CN101901777B - 基板支承装置及基板支承方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板支承装置及基板支承方法。该基板支承装置能够防止由于由与基板的接触引起的磨损及由基板带来的药品的化学性侵蚀而无法正常地支承基板。该基板支承装置包括：支承构件，其具有支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包覆该基材，用于防止该基材的磨损及化学性侵蚀中的至少一种。该基板支承装置例如还包括支承上述支承构件的基体和用于使支承构件相对于上述基体移动的驱动机构，构成为基板输送装置。上述支承构件例如构成为用于对基板进行加热或冷却的温度调整板。

Description

基板支承装置及基板支承方法
技术领域
本发明涉及基板支承装置及基板支承方法。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的光刻工序中，在半导体晶圆(以下称作晶圆)的表面涂敷抗蚀剂，在以规定的图案对该抗蚀剂进行曝光之后使其显影而形成抗蚀图案。该处理通常使用在进行抗蚀剂的涂敷、显影的涂敷、显影装置上连接曝光装置而成的系统中进行。
该涂敷、显影装置包括用于向晶圆涂敷抗蚀剂的抗蚀剂涂敷组件、用于向晶圆供给显影液的显影组件、在由抗蚀剂涂敷组件及显影组件对晶圆进行处理的前后对晶圆进行加热或冷却的加热、冷却系统组件等。而且，在这些各组件之间及涂敷、显影装置与曝光装置之间，例如利用支承着晶圆进行输送的、作为基板支承装置的一个形态的输送臂等的基板输送装置来输送晶圆。图19(a)、(b)表示构成该基板输送装置的晶圆输送部的一个例子。
图19(a)、(b)所示的晶圆输送部101包括形成为大致C字形的框架102，晶圆W以被该框架102包围的方式被保持。在框架102的内周设有4个晶圆保持构件103。晶圆保持构件103为了防止晶圆W的金属污染而由树脂形成，该晶圆保持构件103包括：在框架102的内侧水平地支承晶圆W的背面支承部104；用于包围晶圆W的侧面、防止晶圆W自晶圆输送部101落下的侧壁部105；倾斜部106。在交接、输送晶圆W时，晶圆W的周缘部搭在倾斜部106上，则晶圆W的背面在倾斜部106及背面支承部104上滑动，从而被引导到由上述侧壁部105包围的支承区域。
晶圆的尺寸被标准化，但由于各晶圆之间存在例如±0.25～±0.5mm左右的误差，因此，以如下方式配置各晶圆保持构件103，即，在将晶圆W保持于晶圆输送部101上时，如图19(b)所示，上述支承区域比晶圆W的直径大一些，即在侧壁部105与晶圆W的侧面之间形成有些许间隙。
但是，在晶圆输送部101移动时，由于如上所述地在侧壁部105与晶圆W的侧面之间形成有间隙，因此，被保持的晶圆W由于惯性力而如图20(a)所示地在背面支承部104上滑动，其侧面会冲撞侧壁部105。结果，侧壁部105及背面支承部104会磨损。图20(b)示意性地表示用显微镜观察实际装置所使用的晶圆输送部101的侧壁部105的结果，附图标记108是如上所述地形成的磨损痕迹。现今，谋求提高涂敷、显影装置的生产率，为此，由基板输送装置输送晶圆W的速度有所上升。这样若输送速度上升，就更加易于导致晶圆保持构件103磨损。
另外，在涂敷、显影装置中，为了对晶圆W表面进行各种处理而使用各种药液。作为药液，有上述抗蚀剂及显影液、用于在晶圆W上形成防反射膜、保护膜等的药液等。这些各药液有时例如以混合的状态进入到晶圆的侧面、背面而附着在其上。在输送该晶圆W时，各晶圆保持构件103有时与附着于该晶圆W上的药液相接触而被化学性侵蚀。化学性侵蚀包括腐蚀。
由于这些物理性的磨损、化学性侵蚀，有可能导致例如背面支承部104发生变形而使晶圆W被倾斜地保持；由于侧壁部105的磨损、化学性侵蚀，有可能导致晶圆W进入到该磨损痕迹、侵蚀痕迹中，而使晶圆W在脱离了正常的支承区域的状态下被支承；由于倾斜部106及背面支承部104的摩擦系数因上述磨损及侵蚀而增大，结果可能导致晶圆W在该倾斜部106上滑落。由此，在输送过程中，晶圆W有可能自该晶圆输送部101落下，或者晶圆W未被交接到各组件的正常位置而不能正常地进行处理。
另外，在涂敷、显影装置的各组件中，作为基板支承装置有这样设置的情况，即，设有包括晶圆W的背面支承部的载物台，为了防止载置在该背面支承部上的晶圆W横滑而设有包围晶圆W侧面的位置限制部。被该位置限制部包围的载置区域也考虑到晶圆W的误差而被设定得大于晶圆W的直径。而且，该载物台与晶圆保持构件103同样地也可能发生背面支承部及位置限制部的磨损及由晶圆W带来的药液导致的化学性侵蚀、在该载物台上使晶圆W偏离载置区域地载置晶圆W、使晶圆W倾斜，从而导致不能进行正常的处理，或者在该载物台与基板输送装置之间无法正常地交接该晶圆W。
在专利文献1中，记载了利用类金刚石碳膜包覆由树脂构成的机械零件基体的技术，但并未记载上述基板输送及基板载置的问题，无法解决该问题。另外，在专利文献2中记载了上述晶圆输送部，但并未记载能够解决上述问题的方法。
专利文献1：日本特许3355950号(段落0017)
专利文献2：日本特开平11-243133(图7等)
发明内容
本发明即是在这样的情况下做成的，其目的在于提供能够防止由于由与基板的接触引起的磨损及由基板带来的药品所引起的化学性侵蚀而无法正常地支承基板的基板支承装置及基板支承方法。
本发明是一种基板支承装置，其特征在于，该基板支承包括：支承构件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包覆该基材，用于防止该基材的磨损及化学性侵蚀中的至少一种。
本发明的基板支承装置的特征在于，该基板支承装置包括用于支承上述支承构件的基体和用于使支承构件相对于上述基体移动的驱动机构，而构成为基板输送装置。
本发明的基板支承装置的特征在于，上述支承构件是用于对基板进行加热或冷却的温度调整板。
本发明是一种基板支承装置，其特征在于，该基板支承包括：支承构件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板的位置；在上述支承构件上设有倾斜部，该倾斜部自被位置限制部包围的基板的支承区域的外方朝向该支承区域下降，用于使基板的周缘部滑下而将基板引导到背面支承部上，上述背面支承部、上述位置限制部、上述倾斜部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包覆该基材，用于防止该基材的磨损及化学性侵蚀中的至少一种。
本发明的基板支承装置的特征在于，上述基材由树脂构成。
本发明的基板支承装置的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维，上述保护膜包覆上述基材和纤维，防止上述位置限制部、背面支承部或者倾斜部的磨损。
本发明的基板支承装置的特征在于，上述保护膜由类金刚石构成。
本发明是一种基板支承方法，其特征在于，该基板支承方法包括以下工序：利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包覆该基材，用于防止该基材的磨损及化学性侵蚀中的至少一种。
本发明的基板支承方法的特征在于，该基板支承方法包括利用基体支承上述支承构件的工序和利用驱动机构使支承构件相对于上述基体移动而输送基板的工序。
本发明的基板支承方法的特征在于，该基板支承方法包括利用上述支承构件对基板进行加热或冷却的工序。
本发明是一种基板支承方法，其特征在于，该基板支承方法包括以下工序：利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；利用设置于上述支承构件上、且自被位置限制部包围的基板的支承区域的外方朝向该支承区域下降的倾斜部，使基板的周缘部滑下而将基板引导到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述倾斜部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包覆该基材，用于防止该基材的磨损及化学侵蚀中的至少一种。
本发明的基板支承方法的特征在于，上述基材由树脂构成。
本发明的基板支承方法的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维，上述保护膜包覆上述基材和纤维，防止上述位置限制部、背面支承部或者倾斜部的磨损。
本发明是一种基板支承装置，其特征在于，该基板支承装置包括：支承构件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包括包覆该基材的第1膜和层叠在该第1膜上的第2膜，用于防止化学性侵蚀。
本发明的基板支承装置的特征在于，该基板支承装置包括用于支承上述支承构件的基体和用于使支承构件相对于上述基体移动的驱动机构，而构成为基板输送装置。
本发明的基板支承装置的特征在于，上述支承构件是用于对基板进行加热或冷却的温度调整板。
本发明是一种基板支承装置，其特征在于，该基板支承装置包括：支承构件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板的位置；在上述支承构件上设有倾斜部，该倾斜部自被位置限制部包围的基板的支承区域的外方朝向该支承区域下降，用于使基板的周缘部滑下而将基板引导到背面支承部上，上述背面支承部、上述位置限制部、上述倾斜部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包括包覆该基材的第1膜和层叠在该第1膜上的第2膜，用于防止化学性侵蚀。
本发明的基板支承装置的特征在于，上述基材由树脂构成。
本发明的基板支承装置的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维，上述保护膜包覆上述基材和纤维，防止上述位置限制部、背面支承部或者倾斜部的磨损。
本发明的基板支承装置的特征在于，上述保护膜由类金刚石构成。
本发明的基板支承方法的特征在于，构成上述第1膜的主要成分与构成上述第2膜的主要成分互不相同。
本发明的基板支承方法的特征在于，作为构成上述第1膜的主要成分含有氟，作为构成第2膜的主要成分含有硅。
本发明是一种基板支承方法，其特征在于，该基板支承方法包括以下工序：利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包括包覆该基材的第1膜和层叠在该第1膜上的第2膜，用于防止化学性侵蚀。
本发明的基板支承方法的特征在于，该基板支承方法包括利用基体支承上述支承构件的工序和利用驱动机构使支承构件相对于上述基体移动而输送基板的工序。
本发明的基板支承方法的特征在于，该基板支承方法包括利用上述支承构件对基板进行加热或冷却的工序。
本发明是一种基板支承方法，其特征在于，该基板支承方法包括以下工序：利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；利用设置于上述支承构件上、且自被位置限制部包围的基板的支承区域的外方朝向该支承区域下降的倾斜部，使基板的周缘部滑下而将基板引导到背面支承部上；上述背面支承部、上述位置限制部、上述倾斜部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包括包覆该基材的第1膜和层叠在该第1膜上的第2膜，用于防止化学性侵蚀。
本发明的基板支承方法的特征在于，上述基材由树脂构成。
本发明的基板支承方法的特征在于，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维，上述保护膜包覆上述基材和纤维，防止上述位置限制部、背面支承部或者倾斜部的磨损。
本发明是一种真空卡盘，其特征在于，该真空卡盘包括：基板载置部，其由含有树脂的成型体构成，具有用于保持基板的基板载置面；纤维体，其在上述基板载置部内埋设有许多个，用于提高基板载置部的强度；保护膜，其形成为至少覆盖基板载置面的表面、且覆盖自上述基板载置部的表面突出的上述纤维体，用于提高上述基板载置部相对于基板的耐磨损性；吸引通路，其设置在上述基板载置部内，用于从背面侧吸引被载置于上述基板保持部上的基板。
本发明的真空卡盘的特征在于，上述基板载置部能自由旋转，用于一边使被吸附保持于该基板载置部上的基板旋转一边供给处理液而进行液体处理，上述保护膜还在上述基板载置部的侧面及背面中的至少一个上形成为覆盖自上述基板载置部的表面突出的上述纤维体，抑制由与上述处理液相接触导致的上述基板载置部老化。
本发明是一种真空卡盘，该真空卡盘用于一边使被吸附保持于能自由旋转配置的基板载置部上的基板旋转一边供给处理液而进行液体处理，其特征在于，该真空卡盘包括：基板载置部，其由含有树脂的成型体构成，具有用于保持基板的基板载置面；纤维体，其在上述基板载置部内埋设有许多个，用于提高基板载置部的强度；保护膜，其在上述基板载置部的侧面及背面中的至少一个上形成为覆盖自上述基板载置部的表面突出的上述纤维体，抑制由与上述处理液相接触导致的上述基板载置部老化；吸引通路，其设置在上述基板载置部内，用于从背面侧吸引被载置于上述基板保持部上的基板。
本发明的真空卡盘的特征在于，形成于上述基板载置部的侧面及背面中的至少一个上的保护膜为了提高对于上述处理液的疏水性而含有氟。
本发明的真空卡盘的特征在于，上述保护膜是类金刚石膜。
本发明是一种液体处理装置，该液体处理装置用于在处理杯内一边使被吸附保持于真空卡盘上的基板旋转一边供给处理液而进行液体处理，其特征在于，上述真空卡盘包括：基板载置部，其由含有树脂的成型体构成，具有用于保持基板的基板载置面；纤维体，其在上述基板载置部内埋设有许多个，用于提高基板载置部的强度；保护膜，其形成为至少覆盖基板载置面的表面、且覆盖自上述基板载置部的表面突出的上述纤维体，用于提高上述基板载置部相对于基板的耐磨损性；吸引通路，其设置在上述基板载置部内，用于从背面侧吸引被载置于上述基板保持部上的基板。
本发明是一种液体处理装置，该液体处理装置用于在处理杯内一边使被吸附保持于真空卡盘上的基板旋转一边供给处理液而进行液处理，其特征在于，上述真空卡盘用于一边使被吸附保持于能自由旋转配置的基板载置部上的基板旋转一边供给处理液而进行液处理，该真空卡盘包括：基板载置部，其由含有树脂的成型体构成，具有用于保持基板的基板载置面；纤维体，其在上述基板载置部内埋设有许多个，用于提高基板载置部的强度；保护膜，其在上述基板载置部的侧面及背面中的至少一个上形成为覆盖自上述基板载置部的表面突出的上述纤维体，抑制由与上述处理液相接触导致的上述基板载置部老化；吸引通路，其设置在上述基板载置部内，用于从背面侧吸引被载置于上述基板保持部上的基板。
由于本发明的基板支承装置包括：支承构件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板位置；保护膜，其包覆上述背面支承部、上述位置限制部中的至少一个，用于防止它们的磨损及化学性侵蚀中的至少一个，因此，能够防止由上述磨损或者化学性侵蚀导致无法正常地支承基板。
本发明的基板支承装置利用由第1膜和层叠于该第1膜上的第2膜构成的保护膜，包围用于支承基板背面的背面支承部或者被上述背面支承部支承的基板的侧面，包覆限制基板位置的位置限制部。即使因成膜处理的异常而导致在第1膜及第2膜中形成贯穿各膜的通孔，只要这些通孔不重合，构成背面支承部、位置限制部的基材就不会露出，因此，能够防止该基材被化学性侵蚀、无法正常地支承基板。
本发明的真空卡盘将基板载置在由含有树脂的成型体构成的基板载置部上并吸附保持基板，为了提高基板载置部的强度而在基板载置部内埋设许多个纤维体，并且，在该基板载置部中的至少基板载置面的表面上以在成形时覆盖自该基板载置部的表面朝向外方突出的上述纤维体的方式形成保护膜，因此，能够抑制由与基板的摩擦、滑动导致的基板载置部老化(磨损)。另外，由于保护膜借助纤维体利用所谓的锚固效应牢固地粘着在基板载置部上，即使例如基板载置部因旋转等而稍稍变形，保护膜也能够追随基板载置部的形状而变形，因此，能够抑制膜剥离、破损。因而，即使在处理许多张晶圆的情况下，也能够抑制基板载置部老化。另外，在将基板吸附保持于真空卡盘上并供给处理液而进行液体处理时，通过在基板载置部的侧面侧及背面侧中的至少一个上以覆盖自基板载置部的表面朝向外方突出的许多个纤维体的方式形成保护膜，即使处理液从基板的表面经由侧面侧进入到背面侧，也能够抑制处理液附着于基板载置部、处理液从纤维体与基板载置部之间的界面进入，因此，能够抑制由处理液导致的基板载置部老化(侵蚀)。
附图说明
图1是包括本发明的第1实施方式的基板输送装置的涂敷、显影装置的俯视图。
图2是涂敷、显影装置的立体图。
图3是涂敷、显影装置的纵剖侧视图。
图4是涂敷、显影装置的处理组件的立体图。
图5是设置于处理组件的输送臂上的晶圆输送部的立体图。
图6是晶圆输送部的纵剖侧视图。
图7(a)、(b)是晶圆保持构件的立体图及该晶圆保持构件的表面的纵剖视图。
图8(a)～(c)是表示晶圆保持部的制造工序的工序图。
图9(a)～(d)是表示向晶圆输送部交接晶圆的工序的工序图。
图10(a)～(c)是表示晶圆冲撞晶圆保持部的侧壁部时的情形的说明图。
图11(a)、(b)是设置于涂敷、显影装置中的接口臂的俯视图及纵剖侧视图。
图12是接口臂的晶圆输送部的立体图。
图13(a)～(e)是表示晶圆输送部接收晶圆的工序的说明图。
图14(a)、(b)是设置于涂敷、显影装置中的加热组件的加热板的俯视图及纵剖侧视图。
图15(a)～(c)是表示向加热板交接晶圆的工序的工序图。
图16是评价试验所采用的装置的说明图。
图17是表示评价试验的结果的坐标图。
图18是表示评价试验的结果的坐标图。
图19是以往的输送臂的晶圆输送部的俯视图及纵剖侧视图。
图20是表示以往的输送臂磨损的情形的说明图。
图21是本发明的第2实施方式的晶圆输送部的纵剖侧视图。
图22(a)、(b)是晶圆保持构件的立体图及该晶圆保持构件的表面的纵剖视图。
图23(a)～(d)是表示晶圆保持构件的制造工序的工序图。
图24(a)～(d)是表示向晶圆输送部交接晶圆的工序的工序图。
图25(a)、(b)是表示向晶圆保持构件交接晶圆的情形的说明图。
图26(a)～(c)是表示晶圆冲撞晶圆保持构件的侧壁部时的情形的说明图。
图27(a)、(b)是表示晶圆保持构件的另一例子的纵剖侧视图。
图28(a)、(b)是设置于涂敷、显影装置中的接口臂的俯视图及纵剖侧视图。
图29(a)、(b)是接口臂的晶圆输送部的立体图。
图30(a)～(c)是表示晶圆输送部接收晶圆的工序的说明图。
图31是本发明的第3实施方式的抗蚀剂涂敷装置的纵剖视图。
图32(a)、(b)是上述抗蚀剂涂敷装置所采用的平台的说明图。
图33是放大表示平台的纵剖视图。
图34(a)、(b)是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的概略图。
图35(a)、(b)是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的概略图。
图36(a)、(b)是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的概略图。
图37是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的概略图。
图38是表示在表面未形成类金刚石碳膜的情况下的平台的概略图。
图39是表示应用抗蚀剂涂敷装置的涂敷、显影装置的立体图。
图40是涂敷、显影装置的俯视图。
图41是涂敷、显影装置的纵剖视图。
图42(a)、(b)是表示本发明的实施例的实验方法的概略图。
图43是表示利用本发明的实施例获得的结果的特性图。
图44是表示利用本发明的实施例获得的结果的特性图。
具体实施方式
第1实施方式
根据图1～图18说明本发明的第1实施方式。
对设有本发明的基板支承装置的涂敷、显影装置1进行说明。图1表示在涂敷、显影装置1上连接有曝光装置C4的抗蚀图案形成系统的俯视图，图2是该系统的立体图。另外，图3是该系统的纵剖视图。在该涂敷、显影装置1中设有载体模块C1，交接臂12自载置在载置台11上的密闭型的载体10取出晶圆W，将其交接到处理模块C2，交接臂12自处理模块C2接收处理完毕的晶圆W而使其返回到载体10。
如图3所示，在该例子中，上述处理模块C2自下方起依次层叠用于进行显影处理的第1模块(DEV层)B1、用于进行在抗蚀剂膜的下层形成防反射膜的处理的第2模块(BCT层)B2、用于涂敷抗蚀剂膜的第3模块(COT层)B3、用于进行在抗蚀剂膜的上层侧形成保护膜的处理的第4模块(ITC层)B4。
由于处理模块C2的各层俯视为同样的结构，因此，以第3模块(COT层)B3为例进行说明，COT层B3包括：抗蚀剂膜形成组件13，其用于形成作为涂敷膜的抗蚀剂膜；架单元U1～U4，其构成用于进行在上述抗蚀剂膜形成组件13进行的处理的前处理及后处理的加热、冷却系统的处理组件组；作为基板处理装置的输送臂A3，其设置在上述抗蚀剂膜形成组件13与加热、冷却系统的处理组件组之间，并在它们之间进行晶圆W的交接。
上述架单元U1～U4沿着输送臂A3进行移动的输送区域R1排列，分别通过层叠上述加热组件21、冷却组件而构成。加热组件21包括用于对所载置的晶圆进行加热的加热板7，冷却组件包括用于对所载置的晶圆进行冷却的冷却板。在图1中示出了加热组件21，加热组件21包括冷却板24，该冷却板24在输送区域R1侧与加热板7侧之间移动，具有中转交接晶圆W并且对被加热后的晶圆W进行冷却的作用。加热板7的构造见后述。
对于第2模块(BCT层)B2、第4模块(ITC层)B4，除了分别设有相当于上述抗蚀剂膜形成组件的防反射膜形成组件、保护膜形成组件、并在这些组件中替代抗蚀剂而分别向晶圆W供给防反射膜形成用的药液、保护膜形成用的药液作为涂敷液之外，是与COT层B3同样的构造。
第1模块(DEV层)B1，在一个DEV层B1内层叠有两层与抗蚀剂膜形成组件相对应的显影组件，在第1模块B1中设有构成用于进行该显影组件的前处理及后处理的加热、冷却系统的处理组件组的架单元。而且，在该DEV层B1内设有向上述两层显影组件和上述加热、冷却系统的处理组件输送晶圆W的输送臂A1。即，为两层显影组件共用输送臂A1的结构。
如图1及图3所示，在处理模块C2中还设有架单元U5，将来自载体模块C1的晶圆W依次输送到上述架单元U5的一个交接单元、例如第2模块(BCT层)B2所对应的交接单元CPL2。第2模块(BCT层)B2内的输送臂A2自该交接单元CPL2接收晶圆W而将其输送到各单元(防反射膜形成组件及加热、冷却系统的处理组件组)，在这些单元中在晶圆W上形成防反射膜。
之后，将晶圆W输送到架单元U5的交接单元BF2、交接臂D1、架单元U5的交接单元CPL3，在此将晶圆W的温度调整为例如23℃，然后借助输送臂A3将晶圆W输送到第3模块(COT层)B3，在抗蚀剂膜形成组件13中形成抗蚀剂膜。并且，晶圆W经由输送臂A3→架单元U5的交接单元BF3→交接臂D1被输送到架单元U5中的交接单元BF3。另外，形成有抗蚀剂膜的晶圆W有时也在第4模块(ITC层)B4中形成保护膜。在这种情况下，经由交接单元CPL4将晶圆W交接到输送臂A4，在形成保护膜之后，利用输送臂A4将晶圆W交接到交接单元TRS4。
另一方面，在DEV层B1内的上部设有作为专用的输送部件的梭式臂14，该梭式臂14用于自设置于架单元U5的交接单元CPL11向设置于架单元U6的交接单元CPL12直接输送晶圆W。借助交接臂D1自交接单元BF3、TRS4接收形成有抗蚀剂膜、甚至是保护膜的晶圆W并将其交接到交接单元CPL11，利用梭式臂14将晶圆W从交接单元CPL11直接输送到架单元U6的交接单元CPL12，放入到接口模块C3中。另外，图3中的标注有CPL的交接单元兼用作调温用的冷却单元，标注有BF的交接单元兼用作能够载置多张晶圆W的缓冲单元。
接着，利用接口臂50将晶圆W输送到曝光装置C4，在此进行了规定的曝光处理之后，将晶圆W载置于架单元U6的交接单元TRS6上而使其返回到处理模块C2。在第1模块(DEV层)B1中对返回来的晶圆W进行显影处理，利用输送臂A1将晶圆W交接到架单元U5的交接单元TRS1。之后，借助交接臂12使晶圆W返回到载体10。
在此，参照图4对作为构成COT层B3的基板支承装置的一个实施方式的基板输送装置的输送臂A3进行说明。输送臂A3包括沿着输送区域R1移动的水平移动部25、在水平移动部25中上下升降的升降基体26、在升降基体26上绕铅垂轴线转动的转动基体27。在转动基体27上设有两个晶圆输送部3，该两个晶圆输送部3被该转动基体27支承，在转动基体27上互相独立地前后移动。上述水平移动部25、升降基体26、转动基体27的动作通过未图示的驱动机构来进行。
参照图5及图6说明晶圆输送部3。该晶圆输送部3具有与背景技术栏中所述的晶圆输送部101同样的形状，该晶圆输送部3包括形成为大致C字形的框架32，该框架32具有自基部分为2支延伸出的突起。在框架32的内周侧隔开间隔地设有4个晶圆保持构件33，这4个晶圆保持构件33用于在该内周侧保持晶圆W。由框架32和晶圆保持构件33构成的晶圆输送部3构成基板的支承构件。
也参照作为晶圆保持构件33的立体图的图7(a)说明晶圆保持构件33。图7(a)中标注许多个点的部位是表示被后述的保护膜41包覆的部位。晶圆保持构件33包括：用于支承晶圆W背面的背面支承部34；包围被背面支承部34支承的晶圆W的侧面、作为用于限制晶圆W位置的位置限制部的下侧垂直壁部35；与该下侧垂直壁部35连续、形成为朝向该下侧垂直壁部35下降地的倾斜部36。倾斜部36具有使上到该倾斜部36的晶圆W的周缘部滑落、而将晶圆W引导到被上述下侧垂直壁部35包围的支承区域30的作用。如背景技术栏中说明的那样，晶圆保持构件33以支承区域30的直径比晶圆W的直径大一些的方式设置于框架32上。
另外，在倾斜部36上，与该倾斜部36连续地形成有上侧垂直壁部37。上侧垂直壁部37具有这样的作用，即，在利用晶圆输送部3输送晶圆W时，防止因惯性、冲撞从支承区域30跃上到倾斜部36上的晶圆W的周缘部进一步朝向上述支承区域30的外方去而自保持构件33落下。
晶圆保持构件33为了防止晶圆W的金属污染而由例如作为PEEK(聚醚醚酮)树脂的成型体的基材40构成，如图7(b)所示，在基材40中，为了提高其强度而混入保持有作为纤维体的许多个碳纤维42。碳纤维42的直径例如为7μm左右，其长度为例如0.1mm～0.6mm左右。而且，许多个碳纤维42的前端自上述基材40的表面突出1μm～5μm左右。
如图6及图7(b)所示，在上述背面支承部34、下侧垂直壁部35及倾斜部36的表面形成有由DLC(类金刚石膜)构成的保护膜41，该DLC是由碳化氢或者碳的同素异形体构成的非晶质的硬质膜。由于DLC具有比上述基材40高的硬度，因此，DLC具有较高的耐磨损性，对于各种药液具有较高的抗腐蚀性，而且，其摩擦系数低于基材40。
为了防止药液经由保护膜41和自基材40表面突出的碳纤维42之间的间隙而被供给到基材40并且为了充分降低摩擦系数，将该保护膜41形成为覆盖上述碳纤维42的前端，且使该保护膜41具有比该突出的前端的长度大的膜厚。另外，作为图7(b)的保护膜41的厚度H1，若其厚度过小，则膜的致密性较小，药液有可能透过保护膜41而侵蚀基材40，若其厚度过大，则在如后所述地晶圆W冲撞保护膜41时，保护膜41不会随基材40变形，导致其冲撞吸收性降低，因此，保护膜41的厚度H1例如优选为1μm～10μm。
说明该晶圆保持构件33的制造方法。向熔融的上述树脂中混合许多个碳纤维42，将该混合物填充入用于成形晶圆保持构件33的模具43中。然后，在模具43内使树脂固化而形成基材40。图8(a)表示出基材40与模具43的边界，存在于该边界附近的碳纤维42的前端部因树脂固化时的膨胀收缩等被模具43按压而弯折成与模具43密接的状态。另外，与模具43内表面的表面粗糙度等的形状相应地，有时在基材40的表面形成有微小的凹凸形状。然后，如图8(b)所示，自模具43拆下晶圆保持构件33时，弯折的碳纤维42的前端利用欲向外方弹出的回弹力(纤维42的恢复力)或者与模具43的内表面形状相应地在晶圆保持构件33的表面立起，成为突出于该表面的状态。另外，在各图中，以相同的粗度描画纤维42的突出于基材40表面的前端和埋入到基材40中的部分，但也存在上述前端被模具43压扁而使其直径变得小于埋入到基材40中的部分的情况。
之后，如图8(c)所示，例如利用PVD(Physical VaporDeposition)或者CVD(Chemical Vapor Deposition)形成上述保护膜41。即，由于基材40的表面突出有碳纤维42而成为形成有复杂的凹凸的状态，因此，保护膜41因该凹凸而形成为错综复杂。因而，保护膜41形成得相对于基材40的密接性较高。另外，在各图中，以相同的粗度描画纤维42的突出于基材40表面的前端和埋入到基材40中的部分，但也存在上述前端被模具43压扁而使其直径变得小于埋入到基材40中的部分的情况。
例如在利用等离子CVD法形成上述DLC的保护膜41的情况下，作为原料气体，采用形成DLC通常所采用的甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4H10)、乙炔(C2H2)、苯(C6H6)、四氟化碳(CF4)、六氟化二碳(C2F6)等碳化合物气体。
根据需要，向这些碳化合物气体中混合作为载体气体的氢气、惰性气体等，将它们供给到基材40进行成膜。
接着，参照图9对该输送臂A3的晶圆输送部3自设置于交接单元BF3中的载物台44接收晶圆W时的工艺进行说明。使晶圆输送部3朝向载物台44前进，如图9(a)所示地位于被载置于该载物台44上的晶圆W的下方侧。之后，使晶圆输送部3上升，如图9(b)所示地例如将晶圆W以下述倾斜的状态交接到晶圆输送部3上，上述倾斜的状态是指晶圆W的背面被4个晶圆保持构件33中的一部分晶圆保持构件33的背面支承部34支承、且晶圆W的周缘部位于4个倾斜部36中的一部分倾斜部36上。
在这样地将晶圆W交接到晶圆输送部3上时，由于倾斜部36及背面支承部34被保护膜41包覆，因此，能够抑制由晶圆W的冲撞造成的破损。另外，此时，即使在例如晶圆W的背面及侧面的斜面部附着有药液的雾沫，也能够利用该保护膜41防止上述雾沫附着于基材上，因此，能够防止由该雾沫导致化学性侵蚀。
而且，由于保护膜41的摩擦系数较低，因此，晶圆W的周缘部在倾斜部36上滑下，并且晶圆W在上述背面支承部34上滑动，如图9(c)所示，晶圆W位于被下侧垂直壁部35包围的支承区域30中并被水平地保持。
之后，在晶圆保持构件33沿水平方向移动时，晶圆W因惯性力在背面支承部34上滑动，冲撞下侧垂直壁部35。参照图10对此时的下侧垂直壁部35的情形进行说明。由于该冲撞而对晶圆保持构件33施加有应力，上述由树脂构成的基材40发生变形。此时，由于通过如上所述地在碳纤维42上组入保护膜41而使该保护膜41相对于基材40的密接性形成得较高，因此，保护膜41也随基材40变形。通过保护膜41及基材40这样地变形，在下侧垂直壁部35中应力自晶圆W的冲撞部位分散，该分散的应力在各部分被基材40吸收(图10(a)、(b))。然后，在应力变弱时，基材40利用其恢复力恢复为原本的形状，保护膜41也随基材40复原(图10(c))。
以下侧垂直壁部35为例说明了应力被吸收的情形，但对于背面支承部34及倾斜部36来说，即使也同样如上所述地交接晶圆W或者在晶圆W在其表面滑动时施加较强的应力，由于保护膜41相对于基材40的密接性形成得较高，因此，与下侧垂直壁部35同样地，该应力在背面支承部34及倾斜部36上也被广泛地分散开。因而，能够获得较高的耐磨损性。另外，在晶圆W这样地在背面支承部34上滑动而冲撞于下侧垂直壁部35时，即使在晶圆W上附着有药液的雾沫，也能够利用保护膜41防止各部分的化学性侵蚀。
如上所述，晶圆输送部3的晶圆保持构件33包括：用于保持该晶圆W的背面支承部34；使晶圆W保持于该背面支承部34上地引导晶圆W的倾斜部36；包围晶圆W的侧面、用于限制晶圆W的位置的下侧垂直壁部35，在上述背面支承部34、倾斜部36及下侧垂直壁部35的表面形成有由DLC构成的保护膜41。因而，能够抑制上述各部分由于磨损或者附着有由晶圆W带来的药品而被化学性侵蚀导致的变形，上述磨损是由于上述各部分受到来自晶圆W的物理性撞击而产生的。结果，能够利用该晶圆输送部3的支承区域30可靠地保持晶圆W，因此，能够抑制在输送过程中晶圆W自晶圆输送部3落下，能够抑制无法正常地将该晶圆W交接到载置该晶圆W的组件上。另外，由于上述DLC的摩擦系数较低，因此，晶圆W易于在倾斜部36及背面支承部34上滑动，能够利用晶圆输送部3的支承区域30可靠地保持晶圆W。
另外，通过如上所述地做出用保护膜41覆盖突出于基材40的碳纤维42的结构，能够提高保护膜41相对于基材40的密接性及保护膜41的强度，能够使基材40吸收冲撞而获得更高的耐磨损性且抑制对晶圆W施加的冲撞，能够降低晶圆W的缺损(表面缺陷)等破损。并且，这样地用保护膜41包覆突出了的碳纤维42，还具有这样的效果：在对基材40施加冲撞时，能够抑制碳纤维42自基材40脱落而成为微粒飞散。
由于保护膜41如上所述地为DLC，因此，作为其主要成分的元素含有C(碳)及H(氢)。除了该C及H之外，作为主要成分，也可以将保护膜41形成为例如含有Si(硅)的DLC膜、含有Si及N(氮)的DLC膜、含有Si及O(氧)的DLC膜、含有F(氟)的DLC膜、含有C、H、SiO2的DLC膜。上述N例如作为CN基包含在膜中。因含有F而使疏水性升高，相对于药液能够获得更高的疏水性，因此优选。另外，因含有Si而使硬度升高，能获得更高的耐磨损性，并且，能获得较高的平滑性及低摩擦系数，因此优选。
另外，作为构成保护膜41的材质，优选选择能够抑制作为输送对象的晶圆W的损伤的材质。从该观点考虑，例如在晶圆W由硅构成的情况下，在作为上述DLC而混入有硅时，上述晶圆W及保护膜41均有可能被摩擦，因此，在这种情况下，优选由不含有硅的DLC形成保护膜41。
在上述例子中，为了进一步提高保护膜41与树脂基材40的密接性，也可以在将基材40自模具43分离之后对基材40进行等离子处理，在利用基材40的表面形成复杂的凹凸之后形成保护膜41。另外，作为纤维体的纤维，即使在树脂的基材40中替代混入碳纤维而例如混入玻璃纤维，也能够提高基材40的强度及保护膜的密接性。
但是，构成保护膜41的材质并不限定于DLC，只要对各种药液具有较高的抗腐蚀性或者较高的硬度即可，也可以采用SiC、AlN(氮化铝)等陶瓷、石英构件等。另外，例如也可以由碳比率较高的、使精制的碳化氢等质地混合于例如聚碳酸酯等丙烯酸类树脂而成的、耐磨损性较高的以C、H为主体的碳化氢树脂形成保护膜41。该碳化氢树脂的碳含有率例如为80％以上。
作为保护膜41，例如其维氏硬度优选为1000～3000，就平滑性而言，Ra优选为0.5nm～1.0nm，摩擦系数优选为0.2以下。另外，为了如上所述地对由树脂构成的基材进行成膜，为了防止该基材变质，优选选择能够以例如200℃以下的低温成膜的材质。
输送臂A1、A2、A4及交接臂D1的晶圆保持构件也与该输送臂A3的晶圆保持构件33同样地构成。
接着，说明作为晶圆输送部的另一例子的、设置于接口臂50上的晶圆输送部5，参照晶圆输送部5的图11(a)的俯视图、图11(b)的纵剖侧视图、图12的立体图，以晶圆输送部5与晶圆输送部3的不同点为中心进行说明。如图11(a)所示，晶圆输送部5具有能向前后移动的转动基体51，转动基体51构成为与转动基体27同样地能自由升降及自由转动。另外，在转动基体51上，在晶圆输送部5的左右两侧设有用于对晶圆W进行对位的按压部52，该按压部52与上述转动基体51一同移动。
该晶圆输送部5包括形成为两股叉状的框架53，在该框架53的各前端侧设有晶圆保持构件54，该晶圆保持构件54经过与晶圆保持构件33同样的制造工序，与晶圆保持构件33同样地由碳纤维42和用于保持该碳纤维42的基材40构成。该晶圆保持构件54包括用于水平地支承晶圆W的背面支承部56和设置在该背面支承部56的前端侧的垂直壁部57。背面支承部56及垂直壁部57被已述的保护膜41所覆盖。垂直壁部57具有在晶圆保持部54中限制晶圆W位置的作用。
另外，在框架53的基端侧设有晶圆保持构件61，该晶圆保持构件61经过与晶圆保持构件33同样的制造工序，由碳纤维42和上述基材40构成。该晶圆保持构件61包括用于水平地支承晶圆W背面的背面支承部62、设置在背面支承部62的基端侧的下侧垂直壁部63、自上述基端侧向前端侧下降的倾斜部64。倾斜部64与倾斜部36同样地具有向背面支承部62引导晶圆W的作用。背面支承部62及下侧垂直壁部63被保护膜41所覆盖。图中附图标记60是被下侧垂直壁部63和垂直壁部57包围的晶圆W的支承区域。另外，在图12中，在被保护膜41覆盖的部位标注许多个点来表示。由框架53和晶圆保持构件54、61构成的晶圆输送部5构成基板的支承构件。
使用图13对晶圆输送部5自设置于交接单元CPL12中的载物台69接收晶圆W的情形进行说明。晶圆输送部5朝向载物台69前进，在位于被载置于载物台69上的晶圆W的下侧之后上升(图13(a)、(b))，将晶圆W以被背面支承部56及倾斜部64支承的、例如倾斜的状态交接到晶圆输送部5(图13(c))。之后，晶圆输送部5后退，晶圆W的侧面抵接于按压部52而被向晶圆输送部5的前端方向按压，则晶圆W在倾斜部64上滑落，被背面支承部56、62水平地支承(图13(d))。晶圆W因惯性力在背面支承部56、62上滑动，抵接于垂直壁部57而停止(图13(e))。这样，晶圆W被交接并输送到晶圆输送部5时，即使晶圆W接触于该晶圆保持构件54、61的各部分，也能够利用保护膜41抑制其磨损及化学性侵蚀。
表示了接口臂50的晶圆输送部5，交接臂12的晶圆输送部也与晶圆输送部5同样地构成。可以将这些晶圆输送部3、5的所有表面用保护膜41包覆，也可以将晶圆输送部5的按压部52用保护膜41包覆。
接着，参照作为俯视图的图14(a)及作为纵剖侧视图的图14(b)，对上述的设置于COT层B3的加热组件21中的、构成基板支承装置的加热板7进行说明。加热板7兼用作载置晶圆W的载物台，形成为扁平的圆形，在其圆周方向上沿加热板7的厚度方向穿设有3个孔71(图14(b)中仅图示2个)。在孔71内设有利用升降机构72升降的升降销73，升降销73在加热板7上突出或没入。在加热板7的内部设有用于加热晶圆W的加热器。
在加热板7中，在孔71的外侧沿圆周方向设有多个、在该例子中为4个作为背面支承部的支承销74。支承销74具有使晶圆W自加热板7的表面浮起地支承晶圆W的作用。另外，在加热板7的周缘部设有许多个用于防止晶圆W自加热板7突出的位置限制用销75。支承销74及位置限制用销75经过与晶圆保持构件33同样的制造工序来制造。而且，支承销74及位置限制用销75与晶圆保持构件33同样地利用碳纤维42和由PEEK树脂构成的基材40构成，支承销74及位置限制用销75的表面被保护膜41所包覆。
参照图15说明向该加热板7交接晶圆W的工序。在将晶圆W交接到冷却板24上时，使冷却板24向加热板7移动，使升降销73上升而支承晶圆W的背面(图15(a))。然后，在冷却板24自加热板7退避之后，使升降销73下降，将晶圆W交接到支承销74上(图15(b))。
此时，如图15(c)所示，晶圆W有时在加热板7与晶圆W背面之间的空气的作用下在支承销74上滑动而冲撞于位置限制用销75。但是，能够与晶圆保持构件33同样地利用保护膜41防止这些支承销74及位置限制用销75磨损、破损。另外，即使在晶圆W上附着有药液，也能够防止这些支承销74及位置限制用销75被化学性侵蚀。
上述保护膜除上述各例子之外，还能够应用于所有与基板接触的接触部。例如可以在成膜装置、蚀刻装置的用于载置基板的载物台表面上形成上述保护膜41，或者设置被保护膜41包覆的位置限制用销75。另外，也可以在用于冷却晶圆的冷却板表面上的晶圆W的接触部分形成上述保护膜41。
另外，保护膜41也可以利用用于形成该保护膜的各种方法形成在晶圆保持构件33、54、61的各自的所有表面上，至少形成在基板接触区域的部位即可。另外，作为构成基材40的树脂，除PEEK之外，也可以采用公知的树脂。
评价试验1
作为评价试验1-1，如图16所示地沿圆周方向配置4个晶圆保持构件33，将晶圆W载置在晶圆保持构件33的背面支承部34上。各晶圆保持构件33与未图示的驱动部相连接，在保持各晶圆保持构件33的间隔的状态下，能够如图中箭头所示地沿水平方向往返移动。另外，调整各晶圆保持构件33的位置，使得晶圆保持构件33的下侧垂直壁部35自晶圆W的侧面分开一些。但是，在该晶圆保持构件33上未形成有本实施方式中说明的由DLC构成的保护膜41。另外，在该试验中采用的晶圆保持构件33替代本实施方式中说明的PEEK树脂而由规定的树脂构成。在上述树脂中，与本实施方式同样地混入有碳纤维。载置晶圆W之后，使晶圆保持构件33往返移动20万次，使晶圆W冲撞晶圆保持构件33的下侧垂直壁部35。之后，使用显微镜测量形成在下侧垂直壁部35上的磨损痕迹的深度。
接着，作为评价试验1-2进行与评价试验1-1同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的磨损痕迹的深度。但是，像实施方式中说明的那样，在晶圆保持构件33上形成有保护膜41，其厚度为3μm。另外，作为评价试验1-3进行与评价试验1-2同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的各磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-3中，晶圆保持构件33与本实施方式相同由PEEK构成。在晶圆保持构件33上与实施方式同样地形成有保护膜41，其厚度与评价试验1-2相同为3μm。晶圆保持构件33的往返移动次数为20万次。
另外，作为评价试验1-4进行与评价试验1-2同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的磨损痕迹的深度。使晶圆保持构件33往返移动的次数为1000万次。形成于晶圆保持构件33各部上的保护膜41的厚度与评价试验1-2相同为3μm。
作为评价试验1-5进行与评价试验1-3同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的各磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-5中，晶圆保持构件33由与评价试验1-2相同的规定树脂构成。在晶圆保持构件33上与实施方式同样地形成有保护膜41，其厚度为8μm。晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次。
作为评价试验1-6进行与评价试验1-4同样的试验。但是，晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部34。
作为评价试验1-7进行与评价试验1-3同样的试验。但是，晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部34。
作为评价试验1-8进行与评价试验1-5同样的试验。但是，晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部34。
图17表示评价试验1-1～1-8的结果，针对每个评价试验分别以斜线坐标图表示最大磨损痕迹的深度，以标有许多点的坐标图表示各磨损痕迹的深度的平均值。另外，在各坐标图上表示结果的数值，该数值单位为μm。比较评价试验1-1的结果和评价试验1-2的结果，评价试验1-2的最大磨损痕迹深度、磨损痕迹的平均值均较小。因而，由这些评价试验1-1及1-2的结果显示出：像本实施方式中说明的那样，通过形成保护膜41，能提高晶圆保持构件33的下侧垂直壁部35的耐磨损性。另外，评价试验1-4与评价试验1-1相比，虽然在评价试验1-4中晶圆W对下侧垂直壁部35的冲撞次数较多，但最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值却是评价试验1-4的较小。因此，也显示通过形成保护膜41能提高下侧垂直壁部35的耐磨损性。
由评价试验1-3、1-5的结果可知，即使改变构成晶圆保持构件33的树脂及保护膜41的膜厚，其耐磨损性也高于评价试验1-1。另外，对于评价试验1-6～1-8，由于最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值被抑制得较小，因此，一般认为在背面支承部34上形成保护膜41也是有效的。
评价试验2
作为评价试验2-1，向晶圆保持构件33滴下磺酸的原液，使用显微镜测量所形成的磨损痕迹(侵蚀痕迹)的深度。但是，在该晶圆保持构件33上未形成保护膜41，而且，使用替代PEEK树脂而由评价试验1-1中采用的规定树脂构成的晶圆保持构件33。
作为评价试验2-2，对于与本实施方式同样地在各部分上形成有保护膜41的晶圆保持构件33，与评价试验2-1同样地向该保护膜41上滴下磺酸的原液，使用显微镜测量所形成的磨损痕迹。晶圆保持构件33采用与评价试验2-1同样地由规定的树脂构成的、保护膜41的厚度为1μm的材料。
作为评价试验2-3，采用保护膜41的厚度为3μm的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的试验。
作为评价试验2-4，采用保护膜41的厚度为6μm的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的试验。
作为评价试验2-5，采用层叠有第1保护膜和第2保护膜的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的试验。第1保护膜和第2保护膜的厚度分别为3μm，构成第1保护膜的各元素的比率和构成第2保护膜的各元素的比率互不相同。
作为评价试验2-6，采用保护膜41的厚度为8μm的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的试验。
作为评价试验2-7，采用由P EEK构成的、形成有3μm的保护膜41的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的试验。构成该保护膜41的各元素的比率与构成评价试验2-1～2-4、2-6的保护膜41的各元素的比率不同。
作为评价试验2-8，采用由PEEK构成的、形成有3μm的保护膜41的晶圆保持构件33进行与评价试验2-1同样的试验。构成该保护膜41的元素的比率与构成评价试验2-1～2-4、2-6的保护膜41的各元素的比率不同。
作为评价试验2-9，采用由聚酰亚胺构成的、形成有3μm的保护膜41的晶圆保持构件33进行与评价试验2-1同样的试验。构成该保护膜41的元素的比率与构成评价试验2-7的保护膜41的各元素的比率不同。
作为评价试验2-10，采用由聚酰亚胺构成的、形成有3μm的保护膜41的晶圆保持构件33进行与评价试验2-1同样的试验。构成该保护膜41的元素的比率与构成评价试验2-1～2-4、2-6的保护膜41的各元素的比率不同。
图18表示评价试验2-1～2-10的结果，与图17同样地针对每个评价试验分别以斜线坐标图表示最大磨损痕迹的深度，以标有许多点的坐标图表示各磨损痕迹的深度的平均值。另外，在各坐标图上表示结果的数值，该数值单位为μm。比较评价试验2-1的结果和评价试验2-2～2-6的结果，评价试验2-2～2-6的最大磨损痕迹深度、磨损痕迹的平均值均小于评价试验2-1。因而，由上述评价试验2-1～2-6的结果显示出通过形成保护膜41能提高抗酸性。
在评价试验2-5中，未发现由保护膜41较薄导致的碳纤维脱落、由保护膜41过厚导致的形成针孔，是特别理想的成膜状态，由于最大磨损痕迹深度及磨损痕迹的平均值最小，因此，可以说这样地成膜特别理想。
另外，对于评价试验2-7～2-10，最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值被抑制得比较小。因而，由这些结果也可以看出形成保护膜41有助于提高抗侵蚀性。
第2实施方式
下面，根据图21～图30说明本发明的第2实施方式。
另外，在图21～图30所示的第2实施方式中，对与图1～图18所示的第1实施方式相同的部分标注相同的附图标记，省略详细说明。
如图21及图22(b)所示，在上述背面支承部34、下侧垂直壁部35及倾斜部36的表面上形成有两层作为层叠膜的保护膜41。保护膜41由下层膜42和上层膜43构成，这些下层膜42和上层膜43由DLC(类金刚石)构成，该DLC是由碳化氢或者碳的同素异形体构成的非晶质的硬质膜。图中附图标记44是在成膜时形成于各膜42、43上的通孔(贯穿缺陷)。由于DLC具有比上述基材40高的硬度，因此，具有较高的耐磨损性，对于各种药液具有较高的抗腐蚀性，而且，其摩擦系数低于基材40。
由于上层膜43在交接晶圆W时及输送晶圆W时与晶圆W相接触，因此，为了获得由更低的摩擦系数、更高的平滑性、更高的硬度带来的耐磨损性，上层膜43作为主要成分由含有C(碳)、H(氢)及Si(硅)的DLC膜形成。另外，直接形成在基材40上的下层膜42对于药液具有较高的疏水性，为了防止该药液浸透入基材40、获得较高的抗腐蚀性，下层膜42作为主要成分由含有C、H及F(氟)的DLC膜构成。即，与下层膜42相比，上层膜43具有更低的摩擦系数、更高的平滑性及更高的硬度，与上层膜43相比，下层膜42具有较高的疏水性。
为了防止药液经由保护膜41与自基材40表面突出的碳纤维45的间隙被供给到基材40，并且为了充分降低摩擦系数，保护膜41形成为覆盖上述碳纤维45的前端，且具有比该突出的前端的长度大的膜厚。另外，作为图22(b)的保护膜41的厚度H1，若其厚度过小，则膜的致密性较小，药液有可能透过保护膜41而侵蚀基材40，若其厚度过大，则在如后所述地晶圆W冲撞时，不会随基材40而变形，导致其冲撞吸收性降低，因此，例如优选为1μm～10μm。另外，为了获得充分的疏水性，下层膜42的厚度H2例如为1μm～3μm，为了获得充分的硬度，上层膜43的厚度H3例如为5μm～10μm。
说明该晶圆保持构件33的制造方法。向熔融的上述树脂中混合许多个碳纤维45，将该混合物填充入用于成形晶圆保持构件33的模具46内，然后在模具46内使树脂固化而形成基材40。图23(a)表示基材40与模具46的边界，存在于该边界附近的碳纤维45的前端部因树脂固化时的膨胀收缩等被模具46按压而折弯成与模具46密接的状态。另外，与模具46内表面的表面粗糙度等的形状相应地，有时在基材40的表面上形成微小的凹凸。然后，如图23(b)所示，自模具46拆下晶圆保持构件33时，折弯的了碳纤维45的前端利用欲向外方弹出的回弹力(碳纤维45的恢复力)或者根据模具46的内表面形状在晶圆保持构件33的表面立起，成为突出该表面的状态。另外，在各图中，以相同的粗度描画纤维45的突出于基材40表面的前端和埋入到基材40中的部分，但也存在上述前端被模具46压扁而使其直径变得小于埋入到基材40中的部分的情况。
之后，如图23(c)所示，例如利用PVD(Physical VaporDeposition)或者CVD(Chemical Vapor Deposition)形成下层膜42。由于基材40的表面呈突出有碳纤维45、形成有复杂的凹凸的状态，因此，下层膜42因该凹凸而形成为错综复杂。因而，下层膜42形成得相对于基材40的密接性较高。然后，如图23(d)所示，利用PVD或者CVD形成上层膜43而形成保护膜41。由于这样地层叠膜，因此，即使在下层膜42中形成有通孔44，该通孔44也会被上层膜43覆盖，而且，即使在上层膜43中产生通孔44，在其下侧也存在下层膜42，从而，能够防止因通孔44导致基材40的表面露出。
例如在利用等离子CVD法形成上述DLC的保护膜41的情况下，作为原料气体，采用DLC形成通常所采用的甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)、丙烷(C3H8)、丁烷(C4H10)、乙炔(C2H2)、苯(C6H6)、四氟化碳(CF4)、六氟化二碳(C2F6)等碳化合物气体。根据需要，向这些碳化合物气体中混合作为载体气体的氢气、惰性气体等而将其供给到晶圆W来进行成膜。在该例子中，下层膜42通过向基材40供给含有碳、氢和氟的原料气体而形成，上层膜43通过向基材40供给含有碳、氢和硅的原料气体而形成。
接着，参照图24对该输送臂A3的晶圆输送部3自设置于交接单元BF3中的载物台47接收晶圆W时的工艺进行说明。晶圆输送部3朝向载物台47前进，如图24(a)所示地位于被载置于该载物台47上的晶圆W的下方侧。之后，使晶圆输送部3上升，如图24(b)所示地例如将晶圆W以下述状态交接到晶圆输送部3，上述状态是指晶圆W的背面被4个晶圆保持构件33中的一部分晶圆保持构件33的背面支承部34支承、而且晶圆W的周缘部位于4个倾斜部36中的一部分倾斜部36上的倾斜的状态。
在这样地将晶圆W交接到晶圆保持构件33上时，由于倾斜部36及背面支承部34被保护膜41包覆，因此，能够抑制由晶圆W的冲撞造成的破损。特别是，由于保护膜41的上层膜43为了变得更硬质而含有硅，因此，能够更可靠地抑制破损。另外，此时，如图25(a)、(b)所示，即使在晶圆W的背面及侧面的斜面部上附着有药液的雾沫48，由于如上所述地将保护膜41构成为层叠膜，能防止因通孔44导致的基材40露出，因此，也能够防止基材40暴露在雾沫48中。另外，下层膜42为了获得疏水性而含有氟，因此，即使雾沫48经由上层膜43的通孔44附着于下层膜42上，也能够利用其疏水性防止雾沫48浸透入基材40，因此，能够更加可靠地防止雾沫48的化学性侵蚀。
而且，由于保护膜41的摩擦系数较低，因此，晶圆W的周缘部在倾斜部36上迅速地滑下，并且晶圆W在上述背面支承部34上滑动，如图24(c)所示，晶圆W位于被下侧垂直壁部35包围的支承区域30，且被水平地保持。
之后，在晶圆保持构件33沿水平方向移动时，晶圆W因惯性力而在背面支承部34上滑动，冲撞下侧垂直壁部35。参照图26说明此时下侧垂直壁部35的情形。因该冲撞而对晶圆保持构件33施加有应力，由树脂构成的基材40发生变形。此时，由于如上所述地在碳纤维45上组入下层膜42而使该保护膜41相对于基材40的密接性形成得较高，因此，下层膜42也随基材40变形，上层膜43由于与下层膜42同为DLC，因此相对于下层膜42的密接性较高，因此，追随该下层膜42的变形而变形。通过保护膜41及基材40这样地变形，在下侧垂直壁部35中应力自晶圆W的冲撞部位分散，该分散的应力在各部分被基材40吸收(图26(a)、(b))。然后，在应力变弱时，基材40利用其恢复力恢复为原本的形状，保护膜41也随基材40复原(图26(c))。
以下侧垂直壁部35为例说明了应力被吸收的情形，但对于背面支承部34及倾斜部36来说，即使也同样如上所述地交接晶圆W或者在晶圆W在其表面滑动时施加较强的应力，由于保护膜41相对于基材40的密接性形成得较高，因此，与下侧垂直壁部35同样地，该应力在背面支承部34及倾斜部36上也被广泛地分散开。因而，能够获得较高的耐磨损性。
另外，对将晶圆W交接到晶圆保持构件33上时能防止基材40暴露于药液的雾沫48中的情形进行了说明，但例如像上述那样，在输送晶圆W的过程中，晶圆W冲撞下侧垂直壁部35时，也与交接晶圆W时同样地能够防止附着于晶圆W侧面的雾沫48经由通孔44附着于下侧垂直壁部35的基材40上，因此，能够防止侵蚀。
如上所述，晶圆输送部3的晶圆保持构件33包括：用于保持该晶圆W的背面支承部34；以晶圆W被该背面支承部34保持的方式引导晶圆W的倾斜部36；包围晶圆W的侧面，用于限制晶圆W的位置的下侧垂直壁部35，在这些背面支承部34、倾斜部36及下侧垂直壁部35的表面上形成有由DLC构成的、由下层膜42和上层膜43组成的保护膜41。因而，即使在各膜42、43中形成有作为贯穿缺陷的通孔44，只要它们不重合，构成各部分的基材40就不会露出，因此，能够抑制基材40与药液接触而被化学性侵蚀。这样，抗腐蚀性升高，结果，能够利用该晶圆输送部3的支承区域30可靠地保持晶圆W，因此，能够抑制在输送过程中晶圆W自晶圆输送部3落下或者无法正常地将该晶圆W交接到载置该晶圆W的组件上。另外，由于上述DLC的摩擦系数较低，因此，晶圆W易于在倾斜部36及背面支承部34上滑动，能够利用晶圆输送部3的支承区域30可靠地保持晶圆W。
另外，通过如上所述地做成用保护膜41覆盖突出于基材40的碳纤维45的结构，能够提高保护膜41相对于基材40的密接性及保护膜41的强度，基材40吸收冲撞而能获得更高的耐磨损性，并且能抑制对晶圆W施加的冲撞，降低晶圆W的缺损(表面缺陷)等破损。
下层膜42、上层膜43例如可以分别构成为作为主要成分由C和H构成而不含有F、Si的DLC膜，而且，也可以将下层膜42和上层膜43构成为除作为主要成分含有C和H之外、例如还含有Si及N(氮)的膜、含有Si及O(氧)的DLC膜、含有C、H、SiO2的DLC膜。上述N例如作为CN基包含在膜中。也可以是在下层膜42中作为主要成分含有C、H、Si，在上层膜43中作为主要成分含有C、H、F，但优选如上所述地将含有Si的、更硬质且摩擦系数更低的膜作为上层膜。
并且，例如上层膜43及下层膜42也可以构成为其主要成分彼此相同的膜。例如，也可以将主要成分由C和H构成的膜构成为上层膜43和下层膜42，但在这种情况下，为了抑制例如药液浸透入基材40，优选形成为使下层膜的致密性形成得高于上层膜的致密性，而且，使上层膜具有比下层膜高的平滑性及比下层膜低的摩擦系数。另外，上层膜43、下层膜42也可以由相同组成的膜构成，保护膜41并不限定为两层，也可以由3层以上层叠膜构成。
如图27(a)所示，上层膜43也可以不包覆整个下层膜42。另外，如图27(b)所示，自基材40突出的碳纤维45的前端也可以穿过下层膜42而到达上层膜43。另外，作为纤维体的纤维，即使在树脂的基材40中替代混入碳纤维而例如混入玻璃纤维，也能够提高基材40的强度及保护膜的密接性。
但是，构成保护膜41的材质并不限定于DLC，只要对各种药液具有较高的抗腐蚀性或者较高的硬度即可，也可以采用SiC、AlN(氮化铝)等陶瓷、石英构件等。另外，例如也可以由碳比率较高的、例如在聚碳酸酯等丙烯酸类树脂中等质地混合精制的碳化氢而成的、耐磨损性较高的碳化氢树脂形成保护膜41。该碳化氢树脂的碳含有率例如为80％以上。
作为保护膜41，例如其维氏硬度优选为1000～3000，就平滑性而言，Ra优选为0.5nm～1.0nm，摩擦系数优选为0.2以下。另外，为了如上所述地对由树脂构成的基材成膜，为了防止该基材变质，优选选择能够以例如200℃以下的低温成膜的材质。
输送臂A1、A2、A4及交接臂D1的晶圆保持构件也与该输送臂A3的晶圆保持构件33同样地构成。
接着，说明作为晶圆输送部的另一例子的、设置于接口臂50上的晶圆输送部5，参照晶圆输送部5的图28(a)的俯视图、图28(b)的纵剖侧视图以晶圆输送部5与晶圆输送部3的不同点为中心进行说明。晶圆输送部5支承于图28(a)所示的转动基体51，该转动基体51能向前后移动，转动基体51与转动基体27同样地构成为能自由升降及自由转动。另外，在转动基体51上，在晶圆输送部5的左右两侧设有用于对晶圆W进行对位的按压部52，该按压部52与上述转动基体51一同移动。
该晶圆输送部5包括形成为两股叉状的框架53(参照图12)，在该框架53的各前端侧设有晶圆保持构件54，该晶圆保持构件54经过与晶圆保持构件33同样的制造工序，与晶圆保持构件33同样地利用碳纤维45和由PEEK树脂组成的基材40构成。该晶圆保持构件54包括用于水平地支承晶圆W的背面支承部56和设置在该背面支承部56的前端侧的垂直壁部57。背面支承部56及垂直壁部57被已述的保护膜41所覆盖。垂直壁部57具有在晶圆保持部54中限制晶圆W位置的作用。
在框架53的基端侧设有晶圆保持构件61，该晶圆保持构件61经过与晶圆保持构件33同样的制造工序，利用碳纤维45和由PEEK树脂组成的基材40构成(参照图12)。该晶圆保持构件61包括用于水平地支承晶圆W背面的背面支承部62、设置在背面支承部62的基端侧的下侧垂直壁部63、自上述基端侧向前端侧下降的倾斜部64。倾斜部64与倾斜部36同样地具有向背面支承部62引导晶圆W的作用。背面支承部62及下侧垂直壁部63被保护膜41所覆盖。图中附图标记60是被下侧垂直壁部63和垂直壁部57包围的晶圆W的支承区域。另外，在图12中，在被保护膜41覆盖的部位标注许多个点来表示。由框架53和晶圆保持构件54、61构成的晶圆输送部5构成基板的支承构件。
参照图13对晶圆输送部5自设置于交接单元CPL12中的载物台69接收晶圆W的情形进行说明。晶圆输送部5朝向载物台69前进，在位于被载置于载物台69上的晶圆W的下侧之后上升(图13(a)、(b))，将晶圆W以被背面支承部56及倾斜部64支承的例如倾斜的状态交接到晶圆输送部5(图13(c))。之后，晶圆输送部5后退，晶圆W的侧面抵接于按压部52而被向晶圆输送部5的前端方向按压，晶圆W在倾斜部64上滑落而被背面支承部56、62水平地支承(图13(d))。晶圆W因惯性力在背面支承部56、62上滑动，抵接于垂直壁部57而停止(图13(e))。在这样地将晶圆W交接输送到晶圆输送部5时，即使晶圆W接触该晶圆保持构件54、61的各部分，也能够利用保护膜41抑制构成该保持构件54、61的基材40的化学性侵蚀及磨损。
表示了接口臂50的晶圆输送部5，但交接臂12的晶圆输送部也与晶圆输送部5同样地构成。可以将这些晶圆输送部3、5的所有表面用保护膜41包覆，也可以将晶圆输送部5的按压部52用保护膜41包覆。
接着，说明设置于上述COT层B3的加热组件21中的、构成基板支承装置的加热板7，参照作为其俯视图的图29(a)及作为其纵剖侧视图的图29(b)进行说明。加热板7兼用作载置晶圆W的载物台，形成为扁平的圆形，在其圆周方向上沿加热板7的厚度方向穿设有3个孔(图29(b)中仅图示2个)。在孔71内设有利用升降机构72升降的升降销73，升降销73在加热板7上突出或没入。在加热板7的内部设有用于加热晶圆W的加热器。
在加热板7中，在孔71的外侧沿圆周方向设有多个、在该例子中为4个作为背面支承部的支承销74。支承销74具有使晶圆W自加热板7表面浮起地支承晶圆W的作用。另外，在加热板7的周缘部设有用于防止晶圆W自加热板7突出的许多个位置限制用销75。支承销74及位置限制用销75经过与晶圆保持构件33同样的制造工序来制造。而且，支承销74及位置限制用销75与晶圆保持构件33同样地利用碳纤维45和由PEEK树脂组成的基材40构成，支承销74及位置限制用销75的表面被由下层膜42和上层膜43构成的保护膜41所包覆。
参照图30说明向该加热板7交接晶圆W的工序。在将晶圆W交接到冷却板24上时，使冷却板24向加热板7移动，使升降销73上升而支承晶圆W的背面(图30(a))。然后，在冷却板24自加热板7退避之后，使升降销73下降，将晶圆W交接到支承销74上(图30(b))。
此时，如图30(c)所示，晶圆W在加热板7与晶圆W背面之间的空气的作用下在支承销74上滑动，存在冲撞位置限制用销75的情况。但是，与晶圆保持构件33同样地能够利用保护膜41防止这些支承销74及位置限制用销75磨损。另外，即使在晶圆W上附着有药液，也能够利用保护膜41防止这些支承销74及位置限制用销75被化学性侵蚀。
上述保护膜除上述各例子之外，还能够应用于所有与基板相接触的接触部。例如也可以在成膜装置、蚀刻装置的用于载置基板的载物台表面上形成上述保护膜41，或者设置由保护膜41包覆的位置限制用销75。
另外，保护膜41也可以利用用于形成该保护膜的各种方法形成在晶圆保持构件33、54、61的各自的所有表面上，至少形成在基板接触区域的部位即可。另外，作为构成基材40的树脂，除PEEK之外，也可以采用公知的树脂。
评价试验1
作为评价试验1-1，如图16所示地沿圆周方向配置4个晶圆保持构件33，将晶圆W载置在晶圆保持构件33的背面支承部34上。各晶圆保持构件33与未图示的驱动部相连接，能够在保持各晶圆保持构件33的间隔的状态下如图中箭头所示地沿水平方向往返移动。另外，调整各晶圆保持构件33的位置，使得晶圆保持构件33的下侧垂直壁部35自晶圆W的侧面分开一些。但是，在该晶圆保持构件33上未形成在本实施方式中说明的由DLC构成的保护膜41。另外，在该试验中采用的晶圆保持构件33替代本实施方式中说明的PEEK树脂而由规定的树脂构成。在上述树脂中，与本实施方式同样地混入有碳纤维。载置晶圆W之后，使晶圆保持构件33往返移动20万次，使晶圆W冲撞晶圆保持构件33的下侧垂直壁部35。之后，使用显微镜测量形成于下侧垂直壁部35上的磨损痕迹的深度。
接着，作为评价试验1-2进行与评价试验1-1同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-2所采用的晶圆保持构件33中，在与本实施方式同样的各部分上形成有由DLC构成的保护膜，但该保护膜不层叠而是单层，其厚度为3μm。
另外，作为评价试验1-3进行与评价试验1-2同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的各磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-3中，晶圆保持构件33与本实施方式相同由PEEK构成。在晶圆保持构件33中与实施方式同样地形成有保护膜41，其厚度与评价试验1-2相同为3μm。晶圆保持构件33的往返移动次数为20万次。
另外，作为评价试验1-4进行与评价试验1-2同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的磨损痕迹的深度。使晶圆保持构件33往返移动的次数为1000万次。形成于晶圆保持构件33的各部分上的保护膜41的厚度与评价试验1-2相同为3μm。
作为评价试验1-5进行与评价试验1-3同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部35上的各磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-5中，晶圆保持构件33由与评价试验1-2相同的规定树脂构成。与评价试验1-2同样地形成于晶圆保持构件33上的由DLC构成的保护膜为单层，其厚度为8μm。晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次。
作为评价试验1-6进行与评价试验1-4同样的试验。但是，晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部34。
作为评价试验1-7进行与评价试验1-3同样的试验。但是，晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部34。
作为评价试验1-8进行与评价试验1-5同样的试验。但是，晶圆保持构件33的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部34。
评价试验1-1～1-8的结果与图17所示的第1实施方式的结果相同。在图17中，针对每个评价试验分别以斜线坐标图表示最大磨损痕迹的深度，以标有许多点的坐标图表示各磨损痕迹的深度的平均值。另外，在各坐标图上表示结果的数值，该数值单位为μm。比较评价试验1-1的结果和评价试验1-2的结果，评价试验1-2的最大磨损痕迹深度、磨损痕迹的平均值均较小。因而，由这些评价试验1-1及1-2的结果可知，通过形成保护膜能提高晶圆保持构件33的下侧垂直壁部35的耐磨损性。另外，与评价试验1-1相比，在评价试验1-4中，晶圆W对下侧垂直壁部35的冲撞次数较多，但评价试验1-4的最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值却较小。因此，也显示出通过形成保护膜41能提高下侧垂直壁部35的耐磨损性。
由评价试验1-3、1-5的结果可知，即使改变构成晶圆保持构件33的树脂及保护膜的膜厚，其耐磨损性也高于评价试验1-1。另外，对于评价试验1-6～1-8，由于最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值被抑制得较小，因此，一般认为在背面支承部34上形成保护膜也是有效的。
评价试验2
作为评价试验2-1，向晶圆保持构件33滴下磺酸的原液，使用显微镜测量所形成的磨损痕迹(侵蚀痕迹)的深度。但是，在该晶圆保持构件33上未形成保护膜41，而且，使用替代PEEK树脂而由评价试验1-1中采用的规定树脂构成的晶圆保持构件33。
作为评价试验2-2，对于在与实施方式同样的各部分上形成有保护膜的晶圆保持构件33，与评价试验2-1同样地向该保护膜上滴下磺酸的原液，使用显微镜测量所形成的磨损痕迹。但是，该评价试验2-2所采用的保护膜与评价试验2-2同样地为单层且由DLC构成，其厚度为1μm。晶圆保持构件33与评价试验2-1同样地由规定的树脂构成。
作为评价试验2-3进行与评价试验2-2同样的试验。在该评价试验2-3中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为3μm。
作为评价试验2-4，进行与评价试验2-2同样的试验。在该评价试验2-3中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为6μm。
作为评价试验2-5，采用形成有在上述实施方式中说明的、由下层膜42和上层膜43构成的保护膜41的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的试验。下层膜42、上层膜43的厚度分别为3μm，构成第1保护膜的各元素的比率和构成第2保护膜的各元素的比率互不相同。
作为评价试验2-6进行与评价试验2-2同样的试验。在该评价试验2-3中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为6μm。
作为评价试验2-7，采用由PEEK构成的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的评价试验。在该评价试验2-3中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为3μm。构成在该评价试验2-7中形成于晶圆保持构件33上的保护膜的各元素的比率与构成评价试验2-1～2-4、2-6的保护膜的各元素的比率不同。
作为评价试验2-8，采用由PEEK构成的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的评价试验。在该评价试验2-3中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为3μm。构成在该评价试验2-8中形成于晶圆保持构件33上的保护膜的各元素的比率与构成评价试验2-1～2-4、2-6的保护膜的各元素的比率相同。
作为评价试验2-9，采用由聚酰亚胺构成的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的评价试验。在该评价试验2-9中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为3μm。构成在该评价试验2-9中形成于晶圆保持构件33上的保护膜的各元素的比率与构成评价试验2-7的保护膜的各元素的比率相同。
作为评价试验2-10，采用由聚酰亚胺构成的晶圆保持构件33进行与评价试验2-2同样的评价试验。在该评价试验2-10中形成于晶圆保持构件上的保护膜也为单层，其厚度为3μm。构成在该评价试验2-10中形成于晶圆保持构件33上的保护膜的各元素的比率与构成评价试验2-1～2-4、2-6的保护膜41的各元素的比率相同。
评价试验2-1～2-10的结果与图18所示的第1实施方式的结果相同。在图18中，针对每个评价试验分别以斜线坐标图表示最大磨损痕迹的深度，以标有许多点的坐标图表示各磨损痕迹的深度的平均值。另外，在各坐标图上表示结果的数值，该数值单位为μm。对于最大磨损痕迹深度及磨损痕迹的平均值，形成有层叠的保护膜41的评价试验2-5小于形成有单层保护膜的评价试验2-2～2-4、2-6～2-10及未形成保护膜的评价试验2-1。因而，像本实施方式中说明的那样地将保护膜做成层叠构造，有助于提高对药液的抗腐蚀性。
第3实施方式
下面，参照图31～图44说明本发明的第3实施方式。
说明将本发明的液体处理装置应用于抗蚀剂涂敷装置的实施方式。如图31所示，抗蚀剂涂敷装置包括旋转卡盘(真空卡盘)213和用于向该旋转卡盘213上的晶圆W供给处理液例如抗蚀液的、作为处理液供给部件的抗蚀剂喷嘴27，上述旋转卡盘213由作为基板载置部的大致圆板状的平台211和与该平台211的下表面中央部相连接的旋转轴212构成，上述平台211从背面侧真空吸附基板例如半导体晶圆(以下称作“晶圆”)W并水平地保持该基板例如半导体晶圆W。在该旋转轴212的下端侧连接有使该旋转轴212绕铅垂轴线自由旋转及自由升降地支承该旋转轴212的旋转驱动部214。图31中的附图标记210是容纳旋转卡盘213的处理容器(壳体)，例如在处理容器210的下方侧，通过形成在旋转卡盘213的内部区域中的吸引通路231连接有吸引泵215，该吸引泵215是用于从背面侧吸引晶圆W的吸附保持部件。该图31中的附图标记215a是为了吸附保持晶圆W及解除吸附保持而设置于吸引通路231中的泄漏阀。在该处理容器210中，在顶面设有用于向该处理容器210的内部供给清洁气体的风机过滤单元(FFU)216，在底面连接有用于对处理容器210内的气氛进行排气的排气管217，通过自上述风机过滤单元216供气以及由排气管217排气，在处理容器210内形成有下降气流。另外，图31中的附图标记210a是用于向该处理容器210内搬入晶圆W及自处理容器210内搬出晶圆W的输送口，附图标记210b是用于开闭输送口的闸门。
参照图32及图33详细说明上述平台211。该平台211的直径尺寸例如形成为130mm，构成为从背面侧吸附保持外形尺寸例如为300mm的晶圆W的内周侧中央部。如图32(a)、(b)所示，与形成在旋转轴212内的上述吸引通路231相连通的吸引孔221在平台211的上表面中央开口，而且，在平台211的上表面211a上的多个部位例如3个部位，以同心圆状配置沿着平台211的圆周方向形成的环状构件222。这3个环状构件222的上表面构成用于吸附保持晶圆W的基板保持面(基板载置面)，形成为相同的高度，以能够水平地保持晶圆W。在这3个环状构件222中的内周侧的两个环状构件222上，在圆周方向上的多个部位、例如4个部位分别等间隔地设有沿着整个上下方向形成的切口部223，当将晶圆W载置在平台211上并且自吸引孔221吸引晶圆W的背面侧的气氛时，如该图32(a)中箭头所示，平台211与晶圆W背面之间的气氛经由切口部223从外周侧朝向内周侧的吸引孔221流通，晶圆W被吸附保持在平台211上。
另外，平台211由PEEK(聚醚醚酮)、PBI(聚苯并咪唑)、PP(聚丙烯)或者PTFE(聚四氟乙烯)等树脂、该例子中为PEEK构成。如图33所示，在平台211的内部，作为纤维体埋设有例如由长度尺寸为0.1mm～6mm左右、直径尺寸例如为7μm左右的例如碳、玻璃或者树脂、该例子中为碳构成的许多个纤维224。该纤维224为了提高平台211的强度而混入，例如通过在软化(熔融)的树脂中浸渍纤维224而形成混合物并将该混合物例如注入到模具内而使其固化来成形。因此，存在因树脂固化时的膨胀收缩等而以纤维224被模具内表面向树脂侧按压的状态、折弯的状态成形的情况，或者与模具内表面的表面粗糙度相应地在表面形成微小的凹凸，因此，埋设在该平台211内的纤维224利用自模具取出树脂(平台211)时欲向外方伸出的反弹力或者与模具的内表面形状相应地，其端部自该平台211的表面例如突出1～5μm左右。
在平台211的表面，以覆盖上表面211a、侧周面211b及下表面211c的方式涂覆有由类金刚石(DLC)膜等构成的保护膜225，该保护膜225由形成为覆盖上表面211a侧的上层保护膜226和从下表面211c侧到侧周面211b地形成的下层保护膜227构成。这些保护膜226、227例如在平台211的侧周面211b与上表面211a的边界附近无缝地(平台211的表面不露出地)相连接。该保护膜225例如采用含有碳、氢等的原料气体、利用等离子CVD(Chemical Vapor Deposition)法、PVD(PhysicalVapor Deposition)法等在例如200℃以下的低温形成，例如分别形成于上表面211a、侧周面211b及下表面211c上。具体地讲，例如在等离子CVD用处理容器内，使平台211的上表面211a朝向上方(原料气体的供给侧)地配置平台211，在上表面211a上形成保护膜226，接着，将上下表面颠倒而在平台211的下表面211c上形成保护膜227。之后，使平台211横倒，一边使平台211绕轴线旋转一边在侧周面211b上进行保护膜227的处理。这样，例如上层保护膜226由含有碳和氢而不含有硅的原料气体形成，下层保护膜227由含有碳、氢及氟的原料气体形成。这些保护膜226、227是物性与金刚石相似的膜，具体地讲，例如硬度为1000～3000Hv，固有电阻率为1.0×106～1014Ω·cm，表面粗糙度Ra为0.5～1.0nm、例如0.7nm左右。另外，下层保护膜227如上所述地含有氟，因此，摩擦系数极小，为0.05～0.2左右，而且，相对于有机溶剂、水溶液的疏水性升高。这些保护膜226、227以埋入(覆盖)有自平台211的表面朝向外方突出的纤维224的方式形成为膜厚为1～20μm左右。因而，该保护膜225借助纤维224利用所谓的锚固效应牢固地粘着在平台211的表面上。
返回到上述抗蚀剂涂覆装置的说明，如上述图31所示，在旋转卡盘213的上方设有：用于向该旋转卡盘213上的晶圆W表面喷出处理液(涂敷液)例如抗蚀液的、作为处理液供给部件的抗蚀剂喷嘴271；用于喷出溶解液例如稀薄剂的溶剂喷嘴272，这些喷嘴271、272利用未图示的臂，能从晶圆W的中心部到周缘部地沿着晶圆W的半径方向水平自由移动及自由升降。另外，在这些喷嘴271、272上，分别通过抗蚀液供给管273及溶剂供给管274分别连接有抗蚀液供给源275及溶剂供给源276。
另外，在旋转卡盘213的周围设有处理杯233，该处理杯233包括：以与吸附保持在该旋转卡盘213上的晶圆W的背面周缘部相对的方式配置的内侧杯240、从侧方侧及下方侧包围该内侧杯240地设置的中间杯250、配置在该中间杯250上方的外侧杯260。
内侧杯240用于将自晶圆W的周缘部流下的处理液等引导到后述的排液通路252中，内侧杯240由环状的倾斜部241和环状的垂直壁242构成；上述倾斜部241自与吸附保持在旋转卡盘213上的晶圆W的外缘部相对的部位朝向外侧地向下方倾斜；上述垂直壁242自该倾斜部241的下端侧向下方延伸。在该内侧杯240的上端部，在形成为与旋转卡盘213上的晶圆W的周缘部相对的、以环状突出的突出部244中嵌入有斜面清洗喷嘴245，该斜面清洗喷嘴245是用于自下方内周侧朝向晶圆W的背面周缘部喷出溶解液、例如稀薄剂的溶解液供给部件，该斜面清洗喷嘴245例如与旋转卡盘213上的晶圆W的直径方向相对地配置在2个部位。该斜面清洗喷嘴245在铺设于后述的圆板243上的导轨246上，能够沿着旋转卡盘213上的晶圆W的半径方向水平地进退。图31中的附图标记247是形成于斜面清洗喷嘴245上的喷出口，附图标记248是用于自处理容器210的外侧向斜面清洗喷嘴245供给溶解液的供给通路。另外，在图31中，对于内侧杯240，在右侧描画出设有斜面清洗喷嘴245的部位，在左侧描画出未设置斜面清洗喷嘴245的部位。
在平台211的下方侧以包围旋转轴212的方式配置有圆板243，该圆板243形成为与旋转卡盘213上的晶圆W大致相同的直径，上述内侧杯240在内周侧支承于圆板243。另外，如后所述，在该圆板243中形成有用于喷出落下到该圆板243上的处理液等的漏液管的排出口(均未图示)。
中间杯250形成为在整个圆周方向上以凹状覆盖内侧杯240的垂直壁242而成为液体接受部251，在该液体接受部251的下表面，为了排出处理液而例如连接着自处理容器210的下方侧伸出的排液通路252的一端侧。在该液体接受部251的底面的内周侧，为了对处理容器210内的气氛进行排气而连接着自处理容器210的下方侧贯穿该液体接受部251的底面而延伸到上方的两条排气通路253，这些排气通路253在接近内侧杯240的倾斜部241的下端位置的位置开口。垂直壁242外侧的中间杯250的上端缘以接近旋转卡盘213上的晶圆W周缘部的方式，在整个圆周方向上以锥形状伸出而成为倾斜构件254。在该倾斜构件254的下端侧，在整个圆周方向上的多个部位设有用于将晶圆W上方侧的气氛与朝向上述排气通路253排出的气流一同排出的开口部255。
外侧杯260是配置在上述倾斜构件254的外周缘上的大致环状的构件，为了降低晶圆W旋转时周围气流的紊乱，使其上端缘以锥形状缩径为在整个圆周方向上覆盖旋转卡盘213上的晶圆W上方侧的气氛。
另外，如图31所示，在该抗蚀剂涂敷装置中设有控制部281，该控制部281包括未图示的CPU、存储器、程序。于是，通过自该控制部281向抗蚀剂涂敷装置的各部分输出控制信号而输入程序，以进行后述的抗蚀剂膜涂敷处理等液处理、输送晶圆W。该程序例如容纳于硬盘、微型磁盘、磁性光盘、存储卡等存储介质中，安装于计算机中。
接着，说明上述实施方式的作用。首先，利用未图示的输送臂将晶圆W搬入到处理容器210内，如图34(a)所示地使旋转卡盘213上升，如图34(b)所示地接收晶圆W并进行真空吸附。此时，通过吸附晶圆W，将晶圆W大力地按压于平台211。
接着，使旋转卡盘213下降而将晶圆W容纳在处理杯233内，并且，使未图示的输送臂退避而关闭闸门210b，使晶圆W以规定的转速、例如几千rpm旋转。此时，若欲利用旋转卡盘213使晶圆W旋转，则由于晶圆W欲保持停止的状态，在平台211与晶圆W之间产生很大的摩擦力，平台211的上表面与晶圆W的背面会稍稍滑动(磨合)。另外，通过这样地使平台211以高转速旋转，构成该平台211的树脂会因离心力而稍稍挠曲或变形，但由于借助纤维224利用所谓的锚固效应在平台211上牢固地粘着有保护膜225，因此，能够追随平台211的形状而经得住微小的变形。
接着，使溶剂喷嘴272从待机位置移动到晶圆W上方的规定位置，如图35(a)所示，自溶剂喷嘴272向晶圆W供给稀薄剂，利用稀薄剂使晶圆W的表面湿润，从而进行调整为使之后涂敷的抗蚀液易于在晶圆W上伸展开的环境的预湿处理。从晶圆W的外周缘甩下的稀薄剂经由倾斜部241及垂直壁242被从排液通路252排出，而且，与稀薄剂一同流通到下方来的处理容器210内的气氛经由液体接受部251被从排气通路253排出。此时，被供给到晶圆W上的稀薄剂为微小的液滴、雾沫，如图35(a)所示，被供给到晶圆W上的稀薄存在未被排出到排液通路252、排气通路253而经由晶圆W的侧方区域极少量地进入到晶圆W的背面侧的情况。这样，稀薄剂的雾沫等进入到晶圆W的背面侧时，如图35(b)所示，存在稀薄剂的雾沫附着于平台211的侧面、背面的保护膜227上的情况。
之后，使溶剂喷嘴272退避到待机位置，并且，使抗蚀剂喷嘴271移动到晶圆W上方的规定位置，使晶圆W的转速上升至规定值。由于这样地改变晶圆W的转速，同样地晶圆W和平台211之间会产生稍稍滑动。然后，自抗蚀剂喷嘴271向晶圆W的中心部喷出抗蚀液，如图36(a)所示，抗蚀液利用由晶圆W旋转产生的离心力自中心部朝向周缘部伸展，并且，多余的抗蚀液被从晶圆W的表面甩下。被从晶圆W的表面甩下的多余的抗蚀液自排液通路252排出，但存在雾沫极少量地经由晶圆W的侧方区域而进入、同样地附着于平台211(保护膜227)的侧周面、背面的情况。然后，在抗蚀液涂敷处理结束之后，使抗蚀剂喷嘴271退避到规定的待机位置，之后，使晶圆W旋转规定的时间而谋求抗蚀剂膜的膜厚均匀化，并且，将抗蚀液烘干而形成抗蚀剂膜290。
接着，使晶圆W的转速瞬间下降至例如700rpm，自斜面清洗喷嘴245向晶圆W的周缘部喷出作为溶解液(清洗液)的溶剂、例如稀薄剂，进行背面冲洗处理。如图36(b)所示，溶解液从晶圆W背面侧的斜面部进入到表面侧的斜面部，使抗蚀液膜的周缘部的规定宽度被清洗(切割)。然后，自斜面清洗喷嘴245喷出的稀薄剂、溶解于该稀薄剂的抗蚀液被从排液通路252排出。此时，由于如上所述地使晶圆W的转速瞬间下降至例如700rpm左右，因此，经由晶圆W的背面、平台211的下方区域而被压缩后的空气被释放，与晶圆W上表面侧的气氛相比，其背面侧的气氛暂时变得负压较大。因而，与进行预湿处理、抗蚀剂膜290的涂敷处理时相比，在进行该背面冲洗处理时，有可能发生雾沫进入到平台211侧。
然后，在将稀薄剂烘干规定时间之后，使晶圆W停止旋转，按照与搬入时相反的顺序从抗蚀剂涂敷装置搬出晶圆W。即使在使晶圆W停止旋转时，由于利用平台211使欲保持旋转状态的晶圆W停止，因此，也会在晶圆W与平台211之间产生滑动。
接着，搬入下一个晶圆W，同样地进行预湿处理、抗蚀剂膜290的涂敷处理及背面冲洗处理，而且，在平台211(保护膜227)的侧周面及背面随时间的经过还是会附着有微小量的稀薄剂、抗蚀液的雾沫。若这样地在批量生产工厂的基板处理过程中处理晶圆W，则在交接晶圆W时、吸附时或者晶圆W旋转时，每次都会在旋转卡盘213与晶圆W之间产生摩擦、滑动，但由于在平台211的表面形成有保护膜226，因此，能够抑制平台211磨损、损伤。另外，由于保护膜225借助纤维224利用所谓的锚固效应牢固地粘着在平台211上，因此，即使在处理许多张晶圆W的期间里例如平台211反复发生变形，也每次都能够追随平台211的形状而变形，因此，能够抑制膜剥离、破损。
并且，通过对许多张晶圆W进行处理会使附着于平台211(保护膜227)上的雾沫的量积蓄起来，如图37所示地成为例如有机溶剂的很大的液滴、积存液285。此时，由于在平台211的侧周面及背面的表面上形成有保护膜227，因此，积存液285不会接触到平台211。另外，由于自平台211的表面突出的纤维224被保护膜227覆盖，因此，同样不会接触于积存液285。并且，由于在该保护膜227中如上所述地含有氟，保护膜227的疏水性较高，因此，积存液285会立即成为液滴而落到下方。因而，即使在保护膜227的表面上形成有积存液285，积存液285与保护膜227也不会长时间接触。自保护膜227落下的积存液285被从形成于圆板243上的未图示的漏液管排出。
采用上述实施方式，在将晶圆W吸附保持于旋转卡盘213上时，为了提高平台211的强度而在内部混合纤维224地进行成形时，由于纤维224的端部自平台211的表面突出，因此，以埋设有该纤维224的方式在平台211的上表面形成保护膜226。因此，平台211不会直接接触晶圆W，例如在交接、吸附晶圆W时或者晶圆W旋转时，能够抑制平台211与晶圆W之间的摩擦、滑动，因此，能够抑制平台211老化(磨损)。另外，由于保护膜226借助纤维224利用所谓的锚固效应牢固地粘着在平台211上，即使在例如因旋转而使平台211挠曲、变形的情况下，保护膜226也能够追随平台211的形状而变形，因此，能够抑制膜剥离、破损。因此，即使在处理许多张晶圆W的情况下，也能够抑制平台211老化。并且，由于纤维224被保护膜226所覆盖，即使例如晶圆W与平台211接触，也能够抑制纤维224脱落、剥落，因此，能够抑制产生微粒。另外，由于能够抑制纤维224剥落，因此，能够抑制例如以纤维224的剥落部位为起点的龟裂、损伤的发展(产生)。
另外，在将该旋转卡盘213用于液体处理的情况下，即使供给到晶圆W表面的处理液经由晶圆W的侧方区域进入到平台211的侧周面、背面、在处理许多张晶圆W的期间里形成处理液的积存液285，由于在平台211的侧周面及背面形成保护膜227，平台211也不会直接接触于积存液285，因此，能够抑制对平台211产生的例如变质、氧化或者溶解等这样的化学性侵蚀(老化)的发展。并且，如上所述，保护膜227形成为覆盖自平台211的表面向外方突出的纤维224，例如处理液不会经由平台211与纤维224之间的微小间隙(界面)进入到平台211内，因此，能够抑制平台211老化。此时，在未形成保护膜227的情况下，如图38所示，处理液例如利用表面张力从平台211与纤维224之间的微小间隙(界面)进入，而从内部侵蚀平台211，进而导致纤维224易于脱落，但通过如上所述地形成保护膜227，也能够抑制由侵蚀平台211导致的纤维224脱落。并且，由于在保护膜227中混入有氟，因此，保护膜227的表面疏水性变得极高。因此，保护膜227不会长时间接触积存液285，即使例如在保护膜227中形成有针孔等缺陷而使处理液进入到平台211内，积存液285也会立即成为液滴而落到下方，能够进一步抑制对平台211的侵蚀。
另外，由于在与晶圆W接触的上表面侧的保护膜226中不含有硅，保护膜226比晶圆W柔软，因此，能够抑制对晶圆W产生物理损伤。
并且，由于在与晶圆W接触的基板载置面上形成摩擦系数极小的保护膜226，因此，能够抑制在晶圆W的背面附着微粒。
在上述例子中，在平台211的所有表面上形成保护膜225(保护膜226、227)，但对于平台211的上表面来说，至少仅形成在与晶圆W接触的基板载置面(环状构件222的上端面)上即可。另外，例如在将旋转卡盘213应用于不进行液体处理的装置、例如用于除去晶圆W周缘部的无用抗蚀剂膜的周边曝光装置、选择曝光装置的情况下，也可以在旋转驱动部214中不设置旋转机构，在平台211的侧周面、背面形成保护膜227即可。并且，在进行液体处理的情况下，例如在平台211的表面磨损小到不会成为问题的程度时，也可以在平台211的上表面不形成保护膜226，而在侧周面及背面上形成保护膜227。并且，作为保护膜227，也可以不形成为将平台211的侧周面及背面都覆盖，而形成于侧周面及背面中的一方上，也可以形成于侧周面及背面的一部分上。
作为上述保护膜225的材质，除碳和氢之外，例如也可以含有CN(氮化碳)、氧，侧周面及背面侧的保护膜227也可以含有硅。另外，作为该保护膜225，例如也可以是碳比率被设定得较高的耐磨损性的膜、例如含有精制碳化氢的膜等，在这种情况下，例如通过在平台211上涂敷等质地混合了聚碳酸酯等丙烯酸类树脂和该精制碳化氢而成的涂敷液，之后使其烘干及固化来形成保护膜225。并且，作为保护膜225，除含有上述碳的膜之外，只要是例如SiC(碳化硅)、AlN(氮化铝)、石英等陶瓷类材料即可，在这种情况下，利用通过以粉体状涂敷之后进行热处理这样的方法来形成保护膜225。
另外，上述旋转卡盘213除应用于上述抗蚀剂涂敷装置(抗蚀剂涂覆机)之外，也可以应用于后述的各液体处理、例如底层防反射膜涂覆机(BCT)、表面防反射膜涂覆机(TCT)等。另外，在进行液体浸渍曝光处理的情况下，也可以将上述旋转卡盘213应用于在该液体浸渍曝光处理之前在晶圆W的表面形成保护膜的保护膜涂覆机(ITC)、在进行液体浸渍曝光处理之后剥离该保护膜的有机保护膜剥离组件(ITR)。在有机保护膜剥离组件中，替代上述抗蚀剂喷嘴271而设有作为供给有机溶剂(溶解液)、例如稀薄剂的部件的喷嘴。并且，保护膜225除了对于上述有机溶剂(稀薄剂、抗蚀液)之外，对于酸水溶液、碱水溶液也具有抗性，因此，例如也可以将旋转卡盘213应用于在进行曝光处理之后向晶圆W上的抗蚀剂膜供给碱性处理液(显影液)而进行显影处理的显影处理装置，例如也可以应用于将碱水溶液(氨水溶液与过氧化水溶液的混合溶液)、酸水溶液(稀氢氟酸(dilute hydrofluoric acid solution))及有机溶剂(IPA、异丙醇)等按顺序或者混合地用作处理液来清洗晶圆W的单张清洗装置。在这些情况下，保护膜227也能够抑制由碱水溶液、酸水溶液或者有机溶剂导致的平台211老化。
接着，参照图39～图41说明应用上述抗蚀剂涂敷装置的涂敷、显影装置。如图39及图40所示，该涂敷、显影装置包括自密闭型的载体200取出晶圆W的载体模块S1、对晶圆W进行各处理的处理模块S2、在与涂敷、显影装置相连接的曝光装置S4与处理模块S2之间交接晶圆W的接口模块S3。在载体模块S1中，交接臂C自载置在载置台201上的载体200取出晶圆W，将其交接到与该载体模块S1相邻的处理模块S2，并且，交接臂C接收在处理模块S2中处理后的处理完毕的晶圆W而使其返回到载体200。
如图41所示，在该例子中，处理模块S2自下方依次层叠用于进行显影处理的第1模块(DEV层)B1、用于进行形成于抗蚀剂膜下层的防反射膜的形成处理的第2模块(BCT层)B2、用于进行抗蚀液的涂敷处理的第3模块(COT层)B3、用于进行形成于抗蚀剂膜上层侧的防反射膜的形成处理的第4模块(TCT层)B4而构成。
第3模块(COT层)B3包括：抗蚀剂涂敷装置，其用于涂敷抗蚀液；加热冷却系统的处理单元组，其组装了用于进行在该抗蚀剂涂敷装置中进行的处理的前处理及后处理的基板加热装置；输送臂A3，其设置在上述抗蚀剂涂敷装置与基板加热装置之间，在它们之间交接晶圆W。另外，第2模块(BCT层)B2、第4模块(TCT层)B4分别包括：利用旋转涂覆来涂敷用于形成防反射膜的药液的液体处理装置；上述加热冷却系统的处理单元组；设置在上述处理装置与处理单元组之间、在它们之间交接晶圆W的输送臂A2、A4。对于第1处理模块(DEV层)B1，例如在一个DEV层B1内层叠两层显影单元。而且，在该DEV层B1内设有用于向这2层显影单元输送晶圆W的共用的输送臂A1。如图40及图41所示，在处理模块S2中还设有架单元U1，在该架单元U1的各部分相互之间，利用设置在上述架单元U1附近的能自由升降的交接臂D1输送晶圆W。在上述DEV层B1内的上部设有梭式臂E，该梭式臂E是用于将晶圆W从设置于架单元U1中的交接单元CPL11直接输送到设置于处理模块S2内的架单元U2中的交接单元CPL12的专用的输送部件。
在该涂敷、显影装置中，首先利用交接臂C将载体模块S1的载体200内的晶圆W取出，将其输送到上述架单元U1的一个交接单元、例如交接单元CPL2。接着，借助交接单元CPL3及输送臂A3将晶圆W搬入到第3模块(COT层)B3，在疏水化处理单元中将表面疏水化，然后利用液体处理装置202如上所述地形成抗蚀剂膜。之后，利用输送臂A3将晶圆W交接到架单元U1的交接单元BF3。
然后，晶圆W经由交接单元BF3→交接臂D1→交接单元CPL4被输送到输送臂A4，在抗蚀剂膜上形成防反射膜之后，利用输送臂A4将晶圆W交接到交接单元TRS4。另外，也存在在抗蚀剂膜上不形成防反射膜的情况、替代对晶圆W进行疏水化处理而利用第2模块(BCT层)B2形成防反射膜的情况。
利用交接臂D1将形成有抗蚀剂膜或还形成有防反射膜的晶圆W经由交接单元BF3、TRS4交接到交接单元CPL11，利用上述梭式臂E将晶圆W直接输送到架单元U2的交接单元CPL12，将晶圆W搬入到接口模块S3中。另外，图41中的标注有CPL的交接单元兼用作调温用的冷却单元，标注有BF的交接单元兼用作能够载置多张晶圆W的缓冲单元。
接着，利用接口臂B将晶圆W输送到曝光装置S4，在此进行了规定的曝光处理之后，将晶圆W载置于架单元U2的交接单元TRS6上而使其返回到处理模块S2。该晶圆W在第1模块(DEV层)B1中进行显影处理、被输送臂A1交接到架单元U1、再借助交接臂C返回到载体200。另外，在如上所述地作为上述曝光装置S4而连接进行液体浸渍曝光处理的液体浸渍曝光装置的情况下，在涂敷、显影装置的处理模块S2内设有在该液体浸渍曝光处理之前在晶圆W的表面形成保护膜的保护膜涂覆机(ITC)、在进行液体浸渍曝光处理之后剥离该保护膜的有机保护膜剥离组件(ITR)。
实施例
接着，对为了确认形成上述保护膜225时平台211的抗酸性、耐磨损性提高了多少程度而进行的实验进行说明。
评价试验1
首先，作为评价试验1，进行评价保护膜225的耐磨损性的实验。在该实验中，为了对保护膜225迅速地施加冲击而进行加速试验，在圆周方向上配置4个从侧方侧保持晶圆W的晶圆保持部333，在这些晶圆保持部333的内部区域中使晶圆W沿水平方向移动而使晶圆W的外周缘与晶圆保持部333的内周面相冲撞，测量晶圆保持部333的磨损量。这些晶圆保持部333分别如图42(a)、(b)所示地构成，附图标记334是从背面侧支承晶圆W的背面支承部，附图标记335是从侧面侧包围支承于背面支承部334的晶圆W、用于限制其位置的下侧垂直壁部，附图标记336是形成为自下侧垂直壁部335朝向上方以锥形状扩径、在晶圆W落入背面支承部334时用于支承晶圆W的外缘使其滑落的倾斜部。各晶圆保持部333与未图示的驱动部相连接，在保持各晶圆保持部333的间隔的状态下，能够如图中箭头所示地沿水平方向往返移动。另外，调整各晶圆保持部333的位置，使得晶圆保持部333的下侧垂直壁部335自晶圆W的侧面分开一些。
在该评价试验1-1中，在该晶圆保持部333上未形成本实施方式中说明的保护膜225，为了用作相对于后述的形成保护膜225的例子的比较对象而进行实验。在该试验中采用的晶圆保持部333替代本实施方式中说明的PEEK树脂而由规定的树脂构成。在上述树脂中，与本实施方式同样地混入有碳纤维。载置晶圆W之后，使晶圆保持部333往返移动20万次，使晶圆W冲撞晶圆保持部333的下侧垂直壁部335。之后，使用显微镜测量形成于下侧垂直壁部335上的磨损痕迹的深度。
接着，作为评价试验1-2进行与评价试验1-1同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部335上的磨损痕迹的深度。但是，在晶圆保持部333上形成有本实施方式中说明的保护膜225(保护膜226)，其厚度为3μm。
另外，作为评价试验1-3进行与评价试验1-2同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部335上的各磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-3中，晶圆保持部333由与本实施方式相同的PEEK构成。形成于晶圆保持部333上的保护膜225的厚度与评价试验1-2相同为3μm。
作为评价试验1-4进行与评价试验1-3同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部335上的磨损痕迹的深度。但是，使晶圆保持部333往返移动的次数为1000万次。形成于下侧垂直壁部335上的保护膜225的厚度与评价试验1-3相同为3μm。该晶圆保持部333由与评价试验1-1相同的树脂构成。
作为评价试验1-5进行与评价试验1-4同样的试验，测量形成于下侧垂直壁部335上的各磨损痕迹的深度。但是，在该评价试验1-5中，晶圆保持部333由与评价试验1-2相同的规定树脂构成。形成于晶圆保持部333的各部分上的保护膜225的厚度为8μm。晶圆保持部333的往返移动次数为1000万次。
作为评价试验1-6进行与评价试验1-4同样的试验。但是，晶圆保持部333的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部334。
作为评价试验1-7进行与评价试验1-3同样的试验。但是，晶圆保持部333的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部334。
作为评价试验1-8进行与评价试验1-5同样的试验。但是，晶圆保持部333的往返移动次数为1000万次，磨损痕迹的测量部位为背面支承部334。
图43表示评价试验1-1～1-8的结果，针对每个评价试验分别以斜线坐标图表示最大磨损痕迹的深度，以标有许多点的坐标图表示各磨损痕迹的深度的平均值。另外，在各坐标图上表示结果的数值，该数值单位为μm。比较评价试验1-1的结果和评价试验1-2的结果，评价试验1-2的最大磨损痕迹深度、磨损痕迹的平均值均较小。因而，由这些评价试验1-1及1-2的结果显示出：像本实施方式中说明的那样，通过形成保护膜225能提高晶圆保持部333的下侧垂直壁部335(平台211)的耐磨损性。另外，在评价试验1-4中，晶圆W对下侧垂直壁部335的冲撞次数多于评价试验1-1，但评价试验1-4的最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值却较小。因此，也显示出通过形成保护膜225能提高下侧垂直壁部335的耐磨损性。
由评价试验1-3、1-5的结果可知，即使改变构成晶圆保持部333的树脂及保护膜225的膜厚，其耐磨损性也高于评价试验1-1。另外，对于评价试验1-6～1-8，由于最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值被抑制得较小，因此，一般认为在背面支承部334上形成保护膜225也是有效的。
评价试验2
作为评价试验2-1，向晶圆保持部333滴下磺酸的原液，使用显微镜测量所形成的磨损痕迹(侵蚀痕迹)的深度。但是，在该晶圆保持部333上未形成保护膜225，而且，使用替代PEEK树脂而由评价试验1-1中采用的规定树脂构成的晶圆保持部333。
作为评价试验2-2，对于与本实施方式同样地在各部分形成有保护膜225(保护膜227)的晶圆保持部333，与评价试验2-1同样地向该保护膜225上滴下磺酸的原液，使用显微镜测量所形成的磨损痕迹。晶圆保持部333采用与评价试验2-1同样地由规定的树脂构成的、保护膜225的厚度为1μm的材料。
作为评价试验2-3，采用保护膜225的厚度为3μm的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的试验。
作为评价试验2-4，采用保护膜225的厚度为6μm的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的试验。
作为评价试验2-5，采用保护膜225的厚度为8μm的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的试验。
作为评价试验2-6，采用由PEEK构成的、形成有3μm的保护膜225的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的评价试验。构成该保护膜225的各元素的比率与构成评价试验2-1～2-5的保护膜225的各元素的比率不同。
作为评价试验2-7，采用由PEEK构成的、形成有3μm的保护膜225的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的评价试验。构成该保护膜225的元素的比率与构成评价试验2-1～2-5的保护膜225的各元素的比率相同。
作为评价试验2-8，采用由聚酰亚胺构成的、形成有3μm的保护膜225的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的试验。构成该保护膜225的元素的比率与构成评价试验2-6的保护膜225的各元素的比率相同。
作为评价试验2-9，采用由聚酰亚胺构成的、形成有3μm的保护膜225的晶圆保持部333进行与评价试验2-1同样的试验。构成该保护膜225的元素的比率与构成评价试验2-1～2-5的保护膜225的各元素的比率相同。
图44表示评价试验2-1～2-9的结果，与图43同样地针对每个评价试验分别以斜线坐标图表示最大磨损痕迹的深度，以标有许多点的坐标图表示各磨损痕迹的深度的平均值。另外，在各坐标图上表示结果的数值，该数值单位为μm。比较评价试验2-1的结果和评价试验2-2～2-5的结果，评价试验2-2～2-5的最大磨损痕迹深度、磨损痕迹的平均值均小于评价试验2-1。因而，由这些评价试验2-1～2-5的结果显示出通过形成保护膜225能提高抗酸性。
另外，在评价试验2-6～2-9中，最大磨损痕迹深度及磨损痕迹深度的平均值也被抑制得比较小。因而，由这些结果也可以看出形成保护膜225有助于提高抗腐蚀性。

Claims (8)

1.一种基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括以下工序：
利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；
利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；
上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维；该保护膜包覆该基材和纤维，用于防止该基材的磨损及化学性侵蚀中的至少一种；
上述基材通过向模具内填充混合了许多个纤维的熔融树脂并使熔融树脂固化而形成，通过自树脂拆下模具，弯折的纤维的前端部立起，然后在基材的突出有纤维的前端部的表面上形成上述保护膜，由此相对于基材高密接性地形成上述保护膜。
2.根据权利要求1所述的基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括利用基体支承上述支承构件的工序和利用驱动机构使支承构件相对于上述基体移动而输送基板的工序。
3.根据权利要求1所述的基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括利用上述支承构件对基板进行加热或冷却的工序。
4.一种基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括以下工序：
利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；
利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；
利用设置于上述支承构件上、且自被位置限制部包围的基板的支承区域的外方朝向该支承区域下降的倾斜部，使基板的周缘部滑下而将基板引导到背面支承部上；
上述背面支承部、上述位置限制部、上述倾斜部中的至少一个由基材和保护膜构成，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维；该保护膜包覆该基材和纤维，用于防止该基材的磨损及化学侵蚀中的至少一种；
上述基材通过向模具内填充混合了许多个纤维的熔融树脂并使熔融树脂固化而形成，通过自树脂拆下模具，弯折的纤维的前端部立起，然后在基材的突出有纤维的前端部的表面上形成上述保护膜，由此相对于基材高密接性地形成上述保护膜。
5.一种基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括以下工序：
利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；
利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；
上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包括包覆该基材的第1膜和层叠在该第1膜上的第2膜，用于防止化学性侵蚀，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维，该保护膜包覆该基材和纤维；
上述基材通过向模具内填充混合了许多个纤维的熔融树脂并使熔融树脂固化而形成，通过自树脂拆下模具，弯折的纤维的前端部立起，然后在基材的突出有纤维的前端部的表面上形成上述保护膜，由此相对于基材高密接性地形成上述保护膜。
6.根据权利要求5所述的基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括利用基体支承上述支承构件的工序和利用驱动机构使支承构件相对于上述基体移动而输送基板的工序。
7.根据权利要求5所述的基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括利用上述支承构件对基板进行加热或冷却的工序。
8.一种基板支承方法，其特征在于，
该基板支承方法包括以下工序：
利用具有背面支承部的支承构件支承基板的背面；
利用设置于上述支承构件上的位置限制部包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，限制基板的位置；
利用设置于上述支承构件上、且自被位置限制部包围的基板的支承区域的外方朝向该支承区域下降的倾斜部，使基板的周缘部滑下而将基板引导到背面支承部上；
上述背面支承部、上述位置限制部、上述倾斜部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包括包覆该基材的第1膜和层叠在该第1膜上的第2膜，用于防止化学性侵蚀，在上述基材上保持有其前端突出于该基材表面的许多个纤维，该保护膜包覆该基材和纤维；
上述基材通过向模具内填充混合了许多个纤维的熔融树脂并使熔融树脂固化而形成，通过自树脂拆下模具，弯折的纤维的前端部立起，然后在基材的突出有纤维的前端部的表面上形成上述保护膜，由此相对于基材高密接性地形成上述保护膜。
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