KR101133121B1 - 웨이퍼 고정용 지그, 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은 공정 중의 웨이퍼의 손상을 방지하고, 주변의 오염을 방지하며, 복잡한 공정을 간소화할 수 있는 웨이퍼 고정용 지그, 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는 원형의 웨이퍼가 안착되는 홈이 형성되고, 상기 웨이퍼가 안착된 상태에서 상기 웨이퍼와 실질적으로 동심원인 원형의 외곽형상을 가지는 웨이퍼 고정용 지그를 제공한다. 또한, 회전 구동이 가능하고, 상부에 판상 부재를 흡착하여 고정하는 스핀척; 웨이퍼를 수용하는 홈이 형성되고, 상기 웨이퍼가 안착된 상태에서 상기 스핀척의 상부에 배치되어 고정되는 웨이퍼 고정용 지그; 상기 웨이퍼 고정용 지그에 안착된 웨이퍼의 가장자리 부분에 코팅 용액을 공급하는 코팅 용액 공급 튜브; 및 상기 코팅 용액 공급 튜브가 공급한 코팅 용액이 도포된 상기 웨이퍼 상의 원주 방향 후방에 적외선을 조사하는 적외선 오븐을 포함하는 웨이퍼 코팅 장치를 제공하고, 이러한 웨이퍼 고정용 지그 및 웨이퍼 코팅 장치를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공한다.

Description

웨이퍼 고정용 지그, 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법{Jig for accommodating wafer, coating apparatus for wafer, and method for manufacturing semiconductor device using the same}

도 1은 종래의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 가장자리에 레지스트를 코팅하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면.

도 2는 종래의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 배면에 레지스트를 코팅하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면.

도 3 및 도 4는 종래의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 전면에 범프를 도금하여 형성하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 코팅 장치를 사용하여 웨이퍼의 가장자리에 레지스트를 코팅하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면.

도 6은 도 5의 코팅 공정이 완료된 상태에서 웨이퍼를 수용하고 있는 웨이퍼 고정용 지그의 평면도.

도 7은 복수의 반도체 웨이퍼를 운반하는데 사용되는 웨이퍼 캐리어의 사시도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1, 2, 11: 코팅액 공급 튜브 3: 스핀척

4, 14: 레지스트 코팅액 5: 웨이퍼

6: 웨이퍼 보트 7: 도금 용액

10: 웨이퍼 도포용 스펀지 18: 웨이퍼 고정용 지그

19: 적외선 오븐 30: 웨이퍼 캐리어

본 발명은 웨이퍼(wafer) 고정용 지그(jig), 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 손상을 줄이기 위해 웨이퍼를 고정한 상태에서 반도체 소자의 제조 공정에 투입되는 웨이퍼 고정용 지그와, 이를 구비한 웨이퍼 코팅 장치와, 이를 이용하여 간이한 공정으로 양품의 반도체 소자를 견실하게 제작할 수 있는 반도체 소자의 제작 방법에 관한 것이다.

기술의 진보와 함께 전자제품이 점점 더 콤팩트(compact)해지면서 반도체 소자를 구성하는 패키지(package) 역시 더 작고 더 얇게 변천해가고 있다.

이러한 추세에 따라 웨이퍼도 기존의 750㎛에서 200㎛이하로 점점 더 얇아지는 한편, 대량 생산의 생산성을 향상시키기 위해 웨이퍼의 직경은 점점 커지고 있다. 이러한 기술 동향은 반도체 소자의 제조 공정 중에서 웨이퍼의 핸들링 시 쉽게 변형되거나 파손되는 등의 문제를 발생시킨다.

더욱이 이미지 센서 웨이퍼(image sensor wafer)의 경우, 상부에 형성된 픽 셀(pixel) 부분은 외부의 이물 혹은 스크래치 등으로부터 보호되어야하는데, 현재의 반도체 제조 공정에서의 코팅 방식을 비롯한 핸들링 방식을 사용할 경우 이러한 외부 요인으로부터의 보호가 불가능하며 많은 손실을 초래할 수 있다.

도 1에는 종래의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 가장자리에 레지스트를 코팅하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있고, 도 2는 종래의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 배면에 레지스트를 코팅하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있으며, 도 3 및 도 4는 종래의 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 전면에 범프를 도금하여 형성하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다.

도 3 및 도 4에 도시된 것과 같은 무전해 도금 방식으로 웨이퍼(5) 상에 범프를 형성하는 공정에서는 웨이퍼(5)의 두께가 얇아질수록 도금 용액(7) 내에서 앞면과 뒷면의 전위차가 범프의 성장에 영향을 주어 이상 범프가 형성될 수 있으므로 얇은 웨이퍼는 반드시 배면 코팅(back coating)을 실시한 후 도금 공정을 진행한다.

또한, 웨이퍼(5)의 가장자리 부근의 더미(dummy) 회로부에는 가장자리 코팅(edge coating)을 수행하여야 무전해 도금 방식으로 범프를 형성할 때 범프의 품질이 안정된다.

도 1에 도시된 것과 같이, 회전 구동이 가능한 스핀들(spindle) 상에 고정된 척(chuck)에 웨이퍼(5)가 고정되고 레지스트 코팅 용액을 공급하는 스펀지(sponge)(10)를 구비한 아암(arm)(1)이 하향으로 이동하여 소정의 압력으로 상기 웨이퍼(5)의 가장자리를 누른 상태에서 아래쪽에 위치한 스핀척(3)이 저속으로 회전하여 가장자리 코팅이 이루어진다. 레지스트 코팅 용액이 도포된 면은 후에 별도의 큐어링(curing) 공정을 거치게 된다.

도 2에 도시된 것과 같이, 배면 코팅 공정은, 레지스트 코팅 용액을 공급하는 튜브를 가진 아암(2)이 하향으로 이동하여 설정된 양만큼의 레지스트 코팅 용액(4)을 웨이퍼(5) 중앙에 토출한 후, 아래쪽에 위치한 스핀척(3)이 고속으로 회전하여 일정량의 도포량만이 웨이퍼(5) 전면에 고르게 도포된 후 나머지는 원심력에 의해 외부로 방출되는 방식으로 이루어진다.

가장자리 코팅 및 배면 코팅이 완료된 웨이퍼(5)는 큐어링 공정을 거친 후 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같은 도금을 통해 범프 형성 공정에 투입된다. 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 웨이퍼(5)는 도금 공정을 위해 웨이퍼 보트(6)에 수용된 상태에서 도금 용액(7)에 잠겨 도금이 이루어지게 된다.

이러한 공정들을 거치는 과정에서 다음과 같은 문제점들이 발생한다.

먼저, 가장자리 코팅 공정 중에는 상기 아암(1)에 의해 얇은 웨이퍼(5)에 일측으로 치우친 하중이 과다하게 작용하게 되어 웨이퍼(5)의 변형 우려가 있다.

또한, 배면 코팅 공정 중에는 점성이 작은 레지스트 코팅 용액(40 내지 60mPa?s)을 사용하고 고속(3000 내지 4000 rpm)으로 회전시키기 때문에 외벽으로 레지스트 코팅 용액이 묻게되어 오염을 일으킬 수 있는 문제점과, 균형이 유지되지 않는 상태에서 고속으로 회전할 경우 웨이퍼(5)가 파손될 수도 있는 등 문제점이 발생할 수 있다. 배면 코팅은 진공이 유지되는 챔버(미도시) 내에서 이루어지는 데, 이때의 과도한 진공압력에 의해 웨이퍼(5) 전면의 칩 표면에 손상을 줄 수 있다. 특히 CMOS 이미지 센서의 경우 이러한 손상의 위험이 심각한 수준이다.

이에, 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방안을 강구할 필요성이 크게 대두되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 본 발명의 목적은 공정 중의 웨이퍼의 손상을 방지하고, 주변의 오염을 방지하며, 복잡한 공정을 간소화할 수 있는 웨이퍼 고정용 지그, 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기와 같은 본 발명의 목적은, 절연성 박판으로 그 일면에 소정형상의 웨이퍼가 수용되는 안착부를 구비하고, 상기 웨이퍼가 안착된 상태에서 상기 웨이퍼와 실질적으로 동일한 외곽형상을 가지는 웨이퍼 고정용 지그를 제공함으로써 달성된다.

또한, 상기와 같은 본 발명의 목적은, 회전 구동내지는 소정의 경로를 따라 이동이 가능하고, 상부에 판상 부재를 흡착하여 고정하는 스핀척; 상기 스핀척에 고정된 판상 부재에 코팅 용액을 공급하는 코팅 용액 공급부; 및 상기 코팅 용액 공급부의 일측 또는 상기 공급부 진행 방향 후방에서 상기 코팅 용액 공급부가 공급한 코팅 용액을 경화시키는 경화진행부를 포함하는 웨이퍼 코팅 장치를 제공함으로써 달성된다.

여기서, 상기 코팅 용액 공급부의 끝단에는 튜브가 설치되고, 상기 튜브의 하단에는 코팅액 도포 스펀지가 부착된 것이 바람직하다.

여기서, 상기 경화진행부는 상기 코팅 용액에 적외선을 조사하는 적외선 오븐을 구비한 것이 바람직하다.

또한, 상기와 같은 본 발명의 목적은, 다수의 단위 회로가 형성된 웨이퍼에 범프를 도금으로 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 웨이퍼에 범프 형성하는 공정은, 웨이퍼의 외각 형상에 대응하는 홈이 형성된 웨이퍼 보조 지그에 웨이퍼를 설치하는 단계(a); 상기 웨이퍼를 수용한 웨이퍼 보조 지그를 스핀척에 고정하는 단계(b); 상기 스핀척을 회전 또는 소정의 경로를 따라 이동 시키면서 상기 웨이퍼의 가장자리와 상기 웨이퍼 보조지그에 웨이퍼 고정액을 도포하는 단계(c); 및 상기 웨이퍼 가장자리와 웨이퍼 보조 지그상에 고정액이 경화된 상태에서 상기 웨이퍼 및 상기 웨이퍼 보조 지그를 일체로 도금 용액에 담가 범프를 형성하는 단계(d)를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공함으로써 달성된다.

여기서, 상기 웨이퍼의 가장자리와 상기 웨이퍼 보조지그에 웨이퍼 고정액을 도포하는 단계(c)는 고정액이 도포되는 영역의 진행 방향 후방에서 고정액에 적외선을 조사하여 상기 고정액을 경화하는 공정이 동시에 진행되는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서는, 종래기술을 설명한 도면에 도시된 부재와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부재번호를 사용한다.

도 5에는 본 발명에 따른 웨이퍼 코팅 장치를 사용하여 웨이퍼의 가장자리에 레지스트를 코팅하는 공정을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있고, 도 6에는 도 5에 도시된 웨이퍼 고정용 지그의 평면도가 도시되어 있다.

도 5에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 코팅 장치는 스핀척(3), 코팅 용액 공급부 및 경화진행부을 포함한다.

상기 스핀척(3)은 상면에 웨이퍼(5)와 같은 판상 부재를 고정하는 진공 척과 상기 진공 척을 회전시키는 스핀들을 포함한다. 상기 스핀척(3) 상에서 웨이퍼(5)는 웨이퍼 고정용 지그(18)에 수용된 상태로 고정된다.

상기 웨이퍼 고정용 지그(18)는 원형의 웨이퍼(5)가 수용하는 안착부가 형성되고, 상기 웨이퍼(5)가 안착된 상태에서 상기 웨이퍼(5)와 실질적으로 동심원인 원형의 외곽형상을 가진다. 상기 안착부는 바람직하게는 상기 웨이퍼가 수용되는 홈의 형태일 수 있다. 상기 웨이퍼 고정용 지그의 외곽의 테두리 부분은 상기 웨이퍼(5)가 안착되는 중앙의 안착부보다 두께가 완만하게 두껍게 형성되는 것이 바람직하다.

상기 코팅 용액 공급부의 단부에는 코팅액 공급 튜브(11)가 설치되고, 상기 코팅액 공급 튜브(11)는 상기 스핀척(3) 상에 고정된 상기 웨이퍼(5)의 가장자리 부근에서 상하 이동이 가능하게 배치된다. 상기 코팅액 공급 튜브의 하단에는 코팅액 도포 스펀지(10)가 배치된다. 웨이퍼(5)에 코팅액(14)을 도포할 때에는 상기 코팅액 공급 튜브(11)가 상기 웨이퍼(5)의 가장자리의 상측으로 이동하고 상기 코팅액 도포 스펀지(10)가 상기 웨이퍼(5)의 가장자리 면에 소정의 압력을 가하면서 코팅액(14)을 도포하게 된다.

상기 경화진행부는 상기 웨이퍼 상에 도포된 코팅 용액에 적외선을 조사하는 적외선 오븐(19)을 구비한다. 상기 적외선 오븐(19)은 상기 코팅액 공급 튜브(11)가 상기 웨이퍼(5)의 가장자리에 코팅액(14)을 도포하는 위치의 원주방향 후방에 배치되어 상기 코팅액(14)이 도포된 상기 웨이퍼(5)의 가장자리 부분에 적외선을 조사하도록 배치되는 것이 바람직하다. 그리하여 상기 코팅액(14)의 큐어링 공정이 상기 스핀척(3) 상에 세팅된 상태에서 상기 코팅액 도포 공정과 동일한 공정에서 거의 동일한 시간에 완료될 수 있도록 한다.

웨이퍼(5)를 상기와 같은 웨이퍼 고정용 지그(18)에 수용한 상태로 상기와 같은 웨이퍼 코팅 장치를 사용하여 가장자리 코팅 공정을 수행할 때에, 경화 온도가 높아서 높은 온도로 상기 레지스트 코팅액을 경화시키게되면 웨이퍼(5)가 열에 의해 변형될 우려가 있으므로, 비교적 낮은 경화 온도를 가지는 레지스트 코팅 용액을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 점도가 높은 레지스트 코팅액(350dPa?s)을 사용하여 300rpm 이하의 저속으로 회전시키면서 코팅액의 도포 및 큐어링 공정을 수행함으로써 레지스트 코팅액이 장치의 내벽에 튀어 오염시키는 것을 방지하고, 고속 회전에 따른 웨이퍼(5)의 손상이나 변형을 방지하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 코팅액 도포 스펀지(10)가 상기 웨이퍼(5)의 가장자리 부근에서 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)와의 경계 부근에 일부 코팅액이 도포되도록 하는 경우에는 큐어링 공정 후 큐어된 코팅 물질에 의하여 상기 웨이퍼(5)가 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)에 고정되고 동시에 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)의 접촉면이 외부로부터 차단되어 밀봉되도록 할 수 있다. 이렇게 함으로써 이후의 공정에서 상기 웨이퍼(5)와 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)를 일체로 핸들링하는 것이 가능하고, 웨이퍼 배면에 배면 코팅을 실시할 필요성이 사라지게 된다.

도 7에는 웨이퍼를 핸들링할 때 복수의 웨이퍼를 한번에 운반하기 위해 사용하는 캐리어의 사시도가 도시되어 있다.

도 7에 도시된 것과 같은 복수 개의 웨이퍼(5)를 운반하는데 사용되는 캐리어(30)는 다수의 웨이퍼 수용 포켓이 구비되어 있다. 통상의 경우 얇은 웨이퍼(5)는 750㎛ 정도의 두께이고 상기 포켓의 간격은 통상 6.4mm정도 되어, 운반 과정에서 웨이퍼(5)가 슬롯의 상하면에 충돌하여 웨이퍼(5)가 손상되는 경우가 발생하기 쉽다.

이 경우, 도 5 및 도 6에 도시된 것과 같은 웨이퍼 고정용 지그(18)에 웨이퍼(5)가 수용된 상태에서 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)를 상기 캐리어(30)의 슬롯에 삽입한 상태로 운반하게되면, 웨이퍼 고정용 지그(18)의 단부가 상기 슬롯의 상하면에 부딪히는 경우가 생길 수는 있으나 웨이퍼(5) 자체에 손상을 주지는 않게 된다. 또는 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)의 단부의 두께를 상기 포켓의 간격에 대응하는 두께로 만들어서 충돌이 거의 일어나지 않도록 할 수도 있다.

또한, 200㎛이하의 극히 얇은 두께를 가지는 웨이퍼(5)의 경우, 집게(tweezers)를 이용하여 집거나 운반할 때에 파손에 대한 우려가 매우 크다. 따라서, 일반적으로 진공 집게(vacuum tweezers)를 사용하기도 하지만, CMOS 이미지 센서 웨이퍼의 경우에는 픽셀 영역이 웨이퍼(5) 상면에 존재하는 관계로 진공 집게를 이용하는 핸들링도 픽셀 영역의 손상을 가져오기 쉽다. 이러한 경우에도 본 발명에 따른 웨이퍼 고정용 지그(18)를 사용하는 경우에는 지그 부분을 집게로 집어서 운반할 수 있으므로 웨이퍼(5)의 손상을 방지할 수 있다. 즉, 모든 웨이퍼(5) 핸들링 과정에서 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)를 사용하여 웨이퍼(5)의 손상을 방지할 수 있다.

한편, 코팅 공정이 완료된 후에는 웨이퍼(5)를 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같은 방식으로 도금 공정에 투입하게 된다. 도 5에 도시된 것과 같은 웨이퍼 고정용 지그(18)에 웨이퍼(5)가 수용된 상태에서 도금 용액에 담그는 경우, 웨이퍼(5) 전후면의 전위차에 의한 이상 범프 형성을 예방하기 위해 행하는 배면 코팅 공정을 생략할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)를 일체로 도금 용액에 담그는 경우에는, 도금 용액의 표면 장력 등에 의한 저항으로 도금 용액에 담그는 과정에서 상기 웨이퍼(5)가 들뜨는 현상을 어느 정도 방지할 수 있어 도금 용액에 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)를 담그는 공정이 수월하게 진행될 수 있다. 한편, 이경우의 상기 웨이퍼 고정용 지그(18)의 재질은 도금 용액 내에서 반응성이 없는 내화학성 및 내부식성의 소재여야 하고, 특히 세라믹이나 석영(quartz) 재질이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 앞서 언급한 것 외에도 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. 앞서 언급한 것과 같이 배면 코팅 공정이 불필요하게되므로, 점도가 높은 코팅 용액을 사용하여 저속으로 코팅 공정을 진행하는 가장자리 코팅 공정만 이루어지게 된다. 이에 따라, 배면 코팅에서의 고속 회전에 따른 코팅액에 의한 오염 문 제를 원천적으로 예방할 수 있다. 또한, 배면 코팅을 위해 웨이퍼(5)를 뒤집을 필요가 없으므로, 배면 코팅 과정에서 칩에 손상이 생길 위험성이 원천적으로 예방되어, 칩부분이 매우 민감한 CMOS 이미지센서의 경우에는 더욱 유리하다. 또한, 추후에 배면 코팅된 레지스트를 제거하기 위한 추가 공정이 불필요하게 되고, 프리 큐어(pre-cure) 및 메인 큐어(main cure) 공정이 추가적으로 필요하지 않고, 도금 공정 후에 배면 코팅된 용액을 제거하기 위해서는 플라즈마 에싱(plasma ashing) 공정 또한 필요하지 않아서 공정 시간이 단축되고 공정의 간소화가 가능하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 얇은 웨이퍼를 적용하는 경우에도 반도체 소자의 제조 공정 중에 웨이퍼의 변형이나 칩의 손상을 예방하는 것이 가능하고, 공정 중에 주변이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 본 발명은 외력에 민감하고 경박단소화 경향에 있는 CMOS 이미지 센서용 반도체 소자를 제작하는 경우에 적용하면 그 효과가 더욱 크다.

한편, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 한다.

Claims (6)

1. 삭제
2. 회전 구동내지는 소정의 경로를 따라 이동이 가능하고, 상부에 판상 부재를 흡착하여 고정하는 스핀척;

   상기 스핀척에 고정된 판상 부재에 코팅 용액을 공급하는 코팅 용액 공급부; 및

   상기 코팅 용액 공급부의 일측 또는 상기 공급부 진행 방향 후방에서 상기 코팅 용액 공급부가 공급한 코팅 용액을 경화시키는 경화진행부를 포함하는 웨이퍼 코팅 장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 코팅 용액 공급부의 끝단에는 튜브가 설치되고,

   상기 튜브의 하단에는 코팅액 도포 스펀지가 부착된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 코팅 장치.
4. 제 2 항에 있어서,

   상기 경화진행부는 상기 코팅 용액에 적외선을 조사하는 적외선 오븐을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 코팅 장치.
5. 다수의 단위 회로가 형성된 웨이퍼에 범프를 도금으로 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,

   상기 웨이퍼에 범프 형성하는 공정은,

   웨이퍼의 외각 형상에 대응하는 홈이 형성된 웨이퍼 보조 지그에 웨이퍼를 설치하는 단계(a);

   상기 웨이퍼를 수용한 웨이퍼 보조 지그를 스핀척에 고정하는 단계 (b);

   상기 스핀척을 회전 또는 소정의 경로를 따라 이동 시키면서 상기 웨이퍼의 가장자리와 상기 웨이퍼 보조지그에 웨이퍼 고정액을 도포하는 단계(c); 및

   상기 웨이퍼 가장자리와 웨이퍼 보조 지그상에 고정액이 경화된 상태에서 상기 웨이퍼 및 상기 웨이퍼 보조 지그를 일체로 도금 용액에 담가 범프를 형성하는 단계(d)를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 웨이퍼의 가장자리와 상기 웨이퍼 보조지그에 웨이퍼 고정액을 도포하는 단계(c)는 고정액이 도포되는 영역의 진행 방향 후방에서 고정액에 적외선을 조사하여 상기 고정액을 경화하는 공정이 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.

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