JPH07240455A - 半導体ウエハサイズ変換ホルダー及びその製造方法 - Google Patents
半導体ウエハサイズ変換ホルダー及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07240455A JPH07240455A JP5464794A JP5464794A JPH07240455A JP H07240455 A JPH07240455 A JP H07240455A JP 5464794 A JP5464794 A JP 5464794A JP 5464794 A JP5464794 A JP 5464794A JP H07240455 A JPH07240455 A JP H07240455A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- size conversion
- wafer size
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- conversion holder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術の難点を解決し、耐薬品性、耐熱
性、耐プラズマ性を有し、しかも安価に提供することの
できる半導体ウエハサイズ変換ホルダーを提供すること
を目的とする。 【構成】 本発明の半導体ウエハサイズ変換ホルダーの
構成は、実質的にガラス状カーボンで構成されているこ
とを特徴とするものであり、又、本発明の半導体ウエハ
サイズ変換ホルダーの製造方法の構成は、主として炭素
化することによりガラス状カーボンを与える素材よりな
る組成物を半導体ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成
形し、次いで炭素化することを特徴とする。
性、耐プラズマ性を有し、しかも安価に提供することの
できる半導体ウエハサイズ変換ホルダーを提供すること
を目的とする。 【構成】 本発明の半導体ウエハサイズ変換ホルダーの
構成は、実質的にガラス状カーボンで構成されているこ
とを特徴とするものであり、又、本発明の半導体ウエハ
サイズ変換ホルダーの製造方法の構成は、主として炭素
化することによりガラス状カーボンを与える素材よりな
る組成物を半導体ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成
形し、次いで炭素化することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハサイズ変
換ホルダー及びその製造方法に関するものであり、更に
詳しくは、半導体集積回路を製造する際に使用するウエ
ハに適用してそのサイズを変換し、各種の処理装置によ
り処理することができるようにする半導体ウエハサイズ
変換ホルダー及びその製造方法に関するものである。
換ホルダー及びその製造方法に関するものであり、更に
詳しくは、半導体集積回路を製造する際に使用するウエ
ハに適用してそのサイズを変換し、各種の処理装置によ
り処理することができるようにする半導体ウエハサイズ
変換ホルダー及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積回路の徴細化と高集積化、
高密度化が進展するにともない、半導体ウエハに高精度
で微細パターンを形成する技術、及び、大口径の半導体
ウエハ用処理装置の開発などの重要性が高まっている
が、このような各種の処理のために使用される装置で
は、処理可能な半導体ウエハのサイズがそれぞれ決まっ
ていて、例えば６インチのウエハ処理装置は、６インチ
以外のサイズの半導体ウエハを処理することができな
い。
高密度化が進展するにともない、半導体ウエハに高精度
で微細パターンを形成する技術、及び、大口径の半導体
ウエハ用処理装置の開発などの重要性が高まっている
が、このような各種の処理のために使用される装置で
は、処理可能な半導体ウエハのサイズがそれぞれ決まっ
ていて、例えば６インチのウエハ処理装置は、６インチ
以外のサイズの半導体ウエハを処理することができな
い。
【０００３】もちろん、作業能率やコストの面からは、
半導体ウエハのサイズにより各種の処理装置が限定され
てしまうより、例えば４インチのウエハを適宜のホルダ
ーにより６インチに変換し、６インチのウエハ処理装置
によっても処理できるようにした方が好ましく、従っ
て、半導体業界からは、半導体ウエハのサイズを変換す
ることのできる半導体ウエハサイズ変換ホルダーの開発
が望まれていた。
半導体ウエハのサイズにより各種の処理装置が限定され
てしまうより、例えば４インチのウエハを適宜のホルダ
ーにより６インチに変換し、６インチのウエハ処理装置
によっても処理できるようにした方が好ましく、従っ
て、半導体業界からは、半導体ウエハのサイズを変換す
ることのできる半導体ウエハサイズ変換ホルダーの開発
が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハの処理は、腐食性のガスや液体を使用し、しかも
高温下で行うなどの厳しい環境下にあるため、従来はこ
のような条件下での使用に耐えうる半導体ウエハサイズ
変換ホルダーは存在しなかった。
ウエハの処理は、腐食性のガスや液体を使用し、しかも
高温下で行うなどの厳しい環境下にあるため、従来はこ
のような条件下での使用に耐えうる半導体ウエハサイズ
変換ホルダーは存在しなかった。
【０００５】例えば、石英ガラスによるものは耐熱性に
は優れているが、フッ酸や強アルカリなど耐薬品性に問
題があり、又、シリコンなどによるものの利用も考えら
れるが、耐プラズマ性などが不足するばかりか高価で加
工性にも問題があるというように、耐薬品性、耐熱性、
耐プラズマ性を有し、しかも安価であることなどをすべ
て満足する半導体ウエハサイズ変換ホルダーを提供する
ことはできなかったのである。
は優れているが、フッ酸や強アルカリなど耐薬品性に問
題があり、又、シリコンなどによるものの利用も考えら
れるが、耐プラズマ性などが不足するばかりか高価で加
工性にも問題があるというように、耐薬品性、耐熱性、
耐プラズマ性を有し、しかも安価であることなどをすべ
て満足する半導体ウエハサイズ変換ホルダーを提供する
ことはできなかったのである。
【問題を解決するための手段】
【０００６】本発明は、上述した従来技術の難点を解消
し、耐薬品性、耐熱性、耐プラズマ性を有し、しかも安
価に提供することのできる半導体ウエハサイズ変換ホル
ダーを提供することを主たる目的としてなされた。
し、耐薬品性、耐熱性、耐プラズマ性を有し、しかも安
価に提供することのできる半導体ウエハサイズ変換ホル
ダーを提供することを主たる目的としてなされた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明が採用した半導体ウエハサイズ変換ホルダーの
構成は、実質的にガラス状カーボンで構成されているこ
とを特徴とするものであり、又、本発明が採用した半導
体ウエハサイズ変換ホルダーの製造方法の構成は、主と
して炭素化することによりガラス状カーボンを与える素
材よりなる組成物を半導体ウエハサイズ変換ホルダーの
形状に成形し、次いで炭素化することを特徴とするもの
である。
に本発明が採用した半導体ウエハサイズ変換ホルダーの
構成は、実質的にガラス状カーボンで構成されているこ
とを特徴とするものであり、又、本発明が採用した半導
体ウエハサイズ変換ホルダーの製造方法の構成は、主と
して炭素化することによりガラス状カーボンを与える素
材よりなる組成物を半導体ウエハサイズ変換ホルダーの
形状に成形し、次いで炭素化することを特徴とするもの
である。
【０００８】即ち、本発明の発明者らは、上記のような
特性を有する半導体ウエハサイズ変換ホルダーを提供す
るために、エッチング速度が遅い炭素材料について注目
し、更に検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った
ものである。
特性を有する半導体ウエハサイズ変換ホルダーを提供す
るために、エッチング速度が遅い炭素材料について注目
し、更に検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った
ものである。
【０００９】次に本発明を図により詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明の半導体ウエハサイズ変換ホ
ルダーの一例を示したもので、この半導体ウエハサイズ
変換ホルダーは、リング状の本体１と該本体１の内周縁
に形成された段部２より構成されていて、特に図示はし
ないが、前記段部２において半導体ウエハを保持するこ
とができるようになっている。
ルダーの一例を示したもので、この半導体ウエハサイズ
変換ホルダーは、リング状の本体１と該本体１の内周縁
に形成された段部２より構成されていて、特に図示はし
ないが、前記段部２において半導体ウエハを保持するこ
とができるようになっている。
【００１１】従って、仮に前記段部２が形成するリング
状の部分の直径が４インチであり、リング状の本体１の
直径が６インチであれば、上記のように構成される本発
明の半導体ウエハサイズ変換ホルダーは、４インチの半
導体ウエハを６インチのウエハ処理装置によっても処理
できるようにすることができるのである。
状の部分の直径が４インチであり、リング状の本体１の
直径が６インチであれば、上記のように構成される本発
明の半導体ウエハサイズ変換ホルダーは、４インチの半
導体ウエハを６インチのウエハ処理装置によっても処理
できるようにすることができるのである。
【００１２】本発明で上記のように構成される本発明の
半導体ウエハサイズ変換ホルダーを構成するガラス状カ
ーボンとしては、一般にそのような概念に属するもので
あれば制限がなく、例えば熱硬化性樹脂を炭素化して得
られるガラス状カーボン；共重合や共縮合等により熱硬
化するように変成された樹脂を炭素化して得られたガラ
ス状カーボン；硬化あるいは炭素化の過程で化学処理に
より結晶化を著しく妨げることにより得られるガラス状
カーボン；メタン、エチレン、ベンゼン等の低分子量炭
化水素類を気相で熱分解して得られるガラス状カーボン
等を挙げることができる。
半導体ウエハサイズ変換ホルダーを構成するガラス状カ
ーボンとしては、一般にそのような概念に属するもので
あれば制限がなく、例えば熱硬化性樹脂を炭素化して得
られるガラス状カーボン；共重合や共縮合等により熱硬
化するように変成された樹脂を炭素化して得られたガラ
ス状カーボン；硬化あるいは炭素化の過程で化学処理に
より結晶化を著しく妨げることにより得られるガラス状
カーボン；メタン、エチレン、ベンゼン等の低分子量炭
化水素類を気相で熱分解して得られるガラス状カーボン
等を挙げることができる。
【００１３】具体的には、ポリアクリロニトリル系、レ
ーヨン系、ピッチ系、リグニン系、フェノール系、フラ
ン系、アルキッド系、不飽和ポリエステル系、キシレン
系、ポリアミド系、ポリカルボジイミド系のガラス状カ
ーボンを例示することができる。
ーヨン系、ピッチ系、リグニン系、フェノール系、フラ
ン系、アルキッド系、不飽和ポリエステル系、キシレン
系、ポリアミド系、ポリカルボジイミド系のガラス状カ
ーボンを例示することができる。
【００１４】上記ガラス状カーボンは、安価であること
の他に、緻密な加工や高純度化が容易であり、かつ表面
が滑らかで対象物を傷つける恐れがなく、しかも粉体が
発生しにくく、又、導電性のために帯電してごみを吸着
したりしないし、更に耐薬品性、耐熱性、耐プラズマ性
に優れるという特徴を有している。
の他に、緻密な加工や高純度化が容易であり、かつ表面
が滑らかで対象物を傷つける恐れがなく、しかも粉体が
発生しにくく、又、導電性のために帯電してごみを吸着
したりしないし、更に耐薬品性、耐熱性、耐プラズマ性
に優れるという特徴を有している。
【００１５】本発明の半導体ウエハサイズ変換ホルダー
は、すでに述べたように、実質的に上記ガラス状カーボ
ンで構成されているものであり、このような半導体ウエ
ハサイズ変換ホルダーは、主として炭素化することによ
り上記ガラス状カーボンを与える素材よりなる組成物
を、半導体ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成形し、
次いで炭素化する本発明の製造方法により得ることがで
きる。
は、すでに述べたように、実質的に上記ガラス状カーボ
ンで構成されているものであり、このような半導体ウエ
ハサイズ変換ホルダーは、主として炭素化することによ
り上記ガラス状カーボンを与える素材よりなる組成物
を、半導体ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成形し、
次いで炭素化する本発明の製造方法により得ることがで
きる。
【００１６】上記組成物の成形は、圧縮、注型、押し出
し、真空成形等の一股的方法をとることができ、半導体
ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成形した後の炭素化
工程は、例えば真空中やアルゴンガス、窒素ガス中等の
不活性雰囲気中で行うものとし、その際の最終焼成温度
としては、好ましくはｌ０００℃及至３０００℃であ
る。尚、成形した後に予備加熱に付しても差し支えな
い。
し、真空成形等の一股的方法をとることができ、半導体
ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成形した後の炭素化
工程は、例えば真空中やアルゴンガス、窒素ガス中等の
不活性雰囲気中で行うものとし、その際の最終焼成温度
としては、好ましくはｌ０００℃及至３０００℃であ
る。尚、成形した後に予備加熱に付しても差し支えな
い。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。
する。
【００１８】実施例１ フェノール樹脂を半導体ウエハサイズ変換ホルダーの形
状に対応する金属型に注型し、６０℃で１２時間、８０
℃で１２時間熱処理し、その後型から取り出し、更に１
２０℃で１０時間熱処理を加えた。これを窒素中にて２
０００℃まで昇温し、外径６インチで内部に４インチの
ウエハをセットすることのできる半導体ウエハサイズ変
換ホルダーを得た。この半導体ウエハサイズ変換ホルダ
ーを構成するガラス状カーボンの物性は、見かけ比重
１．５３、ショアー硬度１１０、曲げ強度１５００ｋｇ
／ｃｍ2、気孔率０．２％、灰分２ｐｐｍであった。
状に対応する金属型に注型し、６０℃で１２時間、８０
℃で１２時間熱処理し、その後型から取り出し、更に１
２０℃で１０時間熱処理を加えた。これを窒素中にて２
０００℃まで昇温し、外径６インチで内部に４インチの
ウエハをセットすることのできる半導体ウエハサイズ変
換ホルダーを得た。この半導体ウエハサイズ変換ホルダ
ーを構成するガラス状カーボンの物性は、見かけ比重
１．５３、ショアー硬度１１０、曲げ強度１５００ｋｇ
／ｃｍ2、気孔率０．２％、灰分２ｐｐｍであった。
【００１９】プラズマエッチング装置（東京エレクトロ
ン製、６インチ用のウエハ処理装置）を用い、下記の条
件で、上記半導体ウエハサイズ変換ホルダーにセットし
た４インチのシリコンウエハを１００枚エッチング処理
した。 エッチング条件 キャリアーガス アルゴン エッチングガス ＣＦ2 Ｏ2 混合ガス 真空度 ０．８Ｔｏｒｒ 温度 １５０℃ ＲＦパワー １３．５６ＭＨｚ、３．５Ａ
ン製、６インチ用のウエハ処理装置）を用い、下記の条
件で、上記半導体ウエハサイズ変換ホルダーにセットし
た４インチのシリコンウエハを１００枚エッチング処理
した。 エッチング条件 キャリアーガス アルゴン エッチングガス ＣＦ2 Ｏ2 混合ガス 真空度 ０．８Ｔｏｒｒ 温度 １５０℃ ＲＦパワー １３．５６ＭＨｚ、３．５Ａ
【００２０】その後、エッチング処理の際のダスト数及
び転移欠陥を測定した。結果を表１に示す。尚、ダスト
数は０．１６μｍ以上のものの平均値を、転移欠陥は１
００枚処理したうちの欠陥が発見された枚数で示した
（以下、同様である）。
び転移欠陥を測定した。結果を表１に示す。尚、ダスト
数は０．１６μｍ以上のものの平均値を、転移欠陥は１
００枚処理したうちの欠陥が発見された枚数で示した
（以下、同様である）。
【００２１】実施例２ ポリカルボジイミド樹脂を半導体ウエハサイズ変換ホル
ダーの形状に対応する金属型に注型し、６０℃で２０時
間、１２０℃で１０時間熱処理し、その後型から取り出
し、更に２００℃で１０時間熱処理を加えた。これを窒
素中にて２０００℃まで昇温し、外径６インチで内部に
４インチのウエハをセットすることのできる半導体ウエ
ハサイズ変換ホルダーを得た。この半導体ウエハサイズ
変換ホルダーを構成するガラス状カーボンの物性は、見
かけ比重１．５５、ショアー硬度１２５、曲げ強度２０
００ｋｇ／ｃｍ2、気孔率０．０１％、灰分２ｐｐｍで
あった。
ダーの形状に対応する金属型に注型し、６０℃で２０時
間、１２０℃で１０時間熱処理し、その後型から取り出
し、更に２００℃で１０時間熱処理を加えた。これを窒
素中にて２０００℃まで昇温し、外径６インチで内部に
４インチのウエハをセットすることのできる半導体ウエ
ハサイズ変換ホルダーを得た。この半導体ウエハサイズ
変換ホルダーを構成するガラス状カーボンの物性は、見
かけ比重１．５５、ショアー硬度１２５、曲げ強度２０
００ｋｇ／ｃｍ2、気孔率０．０１％、灰分２ｐｐｍで
あった。
【００２２】プラズマエッチング装置（東京エレクトロ
ン製、６インチ用のウエハ処理装置）を用い、実施例１
と同様の条件で、上記半導体ウエハサイズ変換ホルダー
にセットした４インチのシリコンウエハを１００枚エッ
チング処理し、その後、エッチング処理の際のダスト数
及び転移欠陥を測定した。結果を表１に示す。
ン製、６インチ用のウエハ処理装置）を用い、実施例１
と同様の条件で、上記半導体ウエハサイズ変換ホルダー
にセットした４インチのシリコンウエハを１００枚エッ
チング処理し、その後、エッチング処理の際のダスト数
及び転移欠陥を測定した。結果を表１に示す。
【００２３】比較例ｌ 石英ガラスを用いて実施例１と同様の半導体ウエハサイ
ズ変換ホルダーを作成し、実施例１と同様の条件で、上
記半導体ウエハサイズ変換ホルダーにセットした４イン
チのシリコンウエハを１００枚エッチング処理し、その
後、エッチング処理の際のダスト数及び転移欠陥を測定
した。結果を表１に示す。
ズ変換ホルダーを作成し、実施例１と同様の条件で、上
記半導体ウエハサイズ変換ホルダーにセットした４イン
チのシリコンウエハを１００枚エッチング処理し、その
後、エッチング処理の際のダスト数及び転移欠陥を測定
した。結果を表１に示す。
【００２４】比較例２ シリコンを用いて実施例１と同様の半導体ウエハサイズ
変換ホルダーを作成し、実施例１と同様の条件で、上記
半導体ウエハサイズ変換ホルダーにセットした４インチ
のシリコンウエハを１００枚エッチング処理し、その
後、エッチング処理の際のダスト数及び転移欠陥を測定
した。結果を表１に示す。
変換ホルダーを作成し、実施例１と同様の条件で、上記
半導体ウエハサイズ変換ホルダーにセットした４インチ
のシリコンウエハを１００枚エッチング処理し、その
後、エッチング処理の際のダスト数及び転移欠陥を測定
した。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】このように、本発明の半導体ウエハサイ
ズ変換ホルダーは、実質的にガラス状カーボンで構成さ
れているので、ダストが発生することもなく、又、ウエ
ハの汚染即ち転移欠陥の発生しにくい良好な半導体ウエ
ハサイズ変換ホルダーということができる。
ズ変換ホルダーは、実質的にガラス状カーボンで構成さ
れているので、ダストが発生することもなく、又、ウエ
ハの汚染即ち転移欠陥の発生しにくい良好な半導体ウエ
ハサイズ変換ホルダーということができる。
【図１】本発明の半導体ウエハサイズ変換ホルダーの実
施例の平面図である。
施例の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
１ 本体 ２ 段部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年５月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】上記組成物の成形は、圧縮、注型、押し出
し、真空成形等の一般的方法をとることができ、半導体
ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成形した後の炭素化
工程は、例えば真空中やアルゴンガス、窒素ガス中等の
不活性雰囲気中で行うものとし、その際の最終焼成温度
としては、好ましくは１０００℃及至３０００℃であ
る。尚、成形した後に予備加熱に付しても差し支えな
い。又、高いショアー硬度や曲げ強度が必要であれば、
炭素化する熱硬化性樹脂にポリカルボジイミド樹脂を用
い、最終焼成温度に達するまでの昇温速度を２℃／時間
以下にすることが好ましい。
し、真空成形等の一般的方法をとることができ、半導体
ウエハサイズ変換ホルダーの形状に成形した後の炭素化
工程は、例えば真空中やアルゴンガス、窒素ガス中等の
不活性雰囲気中で行うものとし、その際の最終焼成温度
としては、好ましくは１０００℃及至３０００℃であ
る。尚、成形した後に予備加熱に付しても差し支えな
い。又、高いショアー硬度や曲げ強度が必要であれば、
炭素化する熱硬化性樹脂にポリカルボジイミド樹脂を用
い、最終焼成温度に達するまでの昇温速度を２℃／時間
以下にすることが好ましい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 // Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】 実質的にガラス状カーボンで構成されて
いることを特徴とする半導体ウエハサイズ変換ホルダ
ー。 - 【請求項２】 主として炭素化することによりガラス状
カーボンを与える素材よりなる組成物を半導体ウエハサ
イズ変換ホルダーの形状に成形し、次いで炭素化するこ
とを特徴とする半導体ウエハサイズ変換ホルダーの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5464794A JPH07240455A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体ウエハサイズ変換ホルダー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5464794A JPH07240455A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体ウエハサイズ変換ホルダー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240455A true JPH07240455A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12976580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5464794A Pending JPH07240455A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 半導体ウエハサイズ変換ホルダー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240455A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186227A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-15 | Cvd Inc | 半導体ウエファ支持用サセプタ |
| FR2783970A1 (fr) * | 1998-09-25 | 2000-03-31 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif |
| JP2005217351A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Toto Ltd | 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法 |
| KR101133121B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2012-04-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 웨이퍼 고정용 지그, 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP5464794A patent/JPH07240455A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186227A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-15 | Cvd Inc | 半導体ウエファ支持用サセプタ |
| FR2783970A1 (fr) * | 1998-09-25 | 2000-03-31 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif |
| EP0993026A1 (fr) * | 1998-09-25 | 2000-04-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prévue pour traiter de plus grands substrats et système de montage d'un substrat dans ce dispositif |
| JP2005217351A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Toto Ltd | 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法 |
| KR101133121B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2012-04-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 웨이퍼 고정용 지그, 웨이퍼 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 |
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