JPH06128762A - プラズマエッチング用電極板 - Google Patents
プラズマエッチング用電極板Info
- Publication number
- JPH06128762A JPH06128762A JP4282112A JP28211292A JPH06128762A JP H06128762 A JPH06128762 A JP H06128762A JP 4282112 A JP4282112 A JP 4282112A JP 28211292 A JP28211292 A JP 28211292A JP H06128762 A JPH06128762 A JP H06128762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- wafer
- plasma etching
- carbon
- rmax
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング時にウエハ面に付着する粉末粒子
の粒子数が少ないプラズマエッチング用電極板を提供す
る。 【構成】 プラズマにより消耗する部位の表面平滑度が
Ｒmax６μｍ以下であるガラス状炭素からなるプラズマ
エッチング用電極板。
の粒子数が少ないプラズマエッチング用電極板を提供す
る。 【構成】 プラズマにより消耗する部位の表面平滑度が
Ｒmax６μｍ以下であるガラス状炭素からなるプラズマ
エッチング用電極板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング用
の電極板に関する。
の電極板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス状炭素は、一般の炭素材料が有す
る軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性等の性質を備えて
いるほか、ガス不透過性で硬度が高い等の特有の性質を
持っているところから、エレクトロニクス産業、原子力
産業、航空産業等各種の分野での広範な用途に使用され
つつある。最近は、炭素粒子の脱落や付着がない性質を
利用して、半導体集積回路を製造する際のウエハのプラ
ズマエッチング加工用電極板として使用することが検討
されている。
る軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性等の性質を備えて
いるほか、ガス不透過性で硬度が高い等の特有の性質を
持っているところから、エレクトロニクス産業、原子力
産業、航空産業等各種の分野での広範な用途に使用され
つつある。最近は、炭素粒子の脱落や付着がない性質を
利用して、半導体集積回路を製造する際のウエハのプラ
ズマエッチング加工用電極板として使用することが検討
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マエッチング用電極板に対する要求性能は一層高度にな
って来ており、特にエッチング時にウエハ面に落下し付
着する炭素粒子等の粒子数が少ないものが要求されてい
る。本発明は上記した要求を満足するプラズマエッチン
グ用電極板を提供することを目的とする。
マエッチング用電極板に対する要求性能は一層高度にな
って来ており、特にエッチング時にウエハ面に落下し付
着する炭素粒子等の粒子数が少ないものが要求されてい
る。本発明は上記した要求を満足するプラズマエッチン
グ用電極板を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマによ
り消耗する部位の表面平滑度がＲmax６μｍ以下である
ガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板に関
する。表面平滑度はＪＩＳ−Ｂ０６０１で定義する表面
粗さである。電極板のプラズマにより消耗する部位は、
ウエハと対向する面、その反対側の面及び穿設された貫
通小孔の内面である。この部位の表面平滑度がＲmax６
μｍを越えると、プラズマ化により発生したイオンの衝
撃等によりその部位が消耗するときに、粗い表面の凸部
が均一に消耗されないため、ウエハ面に付着する粉末粒
子の数が多くなり好ましくない。表面平滑度はＲmaxが
６μｍ以下であるほか、Ｒzが５．４μｍ及びＲaが０.
５μｍ以下であることが好ましい。このような表面平滑
度にするためには基材のガラス状炭素の表面をダイヤモ
ンドラップ法、バフ研磨法等により研磨して得られる。
り消耗する部位の表面平滑度がＲmax６μｍ以下である
ガラス状炭素からなるプラズマエッチング用電極板に関
する。表面平滑度はＪＩＳ−Ｂ０６０１で定義する表面
粗さである。電極板のプラズマにより消耗する部位は、
ウエハと対向する面、その反対側の面及び穿設された貫
通小孔の内面である。この部位の表面平滑度がＲmax６
μｍを越えると、プラズマ化により発生したイオンの衝
撃等によりその部位が消耗するときに、粗い表面の凸部
が均一に消耗されないため、ウエハ面に付着する粉末粒
子の数が多くなり好ましくない。表面平滑度はＲmaxが
６μｍ以下であるほか、Ｒzが５．４μｍ及びＲaが０.
５μｍ以下であることが好ましい。このような表面平滑
度にするためには基材のガラス状炭素の表面をダイヤモ
ンドラップ法、バフ研磨法等により研磨して得られる。
【０００５】本発明のプラズマエッチング用電極板は次
のようにして製造される。即ち、出発原料として高純度
の液状熱硬化性樹脂を用い、均一肉厚の平板に成形硬化
し、電極板の形状にする所定の加工を行った後、その樹
脂板を不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アルゴン等の
不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガ
スの少なくとも一種の気体からなる酸素を含まない雰囲
気、減圧又は真空下）において約１０００℃の温度で焼
成炭化し、更に同雰囲気で１５００℃以上の温度で熱処
理し、必要に応じて純化処理してガラス状炭素を得る。
樹脂の成形硬化は縮合水等が外部に抜け易い加熱条件及
び昇温速度で行うか、又は硬化のための触媒の量を適正
な量に設定して安定した樹脂板を得る。ガラス状炭素中
の不純物含有量は２０ppm以下が好ましい。不純物含有
量が多いとウエハを汚染する。前記した研磨は成形後、
焼成後、熱処理後の適当な時期に行う。また、電極板に
は平面に直角な多数の貫通孔をダイヤモンド加工、ドリ
ル加工等により設けるが、この時期も特に制限はない。
のようにして製造される。即ち、出発原料として高純度
の液状熱硬化性樹脂を用い、均一肉厚の平板に成形硬化
し、電極板の形状にする所定の加工を行った後、その樹
脂板を不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アルゴン等の
不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガ
スの少なくとも一種の気体からなる酸素を含まない雰囲
気、減圧又は真空下）において約１０００℃の温度で焼
成炭化し、更に同雰囲気で１５００℃以上の温度で熱処
理し、必要に応じて純化処理してガラス状炭素を得る。
樹脂の成形硬化は縮合水等が外部に抜け易い加熱条件及
び昇温速度で行うか、又は硬化のための触媒の量を適正
な量に設定して安定した樹脂板を得る。ガラス状炭素中
の不純物含有量は２０ppm以下が好ましい。不純物含有
量が多いとウエハを汚染する。前記した研磨は成形後、
焼成後、熱処理後の適当な時期に行う。また、電極板に
は平面に直角な多数の貫通孔をダイヤモンド加工、ドリ
ル加工等により設けるが、この時期も特に制限はない。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。前記した製
造法により、厚さ３mmで、平面に直径０．８mmの貫通小
孔を３mmのピッチで多数穿設したガラス状炭素の焼成炭
化品を得た。次に、この焼成炭化品の表面を表１に示す
ような種々の表面平滑度に研磨した（実施例１〜５、比
較例１〜３）のち、２０００℃の温度で熱処理し、不純
物含有量２０ppm以下のプラズマエッチング用電極板を
製作した。
造法により、厚さ３mmで、平面に直径０．８mmの貫通小
孔を３mmのピッチで多数穿設したガラス状炭素の焼成炭
化品を得た。次に、この焼成炭化品の表面を表１に示す
ような種々の表面平滑度に研磨した（実施例１〜５、比
較例１〜３）のち、２０００℃の温度で熱処理し、不純
物含有量２０ppm以下のプラズマエッチング用電極板を
製作した。
【０００７】次にこの電極板をプラズマエッチング装置
にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨ
Ｆ3）、キャリアガス：アルゴン（Ａr）、反応チャンバ
ー内のガス圧：１Ｔorr、電源周波数：１３．５ＭＨzの
条件で径６インチのシリコンウェハの酸化膜エッチング
を行った。このときシリコンウェハの表面に付着した
０．３μｍ以上の粉末粒子の個数を数えた。この結果を
表１に示す。
にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨ
Ｆ3）、キャリアガス：アルゴン（Ａr）、反応チャンバ
ー内のガス圧：１Ｔorr、電源周波数：１３．５ＭＨzの
条件で径６インチのシリコンウェハの酸化膜エッチング
を行った。このときシリコンウェハの表面に付着した
０．３μｍ以上の粉末粒子の個数を数えた。この結果を
表１に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】表１から、Ｒmaxが６μｍを越える比較例
の電極板を使用した場合は粒子数が８０個以上と多いの
に対し、Ｒmaxが６μｍ以下の実施例の電極板を使用す
ることにより粒子数は２９個以下と小さくなり、性能が
顕著に改善されることが示される。
の電極板を使用した場合は粒子数が８０個以上と多いの
に対し、Ｒmaxが６μｍ以下の実施例の電極板を使用す
ることにより粒子数は２９個以下と小さくなり、性能が
顕著に改善されることが示される。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、エッチングの際に発生
する有害な粉末粒子の数を大幅に少なくすることが出来
る。従って、トラブルのない安定なエッチング加工を行
うことが可能になる。
する有害な粉末粒子の数を大幅に少なくすることが出来
る。従って、トラブルのない安定なエッチング加工を行
うことが可能になる。
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマにより消耗する部位の表面平滑
度がＲmax６μｍ以下であるガラス状炭素からなるプラ
ズマエッチング用電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282112A JPH06128762A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | プラズマエッチング用電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282112A JPH06128762A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | プラズマエッチング用電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06128762A true JPH06128762A (ja) | 1994-05-10 |
Family
ID=17648288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4282112A Pending JPH06128762A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | プラズマエッチング用電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06128762A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0795889A2 (en) * | 1996-02-15 | 1997-09-17 | Tokai Carbon Company Ltd. | Plasma-etching electrode plate |
| EP0803895A2 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-29 | Nisshinbo Industries Inc. | Electrode for plasma etching |
| US5961361A (en) * | 1996-10-24 | 1999-10-05 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing electrode plate for plasma processing device |
| WO2002011166A3 (en) * | 2000-07-31 | 2002-07-04 | Heraeus Quarzglas | Quartz glass jig for processing apparatus using plasma |
| JP2003017435A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Ibiden Co Ltd | ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材 |
| JP2005303045A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン部材およびその製造方法 |
| JP2007247042A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 半導体加工装置用セラミック被覆部材 |
| JP2008172253A (ja) * | 2008-01-23 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング用電極 |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP4282112A patent/JPH06128762A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0795889A2 (en) * | 1996-02-15 | 1997-09-17 | Tokai Carbon Company Ltd. | Plasma-etching electrode plate |
| EP0803895A2 (en) * | 1996-04-22 | 1997-10-29 | Nisshinbo Industries Inc. | Electrode for plasma etching |
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| KR100476350B1 (ko) * | 1996-10-24 | 2005-05-16 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마처리장치용전극판의제조방법 |
| WO2002011166A3 (en) * | 2000-07-31 | 2002-07-04 | Heraeus Quarzglas | Quartz glass jig for processing apparatus using plasma |
| US6869898B2 (en) | 2000-07-31 | 2005-03-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quartz glass jig for processing apparatus using plasma |
| JP2003017435A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Ibiden Co Ltd | ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材 |
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| JP4531435B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-08-25 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン部材およびその製造方法 |
| JP2007247042A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 半導体加工装置用セラミック被覆部材 |
| JP2008172253A (ja) * | 2008-01-23 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエッチング用電極 |
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