，スピンチャック６０
の温度を迅速に回復させることができる。また，マグネ
シウム合金は，軽いので，スピンチャック６０の駆動部
６３にかかる負担が軽減される。

【００４３】温度調節部材６４によってスピンチャック
６０の温度を調節できるようにしたので，スピンチャッ
ク６０の温度を設定温度に維持し，スピンチャック６０
上で処理されるウェハＷの温度変動を抑制することがで
きる。したがって，ウェハＷの塗布処理を適切な温度で
行えると共に，ウェハ間の温度のばらつきを抑えること
ができる。

【００４４】温度調節部材６４と支持部６２との間に隙
間Ｄを設けたので，スピンチャック６０と温度調節部材
６４とが非接触となり，スピンチャック６０の回転を好
適に行うことができる。当該隙間Ｄに磁性流体Ｆを介在
するようにしたので，当該隙間Ｄの熱伝導率が向上し，
温度調節部材６４からの熱を効率よくスピンチャック６
０に伝えることができる。

【００４５】スピンチャック６０の保持部６１に，熱伝
導性を有する樹脂Ｐをコーティングすることによって，
ウェハＷに帯電した電荷をスピンチャック６０に流し，
スピンチャック６０から放電することができる。したが
って，帯電によってウェハＷに不純物が付着し，パーテ
ィクルとなることを防止できる。また，樹脂Ｐによって
スピンチャック６０の抵抗を比較的大きい１０^６〜１０
^９Ωの範囲にすることによって，帯電した電荷が急激に
放電され，スパークすることを防止できる。

【００４６】以上の実施の形態では，スピンチャック６
０の材質にマグネシウム合金を使用していたが，アルミ
ニウム合金を使用してもよい。

【００４７】また，スピンチャック６０の温度を調節す
るための熱源としてペルチェ素子６５を用いていたが，
ヒータ等の他の熱源を用いてもよい。また，例えばスピ
ンチャック６０に赤外線を照射してスピンチャック６０
の温度を調節する温度調節装置を用いてもよい。

【００４８】以上の実施の形態では，温度調節部材６４
と支持部６２との隙間Ｄに，磁性流体Ｆを介在させた
が，隙間Ｄに温度調節された気体を供給するようにして
もよい。例えば，図７に示すように温度調節部材８０
に，隙間Ｄ内に気体を供給するための供給管８１が設け
られる。供給管８１は，気体供給源８２に接続されてい
る。気体供給源８２は，温度調節機能を有しており，所
定温度に調節された気体が供給管８１を通じて隙間Ｄ内
に供給されるようになっている。また，温度調節部材８
０の上部には，隙間Ｄ内の気体の流出を抑制する蓋８３
を取り付ける。そして，例えばレジスト塗布処理が行わ
れる際に，隙間Ｄ内に温度調節された気体を供給し，隙
間Ｄ内を当該気体で充満させる。こうすることによっ
て，温度調節部材８０からスピンチャック６０に伝導さ
れる熱エネルギーが，隙間Ｄにおいて損失することが抑
制され，スピンチャック６０の温度調節をより効率よく
行うことができる。

【００４９】また，温度調節された気体に代えて，隙間
Ｄ内に熱伝導性の優れた気体，例えばヘリウムガスを供
給するようにしてもよい。このように，隙間Ｄ内に熱伝
導性の優れた気体を供給することによって，隙間Ｄ内が
当該気体で満たされて，隙間Ｄ内の熱の熱伝導性が向上
する。それ故，温度調節部材８０から支持部６２への熱
の伝達が効率よく行われる。したがって，スピンチャッ
ク６０の温度調節がより迅速かつ効果的に行われる。

【００５０】以上の実施の形態は，本発明をレジスト塗
布装置に適用したものであったが，他の処理装置，例え
ば現像処理装置等にも適用できる。また，以上の実施の
形態は，半導体ウェハデバイスの製造プロセスのフォト
リソグラフィー工程における処理装置について適用した
ものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例え
ばＬＣＤ基板の処理装置においても適用できる。

【００５１】

【発明の効果】本発明によれば，保持部材の温度変動を
抑制することができるので，保持部材に保持された基板
を安定した温度で処理することができ，歩留まりの向上
が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態にかかるレジスト塗布装置を搭載し
た塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の
説明図である。

【図５】スピンチャックの構成の概略を示す斜視図であ
る。

【図６】温度調節部材の構成の概略を示す縦断面の説明
図である。

【図７】スピンチャックの他の構成例を示す縦断面の説
明図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理システム１７レジスト塗布装置６０スピンチャック６１保持部６２支持部６４温度調節部材６５ペルチェ素子６７制御装置６８温度センサＰ樹脂Ｄ隙間Ｆ磁性流体Ｗウェハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を処理する処理装置であって，基板
を保持する保持部材を有し，前記保持部材の材質には，
マグネシウム合金が用いられていることを特徴とする，
基板の処理装置。
【請求項２】基板を処理する処理装置であって，基板
を保持する保持部材と，前記保持部材の温度を調節する
温度調節装置とを有することを特徴とする，基板の処理
装置。
【請求項３】前記保持部材は，基板を保持する保持部
と，前記保持部を支持する支持部とを有し，前記支持部
には，当該支持部の一部を囲んで当該支持部の温度を調
節する温度調節部材が設けられていることを特徴とす
る，請求項２に記載の基板の処理装置。
【請求項４】前記温度調節部材と前記支持部との間に
は，隙間が設けられており，前記隙間には，磁性流体が
介在されていることを特徴とする，請求項３に記載の基
板の処理装置。
【請求項５】前記温度調節部材と前記支持部との間に
は，隙間が設けられており，前記隙間に，少なくとも大
気よりも熱伝導性のよい気体を供給する供給部を有する
ことを特徴とする，請求項３に記載の基板の処理装置。
【請求項６】前記温度調節部材と前記支持部との間に
は，隙間が設けられており，前記隙間に，温度調節され
た気体を供給する供給部を有することを特徴とする，請
求項３に記載の基板の処理装置。
【請求項７】前記保持部材の材質には，マグネシウム
合金が用いられていることを特徴とする，請求項２，
３，４，５又は６のいずれかに記載の基板の処理装置。
【請求項８】前記保持部材の基板との接触部には，導
電性を有する樹脂がコーティングされていることを特徴
とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれ
かに記載の基板の処理装置。