JP2010239026A - 基板保持部材及び液処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板載置部を備えた基板保持部材に基板を載置して吸着保持するにあたって、基板との摺動による基板載置部の劣化を抑えることのできる基板保持部材を提供すること。また、基板載置部上の基板の表面に対して上方側から処理液を供給して液処理を行う場合には、処理液による基板載置部の劣化を抑えること。
【解決手段】テーブル１１を構成する樹脂内にその端部がテーブル１１の表面から外側に突き出るように成形されたカーボンファイバー２４が埋設されるように、少なくともウェハＷを吸着保持する保持面を覆うようにダイヤモンドライクカーボン膜２５を成膜する。また、テーブル１１上に吸着保持したウェハＷの表面に処理液を供給して液処理を行う場合には、ウェハＷの表面と連通するテーブル１１の側周面及び裏面にフッ素を含むダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板を裏面側から吸着保持する基板保持部材及びこの基板保持部材を備えた液処理装置に関する。

大気雰囲気中において基板例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」という）に対して液処理や露光処理を行う場合には、ウェハを例えば真空チャックにより吸着保持して処理を行っている。真空チャックを構成するステージは、ウェハに対する金属などのコンタミ防止のために、例えば樹脂などにより構成されている。
ウェハに対して液処理例えば有機物であるレジスト膜の塗布（形成）処理を行う場合には、例えば液処理装置の処理容器内において吸着保持したウェハをステージと共に鉛直軸回りに例えば数千ｒｐｍ程度で回転させると共に、ウェハの表面に対して上方側から処理液例えばレジスト液を供給することによりレジスト膜を形成する手法が知られている。また、ウェハの表面の周縁部あるいは側面部に形成されたレジスト膜を除去するために、レジスト液を塗布した後、ウェハの回転数を例えば数百ｒｐｍ程度に瞬時に低下させて、ウェハの周縁部に対して裏面側からレジスト膜を溶解する溶剤例えばシンナーを吐出してバックリンスを行う方法も知られている。

真空チャックは、ウェハの受け渡し時などに表面がウェハと摺動することになるが、特にウェハを高速回転させる場合には、急激な加減速が行われることが多いことから、慣性力によりウェハと真空チャックとの間で摺動が起こり、この結果多数枚のウェハに対して処理を行うと、継続的にウェハと摺動することによって摩耗してしまう。
また、ウェハに対して液処理を行う時には、処理容器内の気流の流れによって、例えばウェハの表面に供給した処理液の液滴やミストがウェハの側面領域を介して裏面側に回り込み、ステージの側面や裏面に付着する場合がある。そのため、多数枚のウェハに対して処理を行う間に、上記の処理液などの付着物が蓄積されてステージの側面や裏面に液滴や液溜まりが形成されることがある。例えば、既述のようにバックリンスを行うためにウェハの回転数を瞬時に低下させる時には、ウェハの表面側よりも裏面側の方が一時的に負圧が大きくなり、上記のミストがステージ側に引き込まれてしまう。そのためステージを構成する樹脂は、処理液が薬液例えば溶剤などである場合には、化学的な浸食を受ける懸念がある。

一方、本件出願人は、回転によるひねりなどの応力が蓄積されて起こるステージの破損や変形を抑えるために、内部に炭素やガラスなどからなる多数のファイバーを混入させることによって、ステージの強度を向上させることを検討している。このようなステージは、例えば軟化（溶融）させた樹脂内に上記のファイバーを含浸させて混合物を形成し、この混合物を例えば成型用の金型に注入して硬化させ、次いでこの金型から混合物を取り出すことによって製造されている。そのため、例えば樹脂の硬化時の膨張収縮などによって、金型の内面によりファイバーの端部が僅かにステージ側に押し込められた状態や折れ曲がった状態で成形される場合があるので、あるいは金型の内面の面粗さに応じてステージの表面に僅かな凹凸が形成されるので、金型からステージを取り出した時には、ステージの表面からファイバーの端部が例えば１〜２０μｍ程度突き出す（飛び出す）場合がある。

このようにステージの表面からファイバーの端部が飛び出していると、例えばウェハとの接触（摺動）によってファイバーが落下して（抜け落ちて）パーティクルの原因となってしまうおそれがある。また、このようなファイバーの抜け落ちた部位を基点として、亀裂や損傷が進行（発生）してしまうおそれもある。更に、既述のように側面や裏面に薬液が付着すると、ステージの表面から突き出ているファイバーとステージとの間の僅かな隙間（界面）から薬液が表面張力により入り込み、ステージの化学的劣化の進行が避けられない。

特許文献１〜４には、耐摩耗性を高めるためにステージの表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などのコーティングを行う技術が記載されており、また特許文献５〜８には、ＤＬＣコーティングについて記載されている。しかし、樹脂からなるステージの表面にコーティングを施しただけでは、ＤＬＣコーティングは硬質の膜であるため、例えばステージの回転時やウェハの受け渡し時に当該ステージが僅かに撓んだり変形したりした場合には、ステージの形状に追随して変形できないので応力が蓄積され、多数枚のウェハに対して処理を行う途中で膜剥がれや破損が起こってしまう。また、これらの特許文献には、上記のステージの強度や処理液についての課題は記載されていない。

特開２００１−３２６２７１（請求項１、図２） 特開２００５−１０１２４７（図２） 特開２００４−９１６５（請求項１） 特開２００６−２１６８８６（請求項１） 特開２００５−２５４３５１ 特開平１０−６０６４８ 特開平１０−１８０３７ 特開昭６２−１３３０６７

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、樹脂を含む成型体により構成された基板載置部に基板を載置して吸着保持するにあたって、基板との摺動による基板載置部の劣化を抑えることのできる真空チャックを提供することにあり、また基板載置部上の基板に対して処理液を供給して液処理を行う場合には、処理液による基板載置部の劣化を抑えることのできる真空チャック及び液処理装置を提供することにある。

本発明の真空チャックは、
樹脂を含む成型体により構成され、基板を保持するための基板載置部と、
その強度を向上させるために前記基板載置部内に多数埋設された繊維体と、
前記基板載置部の基板に対する耐摩耗性を高めるために、前記基板載置部の表面の少なくとも基板載置面の表面を覆うようにかつ成形時に前記基板載置部の表面から突出した前記繊維体が覆われるように形成された保護膜と、
前記基板保持部に載置された基板を裏面側から吸引するために、前記基板載置部内に設けられた吸引路と、を備えたことを特徴とする。

前記基板載置部は、回転自在に構成されると共に、当該基板載置部に吸着保持した基板を回転させながら処理液を供給して液処理を行うために用いられ、
前記保護膜は、前記処理液に接触することによる前記基板載置部の劣化を抑えるために、更に前記基板載置部の側面及び裏面の少なくとも一方において、成形時に前記基板載置部の表面から突出した前記繊維体が覆われるように形成されていても良い。

本発明の別の真空チャックは、
回転自在に構成された基板載置部に吸着保持した基板を回転させながら処理液を供給して液処理を行うために用いられる真空チャックにおいて、
樹脂を含む成型体により構成され、基板を保持するための基板載置部と、
その強度を向上させるために前記基板載置部内に多数埋設された繊維体と、
前記処理液に接触することによる前記基板載置部の劣化を抑えるために、前記基板載置部の側面及び裏面の少なくとも一方において、成形時に前記基板載置部の表面から突出した前記繊維体が覆われるように形成された保護膜と、
前記基板保持部に載置された基板を裏面側から吸引するために、前記基板載置部内に設けられた吸引路と、を備えたことを特徴とする。
前記基板載置部の側面及び裏面の少なくとも一方に形成された保護膜は、前記処理液に対して撥水性を高めるためにフッ素を含んでいることが好ましい。また、前記保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン膜であること好ましい。

本発明の液処理装置は、
処理カップ内において真空チャックに吸着保持した基板を回転させながら処理液を供給して液処理を行うための液処理装置において、
前記真空チャックとして、上記に記載の真空チャックを用いたことを特徴とする。

本発明は、樹脂を含む成型体により構成された基板載置部に基板を載置して吸着保持する真空チャックにおいて、基板載置部の強度が向上するように基板載置部内に多数の繊維体を埋設すると共に、この基板載置部の少なくとも基板載置面の表面に、成形時に当該基板載置部の表面から外方に向かって突き出した前記繊維体が覆われるように保護膜を形成しているので、基板との摩擦や摺動による基板載置部の劣化（摩耗）を抑えることができる。また、保護膜が繊維体を介していわばアンカー効果により基板載置部に強く密着するので、例えば基板載置部が回転などにより僅かに変形しても、保護膜は基板載置部の形状に追随して変形できるので、膜剥がれや破損を抑えることができる。従って、多数枚のウェハの処理を行う場合でも、基板載置部の劣化を抑えることができる。また、真空チャックに基板を吸着保持すると共に処理液を供給して液処理を行うにあたって、基板載置部の側面側及び裏面側の少なくとも一方に、基板載置部の表面から外方に向かって突き出す多数の繊維体が覆われるように保護膜を形成することによって、処理液が基板の表面から側面側を介して裏面側に回り込んだしたとしても、処理液の基板載置部への付着や繊維体と基板載置部との間の界面からの処理液の侵入を抑えることができるので、処理液による基板載置部の劣化（浸食）を抑えることができる。

本発明の実施の形態に係るレジスト塗布装置の縦断面図である。 前記レジスト塗布装置に用いられるテーブルの説明図である。 前記テーブルを拡大して示す縦断面図である。 上記のレジスト塗布装置の作用を示す概略図である。 上記のレジスト塗布装置の作用を示す概略図である。 上記のレジスト塗布装置の作用を示す概略図である。 上記のレジスト塗布装置の作用を示す概略図である。 表面にダイヤモンドライクカーボン膜を形成しない場合のテーブルを示す概略図である。 上記のレジスト塗布装置が適用された塗布・現像装置を示す斜視図である。 前記塗布・現像装置の平面図である。 前記塗布・現像装置の縦断面図である。 本発明の実施例の実験方法を示す概略図である。 本発明の実施例にて得られた結果を示す特性図である。 本発明の実施例にて得られた結果を示す特性図である。

本発明に係る液処理装置をレジスト塗布装置に適用した実施形態について説明する。図１に示すようにレジスト塗布装置は、基板例えば半導体ウェハ（以下「ウェハ」という）Ｗを裏面側から真空吸着して水平に保持する基板載置部である概略円板状のテーブル１１と、このテーブル１１の下面中央部に接続された回転軸１２と、からなるスピンチャック（真空チャック）１３と、このスピンチャック１３上のウェハＷに対して処理液例えばレジスト液を供給するための処理液供給手段であるレジストノズル７１と、を備えている。この回転軸１２の下端側には、当該回転軸１２を鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に支持する回転駆動部１４が接続されている。図１中１０はスピンチャック１３が収納された処理容器（筐体）であり、例えば処理容器１０の下方側には、スピンチャック１３の内部領域に形成された吸引路３１を介してウェハＷを裏面側から吸引するための吸着保持手段である吸引ポンプ１５が接続されている。この図１中１５ａは、ウェハＷの吸着保持及び解除を行うために吸引路３１に介設されたリーク弁である。この処理容器１０には、天井面に当該処理容器１０の内部に対して清浄な気体を供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１６が設けられ、床面には処理容器１０内の雰囲気を排気するための排気管１７が接続されており、これらのファンフィルタユニット１６からの給気及び排気管１７による排気によって、処理容器１０内には下降気流が形成される。尚、図１中１０ａはこの処理容器１０内に対してウェハＷの搬入出を行うための搬送口、１０ｂは搬送口を開閉するシャッターである。

上記のテーブル１１について、図２及び図３を参照して詳述する。このテーブル１１は、直径寸法が例えば１３０ｍｍとなるように形成されており、外形寸法が例えば３００ｍｍのウェハＷの内周側中央部を裏面側から吸着保持するように構成されている。テーブル１１の上面中央には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、回転軸１２内に形成された上記の吸引路３１に連通する吸引孔２１が開口しており、またテーブル１１の上面には、テーブル１１の周方向に沿って形成されたリング状部材２２が複数箇所例えば３箇所に同心円状に配置されている。これらの３つのリング状部材２２の上面は、ウェハＷを吸着保持するための基板保持面をなし、ウェハＷを水平に保持できるように同じ高さとなるように形成されている。これらの３つのリング状部材２２のうち内周側の２つのリング状部材２２には、周方向において複数箇所例えば４箇所に等間隔に上下方向に亘って形成された切り欠き部２３が各々設けられており、テーブル１１上にウェハＷを載置すると共に吸引孔２１からウェハＷの裏面側の雰囲気を吸引すると、この図２（ａ）に矢印で示すように、テーブル１１とウェハＷの裏面との間の雰囲気が切り欠き部２３を介して外周側から内周側の吸引孔２１に向かって通流し、ウェハＷがテーブル１１上に吸着保持されることになる。

また、テーブル１１は、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＢＩ（ポリベンゾイミダール）、ＰＰ（ポリプロピレン）あるいはＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などの樹脂この例ではＰＥＥＫにより構成されている。テーブル１１の内部には、図３に示すように、例えば長さ寸法が０．１ｍｍ〜６ｍｍ程度、直径寸法が例えば７μｍ程度の例えば炭素、ガラスまたは樹脂この例では炭素からなる多数のファイバー２４が繊維体として埋設されている。このファイバー２４は、テーブル１１の強度を高めるために混入されているものであり、例えば軟化（溶融）した樹脂にファイバー２４を含浸させて混合物を形成し、この混合物を例えば金型内に注入して硬化させることによって成形されている。そのため、樹脂の硬化時の膨張収縮などにより金型の内面にファイバー２４が樹脂側に押し付けられた状態や折れ曲がった状態で成形される場合があるので、あるいは金型の内面の面粗さに応じて表面に僅かな凹凸が形成されるので、このテーブル１１内に埋設されたファイバー２４は、金型から樹脂（テーブル１１）を取り出した時に外方に伸び出そうとする反発力により、あるいは金型の内面形状に応じて、その端部が当該テーブル１１の表面から僅かに例えば１〜５μｍ程度飛び出している。

テーブル１１の表面には、上面、側周面及び裏面を覆うようにダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜などからなる保護膜２５がコーティングされており、この保護膜２５は上面側を覆うように成膜された上層保護膜２６と、裏面側から側周面側にかけて成膜された下層保護膜２７と、により構成されている。これらの保護膜２６、２７は、例えばテーブル１１の側周面と上面との境界付近において継ぎ目無く（テーブル１１の表面が露出しないように）接続されている。この保護膜２５は、例えば炭素や水素などを含む原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより例えば２００℃以下の低温にて形成されるものであり、例えば上面、側周面及び下面に対して夫々別々に成膜される。具体的には、例えばプラズマＣＶＤ用の処理容器内にその上面が上（原料ガスの供給側）を向くようにテーブル１１を配置して、上面に保護膜２６を成膜し、次いで上下面を逆にしてテーブル１１の下面に保護膜２７を成膜する。その後、例えばテーブル１１を横向きにして、テーブル１１を軸回りに回転させながら側周面に対して保護膜２７の成膜処理を行う。こうして例えば上層保護膜２６については炭素と水素とを含み、シリコンを含まない原料ガスにより形成され、下層保護膜２７については炭素、水素及びフッ素を含む原料ガスにより形成される。これらの保護膜２６、２７は、物性がダイヤモンドに似通っている膜であり、具体的には例えば硬度が１０００〜３０００Ｈｖ、固有抵抗率が１．０×１０^６〜１０^１４Ω・ｃｍ、表面粗さＲａが０．５〜１．０ｎｍ例えば０．７ｎｍ程度となっている。また下層保護膜２７については、上記のようにフッ素を含んでいるので、摩擦係数が０．０５〜０．２程度と極めて小さく、また有機溶媒や水溶液に対する撥水性が高くなっている。これらの保護膜２６、２７は、テーブル１１の表面から外方に向かって突出するファイバー２４が埋め込まれる（覆われる）ように、膜厚が１〜２０μｍ程度となるように形成されている。従って、この保護膜２５は、ファイバー２４を介していわばアンカー効果によりテーブル１１の表面に強く固着されていることになる。

上記のレジスト塗布装置の説明に戻ると、既述の図１に示すように、スピンチャック１３の上方には、このスピンチャック１３上のウェハＷの表面に処理液（塗布液）例えばレジスト液を吐出するための処理液供給手段であるレジストノズル７１と、溶解液例えばシンナーを吐出するための溶剤ノズル７２と、が設けられており、これらのノズル７１、７２は、図示しないアームによってウェハＷの中心部から周縁部までウェハＷの半径方向に沿って水平に移動自在及び昇降自在に構成されている。また、これらのノズル７１、７２には、夫々レジスト液供給管７３及び溶剤供給管７４を介してレジスト液供給源７５及び溶剤供給源７６が夫々接続されている。

また、スピンチャック１３の周囲には、当該スピンチャック１３上に吸着保持されるウェハＷの裏面周縁部に対向するように配置された内側カップ４０と、この内側カップ４０を側方側及び下方側から囲むように設けられた中間カップ５０と、この中間カップ５０の上方に配置された外側カップ６０と、からなる処理カップ３３が設けられている。

内側カップ４０は、ウェハＷの周縁部から流れ落ちる処理液などを後述の排液路５２へとガイドするためのものであり、スピンチャック１３上に吸着保持されたウェハＷの外縁部に対向する部位から外側に向かって下方に傾斜する環状の傾斜部４１と、この傾斜部４１の下端側から下方に伸びる環状の垂直壁４２と、により構成されている。この内側カップ４０の上端部において、スピンチャック１３上のウェハＷの周縁部に対向するように形成されたリング状に突出する突出部４４には、ウェハＷの裏面周縁部に向かって下方内周側から溶解液例えばシンナーを吐出するための溶解液供給手段であるベベル洗浄ノズル４５が嵌め込まれており、このベベル洗浄ノズル４５は、例えばスピンチャック１３上のウェハＷの直径方向に相対向するように２箇所に配置されている。このベベル洗浄ノズル４５は、後述の円板４３上に敷設されたレール４６上において、スピンチャック１３上のウェハＷの半径方向に沿って水平に進退可能に構成されている。図１中、４７はベベル洗浄ノズル４５に形成された吐出口、４８は処理容器１０の外側からベベル洗浄ノズル４５に溶解液を供給するための供給路である。尚、図１では、内側カップ４０について、右側にベベル洗浄ノズル４５が設けられた部位を描画し、左側にベベル洗浄ノズル４５が設けられていない部位を描画している。

テーブル１１の下方側には、スピンチャック１３上のウェハＷと概略同径となるように形成された円板４３が回転軸１２を囲むように配置されており、上記の内側カップ４０は、内周側において円板４３に支持されている。尚、この円板４３には、後述するように、当該円板４３上に落下した処理液などを排出するためのドレイン管の排出口（いずれも図示せず）が形成されている。

中間カップ５０は、内側カップ４０の垂直壁４２を周方向に亘って凹状に覆うように形成されて液受け部５１をなしており、この液受け部５１の下面には、処理液を排出するために、例えば処理容器１０の下方側から伸びる排液路５２の一端側が接続されている。この液受け部５１の底面における内周側には、処理容器１０内の雰囲気を排気するために、処理容器１０の下方側から当該液受け部５１の底面を貫通して上方まで伸びる２本の排気路５３が接続されており、これらの排気路５３は、内側カップ４０の傾斜部４１の下端位置に近接する位置にて開口している。垂直壁４２の外側における中間カップ５０の上端縁は、スピンチャック１３上のウェハＷの周縁部に近接するように周方向に亘ってテーパー状に伸び出して傾斜部材５４をなしている。この傾斜部材５４の下端側には、上記の排気路５３に向かって排気される気流と共にウェハＷの上方側の雰囲気を排気するための開口部５５が周方向に亘って複数箇所に設けられている。

外側カップ６０は、上記の傾斜部材５４の外周縁上に配置された概略リング状の部材であり、ウェハＷが回転する時の周囲の気流の乱れを低減させるために、スピンチャック１３上のウェハＷの上方側の雰囲気を周方向に亘って覆うように、上端縁がテーパー状に縮径している。

また、図１に示すように、このレジスト塗布装置には、制御部８１が設けられており、この制御部８１は、図示しないＣＰＵやメモリ、プログラムを備えている。そして、この制御部８１からレジスト塗布装置の各部に制御信号を出力することにより、後述のレジスト膜の塗布処理などの液処理やウェハＷの搬送を行うようにプログラムが組み込まれている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード等の記憶媒体に格納され、コンピュータにインストールされる。

次に、上述の実施の形態の作用について説明する。先ず、図示しない搬送アームによりウェハＷを処理容器１０内に搬入して、図４（ａ）に示すようにスピンチャック１３を上昇させて、同図（ｂ）に示すようにウェハＷを受け取って真空吸着する。この時、ウェハＷを吸着することにより、テーブル１１にはウェハＷが強く押しつけられる。

次いで、スピンチャック１３を下降させてウェハＷを処理カップ３３内に収納すると共に、図示しない搬送アームを退避させてシャッター１０ｂを閉じ、ウェハＷを所定の回転数例えば数千ｒｐｍで回転させる。この時、スピンチャック１３によりウェハＷを回転させようとすると、ウェハＷは停止したままでいようとするため、テーブル１１とウェハＷとの間に大きな摩擦力が発生し、テーブル１１の上面とウェハＷの裏面とは僅かに摺動する（こすれ合う）ことになる。また、このようにテーブル１１を高回転で回転させることにより、当該テーブル１１を構成する樹脂は遠心力により僅かに撓んだり変形したりすることになるが、保護膜２５はファイバー２４を介していわばアンカー効果によりテーブル１１に強く密着しているので、テーブル１１の形状に追随して微少な変形に耐えることができる。

続いて、溶剤ノズル７２を待機位置からウェハＷの上方の所定の位置へ移動させる。次に、図５（ａ）に示すように、溶剤ノズル７２からウェハＷへシンナーを供給し、ウェハＷの表面をシンナーで湿潤させることにより、後に塗布するレジスト液がウェハＷ上を伸展しやすい環境に整えるプリウェット処理を行う。ウェハＷの外周縁から振り切られたシンナーは、傾斜部４１及び垂直壁４２を介して排液路５２から排出され、またシンナーと共に下方に通流してきた処理容器１０内の雰囲気は、液受け部５１を介して排気路５３から排気される。この時、ウェハＷ上に供給されたシンナーが微少な液滴やミストとなって、同図（ａ）に示すように、排液路５２や排気路５３に排気されずにウェハＷの側方領域を介してウェハＷの裏面側に僅かに回り込む場合がある。このようにウェハＷの裏面側にシンナーのミストなどが回り込むと、同図（ｂ）に示すように、テーブル１１の側面や裏面の保護膜２７に付着する場合がある。

その後、溶剤ノズル７２を待機位置へ退避させると共に、レジストノズル７１をウェハＷの上方の所定位置へ移動させて、ウェハＷの回転数を所定の値まで上昇させる。このようにウェハＷの回転数を変更することによって、同様にウェハＷとテーブル１１とが僅かに摺動することになる。そして、レジストノズル７１からウェハＷの中心部へレジスト液を吐出すると、図６（ａ）に示すように、レジスト液がウェハＷの回転による遠心力によって中心部から周縁部へ向けて伸展されていくと共に、余分なレジスト液はウェハＷの表面から振り切られる。ウェハＷの表面から振り切られた余分なレジスト液は、排液路５２から排出されていくが、ミストが僅かにウェハＷの側方領域を介して回り込み、同様にテーブル１１（保護膜２７）の側周面や裏面に付着する場合がある。そして、レジスト液の塗布処理が終了した後、レジストノズル７１を所定の待機位置へ退避させて、その後所定の間ウェハＷを回転させて、レジスト膜の膜厚の均一化を図ると共に、レジスト液を乾燥させてレジスト膜９０を形成する。

続いて、ウェハＷの回転数を例えば７００ｒｐｍまで瞬時に落とし、ベベル洗浄ノズル４５からウェハＷの周縁部へ溶解液（洗浄液）である溶剤例えばシンナーを吐出してバックリンス処理を行う。図６（ｂ）に示すように、溶解液はウェハＷの裏面側のベベル部から表面側のベベル部まで回り込み、レジスト液膜の周縁部が所定の幅で洗浄（カット）される。そして、ベベル洗浄ノズル４５から吐出されたシンナーやこのシンナーに溶解したレジスト液が排液路５２から排出される。この時、上記のようにウェハＷの回転数を７００ｒｐｍ程度まで瞬時に落としていることから、ウェハＷの裏面、テーブル１１の下方領域を介して圧縮された空気が開放されて、ウェハＷの上面側の雰囲気よりも裏面側の雰囲気の方が一時的に負圧が大きくなる。従って、このバックリンス処理を行っている時には、プリウェット処理やレジスト膜９０の塗布処理を行った時よりも、テーブル１１側へのミストの回り込みが起こることがある。

そして、所定の時間シンナーの乾燥を行った後、ウェハＷの回転を停止して、搬入時とは逆の順番でウェハＷをレジスト塗布装置から搬出する。ウェハＷの回転を停止する時においても、回転したままでいようとするウェハＷをテーブル１１により停止させるので、ウェハＷとテーブル１１との間には摺動が生じることとなる。

次いで、後続のウェハＷが搬入され、同様にプリウェット処理、レジスト膜９０の塗布処理及びバックリンス処理が行われていき、またテーブル１１（保護膜２７）の側周面及び裏面には更にシンナーやレジスト液のミストが微少な量ではあるが経時的に付着していくことになる。こうして量産工場の基板処理においてウェハＷの処理を行うと、ウェハＷの受け渡し時や吸着時あるいはウェハＷの回転時において、スピンチャック１３とウェハＷとの間において都度に摩擦や摺動が起こることとなるが、テーブル１１の表面には保護膜２６が形成されているので、テーブル１１の摩耗や損傷が抑えられる。また、保護膜２５はファイバー２４を介していわばアンカー効果によりテーブル１１に強く密着しているので、多数枚のウェハＷの処理を行っている間に例えばテーブル１１の変形が繰り返し起こったとしても、テーブル１１の形状にその都度追随して変形するので膜剥がれや破損が抑えられる。
更に、多数枚のウェハＷに対して処理を行うことにより、テーブル１１（保護膜２７）に付着するミストの量が蓄積されていき、図７に示すように、例えば有機溶剤の大きな液滴や液溜まり８５となる。この時、テーブル１１の側周面及び裏面には、表面に保護膜２７が成膜されているので、テーブル１１には液溜まり８５が接触しない。また、テーブル１１の表面から飛び出しているファイバー２４は、保護膜２７によって覆われているので、同様に液溜まり８５に接触しない。更に、この保護膜２７には、既述のようにフッ素が含まれているので、保護膜２７の撥水性が高くなっており、そのため液溜まり８５は直ぐに液滴となって下方に落下していく。従って、液溜まり８５が保護膜２７の表面に形成されたとしても、液溜まり８５と保護膜２７とは長い時間接触しない。保護膜２７から落下した液溜まり８５は、円板４３に形成された図示しないドレイン管から排出されていく。

上述の実施の形態によれば、ウェハＷをスピンチャック１３に吸着保持するにあたって、テーブル１１の強度が向上するように内部にファイバー２４を混合して成形すると、ファイバー２４の端部がテーブル１１の表面から突出するので、このファイバー２４が埋設されるようにテーブル１１の上面に保護膜２６を成膜している。そのため、テーブル１１がウェハＷに直接接触しないので、例えばウェハＷの受け渡し時や吸着時あるいはウェハＷの回転時に、テーブル１１とウェハＷとの間の摩擦や摺動が抑えられるため、テーブル１１の劣化（摩耗）を抑えることができる。また、保護膜２６がファイバー２４を介していわばアンカー効果によりテーブル１１に強く密着するので、例えば回転によってテーブル１１が撓んだり変形したりした場合でも、保護膜２６はテーブル１１の形状に追随して変形できるので、膜剥がれや破損を抑えることができる。そのため、多数枚のウェハＷの処理を行う場合でも、テーブル１１の劣化を抑えることができる。更に、ファイバー２４が保護膜２６により覆われていることから、例えばウェハＷとテーブル１１とが接触しても、ファイバー２４の脱落や抜け落ちを抑えることができるので、パーティクルの発生を抑えることができる。また、ファイバー２４の抜け落ちを抑えることができるので、例えばファイバー２４の抜け落ちた部位を基点とした亀裂や損傷の進行（発生）を抑えることができる。

また、このスピンチャック１３を液処理用に用いる場合には、ウェハＷの表面に供給した処理液がウェハＷの側方領域を介してテーブル１１の側周面や裏面に回り込み、多数枚のウェハＷの処理を行う間に処理液の液溜まり８５が形成されたとしても、テーブル１１の側周面及び裏面に保護膜２７を形成することにより、テーブル１１は液溜まり８５に直接接触しないので、テーブル１１に対する例えば変質や酸化あるいは溶解などといった化学的な浸食（劣化）の進行を抑えることができる。更に、既述のように、テーブル１１の表面から外方に飛び出すファイバー２４を覆うように保護膜２７が形成されており、例えばテーブル１１とファイバー２４との間の僅かな隙間（界面）を介して処理液がテーブル１１内に入り込まないので、テーブル１１の劣化を抑えることができる。この時、保護膜２７が成膜されていない場合には、図８に示すように、テーブル１１とファイバー２４との間の僅かな隙間（界面）から処理液が例えば表面張力により侵入し、テーブル１１が内部から浸食され、更にファイバー２４が脱落しやすくなってしまうが、既述のように保護膜２７を形成することにより、テーブル１１の浸食によるファイバー２４の脱落についても抑えることができる。更にまた、保護膜２７にフッ素を混入させているので、保護膜２７の表面の撥水性が極めて高くなっている。そのため、保護膜２７が液溜まり８５に長時間接触しないので、例えば保護膜２７にピンホールなどの欠陥が形成されていて処理液がテーブル１１内に進入しようとしても、液溜まり８５が直ぐに液滴となって下方へと落下するため、更にテーブル１１に対する浸食を抑えることができる。

また、ウェハＷと接触する上面側の保護膜２６にはシリコンが含まれていないので、保護膜２６はウェハＷより柔らかいため、ウェハＷに対する物理的な損傷の発生を抑えることができる。
更に、ウェハＷと接触する基板載置面に摩擦係数が極めて小さい保護膜２６を形成しているので、ウェハＷの裏面へのパーティクルの付着を抑えることができる。

上記の例では、テーブル１１の表面全体に亘って保護膜２５（保護膜２６、２７）を形成したが、テーブル１１の上面については少なくともウェハＷと接触する基板載置面（リング状部材２２の上端面）だけに形成しても良い。また、例えば液処理を行わない装置例えばウェハＷの周縁部の不要レジスト膜を除去するための周辺露光装置や選択露光装置にスピンチャック１３を適用する場合には、回転駆動部１４には回転機構を設けずに、またテーブル１１の側周面や裏面に保護膜２７を形成しなくても良い。更に、液処理を行う場合において、例えばテーブル１１の表面の摩耗が問題にならない程度に小さい場合には、テーブル１１の上面に保護膜２６を形成せず、側周面及び裏面に保護膜２７を形成しても良い。更にまた、保護膜２７としては、テーブル１１の側周面及び裏面の全てを覆うように形成せずに、側周面及び裏面の一方に形成しても良いし、側周面及び裏面の一部分に形成しても良い。

上記の保護膜２５の材質としては、炭素と水素以外にも、例えばＣＮ（窒化炭素）や酸素を含んでいても良いし、側周面及び裏面側の保護膜２７についてはシリコンを含んでいても良い。また、この保護膜２５としては、例えば炭素の比率が高く設定された耐摩耗性の膜例えば精製炭化水素を含む膜などであっても良く、この場合には例えばポリカーボネートなどのアクリル系樹脂とこの精製炭化水素とを均質に混合させた塗布液をテーブル１１に塗布して、その後乾燥及び硬化させることにより保護膜２５が形成されることになる。更に、保護膜２５としては上記の炭素を含む膜以外にも、例えばＳｉＣ（炭化シリコン）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）や石英などのセラミックス系の材料であれば良く、この場合には粉体状にて塗布後、熱処理を行うといった方法により保護膜２５が形成される。

また、上記のスピンチャック１３は、上記のレジスト塗布装置（レジストコータ）以外にも、後述の各液処理例えば下地反射防止膜コータ（ＢＣＴ）、表面反射防止膜コータ（ＴＣＴ）などに適用しても良い。また、液浸露光処理を行う場合には、この液浸露光処理に先立ってウェハＷの表面に保護膜を形成する保護膜コータ（ＩＴＣ）や、液浸露光処理を行った後に当該保護膜を剥離する有機保護膜剥離モジュール（ＩＴＲ）に上記のスピンチャック１３を適用しても良い。有機保護膜剥離モジュールでは、既述のレジストノズル７１に代えて、有機溶剤（溶解液）例えばシンナーを供給する手段であるノズルが設けられる。更に、保護膜２５は既述の有機溶剤（シンナーやレジスト液）以外にも酸水溶液やアルカリ水溶液に対しても耐性があるので、例えば露光処理を行った後にアルカリ性の処理液（現像液）をウェハＷ上のレジスト膜に供給して現像処理を行う現像処理装置にスピンチャック１３を適用しても良いし、例えばアルカリ水溶液（アンモニア水溶液と過酸化水溶液との混合溶液）、酸水溶液（希沸酸水溶液）及び有機溶剤（ＩＰＡ、イソプロピルアルコール）などを順番にあるいは混合して処理液として用いてウェハＷの洗浄を行う枚葉洗浄装置に適用しても良い。これらの場合においても、保護膜２７においてアルカリ水溶液や酸水溶液あるいは有機溶剤によるテーブル１１の劣化を抑えることができる。

続いて、前述のレジスト塗布装置を適用した塗布、現像装置について図９〜図１１を参照して説明する。図９及び図１０に示すように、この塗布、現像装置は、密閉型のキャリア２００からウェハＷを取り出すキャリアブロックＳ１と、ウェハＷに対して各処理を行う処理ブロックＳ２と、塗布、現像装置に接続された露光装置Ｓ４と処理ブロックＳ２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスブロックＳ３と、を備えている。キャリアブロックＳ１では、載置台２０１上に載置されたキャリア２００から受け渡しアームＣがウェハＷを取り出して、当該キャリアブロックＳ１に隣接された処理ブロックＳ２に受け渡すと共に、処理ブロックＳ２にて処理された処理済みのウェハＷを受け渡しアームＣが受け取ってキャリア２００に戻すように構成されている。

処理ブロックＳ２は、図１１に示すように、この例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下からこの順番で積層して構成されている。

第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液を塗布するレジスト塗布装置と、このレジスト塗布装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための基板加熱装置を組み込んだ加熱冷却系の処理ユニット群と、前記レジスト塗布装置と基板加熱装置との間に設けられ、これらの間でウェハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ３と、を備えている。また、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する液処理装置と、前記加熱冷却系の処理ユニット群と、前記処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウェハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ２、Ａ４と、を備えている。第１の処理ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、例えば一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニットが２段に積層されている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットにウェハＷを搬送するための共通の搬送アームＡ１が設けられている。さらに処理ブロックＳ２には、図１０及び図１１に示すように、棚ユニットＵ１が設けられ、この棚ユニットＵ１の各部同士の間では、前記棚ユニットＵ１の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤ１によってウェハＷが搬送される。上記のＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ１に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から、処理ブロックＳ２内の棚ユニットＵ２に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥが設けられている。

この塗布、現像装置では、キャリアブロックＳ１のキャリア２００内のウェハＷは、先ず受け渡しアームＣによって取り出されて、前記棚ユニットＵ１の一つの受け渡しユニット、例えば受け渡しユニットＣＰＬ２に搬送される。続いて、ウェハＷは受け渡しユニットＣＰＬ３及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、疎水化処理ユニットにおいて表面が疎水化された後、液処理装置２にて既述のようにレジスト膜が形成される。その後、ウェハＷは搬送アームＡ３により、棚ユニットＵ１の受け渡しユニットＢＦ３に受け渡される。

そして、ウェハＷは受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１→受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、レジスト膜の上に反射防止膜が形成された後、搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。なお、レジスト膜の上に反射防止膜を形成しない場合や、ウェハＷに対して疎水化処理を行う代わりに、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２にて反射防止膜が形成される場合もある。

レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ１により受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＳ３に搬入されることになる。なお図１１中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは、温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、ウェハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。このウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ１に搬送され、受け渡しアームＣを介してキャリア２００に戻される。尚、既述のように上記の露光装置Ｓ４として液浸露光処理を行う液浸露光装置を接続する場合には、塗布、現像装置の処理ブロックＳ２内には、液浸露光処理に先立ってウェハＷの表面に保護膜を形成する保護膜コータ（ＩＴＣ）と、液浸露光処理を行った後に当該保護膜を剥離する有機保護膜剥離モジュール（ＩＴＲ）と、が設けられることになる。

次に、上記の保護膜２５を形成した時にテーブル１１の耐酸性や耐摩耗性がどの程度向上するかを確認するために行った実験について説明する。

（評価試験１）
先ず、評価試験１として、保護膜２５の耐摩耗性を評価する実験を行った。この実験には、保護膜２５に対して速やかに衝撃を与えて加速試験を行うために、ウェハＷを側方側から保持するウェハ保持部１３３を周方向に４つ配置して、これらのウェハ保持部１３３の内部領域においてウェハＷを水平方向に移動させてウェハＷの外周縁とウェハ保持部１３３の内周面とを衝突させてウェハ保持部１３３の摩耗量を測定した。これらのウェハ保持部１３３は、各々図１２（ａ）、（ｂ）に示すように構成されており、１３４はウェハＷを裏面側から支持する裏面支持部、１３５は裏面支持部１３４に支持されたウェハＷを側面側から囲み、その位置を規制する下側垂直壁部、１３６は下側垂直壁部１３５から上方に向かってテーパー状に拡径するように形成され、ウェハＷを裏面支持部１３４に落とし込む時にその外縁を支持して滑り落とすための傾斜部である。各ウエハ保持部１３３は不図示の駆動部に接続され、各ウエハ保持部１３３の間隔を保ったまま、図中矢印で示すように水平方向に往復移動できるようになっている。また、ウエハ保持部１３３の下側垂直壁部１３５がウエハＷの側面から若干離れるように各ウエハ保持部１３３の位置は調整されている。

この評価試験１−１では、このウエハ保持部１３３に実施の形態で説明した保護膜２５を形成せずに、後述の保護膜２５を成膜した例に対する比較対象として用いるために実験を行った。この試験で用いたウエハ保持部１３３は、実施の形態で説明したＰＥＥＫ樹脂の代わりに所定の樹脂により構成されている。前記樹脂中にはカーボンファイバが実施形態と同様に混入されている。ウエハＷの載置後、ウエハ保持部１３３を２０万回往復移動させ、その下側垂直壁部１３５にウエハＷを衝突させた。その後、下側垂直壁部１３５に形成された摩耗痕の深さについて顕微鏡を用いて測定した。

続いて評価試験１−２として評価試験１−１と同様の試験を行い、下側垂直壁部１３５に形成された摩耗痕の深さについて測定した。ただし、ウエハ保持部１３３には実施の形態で説明した保護膜２５（保護膜２６）が形成されており、その厚さは３μｍである。
また、評価試験１−３として評価試験１−２と同様に試験を行い、下側垂直壁部１３５に形成された各摩耗痕の深さについて測定した。ただし、この評価試験１−３では、ウエハ保持部１３３は実施の形態と同じＰＥＥＫにより構成されている。ウエハ保持部１３３に形成された保護膜２５の厚さは評価試験１−２と同じ３μｍである。

評価試験１−４として評価試験１−３と同様に試験を行い、下側垂直壁部１３５に形成された摩耗痕の深さについて測定した。ただしウエハ保持部１３３を往復移動させる回数としては１０００万回とした。下側垂直壁部１３５に形成された保護膜２５の厚さは評価試験１−３と同じ３μｍである。このウェハ保持部１３３は、評価試験１−１と同様の樹脂により構成されている。
評価試験１−５として、評価試験１−４と同様に試験を行い、下側垂直壁部１３５に形成された各摩耗痕の深さについて測定した。ただし、この評価試験１−５では、ウエハ保持部１３３は評価試験１−２と同様の所定の樹脂により構成されている。ウエハ保持部１３３の各所に形成された保護膜２５の厚さは８μｍである。ウエハ保持部１３３の往復移動回数は１０００万回とした。

評価試験１−６として、評価試験１−４と同様に試験を行った。ただし、ウエハ保持部１３３の往復移動回数は１０００万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部１３４とした。
評価試験１−７として、評価試験１−３と同様の試験を行った。ただし、ウエハ保持部１３３の往復移動回数は１０００万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部１３４とした。
評価試験１−８として、評価試験１−５と同様の試験を行った。ただし、ウエハ保持部１３３の往復移動回数は１０００万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部１３４とした。

図１３は評価試験１−１〜１−８についての結果を示しており、最も大きな摩耗痕の深さを斜線のグラフで、各摩耗痕の深さの平均値を多数の点を付したグラフで評価試験毎に夫々表している。また、各グラフ上に結果の数値を示しており、この数値の単位はμｍである。評価試験１−１の結果と評価試験１−２の結果とを比べると、評価試験１−２の方が最大摩耗痕深さも、摩耗痕の平均値も小さくなっている。従って、これら評価試験１−１及び１−２の結果から実施の形態で述べたように、保護膜２５を成膜することでウエハ保持部１３３の下側垂直壁部１３５（テーブル１１）の耐摩耗性が向上することが示された。また、評価試験１−４では評価試験１−１よりもウエハＷの下側垂直壁部１３５への衝突回数が多いが、最大摩耗痕深さ及び摩耗痕の深さの平均値は評価試験１−４の方が小さかった。このことからも、保護膜２５を成膜することで下側垂直壁部１３５の耐摩耗性が向上することが示されている。

評価試験１−３、１−５の結果から、ウエハ保持部１３３を構成する樹脂及び保護膜２５の膜厚を変更しても、評価試験１−１よりも耐摩耗性が高くなっていることが分かる。また、評価試験１−６〜１−８について最大摩耗痕深さ及び摩耗痕の深さの平均値が比較的小さく抑えられていることから、裏面支持部１３４についても保護膜２５を形成することが有効であると考えられる。

（評価試験２）
評価試験２−１として、ウエハ保持部１３３にスルホン酸の原液を滴下し、形成された摩耗痕（腐食痕）の深さについて顕微鏡を用いて測定した。ただし、このウエハ保持部１３３には保護膜２５が形成されておらず、また、ＰＥＥＫ樹脂の代わりに評価試験１−１で用いた所定の樹脂により構成されたウエハ保持部１３３を使用した。

評価試験２−２として、実施の形態と同様に各部に保護膜２５（保護膜２７）が形成されたウエハ保持部１３３について、その保護膜２５上に評価試験２−１と同様にスルホン酸の原液を滴下し、形成された摩耗痕について顕微鏡を用いて測定した。ウエハ保持部１３３は評価試験２−１と同様に所定の樹脂により構成され、保護膜２５の厚さが１μｍであるものを用いた。
評価試験２−３として、保護膜２５の厚さが３μｍであるウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の試験を行った。
評価試験２−４として、保護膜２５の厚さが６μｍであるウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の試験を行った。

評価試験２−５として、保護膜２５の厚さが８μｍであるウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の試験を行った。
評価試験２−６として、ＰＥＥＫにより構成され、３μｍの保護膜保護膜２５が形成されたウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の評価試験を行った。この保護膜２５を構成する各元素の比率は、評価試験２−１〜２−５の保護膜２５を構成する各元素の比率と異なっている。
評価試験２−７として、ＰＥＥＫにより構成され、３μｍの保護膜２５が形成されたウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の評価試験を行った。この保護膜２５を構成する元素の比率は、評価試験２−１〜２−５の保護膜２５を構成する各元素の比率と同じである。

評価試験２−８として、ポリイミドにより構成され、３μｍの保護膜２５が形成されたウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の試験を行った。この保護膜２５を構成する元素の比率は、評価試験２−６の保護膜２５を構成する各元素の比率と同じである。
評価試験２−９としてポリイミドにより構成され、３μｍの保護膜２５が形成されたウエハ保持部１３３を用いて評価試験２−１と同様の試験を行った。この保護膜２５を構成する元素の比率は、評価試験２−１〜２−５の保護膜２５を構成する各元素の比率と同じである。

図１４は評価試験２−１〜２−９についての結果を示しており、図１３と同様に最も大きな摩耗痕の深さを斜線のグラフで、各摩耗痕の深さの平均値を多数の点を付したグラフで評価試験毎に夫々表している。また、各グラフ上に結果の数値を示しており、この数値の単位はμｍである。評価試験２−１の結果と評価試験２−２〜２−５の結果とを比べると、評価試験２−２〜２−５では評価試験２−１よりも最大摩耗痕深さ及び摩耗痕の平均値が小さくなっている。従って、これら評価試験２−１〜２−５の結果から、保護膜２５を形成することで耐酸性が向上することが示された。
また、評価試験２−６〜２−９についても最大摩耗痕深さ及び摩耗痕深さの平均値が比較的小さく抑えられていた。従ってこれらの結果からも保護膜２５を形成することが耐腐食性を向上させるために有効であると考えられる。

Ｗ ウェハ
１０ 処理容器
１１ テーブル
１２ 回転軸
１３ スピンチャック
１５ 吸引ポンプ
２１ 吸引孔
２４ ファイバー
２５ 保護膜
４５ ベベル洗浄ノズル
７１ レジストノズル
７２ 溶剤ノズル

Claims (6)

1. 樹脂を含む成型体により構成され、基板を保持するための基板載置部と、
   その強度を向上させるために前記基板載置部内に多数埋設された繊維体と、
   前記基板載置部の基板に対する耐摩耗性を高めるために、前記基板載置部の表面の少なくとも基板載置面の表面を覆うようにかつ成形時に前記基板載置部の表面から突出した前記繊維体が覆われるように形成された保護膜と、
   前記基板保持部に載置された基板を裏面側から吸引するために、前記基板載置部内に設けられた吸引路と、を備えたことを特徴とする真空チャック。
2. 前記基板載置部は、回転自在に構成されると共に、当該基板載置部に吸着保持した基板を回転させながら処理液を供給して液処理を行うために用いられ、
   前記保護膜は、前記処理液に接触することによる前記基板載置部の劣化を抑えるために、更に前記基板載置部の側面及び裏面の少なくとも一方において、成形時に前記基板載置部の表面から突出した前記繊維体が覆われるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の真空チャック。
3. 回転自在に構成された基板載置部に吸着保持した基板を回転させながら処理液を供給して液処理を行うために用いられる真空チャックにおいて、
   樹脂を含む成型体により構成され、基板を保持するための基板載置部と、
   その強度を向上させるために前記基板載置部内に多数埋設された繊維体と、
   前記処理液に接触することによる前記基板載置部の劣化を抑えるために、前記基板載置部の側面及び裏面の少なくとも一方において、成形時に前記基板載置部の表面から突出した前記繊維体が覆われるように形成された保護膜と、
   前記基板保持部に載置された基板を裏面側から吸引するために、前記基板載置部内に設けられた吸引路と、を備えたことを特徴とする真空チャック。
4. 前記基板載置部の側面及び裏面の少なくとも一方に形成された保護膜は、前記処理液に対して撥水性を高めるためにフッ素を含んでいることを特徴とする請求項２または３に記載の真空チャック。
5. 前記保護膜は、ダイヤモンドライクカーボン膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の真空チャック。
6. 処理カップ内において真空チャックに吸着保持した基板を回転させながら処理液を供給して液処理を行うための液処理装置において、
   前記真空チャックとして、請求項１ないし５のいずれか一つに記載の真空チャックを用いたことを特徴とする液処理装置。

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